KR20050004768A - 도핑된 유기반도체 재료 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하나 이상의 추가 화합물 파트너(B)를 갖는 하나 이상의 유기 분자군(A)을 포함하는 화학적 결합물을 유기반도체 재료에 도핑함으로써 획득된, 상승된 전하운반체 밀도 및 유효한 전하운반체 이동성을 갖는 도핑된 유기반도체 재료에 관한 것이다. 본 발명에 따라, 소정의 도핑작용이 화학적 결합물로부터 하나 이상의 유기 분자군(A)을 분리한 이후에 하나 이상의 유기 분자군(A)에 의해, 또는 하나 이상의 분자군(A)과 다른 원자나 분자와의 반응 생성물에 의해 달성된다.

Description

도핑된 유기반도체 재료 및 그 제조 방법{DOPED ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCTION THEREOF}
본 발명은 청구항 1항에 따른 상승된 전하운반체 밀도 및 유효한 전하운반체 이동성을 갖는 도핑된 유기반도체 재료, 청구항 48항에 따른 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법 및 그의 용도에 관한 것이다.
1989년 [C.W.Tang et al.,Appl.Phys.Lett.51(12),913(1987)]에서 유기 발광다이오드 및 유기 태양전지가 입증된 이후로 유기 박막층으로 형성된 소자들이 집중 연구 대상이 되어왔다. 상기와 같은 유기 박막층은 언급한 적용예에서, 예컨대 유기 발광다이오드의 효율적인 전기발광, 유기 태양전지의 가시광 영역의 높은 흡수율, 매우 간소화된 전자회로용 재료 및 소자의 저가 제조와 같은 바람직한 특성들을 갖는데, 그 중에서도 특히 디스플레이용 유기 발광다이오드의 사용은 이미 상업적 가치를 갖는다.
다층의 (광)전자 소자의 성능 특성은 층이 갖는 전하운반체 수송능력에 의해 결정된다. 발광다이오드의 경우에 동작시 전하수송층에서 발생하는 저항강하는 전도율과 관련되는데, 이러한 전도율은 한편으로는 필요 동작전압에 직접적인 영향을 미치지만 다른 한편으로는 소자의 열부하를 결정한다. 또한 유기층의 전하운반체 농도에 따라서 금속접점 가까이에서 띠 굽음(band bending)이 나타나는데, 이러한띠 굽음에 의해 전하운반체의 주입이 쉬워져서 접촉저항이 낮아질 수 있다. 유기 태양전지에서 전하운반체 수송특성에 의해서 그 효율이 결정될 수 있다는 결론에 이르는 유사한 고찰들이 있다.
적합한 억셉터 재료를 홀 수송층에 도핑하거나(p-도핑) 또는 도너 재료를 전자 수송층에 도핑함으로써(n-도핑) 고형 유기체의 전하운반체 밀도(및 그 결광에 따른 전도율)가 크게 높아질 수 있다. 이 외에 유기반도체에 의한 실험들과 유사하게, 전적으로 소자의 p-도핑된 층과 n-도핑된 층의 사용에 기인할 뿐 달리 생각될 수 없는 적용예들도 예상된다. US 5,093,698에는 유기 발광다이오드의 도핑된 전하운반체 수송층의 용도(홀 수송층에 대한 억셉터형 분자들의 혼합물의 p-도핑, 전자 수송층에 대한 도너형 분자들의 혼합물의 n-도핑)가 공지되어 있다.
진공증착된 유기층의 전도율 개선을 위한 지금까지 공지된 방법들은 다음과 같다:
1. a) 유기 라디칼(US 5,811,833)로 이루어진 전자 수송층의 사용에 의한,
b) 분자의 pi-오비탈의 최적의 중첩을 허용하는 고레벨 층의 생성에 의한, 전하운반체 이동성의 증가.
2. a) 전하운반체 트랩(trap) 형성을 막기 위한 재료의 세척 및 보호 처리에 의한,
b) aa) 유기재료(가스, 알칼리원자 특허 US 6,013,384(J.Kido et al);J.Kido et al.,Appl.Phys.Lett.73,2866(1998)) 및
bb) 유기재료(TNCQ(M.Mairot et al.,J.Appl.Phys.,60(7),2396-2400(1986)), F4TCNQ(M.Pfeiffer et al.,Appl.Phys.Lett.,73(22),3202(1998)), BEDTTF(A.Nollau et al.,J.Appl.Phys.,87(9),4340(2000))를 이용한,
유기층의 도핑에 의한 이동성 전하운반체의 밀도 증가.
도핑된 유기 전하수송층은 유기 발광다이오드의 개선을 위해 이미 성공적으로 사용되었다. 억셉터 재료 F4TCNQ를 홀 수송층에 도핑함으로써 발광다이오드의 동작전압이 크게 낮아진다(X. Zhou et al.,Appl.Phys.Lett.,78(4),410(2001)). Cs 또는 Li를 전자 수송층에 도핑함으로써 이와 유사한 성공이 실행될 수 있다(J.Kido et al.,Appl.Phys.Lett.,73(20),2866(1998);J-S.Huang et al.,Appl.Phys.Lett.,80, 139(2002)).
