JP2008032380A - 冷媒分流器一体化構造の膨張弁及びこれを用いた冷凍装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁においては、冷媒の絞り作用を行う第1絞り部10の下流側に、冷媒分流器における冷媒分流室6を形成し、分流管12を冷媒分流室6に接続する。このように構成すると、冷媒分流室6に第1絞り部10通過後の噴霧状態の冷媒が導入されるので、分流特性が向上する。また、冷媒分流室6における流路拡大により第1絞り部10から噴出される冷媒流の噴出エネルギが拡散され、膨張弁における不連続な冷媒流動音が低減される。
【選択図】図1
Description
膨張弁は、一般に、流入する冷媒が高圧液冷媒であることを基本としている。ところが、冷凍装置の運転条件の変動などにより、膨張弁の上流側、すなわち受液器の出口(受液器がない場合は凝縮器の出口)側の冷媒に気泡が含まれる場合がある。そして、この気泡を含む高圧液冷媒は、膨張弁に至る冷媒配管を流通する間に配管外部から加熱されて気泡が増加したり、冷媒流中の気泡が合体したりすることがある。その結果、大きな気泡が断続的に存在するプラグ流やスラグ流に成長して膨張弁に流入することがある。また、プラグ流やスラグ流が膨張弁に送られてくると、絞り部に対し液冷媒とガス冷媒とが交互に流れる不連続状態となり、膨張弁の冷媒流に速度変動及び圧力変動が生ずる。このため、絞り部では気液が交互に流れることにより「チュルチュル」という音を発したり、絞り部から冷媒配管系へ流出する霧状冷媒の噴出速度及び圧力が変動して膨張弁出口側で「シャーシャー」という音を発したりというように不連続な冷媒流動音が発生するという問題があった。さらには、冷媒配管内の速度変動及び圧力変動により膨張弁や接続配管などの膨張弁周りの機器が振動して膨張弁周りに振動音を発生するという問題があった。なお、このような冷媒流動音及び振動音を総称して、以下の説明では膨張弁における不連続な冷媒流動音という。
以下、この発明の実施の形態1に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁について、図1に基づき説明する。図1は実施の形態1に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図であって、弁室の上部及びその上方の弁駆動装置を省略して示している。実施の形態1に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁は、通常の冷媒回路において膨張弁から冷媒分流器に至る回路部分に代わり使用されるものであって、本発明における基本形態の一つをなす。
次に、実施の形態2について図2に基づいて説明する。図2は、実施の形態2に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図であって、弁室の上部及びその上方の弁駆動装置を省略して示している。実施の形態2に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁も、実施の形態1のものと同様に、通常の冷媒回路において、膨張弁から冷媒分流器に至る回路部分に代わり使用される。また、実施の形態2に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁は、本発明におけるもう一つの基本形態をなす。
次に、実施の形態3について図3に基づき説明する。図3は、実施の形態3に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、膨張弁に流入する冷媒がプラグ流又はスラグ流の場合に気泡を細分化できるように、実施の形態1における弁室5内に気泡細分化手段として、第2絞り部35を設けるとともに、この第2絞り部35と第1絞り部10との間に拡大空間部36を設けたものである。以下、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態4について図4に基づき説明する。図4は、実施の形態4に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における弁室5内に、冷媒流内の気泡を細分化する気泡細分化手段として、冷媒流に乱れを生起する乱れ生起部を備えたものである。なお、弁室5内に気泡細分化手段を設ける点については実施の形態3と同一であり、気泡細分化手段の構成の点において実施の形態3と相違する。以下、実施の形態1及び実施の形態3を比較しながら具体的に説明する。
次に、実施の形態5について図5に基づき説明する。図5は、実施の形態5に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における弁室5内に、冷媒流内の気泡を細分化する気泡細分化手段として多孔質透過材層43を備えたものである。このように実施の形態5は、実施の形態3及び実施の形態4と比較して気泡細分化手段を多孔質透過材層43とした点において相違する。
次に、実施の形態6について図6に基づき説明する。図6は、実施の形態6に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態5における気泡細分化手段として多孔質透過材層の形状を変更した点において実施の形態5と相違する。
次に、実施の形態7について図7に基づき説明する。図7は、実施の形態7に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における第1絞り部10の下流側に、第1絞り部10通過後の冷媒を減圧する第3絞り部45を形成するとともに、この第3絞り部45と第1絞り部10との間に拡大空間部46を設けたものである。以下、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態8について図8に基づき説明する。図8は、実施の形態8に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における冷媒分流室6内に、すなわち、第1絞り部10の下流側に冷媒流を旋回させるものとして、外周面に螺旋溝51aを形成した棒状部材51を備えたものである。以下、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態9について図9に基づき説明する。図9は、実施の形態9に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態8における棒状部材51を、冷媒流に乱れを与える円筒部55に変更したものである。
次に、実施の形態10について図10に基づき説明する。図10は、実施の形態10に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態9における円筒部の構造を変更するとともに、冷媒分流室の壁体にこの円筒部から吹き付けられる噴流を反転させて方向変更させるガイド部を設けたものである。なお、その他の構成は実施の形態9と同様であり、その作用効果は実施の形態9と基本的に同一である。以下、実施の形態9との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態11について図11に基づき説明する。図11は、実施の形態11に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における冷媒分流室6内に、すなわち、第1絞り部10の下流側に多孔質透過材層59を形成したものである。以下、実施の形態1との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態12について図12に基づき説明する。図12は、実施の形態12に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、第1絞り部10の上流側を実施の形態3と同一とし、第1絞り部10の下流側を実施の形態7と同一としたものである。以下、実施の形態3及び実施の形態7との重複説明を避けながら、実施の形態1との相違を中心に説明する。なお、図12において図3及び図7と同一の個所には同一の符号を付している。
