KR101020087B1 - 광기전력 장치의 제조 방법 - Google Patents

광기전력 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 빛을 전기로 변환하는 광전변환부를 제1 기판 및 제2 기판 각각에 형성하는 단계, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 소정 두께를 지닌 거리유지부가 위치하는 단계, 상기 거리유지부를 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 빼는 단계, 보호층으로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 각각 형성된 상기 광전변환부들을 동시에 덮는 단계 및 상기 보호층을 라미네이팅하는 단계를 포함한다.
광기전력, 거리, 기포

Description

광기전력 장치의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC MODULE}
본 발명은 광기전력 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 석유나 석탄과 같은 기존 에너지 자원의 고갈이 예측되면서 이들을 대체할 대체 에너지원에 대한 관심이 높아지고 있다. 그 중에서도 태양광 에너지는 에너지 자원이 풍부하고 환경오염에 대한 문제점이 없어 특히 주목 받고 있다.
태양광 에너지를 전기 에너지로 직접 변환시켜주는 장치가 광기전력 장치이다. 광기전력 장치는 주로 반도체 접합의 광기전력 현상을 이용한다. 즉, p형과 n형 불순물로 각각 도핑된 반도체 접합에 빛이 입사되어 흡수되면 빛의 에너지가 반도체 내부에서 전자와 홀을 발생시키고 내부 전계에 의해 이들이 분리됨으로써 반도체 접합 양단에 광기전력이 발생된다. 이 때 접합 양단에 전극을 형성하고 도선을 연결하면 전극 및 도선을 통하여 외부로 전류가 흐르게 된다.
이와 같은 광기전력 장치에 대한 수요가 증가함에 따라 광기전력 장치의 내구성 및 제조 비용을 줄일 수 있는 연구가 진행되고 있다.
본 발명은 광기전력 장치의 내구성을 증가시키고 제조 공정 및 제조 비용을 줄일 수 있는 광기전력 장치의 제조 방법을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 빛을 전기로 변환하는 광전변환부를 제1 기판 및 제2 기판 각각에 형성하는 단계, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 소정 두께를 지닌 거리유지부가 위치하는 단계, 상기 거리유지부를 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 빼는 단계, 보호층으로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 각각 형성된 상기 광전변환부들을 동시에 덮는 단계 및 상기 보호층을 라미네이팅하는 단계를 포함한다.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 빛을 전기로 변환하는 광전변환부를 제1 기판 및 제2 기판 각각에 형성하는 단계, 제1 보호층 및 제2 보호층으로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 형성된 상기 광전변환부들을 각각 덮는 단계, 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 소정 두께를 지닌 거리유지부가 위치하는 단계, 상기 거리유지부를 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 빼는 단계 및 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층을 라미네이팅하는 단계를 포함한다.
본 발명의 광기전력 장치의 제조 방법은 광기전력 장치들 사이의 간격을 줄임으로써 라미네이션 공정 후 발생할 수 있는 기포를 최소화하여 내구성을 향상시 키고 제조 공정 및 제조 비용을 줄일 수 있다.
다음으로 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 방법을 나타낸다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 빛을 전기로 변환하는 광전변환부(100)를 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 각각에 형성한다. 광전변환부(100)에 대해서는 이후에 보다 상세히 설명된다. 이와 같이 광전변환부(100)가 형성된 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)은 롤러와 같은 이송부(300)에 놓여져 이송된다.
도 1b에 도시된 바와 같이, 소정 두께를 지닌 거리유지부(450)가 위로 이동하여 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 사이에 위치된다. 이에 따라 이송부(300)에 의하여 이송되는 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)의 거리는 거리유지부(450)의 두께에 따라 결정된다. 이 때 거리 유지부(450)의 두께는 1mm 이상 10 mm 이하일 수 있다. 이와 같이 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이의 거리가 거리 유지부(450)의 두께에 따라 결정되므로 이후에 진행되는 보호층의 불필요한 소모를 줄일 수 있다.
