JP2019169525A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】微細化可能な半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 実施形態の半導体記憶装置は、基板と、基板上に設けられ、トランジスタを含んだ制御回路と、基板の上方のパッドを含んだ第1パッド領域と、基板の上方のパッドを含んだ第2パッド領域と、n個の配線層と、第1配線領域と、を含む。n個の配線層は、基板の上方のn(nは3以上の自然数)個の配線層であって、n個の配線層はn個の配線層は基板から互いに異なる高さに位置し、n個の配線層の各々は配線を含む。第1配線領域は、第1軸の延びる方向において制御回路の端と基板との端との間に位置するとともに第2軸の延びる方向において第1パッド領域と並び、トランジスタを含まず、基板と接続されたコンタクトを含まず、n個の配線層のうちのm(mは3以上且つn/2超且つn以下の自然数)個の配線層において第2軸に沿って延びる配線を含む。【選択図】 図3
Description
実施形態は、半導体記憶装置に関する。
近年、半導体記憶装置の微細化が求められている。
微細化可能な半導体記憶装置を提供する。
実施形態の半導体記憶装置は、基板と、上記基板上に設けられ、トランジスタを含んだ制御回路と、上記基板の上方のパッドを含んだ第1パッド領域と、上記基板の上方のパッドを含んだ第2パッド領域と、n個の配線層と、第1配線領域と、を含む。n個の配線層は、上記基板の上方のn(nは3以上の自然数)個の配線層であって、上記n個の配線層は上記n個の配線層は基板から互いに異なる高さに位置し、上記n個の配線層の各々は配線を含む。第1配線領域は、第1軸の延びる方向において上記制御回路の端と上記基板との端との間に位置するとともに第2軸の延びる方向において上記第1パッド領域と並び、トランジスタを含まず、上記基板と接続されたコンタクトを含まず、上記n個の配線層のうちのm(mは3以上且つn/2超且つn以下の自然数)個の配線層において上記第2軸に沿って延びる配線を含む。
以下に、構成された実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。参照符号を構成する数字の後ろの“−X(Xは任意の数字)”は、同じ数字を含んだ参照符号によって参照され且つ同様の構成を有する要素同士を区別するために用いられている。同じ数字を含んだ参照符号で示される要素を相互に区別する必要がない場合、これらの要素は、数字のみを含んだ参照符号により参照される。例えば、参照符号100−1、100−2を付された要素を相互に区別する必要がない場合、これらの要素を包括的に参照符号100として参照する。
図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
以下、本明細書においては、説明の便宜上、XYZ直交座標系を導入する。この座標系においては、後述の半導体基板Subの上面に平行で且つ相互に直交する2つの軸をD1軸(X)及びD2軸(Y)とし、D1軸及びD2軸の双方に対して直交する軸、すなわち各層の積層される方向に沿う軸をD3軸(Z)とする。以下では”高さ”と表記する場合は、D3軸に沿った長さを意味する。
<1>第1実施形態
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。
第1実施形態に係る半導体記憶装置について説明する。
<1−1>メモリシステムの構成
まず、本実施形態に係る半導体記憶装置を含むメモリシステムの構成について、図1を用いて説明する。図1は、実施形態に係る半導体記憶装置を含むメモリシステムを示し、特に、半導体記憶装置のいくつかの要素及びそのレイアウトを示す。
まず、本実施形態に係る半導体記憶装置を含むメモリシステムの構成について、図1を用いて説明する。図1は、実施形態に係る半導体記憶装置を含むメモリシステムを示し、特に、半導体記憶装置のいくつかの要素及びそのレイアウトを示す。
図1に示すようにメモリシステムは、NAND型フラッシュメモリ1及びメモリコントローラ2を含んでいる。メモリコントローラ2とNAND型フラッシュメモリ1は、例えばそれらの組み合わせにより1つの半導体装置を構成しても良く、その例としてはSDTMカードのようなメモリカードや、SSD(solid state drive)等が挙げられる。また、メモリシステムは、ホスト(不図示)を更に含んでいても良い。
NAND型フラッシュメモリ1は、半導体基板Sub(不図示)上に形成され、複数のメモリセルを含み、データを不揮発に記憶する。メモリコントローラ2は、NANDバスによってNAND型フラッシュメモリ1に接続され、ホストバスによってホストに接続される。メモリコントローラ2は、NAND型フラッシュメモリ1を制御し、またホストから受信した命令に応答して、NAND型フラッシュメモリ1にアクセスする。ホストは、例えばデジタルカメラやパーソナルコンピュータ等であり、ホストバスは、例えばSDインターフェースに従ったバスである。
NANDバスは、NANDインターフェースに従った信号を伝送する。この信号の具体例は、チップイネーブル信号BCE、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号BWE、リードイネーブル信号RE、BRE、ライトプロテクト信号BWP、及びデータストローブ信号DQS、BDQS、レディビジー信号RB、及び入出力信号DQ(DQ0〜DQ7)である。データストローブ信号BDQSは、データストローブ信号DQSの相補信号である。
<1−1−1>NAND型フラッシュメモリの全体構成
図1を用いて、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ(半導体記憶装置)1の構成を説明する。
図1を用いて、実施形態に係るNAND型フラッシュメモリ(半導体記憶装置)1の構成を説明する。
図1はまた、実施形態に係るNANDフラッシュメモリ1のD1軸及びD2軸に沿ったレイアウトを示す。図1に示すように、NAND型フラッシュメモリ1は、例えば、矩形の形状を有する。NAND型フラッシュメモリ1は、メモリセルアレイ100−1及び100−2、ロウデコーダ110−1〜110−4、ビット線フックアップ回路120−1及び120−2、センスアンプ130−1及び130−2、周辺回路140、並びにフックアップ領域160−1〜160−4及び170−1〜170−4を含んでいる。
周辺回路140は、例えば矩形の形状を有し、NAND型フラッシュメモリ1の1辺(D1軸に沿った辺(例えば図1での下辺))に沿って延伸し、NAND型フラッシュメモリ1の縁に設けられている。周辺回路140は、NAND型フラッシュメモリ1のD2軸に沿って延びる2つの辺の両方に亘る。メモリコントローラ2とNAND型フラッシュメモリ1とは、周辺回路140を介して接続される。周辺回路140は、制御信号及びコマンドを受け取り、受け取った制御信号及びコマンドに応じてNAND型フラッシュメモリ1を制御する。具体的には、周辺回路140は、メモリセルアレイ100と、ロウデコーダ110と、ビット線フックアップ回路120と、センスアンプ130と、を制御する。
周辺回路140は、制御回路141、カラム制御回路142、ドライバ143、パッド領域144及び145、配線領域(配線専用通路)146、及び電圧生成回路147を含んでいる。電圧生成回路147は、周辺回路140の左端に位置する。電圧生成回路147は、例えばチャージポンプを含んでおり、制御回路141の命令に基づいて電源電圧を昇圧し、昇圧した電圧をNAND型フラッシュメモリ1内の各要素に供給する。
パッド領域144及び145は、例えば矩形の形状を有し、周辺回路140の下端に位置し、D1軸に沿う方向において間隔を有して並ぶ。パッド領域144は、左端において、電圧生成回路147の右端と接する。パッド領域145は、周辺回路140の右端に位置する。パッド領域144及び145は、複数のパッドPD(不図示)を含む。各パッドPDは、チップイネーブル信号BCE、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号BWE、リードイネーブル信号RE及びBRE、ライトプロテクト信号BWP、データストローブ信号DQS及びBDQS、レディビジー信号RB、入出力信号DQ、並びに電源電圧のいずれかを受け取り、又は出力する。
カラム制御回路142は、例えば矩形の形状を有し、周辺回路140の上端に位置し、パッド領域144と間隔を有してD2軸に沿う方向において並ぶ。カラム制御回路142は、メモリセルアレイ100−1及び100−2のカラムを制御するための信号を生成及び出力する。
ドライバ143は、例えば矩形の形状を有し、周辺回路140の上端に位置し、パッド領域145と間隔を有してD2軸に沿う方向において並ぶ。ドライバ143は、メモリセルアレイ100−1及び100−2のワード線及び選択ゲート線へ電圧を転送する。
制御回路141は、例えば矩形の形状を有し、カラム制御回路142とドライバ143との間の領域とパッド領域144とパッド領域145との間の領域に位置する。制御回路141は、パッド領域144及びパッド領域145から制御信号及びコマンドを受け取り、受け取った制御信号及びコマンドに応じてNAND型フラッシュメモリ1を制御する。具体的には、制御回路141は、制御信号及びコマンドに基づいて内部制御信号を生成し、内部制御信号をカラム制御回路142及びドライバ143に送信する。また、制御回路141は、NAND型フラッシュメモリ1から出力される外部出力信号を生成する。外部出力信号は、例えば、レディビジー信号RB、入出力信号DQ、及びデータストローブ信号並びにBDQSを含む。
配線領域146は、周辺回路140のうち、制御回路141、カラム制御回路142、ドライバ143、パッド領域144及び145、及び電圧生成回路147以外の領域を含む。より具体的には、配線領域146は、以下の領域を含む。配線領域146は、カラム制御回路142の下端とパッド領域144の上端との間の部分の領域を含む。配線領域146はまた、ドライバ143の下端とパッド領域145の上端との間の部分の領域を含む。
