JP2007214463A - 集積回路装置及び電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 複数のパッド200A,200Bを配列したパッド列220,222と、パッド列の下層に配置され、N列のパッド列の各々のパッドにそれぞれ接続された複数の静電気保護素子D1,D2とを有する。静電気保護素子DI1,DI2の各々は、N列のパッド列220,222の各1個にて構成されるN個のパッド200A,200Bの各々の少なくとも一部をそれぞれ含む領域の下層に配置されて、N個のパッド200A,200Bの一つにそれぞれ接続されている。
【選択図】 図13
Description
いことを特徴とする半導体集積回路。
図1(A)に本実施形態の比較例となる集積回路装置500を示す。図1(A)の集積回路装置500はメモリブロックMB(表示データRAM)とデータドライバブロックDBを含む。そしてメモリブロックMBとデータドライバブロックDBはD2方向に沿って配置されている。またメモリブロックMB、データドライバブロックDBは、D1方向に沿った長さがD2方向での幅に比べて長い超扁平なブロックになっている。
以上のような問題を解決できる本実施形態の集積回路装置10の構成例を図3に示す。本実施形態では、集積回路装置10の短辺である第1の辺SD1から対向する第3の辺SD3へと向かう方向を方向D1とし、D1の反対方向を方向D3としている。また集積回路装置10の長辺である第2の辺SD2から対向する第4の辺SD4へと向かう方向を方向D2とし、D2の反対方向を方向D4としている。なお、図3では集積回路装置10の左辺が第1の辺SD1で、右辺が第3の辺SD3になっているが、左辺が第3の辺SD3で、右辺が第1の辺SD1であってもよい。
図7に集積回路装置10の回路構成例を示す。なお集積回路装置10の回路構成は図7に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。メモリ20(表示データRAM)は画像データを記憶する。メモリセルアレイ22は複数のメモリセルを含み、少なくとも1フレーム(1画面)分の画像データ(表示データ)を記憶する。この場合、1画素は例えばR、G、Bの3サブピクセル(3ドット)で構成され、各サブピクセルについて例えば6ビット(kビット)の画像データが記憶される。ローアドレスデコーダ24(MPU/LCDローアドレスデコーダ)はローアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ22のワード線の選択処理を行う。カラムアドレスデコーダ26(MPUカラムアドレスデコーダ)はカラムアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ22のビット線の選択処理を行う。ライト/リード回路28(MPUライト/リード回路)はメモリセルアレイ22への画像データのライト処理や、メモリセルアレイ22からの画像データのリード処理を行う。なおメモリセルアレイ22のアクセス領域は、例えばスタートアドレスとエンドアドレスを対頂点とする矩形で定義される。即ちスタートアドレスのカラムアドレス及びローアドレスと、エンドアドレスのカラムアドレス及びローアドレスでアクセス領域が定義され、メモリアクセスが行われる。
4.1 パッドと静電気保護素子の配置の関係
本実施形態では、集積回路装置10のインターフェース領域、例えば出力側インターフェース領域12に設けられたパッドに接続される静電気保護素子を該パッドの下層に配置することで、集積回路装置10のD2方向での幅をより一層小さくできる。静電気保護素子の他にトランジスタや抵抗素子をパッドの下層に配置する場合、その配置を工夫することで、集積回路装置10のD2方向での幅Wをより一層小さくできる。
図12では、図5(B)に示す集積回路装置10のメモリMB、データドライバDB及びそのデータドライバDBの出力パッド領域PDBがマクロセル化されている。ただし、本実施形態はマクロセル化されていないものにも適用可能である。
図5(A)(B)に示す走査ドライバSB(SB1,SB2)のパッド下にも、そのパッドに接続される静電気保護素子を配置することができる。走査ドライバの場合も、出力パッド200と第1,第2の静電気保護素子DI1,DI2及び電源間保護素子208との関係は、図11の通りで、データドライバと機能回路上は共通している。ただし、走査線ドライバは高電圧出力となるので、第1の電源線204の電位は電位VDD2よりも高い高電位VDDHであり、第2の電源線206の電位は接地電位VSSよりも低い電位VEEである(図11に括弧書きで示す)。
図22(A)(B)に本実施形態の集積回路装置10を含む電子機器(電気光学装置)の例を示す。なお電子機器は図22(A)(B)に示されるもの以外の構成要素(例えばカメラ、操作部又は電源等)を含んでもよい。また本実施形態の電子機器は携帯電話機には限定されず、デジタルカメラ、PDA、電子手帳、電子辞書、プロジェクタ、リアプロジェクションテレビ、或いは携帯型情報端末などであってもよい。
本発明の実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項及び効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。したがって、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書または図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語と共に記載された用語は、明細書または図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。
Claims (15)
- N(Nは2以上の整数)列の各列が第1の方向で間隔をあけて配置され、かつ、N列の各々にて、前記第1の方向とは直交する第2の方向にて間隔をあけて複数のパッドを配列したN列のパッド列と、