次に、実施の形態13について図13に基づき説明する。図13は、実施の形態13に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、この膨張弁は、第1絞り部10の上流側を実施の形態3と同一とし、第1絞り部10の下流側を実施の形態8と同一としたものである。以下、実施の形態3及び実施の形態8との重複説明を避けながら、実施の形態1との相違を中心に説明する。なお、図13において図3及び図8と同一の個所には同一の符号を付している。
次に、実施の形態14について図14に基づき説明する。図14は、実施の形態14に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、この膨張弁の基本的構造は、弁本体21の内部を弁室兼冷媒分流室25とした実施の形態2と同一構造である。そして、この膨張弁においては、実施の形態2における第1絞り部30の上部(下流側)に第1絞り部30通過後の冷媒を減圧する第3絞り部65が設けられている。さらに、この第3絞り部65と第1絞り部30との間に拡大空間部66が設けられている。以下、実施の形態2との相違点を中心に説明する。
そして、第3仕切壁67の中心部には第3弁体68を貫通させるためのテーパ状の貫通孔が形成されており、この貫通孔が第3弁孔69を成す。そして、第3弁孔69と協働して第3絞り部65を形成する第3弁体68が、弁棒27の中間部に形成され、第3弁孔69の内部を上下動するように形成されている。この第3弁体68は、第3弁孔69に対応するテーパ状の外周面に形成され、さらに、その外周面に螺旋溝が形成されている。このようにして、第3弁体68と第3弁孔69との間に略螺旋状の螺旋状通路が形成され、この螺旋状通路が第3絞り部65を形成する。第3絞り部65は、弁棒27が上下方向に駆動されることにより螺旋状通路の断面積及び長さを変化する。例えば、冷凍負荷の小さいときは弁棒27が下方に移動して、螺旋状通路の断面積を小さくするとともに、螺旋状通路の長さを長くして冷媒流通抵抗が大きくなるように(開度が小さくなるように)している。第3絞り部65は、このように開度可変に形成されている。なお、第1絞り部30は前述の実施の形態2におけるものと同一である。すなわち、第1絞り部30は、下壁22の中心部に形成された第1弁孔26に対し、弁棒27の先端に形成された第1弁体28が進退するように形成されたものであって、弁棒27の上下方向の駆動により、開度可変、かつ全閉可能に形成されている。
次に、実施の形態15について図15に基づき説明する。図15は、実施の形態15に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、この膨張弁の基本的構造は、弁本体21の内部を弁室兼冷媒分流室25とした実施の形態2と同一である。そして、この膨張弁においては、実施の形態2における第1絞り部30の下流側に、第1弁孔26と同心に螺旋溝72aを形成した棒状部材が設けられている。
次に、実施の形態16について図16及び図17に基づき説明する。図16は、実施の形態16に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図であり、図17は図16におけるA−A断面図である。これら図に示すように、本膨張弁の基本的構造は、弁本体21の内部を弁室兼冷媒分流室25とした実施の形態2と同一である。そして、本膨張弁においては、第1絞り部30の上部(下流側)に、第1絞り部30通過後の冷媒を減圧する第3絞り部75が設けられており、この第3絞り部75は複数の絞り用通路により形成されている。以下、実施の形態2との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態17について図18に基づき説明する。図18は、実施の形態17に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁の基本的構造は、弁本体21の内部を弁室兼冷媒分流室25とした実施の形態2と同一である。そして、この膨張弁においては、第1絞り部30の上流側に、冷媒流内の気泡を細分化する気泡細分化手段として、拡大空間部81と第2絞り部82とが設けられている。以下、実施の形態2との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態18について図19に基づき説明する。図19は、実施の形態18に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁の基本的構造は、弁本体21の内部を弁室兼冷媒分流室25とした実施の形態2と同一である。そして、同膨張弁においては、第1絞り部30の上流側に、冷媒流内の気泡を細分化する気泡細分化手段として乱れ生起部が設けられている。なお、実施の形態18に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁は、実施の形態17と比較すると、気泡細分化手段が異なるが他は同一である。したがって、実施の形態2及び実施の形態17と同一の個所には同一の符号を付す。以下、実施の形態2及び実施の形態17との相違点を中心に説明する。
次に、実施の形態19について図20に基づき説明する。図20は、実施の形態19に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における冷媒分流室6の分流管取付孔11の位置を変更したものである。分流管取付孔11は、第1絞り部10に対向する壁体に対し、第1絞り部10の軸心を中心とする等円周上に、略等間隔に複数個(この実施の形態では4個)形成されている。そして、この分流管取付孔11に取り付けられる分流管12がこの壁体の壁面に対し略直角に取り付けられている。
次に、実施の形態20について図21に基づき説明する。図21は、実施の形態20に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態19における冷媒分流室6の分流管取付孔11の位置を変更したものである。この実施の形態においては、分流管取付孔11を冷媒分流室6の側壁における第1絞り部10よりに形成し、この分流管取付孔11により分流管12を冷媒分流室6に開口するようにしている。このようにして、第1絞り部10から噴出された冷媒流を、破線で示すように、第1絞り部10に対向する壁体に衝突させ、反転させて分流管取付孔11から分流管12に流入するように構成している。
次に、実施の形態21について図22に基づき説明する。図22は、実施の形態21に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態20の冷媒分流室6における第1絞り部10に対向する壁体を変更したものである。この実施の形態における第1絞り部10に対向する壁体は、内壁面が第1絞り部10からの噴出された衝突流を円滑に周辺に広げて反転させるように作用するガイド部に構成されている。具体的には、ガイド部として、第1絞り部10に対向する部分に円錐状の突出部95を形成するとともに、この壁面と側壁とのコーナ部を円弧面96に形成している。
