JP2008010840A - 窒化物半導体発光素子 - Google Patents
窒化物半導体発光素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008010840A JP2008010840A JP2007131658A JP2007131658A JP2008010840A JP 2008010840 A JP2008010840 A JP 2008010840A JP 2007131658 A JP2007131658 A JP 2007131658A JP 2007131658 A JP2007131658 A JP 2007131658A JP 2008010840 A JP2008010840 A JP 2008010840A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride semiconductor
- pad electrode
- side pad
- electrode
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 157
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 150
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 147
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 24
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 13
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 6
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005457 Black-body radiation Effects 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
【解決手段】基板2と、n型窒化物半導体層4、6と、p型窒化物半導体層8と、n側パッド電極12と、透光性電極14と、p側パッド電極16と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、透光性電極14は、導電性酸化物から成り、n側パッド電極12は、透光性電極14の外周に隣接し、p側パッド電極16は、次の関係を充足するよう配置されている。
0.3L≦X≦0.5L、かつ、0.2L≦Y≦0.5L
(X:p側パッド電極16からn側パッド電極12までの端間距離、Y:p側パッド電極16の端から透光性電極14の外周までの距離、L:p側パッド電極16とn側パッド電極12の重心同士を結ぶ線分上における透光性電極14の長さからp側パッド電極の外径dを引いた長さ)
【選択図】図3
Description
0.4L≦X≦0.7L、かつ、0.25L≦Y≦0.55L
(X:p側パッド電極からn側パッド電極までの端間距離、Y:n側パッド電極とp側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上における、p側パッド電極のn側パッド電極と逆側の端から透光性電極の外周までの距離、L:p側パッド電極とn側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上における透光性電極の長さからp側パッド電極の外径dを引いた長さ)
尚、p側パッド電極の外径dとは、p側パッド電極とn側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上におけるp側パッド電極の外径dを指す。また、p側パッド電極が線状の延長部を有する場合は、その線状の延長部を除いた部分の外径をdとする。
0.5L≦X≦0.6L、かつ、0.3L≦Y≦0.5L
0.4L≦X≦0.7L、かつ、0.25L≦Y≦0.55L
尚、上式の関係の充足を検討する際に、n側パッド電極12やp側パッド電極16から線状の延長部が伸びている場合には、その延長部を除いたn側パッド電極12とp側パッド電極16を基準としてX、Y、Lを決める。
図4Aが従来と同様にp側パッド電極16を透光性電極14の端に配置した場合、図4B〜4Dは、p側パッド電極16がn側パッド電極12に向かって近づくように、透光性電極14の内側に寄せて配置した場合である。図4A〜4Dの各々について、XとYの値は以下の通りである。
図4A X=150μm(0.88L) Y=20μm(0.12L)
図4B X=100μm(0.59L) Y=70μm(0.41L)
図4C X=50μm(0.29L) Y=120μm(0.71L)
図4D X=20μm(0.12L) Y=150μm(0.88L)
上記関係は、図5D及びE、並びに図6D及びEによって一層明瞭となる。図5D及び図5Eは、光度IV(mcd)×破壊電圧(V)/Vf(V)とパッド電極の間隔Xの関係を示すグラフであり、図6D及び図6Eは、光度IV(mcd)×破壊電圧(V)/Vf(V)と間隔Yの関係を示すグラフである。「光度IV(mcd)×破壊電圧(V)/Vf(V)」をX、Yに対してプロットすることにより、素子の光度と破壊電圧を高く維持しながらVfを低減できるという本件発明の効果を一層明瞭に理解することができる。図5D及ぶ図5Eからわかるように、「光度IV(mcd)×破壊電圧(V)/Vf(V)」は、パッド電極の間隔X=0.59L(100μm)のときに最も高くなる。図6D及ぶ図6Eからわかるように、「光度IV(mcd)×破壊電圧(V)/Vf(V)」は、パッド電極の間隔Y=0.41L(70μm)のときに最も高くなる。
窒化物半導体発光素子1をパッケージ30の凹部32に固定するとき、素子1の長辺方向(=長辺と平行な方向)が、凹部32の長軸方向とほぼ一致する向きに固定される。なお、「凹部32の長軸方向」とは、発光面42側から観察した凹部32の形状(略矩形又は長楕円)の長軸と平行な方向を意味している。図からわかるように、凹部32の短軸方向(長軸方向と直交する方向)の寸法が極めて狭く、発光素子1の短辺方向(=短辺と平行な方向)の寸法よりわずかに大きい程度である。これは、発光装置50を薄型化するためである。このような発光装置50では、導電ワイヤ40は凹部32の長軸方向に沿って張り渡すことになる。また、使用するワイヤボンダのキャピラリは、パッケージ30の凹部32の短軸方向の寸法よりわずかに細い程度で、凹部32の短軸方向の自由度が極めて低い。
(透光性電極14)
透光性電極14は、導電性酸化物から成る。導電性酸化物は、亜鉛、インジウム、スズ及びマグネシウムからなる群から選択される少なくとも1種の元素を含むことが好ましい。具体的には、錫をドーピングした酸化インジウム(Indium Tin Oxide;ITO)、ZnO、In2O3、SnO2等が好ましい。これらは透光性が高いため、特に好ましい。透光性電極14は、p型窒化物半導体層8に均一に電流を流せるようにp型窒化物半導体層8のほぼ全面に形成することが好ましい。透光性電極14のシート抵抗は、10〜30Ωcm、より好ましくは15〜25Ωcmであることが望ましい。透光性電極14の好適な厚さは、シート抵抗と光の透過率との関係によって決定され、通常は厚さ50Å〜10μmの範囲が使用できる。特に、透光性電極14にITOを使用する場合には、厚さを0.5μm以下にすることにより、透光性に優れており、且つシート抵抗も10〜30Ωcmの範囲内にある透光性電極14が得られるので、好ましい。
