JP4010336B2 - 集積回路装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、集積回路装置及び電子機器に関する。

液晶パネルなどの表示パネルを駆動する集積回路装置として表示ドライバ（ＬＣＤドライバ）がある。この表示ドライバでは、低コスト化のためにチップサイズの縮小が要求される。

しかしながら、携帯電話機などに組み込まれる表示パネルの大きさはほぼ一定である。従って、微細プロセスを採用し、表示ドライバの集積回路装置を単純にシュリンクしてチップサイズを縮小しようとすると、実装が困難になるなどの問題を招く。
特開２００１−２２２２４９号公報

本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、回路面積の縮小化を実現できる集積回路装置及びこれを含む電子機器を提供することにある。

本発明は、集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、前記第１〜第Ｎの回路ブロックのうちの隣接する回路ブロック間では、第Ｉ（Ｉは３以上の整数）の層よりも下層の配線層で形成されるローカル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として配線され、前記第１〜第Ｎの回路ブロックのうちの隣接しない回路ブロック間では、前記第Ｉの層以上の配線層で形成されるグローバル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線される集積回路装置に関係する。

本発明では、第１〜第Ｎの回路ブロックが、第１の方向に沿って配置されるため、集積回路装置の第２の方向での幅を小さくでき、スリムな細長の集積回路装置を提供できる。また本発明では、隣接する回路ブロック間では、下層の配線層で形成されるローカル線が、信号線や電源線として配線される。こうすることで、これらの隣接する回路ブロック間がショートパスで接続されるようになり、配線領域を原因とするチップ面積の増加を防止できる。一方、本発明では、隣接しない回路ブロック間では、上層の配線層で形成されるグローバル線が、信号線や電源線として、他の回路ブロック上を第１の方向に沿って配線される。従って、隣接する回路ブロック間に配線されるローカル線の配線本数が多い場合にも、これらのローカル線上に、グローバル線を配線できるようになるため、配線効率を向上できる。

また本発明では、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、データ線を駆動するための少なくとも１つのデータドライバブロックと、前記データドライバブロックを制御するロジック回路ブロックを含み、前記ロジック回路ブロックからのドライバ制御信号を前記データドライバブロックに供給するためのドライバ用グローバル線が、前記ロジック回路ブロックと前記データドライバブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されてもよい。

このようにすれば、ロジック回路ブロックとデータドライバブロックの間に他の回路ブロックが介在する場合にも、この他の回路ブロック上を通るドライバ用グローバル線を用いて、ロジック回路ブロックによりデータドライバブロックを制御できる。

また本発明では、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックを含み、前記階調電圧生成回路ブロックからの階調電圧を前記データドライバブロックに供給するための階調用グローバル線が、前記階調電圧生成回路ブロックと前記データドライバブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されてもよい。

このようにすれば、階調電圧生成回路ブロックとデータドライバブロックの間に他の回路ブロックが介在する場合にも、この他の回路ブロック上を通る階調用グローバル線を用いて、階調電圧をデータドライバブロックに供給できる。

また本発明では、前記階調電圧生成回路ブロックとロジック回路ブロックは前記第１の方向に沿って隣接して配置されてもよい。

このようにすれば、ロジック回路ブロックからの階調の調整データをショートパスで階調電圧生成回路ブロックに入力できるため、配線領域を原因とする回路面積の増加を防止できる。

また本発明では、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、画像データを記憶する少なくとも１つのメモリブロックを含み、前記ロジック回路ブロックからの少なくともライトデータ信号を前記メモリブロックに供給するためのメモリ用グローバル線が、前記ロジック回路ブロックと前記メモリブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されてもよい。

このようにすれば、ロジック回路ブロックとメモリブロックの間に他の回路ブロックが介在する場合にも、この他の回路ブロック上を通るメモリ用グローバル線を用いて、メモリブロックにライトデータ信号を供給できる。

また本発明では、前記データドライバブロックと前記メモリブロックは前記第１の方向に沿って隣接して配置されてもよい。

このようにすれば、メモリブロックとデータドライバブロックを第２の方向に沿って配置する手法に比べて、集積回路装置の第２の方向での幅を小さくでき、スリムな細長の集積回路装置を提供できる。またメモリブロックやデータドライバブロックの構成等が変わった場合に、他の回路ブロックに及ぶ影響を最小限に抑えることができる。

また本発明では、前記ロジック回路ブロックからの少なくともライトデータ信号をバッファリングして前記メモリブロックに出力するバッファを含むリピータブロックを含み、前記リピータブロックと前記メモリブロックは前記第１の方向に沿って隣接して配置されてもよい。

このようにすれば、メモリブロックへのライトデータ信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が鈍るのを低減でき、メモリブロックへの適正なデータ書き込みを実現できる。

また本発明では、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、電源電圧を生成する電源回路ブロックを含み、前記電源回路ブロックで生成された電源電圧を前記データドライバブロックに供給するための電源用グローバル線が、前記電源回路ブロックと前記データドライバブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されてもよい。

このようにすれば、電源線についてもグローバル線で配線できるため、このグローバル線で供給される電源により、データドライバブロックの内部回路を動作させることが可能になる。また電源インピーダンスの上昇を最低限に抑えることができ、安定した電源供給が可能になる。

また本発明では、前記データドライバブロックは、前記電源回路ブロックと前記ロジック回路ブロックの間に配置されてもよい。

このようにすれば、ロジック回路ブロックや電源回路ブロックの第２の方向側又はその反対方向の第４の方向側での空き領域を利用できるようになり、配線・配置効率を向上できる。

また本発明では、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロックにおいて、前記グローバル線の下層にシールド線が配線されてもよい。

このようにすれば、グローバル線からのノイズをシールド線で除去でき、グローバル線の下層の回路ブロック内の回路の誤動作を防止できる。

また本発明では、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、画像データを記憶するメモリブロックを含み、前記メモリブロックのビット線と前記グローバル線との間に前記シールド線が配線されてもよい。

このようにすれば、カップリング容量によりビット線の電圧レベルが誤って変化してしまう事態を防止できる。

また本発明は、集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、走査線を駆動するための走査ドライバブロックと、前記走査ドライバブロックを制御するロジック回路ブロックを含み、前記走査ドライバブロックの出力線である走査ドライバ用グローバル線が、前記ロジック回路ブロック上を、前記走査ドライバブロックから、前記第１のインターフェース領域に配置される走査ドライバ用パッドに対して配線され、前記ロジック回路ブロックでは、前記走査ドライバ用グローバル線の下層にシールド線が配線される集積回路装置に関係する。

本発明によれば、ロジック回路ブロックでは、走査ドライバ用グローバル線の下層にシールド線が配線されるため、グローバル線からのノイズをシールド線で除去できる。これにより、グローバル線の下層のロジック回路ブロック内の回路の誤動作等を防止できる。

また本発明は、集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、走査線を駆動するための走査ドライバブロックと、電源電圧を生成する電源回路ブロックを含み、前記走査ドライバブロックの出力線である走査ドライバ用グローバル線が、前記電源回路ブロック上を、前記走査ドライバブロックから、前記第１のインターフェース領域に配置される走査ドライバ用パッドに対して配線され、前記電源回路ブロックでは、前記走査ドライバ用グローバル線の下層にシールド線が配線される集積回路装置に関係する。

本発明によれば、電源回路ブロックでは、走査ドライバ用グローバル線の下層にシールド線が配線されるため、グローバル線からのノイズをシールド線で除去できる。これにより、グローバル線の下層の電源回路ブロック内の回路の誤動作等を防止できる。

また本発明は、集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックと、データ線を駆動するための少なくとも１つのデータドライバブロックと、前記データドライバブロックを制御するロジック回路ブロックを含み、前記ロジック回路ブロックと前記階調電圧生成回路ブロックは前記第１の方向において隣接して配置され、前記第２のインターフェース領域に配置されるロジック用パッドからの信号をバッファリングするバッファを含むバッファ回路が、前記ロジック回路ブロック及び前記階調電圧生成回路ブロックの前記第４の方向側に配置され、前記ロジック用パッドから前記バッファ回路へのグローバル線が、前記第２のインターフェース領域上を前記第１の方向に沿って配線される集積回路装置に関係する。

本発明によれば、ロジック回路ブロックと階調電圧生成回路ブロックを隣接配置することで生じる領域を利用して、バッファ回路を配置できる。そしてロジック用パッドからの多数の信号を、それほど配線領域をとることなく、バッファ回路に入力できるようになり、配線効率を向上できる。

また本発明では、前記ロジック回路ブロックは、第１の電圧レベルの電源で動作し、前記バッファ回路は、前記ロジック用パッドからの信号の電圧レベルを、前記第１の電圧レベルに変換するレベルシフタを含んでもよい。

このようにすれば、ロジック用パッドからの入力信号の電圧レベルを変換してロジック回路ブロックに入力できる。

また本発明は、上記のいずれかに記載の集積回路装置と、前記集積回路装置により駆動される表示パネルとを含む電子機器に関係する。

以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。

１．比較例
図１（Ａ）に本実施形態の比較例となる集積回路装置５００を示す。図１（Ａ）の集積回路装置５００はメモリブロックＭＢ（表示データＲＡＭ）とデータドライバブロックＤＢを含む。そしてメモリブロックＭＢとデータドライバブロックＤＢはＤ２方向に沿って配置されている。またメモリブロックＭＢ、データドライバブロックＤＢは、Ｄ１方向に沿った長さがＤ２方向での幅に比べて長い超扁平なブロックになっている。

ホスト側からの画像データはメモリブロックＭＢに書き込まれる。そしてデータドライバブロックＤＢは、メモリブロックＭＢに書き込まれたデジタルの画像データをアナログのデータ電圧に変換して、表示パネルのデータ線を駆動する。このように図１（Ａ）において画像データの信号の流れはＤ２方向である。このため、図１（Ａ）の比較例では、この信号の流れに合わせて、メモリブロックＭＢとデータドライバブロックＤＢをＤ２方向に沿って配置している。このようにすることで、入力と出力の間がショートパスになり、信号遅延を最適化でき、効率の良い信号伝達が可能になる。

ところが図１（Ａ）の比較例では以下のような課題がある。

第１に、表示ドライバなどの集積回路装置では、低コスト化のためにチップサイズの縮小が要求される。ところが、微細プロセスを採用し、集積回路装置５００を単純にシュリンクしてチップサイズを縮小すると、短辺方向のみならず長辺方向も縮小されてしまう。従って図２（Ａ）に示すように実装の困難化の問題を招く。即ち出力ピッチは、例えば２２μｍ以上であることが望ましいが、図２（Ａ）のような単純シュリンクでは例えば１７μｍピッチになってしまい、狭ピッチのために実装が困難になる。また表示パネルのガラスの額縁が広くなり、ガラスの取れ数が減少し、コスト増を招く。

第２に、表示ドライバでは、表示パネルの種類（アモルファスＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴ）や画素数（ＱＣＩＦ、ＱＶＧＡ、ＶＧＡ）や製品の仕様などに応じて、メモリやデータドライバの構成が変わる。従って図１（Ａ）の比較例では、ある製品では図１（Ｂ）のように、パッドピッチとメモリのセルピッチとデータドライバのセルピチが一致していたとしても、メモリやデータドライバの構成が変わると、図１（Ｃ）に示すようにこれらのピッチが一致しなくなる。そして図１（Ｃ）のようにピッチが一致しなくなると、回路ブロック間に、ピッチの不一致を吸収するための無駄な配線領域を形成しなければならなくなる。特にＤ１方向にブロックが扁平している図１（Ａ）の比較例では、ピッチの不一致を吸収するための無駄な配線領域が大きくなる。この結果、集積回路装置５００のＤ２方向での幅Ｗが大きくなり、チップ面積が増加し、コスト増を招く。

一方、このような事態を避けるために、パッドピッチとセルピッチが揃うようにメモリやデータドライバのレイアウトを変更すると、開発期間が長期化し、結局、コスト増を招く。即ち図１（Ａ）の比較例では、各回路ブロックの回路構成やレイアウトを個別設計し、その後にピッチ等を合わせるという作業を行うため、無駄な空き領域が生じたり、設計が非効率化するなどの問題が生じる。

２．集積回路装置の構成
以上のような問題を解決できる本実施形態の集積回路装置１０の構成例を図３に示す。本実施形態では、集積回路装置１０の短辺である第１の辺ＳＤ１から対向する第３の辺ＳＤ３へと向かう方向を第１の方向Ｄ１とし、Ｄ１の反対方向を第３の方向Ｄ３としている。また集積回路装置１０の長辺である第２の辺ＳＤ２から対向する第４の辺ＳＤ４へと向かう方向を第２の方向Ｄ２とし、Ｄ２の反対方向を第４の方向Ｄ４としている。なお、図３では集積回路装置１０の左辺が第１の辺ＳＤ１で、右辺が第３の辺ＳＤ３になっているが、左辺が第３の辺ＳＤ３で、右辺が第１の辺ＳＤ１であってもよい。

図３に示すように本実施形態の集積回路装置１０は、Ｄ１方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ（Ｎは２以上の整数）を含む。即ち、図１（Ａ）の比較例では回路ブロックがＤ２方向に並んでいるが、本実施形態では回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮがＤ１方向に並んでいる。また各回路ブロックは、図１（Ａ）の比較例のような超扁平なブロックになっておらず、比較的スクウェアなブロックになっている。

また集積回路装置１０は、第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ２方向側に辺ＳＤ４に沿って設けられる出力側Ｉ／Ｆ領域１２（広義には第１のインターフェース領域）を含む。また第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ４方向側に辺ＳＤ２に沿って設けられる入力側Ｉ／Ｆ領域１４（広義には第２のインターフェース領域）を含む。より具体的には、出力側Ｉ／Ｆ領域１２（第１のＩ／Ｏ領域）は、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ２方向側に、例えば他の回路ブロック等を介さずに配置される。また入力側Ｉ／Ｆ領域１４（第２のＩ／Ｏ領域）は、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ４方向側に、例えば他の回路ブロック等を介さずに配置される。即ち少なくともデータドライバブロックが存在する部分において、Ｄ２方向において１つの回路ブロック（データドライバブロック）だけが存在する。なお集積回路装置１０をＩＰ(Intellectual Property）コアとして用いて他の集積回路装置に組み込む場合等には、Ｉ／Ｆ領域１２、１４の少なくとも一方を設けない構成とすることもできる。

