JPH10173230A - 発光素子 - Google Patents
発光素子Info
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- JPH10173230A JPH10173230A JP35215696A JP35215696A JPH10173230A JP H10173230 A JPH10173230 A JP H10173230A JP 35215696 A JP35215696 A JP 35215696A JP 35215696 A JP35215696 A JP 35215696A JP H10173230 A JPH10173230 A JP H10173230A
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- light emitting
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- semiconductor layer
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ｎ電極とｐ電極とが同一面側に形成されてい
る発光素子上において、発光面をできる限り均一に分布
させる。 【解決手段】 発光面を略Ｈ字形状とし、このＨ字の窪
みの部分の一方にｎ電極を配置し、他方にｐ電極を配置
する。
る発光素子上において、発光面をできる限り均一に分布
させる。 【解決手段】 発光面を略Ｈ字形状とし、このＨ字の窪
みの部分の一方にｎ電極を配置し、他方にｐ電極を配置
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は発光素子に関す
る。更に詳しくは、半導体発光素子の電極の構成に関す
る。
る。更に詳しくは、半導体発光素子の電極の構成に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＡｌXＩｎYＧａ1ーXーYＮ（Ｘ＝０、Ｙ＝
０、Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる３族窒化物半導体は直
接遷移型であるので発光効率が高くかつ光の３原色の１
つである青色を発光することから、発光素子、例えば発
光ダイオードの形成材料として昨今特に注目を集めてい
る。
０、Ｘ＝Ｙ＝０を含む）からなる３族窒化物半導体は直
接遷移型であるので発光効率が高くかつ光の３原色の１
つである青色を発光することから、発光素子、例えば発
光ダイオードの形成材料として昨今特に注目を集めてい
る。
【０００３】発光素子を構成する上記３族窒化物半導体
は一般的に絶縁性のサファイア基板の上に形成される。
従って、基板側から電極を取り出すことができず、半導
体層を形成した面側に一対の電極が形成されることとな
る。このように構成された発光素子は、そのチップサイ
ズを小さくできる見地から、基板を下側にしてリードフ
レームなどの反射板に取り付けられる。そして、上面に
配置された一対の電極、即ちｎ電極及びｐ電極上とにそ
れぞれワイヤーボンディングが施される。
は一般的に絶縁性のサファイア基板の上に形成される。
従って、基板側から電極を取り出すことができず、半導
体層を形成した面側に一対の電極が形成されることとな
る。このように構成された発光素子は、そのチップサイ
ズを小さくできる見地から、基板を下側にしてリードフ
レームなどの反射板に取り付けられる。そして、上面に
配置された一対の電極、即ちｎ電極及びｐ電極上とにそ
れぞれワイヤーボンディングが施される。
【０００４】また、特開平６ー３３８６３２号公報にて
提案された発明で開示される電極構成によれば、ｎ電極
は平面から視て円形であり、ｐ電極は平面から視て正方
形である。
提案された発明で開示される電極構成によれば、ｎ電極
は平面から視て円形であり、ｐ電極は平面から視て正方
形である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、昨今で
は、半導体発光素子の高集積化、即ちチップサイズをよ
り小さくすることが要求されている。一方、ワイヤーボ
ンディングを確実に行うためには、電極に一定の大きさ