n側パッド電極12及びp側パッド電極16は、例えば、ニッケル(Ni)、白金(Pt)パラジウム(Pd)、ロジウム(Rh)、ルテニウム(Ru)、オスミウム(Os)、イリジウム(Ir)、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、コバルト(Co)、鉄(Fe)、マンガン(Mn)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)、タングステン(W)、ランタン(La)、銅(Cu)、銀(Ag)、イットリウム(Y)からなる群から選択された少なくとも一種を含む金属や合金により形成することができる。また、これらの酸化物又は窒化物であっても良い。また、ITO、ZnO、In2O3等の透明導電性酸化物も好ましい。さらに、これらの単層膜でも良いし、多層膜でも良い。膜厚は特に限定されることなく、得ようとする特性を考慮して適宜調整することができる。なお、パッド電極と線状の延長部は必ずしも同一材料によって一体的に形成されていなくても良く、異なる材料及び/又は膜厚を有していてもよい。なお、パッド電極の台座となる部分は、外部電極との接続のために有効に機能するのに必要な膜厚及び面積を有していることが好ましい。パッド電極の台座部分は、直径100μm以下の円形であるのが好ましい。また、長方形の素子の場合、透光性電極14の幅(=素子の短辺方向に沿った寸法)に対して、パッド電極の台座部分の直径が20%以上であるのが好ましい。一例として、透光性電極14の幅が290μmの素子に、直径70μmのパッド電極を形成することができる。
尚、本件発明ではp側パッド電極16の位置によって発光の均一性を高めるため、パッド電極に電流拡散用の延長部を長く設ける必要がない。したがってn側パッド電極12に、線状に延伸された導電性の延長部を設けても良いが、延長部を含めたn側パッド電極12の長さが透光性電極14の一辺を越えないことが好ましい。即ち、n側パッド電極12が、透光性電極14外周の一辺にだけ隣接して形成され、その他の辺に隣接する延長部を有していないことが好ましい。このとき透光性電極14の外周を構成する各辺は、n側パッド電極12が隣接する辺を除き、素子の外周に隣接することになる。これによって発光面積を広く確保し、素子の発光効率を高めることができる。
また、p側パッド電極16としては、半導体層側から順に、Ni/Au、Co/Auの他、ITOなどの導電性酸化物、白金族元素の金属、Rh/Ir、Pt/Pdなどが好適に用いられる。尚、n側パッド電極12及び/又はp側パッド電極16に、線状に延伸された導電性の延長部を発光効率を低下させ過ぎない程度の長さで設けても構わない。これにより、活性層全体を効率よく発光させることができ、特に素子をフェイスアップ実装で設けるときに効果的である。また、p側パッド電極16は、透光性電極14の上に形成しても、透光性電極14に設けた開口部を通じてp側窒化物半導体層と接触するように形成しても良い。この場合、p側パッド電極16は、貫通孔の内面を通じて透光性電極14と接続される。
半導体層を形成するための基板は、例えば、C面、R面、及びA面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板を用いることができる。また、基板として、SiC(6H、4H、3Cを含む)、ZnS、ZnO、GaAs、Siなどを用いても良い。また、窒化物半導体と格子整合する酸化物基板を用いることもできる。中でも、サファイア基板が好ましい。絶縁性基板は、最終的に取り除いてもよいし、取り除かなくてもよい。基板上には、n側窒化物半導体層4、活性層6、及びp側窒化物半導体層8以外に、結晶核形成層、低温成長バッファ層、高温成長層、マスク層、中間層等などが下地層として形成されていてもよい。
窒化物半導体としては、GaN、AlNもしくはInN、又はこれらの混晶であるIII−V族窒化物半導体(InXAlYGa1-X-YN(0≦X、0≦Y、X+Y≦1))が挙げられる。さらに、III族元素の一部又は全部にBを用いたり、V族元素のNの一部をP、As、Sbで置換した混晶であってもよい。これらの窒化物半導体層は、通常、n型、p型のいずれかの不純物がドーピングされている。半導体層は、単層構造でもよいが、MIS接合、PIN接合又はPN接合を有したホモ構造、ヘテロ構造又はダブルへテロ構造等の積層構造であってもよい。半導体層は、例えば、有機金属気相成長法(MOCVD)、ハイドライド気相成長法(HVPE)、分子線エピタキシャル成長法(MBE)等の公知の技術により形成することができる。半導体層の膜厚は特に限定されるものではなく、種々の膜厚のものを適用することができる。
発光装置50では、窒化物半導体発光素子1を外部環境から保護するために、パッケージ30の凹部32を透光性樹脂44で封止することができる。パッケージ30の凹部32内に、半導体発光素子1や導電ワイヤ40等を覆うのに必要な量以上の透光性樹脂44を充填し、その後に硬化させて封止を行う。
透光性樹脂44に適した材料としては、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、フッ素樹脂、および、それらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等の耐候性に優れた透光性樹脂が挙げられる。また、透光性樹脂に代えて、ガラス、シリカゲルなどの耐光性に優れた無機物を用いることもできる。
また、本発明の窒化物半導体発光素子1は、発光素子から光の一部をそれとは異なる波長の光に変換する光変換部材を有していてもよい。これにより、発光素子の光を変換した発光装置を得ることができ、発光素子の発光と変換光との混色光などにより、白色系、電球色などの発光装置50を得ることができる。例えば、白色の発光装置50を得るために、青色発光ダイオード素子1と光変換部材とを組み合わせる方法がある。実際の発光装置50では、粒子状にした光変換部材を、透光性樹脂44に分散させる構成にするのが好ましい。
2 基板、
4 n型窒化物半導体層、
6 活性層、
8 p型窒化物半導体層、
12 n側パッド電極、
14 透光性電極、
16 p側パッド電極、
18 凹凸構造
18a ディンプル
18b 突出部
20 突起
30 パッケージ
32 凹部
34 n側リード電極
36 p側リード電極
40 導電ワイヤ
42 発光面
50 発光装置
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、
前記n型窒化物半導体層上に形成されたp型窒化物半導体層と、
前記p型窒化物半導体層と前記n型窒化物半導体層の一部とを除去して前記n型窒化物半導体層を露出させた露出面に形成されたn側パッド電極と、
前記p型窒化物半導体層に形成された透光性電極と、
前記透光性電極の面内に形成されたp側パッド電極と、を備えた窒化物半導体発光素子であって、
前記透光性電極は、導電性酸化物から成り、
前記n側パッド電極は、前記透光性電極の外周に隣接し、
前記p側パッド電極は、次の関係を充足するよう配置されたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
0.4L≦X≦0.7L、かつ、0.25L≦Y≦0.55L
(X:p側パッド電極からn側パッド電極までの端間距離、Y:n側パッド電極とp側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上における、p側パッド電極のn側パッド電極と逆側の端から透光性電極の外周までの距離、L:p側パッド電極とn側パッド電極の重心同士を結ぶ線分上における透光性電極の長さからp側パッド電極の外径dを引いた長さ) - 前記X及びYが、次の関係を充足することを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
0.5L≦X≦0.6L、かつ、0.3L≦Y≦0.5L - 前記窒化物半導体素子の外形が、アスペクト比1.5〜5の長方形であることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記窒化物半導体素子の前記長方形の短辺と平行な方向において、n側パッド電極及びp側パッド電極の寸法が、前記透光性電極の寸法に対して20%以上であることを特徴とする請求項3に記載の窒化物半導体素子。
