JP2005525696A - ドープされた有機半導体材料およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
a)有機基からなる電子輸送層を使用する(US 5,811,833)。
2.可動性(beweglichen)の電荷担体の密度を大きくするために、
a)電荷担体トラップ(Ladungstraegerhaftstellen)の形成防止を目的として、材料を洗浄し、大切に扱う(schonende Behandlung)。
Claims (70)
- 電荷担体密度が大きく、電荷担体の移動度が効果的な、ドープされた有機半導体材料であって、1つまたは複数の有機分子基(organische molekulare Gruppen)A、および、少なくとも1つの他の結合パートナー(Verbindungspartner)Bからなる化合物を有機半導体材料にドープすることにより、得ることができ、
上記所望のドーピング効果が、少なくとも1つの有機分子基Aを化合物から分離した後、少なくとも1つの有機分子基Aによって、或いは、少なくとも1つの有機分子基Aと他の原子または分子との反応の生成物によって得られる、ドープされた有機半導体材料。 - 上記他の結合パートナーBのうちの少なくとも1つが、Aと同じ分子基である、請求項1に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記他の結合パートナーBが、分子基、原子、または、イオンである、請求項1または2に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記分子基Aが、化合物中で、1または複数の電荷数を有する陽イオンまたは陰イオンとして存在している、請求項1〜3のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記分子基Aが、1つまたは複数のピリジニウム単位(Pyridiniumeinheiten)に基づいている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 1つまたは複数のピリジニウム単位が、1つまたは複数の多核の複素環の部分である、請求項5に記載のドープされた有機半導体材料。
- 請求項5または6に記載のドープされた有機半導体材料において、
上記分子基Aが、
R1、R2、R3、および、R4は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、スルフォン酸およびその塩、の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 上記分子基Aが、1つまたは複数のピロリウム単位、ピリリウム単位、チアゾリウム単位、ジアジニニウム単位、チニニウム単位、ジアゾリウム単位、チアジアゾリウム単位、テトラゾリウム単位、または、ジチオリウム単位に基づいている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 1つまたは複数のピロリウム単位、ピリリウム単位、ジアジニニウム単位、チニニウム単位、ジアゾリウム単位、チアゾリウム単位、チアジアゾリウム単位、テトラゾリウム単位、または、ジチオリウム単位が、1つまたは複数の多核の複素環の部分として生じる、請求項5に記載の有機半導体材料。
- 上記分子基Aが、1つまたは複数のホウ酸塩ベンゼン単位(Boratabenzeneinheiten)に基づいている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 1つまたは複数のホウ酸塩ベンゼン単位が、1つまたは複数の多核の複素環の部分である、請求項10に記載の有機半導体材料。
- 上記分子基Aが、陽イオン色素、陰イオン色素、または、他の有機塩である、請求項1〜11のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 請求項1〜12のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A1またはロイコ塩基A2
Xは、CR4、SiR4、GeR4、SnR4、PbR4、N、Pであり、
R1、R2、R3、および、R4は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項1〜13のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A3またはロイコ塩基A4
Xは、CR8、SiR8、GeR8、SnR8、PbR8、N、Pであり、
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)であり、これらの原子が縮合環を構成している、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項1〜14のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A5またはロイコ塩基A6
Xは、CR4、SiR4、GeR4、SnR4、PbR4、N、P、Sであり、 R1、R2、R3、R44は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A7またはロイコ塩基A8
Xは、C、Si、Ge、Sn、Pb、Sであり、
R1、R2、R3、および、R4は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項1〜16のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A9またはロイコ塩基A10
Xは、C、Si、Ge、Sn、Pbであり、
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、および、R8は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項1〜17のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A11またはロイコ塩基A12
Xは、C、Si、Ge、Sn、Pbであり、
R1、R2、R3、R4は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 上記化学的に安定した化合物が、C.I.ベーシックイエロー37(C.I.41001)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有する他のジフェニルメタン色素である、請求項11〜18のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、C.I.ベーシックグリーン4(C.I.42000)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するトリフェニルメタン色素のジアミノ誘導体である、請求項11〜18のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、C.I.ベーシックレッド9(C.I.42500)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するトリフェニルメタン色素のトリアミノ誘導体である、請求項11〜18のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、フェニレンブルー4(C.I.49400)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有する他のインダミン色素である、請求項11〜18のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 請求項11〜18のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A13またはロイコ塩基A14
