JP2011124275A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光層の第1の側面から一方の電極側に向かう光が低減され、光取り出し効率が高められた発光装置を提供する。
【解決手段】第1導電型層と、前記第1導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電型層と、がこの順に積層され、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)からなる積層体と、前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第1導電型層の上に設けられた第1導電型電極と、前記第2導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第2導電型パッド電極と、を備え、前記第2導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、上方からみて前記第1導電型電極の中心と前記第2導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って30μm以上であることを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図1
【解決手段】第1導電型層と、前記第1導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電型層と、がこの順に積層され、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)からなる積層体と、前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第1導電型層の上に設けられた第1導電型電極と、前記第2導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第2導電型パッド電極と、を備え、前記第2導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、上方からみて前記第1導電型電極の中心と前記第2導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って30μm以上であることを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図1
Description
本発明は、発光装置に関する。
可視光を放出する発光素子においてチップ上面に透光性電極を設けると、発光層に対して平行となる透光性電極内を略水平方向に電流を拡散しつつ光を遮ることなくチップ上方で取り出すことができる。
青色光を放出する発光素子の場合、発光層を含み窒化物系半導体からなる積層体を結晶成長する基板としてサファイヤのような絶縁基板を用いると、量産性を高めることができる。この構造では、電流は積層体の水平方向及び垂直方向に広がって流れる。この場合、上側の電極と、下側の電極と、の間に段差を設け電気的接続を行うことが多い。
特許文献1では、透光性電極を備え、発光の均一性を改善し、順方向電圧Vfを低減可能な窒化物半導体発光素子が開示されている。この例では、透光性電極の面上に形成されたp側パッド電極が所定の位置関係を充足するよう配置されている。
発光層の第1の側面から一方の電極側に向かう光が低減され、光取り出し効率が高められた発光装置を提供する。
本発明の一態様によれば、第1導電型層と、前記第1導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電型層と、がこの順に積層され、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)からなる積層体と、前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第1導電型層上に設けられた第1導電型電極と、前記第2導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第2導電型パッド電極と、を備え、前記第2導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、上方からみて前記第1導電型電極の中心と前記第2導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って30μm以上であることを特徴とする発光装置が提供される。
発光層の第1の側面から一方の電極側に向かう光が低減され、光取り出し効率が高められた発光装置が提供される。