- 前記n側パッド電極と前記p側パッド電極が、前記長方形の長辺に平行に並べて配置されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記透光性電極のシート抵抗が10〜30Ωcmであることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記透光性電極のシート抵抗が15〜25Ωcmであることを特徴とする請求項6に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記透光性電極が、ITO、ZnO、In2O3及びSnO2から成る群から選択される少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 素子外周部に窒化物半導体層から成る複数の突起が形成されたことを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 前記基板の上面に凹凸構造が形成されたことを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の窒化物半導体発光素子。
- 請求項3に記載の窒化物半導体発光素子と、
前記窒化物半導体素子を内包する凹部を発光面側に備えた扁平形状のパッケージと、
前記凹部の内面に露出したp側リード電極及びn側リード電極と、
前記窒化物半導体発光素子の前記p側パッド電極及び前記n側パッド電極と、前記p側リード電極及び前記n側リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電ワイヤと、を備えた薄型発光装置であって、
前記パッケージの凹部は、前記発光面側から観察したときに略矩形又は長楕円であり、
前記窒化物半導体発光素子は、その長辺方向が前記凹部の長軸方向とほぼ一致する向きで、前記n側リード電極の表面に接着固定されており、
前記導電ワイヤは、前記凹部の長軸方向とほぼ一致する方向に張り渡されていることを特徴とする薄型発光装置。 - 請求項3に記載の窒化物半導体発光素子と、
前記窒化物半導体素子を内包する凹部を発光面側に備えた扁平形状のパッケージと、
前記凹部の内面に露出したp側リード電極及びn側リード電極と、
前記窒化物半導体発光素子の前記p側パッド電極及び前記n側パッド電極と、前記p側リード電極及び前記n側リード電極とをそれぞれ電気的に接続する導電ワイヤと、を備え、
前記パッケージの凹部が、前記発光面側から観察したときに略矩形又は長楕円である薄型発光装置を製造する方法であって、
前記パッケージのn側リード電極の表面に、前記窒化物半導体発光素子の長辺方向を前記凹部の長軸方向とほぼ一致する向きで、前記窒化物半導体発光素子を接着固定する工程と、
前記導電ワイヤを、前記凹部の長軸方向とほぼ一致する方向に張り渡す工程とを含むことを特徴とする薄型発光装置の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007131658A JP5326225B2 (ja) | 2006-05-29 | 2007-05-17 | 窒化物半導体発光素子 |
US11/806,054 US7884379B2 (en) | 2006-05-29 | 2007-05-29 | Nitride semiconductor light emitting device |
US12/983,708 US8674381B2 (en) | 2006-05-29 | 2011-01-03 | Nitride semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006148613 | 2006-05-29 | ||
JP2006148613 | 2006-05-29 | ||
JP2007131658A JP5326225B2 (ja) | 2006-05-29 | 2007-05-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008010840A true JP2008010840A (ja) | 2008-01-17 |
JP5326225B2 JP5326225B2 (ja) | 2013-10-30 |
Family
ID=38748724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007131658A Active JP5326225B2 (ja) | 2006-05-29 | 2007-05-17 | 窒化物半導体発光素子 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7884379B2 (ja) |
JP (1) | JP5326225B2 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246275A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びランプ |
JP2009253056A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びランプ |
JP2010016079A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子、および発光素子の製造方法 |
WO2010100900A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
WO2010100949A1 (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2011151346A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Stanley Electric Co Ltd | フェイスアップ型光半導体装置 |
JP2015032768A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
WO2015063951A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 星和電機株式会社 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100941616B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2010-02-11 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
US9337407B2 (en) * | 2009-03-31 | 2016-05-10 | Epistar Corporation | Photoelectronic element and the manufacturing method thereof |
JP2011124275A (ja) * | 2009-12-08 | 2011-06-23 | Toshiba Corp | 発光装置 |
WO2011145283A1 (ja) * | 2010-05-20 | 2011-11-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 |
US8466478B2 (en) * | 2010-09-07 | 2013-06-18 | Chi Mei Lighting Technology Corporation | Light emitting device utilizing rod structure |
