JP2015130399A - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤ等の発光素子において、保護層の剥がれや割れ防止し、信頼性に優れた発光素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子１０は、支持基板上に形成された第１の接合層３５、３６と、第１の接合層上に配され、発光層１３を含み、第１の接合層に接合された第２の接合層を下面に有する半導体構造層１７と、半導体構造層の上面及び側面を覆いかつ第１の接合層の表面を覆う絶縁性保護膜３７と、を有し、第１の接合層は、上面から順にＡｕからなる第１の金属層、及びＡｕよりも当該絶縁性保護膜との密着性の高い金属からなる第２の金属層からなっており、絶縁性保護膜に覆われている第１の金属層の表面に第２の金属層の金属が現れている。【選択図】図１

Description

本発明は、発光素子、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）及びその製造方法に関する。

発光素子を搭載した発光装置が、照明、バックライト、産業機器等に従来から用いられてきた。特許文献１に記載されているような発光素子は、ＧａＡｓ基板またはサファイア基板等の成長基板上にＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法等を用いてＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＮ等の半導体層をエピタキシャル成長させ、成長基板上に成長した半導体層を導電性の支持基板に貼り合わせた後、成長基板を除去して製造されている。

特開２０１１−１００９７４号公報

このような発光素子においては、支持基板の表面に、Ａｕ等の接合用金属層が成膜されている。また、発光素子のリーク等を防止するために、半導体層の側面から接合用金属層の表面にかけてＳｉＯ₂等の保護膜が形成されている。このような発光素子においては、接合用金属層と保護膜との密着性が悪い。このため、保護膜の剥がれや割れが生じてリーク等の不良が発生していた。

本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ等の発光素子において、保護層の剥がれや割れ防止し、信頼性に優れた発光素子及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の発光素子は、基板上に形成された第１の接合層と、当該第１の接合層上に配され、発光層を含み、当該第１の接合層に接合された第２の接合層を下面に有する半導体構造層と、当該半導体構造層の上面及び側面を覆いかつ当該第１の接合層の表面を覆う絶縁性保護膜と、を有し、当該第１の接合層は、上面から順にＡｕからなる第１の金属層、及びＡｕよりも当該絶縁性保護膜との密着性の高い金属からなる第２の金属層からなっており、当該絶縁性保護膜に覆われている当該第１の金属層の表面に当該第２の金属層の金属が現れていることを特徴とする。

また、本発明の発光素子の製造方法は、成長基板上に第１の導電型の第１の半導体層、発光層、当該第１の導電型とは反対の導電型の第２の導電型の第２の半導体層を有する半導体構造層をこの順に形成する工程と、当該半導体構造層上に第１の金属接合層を形成する工程と、支持基板上にＴｉ、Ｗ及びＮｉのいずれか１を含む第１の金属層及び当該第１の金属層上に形成されるＡｕからなる第２の金属層を含む第２の金属接合層を形成する工程と、当該第１の金属接合層と当該第２の金属接合層とを接合させる工程と、当該成長基板を除去する工程と、当該第２の金属接合層の露出している表面にレーザ光を照射して、当該第１の金属層の金属を当該第２の金属層の表面まで侵出させる工程と、当該半導体構造層の上面及び側面を覆いかつ当該レーザ光が照射された当該第２の金属接合層の表面に至る絶縁性保護膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする。

図１（ａ）は本発明の実施例である発光素子の上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の１ｂ−１ｂ線に沿った断面図である。 図２（ａ）及び（ｂ）は密着領域の断面図である。 図３（ａ）−（ｃ）は図１の発光素子の製造工程を示す図である。 図４（ａ）及び（ｂ）は図１の発光素子の製造工程を示す図である。 図１の発光素子の製造工程の変形例を示す図である。

以下においては、本発明の好適な実施例について説明する。しかし、これらを適宜改変し、組み合わせてもよい。また、以下の説明及び添付図面において、実質的に同一又は等価な部分には同一の参照符を付して説明する。

