JP2011124275A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光層の第１の側面から一方の電極側に向かう光が低減され、光取り出し効率が高められた発光装置を提供する。
【解決手段】第１導電型層と、前記第１導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電型層と、がこの順に積層され、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる積層体と、前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第１導電型層の上に設けられた第１導電型電極と、前記第２導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第２導電型パッド電極と、を備え、前記第２導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、上方からみて前記第１導電型電極の中心と前記第２導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って３０μｍ以上であることを特徴とする発光装置が提供される。
【選択図】図１

Description

本発明は、発光装置に関する。

可視光を放出する発光素子においてチップ上面に透光性電極を設けると、発光層に対して平行となる透光性電極内を略水平方向に電流を拡散しつつ光を遮ることなくチップ上方で取り出すことができる。

青色光を放出する発光素子の場合、発光層を含み窒化物系半導体からなる積層体を結晶成長する基板としてサファイヤのような絶縁基板を用いると、量産性を高めることができる。この構造では、電流は積層体の水平方向及び垂直方向に広がって流れる。この場合、上側の電極と、下側の電極と、の間に段差を設け電気的接続を行うことが多い。

特許文献１では、透光性電極を備え、発光の均一性を改善し、順方向電圧Ｖｆを低減可能な窒化物半導体発光素子が開示されている。この例では、透光性電極の面上に形成されたｐ側パッド電極が所定の位置関係を充足するよう配置されている。

特開２００８−１０８４０号公報

発光層の第１の側面から一方の電極側に向かう光が低減され、光取り出し効率が高められた発光装置を提供する。

本発明の一態様によれば、第１導電型層と、前記第１導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電型層と、がこの順に積層され、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる積層体と、前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第１導電型層上に設けられた第１導電型電極と、前記第２導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第２導電型パッド電極と、を備え、前記第２導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、上方からみて前記第１導電型電極の中心と前記第２導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って３０μｍ以上であることを特徴とする発光装置が提供される。

発光層の第１の側面から一方の電極側に向かう光が低減され、光取り出し効率が高められた発光装置が提供される。

第１の実施形態にかかる発光装置の模式図 発光特性を表すグラフ図 光強度分布を表すグラフ図 光強度分布を表すグラフ図 比較例にかかる発光装置の模式図 ＩＴＯの吸収特性を表すグラフ図 ＭＱＷ構造における発光特性を表すグラフ図 第２の実施形態にかかる発光装置の模式図 第３の実施形態にかかる発光装置の模式図

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
図１（ａ）は、第１の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。本発光装置は、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）なる組成式で表される窒化物系半導体からなり、紫外〜緑色光波長範囲の光を放出可能とする。

本実施形態にかかる発光装置は、サファイヤのような透光性及び絶縁性を有する基板１０と、基板１０の上に設けられた積層体３０と、ｎ側（第１導電型）電極３２と、積層体３０の上に設けられた透光性電極３４と、透光性電極３４の上に設けられたｐ側（第２導電型）パッド電極３６と、を有している。

積層体３０は、クラッド層として作用するｎ（第１導電）型層１２、発光層１４、及びｐ（第２導電）型層２２、がこの順序で積層された構造とする。ｐ型層２２は、発光層１４の側から、オーバーフロー防止層１６、ｐ型クラッド層１８、及びｐ型コンタクト層２０、を有している。このような積層体３０は、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法やＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy)法を用いて形成することができる。

例えばｎ型層１２はＧａＮからなり、厚さを２．０μｍとする。発光層１４は、Ｉｎ_０．２Ｇａ_０．８Ｎ／Ｉｎ_０．０５Ｇａ_０．９５Ｎからなる多重量子井戸（ＭＱＷ：Multiple Quatum Well)構造とする。また、井戸層厚さは２．５ｎｍ、障壁層厚さは１０ｎｍ、とし、井戸数は８つ、などとする。オーバーフロー防止層１６はｐ型Ａｌ_０．１５Ｇａ_０．８５Ｎからなり、その厚さは１０ｎｍなどとする。ｐ型クラッド層１８はＧａＮからなり、その厚さは４０ｎｍなどとする。また、例えば、ｐ型コンタクト層２０はＧａＮからなり、その厚さは５ｎｍとする。

なお、ＭＱＷの組成は上記の構造に限定されず、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる井戸層、及びＩｎ_ｚＧａ_ｗＡｌ_{１−ｚ−ｗ}Ｎ（０≦ｚ≦１、０＜ｗ≦１、ｚ＋ｗ≦１）からなる障壁層、を含んでよい。ＭＱＷ構造とすることにより、キャリアを井戸層内に有効に閉じ込め、発光効率を高めることが容易となる。