JP5517882B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2014-06-11 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
KR102013363B1 (ko) * | 2012-11-09 | 2019-08-22 | 서울바이오시스 주식회사 | 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법 |
USD718259S1 (en) * | 2013-08-13 | 2014-11-25 | Epistar Corporation | Light-emitting diode device |
CN103456867A (zh) * | 2013-09-09 | 2013-12-18 | 无锡奥旭光电科技有限公司 | 一种直插式led支架结构 |
TWI578565B (zh) * | 2013-09-17 | 2017-04-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體 |
USD719112S1 (en) * | 2013-11-22 | 2014-12-09 | Epistar Corporation | Light-emitting diode device |
USD845920S1 (en) | 2015-08-12 | 2019-04-16 | Epistar Corporation | Portion of light-emitting diode unit |
Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62204586A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPH01276701A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Hitachi Ltd | 薄膜抵抗装置、その製造方法、並びにそれを塔載した混成集積回路及びicカード |
JPH07111339A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体発光装置 |
JPH10173230A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
JPH10209494A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10229219A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
JPH10275942A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Sharp Corp | 発光素子及びその製造方法 |
JPH10321913A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH11274560A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2000223751A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ及びそれを用いた表示装置 |
JP2000286451A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-10-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2003110138A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2004221529A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-08-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JP2004356273A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sharp Corp | 発光ダイオード素子の電極及び発光ダイオード素子 |
JP2004363537A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置 |
WO2005096399A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nichia Corporation | 窒化物半導体発光素子 |
JP2005317931A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
JP2006108164A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 電極形成方法 |
JP2007103951A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3147670U (ja) * | 2008-10-17 | 2009-01-15 | 三星電機株式会社 | 窒化物系半導体発光素子 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5294815A (en) * | 1991-07-29 | 1994-03-15 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light emitting device with terraced structure |
JP2748818B2 (ja) | 1993-05-31 | 1998-05-13 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
EP1450415A3 (en) | 1993-04-28 | 2005-05-04 | Nichia Corporation | Gallium nitride-based III-V group compound semiconductor device |
US6005334A (en) * | 1996-04-30 | 1999-12-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron-emitting apparatus having a periodical electron-emitting region |
US6504180B1 (en) * | 1998-07-28 | 2003-01-07 | Imec Vzw And Vrije Universiteit | Method of manufacturing surface textured high-efficiency radiating devices and devices obtained therefrom |
US6272609B1 (en) * | 1998-07-31 | 2001-08-07 | Micron Electronics, Inc. | Pipelined memory controller |
GB2351172B (en) * | 1999-06-14 | 2001-06-20 | Sony Corp | Printer system,printer apparatus,printing method,ink ribbon and printing medium |