配線領域146は更に、制御回路141の周囲に沿った領域を含む。より具体的には、配線領域146は、制御回路141の左端とカラム制御回路142の右端の間の領域を含む。配線領域146は、制御回路141とカラム制御回路142とパッド領域144に囲まれた領域を含む。配線領域146は、制御回路141の下端とパッド領域144の右端とパッド領域145の左端に囲まれた領域を含む。配線領域146は、制御回路141とドライバ143とパッド領域145に囲まれた領域を含む。配線領域146は、制御回路141の右端とドライバ143の左端との間の領域を含む。
配線領域146は、周辺回路140中の要素の間で信号及び電圧を伝送するための配線を含む。また、配線領域146は、トランジスタを含まず、且つ基板Subと接続されたコンタクトを含まない。
メモリセルアレイ100(100−1及び100−2)は、例えば矩形の形状を有し、NAND型フラッシュメモリ1の上端に位置する。メモリセルアレイ100は、図2に示すように、複数のメモリストリングMSを含む。各メモリストリングMSは、直列に接続された選択トランジスタSTと、複数のメモリセルトランジスタMCと、選択トランジスタSTとを含む。一方の選択トランジスタSTはソース線SLに接続され、他方の選択トランジスタSTはビット線BLに接続される。各メモリセルトランジスタMCは、データを不揮発に記憶し、例えば、制御ゲート電極及び電荷蓄積層(例えば浮遊ゲート電極)を含む積層ゲートを有し、浮遊ゲート電極に注入された電荷量により定まるトランジスタの閾値の変化によって二値、或いは多値データを記憶する。メモリセルトランジスタMCの制御ゲート電極はワード線WLに接続され、選択トランジスタSTのゲート電極は選択ゲート線SGLに接続される。メモリセルトランジスタMCは、2次元に配列されていても、3次元に配列されていても良い。
図1に戻る。ロウデコーダ110−1及び110−2は、例えば矩形の形状を有し、D2軸に沿う方向に延伸し、D1軸に沿う方向においてメモリセルアレイ100−1を挟む。ロウデコーダ110−1及び110−2は、データの読出し動作、書込み動作、或いは消去動作時にメモリセルアレイ100−1のブロックBLKを選択する。ロウデコーダ110−1及び110−2は、メモリセルアレイ100−1のワード線WL及び選択ゲート線SGLに、読出し動作、書込み動作、或いは消去動作において必要な電圧を転送する。
ロウデコーダ110−3及び110−4は、例えば矩形の形状を有し、D2軸に沿って延び、D1軸に沿う方向においてメモリセルアレイ100−2を挟む。ロウデコーダ110−1及び110−2と同様に、ロウデコーダ110−3及び110−4は、データの読出し動作、書込み動作、或いは消去動作時にメモリセルアレイ100−2のブロックBLKを選択する。ロウデコーダ110−3及び110−4は、メモリセルアレイ100−2のワード線WL及び選択ゲート線SGLに、読出し動作、書込み動作、或いは消去動作において必要な電圧を転送する。
ビット線フックアップ回路120−1は、D2軸に沿う方向においてメモリセルアレイ100−1と並んでメモリセルアレイ100−1に沿って配置されている。ビット線フックアップ回路120−1は、メモリセルアレイ100−1中のビット線BLとセンスアンプ130−1との間で信号を転送する転送トランジスタを含む。ビット線フックアップ回路120−1は、フックアップ領域170−1及び170−2を介して受信する制御信号に基づいて、ビット線BLとセンスアンプ130−1との接続を制御する。
同様に、ビット線フックアップ回路120−2は、D2軸に沿う方向においてメモリセルアレイ100−2と並んでメモリセルアレイ100−2に沿って配置されている。ビット線フックアップ回路120−2は、メモリセルアレイ100−2中のビット線BLとセンスアンプ130−2との間で信号を転送する転送トランジスタを含む。ビット線フックアップ回路120−2は、フックアップ領域170−3及び170−4を介して受信する制御信号に基づいて、ビット線BLとセンスアンプ130−2との接続を制御する。
センスアンプ130−1は、ビット線フックアップ回路120−1に沿って設けられ、D2軸に沿う方向においてメモリセルアレイ100−1とともにビット線フックアップ回路120−1を挟む。センスアンプ130−2は、ビット線フックアップ回路120−2に沿って設けられ、D2軸に沿う方向においてメモリセルアレイ100−2とともにビット線フックアップ回路120−2を挟む。センスアンプ130は、メモリセルアレイ100中のビット線BLの電圧をセンスするセンス回路(不図示)と、読出したデータまたは書込みを行うためのデータをラッチするためのデータ記憶回路(不図示)等を有している。センスアンプ130−1は、ビット線BLを介してメモリセルアレイ100−1中のメモリセルトランジスタMCのデータをセンスする。センスアンプ130−2は、ビット線BLを介してメモリセルアレイ100−2中のメモリセルトランジスタMCのデータをセンスする。
フックアップ領域170(170−1〜170−4)は、ワード線駆動信号を周辺回路140から受信し、受信したワード線駆動信号をロウデコーダ110に送信する。
フックアップ領域160−1及び160−2は、周辺回路140からカラム制御信号を受信し、受信したカラム制御信号をセンスアンプ130−1に送信する。フックアップ領域160−3及び160−4は、周辺回路140からカラム制御信号を受信し、受信したカラム制御信号をセンスアンプ130−2に送信する。
<1−1−2>周辺回路の構成
次に、図3を用いて、周辺回路140について説明する。図3は、第1実施形態の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。
次に、図3を用いて、周辺回路140について説明する。図3は、第1実施形態の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。
図3に示すように、パッド領域144及び145は、複数のパッドPDを含んでいる。パッドPDは、D1軸に沿って間隔を有して並ぶ。パッド領域144及び145は、パッドPDにおいてデータストローブ信号DQS及びBDQS、並びに出力信号DQを出力する。また、パッド領域144及び145は、パッドPDにおいてチップイネーブル信号BCE、コマンドラッチイネーブル信号CLE、アドレスラッチイネーブル信号ALE、ライトイネーブル信号BWE、リードイネーブル信号RE及びBRE、ライトプロテクト信号BWP、並びにデータストローブ信号DQS及びBDQSを受け取る。
配線領域146は、配線領域146−1、146−2、146−3、146−4、146−5、146−6、146−7、及び146−8からなる。まず、配線領域146−1〜146−8の配置について説明する。
配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4は、NAND型フラッシュメモリ1の下端CEに位置する。配線領域146−3、146−2、146−1、及び146−4は、この順に左から並んで隣接する。配線領域146−3は、パッド領域144に接する。配線領域146−2及び146−1は、制御回路141に接し、制御回路141及び下端CEの間に位置する。配線領域146−4は、パッド領域145に接する。
配線領域146−5は、制御回路141の左側に位置し、制御回路141の左端に沿って延び、配線領域146−3の上側においてパッド領域144と制御回路141の間の領域からカラム制御回路142と制御回路141の間の領域に亘る。
配線領域146−6は、制御回路141の右側に位置し、制御回路141の右端に沿って延び、配線領域146−4の上側においてパッド領域145と制御回路141の間の領域からドライバ143と制御回路141の間の領域に亘る。
配線領域146−7は、カラム制御回路142とパッド領域144の間の領域を占める。配線領域146−8は、ドライバ143とパッド領域145の間の領域を占める。
配線領域146−1〜146−8は、以下に示す配線を含み、配線領域146−1〜146−8のいくつかの対の各々における2つの配線領域146は以下に示す配線により互いに電気的に接続されている。
配線領域146−1は、配線群M4を含んでいる。配線群M4は、相違する高さに位置する3つ以上の配線層の1つ以上の配線層の各々に位置する任意の1又は複数の配線からなる。
ここで、配線層について記述される。NAND型フラッシュメモリ1は、図4に示すように、複数の配線層MLを含む。図4は、第1実施形態のNAND型フラッシュメモリ1の一部の断面構造を示し、例として計4つの配線層ML1〜ML4の場合を示す。配線層ML1は、基板Subの上方に位置し、配線L1を含む。配線層ML2は、配線層ML1より高い場所(基板Subからより離れた場所)に位置し、配線L2を含む。配線層ML3は、配線層ML2より高い場所に位置し、配線L3を含む。配線層ML4は、配線層ML4より高い場所に位置し、配線L4を含む。配線層ML1とML2の間、配線層ML2とML3の間、及び配線層ML3とML4の間には、絶縁体Iが設けられている。すなわち、配線層ML(ML1〜ML4のいずれか)の各々は、上下の絶縁体Iの間の領域で且つ配線L(L1〜L4のいずれか)を含む層を指す。この定義から、3又は5以上の配線層の場合も容易に類推されることが可能である。ここでの配線層は、NAND型フラッシュメモリ1中のいずれの要素とも電気的に接続されない再配線が設けられる層を含まない。
以下、記述の簡略化及び理解の促進の目的で、例として、NAND型フラッシュメモリ1が4つの配線層を含む例が記述される。NAND型フラッシュメモリ1は、3又は5以上の配線層を含んでいても良い。4つの配線層は、第1配線層、第2配線層、第3配線層、及び第4配線層を含む。第1配線層、第2配線層、第3配線層、及び第4配線層は、それぞれ、図4の配線層ML1、ML2、ML3、及びML4に相当し、以下、第1配線層ML1、第2配線層ML2、第3配線層ML3、及び第4配線層ML4と称される場合がある。同様に、第1配線層ML1中の配線も第1配線L1と称され、第2配線層ML2中の配線も第2配線L2と称され、第3配線層ML3中の配線も第3配線L3と称され、第4配線層ML4中の配線も第4配線L4と称される場合がある。第1配線層ML1〜第4配線層ML4のいずれかに限定されずに第1配線層ML1〜第4配線層ML4の任意の1つ以上を表す配線層は、配線層MLと称される。第1配線L1〜第4配線L4のいずれかに限定されずに第1配線L1〜第4配線L4の任意の1つ以上を表す配線は、配線Lと称される。