（例えば、円形の電極では直径１００μm以上、正方形
の電極では一辺１００μm以上）が要求される。従っ
て、発光素子のチップサイズを小さくすると、発光面が
チップ上に偏在するようになる。
は、半導体発光素子の高集積化、即ちチップサイズをよ
り小さくすることが要求されている。一方、ワイヤーボ
ンディングを確実に行うためには、電極に一定の大きさ
（例えば、円形の電極では直径１００μm以上、正方形
の電極では一辺１００μm以上）が要求される。従っ
て、発光素子のチップサイズを小さくすると、発光面が
チップ上に偏在するようになる。
【０００６】例えば、図１に示す検討例の発光素子１に
おいて、ハッチングを施した部分が発光面２である。こ
の検討例の発光素子１は一辺が３００μmの正方形のチ
ップであり、この素子を平面から視たとき相交わる二辺
に挟まれるようにして円形のｎ電極（直径１２０μm）
３が配置され、相交わる他の二辺に挟まれるようにして
正方形のｐ電極（一辺１２０μm）４が配置される。図
からわかる通り、チップ上面において各電極の占める面
積比率が大きいので発光面が偏在する。
おいて、ハッチングを施した部分が発光面２である。こ
の検討例の発光素子１は一辺が３００μmの正方形のチ
ップであり、この素子を平面から視たとき相交わる二辺
に挟まれるようにして円形のｎ電極（直径１２０μm）
３が配置され、相交わる他の二辺に挟まれるようにして
正方形のｐ電極（一辺１２０μm）４が配置される。図
からわかる通り、チップ上面において各電極の占める面
積比率が大きいので発光面が偏在する。
【０００７】この発光素子は、エポキシレジン等の透明
樹脂で形成された半球ないしは弾頭形状のレンズ内にモ
ールドされる（図７参照）。図２は発光素子１をモール
ドしたレンズ３４の平面図である。図３は図２における
Ａ−Ａ線上及びＢ−Ｂ線上の発光強度のプロファイルを
示す。このレンズ３４を２次元的に配列してディスプレ
イ等が形成される。
樹脂で形成された半球ないしは弾頭形状のレンズ内にモ
ールドされる（図７参照）。図２は発光素子１をモール
ドしたレンズ３４の平面図である。図３は図２における
Ａ−Ａ線上及びＢ−Ｂ線上の発光強度のプロファイルを
示す。このレンズ３４を２次元的に配列してディスプレ
イ等が形成される。
【０００８】しかし、上記の様に発光面が偏在する場
合、図２及び３に示すとおり、レンズ３４の表面におい
て方向性のある発光強度の偏在が生じる。このような方
向性の強い発光強度の偏在はディスプレイの意匠上好ま
しくない。
合、図２及び３に示すとおり、レンズ３４の表面におい
て方向性のある発光強度の偏在が生じる。このような方
向性の強い発光強度の偏在はディスプレイの意匠上好ま
しくない。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明はかかる課題を
解決すべくなされたものであり、ｎ型の第１の半導体層
上にｎ電極が接続され、ｐ型の第２の半導体層上にｐ電
極が接続され、かつｎ電極とｐ電極は同一面側に形成さ
れる発光素子において、発光面が略Ｈ字形状であり、こ
のＨ字の窪みの部分の一方にｎ電極が配置され、他方に
ｐ電極が配置される、ことを特徴とする発光素子であ
る。
解決すべくなされたものであり、ｎ型の第１の半導体層
上にｎ電極が接続され、ｐ型の第２の半導体層上にｐ電
極が接続され、かつｎ電極とｐ電極は同一面側に形成さ
れる発光素子において、発光面が略Ｈ字形状であり、こ
のＨ字の窪みの部分の一方にｎ電極が配置され、他方に
ｐ電極が配置される、ことを特徴とする発光素子であ
る。
【００１０】
【発明の作用・効果】上記の様に構成された発光素子に
よれば、発光面がＨ字形状にされているので発光面の偏
在が緩和され、レンズ上においても、発光強度の偏在が
緩和される。また、発光強度の偏在は残るものの、その
方向性は大幅に緩和されるので、意匠上好ましいものと
なる。
よれば、発光面がＨ字形状にされているので発光面の偏
在が緩和され、レンズ上においても、発光強度の偏在が
緩和される。また、発光強度の偏在は残るものの、その
方向性は大幅に緩和されるので、意匠上好ましいものと
なる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態を実