図１（ａ）は、本発明の実施例である発光素子１０の上面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）の１ｂ−１ｂ線における断面図である。発光素子１０は、発光素子構造体２０と支持体３０とが接合層３５，３６（図１（ａ）においては太線で示す）を介して接合された構造を有するＧａＮ系（Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１））の発光ダイオード（ＬＥＤ）である。

図１（ｂ）に示すように、発光素子構造体（以下、単に素子構造体ともいう）２０は、支第１の導電型の第１の半導体層１１と、発光層１３と、第１の導電型とは反対導電型の第２の導電型の第２の半導体層１５とが積層された半導体構造層１７を有する。第１の半導体層の表面は発光素子１０の光取り出し面１７Ｓとなっている。本実施例においては、第１の半導体層１１がｎ型半導体層であり、第２の半導体層１５がｐ型半導体層である場合を例に説明する。

第１の半導体層１１は、Ｓｉのようなｎ型ドーパントが添加されたｎ型半導体層を含む層である。発光層１３は、ＧａＮの層とＩｎ_xＧａ_1-xＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の層が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する。第２の半導体層１５は、Ｍｇのようなｐ型ドーパントが添加されたｐ型半導体層である。

半導体構造層１７は、発光素子１０の中央に第２の半導体層１５の表面から第１の半導体層１１に至る孔部１７Ｈを有する。第２の半導体層１５の表面には、ｐ電極１９が形成されている。第２の半導体層１５の表面にｐ電極１９を埋設するようにキャップ層２１が形成されている。

絶縁層２３は、キャップ層２１から露出している第２の半導体層１５の表面、孔部１７Ｈの側面及びキャップ層２１を覆う。また、絶縁層２３は孔部１７Ｈの底面を露出する開口部２３Ａを有する。また、発光素子１０のキャップ層２１を露出する開口部２３Ｂを有する。

ｎ電極２５は、孔部１７Ｈの底面において開口部２３Ａから露出した第１の半導体層１１に接続される。また、孔部１７Ｈの側面上に形成された絶縁層２３上に形成されている。

ｐ側接合電極２７は、開口部２３Ｂから露出するキャップ層２１の表面を覆う。ｎ側接合電極２９は、ｐ側接合電極２７が形成されている端部領域以外の領域において絶縁層２３及びｎ電極２５を覆う。ｐ側接合電極２７はｎ側接合電極２９と離れているため、ｎ側接合電極２９とは電気的に絶縁されている。ｐ側接合電極２７及びｎ側接合電極２９は同一の層構成を有している。

支持体３０は、熱伝導性の良い支持基板３１と、支持基板３１の主面上に形成された絶縁層３３とを有する。また、絶縁層３３上に接合層３５，３６が形成されている。接合層３５は、ｐ側接合電極２７が形成されている領域に対応した領域に形成されている。接合層３６は、ｎ側接合電極２９が形成されている領域に対応した領域に形成されている。接合層３５と接合層３６とは電気的に絶縁されている。接合層３５，３６は、支持基板３１の主面に垂直な方向から見て素子構造体２０の外側にまで伸びている。すなわち、接合層３５，３６の表面が素子構造体２０から露出している。

接合層３５，３６は同一の層構成を有している。また、接合層３５，３６は、それぞれ絶縁層３３上にＴｉからなる厚さ６００ｎｍの密着層３５Ａ，３６Ａ、Ｐｔからなる５０ｎｍのバリア層３５Ｂ，３６Ｂ、Ａｕからなる厚さ５００ｎｍの表面層３５Ｃ，３６Ｃがこの順に積層されている。バリア層３５Ｂ，３６Ｂは、密着層３５Ａ，３６Ａと表面層３５Ｃ，３６Ｃを形成する材料の拡散及びこれらの合金化を防止するための層である。表面層３５Ｃ，３６Ｃの各々とｐ側接合電極２７及びｎ側接合電極２９の各々とが接合することによって、支持体３０と素子構造体２０とが一体化する。なお、バリア層３５Ｂ，３６Ｂは必ずしも形成されていなくてもよい。すなわち、接合層３５，３６が、それぞれ密着層３５Ａ，３６Ａ、並びに表面層３５Ｃ，３６Ｃのみからなっていてもよい。

