JP2007273851A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板上に形成された1箇所のN型の拡散層ODごとに、ワード線WLまたはビット線選択線KSとの交差位置に、2つのメモリセルゲートTG、またはビット線接続ゲートSWが形成され、N型の拡散層ODの中央部付近は、2つのゲートに共通のソース/ドレイン領域とされる一方、両端部付近は、各ゲートに個別のソース/ドレイン領域とされる。ソース/ドレイン領域は、ストレージコンタクトCAを介して、メモリセルキャパシタのストレージ電極に接続され、またはサブビット線コンタクトCHおよびメタル配線のビアを介して、サブビット線、またはメインビット線に接続される。メモリセルゲートTGおよびビット線接続ゲートSWは、4つ単位で同一のパターンを繰り返すように配置される。
【選択図】図2
Description
それぞれ、セルトランジスタを含む複数のメモリセル、およびサブビット線を有する複数のサブメモリアレイと、
メインビット線と、
上記サブビット線を上記メインビット線に選択的に接続させるビット線接続トランジスタと、
を備えた半導体記憶装置であって、
上記サブメモリアレイは、サブビット線が上記メインビット線に沿って順次並ぶように配置されるとともに、
上記セルトランジスタ、およびビット線接続トランジスタが、所定数単位で同一のパターンを繰り返すように配置されていることを特徴とする。
(DRAMの回路)
まず、実施形態1のDRAMの回路について図1に基づいて説明する。
次に、上記各回路要素の半導体チップ上のレイアウトについて図2〜図7に基づいて説明する。
上記N型の拡散層ODは、メモリセルゲートTGが形成されるかビット線接続ゲートSWが形成されるかに係わらず、等ピッチの繰り返しパターンが形成されるように千鳥状に配置されている。また、ワード線WLおよびビット線選択線KSも等ピッチに配置されている。したがって、メモリセルゲートTGおよびビット線接続ゲートSWも、サブメモリアレイSM0〜SM3の内部および境界部に亘って、対称性の高い繰り返しパターン状(千鳥状)に配置される。
プレート電極PLの上層には、図5、図6に示すように、3層の金属配線層が設けられ、前記サブビット線SBL、メインビット線MBL、およびワード線裏打ち配線WL_Mとビット線選択線裏打ち配線KS_Mとは、それぞれ第1層〜第3層の金属配線層によって形成されている。サブビット線SBLとメインビット線MBLとは、図4に示すように、ワード線WLと直交する方向に延伸するとともに互いに重なり合う位置に配置されている。ワード線裏打ち配線WL_Mとビット線選択線裏打ち配線KS_Mとは、ワード線WLと同方向に延伸するように配置されている。
ビット線選択線KSは上記のように2本ずつ同一の駆動信号を伝達させるので、ビット線選択線裏打ち配線KS_Mは、各ビット線選択線KSに対応する幅に形成されるのに限らず、2本のビット線選択線KSに共通にして、図8に符号KS0_M、KS1_Mで示すように幅広く形成して、より低抵抗化を図るようにしてもよい。具体的には、上記配線幅はワード線ピッチとデザインルールで規定され、例えばワード線裏打ち配線WL_Mのおよそ2倍から3倍の配線幅に形成することができる。
実施形態2のDRAMには、図9に示すように、裏打ち配線接続領域STに隣接して、メインメモリアレイMM全体にまたがるダミービット線DBLが設けられている。上記ダミービット線DBLは、サブビット線SBLと同一の配線層に同一の配線ピッチで形成される。ここで、上記裏打ち配線接続領域STは、ワード線WL、およびビット線選択線KSと、ワード線裏打ち配線WL_Mまたはビット線選択線裏打ち配線KS_Mとが接続される領域である。
また、上記ダミービット線DBLは、例えば、図示しない更に上層の配線層によって互いに接続される。したがって、プレート電極PL00、PL10、PL20等は、ワード線WL方向にも互いに接続される。
実施形態3のDRAMについて、図11〜図13に基づいて説明する。
実施形態4のDRAMについて、図14に基づいて説明する。
図15は、本発明の実施形態5によるDRAMの一部構成を示す配線図である。
MM:メインメモリアレイ
SM:サブメモリアレイ
MBL:メインビット線対
SBL:サブビット線
WL:ワード線
KS:ビット線選択線
SW:ビット線接続ゲート
SA:センスアンプ
TG:メモリセルゲート
OD:N型の拡散層
CA:ストレージコンタクト
CH:サブビット線コンタクト
SN:ストレージ電極
PL:プレート電極
Cs:メモリセルキャパシタ
Cox:酸化膜
WD:ワード線駆動回路
KD:サブメモリアレイ選択線駆動回路
ST:ワード線裏打ち領域
DBL:ダミービット線
DWL:ダミーワード線
SWL:予備のワード線
DUM:ダミーメモリセル領域
RW:冗長メモリセル領域
V1:ビア
MCL、MCR:メモリセルアレイ
SA:センスアンプ
WL:ワード線
WD:ワード線駆動回路
RD:ロウデコーダ回路
BLL、/BLL、BLR、/BLR:ビット線
Q1、Q2、Q3、Q4:シェアドスイッチトランジスタ
Q5、Q6、Q7、Q8:プリチャージトランジスタ
PRL、PRR:プリチャージ制御信号
PD:プリチャージ制御信号駆動回路
SSL、SSR:シェアドスイッチ制御信号
SD:シェアドスイッチ制御信号駆動回路
SEN、SEP:センスアンプ制御信号
SC:センスアンプ制御回路ブロック
VBP:ビット線プリチャージ電源
G1、G2、G3、G4:ゲート電極
N1、N2、N3、N4:ソース/ドレイン電極
OX1、OX2、OX3、OX4:ゲート絶縁膜
HV1:ゲート絶縁膜形成用のフォトマスク
VT1、VT2、VT3:閾値電圧設定用のフォトマスク
LD1、LD2:ソース/ドレイン電極形成用のフォトマスク
Claims (27)
- それぞれ、セルトランジスタを含む複数のメモリセル、およびサブビット線を有する複数のサブメモリアレイと、
メインビット線と、
