JP2006114874A - 電子デバイス製造チャンバ及びその形成方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】フラットパネルディスプレイ及び/又は電子デバイス製造に関し、小型化の電子デバイス製造チャンバを提供する。
【解決手段】第1の態様において、第1のマルチピースチャンバが提供される。該第1のマルチピースチャンバは、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、(2)該中央ピースの該第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピース109と、(3)該中央ピースの該第2の側部と結合するように適合された第2の側部とを含む。該中央ピース、第1のピース及び第2の側部ピース111は、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する。
【選択図】 図2A

Description

発明の分野
本発明は、一般に、フラットパネルディスプレイ及び/又は電子デバイス製造に関し、より具体的には、電子デバイス製造チャンバ及びそれを形成する方法に関する。
発明の背景
プラットパネルディスプレイに使用される基板のサイズが大きくなるにつれて、より大きなフラットパネルディスプレイを製造するのに使用する電子デバイス製造チャンバ(例えば、処理及び/又は移送チャンバ)の寸法も大きくしなければならない。しかし、このようなチャンバを製造し、輸送するという困難さも、該チャンバの全体の寸法及び/又は重量により、チャンバサイズと共に増している。従って、大きなフラットパネルディスプレイを製造するのに使用する改良された電子デバイス製造チャンバ、及びこのようなチャンバを輸送する改良された方法に対する要求がある。
発明の概要
ある実施形態においては、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(3)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースとを含むマルチピースチャンバが提供される。該中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースは、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する。
ある実施形態においては、(1)第1の開口側部と、(2)該第1の開口側部と対向する第2の開口側部と、(3)チャンバと結合するように適合され、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された開口部を有する、該第1の開口側部と該第2の開口側部との間の第1のファセットと、(4)該第1のファセットと対向し、該第1の開口側部と第2の開口側部との間の第2のファセットとを有する中央ピースを含むマルチピースチャンバが提供される。該第2のファセットは、チャンバに結合するように適合され、かつ各々が、基板が該開口部を通過できるようなサイズに形成されている、少なくとも2つの垂直に積層された開口部を有する。また、該マルチピースチャンバは、(1)該中央ピースの第1の開口側部と結合するように適合され、基板が該開口部を通過できるようなサイズに形成された開口部を有する第1のファセットを少なくとも有する第1の側部ピースと、(2)該中央ピースの第2の開口側部と結合するように適合され、基板が該開口部を通過できるようなサイズに形成された開口部を有する第1のファセットを少なくとも有する第2の側部ピースとを含む。該第1の側部ピースの第1のファセットの開口部、該第2の側部ピースの第1のファセットの開口部及び該中央ピースの第2のファセットの第1の開口部は、該第1の側部ピース、第2の側部ピース及び中央ピースが一緒に結合されたときに、実質的に同じ高さになる。
ある実施形態においては、(1)第1のピースと、(2)少なくとも、マルチピースチャンバを形成するように該第1のピースに結合された第2のピースとを含むマルチピースチャンバが提供される。それらのピースの各々の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従い、該第3のマルチピースチャンバの全体の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従わない。
ある実施形態においては、(1)第1の側部と、第2の側部と、ドーム状部分を有する底部とを有する中央ピースと、(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(3)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部とを含むマルチピースチャンバが提供される。
ある実施形態においては、第1の側部と、第2の側部と、ドーム状部分及び平坦部を有する底部とを有する中央ピースを含むマルチピースチャンバが提供される。該平坦部は、第1の厚さを有し、該ドーム状部分は、該第1の厚さよりも小さい第2の厚さを有する。また、該マルチピースチャンバは、(1)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(2)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースとを含む。
ある実施形態においては、(1)第1の側部と、(2)第2の側部と、(3)基板が開口部を通過できるようにする大きさに形成された少なくとも1つの開口部を含む第1のファセットと、(4)各々が、基板が開口部を通過できるようにする大きさに形成された少なくとも3つの開口部を含む第2のファセットとを有する中央ピースを含むマルチピースチャンバが提供される。また、該マルチピースチャンバは、(1)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(2)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部とを含む。
ある実施形態においては、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(3)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと含むマルチピースチャンバが提供される。該中央ピースの第1の側部は、少なくとも、基板が、該マルチピースチャンバ内で回転できるように、かつ基板を、該マルチピースチャンバから、該マルチピースチャンバの第1の側部ピースに結合されたチャンバへ移送できるように適合された第1の切り欠きを含む。
ある実施形態においては、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合され、かつ第1の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つのフィン構造を有する第1の側部ピースと、(3)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースとを含むマルチピースチャンバが提供される。
ある実施形態においては、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部とを含むマルチピースチャンバが提供される。該第1の側部ピースは、該第1の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持構造を含む。また、該マルチピースチャンバは、該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースを含む。該第2の側部ピースは、該第2の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持構造を含む。更に、該中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースは、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する。
ある実施形態においては、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(3)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと、(4)少なくとも該中央ピースを覆うように適合された蓋とを含むマルチピースチャンバが提供される。該蓋は、平坦部と、該平坦部の垂直方向の動きを低減するように適合された複数の支持部材とを含む。
ある実施形態においては、(1)第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、(2)該中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、(3)該中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと、(4)該中央ピースを少なくとも覆うように適合された蓋とを含むマルチピースチャンバが提供される。該蓋は、該蓋を外すことなく、該マルチピースチャンバの内部領域にアクセスできるように適合された少なくとも1つのハッチを備える。
ある実施形態においては、(1)電子デバイス製造チャンバの1つ以上の全体の寸法を決定することと、(2)複数のピースの各々の寸法が、地上輸送規制及び航空輸送規制のうちの少なくとも一方に従うように、該電子デバイス製造チャンバをどのように複数のピースに分割するかを決定することと、(3)該複数のピースを製造することとを含むマルチピース電子デバイス製造チャンバが提供される。該マルチピースチャンバの全体の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制のうちの少なくとも一方に従わない。
ある実施形態においては、(1)地上輸送及び航空輸送の一方によって、複数のチャンバピースのうちの第1のピースを輸送するステップと、(2)地上輸送及び航空輸送のうちの一方によって、複数のチャンバピースのうちの第2のピースを輸送するステップと、必要な輸送規制に従うと共に、該第1及び第2のピースを輸送するステップとを含む、マルチピースチャンバを輸送する方法が提供される。該マルチピースチャンバの全体の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方を破る。
ある実施形態においては、中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースを有するマルチピースチャンバを輸送する方法が提供される。該方法は、(1)少なくとも、真空ロボットの一部を、該チャンバの中央ピースに配置するステップと、(2)地上輸送及び航空輸送の一方によって、該中央ピースを輸送するステップと、(3)該第1の側部ピースを該第2の側部ピースに結合するステップと、(4)地上輸送及び航空輸送の一方によって、該該第1及び第2の側部ピースを一緒に輸送するステップと、(5)必要な輸送規制に従うと共に、該中央、第1の側部及び第2の側部ピースを輸送するステップとを含む。該マルチピースチャンバの全体の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方を破る。
ある実施形態においては、(1)電子デバイス製造チャンバを、電子デバイス製造チャンバ支持体の1つ以上のスライド機構に結合するステップと、(2)該1つ以上のスライド機構を用いて、電子デバイス製造チャンバの膨張に適応し、それによって該電子デバイス製造チャンバが、該電子デバイス製造チャンバ支持体上の位置からずれることを防ぐステップと含む、電子デバイス製造チャンバを支持する方法が提供される。
ある実施形態においては、(1)電子デバイス製造チャンバを支持する装置が提供される。該装置は、(1)1つ以上の支持部材と、(2)1つ以上のスライド機構とを含むベースフレームを含む。該1つ以上のスライド機構は、該電子デバイス製造チャンバに結合して、電子デバイス製造チャンバの膨張に適応するように適合されており、それにより、該電子デバイス製造チャンバが、該ベースフレーム上の位置からずれるのを防ぐ。
ある実施形態においては、(1)マルチピースチャンバを形成するように、第1の側部ピース及び第2の側部ピースに結合するように適合されたマルチピースチャンバの中央ピースと、(2)該中央ピース内に配置された真空ロボットと、(3)該中央ピースに結合された該中央ピースのためのベースフレームとを有するユニットを含む装置が提供される。該ユニットの寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従う。
ある実施形態においては、(1)マルチピースチャンバの第1の側部ピースと、(2)該マルチピースチャンバの第2のピースとを有するユニットを含む装置が提供される。該第1及び第2の側部ピースは、該マルチピースチャンバを形成するように、中央ピースに結合するように適合されている。また、該ユニットは、(1)該第1の側部ピースに結合された第1のベースフレームと、(2)該第2の側部ピースに結合された第2のベースフレームとを含む。該ユニットの寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従う。本発明のこれら及びその他の態様によって、多くの他の態様が提供される。
本発明の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、添付クレーム及び添付図面からより完全に明らかになる。
詳細な説明