出力側（表示パネル側）Ｉ／Ｆ領域１２は、表示パネルとのインターフェースとなる領域であり、パッドや、パッドに接続される出力用トランジスタ、保護素子などの種々の素子を含む。具体的には、データ線へのデータ信号や走査線への走査信号を出力するための出力用トランジスタなどを含む。なお表示パネルがタッチパネルである場合等には、入力用トランジスタを含んでもよい。

入力側（ホスト側）Ｉ／Ｆ領域１４は、ホスト（ＭＰＵ、画像処理コントローラ、ベースバンドエンジン）とのインターフェースとなる領域であり、パッドや、パッドに接続される入力用（入出力用）トランジスタ、出力用トランジスタ、保護素子などの種々の素子を含むことができる。具体的には、ホストからの信号（デジタル信号）を入力するための入力用トランジスタやホストへの信号を出力するための出力用トランジスタなどを含む。

なお、短辺である辺ＳＤ１、ＳＤ３に沿った出力側又は入力側Ｉ／Ｆ領域を設けるようにしてもよい。また外部接続端子となるバンプ等は、Ｉ／Ｆ（インターフェース）領域１２、１４に設けてもよいし、それ以外の領域（第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ）に設けてもよい。Ｉ／Ｆ領域１２、１４以外の領域に設ける場合には、金バンプ以外の小型バンプ技術（樹脂をコアとするバンプ技術など）を用いることで実現される。

また第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、少なくとも２つ（或いは３つ）の異なる回路ブロック（異なる機能を持つ回路ブロック）を含むことができる。集積回路装置１０が表示ドライバである場合を例にとれば、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、データドライバ、メモリ、走査ドライバ、ロジック回路、階調電圧生成回路、電源回路のブロックの少なくとも２つを含むことができる。更に具体的には回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、少なくともデータドライバ、ロジック回路のブロックを含むことができ、更に階調電圧生成回路のブロックを含むことができる。またメモリ内蔵タイプの場合には更にメモリのブロックを含むことができる。

例えば図４に種々のタイプの表示ドライバとそれが内蔵する回路ブロックの例を示す。メモリ（ＲＡＭ）内蔵のアモルファスＴＦＴ（Thin Film Transistor）パネル用表示ドライバでは、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、メモリ、データドライバ（ソースドライバ）、走査ドライバ（ゲートドライバ）、ロジック回路（ゲートアレイ回路）、階調電圧生成回路（γ補正回路）、電源回路のブロックを含む。一方、メモリ内蔵の低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）ＴＦＴパネル用表示ドライバでは、走査ドライバをガラス基板に形成できるため、走査ドライバのブロックを省略できる。またメモリ非内蔵のアモルファスＴＦＴパネル用では、メモリのブロックを省略でき、メモリ非内蔵の低温ポリシリコンＴＦＴパネル用では、メモリ及び走査ドライバのブロックを省略できる。またＣＳＴＮ（Color Super Twisted Nematic）パネル、ＴＦＤ（Thin Film Diode）パネル用では、階調電圧生成回路のブロックを省略できる。

図５（Ａ）（Ｂ）に本実施形態の表示ドライバの集積回路装置１０の平面レイアウトの例を示す。図５（Ａ）（Ｂ）は、メモリ内蔵のアモルファスＴＦＴパネル用の例であり、図５（Ａ）は例えばＱＣＩＦ、３２階調用の表示ドライバをターゲットとし、図５（Ｂ）はＱＶＧＡ、６４階調用の表示ドライバをターゲットとしている。

図５（Ａ）（Ｂ）では、第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、第１〜第４のメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４（広義には第１〜第Ｉのメモリブロック。Ｉは２以上の整数）を含む。また第１〜第４のメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４の各々に対して、Ｄ１方向に沿ってその各々が隣接して配置される第１〜第４のデータドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４（広義には第１〜第Ｉのデータドライバブロック）を含む。具体的にはメモリブロックＭＢ１とデータドライバブロックＤＢ１がＤ１方向に沿って隣接して配置され、メモリブロックＭＢ２とデータドライバブロックＤＢ２がＤ１方向に沿って隣接して配置される。そしてデータドライバブロックＤＢ１がデータ線を駆動するために用いる画像データ（表示データ）は、隣接するメモリブロックＭＢ１が記憶し、データドライバブロックＤＢ２がデータ線を駆動するために用いる画像データは、隣接するメモリブロックＭＢ２が記憶する。

また図５（Ａ）では、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４のうちのＭＢ１（広義には第Ｊのメモリブロック。１≦Ｊ＜Ｉ）のＤ３方向側に、データドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４のうちのＤＢ１（広義には第Ｊのデータドライバブロック）が隣接して配置される。またメモリブロックＭＢ１のＤ１方向側に、メモリブロックＭＢ２（広義には第Ｊ＋１のメモリブロック）が隣接して配置される。そしてメモリブロックＭＢ２のＤ１方向側に、データドライバブロックＤＢ２（広義には第Ｊ＋１のデータドライバブロック）が隣接して配置される。メモリブロックＭＢ３、ＭＢ４、データドライバブロックＤＢ３、ＤＢ４の配置も同様である。このように図５（Ａ）では、ＭＢ１、ＭＢ２の境界線に対して線対称にＭＢ１、ＤＢ１とＭＢ２、ＤＢ２が配置され、ＭＢ３、ＭＢ４の境界線に対して線対称にＭＢ３、ＤＢ３とＭＢ４、ＤＢ４とが配置される。なお図５（Ａ）では、ＤＢ２とＤＢ３が隣接して配置されているが、これらを隣接させずに、その間に他の回路ブロックを配置してもよい。

一方、図５（Ｂ）では、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４のうちのＭＢ１（第Ｊのメモリブロック）のＤ３方向側に、データドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４のうちのＤＢ１（第Ｊのデータドライバブロック）が隣接して配置される。またＭＢ１のＤ１方向側にＤＢ２（第Ｊ＋１のデータドライバブロック）が配置される。またＤＢ２のＤ１方向側にＭＢ２（第Ｊ＋１のメモリブロック）が配置される。ＤＢ３、ＭＢ３、ＤＢ４、ＭＢ４も同様に配置される。なお図５（Ｂ）では、ＭＢ１とＤＢ２、ＭＢ２とＤＢ３、ＭＢ３とＤＢ４が、各々、隣接して配置されているが、これらを隣接させずに、その間に他の回路ブロックを配置してもよい。

図５（Ａ）のレイアウト配置によれば、メモリブロックＭＢ１とＭＢ２や、ＭＢ３とＭＢ４の間で（第Ｊ、第Ｊ＋１のメモリブロックの間で）、カラムアドレスデコーダを共用できるという利点がある。一方、図５（Ｂ）のレイアウト配置によれば、データドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４から出力側Ｉ／Ｆ領域１２へのデータ信号出力線の配線ピッチを均一化でき、配線効率を向上できるという利点がある。

なお本実施形態の集積回路装置１０のレイアウト配置は図５（Ａ）（Ｂ）に限定されない。例えばメモリブロックやデータドライバブロックのブロック数を２、３或いは５以上にしてもよいし、メモリブロックやデータドライバブロックをブロック分割しない構成にしてもよい。またメモリブロックとデータドライバブロックが隣接しないようにする変形実施も可能である。またメモリブロック、走査ドライバブロック、電源回路ブロック又は階調電圧生成回路ブロックなどを設けない構成としてもよい。また回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮと出力側Ｉ／Ｆ領域１２や入力側Ｉ／Ｆ領域１４の間に、Ｄ２方向での幅が極めて狭い回路ブロック（ＷＢ以下の細長回路ブロック）を設けてもよい。また回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮが、異なる回路ブロックがＤ２方向に多段に並んだ回路ブロックを含んでもよい。例えば走査ドライバ回路と電源回路を１つの回路ブロックとした構成としてもよい。

図６（Ａ）に本実施形態の集積回路装置１０のＤ２方向に沿った断面図の例を示す。ここでＷ１、ＷＢ、Ｗ２は、各々、出力側Ｉ／Ｆ領域１２、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ、入力側Ｉ／Ｆ領域１４のＤ２方向での幅である。またＷは集積回路装置１０のＤ２方向での幅である。

本実施形態では図６（Ａ）に示すように、Ｄ２方向において、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ（データドライバブロックＤＢ）と出力側、入力側Ｉ／Ｆ領域１２、１４との間に他の回路ブロックが介在しない構成にできる。従って、Ｗ１＋ＷＢ＋Ｗ２≦Ｗ＜Ｗ１＋２×ＷＢ＋Ｗ２とすることができ、細長の集積回路装置を実現できる。具体的には、Ｄ２方向での幅Ｗは、Ｗ＜２ｍｍとすることができ、更に具体的にはＷ＜１．５ｍｍとすることができる。なおチップの検査やマウンティングを考慮すると、Ｗ＞０．９ｍｍであることが望ましい。また長辺方向での長さＬＤは、１５ｍｍ＜ＬＤ＜２７ｍｍとすることができる。またチップ形状比ＳＰ＝ＬＤ／Ｗは、ＳＰ＞１０とすることができ、更に具体的にはＳＰ＞１２とすることができる。

なお図６（Ａ）の幅Ｗ１、ＷＢ、Ｗ２は、各々、出力側Ｉ／Ｆ領域１２、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ、入力側Ｉ／Ｆ領域１４のトランジスタ形成領域（バルク領域、アクティブ領域）の幅である。即ちＩ／Ｆ領域１２、１４には、出力用トランジスタ、入力用トランジスタ、入出力用トランジスタ、静電保護素子のトランジスタなどが形成される。また回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮには、回路を構成するトランジスタが形成される。そしてＷ１、ＷＢ、Ｗ２は、このようなトランジスタが形成されるウェル領域や拡散領域などを基準に決められる。例えば、よりスリムな細長の集積回路装置を実現するためには、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのトランジスタの上にもバンプ（能動面バンプ）を形成することが望ましい。具体的には、そのコアが樹脂で形成され、樹脂の表面に金属層が形成された樹脂コアバンプなどをトランジスタ（アクティブ領域）上に形成する。そしてこのバンプ（外部接続端子）は、Ｉ／Ｆ領域１２、１４に配置されるパッドに、金属配線により接続される。本実施形態のＷ１、ＷＢ、Ｗ２は、このようなバンプの形成領域の幅ではなく、バンプの下に形成されるトランジスタ形成領域の幅である。

また回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮの各々のＤ２方向での幅は、例えば同じ幅に統一できる。この場合、各回路ブロックの幅は、実質的に同じであればよく、例えば数μｍ〜２０μｍ（数十μｍ）程度の違いは許容範囲内である。また回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮの中に、幅が異なる回路ブロックが存在する場合には、幅ＷＢは、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮの幅の中の最大幅とすることができる。この場合の最大幅は、例えばデータドライバブロックのＤ２方向での幅とすることができる。或いはメモリ内蔵の集積回路装置の場合にはメモリブロックのＤ２方向での幅とすることができる。なお回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮとＩ／Ｆ領域１２、１４の間には、例えば２０〜３０μｍ程度の幅の空き領域を設けることができる。

また本実施形態では、出力側Ｉ／Ｆ領域１２にはＤ２方向での段数が１段又は複数段となるパッドを配置できる。従ってパッド幅（例えば０．１ｍｍ）やパッドピッチを考慮すると、出力側Ｉ／Ｆ領域１２のＤ２方向での幅Ｗ１は、０．１３ｍｍ≦Ｗ１≦０．４ｍｍとすることができる。また入力側Ｉ／Ｆ領域１４には、Ｄ２方向での段数が１段となるパッドを配置できるため、入力側Ｉ／Ｆ領域１４の幅Ｗ２は、０．１ｍｍ≦Ｗ２≦０．２ｍｍとすることができる。また細長の集積回路装置を実現するためには、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ上に、ロジック回路ブロックからのロジック信号や、階調電圧生成回路ブロックからの階調電圧信号や、電源配線を、グローバル配線により形成する必要があり、これらの配線幅は合計で例えば０．８〜０．９ｍｍ程度になる。従って、これらを考慮すると、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮの幅ＷＢは、０．６５ｍｍ≦ＷＢ≦１．２ｍｍとすることできる。

そしてＷ１＝０．４ｍｍ、Ｗ２＝０．２ｍｍであったとしても、０．６５ｍｍ≦ＷＢ≦１．２ｍｍであるため、ＷＢ＞Ｗ１＋Ｗ２が成り立つ。またＷ１、ＷＢ、Ｗ２が最も小さい値である場合には、Ｗ１＝０．１３ｍｍ、ＷＢ＝０．６５ｍｍ、Ｗ２＝０．１ｍｍとなり、集積回路装置の幅はＷ＝０．８８ｍｍ程度になる。従って、Ｗ＝０．８８ｍｍ＜２×ＷＢ＝１．３ｍｍが成り立つ。またＷ１、ＷＢ、Ｗ２が最も大きい値である場合には、Ｗ１＝０．４ｍｍ、ＷＢ＝１．２ｍｍ、Ｗ２＝０．２ｍｍとなり、集積回路装置の幅はＷ＝１．８ｍｍ程度になる。従って、Ｗ＝１．８ｍｍ＜２×ＷＢ＝２．４ｍｍが成り立つ。従ってＷ＜２×ＷＢの関係式が成り立ち、細長の集積回路装置を実現できる。

図１（Ａ）の比較例では、図６（Ｂ）に示すように２以上の複数の回路ブロックがＤ２方向に沿って配置される。またＤ２方向において、回路ブロック間や、回路ブロックとＩ／Ｆ領域の間に配線領域が形成される。従って集積回路装置５００のＤ２方向（短辺方向）での幅Ｗが大きくなり、スリムな細長チップを実現できない。従って微細プロセスを利用してチップをシュリンクしても、図２（Ａ）に示すようにＤ１方向（長辺方向）での長さＬＤも短くなってしまい、出力ピッチが狭ピッチになるため、実装の困難化を招く。

