JP2006019717A - ラミネート装置、icシート、巻物及びicチップの作製方法 - Google Patents
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- Y10T156/1712—Indefinite or running length work
Abstract
【解決手段】 第1の基板が巻き付けられた第1のローラーと、第2の基板が巻き付けられた第2のローラーと、第3のローラーと、第4のローラーと、第5のローラーを有する。第1のローラーを回転させて、第1の基板を第3のローラーに供給する。また、第2のローラーを回転させて、第2の基板を第5のローラーに供給する。また、第3のローラーを回転させて、第3の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を第1の基板に接着させる。また、第4のローラーと第5のローラーを回転させて、薄膜集積回路の他方の面を第2の基板に接着させ、かつ、第4のローラーと第5のローラーの間を薄膜集積回路が通過する際に、第1の基板、第2の基板及び薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、第1の基板と第2の基板により薄膜集積回路を封止する。
【選択図】 図1
Description
(実施の形態1)
(実施の形態2)
(実施の形態3)
(実施の形態4)
12 基板
13 薄膜集積回路
14 第1の供給用ロール
15 第2の供給用ロール
16 剥離用ローラー
17 ラミネート手段
18 第1の基体
19 第2の基体
20 回収用ロール
21 ローラー
22 ローラー
23 カセット
24 カセット
25 ローラー
26 ローラー
27 ローラー
28 切断手段
32 ローラー
33 固定移動手段
34 搬送手段
35 搬送手段
36 剥離手段
37 ラミネート手段
Claims (29)
- 第1の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
第2の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
第3のローラーと、
第4のローラーと、
第5のローラーを有し、
前記第4のローラーと前記第5のローラーは、対向するように配置され、
前記第1のローラーを回転させて、前記第1の基板を前記第3のローラーに供給し、
前記第2のローラーを回転させて、前記第2の基板を前記第5のローラーに供給し、
前記第3のローラーを回転させて、第3の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を前記第1の基板に接着させ、
前記第4のローラーと前記第5のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、かつ、前記第4のローラーと前記第5のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第1の基板、前記第2の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第1の基板と前記第2の基板により前記薄膜集積回路を封止することを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
第2の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
第3のローラーと、
第4のローラーと、
第5のローラーと、
第6のローラーと、
少なくとも1つの薄膜集積回路が設けられた第3の基板を搬送する搬送手段を有し、
前記第3のローラーと前記搬送手段は、対向するように配置され、
前記第4のローラーと前記第5のローラーは、対向するように配置され、
前記第1のローラーを回転させて、前記第1の基板を前記第3のローラーに供給し、
前記第2のローラーを回転させて、前記第2の基板を前記第5のローラーに供給し、
前記搬送手段により前記第3の基板を搬送すると共に、前記第3のローラーを回転させて、前記第3の基板上の少なくとも1つの前記薄膜集積回路の一方の面を前記第1の基板に接着させ、
前記第4のローラーと前記第5のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、かつ、前記第4のローラーと前記第5のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第1の基板、前記第2の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第1の基板と前記第2の基板により前記薄膜集積回路を封止し、
前記第6のローラーを回転させて、前記第1の基板と前記第2の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取ることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
第2の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
第3のローラーと、
第4のローラーを有し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーは、対向するように配置され、
前記第1のローラーを回転させて、前記第1の基板を前記第3のローラーに供給し、
前記第2のローラーを回転させて、前記第2の基板を前記第4のローラーに供給し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーを回転させて、第3の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を前記第1の基板に接着させ、かつ、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、なおかつ、前記第3のローラーと前記第4のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第1の基板、前記第2の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第1の基板と前記第2の基板により前記薄膜集積回路を封止することを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
第2の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
第3のローラーと、
第4のローラーと、
第5のローラーと、
少なくとも1つの薄膜集積回路が複数設けられた第3の基板を搬送する搬送手段を有し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーは、対向するように配置され、
前記第3のローラー及び前記第4のローラーと、前記搬送手段は、対向するように配置され、
前記第1のローラーを回転させて、前記第1の基板を前記第3のローラーに供給し、
前記第2のローラーを回転させて、前記第2の基板を前記第4のローラーに供給し、
前記搬送手段により前記第3の基板を搬送すると共に、前記第3のローラーを回転させて、前記第3の基板上の前記薄膜集積回路の一方の面を前記第1の基板に接着させ、
前記第3のローラーと前記第4のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、かつ、前記第3のローラーと前記第4のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第1の基板、前記第2の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第1の基板と前記第2の基板により前記薄膜集積回路を封止し、
前記第5のローラーを回転させて、前記第1の基板と前記第2の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取ることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
第2の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
第3のローラーと、
第4のローラーと、
第5のローラーと、
一方の面に少なくとも1つの薄膜集積回路が複数設けられた第3の基板の固定と前記第3の基板の移動を行う基板制御手段と、
前記第3の基板を搬送する搬送手段とを有し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーは、対向するように配置され、
前記第1のローラーを回転させて、前記第1の基板を前記搬送手段に供給し、
前記第2のローラーを回転させて、前記第2の基板を前記第4のローラーに供給し、
前記基板制御手段により、前記第3の基板は、前記第3の基板の一方の面と前記第1の基板の一方の面が対向するように固定され、なおかつ、前記第3の基板上の前記薄膜集積回路の一方の面が前記第2の基板に接着するように移動され、
前記搬送手段により前記第3の基板を搬送すると共に、前記搬送手段が含む第6のローラーを回転させて、前記第3の基板の一方の面から前記薄膜集積回路を剥離し、なおかつ、前記薄膜集積回路の一方の面が接着された前記第1の基板を前記第3のローラーに供給し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、なおかつ、前記第3のローラーと前記第4のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第1の基板、前記第2の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第1の基板と前記第2の基板により前記薄膜集積回路を封止し、
前記第5のローラーを回転させて、前記第1の基板と前記第2の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取ることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面が接着される第2の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
前記第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を前記第2の基板に接着させて、前記第1の基板から前記薄膜集積回路を剥離する第2のローラーと、
前記薄膜集積回路の他方の面に接着される第3の基板が巻き付けられた第3のローラーと、
加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を前記第2の基板と前記第3の基板により封止する第4のローラー及び第5のローラーを有し、
前記第4のローラーと前記第5のローラーは、対向するように配置されていることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面が接着される第2の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
前記第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を前記第2の基板に接着させて、前記第1の基板から前記薄膜集積回路を剥離する第2のローラーと、
前記薄膜集積回路の他方の面に接着する第3の基板が巻き付けられた第3のローラーと、
加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を前記第2の基板と前記第3の基板により封止する第4のローラー及び第5のローラーと、
前記第1の基板と前記第3の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取る第6のローラーと、
前記第2の基板を搬送する搬送手段を有し、
前記第2のローラーと前記搬送手段は、対向するように配置され、
前記第4のローラーと前記第5のローラーは、対向するように配置されていることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面が接着される第2の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
前記薄膜集積回路の他方の面が接着される第3の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を前記第2の基板と前記第3の基板により封止する第3のローラー及び第4のローラーとを有し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーは、対向するように配置されていることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面が接着される第2の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
前記薄膜集積回路の他方の面が接着される第3の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を前記第2の基板と前記第3の基板により封止する第3のローラー及び第4のローラーと、
前記第2の基板と前記第3の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取る第5のローラーと、
前記第1の基板を搬送する搬送手段を有し、
前記第3のローラー及び前記第4のローラーと、前記搬送手段は、対向するように配置され、
前記第3のローラーと前記第4のローラーは、対向するように配置されていることを特徴とするラミネート装置。 - 第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面が接着される第2の基板が巻き付けられた第1のローラーと、
前記薄膜集積回路の他方の面が接着される第3の基板が巻き付けられた第2のローラーと、
加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行うことにより、前記薄膜集積回路を前記第2の基板と前記第3の基板により封止する第3のローラー及び第4のローラーと、
前記第2の基板と前記第3の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取る第5のローラーと、
前記第1の基板の固定と前記第1の基板の移動を行う基板制御手段と、
前記第1の基板を搬送する搬送手段を有し、
前記第3のローラーと前記第4のローラーは、対向するように配置されていることを特徴とするラミネート装置。 - 請求項2、請求項4、請求項5、請求項7、請求項9又は請求項10のいずれか一項において、
前記搬送手段は、ベルトコンベア、複数のローラー又はロボットアームであることを特徴とするラミネート装置。 - 請求項1、請求項2、請求項6又は請求項7のいずれか一項において、
前記第4のローラーと前記第5のローラーの一方又は両方は加熱手段を有し、
前記加熱手段は、電熱線のヒータ又はオイルであることを特徴とするラミネート装置。 - 請求項3、請求項4、請求項5、請求項8、請求項9又は請求項10のいずれか一項において、
前記第3のローラーと前記第4のローラーの一方又は両方は加熱手段を有し、
前記加熱手段は、電熱線のヒータ又はオイルであることを特徴とするラミネート装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の基板と前記第2の基板の各々は、フィルムであることを特徴とするラミネート装置。 - 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
前記第1の基板と前記第2の基板の一方又は両方は、接着面を有することを特徴とするラミネート装置。 - 請求項6乃至請求項10のいずれか一項において、
前記第2の基板と前記第3の基板の各々は、フィルムであることを特徴とするラミネート装置。 - 請求項6乃至請求項10のいずれか一項において、
前記第2の基板と前記第3の基板の一方又は両方は、接着面を有することを特徴とするラミネート装置。 - 複数の薄膜集積回路の各々を表裏から封止した第1の基板と第2の基板とを有し、
前記複数の薄膜集積回路の各々は、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とするICシート。 - 請求項18において、前記複数の薄膜集積回路の各々は、規則的に配列されていることを特徴とするICシート。
- 請求項18において、前記第1の基板と前記第2の基板の各々は、フィルムであることを特徴とするICシート。
- 複数の薄膜集積回路の各々を表裏から封止した第1の基板と第2の基板とが巻き取られており、
前記複数の薄膜集積回路の各々は、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層とを有することを特徴とする巻物。 - 請求項21において、前記複数の薄膜集積回路の各々は、規則的に配列されていることを特徴とする巻物。
- 請求項21において、前記第1の基板と前記第2の基板の各々は、フィルムであることを特徴とする巻物。
- 絶縁表面を有する第1の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に少なくとも1つの薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
第1のローラーを回転させて、前記第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を第2の基板に接着させ、
第2のローラーと第3のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、かつ、前記第2のローラーと前記第3のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第2の基板、第3の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第2の基板と前記第3の基板により前記薄膜集積回路を封止することを特徴とするICチップの作製方法。 - 絶縁表面を有する第1の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に少なくとも1つの薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
搬送手段により前記第1の基板を搬送すると共に、第1のローラーを回転させて、前記第1の基板上の少なくとも1つの前記薄膜集積回路の一方の面を第2の基板に接着させ、
第2のローラーと第3のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を前記第2の基板に接着させ、かつ、前記第2のローラーと前記第3のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第2の基板、第3の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第2の基板と前記第3の基板により前記薄膜集積回路を封止し、
第4のローラーを回転させて、前記第2の基板と前記第3の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取ることを特徴とするICチップの作製方法。 - 絶縁表面を有する第1の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に少なくとも1つの薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
第1のローラーと第2のローラーを回転させて、第1の基板上の少なくとも1つの薄膜集積回路の一方の面を第2の基板に接着させ、かつ、前記薄膜集積回路の他方の面を第3の基板に接着させ、なおかつ、前記第1のローラーと前記第2のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第2の基板、前記第3の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第2の基板と前記第3の基板により前記薄膜集積回路を封止することを特徴とするICチップの作製方法。 - 絶縁表面を有する第1の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に少なくとも1つの薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
搬送手段により前記第1の基板を搬送すると共に、第1のローラーを回転させて、前記第1の基板上の前記薄膜集積回路の一方の面を第2の基板に接着させ、
第2のローラーと第3のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を第3の基板に接着させ、かつ、第2のローラーと第3のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第2の基板、前記第3の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第2の基板と前記第3の基板により前記薄膜集積回路を封止し、
第4のローラーを回転させて、前記第2の基板と前記第3の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取ることを特徴とするICチップの作製方法。 - 絶縁表面を有する第1の基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に少なくとも1つの薄膜集積回路を形成し、
前記薄膜集積回路の境界に開口部を形成して、前記剥離層を露出させ、
前記開口部にエッチング剤を導入して、前記剥離層を除去し、
基板制御手段により、前記第1の基板は、前記第1の基板の一方の面と第2の基板の一方の面が対向するように固定され、なおかつ、前記第1の基板上の前記薄膜集積回路の一方の面が前記第2の基板に接着するように移動され、
搬送手段により前記第1の基板を搬送すると共に、前記搬送手段が含む第1のローラーを回転させて、前記第1の基板の一方の面から前記薄膜集積回路を剥離し、なおかつ、前記薄膜集積回路の一方の面が接着された前記第2の基板を第2のローラーに供給し、
前記第2のローラーと第3のローラーを回転させて、前記薄膜集積回路の他方の面を第3の基板に接着させ、なおかつ、前記第2のローラーと前記第3のローラーの間を前記薄膜集積回路が通過する際に、前記第2の基板、前記第3の基板及び前記薄膜集積回路に加圧処理と加熱処理の一方又は両方を行って、前記第2の基板と前記第3の基板により前記薄膜集積回路を封止し、
第4のローラーを回転させて、前記第2の基板と前記第3の基板により封止された前記薄膜集積回路を巻き取ることを特徴とするICチップの作製方法。 - 請求項24乃至請求項28のいずれか一項において、
前記薄膜集積回路として、複数の薄膜トランジスタと、アンテナとして機能する導電層を形成することを特徴とするICチップの作製方法。
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Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007212302A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 温度センサ素子、温度センサ、半導体装置および表示装置 |
JP2008004893A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2008021286A (ja) * | 2006-06-12 | 2008-01-31 | Brother Ind Ltd | タグテープ、タグテープロール、タグテープロール製造装置 |
JP2008109105A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-05-08 | Commiss Energ Atom | 混合マイクロテクノロジー構造を製造する方法、およびそれによって得られる構造 |
JP2010003296A (ja) * | 2008-05-23 | 2010-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2010003295A (ja) * | 2008-05-23 | 2010-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US7667310B2 (en) | 2006-06-26 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2010032611A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2010102698A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
JP2011186590A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触icカード、非接触icカードの製造方法 |
WO2013066025A1 (ko) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 현대다이모스(주) | 연질 슬라브재와 피복의 부착장치 및 피복 지그 |
JP2013229023A (ja) * | 2008-06-06 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
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Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101219748B1 (ko) * | 2004-03-22 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 집적회로 제작방법 |
WO2005119781A1 (en) * | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system |
US7591863B2 (en) * | 2004-07-16 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip |
US20150287660A1 (en) | 2007-01-05 | 2015-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, ic sheet, scroll of ic sheet, and method for manufacturing ic chip |
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US8288773B2 (en) * | 2004-08-23 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip and manufacturing method thereof |
US8153511B2 (en) * | 2005-05-30 | 2012-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
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KR101346241B1 (ko) | 2005-11-29 | 2013-12-31 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 안테나 및 그의 제작방법, 안테나를 가지는 반도체장치 및그의 제작방법, 및 무선통신 시스템 |
US7504317B2 (en) | 2005-12-02 | 2009-03-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
US20070183184A1 (en) | 2006-02-03 | 2007-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Ltd. | Apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
TWI424499B (zh) * | 2006-06-30 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 製造半導體裝置的方法 |
TWI379409B (en) * | 2006-09-29 | 2012-12-11 | Semiconductor Energy Lab | Method for manufacturing semiconductor device |
US8137417B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
EP1976000A3 (en) * | 2007-03-26 | 2009-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
JP5268395B2 (ja) * | 2007-03-26 | 2013-08-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7851334B2 (en) * | 2007-07-20 | 2010-12-14 | Infineon Technologies Ag | Apparatus and method for producing semiconductor modules |
JP5460108B2 (ja) | 2008-04-18 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
KR101563138B1 (ko) | 2008-04-25 | 2015-10-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치 제조 방법 |
WO2009139282A1 (en) | 2008-05-12 | 2009-11-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
US8053253B2 (en) | 2008-06-06 | 2011-11-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2009148001A1 (en) * | 2008-06-06 | 2009-12-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8044499B2 (en) * | 2008-06-10 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wiring substrate, manufacturing method thereof, semiconductor device, and manufacturing method thereof |
US8563397B2 (en) * | 2008-07-09 | 2013-10-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101753574B1 (ko) | 2008-07-10 | 2017-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
TWI475282B (zh) * | 2008-07-10 | 2015-03-01 | Semiconductor Energy Lab | 液晶顯示裝置和其製造方法 |
JP5216716B2 (ja) | 2008-08-20 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR100947350B1 (ko) * | 2008-08-26 | 2010-03-15 | (주)상아프론테크 | 엘씨디 기판 적재 카세트용 바아 |
WO2010032602A1 (en) | 2008-09-18 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US8361840B2 (en) * | 2008-09-24 | 2013-01-29 | Eastman Kodak Company | Thermal barrier layer for integrated circuit manufacture |
WO2010035625A1 (en) * | 2008-09-25 | 2010-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semi conductor device |
WO2010038599A1 (en) * | 2008-10-01 | 2010-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP5586920B2 (ja) * | 2008-11-20 | 2014-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | フレキシブル半導体装置の作製方法 |
TWI517268B (zh) * | 2009-08-07 | 2016-01-11 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 端子構造的製造方法和電子裝置的製造方法 |
KR101020087B1 (ko) * | 2009-09-23 | 2011-03-09 | 한국철강 주식회사 | 광기전력 장치의 제조 방법 |
JP5719560B2 (ja) * | 2009-10-21 | 2015-05-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 端子構造の作製方法 |
US10541160B2 (en) | 2009-12-29 | 2020-01-21 | Nikon Corporation | Substrate case and substrate accommodation apparatus |
JP5616119B2 (ja) * | 2010-05-10 | 2014-10-29 | 株式会社アドバンテスト | 試験用キャリア |
DE102011112964A1 (de) * | 2011-09-15 | 2013-03-21 | Evonik Industries Ag | PV-PSA-Laminat durch PSA-Lamination auf einen Release-Film |
WO2013191026A1 (ja) * | 2012-06-22 | 2013-12-27 | 株式会社シンク・ラボラトリー | プリント回路基板及びその製造装置並びに製造方法 |
US20140087198A1 (en) * | 2012-09-26 | 2014-03-27 | Web Industries, Inc. | Prepreg tape slitting method and apparatus |
CN109273622B (zh) | 2013-08-06 | 2021-03-12 | 株式会社半导体能源研究所 | 剥离方法 |
TW201943069A (zh) | 2013-09-06 | 2019-11-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置以及發光裝置的製造方法 |
US9981457B2 (en) | 2013-09-18 | 2018-05-29 | Semiconductor Emergy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing apparatus of stack |
US9937698B2 (en) | 2013-11-06 | 2018-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and light-emitting device |
DE112014007325B3 (de) | 2013-12-02 | 2021-04-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Anzeigevorrichtung und deren Herstellungsverfahren |
TWI732735B (zh) | 2013-12-03 | 2021-07-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離裝置以及疊層體製造裝置 |
US10315399B2 (en) * | 2013-12-31 | 2019-06-11 | Entrotech, Inc. | Methods for application of polymeric film and related assemblies |
JP2016021560A (ja) | 2014-06-20 | 2016-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離装置 |
TWI695525B (zh) | 2014-07-25 | 2020-06-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 剝離方法、發光裝置、模組以及電子裝置 |
JP6815096B2 (ja) | 2015-05-27 | 2021-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離装置 |
WO2017017553A1 (en) | 2015-07-30 | 2017-02-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device |
CN106469772B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-01-05 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的工艺方法 |
CN106469768B (zh) * | 2015-08-18 | 2018-02-02 | 江苏诚睿达光电有限公司 | 一种异形有机硅树脂光转换体贴合封装led的装备系统 |
US10259207B2 (en) | 2016-01-26 | 2019-04-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming separation starting point and separation method |
US10586817B2 (en) | 2016-03-24 | 2020-03-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method thereof, and separation apparatus |
JP6312270B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2018-04-18 | 株式会社写真化学 | デバイスチップを用いた電子デバイスの製造方法およびその製造装置 |
KR102340066B1 (ko) | 2016-04-07 | 2021-12-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법 및 플렉시블 디바이스의 제작 방법 |
US10003023B2 (en) | 2016-04-15 | 2018-06-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
JP2017207744A (ja) | 2016-05-11 | 2017-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置、モジュール、及び電子機器 |
EP3479401A4 (en) | 2016-07-01 | 2020-03-04 | INTEL Corporation | SEMICONDUCTOR HOUSING WITH ANTENNAS |
KR102389537B1 (ko) | 2016-07-29 | 2022-04-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박리 방법, 표시 장치, 표시 모듈, 및 전자 기기 |
TW201808628A (zh) | 2016-08-09 | 2018-03-16 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置的製造方法 |
TWI730017B (zh) | 2016-08-09 | 2021-06-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置的製造方法、顯示裝置、顯示模組及電子裝置 |
KR102028027B1 (ko) * | 2017-03-14 | 2019-10-04 | (주)잉크테크 | 반도체 칩의 전자파 차폐막 형성 장치 및 방법 |
CN109748090A (zh) * | 2017-11-02 | 2019-05-14 | 何崇文 | 贴拆板机台及其加工方法 |
KR102154811B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2020-09-11 | 한국기계연구원 | 필름 전사 방법 |
AR118939A1 (es) * | 2020-05-15 | 2021-11-10 | Marisa Rosana Lattanzi | Máquina combinada para elaborar separadores laminares de productos que se contienen en cajas y cajones |
KR102288594B1 (ko) * | 2021-02-26 | 2021-08-11 | 주식회사 이송이엠씨 | 박막 fmcl 제조 장치 및 박막 fmcl 제조 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001272923A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
JP2003203898A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路の製造方法、半導体素子部材、電気光学装置、電子機器 |
JP2003324142A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Lintec Corp | 半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置 |
Family Cites Families (105)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2524679B1 (fr) | 1982-04-01 | 1990-07-06 | Suwa Seikosha Kk | Procede d'attaque d'un panneau d'affichage a cristaux liquides a matrice active |
DE3325578C2 (de) * | 1983-07-15 | 1985-11-14 | Held, Kurt, 7218 Trossingen | Doppelbandpresse zur kontinuierlichen Herstellung von Laminaten |
US4743334A (en) | 1986-02-19 | 1988-05-10 | D&K Custom Machine Design, Inc. | Double sided laminating machine |
JPH0219271A (ja) * | 1988-07-06 | 1990-01-23 | Toshiba Corp | 半導体装置用テーピング部品 |
US4897662A (en) | 1988-12-09 | 1990-01-30 | Dallas Semiconductor Corporation | Integrated circuit with wireless freshness seal |
US5203941A (en) | 1989-10-19 | 1993-04-20 | Avery Dennison Corporation | Process for manufacturing plastic siding panels with outdoor weatherable embossed surfaces |
DE69108062T2 (de) | 1990-01-17 | 1995-07-20 | Toshiba Kawasaki Kk | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit aktiver Matrix. |
US5258320A (en) * | 1990-12-31 | 1993-11-02 | Kopin Corporation | Single crystal silicon arrayed devices for display panels |
US5274602A (en) * | 1991-10-22 | 1993-12-28 | Florida Atlantic University | Large capacity solid-state memory |
JPH0621443Y2 (ja) | 1991-11-21 | 1994-06-08 | 株式会社ニッショー | 減圧採血管 |
JPH0774282B2 (ja) | 1992-01-29 | 1995-08-09 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | アクリルコ―トしたポリカ―ボネ―ト物品の製造方法 |
US5461338A (en) | 1992-04-17 | 1995-10-24 | Nec Corporation | Semiconductor integrated circuit incorporated with substrate bias control circuit |
JP3254007B2 (ja) | 1992-06-09 | 2002-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜状半導体装置およびその作製方法 |
US5807772A (en) | 1992-06-09 | 1998-09-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming semiconductor device with bottom gate connected to source or drain |
JP2974552B2 (ja) | 1993-06-14 | 1999-11-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5477073A (en) | 1993-08-20 | 1995-12-19 | Casio Computer Co., Ltd. | Thin film semiconductor device including a driver and a matrix circuit |
JPH07131030A (ja) | 1993-11-05 | 1995-05-19 | Sony Corp | 表示用薄膜半導体装置及びその製造方法 |
JPH07134572A (ja) | 1993-11-11 | 1995-05-23 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置の駆動回路 |
US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JP3175894B2 (ja) | 1994-03-25 | 2001-06-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP3253808B2 (ja) | 1994-07-07 | 2002-02-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3698749B2 (ja) | 1995-01-11 | 2005-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶セルの作製方法およびその作製装置、液晶セルの生産システム |
JP3579492B2 (ja) | 1995-03-16 | 2004-10-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US5757456A (en) | 1995-03-10 | 1998-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other |
US5705022A (en) * | 1995-06-08 | 1998-01-06 | International Business Machines Corporation | Continuous lamination of electronic structures |
EP1286386A1 (en) | 1995-08-04 | 2003-02-26 | Seiko Epson Corporation | Thin film transistor fabrication method |
JP3647523B2 (ja) | 1995-10-14 | 2005-05-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | マトリクス型液晶表示装置 |
JP3409542B2 (ja) | 1995-11-21 | 2003-05-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US5814834A (en) | 1995-12-04 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co. | Thin film semiconductor device |
US6342434B1 (en) * | 1995-12-04 | 2002-01-29 | Hitachi, Ltd. | Methods of processing semiconductor wafer, and producing IC card, and carrier |
JP3516424B2 (ja) | 1996-03-10 | 2004-04-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜半導体装置 |
JPH1092980A (ja) | 1996-09-13 | 1998-04-10 | Toshiba Corp | 無線カードおよびその製造方法 |
JP3424891B2 (ja) | 1996-12-27 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法および表示装置 |
KR100506099B1 (ko) | 1997-02-24 | 2005-09-26 | 산요덴키가부시키가이샤 | 다결정실리콘막제조방법,박막트랜지스터제조방법,및어닐링장치 |
US6010923A (en) | 1997-03-31 | 2000-01-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device utilizing annealed semiconductor layer as channel region |
JP3376247B2 (ja) | 1997-05-30 | 2003-02-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタを用いた半導体装置 |
US6197624B1 (en) | 1997-08-29 | 2001-03-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of adjusting the threshold voltage in an SOI CMOS |
JP3552500B2 (ja) | 1997-11-12 | 2004-08-11 | セイコーエプソン株式会社 | 論理振幅レベル変換回路,液晶装置及び電子機器 |
KR100442166B1 (ko) | 1997-11-13 | 2004-07-30 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 집적 회로, 동작 상태 검출기 및 전자 기기 |
US6922134B1 (en) | 1998-04-14 | 2005-07-26 | The Goodyear Tire Rubber Company | Programmable trimmer for transponder |
JP2001051292A (ja) | 1998-06-12 | 2001-02-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置および半導体表示装置 |
US6512271B1 (en) | 1998-11-16 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US6447448B1 (en) | 1998-12-31 | 2002-09-10 | Ball Semiconductor, Inc. | Miniature implanted orthopedic sensors |
EP1020839A3 (en) | 1999-01-08 | 2002-11-27 | Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and driving circuit therefor |
JP4332925B2 (ja) | 1999-02-25 | 2009-09-16 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP4359357B2 (ja) * | 1999-03-09 | 2009-11-04 | 株式会社瑞光 | ヒートシール装置 |
US6224965B1 (en) | 1999-06-25 | 2001-05-01 | Honeywell International Inc. | Microfiber dielectrics which facilitate laser via drilling |
JP4423779B2 (ja) | 1999-10-13 | 2010-03-03 | 味の素株式会社 | エポキシ樹脂組成物並びに該組成物を用いた接着フィルム及びプリプレグ、及びこれらを用いた多層プリント配線板及びその製造法 |
US7060153B2 (en) * | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP4316767B2 (ja) | 2000-03-22 | 2009-08-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 基板処理装置 |
JP4347496B2 (ja) | 2000-03-31 | 2009-10-21 | 共同印刷株式会社 | 可逆性感熱記録媒体の製造方法 |
JP3475237B2 (ja) | 2000-07-24 | 2003-12-08 | 東京大学長 | 電力制御装置及び方法並びに電力制御プログラムを記録した記録媒体 |
JP3941362B2 (ja) | 2000-09-08 | 2007-07-04 | 日立化成工業株式会社 | 電子タグとそれを用いた電子標識 |
JP4373595B2 (ja) | 2000-09-25 | 2009-11-25 | 株式会社東芝 | コンピュータシステム |
US6484780B2 (en) * | 2001-03-21 | 2002-11-26 | Card Technology Corporation | Card laminator and method of card lamination |
DK1391138T3 (da) * | 2001-05-23 | 2006-02-20 | Phonak Ag | Fremgangsmåde til frembringelse af et elektrisk udgangssignal og akustisk/elektrisk konverteringssystem |
JP2003016405A (ja) | 2001-06-28 | 2003-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | Icタグ装着方法 |
JP2003016414A (ja) | 2001-07-05 | 2003-01-17 | Toppan Printing Co Ltd | 非接触方式icチップ付きシート及びその製造方法 |
JP2003086706A (ja) | 2001-09-13 | 2003-03-20 | Sharp Corp | 半導体装置及びその製造方法、スタティック型ランダムアクセスメモリ装置並びに携帯電子機器 |
WO2003009385A1 (fr) | 2001-07-19 | 2003-01-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif a semi-conducteur, dispositif de stockage a semi-conducteur et procedes de production associes |
TW586231B (en) | 2001-07-24 | 2004-05-01 | Seiko Epson Corp | Transfer method, methods of manufacturing thin film devices and integrated circuits, circuit board and manufacturing method thereof, electro-optical apparatus and manufacturing method thereof, manufacturing methods of IC card and electronic appliance |
JP2003037352A (ja) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Nitto Denko Corp | 配線回路基板の製造方法 |
TW594947B (en) * | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6872658B2 (en) | 2001-11-30 | 2005-03-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating semiconductor device by exposing resist mask |
TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
KR100430001B1 (ko) | 2001-12-18 | 2004-05-03 | 엘지전자 주식회사 | 다층기판의 제조방법, 그 다층기판의 패드 형성방법 및 그다층기판을 이용한 반도체 패키지의 제조방법 |
FR2833844B1 (fr) * | 2001-12-21 | 2004-11-26 | Airinspace Ltd | Dispositif mobile d'isolement aeraulique contre la contamination aeroportee, a geometrie variable de diffusseur d'air |
US6883573B2 (en) | 2002-04-04 | 2005-04-26 | Japan Servo Co., Ltd. | Lamination system |
US6715524B2 (en) * | 2002-06-07 | 2004-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | DFR laminating and film removing system |
EP1514307A1 (en) | 2002-06-19 | 2005-03-16 | Sten Bjorsell | Electronics circuit manufacture |
US7485489B2 (en) | 2002-06-19 | 2009-02-03 | Bjoersell Sten | Electronics circuit manufacture |
JP2004094492A (ja) | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Konica Minolta Holdings Inc | Icカード |
JP2004110906A (ja) | 2002-09-17 | 2004-04-08 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP4012025B2 (ja) | 2002-09-24 | 2007-11-21 | 大日本印刷株式会社 | 微小構造体付きフィルムの製造方法と微小構造体付きフィルム |
JP4683817B2 (ja) | 2002-09-27 | 2011-05-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
KR101032337B1 (ko) | 2002-12-13 | 2011-05-09 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 그의 제조방법 |
US7230316B2 (en) | 2002-12-27 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having transferred integrated circuit |
EP1437683B1 (en) | 2002-12-27 | 2017-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | IC card and booking account system using the IC card |
JP4671600B2 (ja) | 2002-12-27 | 2011-04-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4373085B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
EP1434264A3 (en) | 2002-12-27 | 2017-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method using the transfer technique |
TWI330269B (en) | 2002-12-27 | 2010-09-11 | Semiconductor Energy Lab | Separating method |
WO2004068582A1 (ja) | 2003-01-08 | 2004-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置及びその作製方法 |
WO2004064018A1 (ja) | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 剥離方法及びその剥離方法を用いた表示装置の作製方法 |
CN100459060C (zh) | 2003-02-05 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
TWI380080B (en) | 2003-03-07 | 2012-12-21 | Semiconductor Energy Lab | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same |
JP4526771B2 (ja) | 2003-03-14 | 2010-08-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7307317B2 (en) | 2003-04-04 | 2007-12-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, CPU, image processing circuit and electronic device, and driving method of semiconductor device |
US7495272B2 (en) | 2003-10-06 | 2009-02-24 | Semiconductor Energy Labortaory Co., Ltd. | Semiconductor device having photo sensor element and amplifier circuit |
US7011130B2 (en) * | 2003-10-17 | 2006-03-14 | Primera Technology, Inc. | Laminator for applying a protective layer to a disc |
EP2259300B1 (en) | 2003-10-28 | 2020-04-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacture of semiconductor device |
US7229900B2 (en) | 2003-10-28 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, method of manufacturing thereof, and method of manufacturing base material |
US7271076B2 (en) * | 2003-12-19 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device |
US7554121B2 (en) | 2003-12-26 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic semiconductor device |
CN100461411C (zh) | 2004-01-30 | 2009-02-11 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件 |
KR101219748B1 (ko) | 2004-03-22 | 2013-01-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 박막 집적회로 제작방법 |
EP1589797A3 (en) | 2004-04-19 | 2008-07-30 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Manufacturing method of laminated substrate, and manufacturing apparatus of semiconductor device for module and laminated substrate for use therein |
WO2005119781A1 (en) | 2004-06-02 | 2005-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system |
US7534702B2 (en) | 2004-06-29 | 2009-05-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US7452786B2 (en) | 2004-06-29 | 2008-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film integrated circuit, and element substrate |
US7591863B2 (en) * | 2004-07-16 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip |
US9053401B2 (en) | 2004-07-30 | 2015-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, IC sheet, scroll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip |
US8288773B2 (en) | 2004-08-23 | 2012-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Wireless chip and manufacturing method thereof |
US7566633B2 (en) * | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US7621043B2 (en) * | 2005-11-02 | 2009-11-24 | Checkpoint Systems, Inc. | Device for making an in-mold circuit |
-
2005
- 2005-05-31 WO PCT/JP2005/010313 patent/WO2005119781A1/en active Application Filing
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001272923A (ja) * | 2000-01-17 | 2001-10-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置の作製方法 |
JP2003203898A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-18 | Seiko Epson Corp | 半導体集積回路の製造方法、半導体素子部材、電気光学装置、電子機器 |
JP2003324142A (ja) * | 2002-04-30 | 2003-11-14 | Lintec Corp | 半導体ウエハの処理方法およびそのための半導体ウエハの転写装置 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007212302A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 温度センサ素子、温度センサ、半導体装置および表示装置 |
JP2014078725A (ja) * | 2006-03-15 | 2014-05-01 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2008021286A (ja) * | 2006-06-12 | 2008-01-31 | Brother Ind Ltd | タグテープ、タグテープロール、タグテープロール製造装置 |
US8648439B2 (en) | 2006-06-26 | 2014-02-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
US7667310B2 (en) | 2006-06-26 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof |
KR101517943B1 (ko) | 2006-06-26 | 2015-05-06 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 반도체장치 제조방법 |
US7851886B2 (en) | 2006-06-26 | 2010-12-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
US7879654B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2008004893A (ja) * | 2006-06-26 | 2008-01-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
US8039353B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-10-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
US8278663B2 (en) | 2006-06-26 | 2012-10-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8432018B2 (en) | 2006-06-26 | 2013-04-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
JP2008109105A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-05-08 | Commiss Energ Atom | 混合マイクロテクノロジー構造を製造する方法、およびそれによって得られる構造 |
JP2010003296A (ja) * | 2008-05-23 | 2010-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の作製方法 |
JP2010003295A (ja) * | 2008-05-23 | 2010-01-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
KR101549530B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2015-09-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 |
JP2013229023A (ja) * | 2008-06-06 | 2013-11-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US8552498B2 (en) | 2008-09-19 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US8957423B2 (en) | 2008-09-19 | 2015-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2010097599A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
WO2010032611A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-03-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2010102698A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
US8803298B2 (en) | 2008-09-25 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
JP2011186590A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触icカード、非接触icカードの製造方法 |
WO2013066025A1 (ko) * | 2011-11-01 | 2013-05-10 | 현대다이모스(주) | 연질 슬라브재와 피복의 부착장치 및 피복 지그 |
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