中央移送チャンバに関して、単一のアルミニウムブロックから「現場」で中央移送チャンバを機械加工すること及び中央移送チャンバを多数の要素に分解することは、共に、移送チャンバの更なるスケーリングへの可能なアプローチとして考察されている。例えば、「LCD Large−Area Substrate Issues,Substrate Enlargement:Where is the Size Limitation?」、フラットパネルディスプレイ 2003(パネルディスカッション)を見ると、Applied Komatsu Technologies;AKTのI.D.Kangは次のように述べている。
移送チャンバを更に大きくした場合、1つの機器の選択肢は、単一のアルミニウムブロックの機械加工をアジアのどこかで行うことになる。別のオプションは、中央移送チャンバを多数の要素に分解することである。チャンバを、アルミニウムの単一ブロックから機械加工することは、真空状態を保障するが、いくつかのアルミニウムブロックから形成された要素からなる大きな移送チャンバを形成し、該構造物を現場で組立てることが可能である。
本方法及び装置の第1の態様は、移送チャンバ等の大きな電子デバイス製造チャンバの拡張性に取り組む改良された方法及び装置に関する。本方法及び装置の第2の態様は、電子デバイス製造チャンバを動的に支持することに関する。
電子デバイス製造チャンバ
図1は、本発明のいくつかの実施形態に係る第1の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの平面図である。図1を参照して、該マルチピース電子デバイス製造チャンバ101は、電子デバイス製造中に、基板を輸送する移送チャンバである。該移送チャンバは、電子デバイス製造中に、1つ以上の処理チャンバ及び/又はロードロック103に結合されている。該移送チャンバは、電子デバイスの製造中に、該処理チャンバ及び/又はロードロック103の間で基板107を輸送するエンドエフェクタ105を含んでもよい。基板107は、例えば、ガラスプレート、ポリマー基板、半導体ウェハ等を含んでもよい。
本発明のいくつかの実施形態によれば、移送チャンバ101は、一緒に結合される多数のピースを含んでもよい。より具体的には、移送チャンバ101は、第1のピース109(例えば、第1の側部ピース)と、第3のピース113(例えば、中央ピース)に結合された第2のピース111(例えば、第2の側部ピース)とを含んでもよい。第1のピース109及び第2のピース11は、それぞれ、Oリング(独立して図示せず)を介して第3のピース113に結合することができる。第1のピース109及び第2のピース11は、それぞれ、ネジ、ボルト等の固定手段を用いて、第3のピース113に固定することができる。図1のマルチピース電子デバイス製造チャンバ101は、3つのピースを含んでいるが、該マルチピース電子デバイス製造チャンバは、より多くの又はより少ない数のピース(例えば、2、4、5、6等)を含んでもよい。
従来の移送チャンバ(例えば、1ピース移送チャンバ)の幅は、一般に、地上及び/又は航空輸送規制、輸送容量又は建物のデザインによって、約3m以下に制限されている。例えば、約3m以上の移送チャンバは、ローカル規制により、最も一般的な容量である747貨物運送飛行機での輸送が禁止されており、標準的な電子デバイス製造設備の入口ドアをうまく通過させるには大き過ぎる可能性がある。対照的に、本発明の1つ以上の実施形態においては、該マルチピース移送チャンバの幅W1は、組立てたときに(例えば、全体の幅)、4.2mとなる。そのため、本電子デバイス製造チャンバ101は、従来の1ピース移送チャンバが収容できるものよりも大きな基板を収容することができる。電子デバイス製造チャンバ101は、4.2mよりも大きな又は小さな幅であってもよい。
組立て時の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ101の形状は(例えば全体形状は)、六角形である。しかし、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101は、その他の全体形状(例えば、8つのチャンバを移送チャンバ101に結合する場合は八角形、この場合、第1及び第2のピース109、111は、図に示すような三角形状というよりはむしろ台形形状としてもよい。)を有してもよい。
図2Aは、本発明のいくつかの実施形態に係る第1の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ101の分解等角図である。第1のピース109〜第3のピース113の各々は、水平方向に結合して、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101を形成することができる。第1のピース109の長さは、LS1で表わされ、第1のピース109の幅は、WS1で表わされている。第2のピース111の長さは、LS2で表わされ、第2のピース111の幅は、WS2で表わされている。第3のピース113の長さは、LC2で表わされ、第3のピース113の幅は、WC1で表わされている。
1つ以上の実施形態において、第3のピース113の幅WC1は、約2.4mであり、第3のピース113の長さLC1は、約4.2mである。第3のピース113に対しては、より大きな又はより小さな長さ及び/又は幅を用いてもよい。図示の実施形態において、第3のピース113の長さLC1は、チャンバ101の全体の幅W1として作用する。図に示すように、第1のピース109の長さLS1及び第2のピース111の長さLS2は、第3のピース113の長さLC1に等しい。しかし、第1のピース109の長さLS1及び/又は第2のピース111の長さLS2は、異ならせてもよい。一実施形態において、第1のピース109の幅WS1及び/又は第2のピース111の幅WS2は、約1.2mである。しかし、第1のピース109の幅WS1及び/又は第2のピース111の幅WS2は、異ならせてもよい(例えば、より大きく又はより小さく)。(1つの特定の実施形態においては、第3のピース113は、第1のピース109の幅に、第2のピース111の幅を加えたものと略等しい又はより小さい幅を有してもよいが、該第1、第2及び第3のピース109、111及び113の幅の間の他の関係も用いることができる。)マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の各ピース109〜113は、例えば、アルミニウム、ステンレス鋼、あるいは、移送チャンバとしての用途に適したどのような実施可能な比較的不活性な物質で形成してもよい。
マルチピース電子デバイス製造チャンバ101のの全体の寸法は、地上輸送規制及び/又は航空輸送規制に従わないが、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の各ピース109〜113の寸法は、地上輸送規制及び/又は航空輸送規制に従う。より具体的には、上述した実施例において、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の全体の幅W1は4.2mであり、これは、地上輸送規制及び/又は航空輸送規制に従わない。しかし、第1のピース109の幅WS1及び第2のピース111の幅WS2は1.2mであり、第3のピース113の幅WC1は2.4mであり、それぞれ、地上輸送規制及び/又は航空輸送規制に従っている。(別の実施形態においては、第3のピース113の幅WC1は、約3〜3.2m、第1及び第2のピース109、111の幅WS1、WS2は、約1.5〜1.6mであってもよい。)
更に、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の各ピース109〜113は、従来のマシニングセンタ又はショップで製造してもよい。そのため、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の製造者は、複数の従来のマシニングセンタ又はショップのうちの1つ以上を選択して、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の各ピース109〜113を製造することができる。複数のマシニングセンタ又はショップの間の競争は、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101の製造者がより良い価格を得るのを可能にする。対照的に、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101と同様のより大きな基板を収容できる寸法を有する1ピース電子デバイス製造チャンバを製造するマシニングセンタ又はショップの数は限定される。マシニングセンタ又はショップのこの限定された数は、縮小された競争をもたらす。縮小された競争により、該製造者は、マルチピース半導体製造チャンバ101に対してよりも、このような1ピースチャンバの製造に対してより多く支払う可能性がある。更に、このような1ピースチャンバは、地上輸送規制及び/又は航空輸送規制に従わないため、このような1ピースチャンバの製造者は、警察による護衛、「特大荷物」標識等の特別な便宜を得て、該デバイスを輸送する必要がある可能性がある。マルチピース電子デバイス製造チャンバ101は、このような便宜は必要ない。
次に、第1のマルチピース電子デバイス製造チャンバ101の追加的な特徴を、図2A及び図2B〜2Dを参照して説明し、図2Bは、組立て時の第1のチャンバ101の等角図であり、図2Cは、第1のチャンバ101の平面図であり、図2Dは、(以下に説明するような三重基板積層ロードロックチャンバに結合するように適合された第1のチャンバ101のファセットを示す)第1のチャンバ101の側面図である。
図2A〜図2Bを参照して、第1のチャンバ101は、複数のファセット201a〜201f(図2C)を含む。図示の実施形態においては、6つのファセットが設けられているが、(上述したように)より大きな又はより小さな数のファセットを設けてもよい。
各ファセット201a〜201fは、例えば、図1において、チャンバ103に関して示すように、それに対して、処理チャンバ、ロードロックチャンバ又は他のチャンバを密閉結合することができる(例えばOリング又は他のシーリング材料)平坦な側壁を提供する。ファセット201a〜201fの存在にもかかわらず、第1のチャンバ101の全体構造は、実質的に円筒形である。例えば、図2A〜図2Cに示すように、第1の(側部)ピース109は、その中にファセット201b、201cが形成されている円筒形壁203を含み、第2の(側部)ピース111は、その中にファセット201e、201fが形成されている円筒形壁205を含む。第3の(中央)ピース113は、図(図2A)示すように、それぞれファセット201a、201dとして作用する実質的に平坦な対向する側壁207、209を有する。
第1及び第2のピース109、111の円筒形壁203、205のため、第1のチャンバ101の内部領域は、実質的に円筒形である(例えば、図2A及び図2C参照)。円筒形構成は、第1のチャンバ101の内部容積を低減すると共に、第1のチャンバ101内に配置された真空ロボット(図7)の自由な回転を可能にする。このような回転は、例えば、該ロボットが回転して、第1のチャンバ101に結合された様々なチャンバ(図1)の間で基板を移送するときに起きる。
チャンバ101の第3の(中央)ピース113を介した真空ロボットの回転に適応させるため、第3のピース113は、切り欠き領域211a〜211dを含む(切り欠き211a〜211cのみが示されている図2A参照)。また、切り欠き211a〜211dは、第1及び第2の側部ピース109、111の各ファセットに形成された開口部(例えば、スリット開口部)を介した基板移送中に、追加的な隙間を提供する。すなわち、切り欠き211a〜211dは、それぞれ開口部213、215、217、219を介した基板移送中に、追加的な隙間を提供し、該開口部は、(図2A及び図2Bに示すように)ファセット201f、201e、201c、201bに対応する。
ファセット201b、201c、201e、201fは、1つのみの開口部を有するように示されているが、各ファセットは、追加的な開口部(例えば、2つ、3つ、4つ又はそれ以上の開口部)を含んでもよい。同様に、第3の(中央)ピース113のファセット201aは、単一の開口部221(図2A)を有して示されているが、追加的な開口部(例えば、2つ、3つ、4つ等)を含んでもよい。第3のピース113のファセット201dは、3つの垂直方向に積層された開口部223a〜223c(図2A及び図2C)を含むが、別の数の開口部(例えば、1つ、2つ、4つ、5つ等)を含んでもよい。本発明の少なくとも1つの実施形態において、第3の(中央)ピース113のファセット201dの底部開口部223cは、(図2Dに示すように)第2の側部ピース111のファセット201eの開口部215及び第1の側部ピース109のファセット201cの開口部217と垂直方向に位置合わせされている。各開口部213〜233cは、そこに基板を通過させることができるような大きさに形成されていることに注意する。他の構成も用いることができる。
再び図2A〜図2Cについて説明すると、第1及び第2の側部ピース109、111は、複数のフィン構造225を含み、各々が、第1のチャンバ101に対して構造上の完全性を与えるように適合されている。例えば、フィン構造225は、第1のチャンバ101の内部領域と、該領域に結合されたいずれかの処理チャンバ及び/又は第1のチャンバ101の外部の環境との間の圧力差により、第1及び第2の側部ピース109、111の円筒形側部/上部壁のたわみを低減する。更に、フィン構造225の利用は、第1及び第2の側部ピース109、111の厚さを低減できるようにし、かつ第1のチャンバ101の全体重量を低減する。一実施形態において、(ステンレス鋼の場合)フィン構造225は、第1及び第2の側部ピース109、111の外側側部/上部壁の近傍で、約0.55インチの厚さを有し、また、中央ピース113に接触する第1及び第2の側部ピース109、111の密閉表面近傍で、約1.3インチの厚さを有するが、他の材料及び/又は厚さを用いてもよい。
