JP2005203468A - 電子装置及びその製造方法 - Google Patents

電子装置及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005203468A
JP2005203468A JP2004006426A JP2004006426A JP2005203468A JP 2005203468 A JP2005203468 A JP 2005203468A JP 2004006426 A JP2004006426 A JP 2004006426A JP 2004006426 A JP2004006426 A JP 2004006426A JP 2005203468 A JP2005203468 A JP 2005203468A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic device
nanoparticles
members
receiving layer
manufacturing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004006426A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3997991B2 (ja
Inventor
Nobuaki Hashimoto
伸晃 橋元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2004006426A priority Critical patent/JP3997991B2/ja
Priority to TW93137972A priority patent/TWI266576B/zh
Priority to US11/024,992 priority patent/US7342179B2/en
Priority to KR20050003335A priority patent/KR100702743B1/ko
Priority to CNB2005100039820A priority patent/CN100459829C/zh
Publication of JP2005203468A publication Critical patent/JP2005203468A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3997991B2 publication Critical patent/JP3997991B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11—Manufacturing methods
    • H01L2224/113—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/11332—Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form using a powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01009—Fluorine [F]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01056—Barium [Ba]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02—Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203—Fillers and particles
    • H05K2201/0242—Shape of an individual particle
    • H05K2201/0257—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613—Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621—Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674—Flip chip
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/102—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern by bonding of conductive powder, i.e. metallic powder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

【課題】 信頼性の高い電子装置及び製造コストが低く、接合信頼性の高い電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 複数の部材１がナノ粒子４によって接合された電子装置であって、接合された部材１のうち少なくとも１以上の部材１にナノ粒子４が保持される受理層３が設けられているものである。また、複数の部材１のうち少なくとも１以上の部材１に電極２が設けられ、該電極２の表面に受理層３が設けられているものである。さらに、受理層３に、導電性粒子等が混練されているものである。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電子装置及びその製造方法に関し、特に複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置及びその製造方法に関する。
従来の超小型電気機械システム用電気的相互接続部の結晶粒成長では、ＭＥＭＳデバイスの第１層と第２層の間に導電性結晶粒を成長させて、第１層と第２層を電気的に接続していた（例えば、特許文献１参照）。
また従来のプリント基板およびその製造方法では、樹脂フィルムに設けられたビアホール内に錫粒子及び銀粒子を充填して加熱焼結させることにより、導体パターン間を導通するようにしていた（例えば、特許文献２参照）。
特表２００３−５１９３７８号公報（図１） 特開２００２−３５９４７０号公報（図３）
従来の超小型電気機械システム用電気的相互接続部の結晶成長では（例えば、特許文献１参照）、真空装置等の製造装置が必要となり、製造コストが高くなってしまうという問題点があった。またこの結晶成長では、第１層と第２層の電気的接続をすることはできるが、例えば、半導体素子と基板との接合には適用することができないという問題点があった。
また従来のプリント基板およびその製造方法では（例えば、特許文献２参照）、錫粒子及び銀粒子を加熱焼結する際に高温に加熱する必要があり、製品の信頼性が低下してしまうという問題点があった。
本発明は、信頼性の高い電子装置及び製造コストが低く、接合信頼性の高い電子装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る電子装置は、複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置であって、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材にナノ粒子が保持される受理層が設けられているものである。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材にナノ粒子が保持される受理層が設けられているため、接合強度が高くなる。
また本発明に係る電子装置は、上記の部材が２個であって、該２個の部材の両方に受理層が設けられているものである。
２個の部材の両方に受理層が設けられているため、例えば両方の受理層にナノ粒子を塗布して接合するようにすれば、更に部材同士の接合信頼性が向上する。
また本発明に係る電子装置は、上記の受理層が、導電性を有するものである。
上記の受理層が導電性を有するため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置は、上記の複数の部材のうち少なくとも１以上の部材に電極が設けられ、該電極の表面に受理層が設けられているものである。
電極の表面に受理層が設けられているため、この受理層にナノ粒子を塗布して部材同士を接合するようにすれば、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また受理層が設けられているため、接合信頼性も向上する。
また本発明に係る電子装置は、上記の受理層に、導電性粒子が混練されているものである。
受理層に導電性粒子が混練されているため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。なおこの導電性粒子として、ナノ粒子を用いることができる。
また本発明に係る電子装置は、上記の受理層に、導電性繊維が混練されているものである。
受理層に導電性繊維が混練されているため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置は、上記の受理層が、金属メッキによって形成されているものである。