무기재료의 전기적 도핑은, 사용된 원자나 분자가 작은 크기로 인해 소자 내에 쉽게 확산될 수 있으므로 p-도핑된 영역으로부터 n-도핑된 영역으로의 날카로운 천이부를 제조하는 것이 어려워진다는 단점이 있다. 이것에 비해서 도펀트로서 비교적 큰 유기분자를 사용할 경우에는 확산이 그다지 중요하지 않다. 그러나 이때 이용가능한 도핑분자는 최대의 p-도핑을 위한 전자친화력 또는 최대의 n-도핑을 위한 이온화 퍼텐셜을 나타내야만 하기 때문에 잘 사용되지 않는다. 분자의 화학적 안정성의 하강도 이와 연관된다.
본 발명의 목적은 유효한 도핑분자의 화학적 안정성의 하강을 극복하기 위한 방법을 제공하고 이러한 분자에 의해 도핑된 층을 제조하는 것이다.
본 발명에 따르면 상기 목적은 청구항 1항에 제시된 특징들에 의해 달성된다. 바람직한 실시예는 종속항의 대상이다.
또한 상기 목적은 청구항 48항에 제시된 특징들을 갖는 방법에 의해 달성된다. 상기 방법의 바람직한 변형예는 종속항의 대상이다.
본 발명에서는 중성상태에서는 불안정하지만, 하전된 양이온이나 음이온으로서 존재할 경우나 공유 화합물과 결합된 상태에서는 안정적으로 존재하는 유기분자가 사용된다. 이와 같이 하전된 분자들은 제자리에서는 전구물질 화합물에서 제조되는데, 상기 전구물질 화합물은 진공증착 이전, 진공증착시 또는 진공증착 이후에 소정의 하전된 분자로 변환된다. 이에 한정될 필요없이, 이러한 화합물은 예컨대 유기염 또는 금속착물일 수 있다. 불안정한 도펀트도 제자리에서는 안정된 전구물질에 의해 생성될 수 있다.
종래에는 사용된 도핑분자가 중성상태에서 도핑될 층 안으로 삽입되고 나서, 기질(matrix)로의 전하 이동후에 음이온 또는 양이온으로서 존재하게 되었다. 따라서 중성 분자의 사용은 전하 이동을 초래하는 중간단계일 뿐이다. 이와 결부하여 나타나는 안정성 문제-앞에서 언급됨-는 본 발명에 따라 미리 이온화된 안정성 분자를 도펀트로 사용함으로써 방지할 수 있다.
필요시에는 전구물질 화합물의 해리를 지원하기 위하여 또 다른 방법이 사용된다. 이러한 방법은 화합물의 분할을 위해 필요한 에너지를 공급하거나, 또는 전구물질 화합물의 원치 않은 잔류물과의 화학반응을 일으킴으로써, 상기 잔류물이 층 안으로 들어가는 일이 없어지고, 또는 상기 층으로부터 쉽게 분리될 수 있으며, 또는 상기 층의 전기적 특성이 손상받는 일을 막을 수 있다. 본 발명에 따른 바람직한 해결책은 예컨대 로다민 B 클로라이드의 진공증착을 위한 레이저를 사용하는 것으로서, 이로 인해 로다민 B 양이온이 주 생성물이 된다.
이제까지는 청구항 1항에 따라 미리 하전된 분자군을 분할하는 것으로 기술되기 했지만, 우선적으로 중성 라디칼이 청구항 1항에 따른 화합물에 의해 생성되더라도 본 발명의 목적은 달성될 수 있다. 여기서 이러한 중성 라디칼은 제자리에서 충분히 안정적이어서 층 안으로 삽입되는데, 층 안에서 라디칼 전자를 기질로 전달하거나 기질로부터 다른 전자를 받게 된다.
US 5,811,833에는 유기 발광다이오드에서 사용되기 위한 프리 라디칼, 특히 펜타페닐시클로켄타디에닐로 이루어진 전자 수송층이 공지되어 있다. US 5,922,396에는 이러한 층이 유기금속 화합물, 특히 디카페닐게르마노센 또는 디카페닐플룸보센에 의해 제조될 수 있다는 것이 공지되어 있다(M.J.Heeg, J.Organometallic Chem.,346,321(1988) 참조). US 5,811,833 및 US 5,922,396에는 아주 미세한 전하운반체 이동성(또는 호핑 공정시의 전송율)의 상승을 갖는 층이 공지되어 있는데, 이때 음으로 하전된 펜타페닐시클로펜타디에닐 분자가 방향족성(aromaticity)을 가짐으로써 인접한 중성 펜타페닐시클로펜타디에닐 분자로의 전자 전달이 해당 분자의 페닐기의 Pi-전자 오비탈의 중첩에 의해서 개선된다. 전도율의 상승은 아주 미세한 전하운반체 이동성(또는 호핑 공정시의 전송율)의 상승에 의해서 달성된다. 이와 달리 본 발명에 따르면 전도율을 높이기 위해서 평형 전하운반체 밀도가 높아진다. 예컨대 흐름시간(전하운반체 이동성 측정), 열전효과(seebeck effect) 또는 전계효과(전하운반체 밀도 측정)에 의해 구별이 이루어질 수 있다.