基板１０の上に結晶成長された積層体３０は、表面側からエッチング法などを用いて段差分が除去され、深さがＳでありかつ平坦なｎ型層１２の面が露出する。段差の底面に露出したｎ型層１２の上にはｎ側電極３２が設けられる。また、ドライエッチング法を用いると、積層体３０の段差の側面３０ａを垂直に近くすることができる。側面３０ａ（第１の側面）はｎ側電極３２側に向かって形成されている。

また、本図において、ｐ側パッド電極３６の中心Ｏｐ（または重心）とｎ側電極３２の中心Ｏｎ（または重心）とを結ぶＡ−Ａ線上において、ｐ側パッド電極３６側のチップの側面を原点とした水平方向位置をＸ（μｍ）で表すものとする。ｐ型層２２の上面において水平方向位置ＸがＭからＮの間に、透光性電極３４が設けられる。水平方向位置Ｘが透光性電極３４の一方の端部（位置Ｎ）から段差の側面３０ａの位置であるＥの間の領域は、電極非形成領域２２ａとしその長さをＤで表す。また、透光性電極３４よりも小さいｐ型パッド電極３６が他方の端部（位置Ｍ）側に設けられる。透光性電極３４は、例えば酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化錫（Ｓｎ_２Ｏ）などとすることができる。このうちＩＴＯを用いると、シート抵抗をより低減できるので好ましい。

本実施形態において、ｐ側パッド電極３６から注入されたホールは、透光性電極３４内で水平方向に広がり、ｐ型コンタクト層２０、ｐ型クラッド層１８、及びオーバーフロー防止層１６を縦方向に流れる電流Ｊｔｒｈとなる。電流Ｊｔｒｈが水平面内において均一な電流密度で流れるには、図１（ａ）のように発光層１４をＡ−Ａ線の方向に長い長方形とすることが好ましい。例えば、長辺の長さＬを５００μｍ、短辺の長さＷを１８０μｍ、ｐ側パッド電極３６及びｎ側電極３２の円直径を８０μｍなどとする。もちろん、電極形状は円形に限定されず、矩形、楕円形などであってもよい。また、積層体３０の端部がｎ側電極３２を３方向から囲むようにすると発光層１４内の電流分布を端部近傍において、より均一にすることができる。

本実施形態では、透光性電極３４の一方の端部と積層体３０の段差の側面３０ａとの間の領域（Ｎ＜Ｘ＜Ｅ）は透光性電極３４が設けられない電極非形成領域２２ａとする。上方からみて、Ａ−Ａ線に沿った電極非形成領域２２ａの長さはＤで表す。

電極非形成領域２２ａの上面には、屈折率が２．５〜２．７の間となる窒化物系半導体からなるｐ型層２２が露出している。ｐ型層２２の屈折率と空気層との間の屈折率を有する誘電体膜３８により電極非形成領域２２ａの上面を覆うと、光取り出し効率を高めることができる。誘電体膜３８として、屈折率が略１．５であるシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）や屈折率が１．９〜２．１の間であるシリコン窒化膜（Ｓｉ_３Ｎ_４）などを用いることができる。例えば、ｐ型層２２の屈折率を２．６、誘電体膜３８の屈折率を２．０、とする。屈折率の異なる界面における光の反射及び透過は、フレネル方程式に従う。入射角が著しく大きくないとし、フレネル方程式において入射角をゼロとする。この場合、屈折率ｎ１の媒質から屈折率ｎ２の媒質ヘのパワー透過係数Ｔは、その偏光方向に依存せず、式（１）で近似することができる。

Ｔ＝４×ｎ１×ｎ２／（ｎ１＋ｎ２）^２ 式（１）

屈折率が２．６のｐ型層２２から屈折率が１の空気層へ出射する場合のパワー透過率は、式（１）より略８０％となる。他方、ｐ型層２２から屈折率が２．０の誘電体層３８へ出射する場合のパワー透過率Ｔは略９８％である。また、誘電体層３８から空気層へ出射する場合のパワー透過率Ｔは略８９％となる。すなわち、誘電体層３８を電極非形成領域２２ａの上面に設けると、全体のパワー透過率は２つのパワー透過率の積として略８７％と近似でき、上方での光取り出し効率が高められる。また、ＩＴＯの屈折率は２．０〜２．２の範囲であり、誘電体膜３８の屈折率との差は小さい。このために空気層など外部へ出射する場合の屈折方向を揃え、指向特性の変化を低減することが容易となる。

図２（ａ）は光強度分布、図２（ｂ）は光出力、をシミュレーションによりそれぞれ求めたグラフ図である。
図２（ａ）において、縦軸は発光層１４における相対光強度、横軸は水平方向位置Ｘ（μｍ）、である。本図において、長さＤは、０、１０、２０、３０、４０、５０、及び６０μｍとしている。積層体３０の段差の側面３０ａの水平方向位置Ｘは、Ｅで表す４２０μｍ近傍にある。また、ｐ側パッド電極３６の一方の端部の水平方向位置Ｘは、Ｐで表す１１０μｍ近傍にある。なお、透光性電極３４はＩＴＯからなり、その抵抗率を３×１０^−４Ω・ｃｍ、その厚さＴを０．２５μｍ、とする。なお、チップの周囲は空気層であるものとした。

長さＤがゼロである場合は、上方からみて透光性電極３４の一方の端部が段差の側面３０ａと略一致していることを表す。このとき光強度は、位置Ｅで最大となる。すなわち、ｐ側パッド電極３６から注入されたホールは、ｎ側電極３２に向かって透光性電極３４内を水平方向に流れ、さらに積層体３０の段差の側面３０ａに沿って下方に流れる電流Ｊｔｒｈとなり、発光層１４に流れ込む。他方、ｎ側電極３２から注入された電子はｎ型層１２を流れる電流Ｊｔｒｅとなる。発光層１４内でホールと電子とが再結合し光を放出する。このようにして、側面３０ａに露出した発光層１４の近傍において、光強度が最大となる。

他方、ｐ側パッド電極３６から、透光性電極３４及び積層体３０に対して略垂直方向に注入されたホールは電流Ｊｐａｈとなり発光層１４へ流れ込む。他方、ｎ側電極３２から注入された電子はｎ型層１２を通る電流Ｊｐａｅとなり、発光層１４へ流れ込む。発光層１４内でホールと電子とが再結合し光を放出し、位置Ｐ近傍において光強度のサブピークを生じる。この場合、上方に設けられたｐ側パッド電極３６のために、放出光の一部が遮光され上方から取り出し可能な光は低減される。

窒化ガリウム系材料において、ホール濃度を高くするには限界があり、通常ホール電流は電子電流よりも低い。オーバーフロー防止層１６は、ホールのキャリア濃度が高く伝導帯側ヘテロ障壁が高いために、電子を発光層１４内に有効に閉じ込めることができる。このために、発光再結合に寄与しない電子電流を低減する。すなわち、ホールによる電流と電子による電流との和はｐ側パッド電極３６とｎ側電極３２との間の経路で一定とできる。また、オーバーホール防止層１６により、ｐ側パッド電極３６側では主としてホール電流、ｎ側電極３２側では主として電子電流、が流れるようにできる。本実施形態では、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型、としたがそれぞれ反対導電型としてもよい。

図２（ａ）に表すシミュレーション結果より、光強度のピーク位置は透光性電極３４の一方の端部の下方領域１４ａとなることが判明した。また、光強度のピーク値は、長さＤが長くなるに従い低下することが判明した。長さＤが２０μｍ以下の場合、側面となる位置Ｅにおける光強度はピーク値の７３％以上と高くチップから側方へ放出される光Ｇｓが増大し上方で取り出し可能な光Ｇｕの強度が低下する。このために上方に向けての指向特性がＡ−Ａ線に沿った断面内で左右非対称となりやすい。

これに対して長さＤが３０μｍ以上の場合、側面３０ａにおける光強度はピーク値の６０％以下とすることができ、側方へ放出される光Ｇｓを低減し上方から取り出し可能な光Ｇｕの強度を高めることができる。

図２（ｂ）は、動作電圧、動作電流、発光効率、などから算出した光出力を表す。長さＤが変化し、電流経路及び光強度ピーク位置及びピーク値が変化しても光出力の変化は少ないことが判明した。本実施形態では、長さＤを３０μｍ以上と設定することにより、上方での光取り出し効率を高め、Ａ−Ａ線に沿った断面において左右対称の指向特性とすることが容易となる。

図３は、ＩＴＯの抵抗率を３×１０^−４Ω・ｃｍとし、その厚さＴを０．１μｍとした場合の光強度分布を表すグラフ図である。
透光性電極３４の厚さＴが小さく、その内部を水平方向に電流が流れにくくなる。透光性電極３４の一方の端部近傍から縦方向に流れ発光層１４での再結合に寄与可能な電流は、ＩＴＯの厚さＴが０．２５μｍの場合（図２）の電流よりも低下する。このために光強度が低下する。しかしこの場合であっても、長さＤを３０μｍ以上とすると、側面３０ａにおける光強度を側面３０ａにおける光強度の６０％以下とでき、上方での光取り出し効率を高めることができる。