次に、実施の形態22について図23に基づき説明する。図23は、実施の形態22に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態2における冷媒分流室6の形状及び分流管取付孔11の取付位置を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、冷媒分流室6は、第1絞り部10の軸心を中心として径方向(図面における横方向)の寸法が第1絞り部10の軸心方向(図面における縦方向)の寸法より大きくなる形状に形成され、つまり、図面で見るように膨張弁の中心軸に対し薄く横に広がった形状に形成されている。また、分流管取付孔11が、冷媒分流室6の第1絞り部10側の壁体における周辺部に形成されており、この分流管取付孔11を介して分流管12が冷媒分流室6に開口している。
次に、実施の形態23について図24に基づき説明する。図24は、実施の形態23に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態23における分流管取付孔11及び分流管12の取付を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、分流管取付孔11は、第1絞り部10に対向する壁体に設けられ、この分流管取付孔11に取り付けられる分流管12は、この分流管取付孔11を貫通して固定されるとともに、冷媒分流室6の第1絞り部10側の壁体に近い位置において開放するように構成されている。
次に、実施の形態24について図25に基づき説明する。図25は、実施の形態24に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態22の冷媒分流室6における第1絞り部10に対向する壁体を変更したものである。この実施の形態における第1絞り部10に対向する壁体は、内壁面が第1絞り部10から噴出された衝突流を円滑に周辺に広げて反転させるように作用するガイド部に構成されている。具体的には、ガイド部として、第1絞り部10に対向する部分に円錐状の突出部101を形成するとともに、この突出部101の周辺から側壁にかけての壁面を滑らかな曲面部102に形成している。
次に、実施の形態25について図26に基づき説明する。図26は、実施の形態25に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態2において、弁室兼冷媒分流室25内に流入した冷媒流を迂回反転させるように変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、分流管取付孔31を弁室兼冷媒分流室25の側壁における第1絞り部30よりに(図面における弁室兼冷媒分流室25の下方に)形成し、この分流管取付孔31により分流管32を弁室兼冷媒分流室25に開口するようにしている。このようにして、第1絞り部30から噴出された冷媒流は、破線で示すように、弁棒27と弁室兼冷媒分流室25の外周壁との間に噴出し、駆動部103と弁室兼冷媒分流室25とを仕切る隔壁104に衝突して反転し、分流管取付孔31から分流管32に流入するように構成されている。
次に、実施の形態26について図27に基づき説明する。図27は、実施の形態26に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態25において、弁室兼冷媒分流室25の形状を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、弁室兼冷媒分流室25は、第1絞り部30の軸心を中心として径方向(図面における横方向)の寸法が第1絞り部30の軸心方向(図面における縦方向)の寸法より大きくなる形状に形成され、つまり、図面で見るように膨張弁の中心軸に対し横に広がった形状に形成されている。
次に、実施の形態27について図28に基づき説明する。図28は、実施の形態27に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態26における分流管取付孔31及び分流管32の取付を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、分流管取付孔31は、第1絞り部30に対向する壁体である弁室兼冷媒分流室25の上壁に設けられ、この分流管取付孔31に取り付けられる分流管32は、この分流管取付孔31を貫通して固定されるとともに、弁室兼冷媒分流室25の第1絞り部30側の壁体に近い位置において開放するように構成されている。
次に、実施の形態28について図29に基づき説明する。図29は、実施の形態28に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態26の弁室兼冷媒分流室25における第1絞り部30に対向する壁体を変更したものである。この実施の形態における第1絞り部30に対向する壁体は、中央部が駆動部103と弁室兼冷媒分流室25とを仕切る隔壁104により形成され、その周辺部は弁室兼冷媒分流室25の上壁で形成されている。そこで、この実施の形態においては、これら壁体の内壁面が第1絞り部30から噴出された衝突流を円滑に周辺に広げて反転させるように作用するガイド部に構成されている。具体的には、ガイド部として、隔壁104に円錐状の突出部105を形成するとともに、この突出部105の周辺から側壁にかけての壁面を滑らかな曲面部106に形成している。
次に、実施の形態29について図30に基づき説明する。図30は、実施の形態29に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態2において、第1絞り部30と分流管取付孔31との間に、冷媒を蛇行状に流通させる蛇行流生成部107を形成したものである。蛇行流生成部107は、弁棒27に大径部108を形成することにより、第1絞り部30と分流管取付孔31との間の冷媒通路を蛇行状に形成したものである。
次に、実施の形態30について図31に基づき説明する。図31は、実施の形態30に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁に関し、(a)は要部縦断面図であり、(b)はB−B断面図であり、(c)及び(d)はその変形例に係るB−B断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態29における蛇行流生成部107を改良したものである。すなわち、この実施の形態に係る膨張弁では、蛇行流生成部107は、弁棒27に大径部108を形成するとともに、大径部108の弁棒27の分流管取付孔31側の弁室兼冷媒分流室25の外周壁から内周向きの鍔109が形成されたものである。この鍔の内周縁は、通常は滑らかな内周縁を描くものとしているが、(c)、(d)にその変形例を示すように、凹凸に形成するなどして冷媒流に乱れを与えるようにしてもよい。因みに、(c)は鋸歯状に形成したものであり、(d)は凹凸段差状に形成したものである。