施例に基づき図面を参照して説明する。図４はこの発明
の実施例の発光ダイオード１０の平面図であり、図５は
図４におけるＶ−Ｖ線断面図である。図４に示すとお
り、発光ダイオード１０は平面から視てその外郭が実質
的な長方形であり、相対向する短辺のそれぞれ中央に、
各短辺に接するようにして、ｎ電極１７とｐ電極１９と
が形成されている。実質的な発光面となる透光性電極１
８はｎ電極１７と各長辺の間、及びｐ電極１９と各長辺
の間まで回り込んでいる。換言すれば、発光面がＨ字形
状をしており、各電極１７、１９がＨ字の一対の窪みの
部分に配置される構成である。
施例に基づき図面を参照して説明する。図４はこの発明
の実施例の発光ダイオード１０の平面図であり、図５は
図４におけるＶ−Ｖ線断面図である。図４に示すとお
り、発光ダイオード１０は平面から視てその外郭が実質
的な長方形であり、相対向する短辺のそれぞれ中央に、
各短辺に接するようにして、ｎ電極１７とｐ電極１９と
が形成されている。実質的な発光面となる透光性電極１
８はｎ電極１７と各長辺の間、及びｐ電極１９と各長辺
の間まで回り込んでいる。換言すれば、発光面がＨ字形
状をしており、各電極１７、１９がＨ字の一対の窪みの
部分に配置される構成である。
【００１２】この発光ダイオード１０は、図５に示すと
おり、サファイア基板１１の上に、バッファ層１２、ｎ
型の第１の半導体層１３、超格子構造の発光層１４、ｐ
型の第２の半導体層１５を順次積層した構成である。半
導体層１３ないし１５はＡｌXＩｎYＧａ1ーXーYＮ（Ｘ＝
０、Ｙ＝０、Ｘ＝Ｙ＝０を含む）で形成される。
おり、サファイア基板１１の上に、バッファ層１２、ｎ
型の第１の半導体層１３、超格子構造の発光層１４、ｐ
型の第２の半導体層１５を順次積層した構成である。半
導体層１３ないし１５はＡｌXＩｎYＧａ1ーXーYＮ（Ｘ＝
０、Ｙ＝０、Ｘ＝Ｙ＝０を含む）で形成される。
【００１３】各半導体層の具体的なスペックは次の通り
である。 バッファ層１２ ： ＡｌＮ（５０ｎｍ） 第１の半導体層１３ ： ＳｉドープＧａＮ、（２２００ｎｍ） 発光層１４ ： 量子井戸層；Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ（３．５ｎｍ） バリア層 ；ＧａＮ（３．５ｎｍ） 量子井戸層及びバリア層の繰り返し数；５ 第２の半導体層１５ ： ＭｇドープＧａＮ（７５ｎｍ）
である。 バッファ層１２ ： ＡｌＮ（５０ｎｍ） 第１の半導体層１３ ： ＳｉドープＧａＮ、（２２００ｎｍ） 発光層１４ ： 量子井戸層；Ｉｎ0.16Ｇａ0.84Ｎ（３．５ｎｍ） バリア層 ；ＧａＮ（３．５ｎｍ） 量子井戸層及びバリア層の繰り返し数；５ 第２の半導体層１５ ： ＭｇドープＧａＮ（７５ｎｍ）
【００１４】上記において、ｎ型の第１の半導体層１３
は発光層側の低電子濃度ｎ層とバッファ層側の高電子濃
度ｎ+層とからなる２層構造とすることができる。発光
層１４は超格子構造のものに限定されず、シングルへテ
ロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用い
ることができる。発光層１４とｐ型の第２の半導体層１
５との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバ
ンドギャップの広いＡｌXＩｎYＧａ1-X-YＮ（X=0,Y=0,X
=Y=0を含む）層を介在させることができる。これは発光
層１４中に注入された電子がｐ型の第２の半導体層１５
に拡散するのを防止するためである。ｐ型の第２の半導
体層１５を発光層側の低ホール濃度ｐ層と電極側の高ホ
ール濃度ｐ+層とからなる２層構造とすることができ
る。
は発光層側の低電子濃度ｎ層とバッファ層側の高電子濃
度ｎ+層とからなる２層構造とすることができる。発光
層１４は超格子構造のものに限定されず、シングルへテ
ロ型、ダブルへテロ型及びホモ接合型のものなどを用い
ることができる。発光層１４とｐ型の第２の半導体層１
５との間にマグネシウム等のアクセプタをドープしたバ
ンドギャップの広いＡｌXＩｎYＧａ1-X-YＮ（X=0,Y=0,X
=Y=0を含む）層を介在させることができる。これは発光
層１４中に注入された電子がｐ型の第２の半導体層１５
に拡散するのを防止するためである。ｐ型の第２の半導