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図1(a)は、第1の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、である。本発光装置は、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)なる組成式で表される窒化物系半導体からなり、紫外〜緑色光波長範囲の光を放出可能とする。
図1(a)は、第1の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図1(b)はA−A線に沿った模式断面図、である。本発光装置は、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)なる組成式で表される窒化物系半導体からなり、紫外〜緑色光波長範囲の光を放出可能とする。
本実施形態にかかる発光装置は、サファイヤのような透光性及び絶縁性を有する基板10と、基板10の上に設けられた積層体30と、n側(第1導電型)電極32と、積層体30の上に設けられた透光性電極34と、透光性電極34の上に設けられたp側(第2導電型)パッド電極36と、を有している。
積層体30は、クラッド層として作用するn(第1導電)型層12、発光層14、及びp(第2導電)型層22、がこの順序で積層された構造とする。p型層22は、発光層14の側から、オーバーフロー防止層16、p型クラッド層18、及びp型コンタクト層20、を有している。このような積層体30は、例えばMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法やMBE(Molecular Beam Epitaxy)法を用いて形成することができる。
例えばn型層12はGaNからなり、厚さを2.0μmとする。発光層14は、In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95Nからなる多重量子井戸(MQW:Multiple Quatum Well)構造とする。また、井戸層厚さは2.5nm、障壁層厚さは10nm、とし、井戸数は8つ、などとする。オーバーフロー防止層16はp型Al0.15Ga0.85Nからなり、その厚さは10nmなどとする。p型クラッド層18はGaNからなり、その厚さは40nmなどとする。また、例えば、p型コンタクト層20はGaNからなり、その厚さは5nmとする。
なお、MQWの組成は上記の構造に限定されず、InxGayAl1−x−yN(0<x≦1、0<y≦1、x+y≦1)からなる井戸層、及びInzGawAl1−z−wN(0≦z≦1、0<w≦1、z+w≦1)からなる障壁層、を含んでよい。MQW構造とすることにより、キャリアを井戸層内に有効に閉じ込め、発光効率を高めることが容易となる。
基板10の上に結晶成長された積層体30は、表面側からエッチング法などを用いて段差分が除去され、深さがSでありかつ平坦なn型層12の面が露出する。段差の底面に露出したn型層12の上にはn側電極32が設けられる。また、ドライエッチング法を用いると、積層体30の段差の側面30aを垂直に近くすることができる。側面30a(第1の側面)はn側電極32側に向かって形成されている。
また、本図において、p側パッド電極36の中心Op(または重心)とn側電極32の中心On(または重心)とを結ぶA−A線上において、p側パッド電極36側のチップの側面を原点とした水平方向位置をX(μm)で表すものとする。p型層22の上面において水平方向位置XがMからNの間に、透光性電極34が設けられる。水平方向位置Xが透光性電極34の一方の端部(位置N)から段差の側面30aの位置であるEの間の領域は、電極非形成領域22aとしその長さをDで表す。また、透光性電極34よりも小さいp型パッド電極36が他方の端部(位置M)側に設けられる。透光性電極34は、例えば酸化インジウム錫(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化錫(Sn2O)などとすることができる。このうちITOを用いると、シート抵抗をより低減できるので好ましい。
本実施形態において、p側パッド電極36から注入されたホールは、透光性電極34内で水平方向に広がり、p型コンタクト層20、p型クラッド層18、及びオーバーフロー防止層16を縦方向に流れる電流Jtrhとなる。電流Jtrhが水平面内において均一な電流密度で流れるには、図1(a)のように発光層14をA−A線の方向に長い長方形とすることが好ましい。例えば、長辺の長さLを500μm、短辺の長さWを180μm、p側パッド電極36及びn側電極32の円直径を80μmなどとする。もちろん、電極形状は円形に限定されず、矩形、楕円形などであってもよい。また、積層体30の端部がn側電極32を3方向から囲むようにすると発光層14内の電流分布を端部近傍において、より均一にすることができる。