JP2002335048A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-11-22 | Sony Corp | 窒化物系半導体レーザ素子及びその製造方法 |
TWI292961B (en) * | 2002-09-05 | 2008-01-21 | Nichia Corp | Semiconductor device and an optical device using the semiconductor device |
KR100649494B1 (ko) * | 2004-08-17 | 2006-11-24 | 삼성전기주식회사 | 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
JP2006108333A (ja) * | 2004-10-04 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | ランプ |
KR100668964B1 (ko) * | 2005-09-27 | 2007-01-12 | 엘지전자 주식회사 | 나노 홈을 갖는 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
US20070128013A1 (en) * | 2005-12-01 | 2007-06-07 | Grant Hanson | Apparatus protecting vehicle with bucket when bucket strikes fixed object |
KR100736623B1 (ko) * | 2006-05-08 | 2007-07-09 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 및 그 제조방법 |
JP5250856B2 (ja) * | 2006-06-13 | 2013-07-31 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP2008034822A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-02-14 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
-
2007
- 2007-05-17 JP JP2007131658A patent/JP5326225B2/ja active Active
- 2007-05-29 US US11/806,054 patent/US7884379B2/en active Active
-
2011
- 2011-01-03 US US12/983,708 patent/US8674381B2/en active Active
Patent Citations (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62204586A (ja) * | 1986-03-04 | 1987-09-09 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPH01276701A (ja) * | 1988-04-28 | 1989-11-07 | Hitachi Ltd | 薄膜抵抗装置、その製造方法、並びにそれを塔載した混成集積回路及びicカード |
JPH07111339A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 面発光型半導体発光装置 |
JPH10173230A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子 |
JPH10209494A (ja) * | 1997-01-24 | 1998-08-07 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
JPH10229219A (ja) * | 1997-02-14 | 1998-08-25 | Toyoda Gosei Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体素子 |
JPH10275942A (ja) * | 1997-03-31 | 1998-10-13 | Sharp Corp | 発光素子及びその製造方法 |
JPH10321913A (ja) * | 1997-05-19 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法 |
JPH11274560A (ja) * | 1998-03-23 | 1999-10-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2000286451A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-10-13 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体素子 |
JP2000164930A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-16 | Agilent Technol Inc | 発光デバイスのための電極構造 |
JP2000223751A (ja) * | 1998-11-25 | 2000-08-11 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledランプ及びそれを用いた表示装置 |
JP2003110138A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード |
JP2004363537A (ja) * | 2002-09-05 | 2004-12-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体装置およびその製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置 |
JP2004221529A (ja) * | 2002-10-03 | 2004-08-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JP2004356273A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sharp Corp | 発光ダイオード素子の電極及び発光ダイオード素子 |
JP2005317931A (ja) * | 2004-03-29 | 2005-11-10 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体発光素子 |
WO2005096399A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-13 | Nichia Corporation | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006108164A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 電極形成方法 |
JP2007103951A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-04-19 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
