JP2005333165A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板中に選択的に形成されたソース・ドレイン領域を有するトランジスタと、
前記半導体基板を覆う層間膜と、
前記層間膜上に形成され、下部電極を有するキャパシタと、
前記層間膜中に前記トランジスタの前記ソース・ドレイン領域と前記キャパシタの下部電極とに接している金属から成るコンタクトプラグと
を有する半導体装置。
【選択図】図8
Description
2 埋め込み酸化膜
3 Pウェル
4 Nウェル
5 セルPウェル
6 ゲート電極
7 LDD領域
8 サイドウォール
9 レジスト
10 S/D領域
11 Co膜
12 CoSi2膜
13 第1層間膜
14 容量コンタクト
15 下部電極
16 上部電極
17 第2層間膜
18 コンタクト
19 ビット線コンタクト
20 第1配線(容量部のビット線を兼ねる)
Claims (14)
- 半導体基板中に選択的に形成されたソース・ドレイン領域を有するトランジスタと、
前記半導体基板を覆う層間膜と、
前記層間膜上に形成され、下部電極を有するキャパシタと、
前記層間膜中に前記トランジスタの前記ソース・ドレイン領域と前記キャパシタの下部電極とに接している金属から成るコンタクトプラグと
を有する半導体装置。 - 前記トランジスタはさらに、前記ソース・ドレイン領域上に各々形成された金属シリサイド層を有し、該金属シリサイド層は、ソース・ドレイン領域のいずれか一方と前記コンタクトプラグとの間に介在することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記キャパシタの下部電極は金属により構成されており、前記キャパシタがさらに前記下部電極上に容量絶縁膜を有し、該容量絶縁膜上に金属で形成された上部電極を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。
- 前記金属コンタクトプラグは、Ti,TiN及びWからなる群から選択される材料から形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記金属シリサイド層は、ニッケルシリサイド又はコバルトシリサイドから成ることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記キャパシタの上部及び下部電極の各々がTi,TiN及びWからなる群から選択される材料から形成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- DRAM部及びロジック部をその上に有する半導体基板と、
前記DRAM部に形成され、ソース・ドレイン領域を有する第一のトランジスタと、
ロジック部に形成され、ソース・ドレイン領域を有する第二のトランジスタと、
前記DRAM部及びロジック部の半導体基板を覆う層間膜と、
前記DRAM部において層間膜上に形成され、下部電極を有するキャパシタ、および
前記層間膜中に前記第一のトランジスタの前記ソース・ドレイン領域と前記キャパシタの下部電極とに接している金属から成るコンタクトプラグと
とを有するDRAM混載半導体装置。 - 前記第一のトランジスタは、前記ソース及びドレイン領域の各々の上に形成された第一の金属シリサイド層を有し、該第一の金属シリサイド層は、前記第一のトランジスタのソース及びドレイン領域の何れか一方と前記コンタクトプラグとの間に介在することを特徴とする請求項7に記載のDRAM混載半導体装置。
- 前記キャパシタの下部電極が金属から構成され、前記キャパシタは、前記下部電極上に形成された容量絶縁膜及び該容量絶縁膜上に形成された金属から成る上部電極とをさらに有することを特徴とする請求項8に記載のDRAM混載半導体装置。
- 前記第二のトランジスタは、前記ソース及びドレイン領域の各々の上に形成された第二の金属シリサイド層を有し、前記第一の金属シリサイド層と第二の金属シリサイド層の厚みが実質的に等しいことを特徴とする請求項9に記載のDRAM混載半導体装置。
- 前記第一のトランジスタのソース及びドレイン領域及び前記第二のトランジスタのソース及びドレイン領域は実質的に等しい不純物濃度を有することを特徴とする請求項10に記載のDRAM混載半導体装置。
- 前記金属コンタクトプラグは、Ti,TiN及びWからなる群から選択される材料から形成されていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記第一及び第二の金属シリサイド層は、ニッケルシリサイド又はコバルトシリサイドから成ることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
- 前記キャパシタの上部及び下部電極の各々がTi,TiN及びWからなる群から選択される材料から形成されていることを特徴とする請求項10に記載の半導体装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114328A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体記憶装置 |
JP2008016636A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100843717B1 (ko) | 2007-06-28 | 2008-07-04 | 삼성전자주식회사 | 플로팅 바디 소자 및 벌크 바디 소자를 갖는 반도체소자 및그 제조방법 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738104A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09153616A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH09219501A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
KR19980031930A (ko) * | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 김광호 | 메모리셀을 갖는 반도체소자의 트랜지스터 제조방법 |
JPH118361A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH1197649A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11177085A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Sony Corp | 半導体装置 |
US5981324A (en) * | 1996-10-23 | 1999-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuits having memory cell arrays and peripheral circuits therein |
JP2001196327A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002184777A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
-
2005
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0738104A (ja) * | 1993-07-22 | 1995-02-07 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH09153616A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-06-10 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH09219501A (ja) * | 1995-12-08 | 1997-08-19 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
US5981324A (en) * | 1996-10-23 | 1999-11-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of forming integrated circuits having memory cell arrays and peripheral circuits therein |
KR19980031930A (ko) * | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 김광호 | 메모리셀을 갖는 반도체소자의 트랜지스터 제조방법 |
JPH118361A (ja) * | 1997-06-18 | 1999-01-12 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH1197649A (ja) * | 1997-09-25 | 1999-04-09 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JPH11177085A (ja) * | 1997-12-08 | 1999-07-02 | Sony Corp | 半導体装置 |
JP2001196327A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2002184777A (ja) * | 2000-12-15 | 2002-06-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007114328A1 (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 半導体記憶装置 |
JP2007273851A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
US8488358B2 (en) | 2006-03-31 | 2013-07-16 | Panasonic Corporation | Semiconductor storage device |
JP2008016636A (ja) * | 2006-07-06 | 2008-01-24 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
KR100843717B1 (ko) | 2007-06-28 | 2008-07-04 | 삼성전자주식회사 | 플로팅 바디 소자 및 벌크 바디 소자를 갖는 반도체소자 및그 제조방법 |
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