本実施形態では、透光性電極34の一方の端部と積層体30の段差の側面30aとの間の領域(N<X<E)は透光性電極34が設けられない電極非形成領域22aとする。上方からみて、A−A線に沿った電極非形成領域22aの長さはDで表す。
電極非形成領域22aの上面には、屈折率が2.5〜2.7の間となる窒化物系半導体からなるp型層22が露出している。p型層22の屈折率と空気層との間の屈折率を有する誘電体膜38により電極非形成領域22aの上面を覆うと、光取り出し効率を高めることができる。誘電体膜38として、屈折率が略1.5であるシリコン酸化膜(SiO2)や屈折率が1.9〜2.1の間であるシリコン窒化膜(Si3N4)などを用いることができる。例えば、p型層22の屈折率を2.6、誘電体膜38の屈折率を2.0、とする。屈折率の異なる界面における光の反射及び透過は、フレネル方程式に従う。入射角が著しく大きくないとし、フレネル方程式において入射角をゼロとする。この場合、屈折率n1の媒質から屈折率n2の媒質ヘのパワー透過係数Tは、その偏光方向に依存せず、式(1)で近似することができる。
T=4×n1×n2/(n1+n2)2 式(1)
屈折率が2.6のp型層22から屈折率が1の空気層へ出射する場合のパワー透過率は、式(1)より略80%となる。他方、p型層22から屈折率が2.0の誘電体層38へ出射する場合のパワー透過率Tは略98%である。また、誘電体層38から空気層へ出射する場合のパワー透過率Tは略89%となる。すなわち、誘電体層38を電極非形成領域22aの上面に設けると、全体のパワー透過率は2つのパワー透過率の積として略87%と近似でき、上方での光取り出し効率が高められる。また、ITOの屈折率は2.0〜2.2の範囲であり、誘電体膜38の屈折率との差は小さい。このために空気層など外部へ出射する場合の屈折方向を揃え、指向特性の変化を低減することが容易となる。
図2(a)は光強度分布、図2(b)は光出力、をシミュレーションによりそれぞれ求めたグラフ図である。
図2(a)において、縦軸は発光層14における相対光強度、横軸は水平方向位置X(μm)、である。本図において、長さDは、0、10、20、30、40、50、及び60μmとしている。積層体30の段差の側面30aの水平方向位置Xは、Eで表す420μm近傍にある。また、p側パッド電極36の一方の端部の水平方向位置Xは、Pで表す110μm近傍にある。なお、透光性電極34はITOからなり、その抵抗率を3×10−4Ω・cm、その厚さTを0.25μm、とする。なお、チップの周囲は空気層であるものとした。
図2(a)において、縦軸は発光層14における相対光強度、横軸は水平方向位置X(μm)、である。本図において、長さDは、0、10、20、30、40、50、及び60μmとしている。積層体30の段差の側面30aの水平方向位置Xは、Eで表す420μm近傍にある。また、p側パッド電極36の一方の端部の水平方向位置Xは、Pで表す110μm近傍にある。なお、透光性電極34はITOからなり、その抵抗率を3×10−4Ω・cm、その厚さTを0.25μm、とする。なお、チップの周囲は空気層であるものとした。
長さDがゼロである場合は、上方からみて透光性電極34の一方の端部が段差の側面30aと略一致していることを表す。このとき光強度は、位置Eで最大となる。すなわち、p側パッド電極36から注入されたホールは、n側電極32に向かって透光性電極34内を水平方向に流れ、さらに積層体30の段差の側面30aに沿って下方に流れる電流Jtrhとなり、発光層14に流れ込む。他方、n側電極32から注入された電子はn型層12を流れる電流Jtreとなる。発光層14内でホールと電子とが再結合し光を放出する。このようにして、側面30aに露出した発光層14の近傍において、光強度が最大となる。
他方、p側パッド電極36から、透光性電極34及び積層体30に対して略垂直方向に注入されたホールは電流Jpahとなり発光層14へ流れ込む。他方、n側電極32から注入された電子はn型層12を通る電流Jpaeとなり、発光層14へ流れ込む。発光層14内でホールと電子とが再結合し光を放出し、位置P近傍において光強度のサブピークを生じる。この場合、上方に設けられたp側パッド電極36のために、放出光の一部が遮光され上方から取り出し可能な光は低減される。