JP3147670U (ja) * | 2008-10-17 | 2009-01-15 | 三星電機株式会社 | 窒化物系半導体発光素子 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009246275A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びランプ |
JP2009253056A (ja) * | 2008-04-07 | 2009-10-29 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びランプ |
JP2010016079A (ja) * | 2008-07-02 | 2010-01-21 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光素子、および発光素子の製造方法 |
WO2010100900A1 (ja) * | 2009-03-02 | 2010-09-10 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2010232642A (ja) * | 2009-03-02 | 2010-10-14 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
WO2010100949A1 (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-10 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
JP2010232649A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-10-14 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
US8502254B2 (en) | 2009-03-06 | 2013-08-06 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride semiconductor light-emitting device and method of manufacturing the same, and lamp |
JP2011151346A (ja) * | 2009-12-24 | 2011-08-04 | Stanley Electric Co Ltd | フェイスアップ型光半導体装置 |
JP2015032768A (ja) * | 2013-08-06 | 2015-02-16 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子 |
WO2015063951A1 (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 星和電機株式会社 | 半導体発光素子及び発光装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5326225B2 (ja) | 2013-10-30 |
US8674381B2 (en) | 2014-03-18 |
US20070272937A1 (en) | 2007-11-29 |
US7884379B2 (en) | 2011-02-08 |
US20110095265A1 (en) | 2011-04-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5326225B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4882792B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US7902565B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same | |
US10177281B2 (en) | Light-emitting diode | |
JP4899825B2 (ja) | 半導体発光素子、発光装置 | |
US20060071226A1 (en) | Light-emitting semiconductor device | |
JP6320769B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2008034822A (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4923693B2 (ja) | 半導体発光素子と半導体発光装置 | |
JP2009099716A (ja) | 発光装置 | |
US8835966B2 (en) | Semiconductor light-emitting element, lamp, electronic device and machine | |
JP5719496B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP2005019646A (ja) | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 | |
JP6385680B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2009054688A (ja) | 発光素子 | |
JP4581540B2 (ja) | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 | |
JP5608762B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US9608167B2 (en) | Light emitting device | |
JP2013258177A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子 | |
KR101855202B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP5557648B2 (ja) | 発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置 | |
KR100631970B1 (ko) | 플립칩용 질화물 반도체 발광소자 | |
US8643045B2 (en) | Light emitting device | |
JP5886899B2 (ja) | 半導体発光素子及び半導体発光装置 | |
KR100665283B1 (ko) | 반도체 발광 다이오드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100416 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120409 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130426 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20130508 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130625 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130708 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5326225 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |