JP2006049859A - 半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、剥離層に達する多数の穴または多数の溝を設け、穴(または溝)およびデバイス部に重ならない領域にパターン形状を有する材料体を設けた後、ハロゲン化フッ素を含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去する。
【選択図】 図1
Description
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第1部分及び第2部分を含む層を形成し、
前記第1部分及び前記第2部分を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、
前記第1の部分と前記第2の部分の間に位置する第3部分に材料体を形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去し、且つ、前記第3部分と重なる前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第1部分及び前記第2部分を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第1の薄膜集積回路及び第2の薄膜集積回路を含む層を形成し、
前記第1の薄膜集積回路及び前記第2の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、
前記第1の薄膜集積回路と前記第2の薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去して、前記材料体の下方に前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第1の薄膜集積回路及び前記第2の薄膜集積回路を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法である。
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第2の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を形成する第3の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第4の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第5の工程と、
絶縁表面を有する基板から前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに切り離す第6の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第2の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を形成する第3の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第4の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第5の工程と、
前記薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置する第6の工程と、
前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに分断する第7の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法である。
第1のフィルムと、第2のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に、第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に半導体素子を含む層と、該半導体素子を含む層を覆う第2の絶縁膜とを有し、
前記第1のフィルムは、前記第1の絶縁膜と接し、且つ、前記第2のフィルムは前記第2の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置である。
第1のフィルムと、第2のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に、第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に半導体素子およびアンテナを含む層と、該半導体素子およびアンテナを含む層を覆う第2の絶縁膜とを有し、
前記第1のフィルムは、前記第1の絶縁膜と接し、且つ、前記第2のフィルムは前記第2の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置である。
第1のフィルムと、第2のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に、第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に半導体素子を含む層と、半導体素子を含む層上にアンテナと、を有し、
前記第1のフィルムは、前記第1の絶縁膜と接し、且つ、前記第2のフィルムは前記アンテナと接していることを特徴とする半導体装置である。この構成とすることによって、第2の絶縁膜を形成する工程を削減することができる。
ここでは、本発明の半導体装置の作製方法について以下に説明する。
ここでは、実施の形態1よりも、さらに詳細な説明を行うこととする。図4を用いて半導体装置の作製方法の例を示す。なお、図4(B)は実施の形態1に示した図3中の鎖線C−Dで切断した断面図に相当する。
本実施の形態では、薄膜集積回路の製造装置の例を示す。
本実施の形態では実施の形態3で示した製造装置とは異なる製造装置を示す。実施の形態3では基板を第2基板移動用アームで押し付ける例であったが、本実施の形態ではロールを用いる。
本発明により作製される薄膜集積回路は、複数の素子と、アンテナとして機能する導電層とを有する。複数の素子とは、例えば、薄膜トランジスタ、容量素子、抵抗素子、ダイオード等に相当する。
本発明により作製される薄膜集積回路の用途は広範にわたるが、例えば、紙幣、硬貨、有価証券類、無記名債券類、証書類(運転免許証や住民票等、図9(A)参照)、包装用容器類(包装紙やボトル等、図9(B)参照)、記録媒体(DVDソフトやビデオテープ等、図9(C)参照)、乗物類(自転車等、図9(D)参照)、身の回り品(鞄や眼鏡等、図9(E)参照)、食品類、衣類、生活用品類、電子機器等に設けて使用することができる。電子機器とは、液晶表示装置、EL表示装置、テレビジョン装置(単にテレビ、テレビ受像機、テレビジョン受像機とも呼ぶ)及び携帯電話等を指す。
本実施の形態では、アンテナを露出したまま剥離、転写を行って半導体素子を形成する例を図11を用いて説明する。なお、実施の形態1とは第2の絶縁膜を形成しない以外は同じプロセスであるため詳細な説明は省略する。
11a:剥離層
11b:残存した剥離層
12a:絶縁膜
12b:半導体素子を含む層
13a:第1の素子群
13b:第1の素子群
15:開口部(穴または溝)
16:材料体
17:第1の基材フィルム
18:第1の接着性合成樹脂
19:第2の基材フィルム
20:第2の接着性合成樹脂
Claims (14)
- 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第1部分及び第2部分を含む層を形成し、
前記第1部分及び前記第2部分を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、
前記第1の部分と前記第2の部分の間に位置する第3部分に材料体を形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去し、且つ、前記第3部分と重なる前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第1部分及び前記第2部分を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、前記第1部分及び前記第2部分は、それぞれ半導体素子を少なくとも一つ有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成し、
前記剥離層上に第1の薄膜集積回路及び第2の薄膜集積回路を含む層を形成し、
前記第1の薄膜集積回路及び前記第2の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する開口を形成し、
前記第1の薄膜集積回路と前記第2の薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成し、
前記開口にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入して、前記剥離層を選択的に除去して、前記材料体の下方に前記剥離層の一部を残存させ、
絶縁表面を有する基板から前記第1の薄膜集積回路及び前記第2の薄膜集積回路を切り離すことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一において、前記開口は、穴または溝であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至4のいずれか一において、前記材料体の上面形状は、前記基板の一辺と平行な直線形状、または前記薄膜集積回路を囲む格子形状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記材料体は、スクリーン印刷法または液滴吐出法により得られることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記材料体は、フッ化ハロゲンを含む気体又は液体と化学反応しない材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
- 絶縁表面を有する基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層上に複数の薄膜集積回路を含む層を形成する第2の工程と、
前記複数の薄膜集積回路を含む層に対して前記剥離層に達する多数の穴または多数の溝を形成する第3の工程と、
隣り合う薄膜集積回路の境界上の少なくとも一部に材料体を形成する第4の工程と、
前記多数の穴または多数の溝にフッ化ハロゲンを含む気体又は液体を導入し、前記剥離層を選択的に除去して、前記材料体の下方のみに前記剥離層の一部を残存させる第5の工程と、
前記薄膜集積回路を、接着面を備える基体へ転置する第6の工程と、
前記薄膜集積回路を個々に又は各組ごとに分断する第7の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1のフィルムと、第2のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に、第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に半導体素子を含む層と、該半導体素子を含む層を覆う第2の絶縁膜とを有し、
前記第1のフィルムは、前記第1の絶縁膜と接し、且つ、前記第2のフィルムは前記第2の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置。 - 第1のフィルムと、第2のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に、第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に半導体素子およびアンテナを含む層と、該半導体素子およびアンテナを含む層を覆う第2の絶縁膜とを有し、
前記第1のフィルムは、前記第1の絶縁膜と接し、且つ、前記第2のフィルムは前記第2の絶縁膜と接していることを特徴とする半導体装置。 - 第1のフィルムと、第2のフィルムとで封止された半導体装置であり、
前記第1のフィルムと前記第2のフィルムとの間に、第1の絶縁膜と、該第1の絶縁膜上に半導体素子を含む層と、半導体素子を含む層上にアンテナと、を有し、
前記第1のフィルムは、前記第1の絶縁膜と接し、且つ、前記第2のフィルムは前記アンテナと接していることを特徴とする半導体装置。 - 請求項9乃至11のいずれか一において、前記第1のフィルムは積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9乃至12のいずれか一において、前記第2のフィルムは積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
- 請求項9乃至13のいずれか一において、前記第1の絶縁膜は、窒化珪素または酸化珪素を主成分とする無機絶縁膜であることを特徴とする半導体装置。
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