これに対して本実施形態では図３、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように複数の回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮがＤ１方向に沿って配置される。また図６（Ａ）に示すように、パッド（バンプ）の下にトランジスタ（回路素子）を配置できる（能動面バンプ）。また回路ブロック内の配線であるローカル配線よりも上層（パッドよりも下層）で形成されるグローバル配線により、回路ブロック間や、回路ブロックとＩ／Ｆ領域間等での信号線を形成できる。従って図２（Ｂ）に示すように、集積回路装置１０のＤ１方向での長さＬＤを維持したままで、Ｄ２方向での幅Ｗを狭くでき、超スリムな細長チップを実現できる。この結果、出力ピッチを例えば２２μｍ以上に維持することができ、実装を容易化できる。

また本実施形態では複数の回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮがＤ１方向に沿って配置されるため、製品の仕様変更等に容易に対応できる。即ち共通のプラットフォームを用いて様々な仕様の製品を設計できるため、設計効率を向上できる。例えば図５（Ａ）（Ｂ）において、表示パネルの画素数や階調数が増減した場合にも、メモリブロックやデータドライバブロックのブロック数や、１水平走査期間での画像データの読み出し回数等を増減するだけで対応できる。また図５（Ａ）（Ｂ）はメモリ内蔵のアモルファスＴＦＴパネル用の例であるが、メモリ内蔵の低温ポリシリコンＴＦＴパネル用の製品を開発する場合には、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮの中から走査ドライバブロックを取り除くだけで済む。またメモリ非内蔵の製品を開発する場合には、メモリブロックを取り除けば済む。そしてこのように仕様に合わせて回路ブロックを取り除いても、本実施形態では、それが他の回路ブロックに及ぼす影響が最小限に抑えられるため、設計効率を向上できる。

また本実施形態では、各回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ２方向での幅（高さ）を、例えばデータドライバブロックやメモリブロックの幅（高さ）に統一できる。そして各回路ブロックのトランジスタ数が増減した場合には、各回路ブロックのＤ１方向での長さを増減することで調整できるため、設計を更に効率化できる。例えば図５（Ａ）（Ｂ）において、階調電圧生成回路ブロックや電源回路ブロックの構成が変更になり、トランジスタ数が増減した場合にも、階調電圧生成回路ブロックや電源回路ブロックのＤ１方向での長さを増減することで対応できる。

なお第２の比較例として、例えばデータドライバブロックをＤ１方向に細長に配置し、データドライバブロックのＤ４方向側に、メモリブロックなどの他の複数の回路ブロックをＤ１方向に沿って配置する手法も考えられる。しかしながらこの第２の比較例では、メモリブロックなどの他の回路ブロックと出力側Ｉ／Ｆ領域との間に、幅の大きなデータドライバブロックが介在するようになるため、集積回路装置のＤ２方向での幅Ｗが大きくなり、スリムな細長チップの実現が困難になる。またデータドライバブロックとメモリブロックの間に無駄な配線領域が生じてしまい、幅Ｗが更に大きくなってしまう。またデータドライバブロックやメモリブロックの構成が変わった場合には、図１（Ｂ）（Ｃ）で説明したピッチの不一致の問題が生じ、設計効率を向上できない。

また本実施形態の第３の比較例として、同一機能の回路ブロック（例えばデータドライバブロック）だけをブロック分割して、Ｄ１方向に並べて配置する手法も考えられる。しかしながら、この第３の比較例では、集積回路装置に同一機能（例えばデータドライバの機能）だけしか持たせることができないため、多様な製品展開を実現できない。これに対して本実施形態では、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮは、少なくとも２つの異なる機能を有する回路ブロックを含む。従って図４、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、様々なタイプの表示パネルに対応した多様な機種の集積回路装置を提供できるという利点がある。

３．回路構成
図７に集積回路装置１０の回路構成例を示す。なお集積回路装置１０の回路構成は図７に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。メモリ２０（表示データＲＡＭ）は画像データを記憶する。メモリセルアレイ２２は複数のメモリセルを含み、少なくとも１フレーム（１画面）分の画像データ（表示データ）を記憶する。この場合、１画素は例えばＲ、Ｇ、Ｂの３サブピクセル（３ドット）で構成され、各サブピクセルについて例えば６ビット（ｋビット）の画像データが記憶される。ローアドレスデコーダ２４（ＭＰＵ／ＬＣＤローアドレスデコーダ）はローアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ２２のワード線の選択処理を行う。カラムアドレスデコーダ２６（ＭＰＵカラムアドレスデコーダ）はカラムアドレスについてのデコード処理を行い、メモリセルアレイ２２のビット線の選択処理を行う。ライト／リード回路２８（ＭＰＵライト／リード回路）はメモリセルアレイ２２への画像データのライト処理や、メモリセルアレイ２２からの画像データのリード処理を行う。なおメモリセルアレイ２２のアクセス領域は、例えばスタートアドレスとエンドアドレスを対頂点とする矩形で定義される。即ちスタートアドレスのカラムアドレス及びローアドレスと、エンドアドレスのカラムアドレス及びローアドレスでアクセス領域が定義され、メモリアクセスが行われる。

ロジック回路４０（例えば自動配置配線回路）は、表示タイミングを制御するための制御信号やデータ処理タイミングを制御するための制御信号などを生成する。このロジック回路４０は例えばゲートアレイ（Ｇ／Ａ）などの自動配置配線により形成できる。制御回路４２は各種制御信号を生成したり、装置全体の制御を行う。具体的には階調電圧生成回路１１０に階調特性（γ特性）の調整データ（γ補正データ）を出力したり、電源回路９０の電圧生成を制御する。またローアドレスデコーダ２４、カラムアドレスデコーダ２６、ライト／リード回路２８を用いたメモリへのライト／リード処理を制御する。表示タイミング制御回路４４は表示タイミングを制御するための各種の制御信号を生成し、メモリから表示パネル側への画像データの読み出しを制御する。ホスト（ＭＰＵ）インターフェース回路４６は、ホストからのアクセス毎に内部パルスを発生してメモリにアクセスするホストインターフェースを実現する。ＲＧＢインターフェース回路４８は、ドットクロックにより動画のＲＧＢデータをメモリに書き込むＲＧＢインターフェースを実現する。なおホストインターフェース回路４６、ＲＧＢインターフェース回路４８のいずれか一方のみを設ける構成としてもよい。

図７において、ホストインターフェース回路４６、ＲＧＢインターフェース回路４８からは１画素単位でメモリ２０へのアクセスが行われる。一方、データドライバ５０へは、ホストインターフェース回路４６、ＲＧＢインターフェース回路４８とは独立した内部表示タイミングにより、ライン周期毎に、ラインアドレスで指定されライン単位で読み出された画像データが送られる。

データドライバ５０は表示パネルのデータ線を駆動するための回路であり、図８（Ａ）にその構成例を示す。データラッチ回路５２は、メモリ２０からのデジタルの画像データをラッチする。Ｄ／Ａ変換回路５４（電圧選択回路）は、データラッチ回路５２にラッチされたデジタルの画像データのＤ／Ａ変換を行い、アナログのデータ電圧を生成する。具体的には階調電圧生成回路１１０から複数（例えば６４段階）の階調電圧（基準電圧）を受け、これらの複数の階調電圧の中から、デジタルの画像データに対応する電圧を選択して、データ電圧として出力する。出力回路５６（駆動回路、バッファ回路）は、Ｄ／Ａ変換回路５４からのデータ電圧をバッファリングして表示パネルのデータ線に出力し、データ線を駆動する。なお、出力回路５６の一部（例えば演算増幅器の出力段）をデータドライバ５０には含ませずに、他の領域に配置する構成としてもよい。

走査ドライバ７０は表示パネルの走査線を駆動するための回路であり、図８（Ｂ）にその構成例を示す。シフトレジスタ７２は順次接続された複数のフリップフロップを含み、シフトクロック信号ＳＣＫに同期してイネーブル入出力信号ＥＩＯを順次シフトする。レベルシフタ７６は、シフトレジスタ７２からの信号の電圧レベルを、走査線選択のための高電圧レベルに変換する。出力回路７８は、レベルシフタ７６により変換されて出力された走査電圧をバッファリングして表示パネルの走査線に出力し、走査線を選択駆動する。なお走査ドライバ７０は図８（Ｃ）に示す構成であってもよい。図８（Ｃ）では、走査アドレス生成回路７３が走査アドレスを生成して出力し、アドレスデコーダ７４が走査アドレスのデコード処理を行う。そしてこのデコード処理により特定された走査線に対して、レベルシフタ７６、出力回路７８を介して走査電圧が出力される。

電源回路９０は各種の電源電圧を生成する回路であり、図９（Ａ）にその構成例を示す。昇圧回路９２は、入力電源電圧や内部電源電圧を、昇圧用キャパシタや昇圧用トランジスタを用いてチャージポンプ方式で昇圧し、昇圧電圧を生成する回路であり、１次〜４次昇圧回路などを含むことができる。この昇圧回路９２により、走査ドライバ７０や階調電圧生成回路１１０が使用する高電圧を生成できる。レギュレータ回路９４は、昇圧回路９２により生成された昇圧電圧のレベル調整を行う。ＶＣＯＭ生成回路９６は、表示パネルの対向電極に供給するＶＣＯＭ電圧を生成して出力する。制御回路９８は電源回路９０の制御を行うものであり、各種の制御レジスタなどを含む。

階調電圧生成回路（γ補正回路）１１０は階調電圧を生成する回路であり、図９（Ｂ）にその構成例を示す。選択用電圧生成回路１１２（電圧分割回路）は、電源回路９０で生成された高電圧の電源電圧ＶＤＤＨ、ＶＳＳＨに基づいて、選択用電圧ＶＳ０〜ＶＳ２５５（広義にはＲ個の選択用電圧）を出力する。具体的には選択用電圧生成回路１１２は、直列に接続された複数の抵抗素子を有するラダー抵抗回路を含む。そしてＶＤＤＨ、ＶＳＳＨを、このラダー抵抗回路により分割した電圧を、選択用電圧ＶＳ０〜ＶＳ２５５として出力する。階調電圧選択回路１１４は、ロジック回路４０により調整レジスタ１１６に設定された階調特性の調整データに基づいて、選択用電圧ＶＳ０〜ＶＳ２５５の中から、例えば６４階調の場合には６４個（広義にはＳ個。Ｒ＞Ｓ）の電圧を選択して、階調電圧Ｖ０〜Ｖ６３として出力する。このようにすれば表示パネルに応じた最適な階調特性（γ補正特性）の階調電圧を生成できる。なお極性反転駆動の場合には、正極性用のラダー抵抗回路と負極性用のラダー抵抗回路を選択用電圧生成回路１１２に設けてもよい。またラダー抵抗回路の各抵抗素子の抵抗値を、調整レジスタ１１６に設定された調整データに基づいて変更できるようにしてもよい。また選択用電圧生成回路１１２や階調電圧選択回路１１４に、インピーダンス変換回路（ボルテージフォロワ接続の演算増幅器）を設ける構成にしてもよい。

図１０（Ａ）に、図８（Ａ）のＤ／Ａ変換回路５４が含む各ＤＡＣ（Digital Analog Converter）の構成例を示す。図１０（Ａ）の各ＤＡＣは、例えばサブピクセル毎（或いは画素毎）に設けることができ、ＲＯＭデコーダ等により構成される。そしてメモリ２０からの６ビットのデジタルの画像データＤ０〜Ｄ５とその反転データＸＤ０〜ＸＤ５に基づいて、階調電圧生成回路１１０からの階調電圧Ｖ０〜Ｖ６３のいずれかを選択することで、画像データＤ０〜Ｄ５をアナログ電圧に変換する。そして得られたアナログ電圧の信号ＤＡＱ（ＤＡＱＲ、ＤＡＱＧ、ＤＡＱＢ）を出力回路５６に出力する。

なお低温ポリシリコンＴＦＴ用の表示ドライバ等で、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用のデータ信号をマルチプレクスして表示ドライバに送る場合（図１０（Ｃ）の場合）には、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用の画像データを、１つの共用のＤＡＣを用いてＤ／Ａ変換することもできる。この場合には図１０（Ａ）の各ＤＡＣは画素毎に設けられる。

図１０（Ｂ）に、図８（Ａ）の出力回路５６が含む各出力部ＳＱの構成例を示す。図１０（Ｂ）の各出力部ＳＱは画素毎に設けることができる。各出力部ＳＱは、Ｒ（赤）用、Ｇ（緑）用、Ｂ（青）用のインピーダンス変換回路ＯＰＲ、ＯＰＧ、ＯＰＢ（ボルテージフォロワ接続の演算増幅器）を含み、ＤＡＣからの信号ＤＡＱＲ、ＤＡＱＧ、ＤＡＱＢのインピーダンス変換を行って、データ信号ＤＡＴＡＲ、ＤＡＴＡＧ、ＤＡＴＡＢをＲ、Ｇ、Ｂ用のデータ信号出力線に出力する。なお例えば低温ポリシリコンＴＦＴパネルの場合には、図１０（Ｃ）に示すようなスイッチ素子（スイッチ用トランジスタ）ＳＷＲ、ＳＷＧ、ＳＷＢを設け、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用のデータ信号が多重化されたデータ信号ＤＡＴＡを、インピーダンス変換回路ＯＰが出力するようにしてもよい。またデータ信号の多重化を複数画素に亘って行うようにしてもよい。また出力部ＳＱに、図１０（Ｂ）（Ｃ）のようなインピーダンス変換回路を設けずに、スイッチ素子等だけを設ける構成にしてもよい。