図４は、ＩＴＯの抵抗率を３×１０^−４Ω・ｃｍとし、その厚さを０．５μｍとした場合の光強度分布を表すグラフ図である。
透光性電極３４の厚さＴが大きく、図２及び図３の場合よりも電流が流れやすくなる。透光性電極３４の一方の端部近傍から縦方向に流れ再結合に寄与可能な電流は、ＩＴＯの厚さＴが０．２５μｍの場合（図２）の電流よりも増加する。また、長さＤを３０μｍ以上とすると、側面３０ａにおける光強度を光強度ピーク値の５６％以下とでき、上方での光取り出し効率を高めることができる。なお、チップを封止樹脂層で覆うと、屈折率の差が小さくなるので側面３０ａにおける光強度が高まるので、長さＤをより大きくし側方への放出光Ｇｓを低減することが好ましい。

図５（ａ）は比較例にかかる発光装置の模式平面図、図５（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿った模式断面図、図５（ｃ）はその光強度分布を表すグラフ図、である。基板１１０の上に積層体１３０が形成される。積層体１３０は、ｎ型層１１２、発光層１１４、ｐ型層１２２、がこの順序に積層された構造とする。ｐ型層１２２は、オーバーフロー防止層１１６、ｐ型クラッド層１１８、及びｐ型コンタクト層１２０を有している。

積層体１３０に設けられた段差の底面に露出したｎ型層１１２上にｎ側電極１３２が設けられる。他方、ｐ型コンタクト層１２０層の上において、水平方向位置ＸがＭＭからＥＥの間の領域に、ＩＴＯからなる透光性電極１３４が形成される。また、透光性電極１３４の上にｐ側パッド電極１３６が形成される。ｐ側パッド電極１３６から注入され、透光性電極１３４内を水平方向に向かった電流は、ｎ側電極１３２に近い段差の側面１３０ａに沿って縦方向に流れる。このために、側面１３０ａの近傍で光強度が最大となり、側方へ向かう光Ｇｓｓが増大し、上方における光取り出し効率が低下する。

光強度が最大となる近傍にｎ側電極１３２やボンディングワイヤ１３３が設けられるために、放出光Ｇｓｓが散乱され有効に上方で取り出されないと共に、指向特性に乱れを生じるので好ましくない。

抵抗率３×１０^−４Ω・ｃｍのＩＴＯ厚さが０．１μｍの場合、抵抗率をその厚さで除したシート抵抗は３０Ωとなりその相対光強度は位置ＰＰ近傍の光強度に近くなる。ＩＴＯ厚さが０．２５μｍの場合、シート抵抗は１２Ωとなりその光強度ピーク値は０．１μｍの場合の光強度ピーク値の略１．８倍、ＩＴＯ厚さが０．５μｍの場合シート抵抗は６Ωとなりその光強度ピーク値は０．１μｍの場合の光強度ピーク値の略３．６倍、と高めることができる。すなわち、ＩＴＯが厚くなるとシート抵抗が低下するので、位置ＰＰとＥＥとの間でｐ型層１２２へ流れる電流の割合が低下する。他方、ｐ側パッド電極１３６の下方ではＩＴＯに対して垂直方向に流れる電流はＩＴＯの厚さに対して変化が小さく、光強度の変化が小さい。

以上のように、本発明者らは、窒化物系半導体からなる発光装置において長さＤを３０μｍ以上とすると側方への放出光Ｇｓを低減できることを見出した。この下限の長さ３０μｍは、透光性電極３４の厚さＴやシート抵抗に対する依存性は小さく、窒化物系半導体が有する２．５〜２．７の範囲の屈折率と外部の屈折率との相対関係により主に決定されている。

図６は、ＩＴＯによる光吸収を表すグラフ図である。
縦軸は吸収割合（％）、横軸はＩＴＯ厚さＴ（μｍ）、を表す。ＩＴＯの厚さＴの増加とともに吸収割合が増加する。例えば、厚さＴが０．１μｍでは吸収割合が略５％であるのに対して、厚さＴが０．２５μｍでは吸収割合が略１３％と増加する。また、厚さＴが０．５μｍとすると、吸収割合が略２４％とさらに増加する。すなわち、ＩＴＯ厚さＴを大きくすると光強度のピーク値を高めることが容易であるが、光吸収割合も増加し光取り出し効率は低下する。