次に、実施の形態31について図32に基づき説明する。図32は、実施の形態31に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁に関し、(a)は要部縦断面図であり、(b)は底面図である。これら図に示すように、同膨張弁は、実施の形態1における冷媒分流室6の形状及び分流管取付孔11の取付位置を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、冷媒分流室6は、第1絞り部10の軸心を中心とした径方向の寸法が第1絞り部10の軸心方向の寸法より大きく、かつ、扇形の形状に形成されている。そして、分流管取付孔11が第1絞り部10に対向する壁体における扇形の円弧状の周縁に略等間隔に設けられ、分流管12がこの分流管取付孔11を介して冷媒分流室6に開口している。
次に、実施の形態32について図33に基づき説明する。図33は、実施の形態32に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁に関し、(a)は要部縦断面図であり、(b)は、冷媒分流室の水平断面、すなわち(a)におけるC−C断面図である。これら図に示すように、同膨張弁は、実施の形態31において、分流管取付孔11の位置を変更したものである。すなわち、本実施の形態においては、分流管取付孔11は冷媒分流室6の側壁に設けられている。したがって、分流管12が冷媒分流室6の側壁に対し径方向に接続され、この分流管取付孔11を介して、側壁から冷媒分流室6内に開口するように構成されている。このように構成された実施の形態32は、実施の形態31と略同様の作用効果を生じる。
次に、実施の形態33について図34に基づき説明する。図34は、実施の形態33に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態31における冷媒分流室6の第1絞り部10に対向する壁体を変更したものである。すなわち、この実施の形態において、第1絞り部10に対向する壁体は、第1絞り部10から噴出された冷媒流を、この冷媒分流室6の側壁の近くに形成されている分流管取付孔11の方向にガイドするガイド部に形成されている。ガイド部の具体的な構成は、第1絞り部10に対向する壁体の壁面形状を冷媒流が描く流線に沿うような形状にしたことである。
次に、実施の形態34について図35に基づき説明する。図35は、実施の形態34に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁に関し、(a)は要部縦断面図であり、(b)は底面図である。これら図に示すように、同膨張弁は、実施の形態26における弁室兼冷媒分流室25の形状及び分流管取付孔11の取付位置を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、弁室兼冷媒分流室25は、第1絞り部30の軸心を中心とした径方向の寸法が第1絞り部30の軸心方向の寸法より大きく、かつ、扇形の形状に形成されている。そして、分流管取付孔31が第1絞り部30に対向する壁体における扇形の円弧状の周縁に略等間隔に設けられ、分流管32がこの分流管取付孔31を介して弁室兼冷媒分流室25に開口している。
次に、実施の形態35について図36に基づき説明する。図36は、実施の形態35に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態11における円盤状の多孔質透過材層59を円筒状の多孔質透過材層63に変更したものである。また、この多孔質透過材層63の素材は、先の実施の形態11と同一のものであって、発泡金属、セラミック、発泡性樹脂、メッシュ状のもの、多孔板などが用いられている。したがって、この実施の形態に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁は、基本的には実施の形態11と同一に作用し、膨張弁における不連続な冷媒流動音が低減するとともに、冷媒分流室6の分流特性を向上することができる。また、多孔質透過材層63を設けることにより、逆方向の流れの場合の第1絞り部10のごみ詰まりを低減することができる。
次に、実施の形態36について図37に基づき説明する。図37は、実施の形態36に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態35における円盤状の多孔質透過材層63をカップ状のメッシュ系材料からなる透過材層64に変更したものである。この実施の形態も基本的には実施の形態11や実施の形態35と同一に作用し、膨張弁における不連続な冷媒流動音が低減するとともに、冷媒分流室6の分流特性を向上することができる。また、メッシュ系材料からなる透過材層64を設けることにより、逆方向の流れの場合の第1絞り部10のごみ詰まりを低減することができる。
次に、実施の形態37について図38に基づき説明する。図38は、実施の形態37に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態26における弁室兼冷媒分流室25内に、すなわち、第1絞り部30の下流側に多孔質透過材層97を形成したものである。以下実施の形態26との相違点について説明する。
次に、実施の形態38について図39に基づき説明する。図39は、実施の形態38に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この図に示すように、同膨張弁は、実施の形態18と同様に、弁本体21の内部を第1仕切壁83により上下に仕切り、上室(第1絞り部の下流側)を弁室兼冷媒分流室25とし、下室(第1絞り部の上流側)を空間部91としている。そして、この空間部に、つまり、第1絞り部の上流側に、実施の形態18では気泡細分化手段として冷媒流を旋回させる棒状部材92が設けられていたが、この実施の形態においては気泡細分化手段として円筒状の多孔質透過材層98が設けられている。この多孔質透過材層98の素材は、先の実施の形態11と同一のものであって、発泡金属、セラミック、発泡性樹脂、メッシュ状のもの、多孔板などが用いられている。
次に、実施の形態39について図40に基づき説明する。図40は、実施の形態39に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁に関し、(a)は要部縦断面図であり、(b)は(a)におけるD−D断面図である。この実施の形態に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁は、これまでに記載のように弁体を弁口に対して進退させることにより絞り量を変化させるようにしたものではない。また、この実施の形態は、全く異なる基本構成を備えた膨張弁においても、他の実施の形態に示した膨張弁の場合と同様に冷媒分流性能を向上できることを示したものである。
次に、実施の形態40について図41に基づき説明する。図41は、実施の形態40に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁に関し、(a)は要部縦断面図であり、(b)は(a)におけるE−E断面図である。これら図に示すように、同膨張弁は、実施の形態39における冷媒分流室117の形状及び分流管取付孔119の取付位置を変更したものである。すなわち、この実施の形態においては、冷媒分流室117は、連通孔118を中心として水平方向に扇型に拡がる形をなすように形成されたものである。そして、分流管取付孔119が扇形の円弧状の周縁における下方の壁体における周辺部に略等間隔に設けられ、分流管120がこの分流管取付孔119を介して冷媒分流室117に開口している。
