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Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4855315B2 (ja) * 2007-03-30 2012-01-18 株式会社アルバック 薄膜トランジスタ製造方法、液晶表示装置製造方法
KR20090080790A (ko) * 2008-01-22 2009-07-27 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 제조하는 방법
KR101449460B1 (ko) * 2008-05-23 2014-10-13 주성엔지니어링(주) 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR101253497B1 (ko) * 2008-06-02 2013-04-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR101476817B1 (ko) 2009-07-03 2014-12-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 트랜지스터를 갖는 표시 장치 및 그 제작 방법
KR102446585B1 (ko) * 2009-11-27 2022-09-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작방법
WO2011104943A1 (ja) 2010-02-24 2011-09-01 シャープ株式会社 液晶表示パネル及び液晶表示装置
KR101132119B1 (ko) * 2010-03-10 2012-04-05 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치 어레이 기판 및 그 제조방법
US8563095B2 (en) * 2010-03-15 2013-10-22 Applied Materials, Inc. Silicon nitride passivation layer for covering high aspect ratio features
CN102213877B (zh) * 2010-04-06 2013-10-02 北京京东方光电科技有限公司 阵列基板、液晶面板及其制造方法
KR101113354B1 (ko) * 2010-04-16 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치 및 그 제조방법
KR101702645B1 (ko) * 2010-08-18 2017-02-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR101832361B1 (ko) * 2011-01-19 2018-04-16 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20130021607A (ko) * 2011-08-23 2013-03-06 삼성디스플레이 주식회사 저저항 배선, 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터 표시판과 이들을 제조하는 방법
KR101774491B1 (ko) 2011-10-14 2017-09-13 삼성전자주식회사 유기 포토다이오드를 포함하는 유기 픽셀, 이의 제조 방법, 및 상기 유기 픽셀을 포함하는 장치들
JP5912046B2 (ja) * 2012-01-26 2016-04-27 株式会社Ｓｈカッパープロダクツ 薄膜トランジスタ、その製造方法および該薄膜トランジスタを用いた表示装置
KR102068956B1 (ko) * 2012-02-15 2020-01-23 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터, 박막트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조방법
CN102629592A (zh) * 2012-03-23 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置
JP6004319B2 (ja) * 2012-04-06 2016-10-05 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN102664194B (zh) * 2012-04-10 2015-01-07 深超光电（深圳）有限公司 薄膜晶体管
KR101968115B1 (ko) * 2012-04-23 2019-08-13 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
WO2013168687A1 (en) * 2012-05-10 2013-11-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN102738007B (zh) * 2012-07-02 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管的制造方法及阵列基板的制造方法
KR102004398B1 (ko) * 2012-07-24 2019-07-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2014032999A (ja) * 2012-08-01 2014-02-20 Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd 薄膜トランジスタ及びその製造方法
KR20140021096A (ko) * 2012-08-07 2014-02-20 한국전자통신연구원 도핑 베리어를 가지는 자기 정렬 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
JP5951442B2 (ja) * 2012-10-17 2016-07-13 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2014067463A1 (zh) * 2012-11-02 2014-05-08 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置和阻挡层
KR102028505B1 (ko) 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
KR102029986B1 (ko) * 2012-12-13 2019-10-10 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
CN103000694B (zh) * 2012-12-13 2015-08-19 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置
KR102090460B1 (ko) * 2012-12-31 2020-03-18 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 및 그 제조 방법
US8859419B2 (en) 2013-02-01 2014-10-14 Globalfoundries Inc. Methods of forming copper-based nitride liner/passivation layers for conductive copper structures and the resulting device
US8753975B1 (en) 2013-02-01 2014-06-17 Globalfoundries Inc. Methods of forming conductive copper-based structures using a copper-based nitride seed layer without a barrier layer and the resulting device
KR102290801B1 (ko) * 2013-06-21 2021-08-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
CN103489902B (zh) * 2013-09-30 2016-01-06 京东方科技集团股份有限公司 一种电极及其制作方法、阵列基板及显示装置
CN103915452B (zh) * 2014-03-28 2016-04-06 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法及显示装置
KR102230619B1 (ko) 2014-07-25 2021-03-24 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이의 제조 방법
KR20160014833A (ko) * 2014-07-29 2016-02-12 삼성디스플레이 주식회사 금속 배선의 제조 방법 및 박막트랜지스터 기판 제조 방법
CN104409516A (zh) * 2014-11-28 2015-03-11 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