窒化ガリウム系材料において、ホール濃度を高くするには限界があり、通常ホール電流は電子電流よりも低い。オーバーフロー防止層16は、ホールのキャリア濃度が高く伝導帯側ヘテロ障壁が高いために、電子を発光層14内に有効に閉じ込めることができる。このために、発光再結合に寄与しない電子電流を低減する。すなわち、ホールによる電流と電子による電流との和はp側パッド電極36とn側電極32との間の経路で一定とできる。また、オーバーホール防止層16により、p側パッド電極36側では主としてホール電流、n側電極32側では主として電子電流、が流れるようにできる。本実施形態では、第1導電型をn型、第2導電型をp型、としたがそれぞれ反対導電型としてもよい。
図2(a)に表すシミュレーション結果より、光強度のピーク位置は透光性電極34の一方の端部の下方領域14aとなることが判明した。また、光強度のピーク値は、長さDが長くなるに従い低下することが判明した。長さDが20μm以下の場合、側面となる位置Eにおける光強度はピーク値の73%以上と高くチップから側方へ放出される光Gsが増大し上方で取り出し可能な光Guの強度が低下する。このために上方に向けての指向特性がA−A線に沿った断面内で左右非対称となりやすい。
これに対して長さDが30μm以上の場合、側面30aにおける光強度はピーク値の60%以下とすることができ、側方へ放出される光Gsを低減し上方から取り出し可能な光Guの強度を高めることができる。
図2(b)は、動作電圧、動作電流、発光効率、などから算出した光出力を表す。長さDが変化し、電流経路及び光強度ピーク位置及びピーク値が変化しても光出力の変化は少ないことが判明した。本実施形態では、長さDを30μm以上と設定することにより、上方での光取り出し効率を高め、A−A線に沿った断面において左右対称の指向特性とすることが容易となる。
図3は、ITOの抵抗率を3×10−4Ω・cmとし、その厚さTを0.1μmとした場合の光強度分布を表すグラフ図である。
透光性電極34の厚さTが小さく、その内部を水平方向に電流が流れにくくなる。透光性電極34の一方の端部近傍から縦方向に流れ発光層14での再結合に寄与可能な電流は、ITOの厚さTが0.25μmの場合(図2)の電流よりも低下する。このために光強度が低下する。しかしこの場合であっても、長さDを30μm以上とすると、側面30aにおける光強度を側面30aにおける光強度の60%以下とでき、上方での光取り出し効率を高めることができる。
透光性電極34の厚さTが小さく、その内部を水平方向に電流が流れにくくなる。透光性電極34の一方の端部近傍から縦方向に流れ発光層14での再結合に寄与可能な電流は、ITOの厚さTが0.25μmの場合(図2)の電流よりも低下する。このために光強度が低下する。しかしこの場合であっても、長さDを30μm以上とすると、側面30aにおける光強度を側面30aにおける光強度の60%以下とでき、上方での光取り出し効率を高めることができる。
図4は、ITOの抵抗率を3×10−4Ω・cmとし、その厚さを0.5μmとした場合の光強度分布を表すグラフ図である。
透光性電極34の厚さTが大きく、図2及び図3の場合よりも電流が流れやすくなる。透光性電極34の一方の端部近傍から縦方向に流れ再結合に寄与可能な電流は、ITOの厚さTが0.25μmの場合(図2)の電流よりも増加する。また、長さDを30μm以上とすると、側面30aにおける光強度を光強度ピーク値の56%以下とでき、上方での光取り出し効率を高めることができる。なお、チップを封止樹脂層で覆うと、屈折率の差が小さくなるので側面30aにおける光強度が高まるので、長さDをより大きくし側方への放出光Gsを低減することが好ましい。
透光性電極34の厚さTが大きく、図2及び図3の場合よりも電流が流れやすくなる。透光性電極34の一方の端部近傍から縦方向に流れ再結合に寄与可能な電流は、ITOの厚さTが0.25μmの場合(図2)の電流よりも増加する。また、長さDを30μm以上とすると、側面30aにおける光強度を光強度ピーク値の56%以下とでき、上方での光取り出し効率を高めることができる。なお、チップを封止樹脂層で覆うと、屈折率の差が小さくなるので側面30aにおける光強度が高まるので、長さDをより大きくし側方への放出光Gsを低減することが好ましい。
図5(a)は比較例にかかる発光装置の模式平面図、図5(b)はB−B線に沿った模式断面図、図5(c)はその光強度分布を表すグラフ図、である。基板110の上に積層体130が形成される。積層体130は、n型層112、発光層114、p型層122、がこの順序に積層された構造とする。p型層122は、オーバーフロー防止層116、p型クラッド層118、及びp型コンタクト層120を有している。