４．グローバル配線
４．１ グローバル配線手法
図２（Ｂ）のようなスリムな細長の集積回路装置を実現するためには、集積回路装置のＤ２方向での幅Ｗを小さくする必要がある。そして幅Ｗを小さくするためには、Ｄ１方向に沿って配置される回路ブロック間の信号線、電源線を、効率良く配線する必要がある。そこで本実施形態では、グローバル配線手法により、これらの回路ブロック間の信号線、電源線を配線している。

例えば図１１では、第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮがＤ１方向に沿って配置され、そのＤ２方向側に出力側Ｉ／Ｆ領域１２（第１のインターフェース領域）が設けられ、そのＤ４方向側に入力側Ｉ／Ｆ領域１４が設けられる。そして回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのうちの回路ブロックＣＢＭ、ＣＢＭ１＋１、ＣＢＭ＋２（１≦Ｍ≦Ｎ−２）は隣接配置される。本実施形態では、このように隣接配置される回路ブロックＣＢＭ、ＣＢＭ＋１間や、ＣＢＭ＋１、ＣＢＭ＋２間では、第Ｉ（Ｉは３以上の整数）の層よりも下層の配線層（例えば第１〜第４のアルミ配線層ＡＬＡ、ＡＬＢ、ＡＬＣ、ＡＬＤ）で形成されるローカル線ＬＬ１、ＬＬ２が、信号線及び電源線の少なくとも一方として配線される。

一方、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのうちの隣接しない回路ブロック間では、第Ｉの層以上の配線層（例えば第５のアルミ配線層ＡＬＥ）で形成されるグローバル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロック上をＤ１方向に沿って配線される。例えば図１１ではロジック回路ブロックＬＢと回路ブロックＣＢＭ、ＣＢＭ＋１、ＣＢＭ＋２は隣接していない。従ってロジック回路ブロックＬＢと回路ブロックＣＢＭ、ＣＢＭ＋１、ＣＢＭ＋２の間には、例えばアルミ配線層ＡＬＥ等で形成されるグローバル線ＧＬＬが配線されて、ＬＢからの信号が供給される。また図１１では電源回路ブロックＰＢと回路ブロックＣＢＭ、ＣＢＭ＋１、ＣＢＭ＋２は隣接していない。従って電源回路ブロックＰＢと回路ブロックＣＢＭ、ＣＢＭ＋１、ＣＢＭ＋２の間には、例えばアルミ配線層ＡＬＥ等で形成されるグローバル線ＧＬＰが配線されて、ＰＢからの電源が供給される。

図１２（Ａ）（Ｂ）にグローバル線の具体的な配線例を示す。図１２（Ａ）では回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮが、データ線を駆動するためのデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２と、ＤＢ１、ＤＢ２を制御するロジック回路ブロックＬＢを含む。また階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックＧＢを含む。そしてロジック回路ブロックＬＢからのドライバ制御信号をデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２に供給するためのドライバ用グローバル線ＧＬＤが、ロジック回路ブロックＬＢとデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２の間に介在する回路ブロック上をＤ１方向に沿って配線される。また階調電圧生成回路ブロックＧＢからの階調電圧をデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２に供給するための階調用グローバル線ＧＬＧが、階調電圧生成回路ブロックＧＢとデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２の間に介在する回路ブロック上をＤ１方向に沿って配線される。そして階調電圧生成回路ブロックＧＢとロジック回路ブロックＬＢはＤ１方向に沿って隣接して配置され、ロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢの間には、ＬＢが階調の調整データをＧＢに供給するためのローカル線ＬＬＧが配線される。

また図１２（Ｂ）では、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮが、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２と、ＤＢ１、ＤＢ２に供給する画像データを記憶するメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２を含む。そしてロジック回路ブロックＬＢからの少なくともライトデータ信号（或いはアドレス信号、メモリ制御信号）をメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２に供給するためのメモリ用グローバル線ＧＬＭが、ロジック回路ブロックＬＢとメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２の間に介在する回路ブロック上をＤ１方向に沿って配線される。またロジック回路ブロックＬＢからのドライバ制御信号をデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２に供給するためのドライバ用グローバル線ＧＬＤが配線される。そしてデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２とメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２はＤ１方向に沿って隣接して配置され、メモリブロックＭＢ１とデータドライバブロックＤＢ１の間には、ＭＢ１が画像データをＤＢ１に供給するためローカル線ＬＬＭ１が配線される。またメモリブロックＭＢ２とデータドライバブロックＤＢ２の間には、ＭＢ２が画像データをＤＢ２に供給するためローカル線ＬＬＭ２が配線される。

図９（Ｂ）に示すように階調電圧生成回路１１０は調整レジスタ１１６を含む。図７のロジック回路４０は、この調整レジスタ１１６に対して、階調電圧の振幅調整や階調特性の微調整（傾き調整等）のための調整データを設定する。このような調整を行えば、表示パネルの種類に応じた最適な階調特性を得ることができ、表示品質を向上できる。

しかしながら、このような調整を行うための調整データのビット数は非常に多い。従って、図１２（Ｂ）のロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢとの間に配線される信号線の本数も非常に多い。

そこで図１２（Ｂ）では、ロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢをＤ１方向に沿って隣接配置している。更にロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢの間に、ＬＢが階調の調整データをＧＢに供給するためのローカル線ＬＬＧを配線している。

また図１２（Ｂ）において、例えばデータドライバブロックＤＢ１は、メモリブロックＭＢ１に記憶される画像データを受け、この画像データのＤ／Ａ変換等を行って、表示パネルのデータ線を駆動する。そしてメモリブロックＭＢ１から供給される画像データのビット数は非常に多い。従ってデータドライバブロックＤＢ１とメモリブロックＭＢ１の間に配線される信号線の本数も非常に多い。

そこで図１２（Ｂ）では、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２とメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２をＤ１方向に沿って隣接配置している。更にデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２とメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２の間に、ＭＢ１、ＭＢ２がＤＢ１、ＤＢ２に画像データを供給するためのローカル線ＬＬＭ１、ＬＬＭ２を配線している。

このように本実施形態では、ロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢや、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２とメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２のように、回路ブロック間に配線される信号線の本数が多い回路ブロックについては、隣接配置している。そして、これらの隣接回路ブロック間には、グローバル線の配線層（ＡＬＥ）よりも下層の配線層（ＡＬＡ〜ＡＬＤ）で形成されるローカル線ＬＬＧ、ＬＬＭ１、ＬＬＭ２を配線している。こうすることで、これらの隣接回路ブロック間がショートパスで接続されるようになり、配線領域を原因とするチップ面積の増加を防止できる。

一方、ロジック回路ブロックＬＢとデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２の間や、ロジック回路ブロックＬＢとメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２の間に配線される信号線の本数は、ローカル線ＬＬＧ、ＬＬＭ１、ＬＬＭ２の本数に比べれば少ない。またロジック回路ブロックＬＢと、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２、メモリブロックＭＢ１、ＭＢ２の間には、他の回路ブロックが介在する。

そこで本実施形態では、ロジック回路ブロックＬＢと、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２、メモリブロックＭＢ１、ＭＢ２の間については、ローカル線ＬＬＧ、ＬＬＭ１、ＬＬＭ２（ＡＬＡ〜ＡＬＤ）よりも上層の配線層（ＡＬＥ）で形成されるグローバル線ＧＬＤ、ＧＬＭを配線するようにしている。このようにすれば、隣接回路ブロック間に配線されるローカル線ＬＬＭ１、ＬＬＭ２の配線本数が非常に多い場合にも、これらのローカル線ＬＬＭ１、ＬＬＭ２の上層に、グローバル線ＧＬＤ、ＧＬＭを配線できる。従って、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮ上に多数のグローバル線を配線できるようになり、配線効率を向上できる。即ち、グローバル線により多くの信号線を配線できるようになるため、回路ブロックを迂回して出力側Ｉ／Ｆ領域１２や入力側Ｉ／Ｆ領域１４に配線する信号線の本数を減らすことができる。この結果、集積回路装置のＤ２方向での幅Ｗを小さくでき、図２（Ｂ）のようなスリムな細長チップを実現できる。

４．２ バッファ回路、ローアドレスデコーダ上のグローバル線の配線
図１３にグローバル線の更に具体的な配線例を示す。図１３では、ロジック回路ブロックＬＢからのドライバ制御信号をデータドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ３に供給するためのドライバ用グローバル線ＧＬＤが、バッファ回路ＢＦ１〜ＢＦ３、ローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３上に配線される。即ちトップメタルである第５のアルミ配線層ＡＬＥで形成されるドライバ用グローバル線ＧＬＤが、ロジック回路ブロックＬＢからバッファ回路ＢＦ１〜ＢＦ３及びローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３上を、Ｄ１方向に沿ってほぼ一直線に配線される。そしてこれらのドライバ用グローバル線ＧＬＤにより供給されるドライバ制御信号が、バッファ回路ＢＦ１〜ＢＦ３にてバッファリングされて、バッファ回路ＢＦ１〜ＢＦ３のＤ２方向側に配置されるデータドライバＤＲ１〜ＤＲ３に入力される。

また図１３では、ロジック回路ブロックＬＢからの少なくともライトデータ信号（或いは、アドレス信号、メモリ制御信号）をメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に供給するためのメモリ用グローバル線ＧＬＭが、Ｄ１方向に沿って配線される。即ち第５のアルミ配線層ＡＬＥで形成されるメモリ用グローバル線ＧＬＭが、ロジック回路ブロックＬＢからＤ１方向に沿って配線される。

より具体的には図１３では、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に対応してリピータブロックＲＰ１〜ＲＰ３が配置される。これらのリピータブロックＲＰ１〜ＲＰ３は、ロジック回路ブロックＬＢからの少なくともライトデータ信号（或いはアドレス信号、メモリ制御信号）をバッファリングしてメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に対して出力するバッファを含む。そして図１３に示すように、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３とリピータブロックＲＰ１〜ＲＰ３は、Ｄ１方向に沿って隣接配置される。

例えばロジック回路ブロックＬＢからのライトデータ信号、アドレス信号、メモリ制御信号を、メモリ用グローバル線ＧＬＭを用いてメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に供給する場合に、これらの信号をバッファリングしないと、信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が鈍る。この結果、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３へのデータの書き込み時間が長くなったり、書き込みエラーが生じるおそれがある。

この点、図１３のようなリピータブロックＲＰ１〜ＲＰ３を各メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３の例えばＤ１方向側に隣接して配置すれば、これらのライトデータ信号、アドレス信号、メモリ制御信号がリピータブロックＲＰ１〜ＲＰ３によりバッファリングされて各メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３に入力されるようになる。この結果、信号の立ち上がり波形や立ち下がり波形が鈍るのを低減でき、メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ３への適正なデータ書き込みを実現できる。

また図１３では集積回路装置が、階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックＧＢを含む。そして階調電圧生成回路ブロックＧＢからの階調電圧をデータドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ３に供給するための階調用グローバル線ＧＬＧが、Ｄ１方向に沿って配線される。即ち第５のアルミ配線層ＡＬＥで形成される階調用グローバル線ＧＬＧが、ロジック回路ブロックＬＢからＤ１方向に沿って配線される。そして、階調用グローバル線ＧＬＧからの階調電圧をデータドライバＤＲ１〜ＤＲ３に供給するための階調電圧供給線ＧＳＬ１〜ＧＳＬ３が、各データドライバＤＲ１〜ＤＲ３においてＤ２方向に沿って配線される。具体的には、階調電圧供給線ＧＳＬ１〜ＧＳＬ３は、後述する複数のサブピクセルドライバセルにまたがって、各サブピクセルドライバセルのＤ／Ａ変換器上をＤ２方向に沿って配線される。

そして更に本実施形態では図１３に示すように、メモリ用グローバル線ＧＬＭが、階調用グローバル線ＧＬＧとドライバ用グローバル線ＧＬＤの間にＤ１方向に沿って配線される。

即ち図１３に示すように本実施形態では、バッファ回路ＢＦ１〜ＢＦ３とローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３がＤ１方向に沿って配置される。そしてロジック回路ブロックＬＢから、これらのバッファ回路ＢＦ１〜ＢＦ３、ローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３上を通って、ドライバ用グローバル線ＧＬＤをＤ１方向に沿って配線することで、配線効率を大幅に向上できる。

また、データドライバＤＲ１〜ＤＲ３に対しては、階調電圧生成回路ブロックＧＢからの階調電圧を供給する必要があり、このために、階調用グローバル線ＧＬＧがＤ１方向に沿って配線される。

一方、ローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３に対しては、メモリ用グローバル線ＧＬＭによりアドレス信号、メモリ制御信号等が供給される。従って、メモリ用グローバル線ＧＬＭは、ローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３の近くに配線することが望ましい。

この点、図１３では、メモリ用グローバル線ＧＬＭが、階調用グローバル線ＧＬＧとドライバ用グローバル線ＧＬＤの間に配線される。従って、メモリ用グローバル線ＧＬＭからのアドレス信号、メモリ制御信号等を、ローアドレスデコーダＲＤ１〜ＲＤ３にショートパスで供給することができる。また階調用グローバル線ＧＬＧは、このメモリ用グローバル線ＧＬＭの上側にＤ１方向に沿ってほぼ一直線に配線できる。従って、１つの層のアルミ配線層ＡＬＥを用いて、グローバル線ＧＬＧ、ＧＬＭ、ＧＬＤを交差することなく配線できるようになり、配線効率を向上できる。

４．３ リピータブロック
図１４にリピータブロックの構成例を示す。図１４において、ロジック回路ブロックＬＢからのライトデータ信号（ＷＤ０、ＷＤ１・・・）は、２つのインバータから構成されるバッファＢＦＡ１、ＢＦＡ２・・・によりバッファリングされて、次段のリピータブロックに出力される。具体的には図１３において、メモリブロックＭＢ１のＤ１方向側に配置されるリピータブロックＲＰ１から、メモリブロックＭＢ２のＤ１方向側に配置される次段のリピータブロックＲＰ２に対して、バッファリングされた信号が出力される。またロジック回路ブロックＬＢからのライトデータ信号は、バッファＢＦＢ１、ＢＦＢ２・・・によりバッファリングされて、メモリブロックに出力される。具体的には図１３において、メモリブロックＭＢ１のＤ１方向側に配置されるリピータブロックＲＰ１からメモリブロックＭＢ１に対して、バッファリングされた信号が出力される。このように本実施形態では、ライトデータ信号については、次段のメモリブロックへの出力用のバッファＢＦＡ１、ＢＦＡ２・・・のみならず、各メモリブロック用のバッファＢＦＢ１、ＢＦＢ２・・・が設けられている。このようにすることで、メモリブロックのメモリセルの寄生容量が原因でライトデータ信号の波形が鈍り、書き込み時間の長期化や書き込みエラーが生じるのを効果的に防止できる。