更に図2Aに示すように、第1のチャンバ101の第3の(中央)ピース113の底部227は、平坦部229と、ドーム状部231とを含む(図2Dも参照)。ドーム状部231は、そのドーム状形状のため、底部227の改善された強度をもたらし、かつ底部227のための材料の厚さの必要条件を低減する。1つの例示的な実施形態において、ドーム状部231は、ステンレス鋼を使用した場合、約3/8インチの厚さを有してもよく、平坦部227は、約3/4〜1インチ以下の厚さを有してもよい。他の、材料及び/又は厚さの値及び/又は平坦部229とドーム状部231の厚さの違いを用いてもよい。ドーム状部231の強度を更に上げるために、図2Dに示すように、フィン又は同様の支持構造233を、ドーム状部231の下に形成してもよい。フィン233の利用は、例えば、ドーム状231の垂直方向のたわみを低減する。
図2B〜図2C及び図8は、第1のチャンバ101と共に用いてもよい上蓋235を示す。例えば、蓋235は、(蓋235と第3のピース113との間にOリング又は同様のシーリング要素を用いることにより)該第1のチャンバの第3の(中央)ピース113を密封するように適合させてもよい。
図2B〜図2C及び図8を参照して、上蓋235は、図に示すようなビーム239等の複数の支持構造物を用いて補強されている平坦なシーリング部237を含む。シーリング部237は、チャンバ101の底部227の平坦部229(図2A)の厚さと同様の厚さを有してもよく、またビーム239は、追加的な構造的支持体になる(蓋235の厚さ及び重量を低減できるようにする)。蓋235は、(例えば、クレーン等を介して)第1のチャンバ101に対して、蓋235を持ち上げる及び/又は下げるのに用いることができる接続位置241を含んでもよい。
蓋235の重量のため、(例えば、メンテナンス又は他のサービスのために)蓋235全体を第1のチャンバ101から外して、第1のチャンバ101の内部にアクセスできるようにする必要のないように、蓋235に1つ以上のアクセスハッチ又は他の開口部を設けることが好ましい。図2Eは、2つのアクセスハッチ243a〜243bを含む代替の蓋デザイン235’を用いた第1のチャンバ101の等角図である。各アクセスハッチ243a〜243bは、蓋235’全体を第1のチャンバ101から外すことを要することなく、第1のチャンバ101の内部領域にアクセスできるようにするために開くことができる。その他の数のアクセスハッチを用いてもよい(例えば、1つ、3つ、4つ等)。
図3は、本発明のいくつかの実施形態に係る第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の等角図である。第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301は、一緒に結合された第1〜第5のピース303〜311を含む。しかし、第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301は、より大きな又はより小さな数のピースを含んでもよい。第1の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ101とは対照的に、第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の各ピースは、垂直方向に結合して第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301を形成することができる。
図4は、本発明のいくつかの実施形態に係る第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の分解等角図である。第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の第1のピース303は、ドーム状の上蓋である。ドーム状の上蓋303の直径D1は、例えば、約4.2mとすることができる。ドーム状の上蓋303は、ステンレス鋼又は他の材料で形成することができ、また、スピニング又は他の方法を用いて製造することができる。
ドーム状の上蓋303は、第2のピース305に結合されており、該第2のピースは、第3のピース307に結合されており、該第3のピースは、第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の第4のピース309に結合されている。第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の第2〜第4のピース305〜309は、第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の主ボディを形成する。第2〜第4のピース305〜309の各々の幅W2は、例えば、約4.2mとすることができる。第2のピース305、第3のピース307及び/又は第4のピース309の各幅は異ならせてもよいく、第2〜第4のピース305〜309の各々は、六角形状として示してあるが、他の形状を用いてもよい。1つの態様においては、第2〜第4のピース305〜309の各々はアルミニウムであるが、他の材料を用いてもよい。また、上記主ボディに、単一のピースを用いてもよい。
第5のピース311は、第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301のためのドーム状の底蓋である。第5のピース311は、第4のピース309の底部に結合されている。上記ドーム状の上蓋と同様に、該ドーム上の底蓋の直径D2は、例えば、約4.2mとすることができる。他のサイズを用いてもよい。
マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301を製造するため、製造者等のユーザは、以下に説明する発明の方法を用いてもよい。該発明の方法によれば、該電子デバイス製造チャンバの1つ以上の全体の寸法が決まる。より具体的には、製造者は、必要なサイズの基板を製造する必要があってもよい。該必要なサイズに基づいて、該製造者は、このような基板を製造可能な電子デバイス製造チャンバの1つ以上の全体の寸法(例えば、デザイン)を決めてもよい。該必要な基板サイズが十分大きい場合には、該チャンバの全体の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従わない。
その後、上記製造者は、例えば、複数のピースの各々の寸法が、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従うと同時に、組立てた際の該チャンバの構造的完全性が、製造工程を実行するのに十分であるように、上記電子デバイス製造チャンバをどのように複数のピースに分割するかを判断する。例えば、該製造者は、例えば、図1〜図2に示す電子デバイス製造チャンバ101に対して、垂直方向の区分けを用いて、又は例えば、図3〜図4に示す電子デバイス製造チャンバ301に対して、水平方向の区分けを用いて、デザインされたマルチピース電子デバイス製造チャンバを複数のピースに分割してもよい。該製造者は、他の方向性又は方向性の組み合わせを有する区分けを用いて、該電子デバイス製造チャンバを複数のピースに分割することを決めてもよい。
その後、上記複数のピースが製造される。例えば、製造者は、マシニングセンタ又はショップを利用して、該複数のピースを製作してもよい。このようにして、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301が製造される。
マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301が、一旦、製造されると、電子デバイス製造チャンバ101、301は、例えば、顧客の現場へ輸送することができる。マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301を輸送するために、製造者は、本発明の1つ以上の実施形態により、このようなチャンバを輸送する方法を用いてもよい。例えば、複数の電子デバイス製造チャンバピースのうちの第1のピースは、地上輸送及び航空輸送の一方によって輸送することができる。該第1のピースは、該第1のピースが、コンテナの(底部面等の)面に対して角度を形成するように、、輸送規制に従うコンテナ内に配置することができる。すなわち、該第1のピースは、このような角度で該コンテナ内に配置されない場合、許可されたのよりも大きな実際の高さ又は幅寸法を有してもよく、それでも、輸送規制に従うコンテナ内に収まる可能性がある。より大きなピースを輸送する能力は、発明のマルチピースチャンバをより小数のピースから形成できるようにする。そのため、必要なことではないが、該ピースを、輸送コンテナ内にある角度で配置することが好ましい。いくつかの実施形態においては、主又は中央ピースが、できる限り大きく、かつそれでもなお、標準的なサイズの輸送コンテナ内に収まることが可能であると共に、残りのピースがより小さく、又は組み立てが容易なようにできる限り小さくなるように、マルチピースチャンバを製造することが好ましい。
図5は、本発明のいくつかの実施形態に係る、コンテナ301内に示す第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの第1のピースである。図5を参照して、コンテナ501の幅W3は、例えば、3mとすることができ、これは、たいていの地上及び/又は航空輸送規制に従っている。より小さな幅のコンテナを使用してもよい。第1のピース303(例えば、上記ドーム状上蓋)は、第1のピース303が、コンテナ501の面503(例えば、底部)に対して約50度の角度Aを形成するように、コンテナ501内に配置することができる。第1のピース303は、コンテナ501の面503に対してより大きな又はより小さな角度を形成してもよい。一実施形態において、第1のピース303は、コンテナ501の面503に対して、50°以上又は50°以下の角度Aを形成する。その結果、第1のピース303の幅は4.2mであるが、第1のピース303は、より小さな幅のコンテナに収まる。その後、コンテナ501は、地上輸送又は航空輸送によって輸送される。このようにして、必要な輸送規制は、該第1のピースを輸送している間守られる。
同様に、電子デバイス製造チャンバ301の第2のピース305は、地上輸送及び航空輸送の一方によって輸送される。第2のピース305は、第2のピース305が、コンテナの底部に対してある角度を形成するように、輸送規制に従う該コンテナ内に配置される。例えば、図6は、本発明の少なくとも1つの実施形態に係る、コンテナ501内の第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の第2のピース305の側面図である。図6を参照して、第2のピース305は、第1のピース303と同様の方法でコンテナ501内に配置されている。
組立てられたマルチピース電子デバイス製造チャンバ301の全体の寸法は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方を破る。例えば、電子デバイス製造チャンバ301の全体の幅は、3m以上であるため、地上及び航空輸送規制に従わない。そのため、上記第1及び/又は第2のピースは、例えば、コンテナ501で別々に輸送される。
このようにして、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301は、同じような寸法の1ピース電子デバイス製造チャンバを製造することに関して不利益(例えば、コスト)を伴うことなく、マシニングセンタ又はショップで製造することができる。更に、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301は、同じような寸法の1ピース電子デバイス製造チャンバを輸送することに関して不利益(例えば、コスト、時間等)を伴うことなく、顧客の現場へ輸送することができる。
電子デバイス製造チャンバの支持
図7は、本発明に係る電子デバイス製造チャンバ支持体701の等角図である。図7を参照して、電子デバイス製造チャンバ支持体701は、ベースフレーム703を含む。ベースフレーム703の1つ以上の部分は、(例えば、床アンカー704を介して固定して)床に取付けてもよい。
従来の製造チャンバ支持体においては、ベースの1つ以上の部分が、電子デバイス製造チャンバの底部に(例えば、固定して)取付けられていることに注意する。従来の製造チャンバ支持体とは対照的に、本発明のいくつかの実施形態に係る電子デバイス製造チャンバ支持体701は、追加的に又は代替的に、電子デバイス製造チャンバ709の底部707における動的支持を可能にする1つ以上のスライド機構705を含んでもよい。1つ以上のスライド機構705は、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)被覆ベアリング等のスライド可能ベアリングと、負荷支持弾性ゴムを含むエラストママウントとを含んでもよい。1つ以上のスライド機構705に対しては、その他の適当な物質を用いてもよい。
あるいは、1つ以上のスライド機構705は、スライドベアリングの代わりに、又はスライドベアリングに加えて、ローラを含んでもよい。いくつかの実施形態においては、電子デバイス製造チャンバ709は、電子デバイス製造チャンバ709の最大可能膨張を越える膨張容量を有する可能性のあるフレキシブルラインによって、いかなる膨張にも適応できるように、垂直方向、斜方向及び/又は水平方向のフレキシブルラインによって吊り下げてもよい。