配線群M4の全配線層の数(現行の例では4つ)の半分超の数(現行の例では3つ)の配線層MLにおいて、全ての配線LがD1軸に沿って延びる。すなわち、例えば、第2配線層ML2を除いて、第1配線層ML1の全ての第1配線L1、第3配線層ML3の全ての第3配線L3、及び第4配線層ML4の全ての第4配線L4は、いずれもD1軸に沿って延びる。一方、第2配線層ML2の第2配線L2の少なくとも幾つかは、D1軸と異なる軸、例えばD2軸に沿って延びる。
又は、配線群M4の全ての配線層において全ての配線LがD1軸に沿って延びていてもよい。
NAND型フラッシュメモリ1が計3つの第1配線層ML1、第2配線層ML2、及び第3配線層ML3のみを含む場合は、配線群M4の第1配線層ML1〜第3配線層ML3の全てにおいて全ての配線LがD1軸に沿って延びる。
一般化された特徴として、NAND型フラッシュメモリ1がn(3≦n)個の配線層MLを含む場合にm(n/2<m≦n且つ3≦n)個の配線層MLの全ての配線LがD1軸に沿って延びることができる。特にnが奇数の場合は、m(n/2+1<m≦n且つ3≦n)個の配線層Mlの全ての配線LがD1軸に沿って延びることができる。
図3に戻る。配線領域146−1中の配線Lは、制御回路141に電気的に接続されている配線Lと、制御回路141に電気的に接続されていない配線Lとを含む。
配線領域146−1は、制御回路141とともに配線群M1を共有する。すなわち、配線群M1の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、制御回路141中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−1中に位置する。配線群M1は、D2軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M1のいくつかの第1配線L1の各々は、配線群M4の1つの第1配線と直接接続され得る。同様に、配線群M1のいくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M4の1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。なお、図は、配線群M1の位置を必ずしも表しておらず、単に、配線群M1の配線Lが延びる方向、配線群M1の配線Lが配置される領域、及び(又は)配線群M1の配線Lが亘る2つの領域を模式的に示している。すなわち、配線群M1が配線領域146と制御回路141の境界のどの位置に位置するかは図に記載の位置に限られない。後述の配線群Mα(αは1以上の自然数又は1以上の自然数とアルファベットの組)のいずれについても、同じことが当てはまる。
配線領域146−1はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M1の1つの配線Lを配線群M4の1つの配線Lと接続する。配線群M1のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによって制御回路141中の要素と接続され得る。
配線領域146−2は、配線群M5を含んでいる。配線群M5は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M5の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線3、及び1つの第4配線L4は、配線群M4の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。上記されるとともに後述のように、αが1以上の自然数又は1以上の自然数とアルファベットの組の全てのケースについて、配線群Mαは第1配線L1〜第4配線L4のいずれか1つ以上を含まない場合がある。しかしながら、以下では、第1配線L1〜第4配線L4が全て設けられる場合を含めた記述のために、各配線群Mαにおいて第1配線L1〜第4配線L4が設けられるものとして記述される。このことは、αが1以上の自然数又は1以上の自然数とアルファベットの組の全てのケースについて、配線群Mαが第1配線L1〜第4配線L4の全てを含むことを要求することを意味しない。一方で、配線領域146β(βは1〜8の自然数)が、配線領域146βの隣の配線領域146γ(γ=β±1)との境界に達する或る配線Lαを含む場合、配線領域146γも配線Lαを含み得る。配線領域146βの配線が配線領域146γの配線と接続される必要があるからである。この前提に基づいて、各配線領域146βが第1配線L1〜第4配線L4のいずれを含むかは容易に判断されることが可能である。
配線群M4と同様に、配線群M5の全配線層MLの数の半分超の数の配線層MLにおいて、全ての配線LがD1軸に沿って延びることができる。NAND型フラッシュメモリ1が計3つの第1配線層ML1、第2配線層L2、及び第3配線層NL3のみを含む場合は、配線群M5の第1配線層ML1〜第3配線層ML3の全てにおいて全ての配線LがD1軸に沿って延びる。一般化された特徴として、NAND型フラッシュメモリ1がn個の配線層MLを含む場合にm個の配線層MLの全ての配線LがD1軸に沿って延びることができ、特にnが奇数の場合はm(n/2+1<m≦n且つ3≦n)個の配線層MLの全ての配線LがD1軸に沿って延びることができる。
配線領域146−2中の配線は、制御回路141中の配線Lと直接接続されず、配線領域146−1中の配線Lと、配線領域146−3中の配線Lとを接続するにとどまる。
配線領域146−3は、配線群M6を含んでいる。配線群M6は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M6の配線Lはいずれも、D1軸に沿って延びる部分と、D2軸に沿って延びる部分とを含む。配線群M6の各配線Lにおいて、D1軸に沿って延びる部分とD2軸に沿って延びる部分とは互いに接続されている。配線群M6の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M5の1つの第1配線L4、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
配線領域146−3中の配線Lは、制御回路141中の配線Lと直接接続されず、配線領域146−2中の配線Lと、配線領域146−5中の配線Lとを接続するにとどまる。
配線領域146−5は、配線群M8を含んでいる。配線群M8は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M8の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M6の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
配線領域146−5は、制御回路141とともに配線群M2を共有する。すなわち、配線群M2の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、制御回路141中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−5中に位置する。配線群M2は、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M2のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M8の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。配線領域146−5はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M2の1つの配線Lを配線群M8の1つの配線Lと接続する。配線群M2のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによって制御回路141中の要素と接続され得る。
配線領域146−7は、配線群M10を含んでいる。配線群M10は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M10の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M8の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
配線領域146−7は、カラム制御回路142とともに配線群M11を共有する。すなわち、配線群M11の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、カラム制御回路142中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−7中に位置する。配線群M11は、D2軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M11のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M10の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。配線領域146−7はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M11の1つの配線Lを配線群M10の1つの配線Lと接続する。配線群M11のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによってカラム制御回路142中の要素と接続され得る。
配線領域146−7は、パッド領域144とともに配線群M12を共有する。すなわち、配線群M12の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、パッド領域144中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−7中に位置する。配線群M12は、D2軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M12のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M10の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。配線領域146−7はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M12の1つの配線Lを配線群M10の1つの配線Lと接続する。配線群M12のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによってパッド領域144中の要素と接続され得る。