또한 본 발명은 또 다른 목적을 달성하기 위해서 추가 재료를 포함하는 혼합층에서의 도핑분자 사용에 관한 것이다. 이러한 목적은 예컨대 층 성장의 변화, 침투 망(C.J.Brabec et al.,Adv.Mater.,11(1),15(2001))의 제조, 유기 발광다이오드에서 광방출 양자 효율의 개선, 또는 발광염료의 첨가에 의한 방출광의 색 변동에 관련될 수 있다.
또한 본 발명의 의미에서는, 이러한 목적이 사용된 도핑 분자의 적합한 선택에 의해서 층 내에 도핑분자를 첨가함으로써 미리 달성되기도 한다. 예컨대 로다민 B(Rhodamin B)와 같은 양이온성 염료는 높은 발광양자 수율을 가짐으로써, 유기 LED에서 발광염료로서 사용될 수 있다.
마지막으로 또한 본 발명은 중합체 층의 도핑을 위한 청구항 1항에 제시된 분자의 사용에 관한 것이다. 이러한 층은 스핀코팅 처리를 이용한 증착에 의해서 제조된다. 이미 공지된 바와 같이 염의 음이온 및 양이온을 인가된 전압에 의해서 개별 접점쪽으로 유인하여 이동하게 하는 방식의 전기화학적 도핑과는 달리, 본 발명은 청구항 1항에 상응하여 크기가 큰 비이동성 분자가 중합체 층에 도핑됨으로써 달성된다.
본 발명의 한 실시예에서는 분자염료 로다민 B 클로라이드를 도펀트로서 사용한다. 나프탈렌테트라카르본액시드다이안하이드리드(NTCDA)와 로다민 B가 150:1의 비율로 함유되어 있는 혼합층을 제조할 경우에는 실온에서 1e-5 S/cm의 전도율이 발생되는데, 이는 순수 NTCDA 층에 비해 4 만큼 증가한 값과 동일하다. 이를물리적으로 설명하면, 로다민 B 클로라이드 분자가 큐벳(cuvette) 내에서 가열될 때 양으로 하전된 로다민 B 분자와 음으로 하전된 클로라이드 이온으로 분할된다는 것이다. 하전된 로다민 B 분자는 혼합층 내에 삽입된다. 층 전체의 전하상태를 중성으로 유지하기 위해 필요한 전자는 NTCDA 분자 상에 남게 된다. 왜냐하면 NTCDA의 전자친화력이 로다민 B의 전자친화력 보다 높기 때문이다(3.2 eV, H.Meier,"Organic Semiconductors", Chemie Weinheim 출판사, 1974, 425 쪽). 이러한 전자는 NTCDA의 최소한의 오비탈을 채움으로써 전도율을 높인다. 이렇게 상승된 전하운반체의 밀도는 예컨대 열전효과 및 전계효과의 측정에 의해 결정될 수 있다. 피로닌 B(50:1)로 도핑된 NTCDA의 한 샘플의 전계효과를 측정한 결과, 다수(majority) 전하운반체로서 1017cm-3의 농도를 갖는 전자가 검출되었다. 이러한 시스템에서의 열전효과 측정 결과로 마찬가지로 n-전도가 발생하는데, 이때 -1.1 mV/K의 열전계수 및 종래의 도핑된 NTCDA에 의한 것 보다 높은 전하운반체 농도가 달성될 수 있다(A.Nollau et al.,J.Appl.Phys.,87(9),4340(2000)).
상승된 기질 온도를 갖는 C60(플러런)(50:1)으로부터 로다민 B로 도핑된 층을 분석한 결과, 6e-3 S/cm의 전도율이 검출되었다. 이는 실온에서 제조된 샘플(5e-5 S/cm)의 경우 보다 2 만큼 더 크다. 진공증착시에 공급된 열은 로다민 B의 분할을 증폭시킨다.
로다민 B의 도핑 작용은 MePTCDI(페릴렌-3,4,9,10-테트라카르본액시드-N.N'-디메틸-디이미드) 및 PTCDA(3,4,9,10-페릴렌테트라카르본액시드다이안하이드리드)로 이루어진 기질의 경우에도 검출되었으며, 이는 기질의 구체적인 화학적 구조와는 무관하다.