TWI651574B (zh) * 2015-01-12 2019-02-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
JP2016181332A (ja) 2015-03-23 2016-10-13 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 表示装置および表示装置の製造方法
US10147745B2 (en) 2015-04-01 2018-12-04 Shanghai Tianma Micro-electronics Co., Ltd. Array substrate, display panel and display device
CN104730782B (zh) * 2015-04-01 2018-03-27 上海天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN104934330A (zh) * 2015-05-08 2015-09-23 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示面板
KR102494732B1 (ko) 2015-10-16 2023-02-01 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
KR20250135902A (ko) * 2015-11-20 2025-09-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치, 이 반도체 장치의 제작 방법, 또는 이 반도체 장치를 가지는 표시 장치
KR102617444B1 (ko) * 2015-12-30 2023-12-21 엘지디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
CN107092111B (zh) * 2016-02-17 2021-06-11 群创光电股份有限公司 主动元件阵列基板以及显示面板
CN107065237A (zh) * 2016-12-30 2017-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板制程
CN106653772B (zh) * 2016-12-30 2019-10-01 惠科股份有限公司 一种显示面板及制程
CN107290913A (zh) * 2017-07-31 2017-10-24 武汉华星光电技术有限公司 显示面板、阵列基板及其形成方法
KR102263122B1 (ko) * 2017-10-19 2021-06-09 삼성디스플레이 주식회사 트랜지스터 표시판
TWI671913B (zh) 2018-05-02 2019-09-11 友達光電股份有限公司 半導體裝置及其製造方法
KR102716630B1 (ko) * 2018-11-22 2024-10-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11005079B2 (en) * 2018-11-30 2021-05-11 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Anti-reflection bottom-emitting type OLED display device and manufacturing method thereof
CN110459607B (zh) * 2019-08-08 2021-08-06 Tcl华星光电技术有限公司 薄膜晶体管阵列基板
TWI719838B (zh) * 2019-08-20 2021-02-21 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN110780497A (zh) * 2019-10-22 2020-02-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板的走线结构、显示面板走线方法及显示面板
TWI719785B (zh) * 2019-12-27 2021-02-21 友達光電股份有限公司 顯示器
CN111403336A (zh) * 2020-03-31 2020-07-10 成都中电熊猫显示科技有限公司 阵列基板、显示面板以及阵列基板的制作方法
CN112874655B (zh) * 2021-02-04 2021-12-24 北京理工大学 可控角度的机器人被动足部及应用该被动足的机器人
CN113161292B (zh) * 2021-04-12 2023-04-25 北海惠科光电技术有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
CN114141869B (zh) * 2021-11-30 2025-02-14 北海惠科光电技术有限公司 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237039A (ja) * 1989-03-09 1990-09-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
US6008110A (en) * 1994-07-21 1999-12-28 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor substrate and method of manufacturing same
US6518594B1 (en) * 1998-11-16 2003-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor devices
JP2000165002A (ja) * 1998-11-26 2000-06-16 Furontekku:Kk 電子機器用基板及びその製造方法と電子機器
JP3916334B2 (ja) 1999-01-13 2007-05-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
KR100303141B1 (ko) 1999-02-23 2001-09-26 구본준, 론 위라하디락사 박막트랜지스터의 제조방법
JP4243401B2 (ja) * 1999-12-21 2009-03-25 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 銅配線基板およびその製造方法ならびに液晶表示装置
KR100799464B1 (ko) * 2001-03-21 2008-02-01 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
US6888586B2 (en) * 2001-06-05 2005-05-03 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Array substrate for liquid crystal display and method for fabricating the same
TW200531284A (en) 2003-07-29 2005-09-16 Samsung Electronics Co Ltd Thin film array panel and manufacturing method thereof
JP2006005190A (ja) * 2004-06-18 2006-01-05 Renesas Technology Corp 半導体装置
KR100671640B1 (ko) 2004-06-24 2007-01-18 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판과 이를 이용한 표시장치와그의 제조방법
KR101054344B1 (ko) * 2004-11-17 2011-08-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법
TWI242289B (en) 2004-11-22 2005-10-21 Au Optronics Corp Fabrication method of thin film transistor
TWI354350B (en) * 2005-05-25 2011-12-11 Au Optronics Corp Copper gate electrode and fabricating method there
KR101199533B1 (ko) * 2005-06-22 2012-11-09 삼성디스플레이 주식회사 식각액, 이를 이용하는 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR101167661B1 (ko) * 2005-07-15 2012-07-23 삼성전자주식회사 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법
KR101168728B1 (ko) * 2005-07-15 2012-07-26 삼성전자주식회사 배선 구조와 배선 형성 방법 및 박막 트랜지스터 기판과 그제조 방법

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