配線領域146−4は、配線群M7を含んでいる。配線群M7は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M7の配線Lはいずれも、D1軸に沿って延びる部分と、D2軸に沿って延びる部分とを含む。配線群M7の各配線Lにおいて、D1軸に沿って延びる部分とD2軸に沿って延びる部分とは互いに接続されている。配線群M7の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M4の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
配線領域146−4中の配線Lは、制御回路141中の配線Lと直接接続されず、配線領域146−1中の配線Lと、配線領域146−6中の配線Lとを接続するにとどまる。
配線領域146−6は、配線群M9を含んでいる。配線群M9は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M9の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M7の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
配線領域146−6は、制御回路141とともに配線群M3を共有する。すなわち、配線群M3の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、制御回路141中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−6中に位置する。配線群M3は、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M3のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M9の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。配線領域146−6はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M3の1つの配線Lを配線群M9の1つの配線Lと接続する。配線群M3のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによって制御回路141中の要素と接続さ得る。
配線領域146−8は、配線群M13を含んでいる。配線群M13は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M13の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M9の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
配線領域146−8は、ドライバ143とともに配線群M14を共有する。すなわち、配線群M14の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、ドライバ143中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−8中に位置する。配線群M14は、D2軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M14のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M13の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。配線領域146−8はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M14の1つの配線Lを配線群M13の1つの配線Lと接続する。配線群M14のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによってドライバ143中の要素と接続され得る。
配線領域146−8は、パッド領域145とともに配線群M15を共有する。すなわち、配線群M15の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、パッド領域145中に位置し、別の部分(例えば他端)において、配線領域146−8中に位置する。配線群M15は、D2軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M15のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M13の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続され得る。配線領域146−8はまた複数のコンタクトCを含み、各コンタクトCは、配線群M15の1つの配線Lを配線群M13の1つの配線Lと接続する。配線群M15のいくつかの配線Lはまた、コンタクトCによってパッド領域145中の要素と接続され得る。
<1−1−3>制御回路の構成
続いて、図5を用いて、制御回路141の構成について説明する。図5は、第1実施形態の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線群Mも併せて示す。図5は更に、配線領域146−1の配線群M4と配線群M1との接続を模式的に示す。
続いて、図5を用いて、制御回路141の構成について説明する。図5は、第1実施形態の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線群Mも併せて示す。図5は更に、配線領域146−1の配線群M4と配線群M1との接続を模式的に示す。
図5に示すように、制御回路141は、信号生成回路411と、RAM(Random Access Memory)412と、コア制御回路413と、下端入出力回路414と、左端入出力回路415と、右端入出力回路416と、を含んでいる。
左端入出力回路415は、制御回路141の左端に位置し、D2軸に沿って延びる。左端入出力回路415は、出力バッファ及び入力バッファを含み、信号を出力及び受信する。左端入出力回路415は、例えば、パッド領域144から来る信号等の速度の速い信号を出力及び受信する。
右端入出力回路416は、制御回路141の右端に位置し、D2軸に沿って延びる。右端入出力回路416は、出力バッファ及び入力バッファを含み、信号を出力及び受信する。右端入出力回路416は、例えば、パッド領域145から来る信号等の速度の速い信号を出力及び受信する。
信号生成回路411は、左端入出力回路415の右側に位置し、制御回路141の下端に位置する。信号生成回路411は、NAND型フラッシュメモリ1を制御するための制御信号を生成し、基板Sub上に形成されたトランジスタ、複数の配線、基板と配線を接続する又は複数の配線を互いに接続するコンタクトを含む。
下端入出力回路414は、制御回路141の下端において、信号生成回路411と右端入出力回路416の間に位置する。下端入出力回路414は、出力バッファ及び入力バッファを含み、信号を出力及び受信する。下端入出力回路414は、例えば、制御信号やパラメータ信号等の速度の遅い信号を出力及び受信する。
コア制御回路413は、下端入出力回路414の上側かつ信号生成回路411の右側に位置する。コア制御回路413は、基板Sub上に形成されたトランジスタ、複数の配線L、基板Subと配線Lを接続する又は複数の配線Lを互いに接続するコンタクトCを含む。
RAM412は、各種のパラメータ(例えば、トリミングに係るパラメータ)を記憶している。RAM412は、信号生成回路411と右端入出力回路416との間に位置する部分と、コア制御回路413と右端入出力回路416との間に位置する部分からなる。
信号生成回路411、RAM412、コア制御回路413、下端入出力回路414、左端入出力回路415、右端入出力回路416は、以下に示す配線を含み、信号生成回路411、RAM412、コア制御回路413、下端入出力回路414、左端入出力回路415、右端入出力回路416のいくつかの対において2つは以下に示す配線により互いに電気的に接続されている。
下端入出力回路414は、コア制御回路413とともに配線群M21aを共有する。すなわち、配線群M21aの各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、コア制御回路413に位置し、別の部分(例えば他端)において、下端入出力回路414中に位置する。また、下端入出力回路414は、RAM412とともに配線群M21bを共有する。すなわち、配線群M21bの各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、RAM412に位置し、別の部分(例えば他端)において、下端入出力回路414中に位置する。配線群M21a及びM21bは、D2軸に沿って延びる。配線群M21a及びM21bの各々は、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M21aのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、コア制御回路413中の要素及び下端入出力回路414中の要素に電気的に接続され得る。配線群M21bのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、RAM412中の要素及び下端入出力回路414中の要素に電気的に接続され得る。
配線群M2の各配線の一端は、左端入出力回路415中に位置する。左端入出力回路415は、信号生成回路411とともに配線群M22を共有する。すなわち、配線群M22の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、信号生成回路411中に位置し、別の部分(例えば他端)において、左端入出力回路415中に位置する。配線群M22は、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M22のいくつかの配線は、コンタクトCによって、信号生成回路411中の要素及び左端入出力回路415中の要素に電気的に接続され得る。