上記サブビット線を上記メインビット線に選択的に接続させるビット線接続トランジスタと、
を備えた半導体記憶装置であって、
上記サブメモリアレイは、サブビット線が上記メインビット線に沿って順次並ぶように配置されるとともに、
上記セルトランジスタ、およびビット線接続トランジスタが、所定数単位で同一のパターンを繰り返すように配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記メモリセルは、さらに上記セルトランジスタを介してサブビット線に接続されるキャパシタを有するとともに、
上記セルトランジスタ、およびビット線接続トランジスタは、MOSトランジスタによって構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2の半導体記憶装置であって、
上記MOSトランジスタのゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極が、シリサイド構造を有していることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2の半導体記憶装置であって、
複数組の上記メインビット線およびサブメモリアレイを備え、
各組のサブメモリアレイにおける互いに対応する各セルトランジスタ、および各ビット線接続トランジスタのゲート電極がそれぞれ接続される、上記メインビット線に交差する方向のセルトランジスタ制御信号線およびビット線接続トランジスタ制御信号線を有し、
上記セルトランジスタ、およびビット線接続トランジスタは、上記メインビット線と、セルトランジスタ制御信号線またはビット線接続トランジスタ制御信号線との交差位置に対応し、かつ千鳥状の位置に配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2の半導体記憶装置であって、
上記セルトランジスタと、ビット線接続トランジスタとは隣接して配置されるとともに、
一方のソースまたはドレイン電極と、他方のソースまたはドレイン電極とが共通に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項4の半導体記憶装置であって、
上記複数のサブメモリアレイのうち互いに隣り合う第1および第2のサブメモリアレイにおけるビット線接続トランジスタは、それぞれ、
第1および第2のサブメモリアレイの境界部で、互いに他方のサブメモリアレイのビット線接続トランジスタと隣り合う位置で、かつ、互いに線対称な位置に配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項6の半導体記憶装置であって、
上記第1および第2のサブメモリアレイのビット線接続トランジスタのうちの第1のビット線接続トランジスタは、互いに他方のサブメモリアレイの第1のビット線接続トランジスタとの間の距離が、所定の第1の距離で配置される一方、
他の第2のビット線接続トランジスタは、上記第1の距離よりも長い第2の距離で配置されるとともに、
上記第1の距離で隣接して配置されるビット線接続トランジスタのソースまたはドレイン電極が共通に形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項7の半導体記憶装置であって、
上記セルトランジスタのゲート電極が接続されるセルトランジスタ制御信号線は、セルトランジスタ裏打ち配線に複数箇所で接続され、
上記第1のビット線接続トランジスタにおける第1のビット線接続トランジスタ制御信号線、および
上記第2のビット線接続トランジスタにおける第2のビット線接続トランジスタ制御信号線は、共通のビット線接続トランジスタ裏打ち配線に複数箇所で接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項8の半導体記憶装置であって、
上記セルトランジスタ裏打ち配線と、上記ビット線接続トランジスタ裏打ち配線とは、同一の配線層に形成されるとともに、
上記セルトランジスタ裏打ち配線よりも、上記ビット線接続トランジスタ裏打ち配線の方が配線幅が広いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項8の半導体記憶装置であって、
上記セルトランジスタ制御信号線、セルトランジスタ裏打ち配線、およびビット線接続トランジスタ裏打ち配線は、上記メインビット線およびサブビット線に対して直角方向に形成されルとともに、
上記サブビット線は、第1層の金属配線により形成され、
上記メインビット線は、第1層よりも上層の第2層の金属配線により形成され、
上記セルトランジスタ裏打ち配線、およびビット線接続トランジスタ裏打ち配線は第2層よりも上層の第3層の金属配線により形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項8の半導体記憶装置であって、さらに、
CMOS回路によって構成された出力回路を有し、上記セルトランジスタ制御信号線を駆動するセルトランジスタ駆動回路と、
CMOS回路によって構成された出力回路を有し、上記ビット線接続トランジスタを駆動するビット線接続トランジスタ駆動回路とを備え、
上記ビット線接続トランジスタ駆動回路の駆動能力が、セルトランジスタ駆動回路の駆動能力の2倍以上4倍以下であることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記ビット線接続トランジスタは、他のサブメモリアレイのビット線接続トランジスタと隣り合うように配置されるとともに、
上記ビット線接続トランジスタとセルトランジスタとの間に、ダミーセルトランジスタを含み記憶機能を有しないダミーメモリセルを備え、
上記セルトランジスタ、ビット線接続トランジスタ、およびダミーセルトランジスタが、所定数単位で同一のパターンを繰り返すように配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項12の半導体記憶装置であって、