次に、実施の形態41について図42に基づき説明する。図42は、実施の形態41に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁の要部縦断面図である。この実施の形態に係る冷媒分流器一体化構造の膨張弁は、基本的には実施の形態1のものと同一であるが、冷媒分流室を大きくし、冷媒分流室内に弁室を形成するようにしたものである。
(1)実施の形態3の第2絞り部35において、第2弁体39及び第2弁孔38をテーパ状にしているが、これを弁棒8の中心線に平行な外周面を備えた弁体、あるいは弁棒8の中心線に平行な内周面を備えた弁孔にしてもよい。また、この第2弁体39に設けられている螺旋溝を複数条の螺旋溝で形成し、複数の絞り通路となるようにしてもよい。また、螺旋溝に代えて実施の形態16に示したような上下方向に直線状に延びる複数条の凹溝で形成してもよい。また、このような溝を第2弁体39の外周面ではなく第2弁孔38の内周面に形成してもよい。また、これらの溝を第2弁体39あるいは第2弁孔38の何れにも形成しない絞り部としてもよい。さらには、これら溝の段面形状を半円形、3角形、4角形など種々の形状にすることも可能である。
Claims (31)
- 第1弁体と第1弁孔との間に形成された、絞り作用を行う第1絞り部と、第1絞り部通過後の冷媒を分流管に分流するための冷媒分流室と、冷媒分流室に形成された分流管を接続するための分流管取付孔とを備えていることを特徴とする冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第1絞り部は、冷凍負荷に対応して開度可変に構成されていることを特徴とする請求項1記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 第1弁体を収納する弁室を有するとともに、この弁室が前記第1絞り部の上流側に形成され、さらに、冷媒分流室が第1絞り部の下流側に形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 第1弁体を収納する弁室を有し、該弁室は前記冷媒分流室を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第1絞り部の上流側に冷媒中の気泡を細分化する気泡細分化手段を備えていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記気泡細分化手段は、第1絞り部上流側の冷媒を減圧する第2絞り部からなることを特徴とする請求項5記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記気泡細分化手段は、第1絞り部上流側の冷媒を減圧する第2絞り部と、この第2絞り部と第1絞り部との間に形成された拡大空間部とからなることを特徴とする請求項5記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第2絞り部は、複数の絞り通路からなることを特徴とする請求項6又は7記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記気泡細分化手段は、第1絞り部上流側の冷媒流に乱れを生起する乱れ生起部からなることを特徴とする請求項5記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記乱れ生起部は、第1絞り部上流側の冷媒流を旋回させる螺旋溝が形成された部材からなることを特徴とする請求項9記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記気泡細分化手段は、第1絞り部の上流側に形成された多孔質透過材層からなることを特徴とする請求項5記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第1絞り部の下流側に第1絞り部通過後の冷媒を減圧する第3絞り部を備え、この第3絞り部の下流側に前記冷媒分流室が形成されていることを特徴とする請求項3又は4記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第1絞り部と前記第3絞り部と間に拡大空間部を備えていることを特徴とする請求項12記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第3絞り部は、複数の絞り通路からなることを特徴とする請求項12又は13記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第3絞り部は、螺旋状通路からなることを特徴とする請求項12又は13記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記冷媒分流室内に、第1弁孔と同心に、外表面に螺旋溝を形成した棒状部材が設けられていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記冷媒分流室内に、第1絞り部からこの第1絞り部に対向する壁面に向けて冷媒を案内する円筒部が設けられるとともに、該冷媒分流室の側壁における第1絞り部よりに前記分流管取付孔が設けられていることを特徴とする請求項3記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記円筒部の外表面に螺旋溝が形成されていることを特徴とする請求項17記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記円筒部の内表面に螺旋溝が形成されていることを特徴とする請求項17記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記冷媒分流室の第1絞り部に対向する壁体における前記円筒部に対向する内表面に、前記円筒部から吹き付けられる噴流を反転させて方向変更させるガイド部が形成されていることを特徴とする請求項18又は19記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記冷媒分流室内における第1弁孔と分流管取付孔との間に、多孔質透過材層が形成されていることを特徴とする請求項3又は4記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記分流管取付孔は、第1絞り部に対向する壁体に対し、第1絞り部の軸心を中心とする等円周上に、略等間隔に形成されるとともに、この分流管取付孔に取り付けられる分流管は、この壁体の壁面に対し略直角に取り付けられていることを特徴とする請求項3記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記分流管取付孔は、冷媒分流室の側壁における第1絞り部よりに形成され、
さらに、前記第1絞り部から噴出された冷媒流は、第1絞り部に対向する壁体に衝突して反転されて分流管取付孔から分流管に流入するように形成されていることを特徴とする請求項1〜4の何れか1項に記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。 - 前記第1弁体を収納する弁室を有するとともに、この弁室が第1絞り部の下流側に形成され、さらに、この弁室内における第1絞り部よりの側壁に分流管取付孔が形成され、この分流管取付孔を介して分流管が開口されて、弁室が冷媒分流室に兼用されていることを特徴とする請求項1又は2記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記冷媒分流室は、第1絞り部の軸心を中心とした径方向の寸法が第1絞り部の軸心方向の寸法より大きくなる形状に形成され、