도 1b에서 제1 기판(210)이 이송부(300)에 의하여 이송되는 과정에서 위치 설정부(400)와 접촉하면 위치 설정부(400)와 연결된 콘트롤러(500)는 제1 기판(210)과 위치 설정부(400)의 접촉에 따른 압력 변화를 감지하여 제1 기판(210)이 놓여 있는 이송부(300a)의 움직임을 멈추게 한다. 이에 따라 거리유지부(400)의 제 1 기판(210)이 정지하면, 콘트롤러(500)는 거리유지부(450)가 위로 이동하도록 제어한다. 이후 제2 기판(230)이 이송되어 거리유지부(450)와 접촉되면 컨트롤러(500)는 제2 기판(230)이 놓여 있는 이송부(300b)의 동작을 정지시킨다. 이에 따라 제1 기판(210)과 제2 기판(230)은 거리유지부(450)의 두께만큼 떨어진다.
제1 기판(210)과 위치 설정부(400), 또는 제2 기판(230)과 거리 유지부(450)의 접촉 여부에 대한 콘트롤러(500) 판단은 위치 설정부(400)와 거리유지부(450)에 설치된 압전 소자를 통하여 이루어질 수 있다.
도 1c에 도시된 바와 같이 거리유지부(450)가 아래로 이동하여 거리유지부(450)가 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 사이에서 빼어진다. 거리유지부(450)가 제거되더라도 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)의 거리는 거리유지부(450)의 두께만큼 유지된다.
도 1d에 도시된 바와 같이, 보호층(130)으로 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)에 각각 형성된 광전변환부들(100)을 동시에 덮는다. 보호층(130)은 습기나 압력과 같은 외부 환경으로부터 광전변환부(100)를 보호하기 위한 것으로 EVA나 PVB (Polyvinyl butyral), 또는 TPU(Thermoplastic Polyurethane)와 같은 고분자 수지일 수 있다.
도 1e에 도시된 바와 같이, 보호층(130)이 덮인 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)은 서로의 거리가 유지된 채로 라미네이터(600)의 거치대(610)에 놓인다. 거치대(610)는 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)에 열을 가한다. 이에 따라 보호층(130)의 경도가 작아지고, 다이어프램(diaphragm)(630)이 보호층(130)을 누른다. 이에 따라 보호층(130)이 라미네이션된다.
도 1f에 도시된 바와 같이, 라미네이션 공정 후 보호층(130)을 절단기(700)로 자르는 트리밍(trimming) 공정이 이루어진다. 절단기(700)기는 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이의 보호층(130)을 자른다.
앞서 설명된 바와 같이 본 발명의 실시예에서는 거리유지부(450)가 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이의 거리를 작게 하므로 작은 크기의 다이아프램(630)으로 라미네이션을 수행할 수 있다.
또한 거리유지부(450)가 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이의 거리를 작게 하므로 1회 트리밍 공정으로 보호층(130)을 자를 수 있다. 반면에 거리유지부(450)에 의하여 제1 기판(210)과 제2 기판(230)의 거리가 소정 범위 이내로 유지되지 않을 경우, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)을 덮는 보호층(130)의 면적 또한 커지고 트리밍 공정 또한 여러 번 이루어져야 한다. 예를 들어, 트리밍 공정은 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 사이의 중앙 부위의 보호층(130)을 자르고(①), 제1 기판(210) 끝단 부위의 보호층(130)과 제2 기판(230) 끝단 부위의 보호층(130)을 자른다(②,③). 이에 따라 트리밍 공정이 복잡해지고 불필요하게 소모되는 보호층(130) 역시 증가한다.
앞서 설명된 바와 같이, 거리유지부(450)의 두께는 1 mm 이상 10 mm 이하일 수 있고, 이에 따라 제1 기판(210)과 제2 기판(230)의 거리는 1 mm 이상 10 mm 이하일 수 있다. 제1 기판(210)과 제2 기판(230)의 거리가 1 mm 이상 10 mm 이하인 경우, 한번의 트리밍 공정으로 보호층(130)이 자릴 수 있다. 뿐만 아니라 다이어프 램(630)이 보호층(130)을 누른 직후 라미네이터 내부로 공기가 유입된다. 이 때 제1 기판(210)과 제2 기판(230)의 거리가 10 mm보다 크면, 보호층(130)과 광전변환부(100) 사이에 기포가 발생할 수 있다. 그러나 제1 기판(210)과 제2 기판(230)의 거리가 10 mm 이하인 경우, 도 3에 도시된 바와 같이, 기포 발생이 줄어든다. 또한 트리밍 공정에서의 절단기(700)의 두께를 고려할 때 제1 기판(210)과 제2 기판(230)의 거리가 1 mm 이상일 수 있다.