体層１５を発光層側の低ホール濃度ｐ層と電極側の高ホ
ール濃度ｐ+層とからなる２層構造とすることができ
る。
【００１５】基板１１の上の半導体層１２〜１５は有機
金属化合物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ法」とい
う。）により形成される。この成長法においては、アン
モニアガスと３族元素のアルキル化合物ガス、例えばト
リメチルガリウム（ＴＭＧ)、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）やトリメチルインジウム（ＴＭＩ）とを適当
な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、
もって所望の結晶を基板の上に成長させる。ＭＯＶＰＥ
法を用いたこれら半導体層の形成方法は周知であるので
その具体的な条件の説明は省略する。詳しくは、特開平
８ー９７４７１公報等を参照されたい。
金属化合物気相成長法（以下、「ＭＯＶＰＥ法」とい
う。）により形成される。この成長法においては、アン
モニアガスと３族元素のアルキル化合物ガス、例えばト
リメチルガリウム（ＴＭＧ)、トリメチルアルミニウム
（ＴＭＡ）やトリメチルインジウム（ＴＭＩ）とを適当
な温度に加熱された基板上に供給して熱分解反応させ、
もって所望の結晶を基板の上に成長させる。ＭＯＶＰＥ
法を用いたこれら半導体層の形成方法は周知であるので
その具体的な条件の説明は省略する。詳しくは、特開平
８ー９７４７１公報等を参照されたい。
【００１６】上記の様にして得た半導体層構造物に反応
性イオンエッチングを施してｐ型の第２の半導体層１
５、発光層１４及びｎ型の第１の半導体層１３の一部を
除去し、電極形成面１６を得る。この電極形成面１６は
素子を平面から視たときにおいて一の短辺の中央から素
子の中心へ延びている。
性イオンエッチングを施してｐ型の第２の半導体層１
５、発光層１４及びｎ型の第１の半導体層１３の一部を
除去し、電極形成面１６を得る。この電極形成面１６は
素子を平面から視たときにおいて一の短辺の中央から素
子の中心へ延びている。
【００１７】その後、Ａｌ（アルミニウム）を蒸着して
ｎ電極１７を直径が１２０μmの実質的な円形に形成す
る。ｎ電極１７の厚さは１．５μmである。なお、Ａｌ
を蒸着する前に下地層としてＶ（バナジウム）、Ｎｂ
（ニオブ）、Ｚｒ（ジルコニア）及びＣｒ（クロム）等
を蒸着させておくこともできる。ｎ電極１７とエッチン
グ壁面との間には１０μm幅の第１のクリアランス２１
を設ける。また、ｎ電極１７はその周縁が素子の一の短
辺において実質的な中央部に接するように配置される。
これは、ｎ電極１７により減少する発光面の面積を可及
的に小さくするためである。
ｎ電極１７を直径が１２０μmの実質的な円形に形成す
る。ｎ電極１７の厚さは１．５μmである。なお、Ａｌ
を蒸着する前に下地層としてＶ（バナジウム）、Ｎｂ
（ニオブ）、Ｚｒ（ジルコニア）及びＣｒ（クロム）等
を蒸着させておくこともできる。ｎ電極１７とエッチン
グ壁面との間には１０μm幅の第１のクリアランス２１
を設ける。また、ｎ電極１７はその周縁が素子の一の短
辺において実質的な中央部に接するように配置される。
これは、ｎ電極１７により減少する発光面の面積を可及
的に小さくするためである。
【００１８】次に、ｐ型の第２の半導体層１５の上へ透
光性電極１８を１０ｎｍの厚さに蒸着する。なお、透光
性電極１８とエッチング壁面との間に１０μm幅の第２
のクリアランス２２が設けられる。
光性電極１８を１０ｎｍの厚さに蒸着する。なお、透光
性電極１８とエッチング壁面との間に１０μm幅の第２
のクリアランス２２が設けられる。
【００１９】そして、透光性電極１８の上へ平面から視
て一辺が１２０μmの実質的に正方形なｐ電極１９を蒸
着する。ｐ電極１９の厚さは１．５μmである。ｐ電極
１９はその一辺が素子の他の短辺において中央部に接す
るように設けられている。これは、電極１７、１９間の
隔たりを大きくし、ボンディング作業を容易にするため
である。
て一辺が１２０μmの実質的に正方形なｐ電極１９を蒸
着する。ｐ電極１９の厚さは１．５μmである。ｐ電極
１９はその一辺が素子の他の短辺において中央部に接す