前記N列のパッド列の下層に配置され、前記N列のパッド列の各々のパッドにそれぞれ接続された複数の静電気保護素子と、
を有し、
前記第1の方向で互いに近接した位置関係にある前記N列のパッド列の各1個にて構成されるN個のパッドに接続される少なくともN個の静電気保護素子は、前記N個のパッドの少なくとも一部を含む領域の下層に配置されて、前記N個のパッドに接続されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1において、
前記少なくともN個の静電気保護素子の各々は、第1の電源線と前記複数のパッドの一つとの間に接続される第1の静電気保護素子と、前記第1の電源線の電位より低い電位の第2の電源線と前記複数のパッドの一つとの間に接続される第2の静電気保護素子とを有し、
前記複数のパッドの各々は、前記第1の方向に沿った長辺と、前記第2の方向に沿った短辺とを有する略長方形状に形成され、
前記N個のパッドに接続される前記第1及び第2の静電気保護素子は、各々の不純物層の形状が、前記第1の方向よりも前記第2の方向の長さが長いことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2において、
第1列目のパッドに接続される前記第1及び第2の静電気保護素子の一方は、前記第1列目のパッドの下層に位置する領域に形成され、
前記第N列目のパッドに接続される前記第1及び第2の静電気保護素子の他方は、前記第N列目のパッドの下層に位置する領域に形成され、
前記N個の第1の静電気保護素子は前記第1の方向で隣接して配置され、
前記N個の第2の静電気保護素子は前記第1の方向で隣接して配置されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項3において、
前記N個の第1の静電気保護素子が形成される第1のウェルは、前記第2の方向に沿って形成され、前記N個の第2の静電気保護素子が形成される第2のウェルは、前記第2の方向に沿って形成され、
前記第1,第2のウェルが前記第1の方向で分離されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項3または4において、
前記N個の第2の静電気保護素子は、それぞれトリプルウェル内に配置されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項2乃至5のいずれかにおいて、
前記第1の静電気保護素子のうち、前記パッドに接続される不純物層が平面視でリング形状に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至6のいずれかにおいて、
前記第1,第2の電源線間に電源間保護素子をさらに有することを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項7において、
表示パネルに表示されるデータを記憶するRAMと、前記RAMの出力に基づいて前記表示パネルのデータ線を駆動するデータドライバとを含み、
前記データドライバの出力線に前記パッドが接続され、
前記RAMは、ビット線を保護するビット線保護配線層を有し、前記ビット線保護配線層が前記第2の電源線と前記電源間保護素子とに接続されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1において、
前記N列のパッド列の各列でM(Mは2以上の整数)個のパッドを含む(N×M)個のパッドの各々の一部又は全部を含む領域の下層に、前記(N×M)個のパッドに接続される(N×M)個の静電気保護素子が設けられていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項9において、
前記(N×M)個の静電気保護素子の各々は、第1の電源線と前記(N×M)個のパッドの一つとの間に接続される第1の静電気保護素子と、前記第1の電源線の電位より低い電位の第2の電源線と前記(N×M)個のパッドの一つとの間に接続される第2の静電気保護素子とを有し、
前記複数のパッドの各々は、前記第1の方向に沿った長辺と、前記第2の方向に沿った短辺とを有する略長方形状に形成され、
前記第1及び前記第2の静電気保護素子は、各々の不純物層の前記第2の方向での長さが、前記第2の方向でのパッドピッチよりも長いことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項10において、
前記N列のパッド列の各列の下層では、前記第1の方向に前記第1及び第2の静電気保護素子を隣接配置する組み合わせを一組としたとき、前記第2の方向に平行な軸に対して二組の前記第1及び第2の静電気保護素子がミラー配置されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項11において、
前記(N×M)個のパッドのうち、前記第2の方向にて最端部のパッドは、前記最端部のパッドの下層に位置する前記第1及び第2の静電気保護素子と接続されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項9乃至12のいずれかにおいて、
表示パネルの走査線を駆動する走査ドライバを含み、
前記パッドは前記走査ドライバの出力線に接続されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至13のいずれかにおいて、
前記N列のパッド列では、前記複数のパッドが各列にて同一ピッチで前記第2の方向に沿って配列され、
前記第1の方向で隣り合う2列の前記複数のパッドは、前記第2の方向で前記同一ピッチの半ピッチ分だけずれて位置していることを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1乃至14のいずれかに記載の半導体集積回路を有することを特徴とする電子機器。
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