한편, 도 1g에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예는 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)에 각각 대응하는 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)로 보호층(130)을 덮는 단계를 더 포함할 수 있다. 이와 같은 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)는 글라스 또는 백쉬트(back sheet)일 수 있다. 라미네이터(600)의 다이어프램(630)은 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)을 누름으로써 보호층(130)을 라미네이션한다. 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)는 보호층(130)과 더불어 광전변환부(100)를 보호한다. 이후 보호층(130)에 대한 트리밍 공정이 이루어질 수 있다.
또한 도 3에 도시된 바와 같이, 보호층(130)이 제1 보호부(131)와 광전변화부(100) 사이, 또는 제2 보호부(133)와 광전변환부(100) 사이에서 삐져나올 경우 다이어프램(630)에 의하여 보호층(130)이 라미네이션될 때 보호층(130)의 측면 부위에 기포가 발생할 수 있다. 따라서 도 3에 도시된 바와 같이 제1 보호부(131)와 제2 보호부(133)의 측면에 돌출된 보호층(130)을 지그(ZIG)로 고정시킴으로써 보호층(130)이 라미네이션될 때 기포 발생이 방지된다.
또한, 도 1h에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예는 보호층(130)에 대응하는 보호부(135)로 보호층(130)을 덮는 단계를 더 포함할 수 있다. 이와 같은 보호부(135)는 백쉬트(back sheet)일 수 있다. 라미네이터(600)의 다이어프램(630)은 보호부(135)을 누름으로써 보호층(130)을 라미네이션한다. 보호부(135)는 보호층(130)과 더불어 광전변환부(100)를 보호한다. 이후 보호층(130)과 보호부(135)에 대한 트리밍 공정이 이루어질 수 있다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 방법을 나타낸다.
도 4a에 도시된 바와 같이, 빛을 전기로 변환하는 광전변환부(100)를 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 각각에 형성한다. 광전변환부(100)에 대해서는 이후에 보다 상세히 설명된다. 이와 같이 광전변환부(100)가 형성된 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)은 롤러와 같은 이송부(300)에 놓여져 이송된다.
도 4b에 도시된 바와 같이, 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)은 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)에 형성된 광전변환부들(100)을 각각 덮는다. 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)은 습기나 압력과 같은 외부 환경으로부터 광전변환부(100)를 보호하기 위한 것으로 EVA나 PVB(Polyvinyl butyral), 또는 TPU(Thermoplastic Polyurethane)와 같은 고분자 수지일 수 있다.
도 4c에 도시된 바와 같이, 소정 두께를 지닌 거리유지부(450)가 위로 이동하여 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 사이에 위치된다. 이에 따라 이송부(300)에 의하여 이송되는 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)의 거리는 거리유지부(450)의 두 께에 따라 결정된다. 이 때 거리 유지부(450)의 두께는 1mm 이상 10 mm 이하일 수 있으며, 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 사이의 거리 역시 1mm 이상 10 mm 이하일 수 있다. 이와 같이 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이의 거리가 거리 유지부(450)의 두께에 따라 결정되므로 이후에 진행되는 보호층의 불필요한 소모를 줄일 수 있다. 콘트롤러(500), 위치 설정부(400) 및 거리 유지부(450)의 동작에 대해서는 앞서 설명되었으므로 생략된다.
도 4d에 도시된 바와 같이, 거리유지부(450)가 아래로 이동하여 거리유지부(450)가 제1 기판(210) 및 제2 기판(230) 사이에서 빼어진다. 거리유지부(450)가 제거되더라도 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)의 거리는 거리유지부(450)의 두께만큼 유지된다.
도 4e에 도시된 바와 같이, 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)이 덮인 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)은 서로의 거리가 유지된 채로 라미네이터(600)의 거치대(610)에 놓인다. 거치대(610)는 제1 기판(210) 및 제2 기판(230)에 열을 가한다. 이에 따라 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)의 경도가 작아지고, 다이어프램(diaphragm)(630)이 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)을 누른다. 이에 따라 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)이 라미네이션된다.
본 발명의 제2 실시예에서는 거리유지부(450)가 제1 기판(210)과 제2 기판(230) 사이의 거리를 작게 하므로 작은 크기의 다이아프램(630)으로 라미네이션을 수행할 수 있다.
도 4f에 도시된 바와 같이, 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)에 각각 대응하는 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)로 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)을 덮는 단계를 더 포함할 수 있다. 이와 같은 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)는 글라스 또는 백쉬트(back sheet)일 수 있다. 라미네이터(600)의 다이어프램(630)은 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)을 누름으로써 보호층(130)을 라미네이션한다. 제1 보호부(131) 및 제2 보호부(133)는 보호층(130)과 더불어 광전변환부(100)를 보호한다.
도 4g에 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예는 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)에 대응하는 보호부(135)로 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)을 덮는 단계를 더 포함할 수 있다. 이와 같은 보호부(135)는 백쉬트(back sheet)일 수 있다. 라미네이터(600)의 다이어프램(630)은 보호부(135)을 누름으로써 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)을 라미네이션한다. 보호부(135)는 제1 보호층(130a) 및 제2 보호층(130b)과 더불어 광전변환부(100)를 보호한다. 이후 보호부(135)에 대한 트리밍 공정이 이루어질 수 있다.
제1 실시예 및 제2 실시예에서 사용된 백 쉬트는 순차적으로 적층된 폴리에틸렌, PET, 알루미늄 박막, 플로로에틸렌코폴리머 박막을 포함하거나, 순차적으로 적층된 올레핀(olefin), PET, 알루미늄 박막, 및 PET을 포함할 수 있다.
이 밖에도 백 쉬트는 순차적으로 적층된 EVA(Ethylene-Vinyl Acetate copolymer) 프라이머(primer), PET, 알루미늄 박막, PET를 포함하거나, 순차적으로 적층된 접착제층, PET, 알루미늄 박막, PET 또는 PVF(Polyvinyl fluoride) 또는 PVDF(Polyvinylidene fluoride) 중 하나를 포함할 수 있다.
다음으로 본 발명의 실시예들의 광전변환부(100)에 대하여 설명한다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 기판(210 또는 230) 상에 제1 전극(110)이 형성된다. 제1 전극(110)은 산화주석(SnO2)이나 산화아연(ZnO)을 포함하는 투명전극일 수 있다. 레이저가 제1 전극(110) 측이나 기판(210 또는 230)측으로 조사되어 제1 전극(110)이 스크라이브(scribe)된다. 이에 의하여 인접한 제1 전극들(110) 사이의 단락이 방지된다. 제1 전극(110)을 덮도록 광전변환층(130)이 적층된다.
이 때 광전변환층(130)은 p 타입 반도체층, 진성 반도체층 및 n 타입 반도체층 순으로 적층될 수 있다. p 타입 반도체층의 형성을 위하여 모노 실란(SiH4)과 같이 실리콘을 포함하는 원료 가스와 B2H6와 같이 3족 원소를 포함하는 가스가 반응실에 혼입되면 CVD법에 따라 p 타입 반도체층이 적층된다. 이후 실리콘을 포함하는 원료 가스만이 반응실에 유입되면 CVD법에 따라 진성 반도체층이 p 타입 반도체층 상에 형성된다. 마지막으로 PH3와 같이 5족 원소를 포함하는 가스와 실리콘을 포함하는 원료 가스가 혼입되면 CVD법에 따라 n 타입 반도체층이 진성 반도체층 상에 적층된다.
레이저가 기판(210 또는 230)측이나 광전변환층(130)측으로 조사되어 광전변환층(130)이 스크라이브된다. 제2 전극(150)은 광전변환층(130) 및 제2 분리홈(140)을 덮는다. 제2 전극(150)은 산화아연(ZnO)이나 은(Ag) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또한 내습성을 강화하기 위하여 산화인듐주석(ITO), 산화주석(SnO2) 또는 산화인듐아연(IZO) 중 적어도 하나를 포함하는 버퍼층(160)이 스퍼 터링 방법으로 제2 전극(150) 상에 형성될 수 있다. 대기중에서 레이저가 조사되어 광전변환층(130), 제2 전극(150) 및 버퍼층(160)이 스크라이브된다.
본 발명의 실시예들은 이와 같은 박막형 광전변환부뿐만 아니라 벌크형 광전변환부를 포함할 수도 있다.
도 5b에 도시된 바와 같이, 광전변환층(110-1)은 외부에서 조사된 빛을 전기 에너지로 변환한다. 결정질 광전변환층(110-1)은 3족 및 5족 물질과 같은 불순물이 도핑된 단결정 또는 다결정 실리콘을 포함한다. 반사 방지막(120-1)은 광전변환층(110-1) 상에 위치하며 외부에서 조사된 빛이 반사되는 것을 방지함으로써 광전변환효율을 증가시킨다.
제1 전극(130-1)은 광전변환층(110-1)의 제1 타입 반도체층에 접촉할 수 있고 제2 전극(140-2)은 제1 타입 반도체층과 다른 광전변환층(110-1)의 제2 타입 반도체층과 접촉할 수 있다. 이 때 제1 타입 반도체층은 3족 물질과 같은 불순물이 도핑된 n 타입 반도체층 또는 5족 물질과 같은 불순물이 도피된 p 타입 반도체층 중 하나일 수 있고 제2 타입 반도체층은 n 타입 반도체층 또는 p 타입 반도체층 중 나머지 하나일 수 있다.
본 발명의 실시예는 이상에서 설명된 박막형 광전변환부 및 벌크형 광전변환부 뿐만 아니라 기판을 사용하는 다른 광기전력 장치에 적용될 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그 러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해되어야 하고, 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1a 내지 도 1h는 본 발명의 제1 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 방법을 나타낸다.
도 2는 제1 기판과 제2 기판의 거리가 소정 범위 이내로 유지되지 않을 경우의 트리밍 공정을 나타낸다.
도 3는 라미네이션 공정에 따른 기포 발생을 방지하기 위한 지그를 나타낸다.
도 4a 내지 도 4g는 본 발명의 제2 실시예에 따른 광기전력 장치의 제조 방법을 나타낸다.
도 5a 및 도 5b는 본 발명의 실시예들에 사용될 수 있는 광전변환부를 나타낸다.

Claims (17)

  1. 빛을 전기로 변환하는 광전변환부를 제1 기판 및 제2 기판 각각에 형성하는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 소정 두께를 지닌 거리유지부가 위치하는 단계;
    상기 거리유지부를 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 빼는 단계;
    보호층으로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 각각 형성된 상기 광전변환부들을 동시에 덮는 단계; 및
    상기 보호층을 라미네이팅하는 단계
    를 포함하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  2. 빛을 전기로 변환하는 광전변환부를 제1 기판 및 제2 기판 각각에 형성하는 단계;
    제1 보호층 및 제2 보호층으로 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 형성된 상기 광전변환부들을 각각 덮는 단계;
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에 소정 두께를 지닌 거리유지부가 위치하는 단계;
    상기 거리유지부를 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판 사이에서 빼는 단계; 및
    상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층을 라미네이팅하는 단계
    를 포함하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 거리유지부의 두께는 1 mm 이상 10 mm 이하인 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기판 및 상기 제2 기판에 각각 대응하는 제1 보호부 및 제2 보호부로 상기 보호층을 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제1 보호부 및 상기 제2 보호부는 글라스 또는 백쉬트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 보호층을 트리밍하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 보호층에 대응하는 보호부로 상기 보호층을 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 보호부는 백쉬트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 보호층과 상기 보호부를 트리밍하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 보호층은 고분자 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층에 각각 대응하는 제1 보호부 및 제2 보호부로 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층을 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 제1 보호부 및 상기 제2 보호부는 글라스 또는 백쉬트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  13. 제2항에 있어서,
    상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층에 대응하는 보호부로 상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층을 덮는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 보호부는 백쉬트를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에 있어서,
    상기 보호부를 트리밍하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  16. 제2항에 있어서,
    상기 제1 보호층 및 상기 제2 보호층은 고분자 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
  17. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1 기판이 위치 설정부와 접촉하면 제1 기판의 이송이 멈추고 상기 제1 기판 및 상기 제2 기판의 사이에 거리유지부가 위치하는 것을 특징으로 하는 광기전력 장치의 제조 방법.
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