るように設けられている。これは、電極１７、１９間の
隔たりを大きくし、ボンディング作業を容易にするため
である。
【００２０】このｐ電極１９と透光性電極１８とは同一
の金属材料で形成されることが好ましい。この実施例で
はＡｕ（金）によりこれらを形成したが、その他にＰｔ
（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃ
ｏ（コバルト）及びこれらを含む合金を用いることがで
きる。
の金属材料で形成されることが好ましい。この実施例で
はＡｕ（金）によりこれらを形成したが、その他にＰｔ
（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃ
ｏ（コバルト）及びこれらを含む合金を用いることがで
きる。
【００２１】図６は図４の実施例の変形態様を示す。こ
こにおいて、ｎ電極１７０を実質的な正方形とし、ｐ電
極１９０を実質的な円形とする。図６において、図４と
同一の部材には同一の図符号を付してその説明を部分的
に省略する。図６のように素子を設計すると、図４のも
のに比べて、透光性電極の面積をより広く取れることと
なる。
こにおいて、ｎ電極１７０を実質的な正方形とし、ｐ電
極１９０を実質的な円形とする。図６において、図４と
同一の部材には同一の図符号を付してその説明を部分的
に省略する。図６のように素子を設計すると、図４のも
のに比べて、透光性電極の面積をより広く取れることと
なる。
【００２２】ｎ電極１７とｐ電極１９の形状は図示した
円形又は正方形に限定されない。ワイヤーボンディング
作業時の画像処理において、両者の種別及び位置を特定
できるものであれば、例えば、各電極の形状を三角形、
四角形（長方形、菱形、平行四辺形、台形等）、六角
形、又は八角形とすることができる。
円形又は正方形に限定されない。ワイヤーボンディング
作業時の画像処理において、両者の種別及び位置を特定
できるものであれば、例えば、各電極の形状を三角形、
四角形（長方形、菱形、平行四辺形、台形等）、六角
形、又は八角形とすることができる。
【００２３】このようにして半導体層の上にｎ電極及び
ｐ電極の形成材料を蒸着させ、熱処理をして各電極とす
る。その後、半導体ウエハを素子毎に切り分けて、所望
の発光ダイオードとする。
ｐ電極の形成材料を蒸着させ、熱処理をして各電極とす
る。その後、半導体ウエハを素子毎に切り分けて、所望
の発光ダイオードとする。
【００２４】この発光ダイオード１０は、図７に示すよ
うに、基台３１に固定され、ｎ電極１７及びｐ電極１９
に対してそれぞれワイヤー３２、３３がボンディングさ
れる。その後、モールド成形によりエポキシ樹脂でレン
ズ３４を形成する。
うに、基台３１に固定され、ｎ電極１７及びｐ電極１９
に対してそれぞれワイヤー３２、３３がボンディングさ
れる。その後、モールド成形によりエポキシ樹脂でレン
ズ３４を形成する。
【００２５】図８は実施例の発光ダイオード１０をモー
ルドしたレンズ３４の平面図である。図９は図８におけ
るＡ−Ａ線上、Ｂ−Ｂ線上、Ｃ−Ｃ線上及びＤ−Ｄ線上
の発光強度のプロファイルを示す。図９からわかるとお
り、このレンズ３４にもＨ字形状の発光面に対応した発
光強度の偏在が生じる。しかし、この発光強度の偏在及
びその偏在の方向性は検討例の素子１において現れたそ
れ（図３参照）よりも小さいものとなる。これは、実施
例の素子によれば、発光面が各電極１７、１９の両サイ
ド（図４において上下）まで回り込んでおり、もって、
素子上面において発光面がより均一に分布しているから
である。
ルドしたレンズ３４の平面図である。図９は図８におけ
るＡ−Ａ線上、Ｂ−Ｂ線上、Ｃ−Ｃ線上及びＤ−Ｄ線上
の発光強度のプロファイルを示す。図９からわかるとお
り、このレンズ３４にもＨ字形状の発光面に対応した発
光強度の偏在が生じる。しかし、この発光強度の偏在及
びその偏在の方向性は検討例の素子１において現れたそ
れ（図３参照）よりも小さいものとなる。これは、実施
例の素子によれば、発光面が各電極１７、１９の両サイ
ド（図４において上下）まで回り込んでおり、もって、
素子上面において発光面がより均一に分布しているから
である。
【００２６】また、平面から視たとき素子の外郭を長方
形とすることにより、正方形であるものに比べ、ｎ電極