またロジック回路ブロックＬＢからのアドレス信号（ＣＰＵカラムアドレス、ＣＰＵローアドレス、ＬＣＤローアドレス等）は、バッファＢＦＣ１・・・によりバッファリングされて、メモリブロック及び次段のリピータブロックに出力される。またロジック回路ブロックＬＢからのメモリ制御信号（リード／ライト切替信号、ＣＰＵイネーブル信号、バンク選択信号等）は、バッファＢＦＤ１・・・によりバッファリングされて、メモリブロック及び次段のリピータブロックに出力される。

また図１４のリピータブロックには、メモリブロックからのリードデータ信号用のバッファも設けられている。具体的にはバンク選択信号ＢＡＮＫＭがアクティブ（Ｈレベル）になり、そのメモリブロックが選択されると、そのメモリブロックからのリードデータ信号がバッファＢＦＥ１、ＢＦＥ２・・・によりバッファリングされてリードデータ線ＲＤ０Ｌ、ＲＤ１Ｌ・・・に出力される。一方、バンク選択信号ＢＡＮＫＭが非アクティブ（Ｌレベル）になると、バッファＢＦＥ１、ＢＦＥ２・・・の出力状態がハイインピーダンス状態になる。これにより、バンク選択信号がアクティブになった他のメモリブロックからのリードデータ信号を、ロジック回路ブロックＬＢに適正に出力できるようになる。

４．４ 電源回路、ロジック回路、走査ドライバの配置
図１５では、Ｄ１方向に配置される回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮが、電源電圧を生成する電源回路ブロックＰＢと、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２と、ロジック回路ブロックＬＢを含む。また走査ドライバブロックＳＢ１、ＳＢ２を含む。

そして図１５では、電源回路ブロックＰＢで生成された電源電圧を、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２、ロジック回路ブロックＬＢに供給するための電源用グローバル線ＧＰＤ、ＧＰＬが、ＰＢとＤＢ１、ＤＢ２の間や、ＰＢとＬＢの間に介在する回路ブロック上をＤ１方向に沿って配線される。

即ち表示ドライバの回路は、ＬＶ（Low Voltage）の電圧レベル（広義には第１の電圧レベル）の電源で動作する回路が配置されるＬＶ領域（広義には第１の回路領域）や、ＬＶよりも高いＭＶ（Middle Voltage）の電圧レベル（広義には第２の電圧レベル）の電源で動作する回路が配置されるＭＶ領域（広義には第２の回路領域）などに形成される。例えばロジック回路ブロックやメモリブロックの回路はＬＶ領域に形成される。またデータドライバブロックが有するＤ／Ａ変換器や演算増幅器の回路はＭＶ領域に形成される。このため、表示ドライバに組み込まれる電源回路ブロックは、これらのＬＶやＭＶの電源電圧を生成して、各回路ブロックに供給する必要がある。

この場合に、出力側Ｉ／Ｆ領域１２や入力側Ｉ／Ｆ領域１４だけを用いて、電源線を配線しようとすると、これらの領域１２、１４に他の信号線を配線することが難しくなり、配線効率が低下する。また電源線を迂回して配線すると、電源インピーダンスが上昇して、電源供給能力が低下するおそれがある。

そこで本実施形態では、信号線のみならず電源線についてもグローバル線で配線している。例えば図１５では、電源回路ブロックＰＢで生成されたＭＶやＬＶの電源を、電源用グローバル線ＧＰＤを用いてデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２に供給している。そして、供給されたＭＶの電源によりデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２内のＤ／Ａ変換器、演算増幅器等が動作する。また、供給されたＬＶの電源によりデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２内のラッチ回路等が動作する。また図１５では、電源回路ブロックＰＢで生成されたＬＶの電源を、電源用グローバル線ＧＰＬを用いてロジック回路ブロックＬＢに供給している。このようにすれば、ロジック回路ブロックＬＢは、外部からデジタル電源が供給されなくても、電源回路ブロックＰＢからのＬＶの電源で動作できるようになる。

そして図１５では、電源回路ブロックＰＢからのグローバル線ＧＰＤ、ＧＰＬが、ほぼ一直線でデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２、ロジック回路ブロックＬＢに配線されるため、電源インピーダンスの上昇を最低限に抑えることができ、安定した電源供給が可能になる。

また図１５では、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２は、電源回路ブロックＰＢとロジック回路ブロックＬＢの間に配置される。また図１５では、集積回路装置の両端に走査ドライバブロックＳＢ１、ＳＢ２が配置される。即ちロジック回路ブロックＬＢのＤ１方向側に走査ドライバブロックＳＢ１が配置され、電源回路ブロックＰＢのＤ３方向側に走査ドライバブロックＳＢ２が配置される。

そしてこのように集積回路装置の両端に走査ドライバブロックＳＢ１、ＳＢ２を配置した場合には、走査信号が出力される走査ドライバ用パッドについても、集積回路装置の両端に配置することが、配線効率を考慮すると望ましい。一方、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２は、集積回路装置の中央付近に配置される。従って、データ信号が出力されるデータドライバ用パッドについては、集積回路装置の中央付近に配置することが、配線効率を考慮すると望ましい。

このため図１５では、走査ドライバ用パッドの配置領域を出力側Ｉ／Ｆ領域１２の両端に設け、これらの走査ドライバ用パッド配置領域の間に、データドライバ用パッドの配置領域を設けている。こうすることで、走査ドライバブロックＳＢ１、ＳＢ２の出力線やデータドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２の出力線を、走査ドライバ用パッド配置領域のパッドやデータドライバ用パッド配置領域のパッドに対して、効率良く接続できる。

特に図１５では、回路面積が大きい電源回路ブロックＰＢやロジック回路ブロックＬＢを、データドライバブロックＤＢ１、ＤＢ２の両側に配置している。このようにすれば、これらの回路面積が大きい電源回路ブロックＰＢやロジック回路ブロックＬＢのＤ２方向側の空き領域（Ｂ１、Ｂ２に示す領域）を有効活用して、走査ドライバ用パッド配置領域を形成できる。従って、出力側Ｉ／Ｆ領域１２での配線効率を向上でき、集積回路装置のＤ２方向での幅Ｗを小さくでき、スリムな細長の集積回路装置を実現できる。

４．５ シールド線
図１６に、走査ドライバブロックＳＢ１とロジック回路ブロックＬＢの付近の詳細なレイアウトを示す。図１６では、走査ドライバブロックＳＢ１の出力線である走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１が、ロジック回路ブロックＬＢ上を、走査ドライバブロックＳＢ１から、出力側Ｉ／Ｆ領域１２の走査ドライバ用パッドに対して配線される。また図１７に、走査ドライバブロックＳＢ２と電源回路ブロックＰＢの付近の詳細なレイアウトを示す。図１７では、走査ドライバブロックＳＢ２の出力線である走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ２が、電源回路ブロックＰＢ上を、走査ドライバブロックＳＢ２から、出力側Ｉ／Ｆ領域１２の走査ドライバ用パッドに対して配線される。

図１６、図１７において、走査ドライバ用パッドの個数は多く、走査ドライバブロックＳＢ１、ＳＢ２の出力線の本数も多い。このため走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１、ＧＬＳ２の配線領域の占有面積も大きくなる。この結果、図１６、図１７では、ロジック回路ブロックＬＢ上や電源回路ブロックＰＢ上に、走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１、ＧＬＳ２の配線領域が広く形成される。

そして走査ドライバブロックＳＢ１、ＳＢ２の出力トランジスタは、例えば３０Ｖというような高い電源電圧（ＨＶ）で動作する。従って、走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１、ＧＬＳ２が、図１６、図１７のようにロジック回路ブロックＬＢや電源回路ブロックＰＢ上に配線されると、走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１、ＧＬＳ２の電圧レベルの変化によるノイズが、寄生のカップリング容量を介してロジック回路ブロックＬＢや電源回路ブロックＰＢ内の回路や信号線に伝達される。この結果、回路が誤動作するなどの問題が生じるおそれがある。

そこで本実施形態では、ロジック回路ブロックＬＢや電源回路ブロックＰＢにおいて、走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１やＧＬＳ２の下層に、シールド線を配線している。具体的には、走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１、ＧＬＳ２が第５のアルミ配線層ＡＬＥで形成される場合には、その下層の第４のアルミ配線層ＡＬＤ等で形成されるシールド線を配線する。

図１８にシールド線のレイアウト例を示す。図１８において、走査ドライバブロックＳＢ１からの走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１は、ロジック回路ブロックＬＢ上を通って、走査ドライバ用パッドＰｎ、Ｐｎ＋１、Ｐｎ＋２・・・に配線される。そしてロジック回路ブロックＬＢでは、これらの走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１の下層に、シールド線ＳＤＬ１、ＳＤＬ２、ＳＤＬ３・・・・が配線される。このようなシールド線を配線すれば、走査ドライバ用グローバル線ＧＬＳ１の電圧レベルの変化によるノイズが、カップリング容量によりロジック回路ブロックＬＢ内の回路や信号線に伝達するのが防止される。この結果、これらの回路の誤動作を防止できる。

なお本実施形態では、図１１、図１２（Ａ）（Ｂ）のように隣接しない回路ブロック間にグローバル線を配線した場合には、隣接しない回路ブロックの間に介在する回路ブロックにおいて、グローバル線の下層にシールド線を配線している。例えば図１２（Ｂ）では、隣接しない階調電圧生成回路ブロックＧＢとデータドライバブロックＤＢ１の間に、階調用グローバル線ＧＬＧを配線している。このような場合には、隣接しない階調電圧生成回路ブロックＧＢとデータドライバブロックＤＢ１の間に介在する回路ブロックであるメモリブロックＭＢ１において、グローバル線ＧＬＧの下層にシールド線を配線する。具体的には、メモリブロックＭＢ１のビット線とグローバル線ＧＬＧとの間にシールド線を配線する。

即ち階調用グローバル線ＧＬＧを、メモリブロックＭＢ１上に配線すると、次のような問題が生じるおそれがある。例えば図１９（Ａ）では、ワード線ＷＬがアクティブになり、ビット線ＢＬの電圧レベルの方がビット線ＸＢＬの電圧レベルよりも高くなることで、センスアンプの出力ＳＡＱが、正常な論理「１」を出力している。

これに対して図１９（Ｂ）では、グローバル線ＧＬＧの電圧レベルが変化することで、ＧＬＧとその下層のビット線ＸＢＬとの間のカップリング容量によりＸＢＬの電圧レベルが変化してしまう。これによりセンスアンプの出力ＳＡＱが、異常な論理「０」を出力するおそれがある。

そこで本実施形態では、メモリブロックにおいて、ビット線の上層にシールド線を配線し、シールド線の上層に、階調電圧生成回路ブロックからの階調用グローバル線を配線している。

例えば図２０（Ａ）に横型セルの場合のシールド線ＳＤＬの配線例を示す。図２０（Ａ）では、最下層の第１のアルミ配線層ＡＬＡはノード接続に使用され、その上層の第２のアルミ配線層ＡＬＢは、ビット線ＢＬ、ＸＢＬと、ＶＤＤの電源線に使用される。また第３のアルミ配線層ＡＬＣは、ワード線ＷＬと、ＶＳＳの電源線に使用され、第４のアルミ配線層ＡＬＤは、ＶＳＳに接続されるシールド線ＳＤＬに使用される。また最上層の第５のアルミ配線層ＡＬＥは、グローバル線ＧＬＧ（階調電圧出力線）に使用される。

また図２０（Ｂ）に縦型セルの場合のシールド線ＳＤＬの配線例を示す。図２０（Ｂ）では、ＡＬＡはノード接続に使用され、ＡＬＢはワード線ＷＬとＶＤＤ電源線に使用される。またＡＬＣは、ビット線ＢＬ、ＸＢＬとＶＳＳの電源線に使用され、ＡＬＤは、シールド線ＳＤＬに使用される。またＡＬＥはグローバル線ＧＬＧに使用される。

そして図２０（Ａ）（Ｂ）では共に、ビット線ＢＬ、ＸＢＬがＤ１方向（集積回路装置の長辺方向）に沿って配線され、シールド線ＳＤＬがビット線ＢＬ、ＸＢＬにオーバラップするようにＤ１方向に配線される。即ちシールド線ＳＤＬがビット線ＢＬ、ＸＢＬを覆うようにＢＬ、ＸＢＬの上層に形成される。

このようにすれば、グローバル線ＧＬＧの電圧レベルの変化がカップリング容量によりビット線ＢＬ、ＸＢＬに伝わるのをシールドできる。従って、ビット線ＢＬ、ＸＢＬの電圧レベルが変化してセンスアンプが誤出力してしまう事態を防止できる。

なお図２０（Ａ）（Ｂ）に示すようにシールド線ＳＤＬを各メモリセルに配線すれば、シールド線ＳＤＬがベタ配線にならず、シールド線間にスリットが形成されるようになる。このようなスリットが形成されることで、金属層と絶縁膜の間の脱ガスが可能になり、信頼性や歩留まりの向上を図れる。

また図２０（Ｂ）では、隣り合うシールド線ＳＤＬの間のスリットの場所に、ＶＳＳの電源線が配線される。このようにすれば、上方向のシールドはシールド線ＳＤＬにより実現し、横方向のシールドはＶＳＳの電源線により実現できるため、効果的なシールドが可能になる。