絶縁性保護膜３７は、ＳｉＯ₂からなる。また、絶縁性保護膜３７は、発光素子構造体２０の上面、側面、接合層３５，３６の表面であって発光素子構造体２０の端部から外方に伸びている領域（密着領域ＡＡ）に形成されている。絶縁性保護膜３７は、接合層３５，３６と密着領域ＡＡにおいて接合層３５，３６の表面に密着している。また、発光素子１０への電力供給を行うために接合層３５，３６の表面は一部露出されている。

図２に密着領域ＡＡの接合層３５，３６の断面図を示す。なお、接合層３５の密着領域ＡＡの断面は、接合層３６の密着領域ＡＡの断面と同様の断面構造を有している。図２に示すように、表面層３５Ｃ，３６Ｃ内には、部分的に密着層３５Ａ，３６Ａを形成するＴｉが侵出した、例えば図２（ａ）に示すような粒状または粒塊状の密着材部３９が存在している。密着材部３９の一部は表面層３５Ｃ，３６Ｃの表面に接して形成されている。すなわち、表面層３５Ｃ，３６Ｃの表面において、密着層３５Ａ，３６Ａと同一の材料であり、表面層３５Ｃ，３６Ｃを形成するＡｕよりも絶縁性保護膜３７との密着性が高い材料であるＴｉからなる領域が部分的に現れている（露出している）。なお、密着材部３９は、図２（ｂ）に示すように密着層３５Ａ，３６Ａと連続的に形成されていてもよい。また、図２（ａ）に示すような粒状または粒塊状の密着材部３９及び図２（ｂ）に示すような密着層３５Ａ，３６Ａと連続的に形成されている密着材部３９とが混在していてもよい。

実施例１の発光装置１０は、接合層３５，３６の最上層の表面層３５Ｃ，３６ＣがＡｕからなる。また、密着領域ＡＡにおいて表面層３５Ｃ，３６Ｃの表面に絶縁性保護膜３７の材料であるＳｉＯ₂等の酸化物絶縁体と密着性が高い密着層３５Ａ、３６Ａと同一の材料であるＴｉが露出している。従って、実施例１の発光装置１０によれば、密着領域ＡＡにおいて接合層３５，３６の表面と絶縁性保護膜３７の密着性を向上させて、絶縁性保護膜３７の剥がれや割れ等の不良が防止される。

また、表面層３５Ｃ，３６Ｃの主たる材料が黄色光に対する反射率が高いＡｕである。そのため、発光素子１０と共に黄色蛍光体を用いる発光装置を形成する場合には、発光素子１０から出射した光によって励起された黄色蛍光体からの黄色光が表面層３５Ｃ，３６Ｃの表面において良好に反射される。よって、発光素子１０と共に黄色蛍光体を用いる発光装置において、接合層３５，３６の表面と絶縁性保護膜３７の密着性を向上させて、絶縁性保護膜３７の不良を防止しつつ、当該発光装置の光取り出し効率を向上させることが可能である。

なお、密着領域ＡＡは、接合層３５，３６の素子構造体２０の直下の領域、すなわち素子構造体２０との接合領域以外の全体に及んでいてもよい。また、密着領域ＡＡは、接合層３５，３６と絶縁保護層３７が接している領域に部分的に形成されていてもよい。また、表面層３５Ｃ，３６Ｃが、密着層３５Ａ，３６Ａの材料と表面層３５Ｃ，３６Ｃの材料とが一部合金化した状態であってもよい。