1つ以上のスライド機構705は、電子デバイス製造チャンバ709の熱的又は他の膨張に適応するように適合されている。例えば、電子デバイス製造中、隣接するプロセスチャンバからの熱は、電子デバイス製造チャンバ101、301の温度を200〜300℃を超えさせて、電子デバイス製造チャンバ709を膨張させる。スライド機構705は、電子デバイス製造チャンバ709が、(例えば、ベースフレーム703上の)電子デバイス製造チャンバ支持体701上の位置から外れることを防止する。スライド機構705は、電子デバイス製造チャンバのいかなる可能な程度の膨張にも適合するのに有効であり、それにより、電子デバイス製造チャンバ709が、電子デバイス製造チャンバ支持体701からずれること、又は定位置からずれることを防ぐ。
図8は、本発明のいくつかの実施形態に係る例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801の等角図である。図8を参照して、例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801は、マルチピース支持体であってもよい。より具体的には、例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801は、マルチピースベースフレーム803を含んでもよい。例えば、ベースフレーム803は、第1のピース805と、第2のピース807と、第3のピース809とを含んでもよい。ベースフレーム803は、より大きい又はより小さい数のピースを含んでもよい。例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801の複数のピースは、例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801によって支持されるマルチピース電子デバイス製造チャンバ101のピース(例えば、109〜113)に対応させてもよい。
図8に示す実施例において、ベースフレーム803の第3のピース809(例えば、中央ピース)は、8つのスライド機構705を含む。第3のピース809は、より大きい又はより小さい数のスライド機構705を含んでもよい。図7に示すように、1つ以上のスライド機構705は、床アンカー704と(例えば、真上に)位置合わせすることができる。しかし、スライド機構705は、異ならせて配置してもよい。同様に、ベースフレーム803の第1及び第2のピース805、807は、複数のスライド機構705を含んでもよい。マルチピース電子デバイス製造チャンバ支持体801を上述しているが、例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801は、1ピース支持体であってもよい。
熱的膨張が、1つ以上のスライド機構705を、それらの個々の範囲の端に到達させた場合、いくつかの実施形態においては、他のスライド機構705が、元のスライド機構705に向けられた更なる熱的膨張に適応し始めることに注意する。換言すれば、スライド機構705を、その個々の範囲の限界まで移動させるように加えられた力が、一旦、(以下に説明する)停止フレームに作用すると、膨張力は、他のスライド機構705によって適合される反対方向に向け直されることになる。
図9は、本発明のいくつかの実施形態に係る例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801の一部の詳細の拡大等角図である。図9を参照して、例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801は、スライドベアリング905と、エラストママウント907とを含んでもよい1つ以上のスライド機構705を含む。
スライドベアリング905は、足又はスリップディスク901に取付けられた軸又はねじ切りされたロッド903を含んでもよい。スリップディスク901は、例えば、Dupont Corporationにより製造されるTeflon(登録商標)等の低摩擦フルオロポリマー樹脂で被覆されている凹部904内に位置していてもよい。凹部又は「停止フレーム」904は、正方形又は円あるいはスリップディスク901の水平方向の動きの所望の範囲に適応するのに適したいかなる形状であってもよい。同様に、スリップディスク901は、正方形又は円あるいは凹部904内の水平方向の動きの所望の範囲に適応するのに適したいかなる形状であってもよい。スライドベアリング905は、鋼鉄又は適当ないかなる材料であってもよい。いくつかの実施形態においては、スリップディスク901の下部及び側部も、Teflon(登録商標)等の低摩擦フルオロポリマー樹脂で被覆して、スライドベアリング905が凹部904内を自由に動けるようにしてもよい。更に、スリップディスク901は、低摩擦被覆の代わりに、又は低摩擦被覆に加えて、ローラ又はボールベアリングを含んでもよい。いくつかの実施形態においては、スライドベアリング905の代わりに、いかなる適当な可動ベアリングも使用することができる。
スリップディスク901に取付けられた軸又はねじ切りされたロッド903は、電子デバイス製造チャンバ709の底部707(図7)にも取付けることができる。ねじ切りされたロッド903は、電子デバイス製造チャンバ709の底部707のねじ切りされた凹部にねじ込んでもよく、あるいは、ピン又は他のファスナ等のいずれかの適当な固定デバイスを用いて取付けてもよい。
エラストママウント907は、取付プレート908a、908bの間に挟まれ、かつ取付けられた負荷支持加硫処理弾性ゴム等の柔軟な材料を含んでもよい。金属ばねを含むその他の適当な柔軟な材料を使用してもよい。該マウンティングプレートは、鋼鉄又は適当ないかなる材料で形成してもよく、また、該マウンティングプレートを、それぞれ、電子デバイス製造チャンバ709の底部707及びベースフレーム803のブラケット909部分に取付けることができるようにする穴を含んでもよい。
動作中、スライドベアリング905は、電子デバイス製造チャンバ709の重量を支えてもよく、かつ電子デバイス製造チャンバ709を、該チャンバが膨張したときに、許容可能な範囲内で動けるようにしてもよい。同時に、エラストママウント907は、電子デバイス製造チャンバ709に電子デバイス製造チャンバ支持体801上の理想の位置の方に有効にバイアスをかけるように作用してもよい。上述したように、電子デバイス製造チャンバ709の動きの許容可能な範囲は、スリップディスク901のサイズ及び該ディスクがその中に位置する凹部904によって画成することができる。該凹部の位置及び外形も、該動きの範囲に影響を及ぼす可能性がある。いくつかの実施形態において、エラストママウント907は、電子デバイス製造チャンバ709の動きの範囲を追加的に又は代替的に制限してもよい。
本発明を更に説明するために、実例の寸法を提供する。しかし、以下の寸法は、単に、特定の実施形態の実例であり、また、適当な相対的サイズの実施例を単に示そうとするものであることに注意する。いくつかの実施形態において、スリップディスク901の直径D3は約100mmであり、凹部904は約125mmであり、スリップディスク901の高さh1は約25mmであり、軸又はネジが切られたロッド903の直径D4は、約25mmであり、ネジが切られたロッド903の高さh2は約137mmである。いくつかの実施形態において、M25ボルト(ISO 965−1、第5項、メートルファスナサイズ指定)を、ネジが切られたロッド903として使用することができる。スライド機構705は、図示したものとは異ならせて形成し及び/又は特定の大きさにしてもよい。いくつかの実施形態において、エラストママウント907は、そる又は約15mmまで伸びる可能性がある。エラストママウント907は、図示したものとは異ならせて形成し及び/又は特定の大きさにしてもよい。
図10は、電子デバイス製造チャンバ101を支持するように示されている図9の例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体801の等角図である。図10を参照して、各支持体801のエラストママウント907及びスライドベアリング905は、電子デバイス製造チャンバ101の底部に結合されている。
電子デバイスの製造中、電子デバイス製造チャンバ101は、熱膨張又は他の力により伸びる可能性がある。より具体的には、支持体801の上の電子デバイス製造チャンバ101の一部は、垂直方向及び水平方向の両方向に膨張する可能性がある。電子デバイス製造チャンバ101の伸び又は膨張は、エラストママウント907を圧縮又は伸ばし、スライドベアリング705を動かす。このようにして、各スライド機構705は、電子デバイス製造チャンバ101のどの膨張部分の伸び又はそりにも適合する。残りのスライド機構705は、同様に該電子デバイス製造チャンバの膨張に適応し、それにより、電子デバイス製造チャンバ101が電子デバイス製造チャンバ支持体801上の位置からずれることを防ぐ。このようにして、電子デバイス製造チャンバ101は、電子デバイス製造中に、実質的にバランス及びレベルを保つ。対照的に、該電子デバイス製造チャンバに固定結合されているだけの従来の支持体によって支持される製造チャンバの熱膨張は、該電子デバイス製造チャンバを、該支持体からずらし、落下させ及び/又は損傷させる可能性がある。
電子デバイス製造チャンバを支持するために、本発明のいくつかの実施形態に係る電子デバイス製造チャンバを支持する方法を用いることができる。より具体的には、該電子デバイス製造チャンバは、電子デバイス製造チャンバ支持体801の1つ以上のスライド機構705に結合されている。1つ以上のスライド機構705は、電子デバイス製造チャンバの膨張に適応するのに用いられ、それにより、該電子デバイス製造チャンバが、電子デバイス製造チャンバ支持体801からずれること又は落下することを防ぐ。例えば、スライド機構705のエラストママウント907は、電子デバイス製造チャンバの膨張に適応するために、伸びる又は圧縮することができる。
以下の説明は、本発明の例示的な実施形態のみを開示する。本発明の範囲に含まれる上記開示した装置及び方法の変形は、当業者には容易に理解できるである。例えば、上述した実施形態のうちのいくつかは、移送チャンバに関し、本方法及び装置は、PVD、CVD等のための処理チャンバ等の他の種類の電子デバイス製造チャンバに対して用いてもよい。更に、1つ以上の実施形態において、上記ピースを顧客の現場へ輸送する前に、ロボットを、マルチピース電子デバイス製造チャンバ101、301のピースに挿入しても(例えば、組み込んでも)よい。例えば、真空ロボットの底部部分は、フレーム803の第3の(中央)ピース809(図8)に、例えば、フレーム803のベースリング811に設置してもよく、該真空ロボットの上部部分は、チャンバ101の第3の(中央)ピース113に設置してもよい。そして、チャンバ101の第3のピース113は、ベースフレーム803の第3のピース809に結合してもよく、該ベースフレーム/中央チャンバピースアセンブリは、1つのユニットとして輸送することができる。図11は、真空ロボット(図示せず)を含んでもよい、及び輸送する準備ができている例示的なベースフレーム/中央チャンバピースアセンブリ1101の等角図である。少なくとも1つの実施形態において、出荷前に、カバーユニット1103a、1103bがチャンバ101の第3の(中央)ピース113の開口面を覆って設置され、またカバーユニット1105が、第3のピース113のいずれかのファセットの開口部を覆って設置される。カバーユニット1103a〜1103b、1105は、アルミニウム又は他のいずれかの適当な材料で形成することができ、輸送中に、チャンバ101の内部及び/又は該チャンバに設置されたコンポーネントを保護する。
本発明の1つ以上の実施形態において、アセンブリ1101は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従うように特定の大きさにされている。例えば、アセンブリ1101は、約3m以下の高さを有してもよい。
本発明の別の実施形態においては、第1及び第2の側部チャンバピース109、111及び第1及び第2のベースフレームピース807、805は、一緒に1つのユニットとして組立て及び/又は輸送してもよい。例えば、図12は、1つのユニットとして輸送することができる側部ピース/ベースフレームアセンブリ1201の等角図である。アセンブリ1201は、例えば、チャンバ101の第1の側部ピース109をベースフレームピース807に結合し、チャンバ101の第2の側部ピース111をベースフレームピース805に結合し、該側部ピース/ベースフレームアセンブリを図に示すように一緒に配置することにより形成することができる。そして、アセンブリ1201は、1つのユニットとして輸送することができる。図11のカバーユニット1105と同様のカバーユニット1203を、(例えば、該チャンバピースの内部を保護するために)出荷前に、いずれかのファセット開口部を覆うのに用いてもよい。
本発明の1つ以上の実施形態において、アセンブリ1201は、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従うように特定の大きさにされている。例えば、アセンブリ1201は、約3m以下の高さを有してもよい。
チャンバ101、103のピース及び/又はベースフレーム803は、いずれかの適当な方法を用いて輸送することができる。少なくとも1つの実施形態において、チャンバ101の側部ピース109、111は、第1の方法の輸送(例えば、地上、船、航空等)を用いて輸送することができ、チャンバ101の中央ピース113は、第2の方法の輸送(例えば、地上、船、航空等)を用いて輸送することができる。別の実施例として、第1及び/又は第2の側部ピース109、111を第1のトラックによって輸送することができ、中央ピース113を、第2のトラックを用いて輸送することができる。
本発明の少なくとも1つの実施形態において、上記真空ロボットは、その全体を参照として本明細書に組み入れる、2003年6月20日に出願された米国特許出願第10/601,185号明細書に記載されているのと同様の方法で、(例えば、該ロボットを、べローズシールを使用して、該チャンバのフレーム上に設けることにより)図7に示すような該チャンバの底部の動きから切り離すフローティングシールを用いてもよい。