４．６ ロジック回路、階調電圧生成回路の配置
図２１にロジック回路ブロックＬＢ、階調電圧生成回路ブロックＧＢの詳細なレイアウト例を示す。図２１では、ロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢはＤ１方向において隣接して配置される。また図２１ではバッファ回路ＢＦＬが設けられる。このバッファ回路ＢＦＬは、入力側Ｉ／Ｆ領域１４（第２のインターフェース領域）に配置されるロジック用パッドからの信号（ロジック信号）をバッファリングするバッファを含む。そして図２１では、このバッファ回路ＢＦＬが、ロジック回路ブロックＬＢ及び階調電圧生成回路ブロックＧＢのＤ４方向側に配置される。またロジック用パッドからバッファ回路ＢＦＬへのグローバル線ＧＬＢＦが、入力側Ｉ／Ｆ領域１４上をＤ１方向に沿って配線される。

なおロジック回路ブロックＬＢはＬＶの電圧レベル（第１の電圧レベル）の電源で動作する。そしてバッファ回路ＢＦＬは、ロジック用パッドからの信号の電圧レベルを、ＬＶの電圧レベルに変換するレベルシフタを含む。このようなレベルシフタを設ければ、入力側Ｉ／Ｆ領域１４のＩ／Ｏ電源の電圧レベルと、ロジック回路ブロックＬＢのＬＶ電源の電圧レベルが異なる場合にも、このＩ／Ｏ電源の電圧レベルをＬＶの電圧レベルに変換できる。これにより、ロジック用パッドからの入力信号の電圧レベルをＬＶの電圧レベルに変換してロジック回路ブロックＬＢに供給できるようになる。

前述のように、階調調整のための調整データのビット数は非常に多い。このため図２１では、ロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢを隣接配置すると共に、ＬＢとＧＢの間に、調整データを供給するためのローカル線ＬＬＧを配線している。

一方、表示ドライバはＭＰＵインターフェースやＲＧＢインターフェースなどのインターフェースを備えており、ロジック用パッドからの入力信号の本数も多い。従ってロジック回路ブロックＬＢには、ロジック用パッドからの多数の入力信号を接続する必要がある。

そこで図２１では、ロジック回路ブロックＬＢと階調電圧生成回路ブロックＧＢを隣接配置することで生じるＤ４方向側の空き領域を有効活用し、この空き領域にバッファ回路ＢＦＬを配置している。即ちロジック回路ブロックＬＢ及び階調電圧生成回路ブロックＧＢのＤ４方向側にバッファ回路ＢＦＬを配置している。

このような配置にすれば、バッファ回路ＢＦＬ、ロジック回路ブロックＬＢ、階調電圧生成回路ブロックＧＢのＤ１方向での幅を、各々、ＷＢＦ、ＷＬＢ、ＷＧＢとした場合に、ＷＢＦ＝ＷＬＢ＋ＷＧＢの関係が成り立つようになる。即ち、バッファ回路ＢＦＬのＤ２方向での幅ＷＢＦを、ロジック回路ブロックＬＢのＤ２方向での幅ＷＬＢよりも長くすることができる。これにより、ロジック用パッドからの多数の信号を、それほど配線領域を占めることなく、バッファ回路ＢＦＬに入力できるようになり、配線効率を向上できる。

即ちバッファ回路ＢＦＬの幅ＷＢＦが、ロジック回路ブロックＬＢの幅ＷＬＢ程度であると、ロジック用パッドからの多数の入力信号をバッファ回路ＢＦＬに接続するのが難しくなる。この点、図２１では、バッファ回路ＢＦＬの幅ＷＢＦを長くできるため、配線領域が小さい簡素なレイアウトで、多数の入力信号をバッファ回路に接続できるようになり、レイアウト効率を向上できる。

なお図２２に、集積回路装置のＤ２方向に沿った断面図の変形例を示す。図２２では、出力側Ｉ／Ｆ領域１２のパッドの下層に、ＥＳＤ素子（静電気保護素子）や、走査ドライバの出力トランジスタなどが配置されている。また入力側Ｉ／Ｆ領域１４のパッドの下層に、ＥＳＤ素子や、電源回路の昇圧トランジスタが配置される。また図２２では、パッドの外周に配線領域を設けている。具体的には、パッドの外周をグローバル配線領域として使用し、アルミ配線層で形成される電源線を配線している。このようにすれば、例えばＥＳＤ素子の存在により、パッドの下層の配線層を電源線に使用できなかったような場合にも、パッド外周のグローバル配線領域を利用して、電源線を配線できるようになり、配線効率を向上できる。

５．データドライバブロック、メモリブロックの詳細
５．１ ブロック分割
図２３（Ａ）に示すように表示パネルが、垂直走査方向（データ線方向）での画素数がＶＰＮ＝３２０であり、水平走査方向（走査線方向）での画素数がＨＰＮ＝２４０であるＱＶＧＡのパネルであったとする。また１画素分の画像（表示）データのビット数ＰＤＢが、Ｒ、Ｇ、Ｂの各々が６ビットであり、ＰＤＢ＝１８ビットであったとする。この場合には、表示パネルの１フレーム分の表示に必要な画像データのビット数は、ＶＰＮ×ＨＰＮ×ＰＤＢ＝３２０×２４０×１８ビットになる。従って集積回路装置のメモリは、少なくとも３２０×２４０×１８ビット分の画像データを記憶することになる。またデータドライバは、１水平走査期間毎（１本の走査線が走査される期間毎）に、ＨＰＮ＝２４０本分のデータ信号（２４０×１８ビット分の画像データに対応するデータ信号）を表示パネルに対して出力する。

そして図２３（Ｂ）では、データドライバは、ＤＢＮ＝４個のデータドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４に分割される。またメモリも、ＭＢＮ＝ＤＢＮ＝４個のメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４に分割される。即ち、例えばデータドライバブロック、メモリブロック、パッドブロックをマクロセル化した４個のドライバマクロセルＤＭＣ１、ＤＭＣ２、ＤＭＣ３、ＤＭＣ４がＤ１方向に沿って配置される。従って、各データドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４は、１水平走査期間毎にＨＰＮ／ＤＢＮ＝２４０／４＝６０本分のデータ信号を表示パネルに出力する。また各メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４は、（ＶＰＮ×ＨＰＮ×ＰＤＢ）／ＭＢＮ＝（３２０×２４０×１８）／４ビット分の画像データを記憶する。
５．２ １水平走査期間に複数回読み出し
図２３（Ｂ）では、各データドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４は、１水平走査期間に６０本分（Ｒ、Ｇ、Ｂを３本とすると、６０×３＝１８０本）のデータ信号を出力する。従ってＤＢ１〜ＤＢ４に対応するメモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４からは、１水平走査期間毎に２４０本分のデータ信号に対応する画像データを読み出す必要がある。

しかしながら、１水平走査期間毎に読み出す画像データのビット数が増えると、Ｄ２方向に並ぶメモリセル（センスアンプ）の個数を多くする必要が生じる。この結果、集積回路装置のＤ２方向での幅Ｗが大きくなり、チップのスリム化が妨げられる。またワード線ＷＬが長くなり、ＷＬの信号遅延の問題も招く。

そこで本実施形態では、各メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４から各データドライバブロックＤＢ１〜ＤＢ４に対して、各メモリブロックＭＢ１〜ＭＢ４に記憶される画像データを１水平走査期間において複数回（ＲＮ回）読み出す手法を採用している。

例えば図２４ではＡ１、Ａ２に示すように、１水平走査期間においてＲＮ＝２回だけメモリアクセス信号ＭＡＣＳ（ワード選択信号）がアクティブ（ハイレベル）になる。これにより各メモリブロックから各データドライバブロックに対して画像データが１水平走査期間においてＲＮ＝２回読み出される。すると、データドライバブロック内に設けられた図２５の第１、第２のデータドライバＤＲａ、ＤＲｂが含むデータラッチ回路が、Ａ３、Ａ４に示すラッチ信号ＬＡＴａ、ＬＡＴｂに基づいて、読み出された画像データをラッチする。そして第１、第２のデータドライバＤＲａ、ＤＲｂが含むＤ／Ａ変換回路が、ラッチされた画像データのＤ／Ａ変換を行い、ＤＲａ、ＤＲｂが含む出力回路が、Ｄ／Ａ変換により得られたデータ信号ＤＡＴＡａ、ＤＡＴＡｂをＡ５、Ａ６に示すようにデータ信号出力線に出力する。その後、Ａ７に示すように、表示パネルの各画素のＴＦＴのゲートに入力される走査信号ＳＣＳＥＬがアクティブになり、データ信号が表示パネルの各画素に入力されて保持される。

なお図２４では第１の水平走査期間で画像データを２回読み出し、同じ第１の水平走査期間においてデータ信号ＤＡＴＡａ、ＤＡＴＡｂをデータ信号出力線に出力している。しかしながら、第１の水平走査期間で画像データを２回読み出してラッチしておき、次の第２の水平走査期間で、ラッチされた画像データに対応するデータ信号ＤＡＴＡａ、ＤＡＴＡｂをデータ信号出力線に出力してもよい。また図２４では、読み出し回数ＲＮ＝２である場合を示しているが、ＲＮ≧３であってもよい。

図２４の手法によれば、図２５に示すように、各メモリブロックから３０本分のデータ信号に対応する画像データが読み出され、各データドライバＤＲａ、ＤＲｂが３０本分のデータ信号を出力する。これにより各データドライバブロックからは６０本分のデータ信号が出力される。このように図２４では、各メモリブロックからは、１回の読み出しにおいて３０本分のデータ信号に対応する画像データを読み出せば済むようになる。従って１水平走査期間に１回だけ読み出す手法に比べて、図２５のＤ２方向でのメモリセル、センスアンプの個数を少なくすることが可能になる。この結果、集積回路装置のＤ２方向での幅を小さくでき、超スリムな細長チップを実現できる。特に１水平走査期間の長さは、ＱＶＧＡの場合は５２μｓｅｃ程度である。一方、メモリの読み出し時間は例えば４０ｎｓｅｃ程度であり、５２μｓｅｃに比べて十分に短い。従って、１水平走査期間での読み出し回数を１回から複数回に増やしたとしても、表示特性に与える影響はそれほど大きくない。

また図２３（Ａ）はＱＶＧＡ（３２０×２４０）の表示パネルであるが、１水平走査期間での読み出し回数を例えばＲＮ＝４にすれば、ＶＧＡ（６４０×４８０）の表示パネルに対応することも可能になり、設計の自由度を増すことができる。

なお１水平走査期間での複数回読み出しは、各メモリブロック内で異なる複数のワード線をローアドレスデコーダ（ワード線選択回路）が１水平走査期間において選択する第１の手法で実現してもよいし、各メモリブロック内で同じワード線をローアドレスデコーダ（ワード線選択回路）が１水平走査期間において複数回選択する第２の手法で実現してもよい。或いは第１、第２の手法の両方の組み合わせにより実現してもよい。

５．３ データドライバ、ドライバセルの配置
図２５にデータドライバと、データドライバが含むドライバセルの配置例を示す。図２５に示すように、データドライバブロックは、Ｄ１方向に沿ってスタック配置される複数のデータドライバＤＲａ、ＤＲｂ（第１〜第ｍのデータドライバ）を含む。また各データドライバＤＲａ、ＤＲｂは、複数の３０個（広義にはＱ個）のドライバセルＤＲＣ１〜ＤＲＣ３０を含む。

第１のデータドライバＤＲａは、メモリブロックのワード線ＷＬ１ａが選択され、図２４のＡ１に示すように１回目の画像データがメモリブロックから読み出されると、Ａ３に示すラッチ信号ＬＡＴａに基づいて、読み出された画像データをラッチする。そしてラッチされた画像データのＤ／Ａ変換を行い、１回目の読み出し画像データに対応するデータ信号ＤＡＴＡａを、Ａ５に示すようにデータ信号出力線に出力する。

一方、第２のデータドライバＤＲｂは、メモリブロックのワード線ＷＬ１ｂが選択され、図２４のＡ２に示すように２回目の画像データがメモリブロックから読み出されると、Ａ４に示すラッチ信号ＬＡＴｂに基づいて、読み出された画像データをラッチする。そしてラッチされた画像データのＤ／Ａ変換を行い、２回目の読み出し画像データに対応するデータ信号ＤＡＴＡｂを、Ａ６に示すようにデータ信号出力線に出力する。

このようにして、各データドライバＤＲａ、ＤＲｂが３０個の画素に対応する３０本分のデータ信号を出力することで、合計で６０個の画素に対応する６０本分のデータ信号が出力されるようになる。

図２５のように、複数のデータドライバＤＲａ、ＤＲｂをＤ１方向に沿って配置（スタック）するようにすれば、データドライバの規模の大きさが原因になって集積回路装置のＤ２方向での幅Ｗが大きくなってしまう事態を防止できる。またデータドライバは、表示パネルのタイプに応じて種々の構成が採用される。この場合にも、複数のデータドライバをＤ１方向に沿って配置する手法によれば、種々の構成のデータドライバを効率良くレイアウトすることが可能になる。なお図２５ではＤ１方向でのデータドライバの配置数が２個である場合を示しているが、配置数は３個以上でもよい。

また図２５では、各データドライバＤＲａ、ＤＲｂは、Ｄ２方向に沿って並んで配置される３０個（Ｑ個）のドライバセルＤＲＣ１〜ＤＲＣ３０を含む。ここでドライバセルＤＲＣ１〜ＤＲＣ３０の各々は、１画素分の画像データを受ける。そして１画素分の画像データのＤ／Ａ変換を行い、１画素分の画像データに対応するデータ信号を出力する。このドライバセルＤＲＣ１〜ＤＲＣ３０の各々は、データのラッチ回路や、図１０（Ａ）のＤＡＣ（１画素分のＤＡＣ）や、図１０（Ｂ）（Ｃ）の出力部ＳＱを含むことができる。