공지된 강력한 유기 도너인 테트라티아풀발렌(TTF)은 SCE에 대하여 +0.35V의 산화전위를 갖는다(Y.Misaki et al.,Adv.Mater.8,804(1996)). 더 강력한 도어, 즉 낮은 산화전위를 갖는 도펀트는 공기중에서 불안정하다(G.C.Papavassiliou,A.Terzis,P.Delhaes,in:H.S.Nalwa(Ed.) Handbook of conductive molecules and polymers,제 1권:charge-transfer salts,fullerenes and photoconductors,John Wiley & Sons,Chichester,1997). 로다민 B는 NHE에 대하여 -0.545V의 환원전위를 갖는데, 다시 말해 SCE에 대하여 -0.79V의 환원전위를 갖는다(M.S.Chan,J.R.Bolton,Solar Energy,24,561(1980)). 유기 염인 로다민 B의 환원전위는 로다민 B 양이온의 환원전위에 의해 결정된다. 이러한 값은 중성 로다민 B-라디칼의 산화전위와 동일하다. 따라서 로다민 B-라디칼은 TTF 보다 더 강력한 도너이다. 하지만 이러한 강력한 도너인 로다민 B는 화학적 결합물인 로다민 B 클로라이드 내에서 안정적이다. 따라서 종래에는 SCE에 대하여 +0.35V 이상의 산화전위를 갖는 도너를 사용하는 것이 가능하였지만, 본 발명에서는 SCE에 대하여 +0.35V 이하의 산화전위를 갖는 도너를 도핑하는 것이 가능하다.
청구항 1항의 의미에 따른 화학적으로 안정된 화합물은 예컨대 이오니아식 염료이다. 이러한 이오니아식 염료는 포토리소그래피에서 예컨대 AgBr의 감광도 확대를 위해 사용된다. AgBr의 전자친화력은 3.5eV이다. 전자 전달에 의해서 AgBr의 감광도를 확대시킬 수 있는 염료는 마찬가지로 화학적으로 안정된 결합물로서 청구항 1항의 의미에 따른 유기반도체 재료의 도핑을 위해 사용되기에 적합하다.
이오니아식 염료에는 디페닐메탄 및 트리페닐메탄 염료, 그리고 그의 유사체가 있으며, 이들의 일반적인 구조(T1 및 T2)는 다음과 같다. 즉
여기서 X CR4, SiR4, GeR4, SnR4, PbR4, N, P 및 R1, R2, R3 및 R4는 적합한 공지된 치환체이고, 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜, 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상이다. 하나 이상의 p-상태의 치환체가 페닐기를 만나는 일이 자주 발생한다(T3 내지 T6).
여기서 X CR8, SiR8, GeR8, SnR8, PbR8, N, P 및 R1 내지 R7 및 R8은 적합한 공지된 치환체이고, 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상이다.
디페닐메탄 염료의 예로는 아우라민 O(CI 655) 또는 아우라민 G(CI 656)가 있다. 트리페닐메탄 염료의 예로는 맬러카이트그린(CI 657), 터키블루(CI 661),형광색소(CI 45350) 또는 페이턴트블루 V(CI 712)가 있다.
트리페닐메탄 염료를 대표하는 맬러카이트그린 클로라이드는 1:122의 도핑 비율의 NTCDA 기질 내에서 4·10-4S/cm의 전도율을 발생시킨다. 또한 맬러카이트그린은 제자리에서 도핑분자를 생성하기 위한, 청구항 11항 및 특히 종속항 12항 내지 22항의 의미에 따른 화합물로서 적합하다. 이러한 특성은 중심 탄소원자(제 4주기)의 원자가구조에 의해 야기된다. 따라서 중심 원자(트리아릴질릴, 게르밀, 스타닐, 플룸빌)로서 제 4주기의 원자를 갖는, 이러한 구조 타입의 화합물 중 다른 공지된 화합물은 청구항 1항, 12항 내지 22항의 의미에 따른 화합물로서 적합하다. 디페닐아민 또는 트리페닐아민의 각각 하나의 페닐 고리의 2개의 탄소원자 간의 직접 결합이 이루어지는 화합물이 청구항 23항 내지 25항에 제시된다.
도핑작용은 이오니아식 염료의 루코 형태(T7 및 T8)를 사용할 경우에도 나타난다. 로다민 B 염기는 PTCDA 기질에 대해 도핑작용을 하며, 예컨대 1:70의 도핑비율에 대해 7*10-5 S/cm의 전도율이 발생된다.
이오니아식 염료의 또 다른 그룹에는 키산텐 염료가 있다.
위에 제시된 로다민 B는 이러한 그룹의 대표이다. 피로닌 B, 로다민 110 및 로다민 3B는 이러한 재료 종의 또 다른 대표로서 마찬가지로 도핑 작용을 갖는다. 키산텐 염료와 유사한 염료로는 특히 피란-, 티오피란-, 인다민-, 아크리딘-, 아진-, 옥사진- 및 티아진 염료가 있다. 이러한 염료들은 다중핵으로 이루어진 헤테로 고리의 치환체에 의해 구별된다. 그 밖의 동일한 구조에 의해서 이러한 염료종(T9)은 마찬가지로 청구항 1항, 23항 내지 26항의 의미에 따른 적합한 화합물이다.