前記分流管取付孔に取り付けられる分流管は、この冷媒分流室の径方向周縁に略等間隔に開口するように形成されている
ことを特徴とする請求項1,2,3,4,23又は24記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。 - 前記分流管取付孔は、冷媒分流室の第1絞り部側の壁体に設けられ、分流管がこの分流管取付孔を介して冷媒分流室に開口されていることを特徴とする請求項25記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記分流管取付孔は、第1絞り部に対向する壁体に設けられ、この分流管取付孔に取り付けられる分流管は、この分流管取付孔を貫通して固定されるとともに、前記冷媒分流室内における冷媒分流室の第1絞り部側の壁体に近い位置において開口するように構成されていることを特徴とする請求項26記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記冷媒分流室は、第1絞り部の軸心に垂直な平面形状が、第1絞り部を軸とする扇形を形成していることを特徴とする請求項26又は27に記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 前記第1絞り部に対向する壁体は、内壁面が衝突流を円滑に周辺に広げて反転させるように作用するガイド部に構成されていることを特徴とする請求項23〜28の何れか1項に記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。
- 第1弁体を収納する弁室を有するとともに、この弁室が第1絞り部の下流側に形成され、さらに、この弁室内における第1絞り部から離れた部分が冷媒分流室に兼用され、
この冷媒分流室と第1絞り部との間に冷媒を蛇行状に流通させる蛇行流生成部が形成されていることを特徴とする請求項1又は2記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁。 - 請求項1〜30の何れか1項に記載の冷媒分流器一体化構造の膨張弁を用いたことを特徴とする冷凍装置。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009281638A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍サイクル装置 |
JP2011002140A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Tgk Co Ltd | 膨張弁 |
JP2012520975A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | ダンフォス アクチ−セルスカブ | 蒸気圧縮システム用の弁 |
JP2015517902A (ja) * | 2012-04-13 | 2015-06-25 | プロセス ディヴェロップメント センター ピーティーワイ リミテッド | 流れ分配器 |
JP2015190497A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社不二工機 | 電動弁 |
JP5823078B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2015-11-25 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁及びこれを用いた冷凍サイクル装置 |
JP5826437B1 (ja) * | 2014-07-02 | 2015-12-02 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁、及び、冷凍サイクル装置 |
JPWO2013191056A1 (ja) * | 2012-06-18 | 2016-05-26 | 三菱電機株式会社 | 熱交換器 |
CN105910349A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-31 | 苏州逸新和电子有限公司 | 一种可改变输出管路方向的分配器 |
JP2017009197A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 株式会社鷺宮製作所 | 絞り装置、および、それを備える冷凍サイクルシステム |
JPWO2015063876A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁及びそれを搭載した冷凍サイクル装置 |
JP2019521307A (ja) * | 2016-07-13 | 2019-07-25 | ストーン・マウンテン・テクノロジーズ,インコーポレーテッド | 複数のオリフィスプレートを備えた電子膨張弁 |
JP2020180699A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | 株式会社鷺宮製作所 | 弁装置および冷凍サイクルシステム |
JP2021032514A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 株式会社鷺宮製作所 | 絞り装置および冷凍サイクルシステム |
Families Citing this family (232)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8464781B2 (en) | 2002-11-01 | 2013-06-18 | Cooligy Inc. | Cooling systems incorporating heat exchangers and thermoelectric layers |
US7591302B1 (en) | 2003-07-23 | 2009-09-22 | Cooligy Inc. | Pump and fan control concepts in a cooling system |
CN102171378A (zh) | 2008-08-05 | 2011-08-31 | 固利吉股份有限公司 | 用于光学和电子器件的热管理的键合金属和陶瓷板 |
AU2008203505B2 (en) * | 2008-08-05 | 2011-06-09 | Smr Patents S.A.R.L. | Vehicle mirror power fold mechanism |
US8978412B2 (en) * | 2009-12-04 | 2015-03-17 | Halla Visteon Climate Control Corporation | Air conditioner for vehicles |
JP5079831B2 (ja) * | 2010-03-03 | 2012-11-21 | シャープ株式会社 | 空気調和機 |
KR101572574B1 (ko) | 2010-08-12 | 2015-12-01 | 한온시스템 주식회사 | 팽창밸브 및 이를 구비한 차량용 공조장치 |
CN103222354A (zh) * | 2010-10-22 | 2013-07-24 | 固利吉股份有限公司 | 用于两相制冷剂冷却机架的改进流平衡方案 |