積層体130に設けられた段差の底面に露出したn型層112上にn側電極132が設けられる。他方、p型コンタクト層120層の上において、水平方向位置XがMMからEEの間の領域に、ITOからなる透光性電極134が形成される。また、透光性電極134の上にp側パッド電極136が形成される。p側パッド電極136から注入され、透光性電極134内を水平方向に向かった電流は、n側電極132に近い段差の側面130aに沿って縦方向に流れる。このために、側面130aの近傍で光強度が最大となり、側方へ向かう光Gssが増大し、上方における光取り出し効率が低下する。
光強度が最大となる近傍にn側電極132やボンディングワイヤ133が設けられるために、放出光Gssが散乱され有効に上方で取り出されないと共に、指向特性に乱れを生じるので好ましくない。
抵抗率3×10−4Ω・cmのITO厚さが0.1μmの場合、抵抗率をその厚さで除したシート抵抗は30Ωとなりその相対光強度は位置PP近傍の光強度に近くなる。ITO厚さが0.25μmの場合、シート抵抗は12Ωとなりその光強度ピーク値は0.1μmの場合の光強度ピーク値の略1.8倍、ITO厚さが0.5μmの場合シート抵抗は6Ωとなりその光強度ピーク値は0.1μmの場合の光強度ピーク値の略3.6倍、と高めることができる。すなわち、ITOが厚くなるとシート抵抗が低下するので、位置PPとEEとの間でp型層122へ流れる電流の割合が低下する。他方、p側パッド電極136の下方ではITOに対して垂直方向に流れる電流はITOの厚さに対して変化が小さく、光強度の変化が小さい。
以上のように、本発明者らは、窒化物系半導体からなる発光装置において長さDを30μm以上とすると側方への放出光Gsを低減できることを見出した。この下限の長さ30μmは、透光性電極34の厚さTやシート抵抗に対する依存性は小さく、窒化物系半導体が有する2.5〜2.7の範囲の屈折率と外部の屈折率との相対関係により主に決定されている。
図6は、ITOによる光吸収を表すグラフ図である。
縦軸は吸収割合(%)、横軸はITO厚さT(μm)、を表す。ITOの厚さTの増加とともに吸収割合が増加する。例えば、厚さTが0.1μmでは吸収割合が略5%であるのに対して、厚さTが0.25μmでは吸収割合が略13%と増加する。また、厚さTが0.5μmとすると、吸収割合が略24%とさらに増加する。すなわち、ITO厚さTを大きくすると光強度のピーク値を高めることが容易であるが、光吸収割合も増加し光取り出し効率は低下する。
縦軸は吸収割合(%)、横軸はITO厚さT(μm)、を表す。ITOの厚さTの増加とともに吸収割合が増加する。例えば、厚さTが0.1μmでは吸収割合が略5%であるのに対して、厚さTが0.25μmでは吸収割合が略13%と増加する。また、厚さTが0.5μmとすると、吸収割合が略24%とさらに増加する。すなわち、ITO厚さTを大きくすると光強度のピーク値を高めることが容易であるが、光吸収割合も増加し光取り出し効率は低下する。
図7(a)はMQW構造における光出力特性、図7(b)はその光強度分布、を表すグラフ図である。なお、長さDは50μmとする。
図7(a)において、縦軸は光出力(mW)、横軸は電流(mA)、である。MQW構造の井戸数を4、6、8、及び10、とする場合、電流が15mA近傍までは光出力の差が小さい。電流が30mA近傍まで増加すると、井戸数が多いほど光出力が増加する。また、図7(b)において、縦軸は相対光強度、横軸は水平方向位置X(μm)、である。井戸数が増加すると光強度のピーク値が少し増加するが、ピーク位置及び光強度分布の変化は小さい。すなわち、光強度分布は、MQW構造に対する依存性が小さいことが判明した。
図7(a)において、縦軸は光出力(mW)、横軸は電流(mA)、である。MQW構造の井戸数を4、6、8、及び10、とする場合、電流が15mA近傍までは光出力の差が小さい。電流が30mA近傍まで増加すると、井戸数が多いほど光出力が増加する。また、図7(b)において、縦軸は相対光強度、横軸は水平方向位置X(μm)、である。井戸数が増加すると光強度のピーク値が少し増加するが、ピーク位置及び光強度分布の変化は小さい。すなわち、光強度分布は、MQW構造に対する依存性が小さいことが判明した。
図8(a)は第2の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図8(b)はA−A線に沿った模式断面図、である。
透光性電極34の一方の端部は、上方からみて、n側電極32に向かって凸形状とする。このようにすると、透光性電極34の凸部とA−A線が交差する下方領域14aの光強度をより高くできる。このために、A−A線に平行な積層体30の側面30b、30cからの放出光を低減できる。
透光性電極34の一方の端部は、上方からみて、n側電極32に向かって凸形状とする。このようにすると、透光性電極34の凸部とA−A線が交差する下方領域14aの光強度をより高くできる。このために、A−A線に平行な積層体30の側面30b、30cからの放出光を低減できる。