［発光素子１０の製造方法］
実施例１である発光素子１０の製造方法について、以下に詳細に説明する。図３（ａ）−（ｃ）、図４（ａ）−（ｂ）及び図５は、実施例の発光素子１０の各製造工程を示す断面図である。以下の説明においては、図の明瞭化のために、１の発光素子の断面図を用いて説明を行うが、複数の発光素子１０が１つの基板上に同時進行で形成され、最後にダイシングによって個々の発光素子１０に個片化されることとしてもよい。

［発光素子構造体の形成］
まず、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法を用いて成長基板４１上に半導体構造層１７を成長する。具体的には、まず、サファイア基板等の成長基板４１をＭＯＣＶＤ装置に投入し、サーマルクリーニングを行う。次に、成長基板４１上に第１の半導体層１１、発光層１３、及び第２の半導体層１５を順に成膜する。第１の半導体層１１は、ＧａＮバッファ層、アンドープのＧａＮ層及びＳｉのようなｎ型ドーパントが添加されたｎ型ＧａＮ層が順に積層される。発光層１３は、ＧａＮの層とＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）の層が繰り返し積層された多重量子井戸構造を有する。第２の半導体層１５は、Ｍｇのようなｐ型ドーパントが添加されたｐ型ＧａＮ層を含む。この半導体構造層１７は、ｐ型ドーパントであるＭｇを活性化させるため、例えば９００℃、１分間アニールされる。

次に、図３（ａ）に示すように、ｐ電極１９及びキャップ層２１を形成し、孔部１７Ｈを形成する。ｐ電極１９は、例えばスパッタ法または電子ビーム（ＥＢ）蒸着法で、第２の半導体層１５の上にＮｉ層を厚さ０．５ｎｍで成膜し、その後Ａｇ層を厚さ３００ｎｍで成膜した。キャップ層２１は、ｐ電極１９を埋設するようにＴｉ層を厚さ１００ｎｍで、Ｐｔ層を厚さ２００ｎｍで、Ａｕ層を２００ｎｍで、Ｔｉ層を３０ｎｍで、例えばスパッタ法または電子ビーム（ＥＢ）蒸着法で成膜し、ｐ電極と同様の所定の形状にパターニングした。

孔部１７Ｈは、半導体構造層１７の中央に、第２の半導体層１５の表面から発光層１３を貫通し、第１の半導体層１１が露出するように形成する。孔部１７Ｈは、例えば、第２の半導体層１５、発光層１３及び第１の半導体層を反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）等でドライエッチングすることで形成する。

次に、図３（ｂ）に示すように、第２の半導体層１５の表面、キャップ層２１、及び孔部１７Ｈの側面から露出している第２の半導体層１５及び発光層１３を覆うように絶縁層２３を形成する。この絶縁層２３の作製手順は、まず、ＳｉＯ₂またはＳｉＮ等の絶縁性材料を、例えばスパッタ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等で成膜する。次に、孔部１７Ｈの底面を露出させる開口部２３Ａに対応する部分と、ｐ側接合電極２７を形成する領域のキャップ層２１の一部を露出させる開口部２３Ｂに対応する部分の絶縁性材料を除去する。開口部は、絶縁性材料をウェットエッチングまたはドライエッチングで一部除去することで形成してもよい。

次に、図３（ｃ）に示すように、ｎ電極２５を形成し、その後にｐ側接合電極２７及びｎ側接合電極２９を形成する。ｎ電極２５は、具体的には、孔部１７Ｈの底部にある開口部２３Ａから露出している第１の半導体層１１の表面を覆い、絶縁層２３の孔部１７Ｈの側面に形成された部分を覆うように形成する。ｎ電極２５は、例えばスパッタ法で、第１の半導体層１１の表面からＴｉを厚さ１ｎｍ、Ａｌを厚さ２００ｎｍ、Ｔｉを厚さ１００ｎｍ、Ｐｔを厚さ２００ｎｍ、Ａｕを厚さ２００ｎｍで成膜する。

ｐ側接合電極２７及びｎ側接合電極２９は、具体的には、まず、絶縁層２３と、ｎ電極２５と、開口部２３Ｂから露出したキャップ層２１を覆うように、例えばＴｉを厚さ５０ｎｍで、Ｐｔを厚さ２００ｎｍで、ＡｕＳｎを厚さ５００ｎｍでこの順にＥＢ蒸着法等で成膜する。その後に所定形状にパターニングする。この際、ｐ側接合電極２７とｎ側接合電極２９が互いに電気的に絶縁されるようにパターニングする。以上の工程で発光素子構造体２０が完成する。なお、複数の発光素子構造体２０を１枚の成長基板上に複数形成している場合には、発光素子構造体２０を、例えばドライエッチングで個片化する。具体的には、露出している第２の半導体層の表面から成長基板４１の表面に至る溝を形成することにより発光素子構造体２０を個片化する。

［支持体の形成及び発光素子構造体支持体との接合］
まず、Ｓｉ等からなる支持基板３１の一方の面に例えばＳｉＯ₂またはＳｉＮからなる絶縁層３３を形成して支持体３０を形成する。その後、絶縁層３３上に発光素子構造体２０との接合層３５，３６を形成する。具体的には、絶縁層３３上にＴｉからなる６００ｎｍの密着層３５Ａ，３６Ａ、Ｐｔからなる５０ｎｍのバリア層３５Ｂ，３６Ｂ、Ａｕからなる厚さ５００ｎｍの表面層３５Ｃ，３６Ｃをこの順に積層する。接合層３５，３６の各層の形成には、例えば、抵抗加熱及びＥＢ蒸着法、スパッタ法などから適当な手法を用いることができる。

次に、素子構造体２０と支持体３０を、例えば熱圧着により接合させる。より詳細には、素子構造体２０のｐ側接合電極２７及びｎ側接合電極２９の最表層にあるＡｕＳｎと接合層３５，３６の表面層３５Ｃ，３６Ｃを形成するＡｕとを対向させて加熱圧着する、いわゆる共晶接合を行った。

［成長基板の除去］
図４（ａ）に示すように素子構造体２０と支持体３０とを接合した後、成長基板４１を除去する。成長基板４１の除去は、成長基板４１の半導体構造層１７が形成されている面と反対側の面から成長基板と第１の半導体層１１との界面領域に対して、例えば、エキシマレーザーの様なＧａＮが分解するエネルギーを有する高出力パルスレーザー光を照射する、いわゆるレーザリフトオフ（ＬＬＯ）法を用いる。なお、成長基板４１の除去は、ＬＬＯ法に限らず、ウエットエッチングドライエッチング、機械研磨法、化学機械研磨（chemical mechanical polishing（ＣＭＰ））もしくはそれらのうち少なくとも１つの方法を含む組み合わせにより行ってもよい。

［密着領域の形成］
成長基板４１の除去の後、図４（ｂ）に示すように、接合層３５，３６の表面の露出している領域にレーザを照射して、図２に示した密着材部３９を形成する。その結果、密着領域ＡＡが形成される。具体的には、発光素子構造体２０から露出している接合層３５，３６の表面にレーザ光（図４（ｂ）の太線矢印）を照射することでレーザ光の照射による熱で表面層３５Ｃ，３６Ｃを形成しているＡｕを凝集させる。また、その下にある密着層３５Ａ，３６Ａを形成するＴｉ及びバリア層３５Ｂ，３６Ｂを形成するＰｔを溶解させる。この結果、Ｔｉを表面層３５Ｃ，３６Ｃの表面まで浮き上がらせて侵出させ、ＴｉもしくはＴｉとＡｕ（表面層３５Ｃ，３６Ｃの金属）との合金またはこれらにＰｔ（バリア層（３５Ｂ，３６Ｂ）の金属）が混入した粒状または粒塊状の密着材部３９を形成することで密着領域ＡＡを形成する。

なお、密着材部３９を形成して密着領域ＡＡを形成するために使用されるレーザ光の出力は、成長基板４１の除去の際に用いられるレーザ光の出力と同程度であってもよい。また、レーザ光を照射することで密着層３５Ａ，３６Ａを形成する材料及び表面層３５Ｃ，３６Ｃを形成する材料からなる合金を密着領域ＡＡの接合層３５，３６に全体的に形成することとしてもよい。

また、この密着領域ＡＡは、図５に示すように、成長基板４１の除去の工程において接合層３５，３６の表面にレーザ光を照射することで形成してもよい。このようにすることで、製造工程を簡略化することが可能である。

また、さらに、素子構造体２０と支持体３０を接合する工程の前に、接合層３５，３６の表面の密着領域ＡＡとなる領域に予めレーザ光を照射しておいてもよい。

［絶縁性保護膜の形成］
密着領域のＡＡ形成の後、半導体構造層１７の上面（光出射面１７Ｓ）及び側面、ｐ側接合電極２７及びｎ側接合電極２９の側面、接合層３５，３６の露出している表面の密着領域ＡＡに絶縁性保護膜３７を形成する。絶縁性保護膜３７は、例えば、スパッタ法にて絶縁性酸化物であるＳｉＯ₂を厚さ３５０ｎｍとなるように成膜し、接合層３５，３６の端部領域が露出するようにパターニングをする。絶縁性保護膜３７の形成をもって、図１に示した発光素子１０が完成する。

上記製造方法によれば、接合層３５，３６の表面に絶縁性保護膜３７を密着させるための材料の成膜をすることなく、接合層３５，３６へのレーザの照射のみによって接合層３５，３６と絶縁性保護膜３７との密着性を高めることができる。従って、短時間の処理を追加するのみで、発光素子１０における絶縁性保護膜３７の剥がれや割れによる不良を防止することが可能である。

また、上記製法によれば、表面層３５Ｃ，３６Ｃの主たる材料を黄色光に対する反射率が高いＡｕにしつつ絶縁性保護膜の不良を防止することが可能である故に、発光素子１０と共に黄色蛍光体を用いる発光装置を形成する場合には、発光素子１０から出射した光によって励起された黄色蛍光体からの黄色光が表面層３５Ｃ，３６Ｃの表面において良好に反射させることができる。よって、発光素子１０と共に黄色蛍光体を用いる発光装置において、接合層３５，３６の表面と絶縁性保護膜３７の密着性を向上させて、絶縁性保護膜３７の不良を防止しつつ、当該発光装置の光取り出し効率を向上させることが可能である。

上記実施例においては、密着層３５Ａ，３６ＡをＴｉで形成するとしたが、密着層３５Ａ，３６Ａは表面層３５Ｃ，３６Ｃを形成するＡｕより絶縁性保護膜３７との密着性が高い材料ならば他の材料でもよく、例えばＷまたはＮｉで形成されていてもよい。すなわち、密着層３５Ａ，３６ＡはＴｉ、Ｗ及びＮｉのいずれか１つを含んでいることとしてもよい。また、上記実施例においては、バリア層３５Ｂ，３６ＢをＰｔで形成することとしたが、バリア層３５Ｂ，３６Ｂは、密着層３５Ａ，３６Ａと表面層３５Ｃ，３６Ｃとの合金化を防止可能な材料ならばよく、例えばＴｉＷまたはＴａＮで形成されていてもよい。また、絶縁性保護膜３７はＳｉＯ₂で形成するとしたが、絶縁性保護膜３７は、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｔｉ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、ＨｆＯ₂、ＣｅＯ₂等の他の絶縁体で形成されていてもよい。