WO2012172599A1 (ja) * | 2011-06-14 | 2012-12-20 | 三菱電機株式会社 | 空気調和装置 |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
EP2857681B1 (en) * | 2012-05-24 | 2019-08-28 | Eagle Industry Co., Ltd. | Volume control valve |
JP5891968B2 (ja) * | 2012-06-22 | 2016-03-23 | 株式会社デンソー | 減圧装置 |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
WO2014155518A1 (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-02 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁及びこれを用いた冷凍サイクル装置 |
CN103644687A (zh) * | 2013-11-27 | 2014-03-19 | 宁波奥克斯空调有限公司 | 一种分流器结构 |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
EP3222936B1 (en) * | 2015-01-16 | 2020-03-11 | Mitsubishi Heavy Industries Compressor Corporation | Cooling system |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
DE102015221002A1 (de) * | 2015-10-27 | 2017-04-27 | Mahle International Gmbh | Ventileinrichtung, insbesondere Expansionsventil, für eine Klimatisierungsanlage |
US20180259081A1 (en) * | 2015-11-06 | 2018-09-13 | Hitachi, Ltd. | Valve structure, and hydraulic device, fluid machine, and machine, each having same |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
GB2552692B (en) * | 2016-08-04 | 2018-08-08 | Ford Global Tech Llc | A Throttle valve assembly |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
KR102401446B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2022-05-24 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
US10330362B1 (en) * | 2017-12-20 | 2019-06-25 | Rheem Manufacturing Company | Compressor protection against liquid slug |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
KR102046634B1 (ko) * | 2018-01-19 | 2019-11-19 | 엘지전자 주식회사 | 공기조화기의 분배기 |
CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
KR102046632B1 (ko) * | 2018-01-19 | 2019-11-19 | 엘지전자 주식회사 | 공기조화기의 분배기 |
KR102046633B1 (ko) * | 2018-01-19 | 2019-11-19 | 엘지전자 주식회사 | 공기조화기의 분배기 |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
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CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
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USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
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CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
JP7478410B2 (ja) * | 2020-02-12 | 2024-05-07 | 株式会社不二工機 | 膨張弁および冷凍サイクル装置 |
US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
CN114251462A (zh) * | 2020-09-24 | 2022-03-29 | 浙江盾安人工环境股份有限公司 | 电子膨胀阀 |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2220831A (en) * | 1937-03-10 | 1940-11-05 | Gen Refrigeration Corp | Refrigerating apparatus |
US2432859A (en) * | 1944-04-10 | 1947-12-16 | Detroit Lubricator Co | Refrigerant flow controlling means |
JPS49122453U (ja) | 1973-02-14 | 1974-10-19 | ||
JPS5289851A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-28 | Automob Antipollut & Saf Res Center | Expansion valve |
JPH0271064A (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-09 | Matsushita Refrig Co Ltd | 分流器 |
JP2745981B2 (ja) | 1992-06-19 | 1998-04-28 | ダイキン工業株式会社 | 冷媒分流器 |
JPH06201225A (ja) * | 1993-01-07 | 1994-07-19 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 気液二相流体の分配器 |
JPH06337183A (ja) * | 1993-05-27 | 1994-12-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 冷媒の分流器 |