다음과 같은 폴리메틴 구조, 즉
에 기초한 염료가 마찬가지로 도펀트로서 작용한다.
N.N'-디에틸-시아닌 및 N.N'-디에틸-티아카르보시아닌은 NTCDA 기질 내에서 전도율을 3·10-5S/cm(1:114의 도핑비율) 또는 5·10-5S/cm(1:47의 도핑비율)로 높인다. 이러한 두 개의 염료는 X 및 Z 중 하나를 갖는 폴리메틴 염료를 각각 대표한다.
이오니아식 염료의 루코염기는 마찬가지로 청구항 1항, 12항 내지 26항의 의미에 따른 적합한 화합물이다. 예컨대 NTCDA 내 로다민 B 염기는 3·10-5S/cm(1:70의 도핑비율)의 전도율을 나타낸다.
도핑작용이 이오니아식 연료의 염료 특성과 관련되기 보다는 오히려 유기 염으로서의 특성에 관련되기 때문에, 다른 유기 염 또한 마찬가지로 청구항 11항의 의미에 따른 화합물로서 작용한다. 유기 염은 종종 적합한 헤테로 고리(예컨대 피리디늄, 피롤륨, 피릴륨, 티아졸륨, 디아지늄, 티니늄, 디아졸륨, 티아디아졸륨 또는 디티올륨 등이 개별적으로 또는 다중핵 헤테로 고리의 일부로서) 또는 적합한 그룹(예컨대 암모늄, 술포늄, 포스포늄, 이도늄 등)에 기초한다.
피로닌 B 클로라이드의 경우에 실시된 질량분광 분석법에 따르면, 피로닌 B의 진공증착시에 특히 HCI 및 324의 질량수를 갖는 피로닌 B의 양자화된 형태가 생성된다는 것을 알 수 있다. 명백한 것은 피로닌 B 클로라이드의 분리시에 생성된 클로라이드 라디칼 및 중성 피로닌 B-라디칼이 양성자에 의해서 포화상태가 된다는 사실이다. 이러한 양성자는 진공증착될 물질 내에 있는 다른 피로닌 B 분자에 의해서 공급된다. 피로닌 B 클로라이드의 진공증착된 층은 처음에는 무색이다. 이는 중성 피로닌 B의 형성을 증명한다. 산소 작용하에서 진공증착 층은 다시 붉은색이 되는데, 이는 피로닌 B 양이온의 형성에 상응한다. 즉 진공증착된 물질은 산소 작용하에서 산화된다. 이러한 공정은 기질과 도펀트의 혼합층에서도 나타난다.피로닌 B 클로라이드 및 테트라시아노퀴노디메탄으로 이루어진 진공증착 혼합층은 즉시 붉어지고, 테트라시아노퀴노디메탄 음이온의 존재가 UV/VIS 및 FTIR 분광법에 의해서 검출될 수 있다.

Claims (70)

  1. 하나 이상의 추가 화합물 파트너(B)를 갖는 하나 이상의 유기 분자군(A)을 포함하는 화학적 결합물을 유기반도체 재료에 도핑함으로써 획득된, 상승된 전하운반체 밀도 및 유효한 전하운반체 이동성을 갖는 도핑된 유기반도체 재료로서, 소정의 도핑작용이 화학적 결합물로부터 하나 이상의 유기 분자군(A)을 분리한 이후에 하나 이상의 유기 분자군(A)에 의해, 또는 하나 이상의 분자군(A)과 다른 원자나 분자와의 반응 생성물에 의해 달성되는, 도핑된 유기반도체 재료.
  2. 제 1항에 있어서, 하나 이상의 추가 화합물 파트너(B)가 A와 동일한 분자군인, 도핑된 유기반도체 재료.
  3. 제 1항 내지 제 2항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 추가 화합물 파트너(B)가 분자군, 원자 또는 이온인, 도핑된 유기반도체 재료.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적 결합물 내의 분자군(A)이 개별적으로 또는 다중결합하여 하전된 양이온 또는 음이온으로서 존재하는, 도핑된 유기반도체 재료.
  5. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 하나 이상의 피리듐 단위에 기초를 두고 있는, 도핑된 유기반도체 재료.
  6. 제 5항에 있어서, 하나 이상의 피리듐 단위가 하나 이상의 다중핵 헤테로 고리의 일부로서 생성되는, 도핑된 유기반도체 재료.
  7. 제 5항 및 제 6항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조, 즉
    에 기초하며, 이때 R1, R2, R3 및 R4는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  8. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 피롤륨-, 피릴륨-, 티아졸륨-, 디아지늄-, 티니늄-, 디아졸륨-, 티아디아졸륨-, 테트라졸륨- 또는 디티올륨 단위 중 하나 이상에 기초한, 도핑된 유기반도체 재료.