とｐ電極との間隔を広くすることができる。これによ
り、ボンディング作業を容易にできる。
形とすることにより、正方形であるものに比べ、ｎ電極
とｐ電極との間隔を広くすることができる。これによ
り、ボンディング作業を容易にできる。
【００２７】この発明は上記発明の実施の形態及び実施
例の記載に何ら限定されるものではなく、特許請求の範
囲を逸脱しない範囲で当業者が想到し得る種々の変形態
様を包含する。例えば、ＧａＡｓ系半導体を利用すれ
ば、透光性電極を廃止できる。
例の記載に何ら限定されるものではなく、特許請求の範
囲を逸脱しない範囲で当業者が想到し得る種々の変形態
様を包含する。例えば、ＧａＡｓ系半導体を利用すれ
ば、透光性電極を廃止できる。
【図１】図１は検討例の発光素子の平面図である。
【図２】図２は検討例の発光素子がモールドされたレン
ズの発光状態を示す平面図である。
ズの発光状態を示す平面図である。
【図３】図３は検討例の発光素子の発光強度のプロファ
イルを示す図である。
イルを示す図である。
【図４】図４はこの発明の実施例の発光ダイオードの平
面図である。
面図である。
【図５】図５は同断面図（図４におけるＶ−Ｖ線で示
す）である。
す）である。
【図６】図６はこの発明の変形態様の発光ダイオードの
平面図である。
平面図である。
【図７】図７はレンズにモールドされた実施例の発光ダ
イオードの状態を示す断面図である。
イオードの状態を示す断面図である。
【図８】図８は実施例の発光ダイオードがモールドされ
たレンズの発光状態を示す平面図である。
たレンズの発光状態を示す平面図である。
【図９】図９は実施例の発光ダイオードの発光強度のプ
ロファイルを示す図である。
ロファイルを示す図である。
１、１０ 発光素子 ２、１８ 発光面 ３、１７、１７０ ｎ電極 ４、１９、１９０ ｐ電極 １１ 基板 １２ バッファ層 １３ ｎ型の半導体層 １４ 発光層 １５ ｐ型の半導体層 １８ 透光性電極
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型の第１の半導体層上にｎ電極が接続
され、ｐ型の第２の半導体層上にｐ電極が接続され、か
つ前記ｎ電極とｐ電極は同一面側に形成される発光素子
において、 発光面が略Ｈ字形状であり、このＨ字の窪みの部分の一
方に前記ｎ電極が配置され、他方に前記ｐ電極が配置さ
れる、 ことを特徴とする発光素子。 - 【請求項２】 前記発光素子の外郭が実質的に平面視で
長方形であることを特徴とする請求項１に記載の発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35215696A JP3602929B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | ３族窒化物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35215696A JP3602929B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | ３族窒化物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10173230A true JPH10173230A (ja) | 1998-06-26 |
| JP3602929B2 JP3602929B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=18422168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35215696A Expired - Fee Related JP3602929B2 (ja) | 1996-12-11 | 1996-12-11 | ３族窒化物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3602929B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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