図2A〜図2Eに示すように、第1のチャンバ101の側部ピース109、111は、それぞれ、独立した蓋又は底部を必要としない単一のピースユニットである。独立した蓋及び/又は底部は、側部ピース109、111の一方又は両方に用いることができるが、劣化する及び/又は漏れる可能性がある追加的なシーリングインタフェースを要する。
本発明を、フラットパネルディスプレイに関して主に説明してきたが、上記発明のマルチピースチャンバを、いかなる種類の基板を移送、処理及び/又は製造するのにも用いることができ、かついかなる種類のデバイス(例えば、フラットパネルディスプレイ、ソーラーパネル及び/又はセル等)を移送、処理及び/又は製造するのにも用いることができることが理解される。
輸送規制が、国(例えば、米国、日本、韓国、台湾、中国等)の間で変わる可能性があることは理解される。例えば、サイズ制限又は他の関連性のある輸送パラメータは、国と国の間で変わる可能性がある。しかし、本発明は、どの国も特定の輸送規制にも適合するように(かつそれでも本発明の趣旨及び範囲に含まれるように)適合/変更してもよい。
従って、本発明を、その例示的な実施形態と共に開示してきたが、その他の実施形態も、特許請求の範囲によって定義するように、本発明の趣旨及び範囲に含まれることを理解すべきである。
本発明のいくつかの実施形態に係る第1の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの平面図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る第1の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの分解等角図である。 組立て時の、図2Aの第1のチャンバの等角図である。 図2Aの第1のチャンバの平面図である。 図2Aの第1のチャンバの側面図である。 代替の蓋デザインを用いた、図2Aの第1のチャンバの等角図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの等角図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの分解等角図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、コンテナ内に示す第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの第1のピースの側面図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る、コンテナ内に示す第2の例示的なマルチピース電子デバイス製造チャンバの第2のピースの側面図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る電子デバイス製造チャンバ支持体の等角図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体の等角図である。 本発明のいくつかの実施形態に係る図8の例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体の等角図である。 電子デバイス製造チャンバを支持することを示す、図9の例示的な電子デバイス製造チャンバ支持体の等角図である。 ユニットとして輸送することができる例示的なベースフレーム/中央チャンバピースの等角図である。 ユニットとして輸送することができる側部ピース/ベースフレームアセンブリの等角図である。
符号の説明
101…マルチピース電子デバイス製造チャンバ、109…第1の側部ピース、111…第2の側部ピース、113…第3の(中央)ピース、201a〜201f…ファセット、235…上蓋、501…コンテナ、701…電子デバイス製造チャンバ支持体、LS1…長さ、LS2…長さ、LC1…長さ、WS1…幅、WS2…幅、WC1…幅

Claims (67)

  1. 第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと、
    を備え、
    前記中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースが、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する、マルチピースチャンバ。
  2. 前記中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースは、一緒に結合されたときに、移送チャンバを形成する、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  3. 前記中央ピースは、実質的に矩形形状を有する、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  4. 前記中央ピースは、約3m以上の長さを有する、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  5. 前記中央ピースは、約2.4m以上の長さを有する、請求項4に記載のマルチピースチャンバ。
  6. 前記中央ピースは、ドーム状部分を有する底部を含む、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  7. 前記ドーム状部分は、真空ロボットを収容するように適合されている、請求項6に記載のマルチピースチャンバ。
  8. 前記ドーム状部分は、前記ドーム状部分の垂直方向の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持フィンを含む、請求項6に記載のマルチピースチャンバ。
  9. 前記ドーム状部分は、複数の支持フィンを含み、各支持フィンが、前記ドーム状部分の垂直方向の動きを低減するように適合されている、請求項8に記載のマルチピースチャンバ。
  10. 前記中央ピースの底部は平坦部分を含む、請求項6に記載のマルチピースチャンバ。
  11. 前記平坦部分は第1の厚さを有し、前記ドーム状部分が、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さを有する、請求項10に記載のマルチピースチャンバ。
  12. 前記第1の厚さは、約0.75〜1.0インチよりも小さく、前記第2の厚さは、約0.375インチよりも小さい、請求項11に記載のマルチピースチャンバ。
  13. 前記平坦部分及びドーム状部分の両方は、ステンレス鋼から形成されている、請求項11に記載のマルチピースチャンバ。
  14. 前記中央ピースは、第1のファセット及び第2のファセットを有し、
    前記第1のファセットは、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された少なくとも1つの開口部を含み、
    前記第2のファセットは、各々が、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された少なくとも2つの開口部を含む、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  15. 前記第2のファセットは、各々が、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された少なくとも3つの開口部を含む、請求項14に記載のマルチピースチャンバ。
  16. 前記第1のファセットは、処理チャンバに密封結合するように適合されている、請求項14に記載のマルチピースチャンバ。
  17. 前記第2のファセットは、ロードロックチャンバに密封結合するように適合されている、請求項16に記載のマルチピースチャンバ。
  18. 前記第2のファセットは、垂直方向に積層された少なくとも3つの基板を格納するロードロックチャンバに密封結合するように適合されており、前記第2のファセットは:
    基板が、前記中央ピースと前記ロードロックチャンバの間を第1の高さで通過できるような大きさで形成された第1の開口部と;
    基板が、前記中央ピースと前記ロードロックチャンバの間を第2の高さで通過できるような大きさで形成された第2の開口部と;
    基板が、前記中央ピースと前記ロードロックチャンバの間を第3の高さで通過できるような大きさで形成された第3の開口部と;
    を含む、請求項17に記載のマルチピースチャンバ。
  19. 前記第1の側部ピースは、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された開口部を有する第1のファセットを少なくとも含み、
    前記第2の側部ピースは、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された開口部を有する第1のファセットを少なくとも含み、
    前記第1の側部ピースの第1のファセットの開口部、前記第2の側部ピースの第1のファセットの開口部及び前記中央ピースの第2のファセットの第1の開口部は、前記第1の側部ピース、第2の側部ピース及び中央ピースが一緒に結合されたときに、実質的に同じ高さにある、請求項18に記載のマルチピースチャンバ。
  20. 前記中央ピースの第1の側部は、前記マルチピースチャンバ内で基板が回転できるように、かつ前記基板を前記マルチピースチャンバから、前記マルチピースチャンバの第1の側部ピースに結合されたチャンバへ移送できるように適合された第1の切り欠きを少なくとも含む、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  21. 前記中央ピースの第2の側部は、前記マルチピースチャンバ内で基板が回転できるように、かつ前記基板を前記マルチピースチャンバから、前記マルチピースチャンバの第2の側部ピースに結合されたチャンバへ移送できるように適合された第1の切り欠きを少なくとも含む、請求項20に記載のマルチピースチャンバ。
  22. 前記第1の側部ピース及び第2の側部ピースは第1の幅を有し、前記中央ピースは、前記第1の幅の約2倍以上の第2の幅を有する、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  23. 前記第1の側部ピースは、側壁に形成された複数の平坦なファセットを有する実質的に円筒形の側壁を備える、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  24. 前記第1の側部ピースは2つのファセットを含み、各々が、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された前記開口部を有する、請求項23に記載のマルチピースチャンバ。
  25. 前記第1の側部ピースは、前記第1の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つのフィン構造を含む、請求項23に記載のマルチピースチャンバ。
  26. 前記第1の側部ピースは、前記第1の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された複数のフィン構造を含む、請求項25に記載のマルチピースチャンバ。
  27. 前記第2の側部ピースは、側壁に形成された複数の平坦なファセットを有する実質的に円筒形の側壁を備える、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  28. 前記中央ピースを少なくとも覆うように適合された蓋を更に備える、請求項1に記載のマルチピースチャンバ。
  29. 前記蓋は、平坦部分と、前記平坦部分の垂直方向の動きを低減するように適合された複数の支持ビームと、を備える、請求項28に記載のマルチピースチャンバ。
  30. 前記平坦部分は、約0.75〜1.0インチ以下の厚さを有する、請求項29に記載のマルチピースチャンバ。
  31. 前記蓋は、前記マルチピースチャンバの内部領域へのアクセスを、前記蓋を外すことを要することなく可能にするように適合された少なくとも1つのハッチを備える、請求項29に記載のマルチピースチャンバ。
  32. 前記蓋は、少なくとも2つのハッチを備え、各々が、前記マルチピースチャンバの内部領域へのアクセスを、前記蓋を外すことを要することなく可能にするように適合されている、請求項31に記載のマルチピースチャンバ。
  33. 第1の開口側部と、
    前記第1の開口側部と対向する第2の開口側部と、
    前記第1の開口側部と第2の開口側部との間の第1のファセットであって、チャンバに結合するように適合され、かつ基板が開口部を通過できるような大きさに形成された開口部を有する第1のファセットと、
    前記第1のファセットと対向し、かつ前記第1の開口面と第2の開口面との間の第2のファセットであって、チャンバに結合するように適合され、かつ各々が、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された少なくとも2つの垂直方向に積層された開口部を有する第2のファセットとを有する、中央ピースと、
    中央ピースの前記第1の開口面と結合するように適合された第1の側部ピースであって、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された開口部を有する第1のファセットを少なくとも有する第1の側部ピースと、
    中央ピースの前記第2の開口面と結合するように適合された第2の側部ピースであって、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された開口部を有する第1のファセットを少なくとも有する第2の側部ピースと、
    を備え、
    前記第1の側部ピースの第1のファセットの開口部、前記第2の側部ピースの第1のファセットの開口部及び前記中央ピースの第2のファセットの第1の開口部が、前記第1のピース、第2のピース及び中央ピースが一緒に結合されたときに、実質的に同じ高さにある、マルチピースチャンバ。
  34. 前記中央ピースの第1のファセットの開口部は、前記中央ピースの第2のファセットの第1の開口部と実質的に同じ高さにある、請求項33に記載のマルチピースチャンバ。
  35. 前記中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースは、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバ領域を形成する、請求項33に記載のマルチピースチャンバ。
  36. 前記中央ピースは、ドーム状部分を有する底部を含む、請求項33に記載のマルチピースチャンバ。
  37. 前記ドーム状部分は、真空ロボットに結合するように適合されている、請求項36に記載のマルチピースチャンバ。
  38. 前記ドーム状部分は、前記ドーム状部分の垂直方向の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持フィンを含む、請求項36に記載のマルチピースチャンバ。
  39. 前記中央ピースの底部は平坦部分を含む、請求項36に記載のマルチピースチャンバ。
  40. 前記平坦部分は第1の厚さを有し、前記ドーム状部分が、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さを有する、請求項39に記載のマルチピースチャンバ。
  41. 1つ以上のスライド機構を有する電子デバイス製造チャンバ支持体と、
    前記1つ以上のスライド機構に結合された電子デバイス製造チャンバと、
    を備え、
    前記1つ以上のスライド機構が、前記電子デバイス製造チャンバの膨張に適応し、かつ前記電子デバイス製造チャンバが、前記電子デバイス製造チャンバ支持体の位置からずれることを防ぐ、装置。
  42. 前記1つ以上のスライド機構は、圧縮により、電子デバイス製造チャンバの膨張に適応する、請求項41に記載の装置。
  43. 第1のピースと、
    少なくとも、前記第1のピースに結合され、それによりマルチピース電子デバイス製造チャンバを形成する第2のピースと、
    を備え、
    前記ピースの各々の寸法が、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従い、
    前記マルチピース電子デバイス製造チャンバの全体の寸法が、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従わない、マルチピース電子デバイス製造チャンバ。
  44. 前記第1のピースと第2のピースとの間のOリングと、
    前記第1のピースを少なくとも前記第2のピースに結合する手段と、
    を更に備える、請求項43に記載のマルチピース電子デバイス製造チャンバ。
  45. 前記第2のピースは、前記第1のピースに水平に結合されている、請求項43に記載のマルチピース電子デバイス製造チャンバ。
  46. 前記第2のピースは、前記第1のピースに垂直に結合されている、請求項43に記載のマルチピース電子デバイス製造チャンバ。
  47. 電子デバイス製造チャンバを支持する装置であって、
    1つ以上の支持部材と、
    前記電子デバイス製造チャンバに結合し、
    電子デバイス製造チャンバの膨張に適応し、それにより、前記電子デバイス製造チャンバが、ベースフレーム上の位置からずれるのを防ぐように適合された1つ以上のスライド機構と、
    を含むベースフレームを備える、装置。
  48. 前記1つ以上のスライド機構は、更に、電子デバイス製造チャンバの膨張に応答して、圧縮するように適合されている、請求項47に記載の装置。
  49. 第1の側部と、第2の側部と、ドーム状部分を有する底部とを有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部に結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと、
    を備える、マルチピースチャンバ。
  50. 前記ドーム状部分は、真空ロボットを収容するように適合されている、請求項49に記載のマルチピースチャンバ。
  51. 前記ドーム状部分は、前記ドーム状部分の垂直方向の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持フィンを含む、請求項49に記載のマルチピースチャンバ。
  52. 前記ドーム状部分は、複数の支持フィンを含み、各支持フィンが、前記ドーム状部分の垂直方向の動きを低減するように適合されている、請求項51に記載のマルチピースチャンバ。
  53. 前記中央ピースの底部は、平坦部分を含む、請求項49に記載のマルチピースチャンバ。
  54. 前記平坦部分が第1の厚さを有し、前記ドーム状部分が、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さを有する、請求項53に記載のマルチピースチャンバ。
  55. 前記第1の厚さが、約0.75〜1.0インチよりも小さく、前記第2の厚さが、約0.375インチよりも小さい、請求項54に記載のマルチピースチャンバ。
  56. 第1の側部と、第2の側部と、ドーム状部分及び平坦部分を有する底部とを有する中央ピースであって、前記平坦部分が第1の厚さを有し、前記ドーム上部分が、前記第1の厚さよりも小さい第2の厚さを有する、中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースとを備える、マルチピースチャンバ。
  57. 前記第1の厚さが、約0.75〜1.0インチよりも小さく、前記第2の厚さが、約0.375インチよりも小さい、請求項56に記載のマルチピースチャンバ。
  58. 第1の側部と、
    第2の側部と、
    基板が開口部を通過できるような大きさに形成された少なくとも1つの開口部を含む第1のファセットと、
    各々が、基板が開口部を通過できるような大きさに形成された少なくとも3つの開口部を含む第2のファセットとを有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースとを備える、マルチピースチャンバ。
  59. 第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部に結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部に結合するように適合された第2の側部ピースと、
    を備え、
    前記中央ピースの第1の側部は、基板を、マルチピースチャンバ内で回転させることができるように、かつ前記マルチピースチャンバから、前記マルチピースチャンバの第1の側部ピースに結合されたチャンバへ移送できるように適合された第1の切り欠きを少なくとも含む、マルチピースチャンバ。
  60. 前記中央ピースの第2の側部は、基板を、前記マルチピースチャンバ内で回転させることができるように、かつ前記マルチピースチャンバから、前記マルチピースチャンバの第2の側部ピースに結合されたチャンバへ移送できるように適合された第1の切り欠きを少なくとも含む、請求項59に記載のマルチピースチャンバ。
  61. 第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部に結合するように適合された第1の側部ピースであって、前記第1の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つのフィン構造を含む、第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと、
    を備える、マルチピースチャンバ。
  62. 前記第2の側部ピースは、前記第2の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つのフィン構造を含む、請求項61に記載のマルチピースチャンバ。
  63. 第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースであって、前記第1の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持構造を含む、第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースであって、前記第2の側部ピースの側壁の動きを低減するように適合された少なくとも1つの支持構造を含む、第2の側部ピースと、
    を備え、
    前記中央ピース、第1の側部ピース及び第2の側部ピースが、一緒に結合されたときに、実質的に円筒形の内部チャンバを形成する、マルチピースチャンバ。
  64. 第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部と結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部と結合するように適合された第2の側部ピースと、
    前記中央ピースを少なくとも覆うように適合された蓋であって、平坦部分と、前記平坦部分の垂直方向の動きを低減するように適合された複数の支持部材とを備える、蓋とを備えるマルチピースチャンバ。
  65. 前記蓋が、前記マルチピースチャンバの内部領域へのアクセスを、前記蓋を外すことを要することなく可能にするように適合された少なくとも1つのハッチを備える、請求項64に記載のマルチピースチャンバ。
  66. 第1の側部及び第2の側部を有する中央ピースと、
    前記中央ピースの第1の側部に結合するように適合された第1の側部ピースと、
    前記中央ピースの第2の側部に結合するように適合された第2の側部ピースと、
    前記中央ピースを少なくとも覆うように適合された蓋であって、マルチピースチャンバの内部領域へのアクセスを、前記蓋を外すことを要することなく可能にするように適合された少なくとも1つのハッチを備える、蓋とを備える、マルチピースチャンバ。
  67. マルチピースチャンバの第1の側部ピースと、
    前記マルチピースチャンバの第2の側部ピースであって、前記第1及び第2の側部ピースが、前記マルチピースチャンバを形成するために中央ピースに結合されるように適合された第2の側部ピースと、
    前記第1の側部ピースに結合された第1のベースフレームピースと、
    前記第2の側部ピースに結合された第2のベースフレームとを有するユニットを備え、
    前記ユニットの寸法が、地上輸送規制及び航空輸送規制の少なくとも一方に従う、装置。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7784164B2 (en) 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US8033772B2 (en) 2002-06-21 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Transfer chamber for vacuum processing system
JP2018098410A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 輸送用架台および輸送方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6562671B2 (en) * 2000-09-22 2003-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor display device and manufacturing method thereof
KR100441875B1 (ko) * 2003-06-02 2004-07-27 주성엔지니어링(주) 분리형 이송 챔버
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
WO2006130811A2 (en) * 2005-06-02 2006-12-07 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
KR20110118183A (ko) * 2006-04-11 2011-10-28 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 솔라 패널 형성을 위한 시스템 아키텍쳐 및 방법
US20080025821A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Applied Materials, Inc. Octagon transfer chamber
US20080289284A1 (en) * 2007-03-01 2008-11-27 Suhail Anwar Process chamber and load-lock split frame construction
US20090060687A1 (en) * 2007-08-28 2009-03-05 White John M Transfer chamber with rolling diaphragm
US20100021273A1 (en) * 2008-07-28 2010-01-28 Applied Materials, Inc. Concrete vacuum chamber
US9484243B2 (en) * 2014-04-17 2016-11-01 Lam Research Corporation Processing chamber with features from side wall
US10998209B2 (en) 2019-05-31 2021-05-04 Applied Materials, Inc. Substrate processing platforms including multiple processing chambers
US11749542B2 (en) 2020-07-27 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Apparatus, system, and method for non-contact temperature monitoring of substrate supports
US11817331B2 (en) 2020-07-27 2023-11-14 Applied Materials, Inc. Substrate holder replacement with protective disk during pasting process
US11600507B2 (en) 2020-09-09 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Pedestal assembly for a substrate processing chamber
US11610799B2 (en) 2020-09-18 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck having a heating and chucking capabilities
US11674227B2 (en) 2021-02-03 2023-06-13 Applied Materials, Inc. Symmetric pump down mini-volume with laminar flow cavity gas injection for high and low pressure
CN114800578B (zh) * 2022-06-28 2022-10-25 江苏邑文微电子科技有限公司 晶圆传输设备及其控制方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106911A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Kokusai Electric Co Ltd 真空チャンバ
JP2001509647A (ja) * 1997-07-11 2001-07-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 真空処理システムにおける2ピース式スリットバルブインサート
JP2002001100A (ja) * 2000-06-22 2002-01-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (93)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1381877A (en) * 1919-05-12 1921-06-14 Edward T Neyhard Knockdown tank
US2761582A (en) * 1950-08-01 1956-09-04 Moorex Ind Inc Demountable structure
US3610784A (en) * 1970-03-19 1971-10-05 Tecumseh Products Co Electric motor and compressor construction
US4341592A (en) * 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
JPH0360531B2 (ja) * 1980-03-14 1991-09-17 Urutorashiiru Intern Ltd
US4344381A (en) * 1980-12-29 1982-08-17 Allied Tube & Conduit Corporation Apparatus for continuously electrostatically coating an elongated object
AU555553B2 (en) * 1981-10-27 1986-10-02 Arthur Malcolm Bennett Valve member
DE3219502C2 (de) * 1982-05-25 1990-04-19 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum automatischen Transport scheibenförmiger Objekte
US4851058A (en) * 1982-09-03 1989-07-25 General Motors Corporation High energy product rare earth-iron magnet alloys
US4455177A (en) * 1982-09-13 1984-06-19 Filippov Vladimir I Method and apparatus for chemical heat treatment of steel parts utilizing a continuous electric furnace
US4491520A (en) * 1984-02-22 1985-01-01 Jaye Richard C Filter for water jugs
US4726924A (en) * 1984-06-28 1988-02-23 The Boeing Company Method of planar forming of zero degree composite tape
EP0178336B1 (en) * 1984-10-16 1987-09-09 International Business Machines Corporation Vacuum transfer device
JPS61152987A (ja) * 1984-12-26 1986-07-11 Nippon Piston Ring Co Ltd 回転式流体ポンプ用ロ−タの製造方法
US4917556A (en) * 1986-04-28 1990-04-17 Varian Associates, Inc. Modular wafer transport and processing system
US4763690A (en) * 1986-07-29 1988-08-16 Harsco Corporation Leak-proof valve for gas cylinders
FR2620049B2 (fr) * 1986-11-28 1989-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement, stockage et/ou transfert d'un objet dans une atmosphere de haute proprete, et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede
KR900005610Y1 (ko) * 1987-04-16 1990-06-28 이형곤 차압 2중 진공 씨스템
US4799418A (en) * 1987-08-21 1989-01-24 Mitsuba Electric Mfg. Co., Ltd. Vacuum actuator for vehicle speed control
US4851101A (en) * 1987-09-18 1989-07-25 Varian Associates, Inc. Sputter module for modular wafer processing machine
US4952299A (en) * 1988-10-31 1990-08-28 Eaton Corporation Wafer handling apparatus
US5186718A (en) * 1989-05-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Staged-vacuum wafer processing system and method
US4993358A (en) * 1989-07-28 1991-02-19 Watkins-Johnson Company Chemical vapor deposition reactor and method of operation
US5085887A (en) * 1990-09-07 1992-02-04 Applied Materials, Inc. Wafer reactor vessel window with pressure-thermal compensation
US5138525A (en) * 1991-06-14 1992-08-11 Dell Usa Corporation Multi-purpose strut for digital computer chassis
US5152504A (en) * 1991-09-11 1992-10-06 Janis Research Company, Inc. Vacuum valve
US5503809A (en) * 1993-04-19 1996-04-02 John T. Towles Compact ozone generator
US5417537A (en) * 1993-05-07 1995-05-23 Miller; Kenneth C. Wafer transport device
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
JP3158264B2 (ja) * 1993-08-11 2001-04-23 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US5647911A (en) * 1993-12-14 1997-07-15 Sony Corporation Gas diffuser plate assembly and RF electrode
US5934856A (en) * 1994-05-23 1999-08-10 Tokyo Electron Limited Multi-chamber treatment system
US5665640A (en) * 1994-06-03 1997-09-09 Sony Corporation Method for producing titanium-containing thin films by low temperature plasma-enhanced chemical vapor deposition using a rotating susceptor reactor
US5730801A (en) * 1994-08-23 1998-03-24 Applied Materials, Inc. Compartnetalized substrate processing chamber
US6093252A (en) * 1995-08-03 2000-07-25 Asm America, Inc. Process chamber with inner support
JPH09223810A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Canon Inc 薄膜作製装置
JP3754742B2 (ja) * 1996-02-16 2006-03-15 キヤノン株式会社 光起電力素子の作製装置
US6216328B1 (en) * 1996-07-09 2001-04-17 Lam Research Corporation Transport chamber and method for making same
US5746434A (en) * 1996-07-09 1998-05-05 Lam Research Corporation Chamber interfacing O-rings and method for implementing same
JPH1064902A (ja) * 1996-07-12 1998-03-06 Applied Materials Inc アルミニウム材料の成膜方法及び成膜装置
JP3310171B2 (ja) * 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
US6286451B1 (en) * 1997-05-29 2001-09-11 Applied Materials, Inc. Dome: shape and temperature controlled surfaces
US6201999B1 (en) * 1997-06-09 2001-03-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for automatically generating schedules for wafer processing within a multichamber semiconductor wafer processing tool
US6321680B2 (en) * 1997-08-11 2001-11-27 Torrex Equipment Corporation Vertical plasma enhanced process apparatus and method