図７（ａ）はＭＱＷ構造における光出力特性、図７（ｂ）はその光強度分布、を表すグラフ図である。なお、長さＤは５０μｍとする。
図７（ａ）において、縦軸は光出力（ｍＷ）、横軸は電流（ｍＡ）、である。ＭＱＷ構造の井戸数を４、６、８、及び１０、とする場合、電流が１５ｍＡ近傍までは光出力の差が小さい。電流が３０ｍＡ近傍まで増加すると、井戸数が多いほど光出力が増加する。また、図７（ｂ）において、縦軸は相対光強度、横軸は水平方向位置Ｘ（μｍ）、である。井戸数が増加すると光強度のピーク値が少し増加するが、ピーク位置及び光強度分布の変化は小さい。すなわち、光強度分布は、ＭＱＷ構造に対する依存性が小さいことが判明した。

図８（ａ）は第２の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図８（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、である。
透光性電極３４の一方の端部は、上方からみて、ｎ側電極３２に向かって凸形状とする。このようにすると、透光性電極３４の凸部とＡ−Ａ線が交差する下方領域１４ａの光強度をより高くできる。このために、Ａ−Ａ線に平行な積層体３０の側面３０ｂ、３０ｃからの放出光を低減できる。

図９（ａ）は第３の実施形態にかかる発光装置の模式平面図、図９（ｂ）はＡ−Ａ線に沿った模式断面図、図９（ｃ）は側面図、である。
Ａ−Ａ線に平行な積層体３０の側面３０ｄ、３０ｅからの放出光ＧＬはｎ側電極３２やボンディングワイヤにより散乱されることはなく、図９（ｃ）のＣ−Ｃ線に関して略左右対称に放出される。透光性電極３４を介して直接上方に取り出すことは困難であっても、例えばパッケージに設けられたリフレクタなどにより放出光ＧＬを上方に向かって反射し、光取り出し効率を高めることができる。

この場合、図９（ａ）のように、上方からみて、透光性電極３４の一方の端部がｎ側電極３２に向かって凹形状となるようにすると、ｎ側電極３２側の側方への出射を抑制しつつ、側面３０ｄ、３０ｅからの放出光ＧＬまたは上方への放出光Ｇｕを高めることができる。また側面３０ｄ、３０ｅに粗面化工程を用いて微小凹凸を形成すると、側面３０ｄ、３０ｅにおいて全反射が低減され光取り出し効率をさらに高めることができる。

以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明を構成する積層体、発光層、ｐ型層、ｐ側パッド電極、透光性電極、ｎ側電極、誘電体膜、などの材質、形状、サイズ、配置、などに関して当業者が設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。

１２ ｎ型層、１４ 発光層、２２ ｐ型層、２２ａ 電極非形成領域、３０ 積層体、３０ａ 側面、３２ ｎ側電極、３４ 透光性電極、３６ ｐ側パッド電極、３８ 誘電体膜、Ｏｐ ｐ側パッド電極中心、Ｏｎ ｎ側電極中心

Claims (5)

1. 第１導電型層と、前記第１導電型層の上に設けられた発光層と、前記発光層の上に設けられた第２導電型層と、がこの順に積層され、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる積層体と、
   前記積層体に設けられた段差の底面に露出した前記第１導電型層上に設けられた第１導電型電極と、前記第２導電型層の上面の一部に設けられた透光性電極と、
   前記透光性電極の上に設けられ前記透光性電極よりも小さい第２導電型パッド電極と、
   を備え、
   前記第２導電型層の前記上面の残与の一部は、電極非形成領域とされ、
   上方からみて前記第１導電型電極の中心と前記第２導電型パッド電極の中心とを結ぶ線上における前記電極非形成領域の長さは、前記段差の側面から測って３０μｍ以上であることを特徴とする発光装置。
2. 前記第１導電型電極の前記中心と前記第２導電型パッド電極の前記中心とを結ぶ前記線上における前記発光層の長さは、前記発光層の主面と平行かつ前記線と直交する方向の前記発光層の長さよりも大きいことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
3. 前記透光性電極は、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、及び酸化錫の少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記電極非形成領域を覆うように設けられた誘電体膜をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。
5. 前記発光層は、Ｉｎ_ｘＧａ_ｙＡｌ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、ｘ＋ｙ≦１）からなる井戸層、及びＩｎ_ｚＧａ_ｗＡｌ_{１−ｚ−ｗ}Ｎ（０≦ｚ≦１、０≦ｗ≦１、ｚ＋ｗ≦１）からなる障壁層を含む多重量子井戸を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。