  9. 제 5항에 있어서, 하나 이상의 피롤륨-, 피릴륨-, 디아지늄-, 티아늄-, 디아졸륨-, 티아졸륨-, 티아디아졸륨-, 테트라졸륨- 또는 디티올륨 단위가 하나 이상의 다중핵 헤테로 고리의 일부로서 생성되는, 도핑된 유기반도체 재료.
  10. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 하나 이상의 보라타벤젠 단위에 기초한, 도핑된 유기반도체 재료.
  11. 제 10항에 있어서, 하나 이상의 보라타벤젠 단위가 하나 이상의 다중핵 헤테로 고리의 일부로서 생성되는, 도핑된 유기반도체 재료.
  12. 제 1항 내지 제 11항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 양이온성 염료, 음이온성 염료 또는 다른 유기 염인, 도핑된 유기반도체 재료.
  13. 제 1항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A1) 또는 이에 상응하는 루코염기(A2), 즉
    에 기초하며, 이때 X CR4, SiR4, GeR4, SnR4, PbR4, N, P 및 R1, R2, R3 및 R4는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  14. 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A3) 또는 이에 상응하는 루코염기(A4), 즉
    에 기초하며, 이때 X CR8, SiR8, GeR8, SnR8, PbR8, N, P 및 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8은 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  15. 제 1항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A5) 또는 이에 상응하는 루코염기(A6), 즉
    에 기초하며, 이때 X CR4, SiR4, GeR4, SnR4, PbR4, N, P, S 및 R1, R2, R3, R4는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  16. 제 1항 내지 제 15항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A7) 또는 이에 상응하는 루코염기(A8), 즉
    에 기초하며, 이때 X C, Si, Ge, Sn, Pb, S 및 R1, R2, R3 및 R4는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  17. 제 1항 내지 제 16항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A9) 또는 이에 상응하는 루코염기(A10), 즉
    에 기초하며, 이때 X C, Si, Ge, Sn, Pb 및 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7 및 R8은 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  18. 제 1항 내지 제 17항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A11) 또는 이에 상응하는 루코염기(A12), 즉
    에 기초하며, 이때 X C, Si, Ge, Sn, Pb 및 R1, R2, R3, R4는 예컨대 수소, 산소, 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  19. 제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 C.I. 베이직 옐로우 37(C.I.41001)이거나 또는 공지된 상대음이온(counter anion)을 갖는 다른 디페닐메탄 염료인, 도핑된 유기반도체 재료.
  20. 제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이C.I. 베이직 그린 4(C.I.42000)이거나 또는 공지된 상대음이온을 갖는 트리페닐메탄 염료의 다른 디아미노 유도체인, 도핑된 유기반도체 재료.
  21. 제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 C.I. 베이직 레드 9(C.I.42500)이거나 또는 공지된 상대음이온을 갖는 트리페닐메탄 염료의 다른 트리아미노 유도체인, 도핑된 유기반도체 재료.
  22. 제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 페닐렌 블루(C.I.49400)이거나 또는 공지된 상대음이온을 갖는 다른 인다민 염료인, 도핑된 유기반도체 재료.
  23. 제 11항 내지 제 18항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A13) 또는 이에 상응하는 루코염기(A14), 즉
    에 기초하며, 이때 X 및 Z는 각각 CR4, O, S, N, NR4이거나, 또는 추가 원자없이 화합물의 두 페닐 고리 간의 직접 결합을 의미하고, 및 R1, R2, R3, R4및 R5는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  24. 제 11항 내지 제 23항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A15) 또는 이에 상응하는 루코염기(A16), 즉
    에 기초하며, 이때 X 및 Z는 각각 CR8, O, S, N, NR9이거나, 또는 추가 원자없이 화합물의 두 페닐 고리 간의 직접 결합을 의미하고, 및 R1, R2, R3, R4, R5, R6, R7, R8및 R9는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  25. 제 11항 내지 제 24항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A17) 또는 이에 상응하는 루코염기(A18), 즉
    에 기초하며, 이때 X 및 Z는 각각 CR4, O, S, N, NR5이거나, 또는 추가 원자없이 화합물의 두 페닐 고리 간의 직접 결합을 의미하고, 및 R1, R2, R3, R4및 R5는 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  26. 제 11항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A19) 또는 이에 상응하는 루코염기(A20), 즉
    에 기초하며, 이때 X 및 Z는 각각 CR6, O, S, N, NR7이고, 및 R1, R2, R3, R4, R5, R6및 R7은 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  27. 제 23항 내지 제 26항 중 어느 한 항에 있어서,
    X는
    이고, 이때 R은 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  28. 제 11항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 피로닌 B(C.I.45010), C.I. 베이직 레드 11(C.I.45050), 사카린(C.I.45070), 로자민(C.I.45090), 로다민 B(C.I.45175)이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 키산텐 염료의 다른 디아미노 유도체인, 도핑된 유기반도체 재료.
  29. 제 11항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 세룰레인 B(C.I.45500)이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 키산텐 염료의 다른 디하이드록시 유도체인, 도핑된 유기반도체 재료.
  30. 제 11항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 아크릴플라빈(C.I.46000)이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 아크리딘의 다른 디아미노 유도체인, 도핑된 유기반도체 재료.
  31. 제 11항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 페노사프라닌(C.I.50200)이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 다른 아진 염료인, 도핑된 유기반도체 재료.
  32. 제 11항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 C.I.베이직 블루 3(C.I.51004)이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 다른 옥사진 염료인, 도핑된 유기반도체 재료.
  33. 제 11항 내지 제 27항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물이 라우트 바이올렛(C.I.52000)이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 다른 티아진 염료인, 도핑된 유기반도체 재료.
  34. 제 11항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조, 즉
    에 기초하며, 이때
    n은 자연수이고,
    X 및 Z는 각각 일핵 또는 다중핵 헤테로 고리의 헤테로 원자로서 NR1, S 또는 BR2이며,
    Xn은 각각 N 또는 CR3이고,
    R1, R2, R3, Rn은 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인,
    도핑된 유기반도체 재료.
  35. 제 34항에 있어서, X 및 Z는 다음과 같은 그룹, 즉
    의 한 원소에 각각 기초하며, 이때
    X1은 각각 CR4, R5, NR6, O 또는 S이고,
    R1, R2, R3, R4, R5, R6은 예컨대 수소; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인, 도핑된 유기반도체 재료.
  36. 제 11항 내지 제 35항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적으로 안정된 결합물은 N.N'-디알킬시아닌 또는 N.N'-디알킬 티아카르보시아닌이거나, 또는 공지된 상대음이온을 갖는 다른 메틴- 또는 폴리메틴 염료인, 도핑된 유기반도체 재료.
  37. 제 11항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조, 즉
    에 기초하며, 이때
    n은 자연수이고,
    X 및 Z는 각각 O, C(CN)2, N-CN이며,
    Rn은 예컨대 수소와 같은 공지된 전자 유인 그룹; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 링을 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인,
    도핑된 유기반도체 재료.
  38. 제 11항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 분자군(A)이 다음과 같은 구조, 즉
    에 기초하며, 이때
    X, X1, Z 및 Z1은 각각 S 또는 Se이며,
    R은 예컨대 수소와 같은 공지된 전자 유인 그룹; 산소; 예컨대 불소, 염소, 브롬 또는 요오드와 같은 할로겐; 하이드록실; 예컨대 디페닐아미닐, 디에틸아미닐과 같은 아미닐; 예컨대 메틸, 에틸, 카르복실과 같은 1 내지 20의 탄소 원자를 갖는 지방족; 예컨대 메톡시와 같은 알콕실; 시안; 니트로; 술폰산 및 그의 염; 농축된 고리를 형성하는, 예컨대 페닐, 피리딜 또는 나프틸 또는 그의 원자들과 같은 3 내지 25의 탄소 원자를 갖는 아릴 중에서 각각 하나 이상인,
    도핑된 유기반도체 재료.
  39. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 분자군(A)이 다음과 같은 구조, 즉
    에 기초하며, 이때 X는 C, N, Si 또는 P와 동일하고, n은 X가 C 또는 Si일 때는 3이거나, 또는 X가 N 또는 P일 때는 2인, 도핑된 유기반도체 재료.
  40. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 분자군(A)이 다음과 같은 구조(A21 또는 A22), 즉
    에 기초한, 도핑된 유기반도체 재료.
  41. 제 1항 내지 제 40항 중 어느 한 항에 있어서, 결합물이 형식적으로 양으로 하전된 질소(아조니아, 암모늄), 산소(옥소니아, 옥소늄), 인(포스포니아, 포스포늄), 유황(티오니아, 술포늄) 및/또는 형식적으로 음으로 하전된 붕소(보라누이다, 보래이트)를 함유하는, 도핑된 유기반도체 재료.
  42. 제 1항 내지 제 41항 중 어느 한 항에 있어서, 결합물이 금속착물인, 도핑된 유기반도체 재료.
  43. 제 1항 내지 제 42항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 분자군(A)이 하나 이상의 디아조기()와 결합되는, 도핑된 유기반도체 재료.
  44. 제 1항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 분자군(A)이 하나 이상의 -SO3 -그룹을 포함하는, 유기반도체 재료.
  45. 제 1항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서, 하나 이상의 분자군(A)이 암모늄기, 이모늄기, 술포늄기, 하이드라지늄기 또는 티오우로늄기 중 하나 이상을 포함하는, 유기반도체 재료.
  46. 제 1항 내지 제 42항 중 어느 한 항에 있어서, 유기 분자 A 및 B로 이루어진 착물은, B가 소정의 다수 전하운반체에 대하여 도핑될 기질(M) 내에 어떠한 트랩도 형성하지 않도록 형성된, 유기반도체 재료.
  47. 제 1항 내지 제 46항 중 어느 한 항에 있어서, 도핑될 반도체 재료 자체가 재료 혼합물인, 유기반도체 재료.