配線群M3の各配線の一端は、右端入出力回路416中に位置する。右端入出力回路416は、RAM412とともに配線群M23を共有する。すなわち、配線群M23の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、RAM412中に位置し、別の部分(例えば他端)において、右端入出力回路416中に位置する。配線群M23は、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M23のいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、信号生成回路411中の要素及び右端入出力回路416中の要素に電気的に接続され得る。
信号生成回路411とコア制御回路413は、配線群M24aを共有する。すなわち、配線群M24aの各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、信号生成回路411中に位置し、別の部分(例えば他端)において、コア制御回路413中に位置する。配線群M24aは、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M24aのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、信号生成回路411中の要素及びコア制御回路413中の要素に電気的に接続され得る。
信号生成回路411とRAM412は、配線群M24bを共有する。すなわち、配線群M24bの各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、信号生成回路411中に位置し、別の部分(例えば他端)において、RAM412中に位置する。配線群M24bは、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M24bのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、信号生成回路411中の要素及びRAM412中の要素に電気的に接続され得る。
コア制御回路413とRAM412は、配線群M25を共有する。すなわち、配線群M25の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、コア制御回路413中に位置し、別の部分(例えば他端)において、RAM412中に位置する。配線群M25は、D1軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M25のいくつかの配線は、コンタクトCによって、コア制御回路413中の要素及びRAM412中の要素に電気的に接続され得る。
コア制御回路413とRAM412はまた、配線群M26を共有する。すなわち、配線群M26の各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、コア制御回路413中に位置し、別の部分(例えば他端)において、RAM412中に位置する。配線群M26は、D2軸に沿って延び、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M26のいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、コア制御回路413中の要素及びRAM412中の要素に電気的に接続され得る。
配線群M1の各配線の一端は、下端入出力回路414中に位置する。上記のように、配線群M1の各配線Lは、他端において、直接又はコンタクトCを介して、配線群M4の1つの配線Lと接続されている。具体例として、配線群M1のいくつかの第1配線L1の各々は、配線群M4の1つの第1配線L1と接続されて、屈曲した(L字形状の)配線Lを形成し得る。同様に、配線群M1のいくつかの第2配線L2の各々、第3配線L3の各々、第4配線L4の各々は、配線群M4の1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、1つの第4配線L4と接続されて、屈曲した配線を形成し得る。又は、配線群M1のいくつかの第1配線L1の各々は、配線群M4の1つの第1配線L1と接続されて、T字形状の配線Lを形成し得る。同様に、配線群M1のいくつかの第2配線L2の各々、第3配線L3の各々、第4配線L4の各々は、配線群M4の1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4と接続されて、T字形状の配線を形成し得る。
配線群M4は、配線群M1の1つと接続された配線Lに加え、配線群M1のいずれの配線とも接続されていない配線を含む。すなわち、配線群M4のいくつかは、配線領域146−1のD1軸に関して相対する2つの辺(左辺及び右辺)に亘ってD1軸に沿って延びる配線(図5において配線群M4のうちの下端の配線等)を含む。
上記のように、配線群M5のいずれの第1配線L1も、いずれの第2配線L2も、いずれの第3配線L3も、いずれの第4配線L4もD1軸に沿って延びる。配線群M5のある配線Lは、配線群M4のうちの配線領域146−1のD1軸に関して相対する2つの辺に亘ってD1軸に沿って延びる配線Lと接続され、制御回路141のD1軸に関して相対する2つの辺(左辺及び右辺)の延長線に亘ってD1軸に沿って延びる配線Lを形成する。
次に、図6乃至図8を用いて、配線領域146−1の構造について説明する。図6は、配線領域146−1の一部の構造の例の斜視図である。図7は、配線領域146−1の一部のD1及びD2の面に沿った面の構造の別の例を示す。図8は、配線領域146−1の一部の断面の構造の例を示し、図7に対応する。
上記のように、配線群M4及びM1の両方とも、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4の任意の1つ又は複数の配線からなる。そして、配線群M1のいくつかの第1配線L1の各々、いくつかの第2配線L2の各々、いくつかの第3配線L3の各々、いくつかの第4配線L4の各々は、配線群M4の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ直接接続されているか、コンタクトを介して、配線群M4の1つの配線Lと接続され得る。図6乃至図8は、そのような接続のための構造の例を示す。
図6に示されるように、第2配線層ML2を除いて、第1配線層ML1の全ての第1配線L1、第3配線層ML3の全ての第3配線L3、及び第4配線層ML4の全ての第4配線L4は、いずれもD1軸に沿って延びる。一方、第2配線層ML2の第2配線L2の少なくとも幾つかは、D1軸と異なる軸、例えばD2軸に沿って延びる。そして、第2配線L2の1つは、コンタクトCを介して1つの第1配線L1と接続され、第2配線L2の別の1つは、コンタクトCを介して1つの第3配線L3と接続されている。さらに、第2配線L2の1つは、1つの第3配線L3及びコンタクトCを介して第4配線L4と接続されている。なお、第3配線L3には、図5から分かるように、厳密にはD1軸には伸びずに、第2配線L2と接続されたコンタクトCと、第4配線L4と接続されたコンタクトCとを接続するための第3配線L3も含まれる。
図7及び図8は、配線群M4の第1配線L1、第2配線L2、第3配線L3、及び第4配線L4の例としてそれぞれ配線L1_4、L2_4、L3−4、及びL4−4を示し、配線群M1の第2配線L2の例として配線L2_1a、L2_1b、L2_1c、及びL2_1dを示す。
配線L2_1a、L2_1b、L2_1c、及びL2_1dは、第2配線層ML2に位置し、D2軸に沿って延びる。配線L1_4、L2_4、L3−4、及びL4−4は、それぞれ、第1配線層ML1、第2配線層ML2、第3配線層ML3、及び第4配線層ML4に位置し、D1軸に沿って延びる。配線L2_1cは、コンタクトC1を介して配線L1_4に接続されている。配線L2_1bはコンタクトC2を介して配線L3_4に接続されている。配線L2_1aは、コンタクトC3a、配線L3_1、コンタクトC3bを介して配線L4_4に接続されている。配線L2_1dは、配線L2_4と接続され、D1及びD2の面に沿って屈曲するパターンを有する1つの配線を形成する。
配線領域146−7及び146−8も、配線領域146−1と同様に、図6及び図7に示す構造を有する。すなわち、配線領域M146−1及び配線群M4並びにM1の組についての図6乃至図8を参照してなされた説明が、配線領域M146−7及び配線群M10並びにM11の組、配線領域M146−7及び配線群M10並びにM12の組、配線領域M146−8及び配線群M13並びにM14の組、配線領域M146−8及び配線群M13並びにM15の組に当てはまる。この場合、配線群M1についての説明が、配線群M11、M12、M14、及びM15に当てはまる。また、配線群M4についての説明が、配線群M10及びM13に当てはまる。
配線領域146−5及び146−6も、配線領域146−1と同様の構造を有する。ただし、配線領域146−5及び146−6では第1配線L1〜第4配線L4の向きは、配線領域146−1でのものと異なる。具体的には以下のとおりである。すなわち、配線領域M146−1及び配線群M4並びにM1の組についての図6乃至図8を参照してなされた説明が、「D1軸」との記載を「D2軸」と読み替えるとともに「D2軸」との記載を「D1軸」と読み替えた上で、配線領域M146−5及び配線群M8並びにM2の組、配線領域M146−6及び配線群M9並びにM3の組に当てはまる。この場合、配線群M1についての説明が、配線群M2及びM3に当てはまり、配線群M4についての説明が、配線群M8及びM9に当てはまる。
次に、図9を用いて、配線領域146−2の構造について説明する。図9は、配線領域146−2の一部の断面の構造の例を示す。図9は、第1配線L1〜第4配線L4のそれぞれの例として、配線群M5が第1配線L1_5、第2配線L2_5、第3配線L3_5、及び第4配線L4_5を含む例を示す。上記し且つ図9に示すように、例として、配線群M5のいずれの配線Lも、D1軸に沿って延びている。