XおよびZは、それぞれCR4、O、S、N、NR5であるか、または、他の原子を用いずに化合物の2つのフェニル環の間の直接結合を意味しており、
R1、R2、R3、R4、およびR5は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項11〜23のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A15またはロイコ塩基A16
XおよびZは、それぞれCR8、O、S、N、NR9であるか、または、他の原子を用いずに化合物の2つのフェニル環の間の直接結合を意味しており、
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、および、R9は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項11〜24のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A17またはロイコ塩基A18
XおよびZは、それぞれCR4、O、S、N、NR5であるか、または、他の原子を用いずに化合物の2つのフェニル環の間の直接結合を意味しており、
R1、R2、R3、R4、および、R5は、例えばそれぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項11〜22のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造A19またはロイコ塩基A20
XおよびZは、それぞれCR6、O、S、N、NR7であり、
R1、R2、R3、R4、R5、R6、および、R7は、例えば、それぞれ1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 上記化学的に安定した化合物が、ピロニンB(C.I.45010)、C.I.ベーシックレッド11(C.I.45050)、サッカリン(C.I.45070)、ローズアミン(Rosamine)(C.I.45090)、ローダミンB(C.I.45175)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するキサンテン色素の他のジアミノ誘導体である、請求項11〜27のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、セルレインB(C.I.45500)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するキサンテン色素の他のジヒドロキシ誘導体である、請求項11〜27のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、アクリフラビン(C.I. 46000)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するアクリジンの他のジアミノ誘導体である、請求項11〜27のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、フェノサフラニン(C.I.50200)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有する他のアジン色素である、請求項11〜27のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、C.I.ベーシックブルー3(C.I.51004)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するオキサジン色素である、請求項11〜27のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化学的に安定した化合物が、ラウトの紫(Lauth's Violet)(C.I.52000)、または、公知の反対アニオン(Gegenanion)を有するチアジン色素である、請求項11〜27のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 請求項11または12に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aは、構造
nは、自然数であり、
XおよびZは、1つまたは多核の複素環に位置するヘテロ原子としての、それぞれNR1、S、または、BR2であり、
Xnは、それぞれNまたはCR3であり、
R1、R2、R3、Rnは、例えば1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項34に記載のドープされた有機半導体材料であって、
XおよびZが、それぞれ個々に基
X1は、それぞれCR4R、NR6、O、または、Sであり、
R1、R2、R3、R4、R5、R6は、例えば1つまたは複数の、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 上記化学的に安定した化合物が、N、N‘−ジアルキルシアニン、または、N、N‘−ジアルキルチアカルボシアニン(N,N'-dialkyl thiacarbocyanine)、または、公知の反対アニオン(Gegenanionを有する他のメチン(Methin)色素またはポリメチン(Polymethin)色素である、請求項11〜35のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 請求項11または12に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造
nは自然数であり、
XおよびZは、それぞれO、C(CN)2、N−CNであり、
Rnは、例えば1つまたは複数の、公知の電子吸引性基、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 請求項11または12に記載のドープされた有機半導体材料であって、
上記分子基Aが、構造
X、X1、Z、および、Z1は、それぞれSまたはSeであり、
Rは、例えば1つまたは複数の、公知の電子吸引性基、水素、酸素、ハロゲン(例えばフッ素、塩素、臭素、または、ヨウ素)、水酸基、アミニール(例えばジフェニルアミニール、ジエチルアミニール)、1〜20の炭素原子を有する脂肪族(Aliphate)(例えばメチル、エチル、カルボキシル基)、アルコキシル基(例えばメトキシ基)、シアン、ニトロ基、スルフォン酸およびその塩、3〜25の炭素原子を有するアリール(例えばフェニル基、ピリジル(Phyridyl)またはナフチル基またはこれらから構成される縮合環)である、ドープされた有機半導体材料。 - 上記化合物が、形式的に正電荷を持つ窒素(アゾニア(azonia)、アンモニウム)、酸素(オキソニア(oxonia)、オキソニウム)、燐(フォスフォニア(phosphonia)、ホスホニウム)、硫黄(チオニア(thionia)、スルホニウム)、および/または、形式的に負電荷を持つホウ素(ボラヌイダ(boranuida)、ホウ酸塩)を含んでいる、請求項1〜40のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記化合物が金属錯体化合物である、請求項1〜41のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 1つまたは複数の分子基Aが、1つまたは複数の−SO3 -基を含んでいる、請求項1〜43のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 1つまたは複数の分子基Aが、1つまたは複数のアンモニウム基、イモニウム(Immonium)基、スルフォニウム基、ヒドラジニウム基、または、チオウロニウム(Thiouronium)基を含んでいる、請求項1〜43のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 有機分子Aおよび分子Bからなる錯体が、所望の多数電荷担体のために、ドープされるマトリックスMにトラップを構成しないように、Bが形成されている、請求項1〜42のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記ドープされる半導体物質が、それ自体、混合材料(Materialmischung)である、請求項1〜46のいずれか一項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 電荷担体密度が大きく、電荷担体移動度が大きく効果的な、ドープされた有機半導体材料の製造方法であって、
1つまたは複数の有機分子基Aと少なくとも1つの他の結合パートナーBとの化合物を、真空または不活性ガス雰囲気中で、有機半導体材料と同時に気化するか、または、有機半導体材料と前後して気化後ドーパントを拡散させることによって析出し、 少なくとも1つの有機分子基Aが、化合物から分離することによって、少なくとも1つの分子基A或いは、結合パートナーAと他の原子または分子との反応の生成物に起因して所望のドーピング効果を得ることを特徴とする方法。 - 化合物の成分(Bestandteile)AおよびBへの分離を、ドープされる半導体物質への化合物の添加後に行うことを特徴とする、請求項48に記載の方法。
- 上記調整された層の中での化合物の分離、および/または、調整された層からの成分Bの除去を促進することを特徴とする、請求項48または49に記載の方法。
- 上位化合物の分離、および/または、成分Bの除去を熱供給によって促進することを特徴とする、請求項48〜50のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、層の吸収領域における光学励起(optische Anregung)によって促進することを特徴とする、請求項48〜50のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、層を、分子状または原子状の水素、水素イオン、分子状または原子状の酸素、或いは酸素イオンと露光(Exposition)することにより促進することを特徴とする、請求項48〜50のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、簡単に揮発する反応生成物を生成するように成分Bと層の中で反応する他の反応パートナーを供給することにより促進することを特徴とする、請求項48〜50のいずれか一項に記載の方法。
- 層の中の成分Bが、反応生成物が所望の多数電荷担体用のアンチトラップ(Antitrap)を構成するか、または、層から簡単に除去されることができるように、第3物質またはマトリックスの分子と反応することを特徴とする、請求項48〜50のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、気化している間に、化合物を気相中で扱うことによって促進することを特徴とする、請求項48に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、光学的な励起によって促進することを特徴とする、請求項48または56に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、電荷を持つ成分Bの電界または磁界による偏向(Ablenkung)により行うことを特徴とする、請求項48または56に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、気化プロセスの間に強い電界をかけることによって行うことを特徴とする、請求項48または56に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、蒸着源(Aufdampfquelle)の中の固層の中で促進することを特徴とする、請求項48に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、蒸着プロセスの間に供給された熱により促進し、
上記熱供給を、化合物の固体の状態または液体の状態においてか、および/または、気相において行うことを特徴とする、請求項48、56、および、60に記載の方法。 - 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、光学的な励起によって促進することを特徴とする、請求項48または60に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、反応性の表面(reaktiven Oberflaeche)への蒸気の吸着およびそれに続く新たな脱離によって促進することを特徴とする、請求項48、56、および、60のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、接触表面(katalytische Oberflaeche)への蒸気の吸収およびそれに続く新たな脱離によって促進することを特徴とする、請求項48,56、および、60のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、強いレーザー光線を用いた化合物の照射によって促進することを特徴とする、請求項48または60に記載の方法。
- 上記化合物の分離、および/または、成分Bの除去を、気化プロセスの間のプラズマの影響によって促進することを特徴とする、請求項48、56、および、60のいずれか一項に記載の方法。
- 上記化合物が、気化装置源(Verdampferquelle)の中で、第3物質と反応し、反応生成物のうちの1つまたは複数がドーピングに用いられることを特徴とする、請求項48または60に記載の方法。
- 上記化合物が、蒸発装置源の中で触媒と相互作用を起こすことを特徴とする、請求項48または60に記載の方法。
- 上記化合物の分離を、適切な電極において(an)電気化学プロセスにより蒸発装置源の中で促進することを特徴とする、請求項48または60に記載の方法。
- ドープされた有機半導体材料の利用であって、
上記のドープされた有機半導体材料は、電荷担体密度が高く、その電荷担体移動度は効果的であり、
1つまたは複数の有機分子基A、および、少なくとも1つの他の化合物パートナーBからなる化合物を有機半導体材料にドープすることにより得られ、
上記所望のドーピング効果を、上記化合物からの少なくとも1つの有機分子基Aの分離により、分子基A或いは少なくとも1つの有機分子基Aと他の原子または分子との反応の生成物に起因して得る使用方法において、
上記有機半導体材料を、有機太陽電池、有機発光ダイオード、有機電界効果トランジスタ、集積有機回路、および、有機レーザーの中の機能層として使用することを特徴とする、使用方法。
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