そして図２５において、表示パネルの水平走査方向の画素数（複数の集積回路装置により分担して表示パネルのデータ線を駆動する場合には、各集積回路装置が受け持つ水平走査方向の画素数）をＨＰＮとし、データドライバブロックのブロック数（ブロック分割数）をＤＢＮとし、ドライバセルに対して１水平走査期間に入力される画像データの入力回数をＩＮとしたとする。なおＩＮは、図２４で説明した１水平走査期間での画像データの読み出し回数ＲＮと等しくなる。この場合に、Ｄ２方向に沿って並ぶドライバセルＤＲＣ１〜ＤＲＣ３０の個数Ｑは、Ｑ＝ＨＰＮ／（ＤＢＮ×ＩＮ）と表すことができる。図２５の場合には、ＨＰＮ＝２４０、ＤＢＮ＝４、ＩＮ＝２であるため、Ｑ＝２４０／（４×２）＝３０個になる。

なおドライバセルＤＲＣ１〜ＤＲ３０のＤ２方向での幅（ピッチ）をＷＤとし、データドライバブロックが含む周辺回路部分（バッファ回路、配線領域等）のＤ２方向での幅をＷＰＣＢとした場合に、第１〜第Ｎの回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ２方向での幅ＷＢ（最大幅）は、Ｑ×ＷＤ≦ＷＢ＜（Ｑ＋１）×ＷＤ＋ＷＰＣＢと表すことができる。またメモリブロックが含む周辺回路部分（ローアドレスデコーダＲＤ、配線領域等）のＤ２方向での幅をＷＰＣとした場合には、Ｑ×ＷＤ≦ＷＢ＜（Ｑ＋１）×ＷＤ＋ＷＰＣと表すことができる。

また表示パネルの水平走査方向の画素数をＨＰＮとし、１画素分の画像データのビット数をＰＤＢとし、メモリブロックのブロック数をＭＢＮ（＝ＤＢＮ）とし、１水平走査期間においてメモリブロックから読み出される画像データの読み出し回数をＲＮとしたとする。この場合に、センスアンプブロックＳＡＢにおいてＤ２方向に沿って並ぶセンスアンプ（１ビット分の画像データを出力するセンスアンプ）の個数Ｐは、Ｐ＝（ＨＰＮ×ＰＤＢ）／（ＭＢＮ×ＲＮ）と表すことができる。図２５の場合には、ＨＰＮ＝２４０、ＰＤＢ＝１８、ＭＢＮ＝４、ＲＮ＝２であるため、Ｐ＝（２４０×１８）／（４×２）＝５４０個になる。なお個数Ｐは、有効メモリセル数に対応する有効センスアンプ数であり、ダミーメモリセル用のセンスアンプ等の有効ではないセンスアンプの個数は含まない。

またセンスアンプブロックＳＡＢが含む各センスアンプのＤ２方向での幅（ピッチ）をＷＳとした場合には、センスアンプブロックＳＡＢ（メモリブロック）のＤ２方向での幅ＷＳＡＢは、ＷＳＡＢ＝Ｐ×ＷＳと表すことができる。そして、回路ブロックＣＢ１〜ＣＢＮのＤ２方向での幅ＷＢ（最大幅）は、メモリブロックが含む周辺回路部分のＤ２方向での幅をＷＰＣとした場合には、Ｐ×ＷＳ≦ＷＢ＜（Ｐ＋ＰＤＢ）×ＷＳ＋ＷＰＣと表すこともできる。

５．４ データドライバブロックのレイアウト
図２６にデータドライバブロックの更に詳細なレイアウト例を示す。図２６では、データドライバブロックは、その各々が１サブピクセル分の画像データに対応するデータ信号を出力する複数のサブピクセルドライバセルＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０を含む。そしてこのデータドライバブロックでは、Ｄ１方向（サブピクセルドライバセルの長辺に沿った方向）に沿って複数のサブピクセルドライバセルが配置されると共にＤ１方向に直交するＤ２方向に沿って複数のサブピクセルドライバセルが配置される。即ちサブピクセルドライバセルＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０がマトリクス配置される。そしてデータドライバブロックの出力線と表示パネルのデータ線とを電気的に接続するためのパッド（パッドブロック）が、データドライバブロックのＤ２方向側に配置される。

例えば図２５のデータドライバＤＲａのドライバセルＤＲＣ１は、図２６のサブピクセルドライバセルＳＤＣ１、ＳＤＣ２、ＳＤＣ３により構成される。ここでＳＤＣ１、ＳＤＣ２、ＳＤＣ３は、各々、Ｒ（赤）用、Ｇ（緑）用、Ｂ（青）用のサブピクセルドライバセルであり、１本目のデータ信号に対応するＲ、Ｇ、Ｂの画像データ（Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１）がメモリブロックから入力される。そしてサブピクセルドライバセルＳＤＣ１、ＳＤＣ２、ＳＤＣ３は、これらの画像データ（Ｒ１、Ｇ１、Ｂ１）のＤ／Ａ変換を行い、１本目のＲ、Ｇ、Ｂのデータ信号（データ電圧）を、１本目のデータ線に対応するＲ、Ｇ、Ｂ用のパッドに出力する。

同様にドライバセルＤＲＣ２は、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用のサブピクセルドライバセルＳＤＣ４、ＳＤＣ５、ＳＤＣ６により構成され、２本目のデータ信号に対応するＲ、Ｇ、Ｂの画像データ（Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２）がメモリブロックから入力される。そしてサブピクセルドライバセルＳＤＣ４、ＳＤＣ５、ＳＤＣ６は、これらの画像データ（Ｒ２、Ｇ２、Ｂ２）のＤ／Ａ変換を行い、２本目のＲ、Ｇ、Ｂのデータ信号（データ電圧）を、２本目のデータ線に対応するＲ、Ｇ、Ｂ用のパッドに出力する。他のサブピクセルドライバセルも同様である。

なおサブピクセルの数は３個に限定されず、４個以上であってもよい。またサブピクセルドライバセルの配置も図２６に限定されず、Ｒ用、Ｇ用、Ｂ用のサブピクセルドライバセルを例えばＤ２方向に沿ってスタック配置してもよい。

５．５ メモリブロックのレイアウト
図２７にメモリブロックのレイアウト例を示す。図２７は、メモリブロックのうちの１画素（Ｒ、Ｇ、Ｂが各々６ビットで合計１８ビット）に対応する部分を詳細に示している。

センスアンプブロックのうち１画素に対応する部分は、Ｒ用のセンスアンプＳＡＲ０〜ＳＡＲ５と、Ｇ用のセンスアンプＳＡＧ０〜ＳＡＧ５と、Ｂ用のセンスアンプＳＡＢ０〜ＳＡＢ５を含む。また図２７では、２個（広義には複数）のセンスアンプ（及びバッファ）がＤ１方向にスタック配置される。そしてスタック配置されたセンスアンプＳＡＲ０、ＳＡＲ１のＤ１方向側にＤ１方向に沿って並ぶ２行のメモリセル列のうち、上側の行のメモリセル列のビット線は例えばＳＡＲ０に接続され、下側の行のメモリセル列のビット線は例えばＳＡＲ１に接続される。そしてＳＡＲ０、ＳＡＲ１は、メモリセルから読み出された画像データの信号増幅を行い、これによりＳＡＲ０、ＳＡＲ１から２ビットの画像データが出力されるようになる。他のセンスアンプとメモリセルの関係についても同様である。

図２７の構成の場合には、図２４に示す１水平走査期間での画像データの複数回読み出しは、次のようにして実現できる。即ち第１の水平走査期間（第１の走査線の選択期間）においては、まずワード線ＷＬ１ａを選択して画像データの１回目の読み出しを行い、図２４のＡ５に示すように１回目のデータ信号ＤＡＴＡａを出力する。この場合にはセンスアンプＳＡＲ０〜ＳＡＲ５、ＳＡＧ０〜ＳＡＧ５、ＳＡＢ０〜ＳＡＢ５からのＲ、Ｇ、Ｂの画像データは、各々、サブピクセルドライバセルＳＤＣ１、ＳＤＣ２、ＳＤＣ３に入力される。次に、同じ第１の水平走査期間においてワード線ＷＬ１ｂを選択して画像データの２回目の読み出しを行い、図２４のＡ６に示すように２回目のデータ信号ＤＡＴＡｂを出力する。この場合にはセンスアンプＳＡＲ０〜ＳＡＲ５、ＳＡＧ０〜ＳＡＧ５、ＳＡＢ０〜ＳＡＢ５からのＲ、Ｇ、Ｂの画像データは、各々、図２６のサブピクセルドライバセルＳＤＣ９１、ＳＤＣ９２、ＳＤＣ９３に入力される。また次の第２の水平走査期間（第２の走査線の選択期間）においては、まずワード線ＷＬ２ａを選択して画像データの１回目の読み出しを行い、１回目のデータ信号ＤＡＴＡａを出力する。次に、同じ第２の水平走査期間においてワード線ＷＬ２ｂを選択して画像データの２回目の読み出しを行い、２回目のデータ信号ＤＡＴＡｂを出力する。

なおセンスアンプをＤ１方向にスタック配置しない変形実施も可能である。またカラム選択信号を用いて、各センスアンプに接続するメモリセルの列を切り替えるようにしてもよい。この場合には、メモリブロック内において同じワード線を１水平走査期間において複数回選択することで、１水平走査期間での複数回読み出しを実現できる。

５．６ サブピクセルドライバセルのレイアウト
図２８にサブピクセルドライバセルの詳細なレイアウト例を示す。図２８に示すように各サブピクセルドライバセルＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０は、ラッチ回路ＬＡＴ、レベルシフタＬ／Ｓ、Ｄ／Ａ変換器ＤＡＣ、出力部ＳＳＱを含む。なおラッチ回路ＬＡＴとレベルシフタＬ／Ｓの間に、階調制御のためのＦＲＣ（Frame Rate Control）回路などの他のロジック回路を設けてもよい。

各サブピクセルドライバセルが含むラッチ回路ＬＡＴは、メモリブロックＭＢ１からの１サブピクセル分である６ビットの画像データをラッチする。レベルシフタＬ／Ｓは、ラッチ回路ＬＡＴからの６ビットの画像データ信号の電圧レベルを変換する。Ｄ／Ａ変換器ＤＡＣは、階調電圧を用いて、６ビットの画像データのＤ／Ａ変換を行う。出力部ＳＳＱは、Ｄ／Ａ変換器ＤＡＣの出力信号のインピーダンス変換を行う演算増幅器ＯＰ（ボルテージフォロワ接続）を有し、１サブピクセルに対応する１本のデータ線を駆動する。なお出力部ＳＳＱは、演算増幅器ＯＰ以外にも、ディスチャージ用、８色表示用、ＤＡＣ駆動用のトランジスタ（スイッチ素子）を含むことができる。

そして図２８に示すように各サブピクセルドライバセルは、ＬＶ（Low Voltage）の電
圧レベル（広義には第１の電圧レベル）の電源で動作する回路が配置されるＬＶ領域（広義には第１の回路領域）と、ＬＶよりも高いＭＶ（Middle Voltage）の電圧レベル（広義には第２の電圧レベル）の電源で動作する回路が配置されるＭＶ領域（広義には第２の回路領域）を有する。ここでＬＶは、ロジック回路ブロックＬＢ、メモリブロックＭＢ等の動作電圧である。またＭＶは、Ｄ／Ａ変換器、演算増幅器、電源回路等の動作電圧である。なお走査ドライバの出力トランジスタは、ＨＶ（High Voltage）の電圧レベル（広義には第３の電圧レベル）の電源が供給されて走査線を駆動する。

例えばサブピクセルドライバセルのＬＶ領域（第１の回路領域）には、ラッチ回路ＬＡＴ（或いはその他のロジック回路）が配置される。またＭＶ領域（第２の回路領域）にはＤ／Ａ変換器ＤＡＣや、演算増幅器ＯＰを有する出力部ＳＳＱが配置される。そしてレベルシフタＬ／Ｓが、ＬＶの電圧レベルの信号をＭＶの電圧レベルの信号に変換する。

なお図２８ではサブピクセルドライバセルＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０のＤ４方向側にバッファ回路ＢＦ１が設けられている。このバッファ回路ＢＦ１は、ロジック回路ブロックＬＢからのドライバ制御信号をバッファリングして、サブピクセルドライバセルＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０に出力する。別の言い方をすれば、ドライバ制御信号のリピータブロックとして機能する。

具体的にはバッファ回路ＢＦ１は、ＬＶ領域に配置されるＬＶバッファと、ＭＶ領域に配置されるＭＶバッファを含む。そしてＬＶバッファは、ロジック回路ブロックＬＢからのＬＶの電圧レベルのドライバ制御信号（ラッチ信号等）を受けてバッファリングし、そのＤ２方向側に配置されるサブピクセルドライバセルのＬＶ領域の回路（ＬＡＴ）に対して出力する。またＭＶバッファは、ロジック回路ブロックＬＢからのＬＶの電圧レベルのドライバ制御信号（ＤＡＣ制御信号、出力制御信号等）を受け、レベルシフタによりＭＶの電圧レベルに変換してバッファリングし、そのＤ２方向側に配置されるサブピクセルドライバセルのＭＶ領域の回路（ＤＡＣ、ＳＳＱ）に対して出力する。

そして本実施形態では図２８に示すように、各サブピクセルドライバセルのＭＶ領域同士（又はＬＶ領域同士）がＤ１方向に沿って隣接するようにサブピクセルドライバセルＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０が配置される。即ち隣接するサブピクセルドライバセルがＤ２方向に沿った隣接境界を挟んでミラー配置される。例えばサブピクセルドライバセルＳＤＣ１とＳＤＣ２はＭＶ領域が隣接するように配置される。またサブピクセルドライバセルＳＤＣ３とＳＤＣ９１もＭＶ領域が隣接するように配置される。なおサブピクセルドライバセルＳＤＣ２とＳＤＣ３はＬＶ領域同士が隣接するように配置される。

図２８のようにＭＶ領域が隣接するように配置すれば、サブピクセルドライバセル間にガードリング等を設ける必要がなくなる。従ってＭＶ領域とＬＶ領域を隣接させる手法に比べて、データドライバブロックのＤ１方向での幅を小さくでき、集積回路装置の小面積化を図れる。