配線領域146−3及び146−4も、配線領域146−2と同様の構造を有する。ただし、配線領域146−3及び146−4では、第1配線L1〜第4配線L4のxy面に沿った形状(平面形状)は、配線領域146−2でのものと異なる。具体的には、配線群M5についての図9を参照してなされた説明が、配線領域146−3及び146−4に概ね当てはまる。この場合、配線群M5についての説明が、配線群M6及びM7に当てはまる。ただし、配線群M6及びM7の少なくともいくつかの配線は、図7の配線L2_1d及びL2_4からなる配線の形状のように、屈曲している。
<1−2>効果
実施形態のNAND型フラッシュメモリ1は、端において、配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4を含んでおり、このため、以下に説明するように、微細化されることが可能である。
実施形態のNAND型フラッシュメモリ1は、端において、配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4を含んでおり、このため、以下に説明するように、微細化されることが可能である。
まず、実施形態の効果を説明するために、図10及び図11を用いて比較例について説明する。
図10に示すように、比較例に係る周辺回路140においては、第1実施形態で説明した配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4が設けられていない。そして、比較例に係る制御回路141は、NAND型フラッシュメモリ1の縁に設けられている。そのため、比較例に係る制御回路141への信号又はそのような制御回路141からの信号の伝送は、制御回路141の右端又は左端をそれぞれまたぐ配線群M2及びM3の経路に限られる。このことの詳細が図11に示されている。
図11に示すように、比較例に係る制御回路141においては、第1実施形態で説明した下端入出力回路414が設けられていない。そのため、第1実施形態では下端入出力回路414を介して行われた信号の送受信を、左端入出力回路415及び右端入出力回路416で行う必要がある。このため、コア制御回路413と左端入出力回路の接続のために、信号生成回路411上に配線群M22aが配置される。同様に、コア制御回路413と右端入出力回路の接続のために、RAM412上に配線群M23aが配置される。また、下端入出力回路414を介して行われた信号の送受信を左端入出力回路415及び右端入出力回路416で行う必要性に基づいて、RAM412と左端入出力回路415との接続のために信号生成回路411を亘って延伸する配線群M22bのような配線が設けられ得る。その結果、比較例において、特に信号生成回路411上の配線が過密になってしまう可能性がある。信号生成回路411では、配線がすでに混み合っている。このため、配線群M22a及び22bの配置のために信号生成回路411を大きくする必要がある。このことは、信号生成回路411のサイズの縮小が、配線群22a及び22bの配置がボトルネックとなって、制限されることに繋がる。
第1実施形態では、制御回路141において下端入出力回路414が設けられ、更には、NAND型フラッシュメモリ1の下端に、配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4が設けられている。そのため、比較例では左端入出力回路415及び右端入出力回路416で行っていた信号の送受信の一部を、下端入出力回路414で行うことができる。その結果、第1実施形態では、比較例における配線群M22a及びM23aが不要である。そのため、第1実施形態では、最も配線の混み合う信号生成回路411上において配置される必要のある配線の数が比較例での数より少ない。その結果、第1実施形態での周辺回路140のサイズの縮小に課される制約は、比較例での制約より小さい。よって、第1実施形態の制御回路141のサイズを比較例の制御回路141より小さくすることができる。その結果、微細化可能なNAND型フラッシュメモリ1を提供できる。
特に、配線領域146−1及び146−2中のより多くの配線層を使用することにより、以下に記述されるように、配線領域146−1及び146−2を設けることによる利点がより大きい。すなわち、一般的にかつ上記の比較例も該当するように、例えば製造の容易性が理由で、NAND型フラッシュメモリの多くの領域、より具体的には配線を含んだほぼ全ての領域(配線含有領域)において、各配線層はある1つの軸に沿った配線のみを含み、隣り合う2つの配線層では、一方の配線層での配線の向きは、他方の配線層での配線の向きと異なる。一方、実施形態の配線領域146−1及び146−2は、他の領域から配線領域146−1及び146−2中の配線に入る配線をD1軸に沿って導くことを意図されている。そこで、配線領域146−1及び146−2中で、他の領域ではD2軸に沿って延びる配線Lを含んだ配線層(D2軸配線層)においてもD1軸に沿う配線Lが設けられることができる。こうすることにより、配線領域146−1及び146−2において、D2軸配線層にD1軸に沿う配線Lを設ける場合よりも多くの配線LがD1軸に沿うことができる。配線領域146−1及び146−2中のより多くのD2軸配線層が、D1軸に沿う配線Lを設けるために使用されることにより、配線領域146−1及び146−2中により多くのD1軸に沿う配線Lが設けられることができる。
一般に、NAND型フラッシュメモリは、偶数の配線層の場合ではD1軸に沿って延びる配線を含んだ配線層(D1軸配線層)の数pとD2軸配線層の数q(p=q)は等しく、奇数の配線層の場合では数pはq±1である。そこで、配線領域146−1及び(又は)146−2において、m(n/2<m≦n)個の配線層の全ての配線がD1軸に沿って延びることができ、nが奇数の場合は、m(n/2+1<m≦n)個の配線層の全ての配線LがD1軸に沿って延びることができる。こうすることにより、配線領域146−1及び146−2を設けることによる利点がより大きい。更に、配線領域146−1及び(又は)146−2がD1軸配線層のみを含めば、配線領域146−1及び146−2を設けることによる利点は最大となる。
なお、配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4には、比較例で配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4に対応する部分に配置できる回路は配置できない。しかし、安定化キャパシタの配置は可能である。そして、配置された安定化キャパシタは、制御回路141自身の電源の安定化キャパシタとして活用できる。
<1−3>変形例
図12は、第1実施形態の第1変形例の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺を、D1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図12に示すように、図3の配線領域146−2が設けられていない。代わりに、配線領域146−1は、配線領域146−3及び配線領域146−4の間に位置する。
図12は、第1実施形態の第1変形例の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺を、D1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図12に示すように、図3の配線領域146−2が設けられていない。代わりに、配線領域146−1は、配線領域146−3及び配線領域146−4の間に位置する。
図13は、第1実施形態の第1変形例の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図13に示すように、下端入出力回路414は、信号生成回路411、RAM412、及びコア制御回路413の下側に位置し、左端入出力回路415と右端入出力回路416の間に亘る。このようなレイアウトに基づいて、配線群M1は、RAM412及びコア制御回路413の下方だけでなく、信号生成回路411の下方にも位置する。下端入出力回路414は、信号生成回路411とともに配線群M21cを共有する。すなわち、配線群M21cの各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、信号生成回路411に位置し、別の部分(例えば他端)において、下端入出力回路414中に位置する。配線群M21cは、D2軸に沿って延びる。配線群M21cは、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M21cのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、信号生成回路411中の要素及び下端入出力回路414中の要素に電気的に接続され得る。
図14は、第1実施形態の第2変形例の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺を、D1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図14に示すように、制御回路141及び配線領域146−2は、NAND型フラッシュメモリ1の右端CE2に位置する。すなわち、配線領域146−2は、NAND型フラッシュメモリ1の下端CE及び右端CE2に位置し、NAND型フラッシュメモリ1の右下の角に位置する。そして、パッド領域145、及び配線領域146−4、146−6、並びに146−8が設けられていない。ドライバ143は、図14に示されない位置に設けられるか、図14のカラム制御回路142の一部の位置に、カラム制御回路142の当該一部に代えて設けられる。
図15は、第1実施形態の第2変形例の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図15に示すように、制御回路141及び配線領域146−1は、NAND型フラッシュメモリ1の端(右端CE2)に位置する。よって、配線群M4は、図3のケースと異なり、配線領域146−1の右端、すなわち図3のケースで配線領域146−4との境界に達する配線Lを含まない。
<2>第2実施形態
第2実施形態について説明する。第2実施形態では、制御回路141は、信号の入出力用の更なるポートを含む。なお、第2実施形態に係る装置の基本的な構成及び基本的な動作は、上述した第1実施形態に係る装置と同様である。したがって、上述した第1実施形態で説明した事項及び上述した第1実施形態から容易に類推可能な事項についての説明は省略する。