上記ダミーセルトランジスタのゲート電極が接続される、上記メインビット線に交差する方向のダミーセルトランジスタ制御信号線を備え、
上記ダミーメモリセルは、上記メモリセルが有するキャパシタにおけるプレート電極に相当するプレート電極を有するとともに、
2本分の上記ダミーセルトランジスタ制御信号線に対応する領域に配置されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項12の半導体記憶装置であって、
上記ダミーセルトランジスタは、常時オフ状態になるように制御されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記メモリセルは、さらに上記セルトランジスタを介してサブビット線に接続されるキャパシタを有するとともに、
上記キャパシタにおけるプレート電極は、上記サブメモリアレイ内で互いに接続されるとともに、他のサブメモリアレイ間では分離されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項15の半導体記憶装置であって、
さらに、記憶データの入出力に用いられないダミービット線を備え、
複数のサブメモリアレイにおける上記プレート電極が、上記ダミービット線を介して互いに接続されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項16の半導体記憶装置であって、
上記複数のサブメモリアレイにおける上記プレート電極は、それぞれ、コンタクトを介して上記ダミービット線に接続されるとともに、
上記コンタクトは、上記セルトランジスタを上記サブビット線に接続するコンタクトと同じピッチで配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項16の半導体記憶装置であって、
上記ダミービット線は、上記サブビット線よりもサブメモリアレイの外方側に配置され、
上記プレート電極における上記サブビット線の方向に沿った端部が直線状に形成されるとともに、
上記プレート電極における、上記セルトランジスタを上記サブビット線に接続するコンタクトを挿通させる開口部が、同一のパターンを繰り返すように配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
上記ビット線接続トランジスタは、上記サブメモリアレイにおける一方の端部側に配置されるとともに、
上記サブメモリアレイは、他方の端部側で他のサブメモリアレイと隣り合って配置され、
上記サブメモリアレイにおける上記他方の端部側に、記憶機能を有しないダミーメモリセルを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項19の半導体記憶装置であって、
さらに、上記セルトランジスタのゲート電極が接続される、上記メインビット線に交差する方向のセルトランジスタ制御信号線を備えるとともに、
上記ダミーメモリセルは、ダミーセルトランジスタと、ダミーキャパシタとを有し、上記セルトランジスタ制御信号線のピッチの4倍のさらに整数倍の距離の範囲に配置され、
上記セルトランジスタ、ビット線接続トランジスタ、およびダミーセルトランジスタが、所定数単位で同一のパターンを繰り返すように配置されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項20の半導体記憶装置であって、
上記セルトランジスタのソースまたはドレイン電極と、上記セルトランジスタに隣接するダミーセルトランジスタのソースまたはドレイン電極とが共通に形成されるとともに、
上記他のサブメモリアレイが備えるダミーメモリセルにおけるダミーセルトランジスタのソースまたはドレイン電極と、当該サブメモリアレイのダミーメモリセルにおけるダミーセルトランジスタのソースまたはドレイン電極とが共通に形成されることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項21の半導体記憶装置であって、
上記ダミーメモリセルの少なくとも一部が、予備のメモリセルとして使用可能に構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
複数組の上記メインビット線およびサブメモリアレイを備え、
隣り合う上記メインビット線が、互いに交差するツイスト構造を有することを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項23の半導体記憶装置であって、
上記ビット線接続トランジスタは、上記サブメモリアレイにおける一方の端部側に配置されるとともに、
上記サブメモリアレイは、他方の端部側で他のサブメモリアレイと隣り合って配置され、
上記サブメモリアレイにおける上記他方の端部側に、記憶機能を有しないダミーメモリセルを備え、
上記ツイスト構造は、上記ダミーメモリセルが設けられる領域付近で形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1の半導体記憶装置であって、
前記メインビット線の配線長が、上記メインビット線に沿って順次並ぶ上記サブビット線の配線長の合計よりも短いことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項25の半導体記憶装置であって、
上記メインビット線の延長上の領域に、上記メインビット線と同一配線層の配線パターンが形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項26の半導体記憶装置であって、
上記配線パターンが、上記メインビット線のプロチャージ電位に固定されるように構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
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