また図２８の配置手法によれば、隣接するサブピクセルドライバセル（ドライバセル）のＭＶ領域を、サブピクセルドライバセル（ドライバセル）の出力信号の取り出し線の配線領域として有効利用でき、レイアウト効率を向上できる。

更に図２８の配置手法によれば、メモリブロックを、サブピクセルドライバセルのＬＶ領域（第１の回路領域）に対して隣接して配置できるようになる。例えば図２８において、メモリブロックＭＢ１は、サブピクセルドライバセルＳＤＣ１やＳＤＣ８８のＬＶ領域に隣接して配置される。またメモリブロックＭＢ２は、サブピクセルドライバセルＳＤＣ９３やＳＤＣ１８０のＬＶ領域に隣接して配置される。そしてメモリブロックＭＢ１、ＭＢ２はＬＶの電圧レベルの電源で動作する。従って、このようにサブピクセルドライバセルのＬＶ領域をメモリブロックに隣接して配置すれば、データドライバブロック及びメモリブロックにより構成されるドライバマクロセルのＤ１方向での幅を小さくでき、集積回路装置の小面積化を図れる。

なお集積回路装置がメモリブロックを含まない場合でも、図２８の手法によれば、図１４で説明したリピータブロックを、隣り合うサブピクセルドライバセルのＬＶ領域の間の領域に配置できる。これにより、ロジック回路ブロックＬＢからのＬＶの電圧レベルの信号（画像データ信号）をリピータブロックによりバッファリングして、サブピクセルドライバセルに入力することが可能になる。

６．電子機器
図２９（Ａ）（Ｂ）に本実施形態の集積回路装置１０を含む電子機器（電気光学装置）の例を示す。なお電子機器は図２９（Ａ）（Ｂ）に示されるもの以外の構成要素（例えばカメラ、操作部又は電源等）を含んでもよい。また本実施形態の電子機器は携帯電話機には限定されず、デジタルカメラ、ＰＤＡ、電子手帳、電子辞書、プロジェクタ、リアプロジェクションテレビ、或いは携帯型情報端末などであってもよい。

図２９（Ａ）（Ｂ）においてホストデバイス４１０は、例えばＭＰＵ（Micro Processor Unit）、ベースバンドエンジン（ベースバンドプロセッサ）などである。このホストデバイス４１０は、表示ドライバである集積回路装置１０の制御を行う。或いはアプリケーションエンジンやベースバンドエンジンとしての処理や、圧縮、伸長、サイジングなどのグラフィックエンジンとしての処理を行うこともできる。また図２９（Ｂ）の画像処理コントローラ（表示コントローラ）４２０は、ホストデバイス４１０に代行して、圧縮、伸長、サイジングなどのグラフィックエンジンとしての処理を行う。

表示パネル４００は、複数のデータ線（ソース線）と、複数の走査線（ゲート線）と、データ線及び走査線により特定される複数の画素を有する。そして、各画素領域における電気光学素子（狭義には、液晶素子）の光学特性を変化させることで、表示動作を実現する。この表示パネル４００は、ＴＦＴ、ＴＦＤなどのスイッチング素子を用いたアクティブマトリクス方式のパネルにより構成できる。なお表示パネル４００は、アクティブマトリクス方式以外のパネルであってもよいし、液晶パネル以外のパネルであってもよい。

図２９（Ａ）の場合には、集積回路装置１０としてメモリ内蔵のものを用いることができる。即ちこの場合には集積回路装置１０は、ホストデバイス４１０からの画像データを、一旦内蔵メモリに書き込み、書き込まれた画像データを内蔵メモリから読み出して、表示パネルを駆動する。一方、図２９（Ｂ）の場合には、集積回路装置１０としてメモリ非内蔵のものを用いることができる。即ちこの場合には、ホストデバイス４１０からの画像データは、画像処理コントローラ４２０の内蔵メモリに書き込まれる。そして集積回路装置１０は、画像処理コントローラ４２０の制御の下で、表示パネル４００を駆動する。

なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義または同義な異なる用語（第１のインターフェース領域、第２のインターフェース領域、第１の回路領域、第２の回路領域等）と共に記載された用語（出力側Ｉ／Ｆ領域、入力側Ｉ／Ｆ領域、ＬＶ領域、ＭＶ領域等）は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。

図１（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は本実施形態の比較例の説明図。 図２（Ａ）（Ｂ）は集積回路装置の実装についての説明図。 本実施形態の集積回路装置の構成例。 種々のタイプの表示ドライバとそれが内蔵する回路ブロックの例。 図５（Ａ）（Ｂ）は本実施形態の集積回路装置の平面レイアウト例。 図６（Ａ）（Ｂ）は集積回路装置の断面図の例。 集積回路装置の回路構成例。 図８（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はデータドライバ、走査ドライバの構成例。 図９（Ａ）（Ｂ）は電源回路、階調電圧生成回路の構成例。 図１０（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）はＤ／Ａ変換回路、出力回路の構成例。 本実施形態のグローバル配線手法の説明図。 図１２（Ａ）（Ｂ）も本実施形態のグローバル配線手法の説明図。 グローバル線の配線例。 リピータブロックの構成例。 電源用グローバル線の配線手法の説明図。 ロジック回路ブロック、走査ドライバブロックのレイアウト例。 電源回路ブロック、走査ドライバブロックのレイアウト例。 グローバル線のシールド手法の説明図。 図１９（Ａ）（Ｂ）はセンスアンプの誤動作の説明図。 図２０（Ａ）（Ｂ）はシールド線の配線手法の説明図。 ロジック用パッドからのグローバル線の配線手法の説明図。 集積回路装置の断面図の変形例。 図２３（Ａ）（Ｂ）はメモリやデータドライバのブロック分割手法の説明図。 １水平走査期間に画像データを複数回読み出す手法の説明図。 データドライバ、ドライバセルの配置例。 サブピクセルドライバセルの配置例。 センスアンプ、メモリセルの配置例。 サブピクセルドライバセルの構成例。 図２９（Ａ）（Ｂ）は電子機器の構成例。

符号の説明

ＣＢ１〜ＣＢＮ 第１〜第Ｎの回路ブロック、ＰＢ 電源回路ブロック、
ＤＢ、ＤＢ１、ＤＢ２ データドライバブロック、ＧＢ 階調電圧生成回路ブロック、
ＭＢ、ＭＢ１、ＭＢ２ メモリブロック、ＬＢ ロジック回路ブロック、
ＧＬＬ、ＧＬＰ、ＧＬＤ、ＧＬＭ、ＧＬＧ グローバル線、
ＬＬＧ、ＬＬＭ１、ＬＬＭ２ ローカル線、ＤＭＣ１〜ＤＭＣ４ ドライバマクロセル、ＤＲＣ１〜ＤＲＣ３０ ドライバセル、
ＳＤＣ１〜ＳＤＣ１８０ サブピクセルドライバセル、
１０ 集積回路装置、１２ 出力側Ｉ／Ｆ領域、１４ 入力側Ｉ／Ｆ領域、
２０ メモリ、２２ メモリセルアレイ、２４ ローアドレスデコーダ、
２６ カラムアドレスデコーダ、２８ ライト／リード回路、
４０ ロジック回路、４２ 制御回路、４４ 表示タイミング制御回路、
４６ ホストインターフェース回路、４８ ＲＧＢインターフェース回路、
５０ データドライバ、５２ データラッチ回路、５４ Ｄ／Ａ変換回路、
５６ 出力回路、７０ 走査ドライバ、７２ シフトレジスタ、
７３ 走査アドレス生成回路、７４ アドレスデコーダ、７６ レベルシフタ、
７８ 出力回路、９０ 電源回路、９２ 昇圧回路、９４ レギュレータ回路、
９６ ＶＣＯＭ生成回路、９８ 制御回路、１１０ 階調電圧生成回路、
１１２ 選択用電圧生成回路、１１４ 階調電圧選択回路、１１６ 調整レジスタ

Claims (14)

1. 集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、
   前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックのうちの隣接する回路ブロック間では、第Ｉ（Ｉは３以上の整数）の層よりも下層の配線層で形成されるローカル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として配線され、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックのうちの隣接しない回路ブロック間では、前記第Ｉの層以上の配線層で形成されるグローバル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線され、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
   データ線を駆動するための少なくとも１つのデータドライバブロックと、
   前記データドライバブロックを制御するロジック回路ブロックを含み、
   前記ロジック回路ブロックからのドライバ制御信号を前記データドライバブロックに供給するためのドライバ用グローバル線が、前記ロジック回路ブロックと前記データドライバブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されることを特徴とする集積回路装置。
2. 請求項１において、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
   階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックを含み、
   前記階調電圧生成回路ブロックからの階調電圧を前記データドライバブロックに供給するための階調用グローバル線が、前記階調電圧生成回路ブロックと前記データドライバブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されることを特徴とする集積回路装置。
3. 請求項２において、
   前記階調電圧生成回路ブロックとロジック回路ブロックは前記第１の方向に沿って隣接して配置されることを特徴とする集積回路装置。
4. 請求項１乃至３のいずれかにおいて、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
   画像データを記憶する少なくとも１つのメモリブロックを含み、
   前記ロジック回路ブロックからの少なくともライトデータ信号を前記メモリブロックに供給するためのメモリ用グローバル線が、前記ロジック回路ブロックと前記メモリブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されることを特徴とする集積回路装置。
5. 請求項４において、
   前記データドライバブロックと前記メモリブロックは前記第１の方向に沿って隣接して
   配置されることを特徴とする集積回路装置。
6. 請求項５において、
   前記ロジック回路ブロックからの少なくともライトデータ信号をバッファリングして前記メモリブロックに出力するバッファを含むリピータブロックを含み、
   前記リピータブロックと前記メモリブロックは前記第１の方向に沿って隣接して配置されることを特徴とする集積回路装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかにおいて、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
   電源電圧を生成する電源回路ブロックを含み、
   前記電源回路ブロックで生成された電源電圧を前記データドライバブロックに供給するための電源用グローバル線が、前記電源回路ブロックと前記データドライバブロックの間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線されることを特徴とする集積回路装置。
8. 請求項７において、
   前記データドライバブロックは、前記電源回路ブロックと前記ロジック回路ブロックの間に配置されることを特徴とする集積回路装置。
9. 集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、
   前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックのうちの隣接する回路ブロック間では、第Ｉ（Ｉは３以上の整数）の層よりも下層の配線層で形成されるローカル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として配線され、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックのうちの隣接しない回路ブロック間では、前記第Ｉの層以上の配線層で形成されるグローバル線が、信号線及び電源線の少なくとも一方として、隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロック上を前記第１の方向に沿って配線され、
   隣接しない回路ブロック間に介在する回路ブロックにおいて、前記グローバル線の下層にシールド線が配線され、
   前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
   画像データを記憶するメモリブロックを含み、
   前記メモリブロックのビット線と前記グローバル線との間に前記シールド線が配線されることを特徴とする集積回路装置。
10. 集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、
    前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、
    前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、
    前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
    走査線を駆動するための走査ドライバブロックと、
    前記走査ドライバブロックを制御するロジック回路ブロックを含み、
    前記走査ドライバブロックの出力線である走査ドライバ用グローバル線が、前記ロジック回路ブロック上を、前記走査ドライバブロックから、前記第１のインターフェース領域に配置される走査ドライバ用パッドに対して配線され、
    前記ロジック回路ブロックでは、前記走査ドライバ用グローバル線の下層にシールド線が配線されることを特徴とする集積回路装置。
11. 集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の
    方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、
    前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、
    前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、
    前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
    走査線を駆動するための走査ドライバブロックと、
    電源電圧を生成する電源回路ブロックを含み、
    前記走査ドライバブロックの出力線である走査ドライバ用グローバル線が、前記電源回路ブロック上を、前記走査ドライバブロックから、前記第１のインターフェース領域に配置される走査ドライバ用パッドに対して配線され、
    前記電源回路ブロックでは、前記走査ドライバ用グローバル線の下層にシールド線が配線されることを特徴とする集積回路装置。
12. 集積回路装置の短辺である第１の辺から対向する第３の辺へと向かう方向を第１の方向とし、集積回路装置の長辺である第２の辺から対向する第４の辺へと向かう方向を第２の方向とした場合に、前記第１の方向に沿って配置される第１〜第Ｎの回路ブロック（Ｎは２以上の整数）と、
    前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第２の方向側に前記第４の辺に沿って設けられる第１のインターフェース領域と、
    前記第２の方向の反対方向を第４の方向とした場合に、前記第１〜第Ｎの回路ブロックの前記第４の方向側に前記第２の辺に沿って設けられる第２のインターフェース領域とを含み、
    前記第１〜第Ｎの回路ブロックは、
    階調電圧を生成する階調電圧生成回路ブロックと、
    データ線を駆動するための少なくとも１つのデータドライバブロックと、
    前記データドライバブロックを制御するロジック回路ブロックを含み、
    前記ロジック回路ブロックと前記階調電圧生成回路ブロックは前記第１の方向において隣接して配置され、
    前記第２のインターフェース領域に配置されるロジック用パッドからの信号をバッファリングするバッファを含むバッファ回路が、前記ロジック回路ブロック及び前記階調電圧生成回路ブロックの前記第４の方向側に配置され、
    前記ロジック用パッドから前記バッファ回路へのグローバル線が、前記第２のインターフェース領域上を前記第１の方向に沿って配線されることを特徴とする集積回路装置。
13. 請求項１２において、
    前記ロジック回路ブロックは、第１の電圧レベルの電源で動作し、
    前記バッファ回路は、
    前記ロジック用パッドからの信号の電圧レベルを、前記第１の電圧レベルに変換するレベルシフタを含むことを特徴とする集積回路装置。
14. 請求項１乃至１３のいずれかに記載の集積回路装置と、
    前記集積回路装置により駆動される表示パネルと、
    を含むことを特徴とする電子機器。

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