第2実施形態について説明する。第2実施形態では、制御回路141は、信号の入出力用の更なるポートを含む。なお、第2実施形態に係る装置の基本的な構成及び基本的な動作は、上述した第1実施形態に係る装置と同様である。したがって、上述した第1実施形態で説明した事項及び上述した第1実施形態から容易に類推可能な事項についての説明は省略する。
<2−1>構成
<2−1−1>周辺回路の構成
図16を用いて、周辺回路140について説明する。図16は、第2実施形態の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。
<2−1−1>周辺回路の構成
図16を用いて、周辺回路140について説明する。図16は、第2実施形態の周辺回路140の一部、特に制御回路141の周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。
図16に示すように、周辺回路140は、第1実施形態(図3)での配線領域146−5及び146−6にそれぞれ代えて配線領域146−25及び146−26を含み、更に、配線領域146−21〜146−24を含んでいる。
配線領域146−1〜146−4及び146−21〜26の組は、制御回路141を囲む。具体的には、以下のとおりである。配線領域146−21、146−22、146−23、及び146−24は、配線領域146の制御回路141の上側に位置する。配線領域146−23、146−22、146−21、及び146−24は、この順に左から並んで隣接する。配線領域146−23は、カラム制御回路142、及び配線領域146−22並びに146−25により囲まれている。配線領域146−22及び146−21は、制御回路141に接する。配線領域146−24は、ドライバ143、及び配線領域146−21並びに146−26により囲まれている。
配線領域146−25は、配線領域146−5の代わりに設けられ、配線領域146−3及び146−23の間に亘り、配線領域146−7に接する。配線領域146−26は、配線領域146−6の代わりに設けられ、配線領域146−4及び146−24の間に亘り、配線領域146−8に接する。
配線領域146−21〜146−24は、以下に示す配線Lを含み、配線領域146−1〜146−4、146−7、146−8、及び146−21〜146−26のいくつかの対の各々における2つの配線領域146は以下に示す配線Lにより互いに電気的に接続されている。
配線領域146−21、146−22、146−23、及び146−24は、配線領域146−1、146−2、146−3、及び146−4にそれぞれ類似する。すなわち、配線領域146−21〜146−24は、制御回路141との位置関係が相違することを除いて、配線領域146−1〜146−4とそれぞれ同様の特徴を有する。具体的には、以下のとおりである。配線領域146−21は、配線群M32を含み、制御回路141とともに配線群M31を共有する。配線領域146−22、146−23、146−24、146−25、及び146−26は、配線群M33、M34、M35、M36、及びM37をそれぞれ含む。そして、第1実施形態での配線領域146−1〜146−4、及び配線群M1並びにM4〜M9をそれぞれ配線領域146−21〜146−24、及び配線群M31並びにM32〜M37に置き換えた説明が、配線領域146−21〜146−26、及び配線群M31並びにM32〜M37の説明に当てはまる。
加えて、配線群M36の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M34の1つの第1配線L4、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。配線群M37の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4は、配線群M35の1つの第1配線L1、1つの第2配線L2、1つの第3配線L3、及び1つの第4配線L4とそれぞれ接続され得る。
<2−1−2>制御回路の構成
続いて、図17を用いて、制御回路141の構成について説明する。図17は、第2実施形態の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図17は更に、配線領域146−1の配線群M4と配線群M1との接続、及び配線領域146−21の配線群M32と配線群M31との接続を模式的に示す。
続いて、図17を用いて、制御回路141の構成について説明する。図17は、第2実施形態の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図17は更に、配線領域146−1の配線群M4と配線群M1との接続、及び配線領域146−21の配線群M32と配線群M31との接続を模式的に示す。
図17に示すように、制御回路141は、第1実施形態(図5)での要素に加え、上端入出力回路417を含んでいる。上端入出力回路417は、RAM412の上側において、信号生成回路411と左端入出力回路415との間に位置し、D2軸に沿って延びる。上端入出力回路417は、出力バッファ及び入力バッファを含み、信号を出力及び受信する。上端入出力回路417は、例えば、制御信号やパラメータ信号等の速度の遅い信号を出力及び受信する。
上端入出力回路417は、RAM412とともに配線群M38aを共有する。すなわち、配線群M38aの各配線Lは、ある部分(例えば一端)において、RAM412中に位置し、別の部分(例えば他端)において、上端入出力回路417中に位置する。配線群M38aは、D2軸に沿って延びる。配線群M38aは、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M38aのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、RAM412中の要素及び上端入出力回路417中の要素に電気的に接続され得る。また、配線群M38aのある層MLαのある配線Lαは、配線群M26の層MLαの配線Lαと接続され得る。すなわち、上端入出力回路417とコア制御回路413との間でRAM412を亘る配線Lが設けられ得る。
<2−2>効果
第2実施形態によれば、制御回路141において下端入出力回路414及び上端入出力回路417が設けられ、制御回路141のD2軸に沿った上下に配線領域146−1、146−2、146−3、146、4、146−21、146−22、146−23、及び146−24が設けられている。このため、比較例では左端入出力回路415及び右端入出力回路416で行っていた信号の送受信の一部を、下端入出力回路414及び上端入出力回路417で行うことができる。そのため、第2実施形態では、信号生成回路411上において配置される必要のある配線の数が比較例での数より少ない。その結果、第2実施形態での周辺回路140のサイズの縮小に課される制約は、比較例での制約より小さい。よって、第1実施形態と同じ理由により、微細化可能なNAND型フラッシュメモリ1を提供できる。
第2実施形態によれば、制御回路141において下端入出力回路414及び上端入出力回路417が設けられ、制御回路141のD2軸に沿った上下に配線領域146−1、146−2、146−3、146、4、146−21、146−22、146−23、及び146−24が設けられている。このため、比較例では左端入出力回路415及び右端入出力回路416で行っていた信号の送受信の一部を、下端入出力回路414及び上端入出力回路417で行うことができる。そのため、第2実施形態では、信号生成回路411上において配置される必要のある配線の数が比較例での数より少ない。その結果、第2実施形態での周辺回路140のサイズの縮小に課される制約は、比較例での制約より小さい。よって、第1実施形態と同じ理由により、微細化可能なNAND型フラッシュメモリ1を提供できる。
なお、配線領域146−21、146−22、146−23、及び146−24には、比較例で配線領域146−21、146−22、146−23、及び146−24に対応する部分に配置できる回路は配置できない。しかし、安定化キャパシタの配置は可能である。そして、配置された安定化キャパシタは、制御回路141自身の電源の安定化キャパシタとして活用できる。
<2−3>変形例
図18は、第2実施形態の変形例の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図18に示すように、図16の配線領域146−22が設けられていない。代わりに、配線領域146−21は、配線領域146−23及び配線領域146−24の間に位置する。
図18は、第2実施形態の変形例の制御回路141の一部とその周辺をD1軸及びD2軸に沿って示し、また、複数の要素を互いに電気的に接続するための配線も併せて示す。図18に示すように、図16の配線領域146−22が設けられていない。代わりに、配線領域146−21は、配線領域146−23及び配線領域146−24の間に位置する。
上端入出力回路417は、信号生成回路411及びRAM412の上側に位置し、左端入出力回路415と右端入出力回路416の間に亘る。このようなレイアウトに基づいて、配線群M31は、RAM412の上だけでなく、信号生成回路411の上方にも位置する。上端入出力回路417は、信号生成回路411とともに配線群M38bを共有する。すなわち、配線群M38bの各配線は、ある部分(例えば一端)において、信号生成回路411に位置し、別の部分(例えば他端)において、上端入出力回路417中に位置する。配線群M38bは、D2軸に沿って延びる。配線群M38bは、複数の第1配線L1、複数の第2配線L2、複数の第3配線L3、及び複数の第4配線L4のうちの任意の1つ又は複数の配線Lからなる。配線群M38bのいくつかの配線Lは、コンタクトCによって、信号生成回路411中の要素及び上端入出力回路417中の要素に電気的に接続され得る。
<3>変形例
尚、上述した実施形態において、ビット線フックアップ回路120と、センスアンプ130とを別の構成要件として記載したが、ビット線フックアップ回路120と、センスアンプ130とを一つの構成要件としても良い。