上記実施例においては、ｎ電極及びｐ電極を素子の一方の面に露出するように形成する素子について説明したが、本発明は他の半導体素子構造を有する素子にも適用可能である。例えば、ｎ電極及びｐ電極を互いに反対側の面に形成する半導体素子構造を有する素子についても適用可能である。

また、上記実施例においては、説明及び理解の容易さのため、半導体構造層が第１の半導体層、発光層及び第２の半導体層からなる場合について説明したが、第１の半導体層及び／又は第２の半導体層、並びに発光層はそれぞれ複数の層から構成されていてもよい。例えば、当該半導体層には、キャリア注入層、キャリアオーバーフロー防止のための障壁層、電流拡散層、オーミック接触性向上のためのコンタクト層、バッファ層などが含まれていてもよい。また、第１の半導体層及び第２の半導体層の導電型はそれぞれ上記実施例とは反対の導電型であってもよい。

上述した実施例における種々の数値、寸法、材料等は、例示に過ぎず、用途及び製造される半導体素子等に応じて、適宜選択することができる。

１０ 発光素子
１１ 第１の半導体層
１３ 発光層
１５ 第２の半導体層
１７ 半導体構造層
１９ ｐ電極
２１ キャップ層
２３ 絶縁層
２５ ｎ電極
２７ ｐ側接合電極
２９ ｎ側接合電極
３１ 支持基板
３３ 絶縁層
３５、３６ 接合層
３５Ａ、３６Ａ 密着層
３５Ｂ、３６Ｂ バリア層
３５Ｃ、３６Ｃ 表面層
３７ 絶縁性保護膜
３９ 密着材部
４１ 成長基板
ＡＡ 密着領域

Claims (6)

1. 基板上に形成された第１の接合層と、
   前記第１の接合層上に配され、発光層を含み、前記第１の接合層に接合された第２の接合層を下面に有する半導体構造層と、
   前記半導体構造層の上面及び側面を覆いかつ前記第１の接合層の表面を覆う絶縁性保護膜と、を有し、
   前記第１の接合層は、上面から順にＡｕからなる第１の金属層、及びＡｕよりも前記絶縁性保護膜との密着性の高い金属からなる第２の金属層からなっており、前記絶縁性保護膜に覆われている前記第１の金属層の表面に前記第２の金属層の金属が現れていることを特徴とする発光素子。
2. 前記第２の金属層は、Ｔｉ、Ｗ及びＮｉのいずれか１を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
3. 前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に前記第１の金属層及び第２の金属層の金属の拡散を防ぐバリア金属層を有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
4. 成長基板上に第１の導電型の第１の半導体層、発光層、前記第１の導電型とは反対の導電型の第２の導電型の第２の半導体層を有する半導体構造層をこの順に形成する工程と、
   前記半導体構造層上に第１の金属接合層を形成する工程と、
   支持基板上にＴｉ、Ｗ及びＮｉのいずれか１を含む第１の金属層及び前記第１の金属層上に形成されるＡｕからなる第２の金属層を含む第２の金属接合層を形成する工程と、
   前記第１の金属接合層と前記第２の金属接合層とを接合させる工程と、
   前記成長基板を除去する工程と、
   前記第２の金属接合層の露出している表面にレーザ光を照射して、前記第１の金属層の金属を前記第２の金属層の表面まで侵出させる工程と、
   前記半導体構造層の上面及び側面を覆いかつ前記レーザ光が照射された前記第２の金属接合層の表面に至る絶縁性保護膜を形成する工程と、
   を含むことを特徴とする発光素子の製造方法。
5. 前記成長基板を除去する工程は前記成長基板の裏面からのレーザ照射によるレーザリフトオフ工程を含み、前記レーザリフトオフ工程における前記レーザ照射によって前記侵出させる工程を行うことを特徴とする請求項４に記載の発光素子の製造方法。
6. 前記第１金属接合層上に前記第１の金属層及び第２の金属層の金属の拡散を防ぐバリア金属層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項４または５に記載の発光素子の製造方法。

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