US6530732B1 (en) * 1997-08-12 2003-03-11 Brooks Automation, Inc. Single substrate load lock with offset cool module and buffer chamber
US6257827B1 (en) * 1997-12-01 2001-07-10 Brooks Automation Inc. Apparatus and method for transporting substrates
US6230719B1 (en) * 1998-02-27 2001-05-15 Micron Technology, Inc. Apparatus for removing contaminants on electronic devices
KR20010034781A (ko) * 1998-04-14 2001-04-25 잭 피. 샐러노 박막 증착 시스템
US6019839A (en) * 1998-04-17 2000-02-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming an epitaxial titanium silicide film by low pressure chemical vapor deposition
KR100265287B1 (ko) * 1998-04-21 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템
US6390019B1 (en) * 1998-06-11 2002-05-21 Applied Materials, Inc. Chamber having improved process monitoring window
US6182851B1 (en) * 1998-09-10 2001-02-06 Applied Materials Inc. Vacuum processing chambers and method for producing
US6267917B1 (en) * 1998-10-16 2001-07-31 Norstar Aluminum Molds, Inc. Rotatable mold apparatus having replaceable molds and replacement methods
US6143079A (en) * 1998-11-19 2000-11-07 Asm America, Inc. Compact process chamber for improved process uniformity
US6267545B1 (en) * 1999-03-29 2001-07-31 Lam Research Corporation Semiconductor processing platform architecture having processing module isolation capabilities
JP2000286319A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Canon Inc 基板搬送方法および半導体製造装置
US6099697A (en) * 1999-04-13 2000-08-08 Applied Materials, Inc. Method of and apparatus for restoring a support surface in a semiconductor wafer processing system
US6440261B1 (en) * 1999-05-25 2002-08-27 Applied Materials, Inc. Dual buffer chamber cluster tool for semiconductor wafer processing
JP4330703B2 (ja) * 1999-06-18 2009-09-16 東京エレクトロン株式会社 搬送モジュール及びクラスターシステム
US6383330B1 (en) * 1999-09-10 2002-05-07 Asm America, Inc. Quartz wafer processing chamber
EP1234322A2 (en) * 1999-11-02 2002-08-28 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6748960B1 (en) * 1999-11-02 2004-06-15 Tokyo Electron Limited Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces
US6698991B1 (en) * 2000-03-02 2004-03-02 Applied Materials, Inc. Fabrication system with extensible equipment sets
US6582175B2 (en) * 2000-04-14 2003-06-24 Applied Materials, Inc. Robot for handling semiconductor wafers
JP4021125B2 (ja) * 2000-06-02 2007-12-12 東京エレクトロン株式会社 ウェハ移載装置の装置ユニット接続時に用いられるレールの真直性保持装置
JP5066321B2 (ja) * 2000-08-04 2012-11-07 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 モノリシックoeic用埋め込み光電子材料を備えたシリコンウエハ
JP2002076143A (ja) * 2000-08-31 2002-03-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP3640609B2 (ja) * 2000-10-16 2005-04-20 アルプス電気株式会社 プラズマ処理装置,プラズマ処理システムおよびこれらの性能確認システム,検査方法
US6663333B2 (en) * 2001-07-13 2003-12-16 Axcelis Technologies, Inc. Wafer transport apparatus
JP2003045947A (ja) * 2001-07-27 2003-02-14 Canon Inc 基板処理装置及び露光装置
TW522448B (en) * 2001-10-22 2003-03-01 Advanced Semiconductor Eng Semiconductor wafer carrying apparatus
WO2003038145A2 (en) * 2001-10-29 2003-05-08 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
US6719517B2 (en) * 2001-12-04 2004-04-13 Brooks Automation Substrate processing apparatus with independently configurable integral load locks
JP4254116B2 (ja) * 2002-03-22 2009-04-15 東京エレクトロン株式会社 位置合わせ用基板
TWI294155B (en) * 2002-06-21 2008-03-01 Applied Materials Inc Transfer chamber for vacuum processing system
US6821347B2 (en) * 2002-07-08 2004-11-23 Micron Technology, Inc. Apparatus and method for depositing materials onto microelectronic workpieces
US7204669B2 (en) * 2002-07-17 2007-04-17 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate damage protection system
JP4283559B2 (ja) * 2003-02-24 2009-06-24 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び真空処理装置並びに常圧搬送装置
JP4219799B2 (ja) * 2003-02-26 2009-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
KR20040080016A (ko) * 2003-03-10 2004-09-18 삼성전자주식회사 반도체장치 제조용 챔버 조립체
JP2004349503A (ja) * 2003-05-22 2004-12-09 Tokyo Electron Ltd 被処理体の処理システム及び処理方法
KR100441875B1 (ko) * 2003-06-02 2004-07-27 주성엔지니어링(주) 분리형 이송 챔버
US7207766B2 (en) * 2003-10-20 2007-04-24 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
US7645341B2 (en) * 2003-12-23 2010-01-12 Lam Research Corporation Showerhead electrode assembly for plasma processing apparatuses
CN1669796B (zh) * 2004-02-23 2012-05-23 周星工程股份有限公司 用于制造显示基板的装置及装配在其中的喷头组合
KR100606566B1 (ko) * 2004-02-25 2006-07-28 주식회사 에이디피엔지니어링 평판표시소자 제조장치
US7784164B2 (en) * 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
US20060201074A1 (en) * 2004-06-02 2006-09-14 Shinichi Kurita Electronic device manufacturing chamber and methods of forming the same
US7429410B2 (en) * 2004-09-20 2008-09-30 Applied Materials, Inc. Diffuser gravity support
US20070020890A1 (en) * 2005-07-19 2007-01-25 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for semiconductor processing
CN103021908B (zh) * 2005-12-20 2015-09-30 应用材料公司 用于半导体设备制造装备的延伸主机设计
US7845891B2 (en) * 2006-01-13 2010-12-07 Applied Materials, Inc. Decoupled chamber body
US20080025821A1 (en) * 2006-07-25 2008-01-31 Applied Materials, Inc. Octagon transfer chamber

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10106911A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Kokusai Electric Co Ltd 真空チャンバ
JP2001509647A (ja) * 1997-07-11 2001-07-24 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 真空処理システムにおける2ピース式スリットバルブインサート
JP2002001100A (ja) * 2000-06-22 2002-01-08 Mitsubishi Heavy Ind Ltd プラズマ処理装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8033772B2 (en) 2002-06-21 2011-10-11 Applied Materials, Inc. Transfer chamber for vacuum processing system
US7784164B2 (en) 2004-06-02 2010-08-31 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing chamber method
JP2018098410A (ja) * 2016-12-15 2018-06-21 東京エレクトロン株式会社 輸送用架台および輸送方法
TWI729243B (zh) * 2016-12-15 2021-06-01 日商東京威力科創股份有限公司 輸送用架台及輸送方法

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JP5252451B2 (ja) 2013-07-31
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JP2006319363A (ja) 2006-11-24

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