図9(a)は第3の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図9(b)はA−A線に沿った模式断面図、図9(c)は側面図、である。
A−A線に平行な積層体30の側面30d、30eからの放出光GLはn側電極32やボンディングワイヤにより散乱されることはなく、図9(c)のC−C線に関して略左右対称に放出される。透光性電極34を介して直接上方に取り出すことは困難であっても、例えばパッケージに設けられたリフレクタなどにより放出光GLを上方に向かって反射し、光取り出し効率を高めることができる。
A−A線に平行な積層体30の側面30d、30eからの放出光GLはn側電極32やボンディングワイヤにより散乱されることはなく、図9(c)のC−C線に関して略左右対称に放出される。透光性電極34を介して直接上方に取り出すことは困難であっても、例えばパッケージに設けられたリフレクタなどにより放出光GLを上方に向かって反射し、光取り出し効率を高めることができる。
この場合、図9(a)のように、上方からみて、透光性電極34の一方の端部がn側電極32に向かって凹形状となるようにすると、n側電極32側の側方への出射を抑制しつつ、側面30d、30eからの放出光GLまたは上方への放出光Guを高めることができる。また側面30d、30eに粗面化工程を用いて微小凹凸を形成すると、側面30d、30eにおいて全反射が低減され光取り出し効率をさらに高めることができる。
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明を構成する積層体、発光層、p型層、p側パッド電極、透光性電極、n側電極、誘電体膜、などの材質、形状、サイズ、配置、などに関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
12 n型層、14 発光層、22 p型層、22a 電極非形成領域、30 積層体、30a 側面、32 n側電極、34 透光性電極、36 p側パッド電極、38 誘電体膜、Op p側パッド電極中心、On n側電極中心
Claims (5)
- 第1導電型層と、前記第1導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第2導電型層と、がこの順に積層され、InxGayAl1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)からなる積層体と、
前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第1導電型層上に設けられた第1導電型電極と、前記第2導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、
前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第2導電型パッド電極と、
を備え、
前記第2導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、
上方からみて前記第1導電型電極の中心と前記第2導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って30μm以上であることを特徴とする発光装置。 - 前記第1導電型電極の前記中心と前記第2導電型パッド電極の前記中心とを結ぶ前記線上における前記発光層の長さは、前記発光層の主面と平行かつ前記線と直交する方向の前記発光層の長さよりも大きいことを特徴とする請求項1記載の発光装置。
- 前記透光性電極は、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、及び酸化錫の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項1または2に記載の発光装置。
- 前記電極非形成領域を覆うように設けられた誘電体膜をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記発光層は、InxGayAl1−x−yN(0<x≦1、0<y≦1、x+y≦1)からなる井戸層、及びInzGawAl1−z−wN(0≦z≦1、0≦w≦1、z+w≦1)からなる障壁層を含む多重量子井戸を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の発光装置。
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