  48. 상승된 전하운반체 밀도 및 상승된 유효 전하운반체 이동성을 갖는 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법에 있어서, 진공 내 또는 불활성 분위기 내에서의 진공증착에 의한 하나 이상의 유기 분자군(A)과 하나 이상의 추가 화합물 파트너(B)와의 화학적 결합물이 유기반도체 재료에 의한 진공증착과 동시에 분리되든지, 아니면 진공증착 후의 도펀트 확산에 의해서 분리되며, 이때 소정의 도핑작용은 화학적 결합물로부터 하나 이상의 분자군(A)이 분리됨으로써, 하나 이상의 분자군(A)에 의해 또는 다른 원자나 분자과 화합물 파트너(A)의 반응 생성물에 의해 달성되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  49. 제 48항에 있어서, 화학적 결합물의 A 성분과 B 성분으로의 분할이 도핑될 반도체 재료 내에 삽입된 이후에 비로소 실행되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  50. 제 48항 및 제 49항에 있어서, 제조된 층의 화학적 결합물의 분할 및/또는 제조된 층으로부터 B 성분의 제거가 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  51. 제 48항 내지 제 50항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 열방출에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  52. 제 48항 내지 제 50항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 층의 흡수 영역 내에서의 광 자극에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  53. 제 48항 내지 제 50항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 분자수소 또는 원자수소, 또는 분자 수소이온 또는 원자 수소이온, 또는 분자산소 또는 원자산소, 또는 분자 산소이온 또는 원자 산소이온을 갖는 층의 노출에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  54. 제 48항 내지 제 50항 중 어느 한 항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 추가의 반응 파트너의 공급에 의해서 지원되며, 상기 반응 파트너는 반응 생성물의 휘발성이 약화되도록 B 성분과 반응하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  55. 제 48항 내지 제 50항 중 어느 한 항에 있어서, 층 내의 B 성분은, 반응 생성물이 소정의 다수 전하운반체를 위한 안티트랩을 형성하거나 또는 층으로부터 쉽게 제거될 수 있도록, 제 3의 소재 또는 기질 분자와 반응하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  56. 제 48항에 있어서, 화학적 결합물의 분할및/또는 B 성분의 제거가 진공증착시 기체상태의 화학적 결합물의 처리에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  57. 제 48항 및 제 56항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 광 자극에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  58. 제 48항 및 제 56항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 전계 또는 자계를 통한 하전된 A 성분 또는 하전된 B 성분의 편향에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  59. 제 48항 및 제 56항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 진공증착시의 강력한 전계를 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  60. 제 48항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 진공증착원의 고체 상태에서 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  61. 제 48항, 제 56항 및 제 60항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 진공증착시에 공급된 열에 의해 지원되며, 이러한 열 방출이 화학적 결합물의 고체상태 아니면 액체상태에서 및/또는 기체상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  62. 제 48항 및 제 60항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 광 자극에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  63. 제 48항, 제 56항 및 제 60항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 반응표면에서의 증기 흡수 및 그 뒤의 재방출에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  64. 제 48항, 제 56항 및 제 60항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 촉매 표면에서의 증기 흡수 및 그 뒤의 재방출에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  65. 제 48항 및 제 60항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 상기 결합물에 강력한 레이저광을 조명함으로써 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  66. 제 48항, 제 56항 및 제 60항에 있어서, 화학적 결합물의 분할 및/또는 B 성분의 제거가 진공증착시의 플라스마 작용에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  67. 제 48항 및 제 60항에 있어서, 진공증착원의 화학적 결합물이 제 3의 소재와 반응하고, 하나 이상의 반응 생성물이 도핑을 위해 사용되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  68. 제 48항 및 제 60항에 있어서, 진공증착원의 화학적 결합물이 촉매컨버터와 상호작용하는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  69. 제 48항 및 제 60항에 있어서, 진공증착원의 화학적 결합물의 분할이 적합한 전극에서의 전기화학적 공정에 의해 지원되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 제조 방법.
  70. 도핑된 유기반도체 재료의 용도로서, 상기 도핑된 유기반도체 재료가 하나 이상의 추가 화합물 파트너(B)와 하나 이상의 분자군(A)의 화학적 결합물을 유기반도체 재료에 도핑함으로써 상승된 전하운반체 밀도 및 유효한 전하운반체 이동성을 가지며, 소정의 도핑작용은 화학적 결합물로부터 하나 이상의 분자군(A)이 분리됨으로써, 하나 이상의 분자군(A)에 의해 또는 다른 원자나 분자과 화합물 파트너(A)의 반응 생성물에 의해 달성되는, 도핑된 유기반도체 재료의 용도에 있어서, 유기반도체 재료가 유기 태양전지, 유기 발광다이오드, 유기 전계 트랜지스터, 유기 집적회로 및 유기 레이저의 작용층으로서 사용되는 것을 특징으로 하는, 도핑된 유기반도체 재료의 용도.
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