JP3376534B2 (ja) | 1994-08-18 | 2003-02-10 | 株式会社日立製作所 | 冷媒分配器 |
JP2000111205A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-18 | Hitachi Ltd | 分配器及び空気調和機 |
JP2001066019A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Daikin Ind Ltd | 減圧分流器、熱交換器、及び空気調和機 |
JP2002188869A (ja) | 2000-12-19 | 2002-07-05 | Daikin Ind Ltd | 冷媒分流器及びその製造方法 |
JP2002350003A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Hitachi Ltd | 空気調和機 |
JP2003097754A (ja) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | Fuji Koki Corp | 電動弁 |
JP4265347B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-05-20 | ダイキン工業株式会社 | 電動膨張弁及び冷凍装置 |
JP4285155B2 (ja) | 2003-08-27 | 2009-06-24 | ダイキン工業株式会社 | 多段電動膨張弁及び冷凍装置 |
JP2005226846A (ja) | 2004-02-10 | 2005-08-25 | Daikin Ind Ltd | 膨張弁及び冷凍装置 |
JP2005351605A (ja) | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Daikin Ind Ltd | 膨張弁及び冷凍装置 |
WO2006093149A1 (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-08 | Daikin Industries, Ltd. | 膨張弁及び冷凍装置 |
-
2007
- 2007-05-30 JP JP2007143947A patent/JP4193910B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-27 US US12/301,216 patent/US8052064B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-06-27 EP EP07767681.5A patent/EP2034259A4/en not_active Withdrawn
- 2007-06-27 KR KR1020087030523A patent/KR101045759B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-06-27 WO PCT/JP2007/062879 patent/WO2008001803A1/ja active Application Filing
- 2007-06-27 AU AU2007266111A patent/AU2007266111B2/en not_active Ceased
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009281638A (ja) * | 2008-05-21 | 2009-12-03 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍サイクル装置 |
JP2012520975A (ja) * | 2009-03-17 | 2012-09-10 | ダンフォス アクチ−セルスカブ | 蒸気圧縮システム用の弁 |
JP2011002140A (ja) * | 2009-06-18 | 2011-01-06 | Tgk Co Ltd | 膨張弁 |
JP2015517902A (ja) * | 2012-04-13 | 2015-06-25 | プロセス ディヴェロップメント センター ピーティーワイ リミテッド | 流れ分配器 |
JPWO2013191056A1 (ja) * | 2012-06-18 | 2016-05-26 | 三菱電機株式会社 | 熱交換器 |
JP5823078B2 (ja) * | 2013-03-26 | 2015-11-25 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁及びこれを用いた冷凍サイクル装置 |
JPWO2015063876A1 (ja) * | 2013-10-30 | 2017-03-09 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁及びそれを搭載した冷凍サイクル装置 |
JP2015190497A (ja) * | 2014-03-27 | 2015-11-02 | 株式会社不二工機 | 電動弁 |
WO2016002022A1 (ja) * | 2014-07-02 | 2016-01-07 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁、及び、冷凍サイクル装置 |
JP5826437B1 (ja) * | 2014-07-02 | 2015-12-02 | 三菱電機株式会社 | 膨張弁、及び、冷凍サイクル装置 |
US10054344B2 (en) | 2014-07-02 | 2018-08-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Expansion valve and refrigeration cycle apparatus |
JP2017009197A (ja) * | 2015-06-23 | 2017-01-12 | 株式会社鷺宮製作所 | 絞り装置、および、それを備える冷凍サイクルシステム |
CN105910349A (zh) * | 2016-04-19 | 2016-08-31 | 苏州逸新和电子有限公司 | 一种可改变输出管路方向的分配器 |
JP2019521307A (ja) * | 2016-07-13 | 2019-07-25 | ストーン・マウンテン・テクノロジーズ,インコーポレーテッド | 複数のオリフィスプレートを備えた電子膨張弁 |
JP2020180699A (ja) * | 2019-04-23 | 2020-11-05 | 株式会社鷺宮製作所 | 弁装置および冷凍サイクルシステム |
JP7179708B2 (ja) | 2019-04-23 | 2022-11-29 | 株式会社鷺宮製作所 | 弁装置および冷凍サイクルシステム |
JP2021032514A (ja) * | 2019-08-27 | 2021-03-01 | 株式会社鷺宮製作所 | 絞り装置および冷凍サイクルシステム |
JP7175247B2 (ja) | 2019-08-27 | 2022-11-18 | 株式会社鷺宮製作所 | 絞り装置および冷凍サイクルシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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