尚、上述した実施形態において、ビット線フックアップ回路120と、センスアンプ130とを別の構成要件として記載したが、ビット線フックアップ回路120と、センスアンプ130とを一つの構成要件としても良い。
また、各実施形態において、
(1)読出し動作では、
Aレベルの読出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0V〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1V〜0.24V, 0.21V〜0.31V, 0.31V〜0.4V, 0.4V〜0.5V, 0.5V〜0.55Vいずれかの間にしてもよい。
(1)読出し動作では、
Aレベルの読出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば0V〜0.55Vの間である。これに限定されることなく、0.1V〜0.24V, 0.21V〜0.31V, 0.31V〜0.4V, 0.4V〜0.5V, 0.5V〜0.55Vいずれかの間にしてもよい。
Bレベルの読出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば1.5V〜2.3Vの間である。これに限定されることなく、1.65V〜1.8V, 1.8V〜1.95V, 1.95V〜2.1V, 2.1V〜2.3Vいずれかの間にしてもよい。
Cレベルの読出し動作に選択されたワード線に印加される電圧は、例えば3.0V〜4.0Vの間である。これに限定されることなく、3.0V〜3.2V, 3.2V〜3.4V, 3.4V〜3.5V, 3.5V〜3.6V, 3.6V〜4.0Vいずれかの間にしてもよい。
読出し動作の時間(tR)としては、例えば25μs〜38μs, 38μs〜70μs, 70μs〜80μsの間にしてもよい。
(2)書込み動作は、上述したとおりプログラム動作とベリファイ動作を含む。書込み動作では、
プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7V〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7V〜14.0V, 14.0V〜14.6Vいずれかの間としてもよい。
プログラム動作時に選択されたワード線に最初に印加される電圧は、例えば13.7V〜14.3Vの間である。これに限定されることなく、例えば13.7V〜14.0V, 14.0V〜14.6Vいずれかの間としてもよい。
奇数番目のワード線を書込む際の、選択されたワード線に最初に印加される電圧と、偶数番目のワード線を書込む際の、選択されたワード線に最初に印加される電圧と、を変えてもよい。
プログラム動作をISPP方式(Incremental Step Pulse Program)としたとき、ステップアップの電圧として、例えば0.5V程度が挙げられる。
非選択のワード線に印加される電圧としては、例えば6.0V〜7.3Vの間としてもよい。この場合に限定されることなく、例えば7.3V〜8.4Vの間としてもよく、6.0V以下としてもよい。
非選択のワード線が奇数番目のワード線であるか、偶数番目のワード線であるかで、印加するパス電圧を変えてもよい。
書込み動作の時間(tProg)としては、例えば1700μs〜1800μs, 1800μs〜1900μs, 1900μs〜2000μsの間にしてもよい。
(3)消去動作では、
半導体基板上部に形成され、かつ、上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12V〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6V〜14.8V, 14.8V〜19.0V, 19.0〜19.8V, 19.8V〜21Vの間であってもよい。
消去動作の時間(tErase)としては、例えば3000μs〜4000μs, 4000μs〜5000μs, 4000μs〜9000μsの間にしてもよい。
(4)メモリセルの構造は、
半導体基板(シリコン基板)上に膜厚が4〜10nmのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は膜厚が2〜3nmのSiN、またはSiONなどの絶縁膜と膜厚が3〜8nmのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンにはRuなどの金属が添加されていても良い。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10nmの下層High−k膜と膜厚が3〜10nmの上層High−k膜に挟まれた膜厚が4〜10nmのシリコン酸化膜を有している。High−k膜はHfOなどが挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚はHigh−k膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には膜厚が3〜10nmの材料を介して膜厚が30nm〜70nmの制御電極が形成されている。ここで仕事関数調整用の材料はTaOなどの金属酸化膜、TaNなどの金属窒化膜である。制御電極にはWなどを用いることができる。
非選択のワード線が奇数番目のワード線であるか、偶数番目のワード線であるかで、印加するパス電圧を変えてもよい。
書込み動作の時間(tProg)としては、例えば1700μs〜1800μs, 1800μs〜1900μs, 1900μs〜2000μsの間にしてもよい。
(3)消去動作では、
半導体基板上部に形成され、かつ、上記メモリセルが上方に配置されたウェルに最初に印加する電圧は、例えば12V〜13.6Vの間である。この場合に限定されることなく、例えば13.6V〜14.8V, 14.8V〜19.0V, 19.0〜19.8V, 19.8V〜21Vの間であってもよい。
消去動作の時間(tErase)としては、例えば3000μs〜4000μs, 4000μs〜5000μs, 4000μs〜9000μsの間にしてもよい。
(4)メモリセルの構造は、
半導体基板(シリコン基板)上に膜厚が4〜10nmのトンネル絶縁膜を介して配置された電荷蓄積層を有している。この電荷蓄積層は膜厚が2〜3nmのSiN、またはSiONなどの絶縁膜と膜厚が3〜8nmのポリシリコンとの積層構造にすることができる。また、ポリシリコンにはRuなどの金属が添加されていても良い。電荷蓄積層の上には絶縁膜を有している。この絶縁膜は、例えば、膜厚が3〜10nmの下層High−k膜と膜厚が3〜10nmの上層High−k膜に挟まれた膜厚が4〜10nmのシリコン酸化膜を有している。High−k膜はHfOなどが挙げられる。また、シリコン酸化膜の膜厚はHigh−k膜の膜厚よりも厚くすることができる。絶縁膜上には膜厚が3〜10nmの材料を介して膜厚が30nm〜70nmの制御電極が形成されている。ここで仕事関数調整用の材料はTaOなどの金属酸化膜、TaNなどの金属窒化膜である。制御電極にはWなどを用いることができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲内において種々変形して実施することが可能である。さらに、上記実施形態には種々の段階の発明が含まれており、開示された構成要件を適宜組み合わせることによって種々の発明が抽出される。例えば、開示された構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、所定の効果が得られるものであれば、発明として抽出され得る。
1…NAND型フラッシュメモリ、2…メモリコントローラ、100…メモリセルアレイ、110…ロウデコーダ、120…ビット線フックアップ回路、130…センスアンプ、140…周辺回路、141…制御回路、142…カラム制御回路、143…ドライバ、144…パッド領域、145…パッド領域、146…配線領域、150…フックアップ領域、160…フックアップ領域、170…フックアップ領域、411…信号生成回路、412…RAM、413…コア制御回路、414…下端入出力回路、415…左端入出力回路、416…右端入出力回路、417…上端入出力回路。
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に設けられ、トランジスタを含んだ制御回路と、
前記基板の上方のパッドを含んだ第1パッド領域と、
前記基板の上方のn(nは3以上の自然数)個の配線層であって、前記n個の配線層は前記n個の配線層は基板から互いに異なる高さに位置し、前記n個の配線層の各々は配線を含む、n個の配線層と、
第1軸の延びる方向において前記制御回路の端と前記基板の端との間に位置するとともに第2軸の延びる方向において前記第1パッド領域と並ぶ第1配線領域であって、前記第1配線領域はトランジスタを含まず、前記第1配線領域は前記基板と接続されたコンタクトを含まず、前記第1配線領域は前記n個の配線層のうちのm(mは3以上且つn/2超且つn以下の自然数)個の配線層において前記第2軸に沿って延びる配線を含む、第1配線領域と、
を備える半導体記憶装置。 - 前記第1配線領域は、第1配線を含み、
前記第1配線は、前記制御回路から前記第1軸に沿って延びる第1部分と前記第2軸に沿って延びる第2部分とを含み、
前記第1部分と前記第2部分は接続されている、
請求項1の半導体記憶装置。 - 前記制御回路は、相対する第1端及び第2端を含み、
前記第1配線領域は、前記制御回路の前記第1端の延長線から前記第2端の延長線に亘って延びる第1配線を更に含む、
請求項1の半導体記憶装置。 - nが奇数の場合、mは3以上且つn/2+1超且つn以下の自然数である、
請求項1の半導体記憶装置。 - 前記第1配線領域は、前記n個の配線層のうちの全ての配線層において前記第2軸に沿って延びる配線を含む、
請求項1の半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置は、第2配線領域を更に備え、
前記第2配線領域は、前記第1配線領域とともに前記制御回路を挟み、トランジスタを含まず、前記n個の配線層のうちのm個の配線層中において前記第2軸に沿って延びる配線を含む、
請求項1の半導体記憶装置。
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
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