受理層が金属メッキによって形成されているため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置は、上記の受理層が、導電性を有するカーボンナノチューブで形成されているものである。
受理層が導電性を有するカーボンナノチューブで形成されているため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置は、複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置であって、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材に電極が設けられており、少なくとも１つの電極の表面にナノ粒子が保持される受理構造が形成されているものである。
接合された部材のうち少なくとも１以上の部材に電極が設けられており、少なくとも１つの電極の表面にナノ粒子が保持される受理構造が形成されているため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、受理構造が設けられているため、接合強度が高くなる。
また本発明に係る電子装置は、上記の受理構造が、電極の表面を化学的又は物理的に改質して形成されているものである。
例えば、部材の表面を化学的に改質して親水基を導入するようにすれば、ナノ粒子の保持力が向上し、部材の接合強度も向上する。
また本発明に係る電子装置は、複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置であって、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材にナノ粒子が混練されている受理層が設けられているものである。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材にナノ粒子が混練されている受理層が設けられているため、接合強度が高くなる。
また本発明に係る電子装置は、上記のナノ粒子の一部又は全部が、互いに融着しているものである。
例えば、ナノ粒子の一部又は全部を加熱によって互いに融着するようにすれば、接合強度の高い電子装置を実現することができる。
また本発明に係る電子装置は、上記のナノ粒子が、金属物質を含むものである。
金属物質を含むナノ粒子を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなり、また低コストで部材の接合を行うことができる。
また本発明に係る電子装置は、上記のナノ粒子が、金、銀又は銅であるものである。
ナノ粒子として、金、銀又は銅を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなる。また、金、銀又は銅からなるナノ粒子は入手が容易であり、低コスト化を実現することができる。
本発明に係る電子装置の製造方法は、複数の部材をナノ粒子によって接合する電子装置の製造方法であって、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に受理層を設け、少なくとも１つの受理層の表面にナノ粒子を塗布した後に、複数の部材同士を対向させて加熱するものである。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に受理層を設け、少なくとも１つの受理層の表面にナノ粒子を塗布するため、接合強度が高くなる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の部材が２個であって、該２個の部材の両方に前記受理層を設けるものである。
２個の部材の両方に受理層を設けるため、例えば両方の受理層にナノ粒子を塗布して接合するようにすれば、更に部材同士の接合信頼性が向上する。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層を、導電性を有するように設けるものである。
上記の受理層を導電性を有するように設けるため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の複数の部材のうち少なくとも１以上の部材に電極を設け、該電極の表面に受理層を設けるものである。
電極の表面に受理層を設けるため、この受理層にナノ粒子を塗布して部材同士を接合するようにすれば、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また受理層を設けるため、接合信頼性も向上する。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層に、導電性粒子を混練するものである。
受理層に導電性粒子を混練するため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。なおこの導電性粒子として、ナノ粒子を用いることができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層に、導電性繊維を混練するものである。
受理層に導電性繊維を混練するため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層を、金属メッキによって形成するものである。
受理層を金属メッキによって形成するため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層を、導電性を有するカーボンナノチューブによって形成するものである。
受理層を導電性を有するカーボンナノチューブで形成するため、電子装置を構成する部材同士を導通させることができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、複数の部材をナノ粒子によって接合する電子装置の製造方法であって、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に電極を設け、少なくとも１つの電極の表面に受理構造を形成し、該受理構造に前記ナノ粒子を塗布した後に、前記複数の部材同士を対向させて加熱するものである。
接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に電極を設け、少なくとも１つの電極の表面にナノ粒子を保持する受理構造を形成するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、受理構造が設けられているため、接合強度が高くなる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理構造を、電極の表面を化学的又は物理的に改質して形成するものである。
例えば、部材の表面を化学的に改質して親水基を導入するようにすれば、ナノ粒子の保持力が向上し、部材の接合強度も向上する。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、複数の部材をナノ粒子によって接合する電子装置の製造方法であって、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に受理層を設け、少なくとも１つの受理層にナノ粒子を混練し、複数の部材を対向させて加熱するものである。
複数の部材を溶融温度の低いナノ粒子で接合するため、比較的低温で部材の接合が可能となり、接合する部材へのダメージが少なくなる。また、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に受理層を設け、少なくとも１つの受理層にナノ粒子を混練するため、接合強度が高くなる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記のナノ粒子の一部又は全部を、互いに融着させるものである。
例えば、ナノ粒子の一部又は全部を加熱によって互いに融着するようにすれば、接合強度の高い電子装置を製造することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記のナノ粒子が、金属物質を含むものである。
金属物質を含むナノ粒子を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなり、また低コストで部材の接合を行うことができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記のナノ粒子が、金、銀又は銅であるものである。
ナノ粒子として、金、銀又は銅を使用して部材の接合を行うようにすれば、接合強度が高くなる。また、金、銀又は銅からなるナノ粒子は入手が容易であり、低コスト化を実現することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記のナノ粒子が、加熱する前において分散材でコーティングされているものである。
上記のナノ粒子が、加熱する前において分散材でコーティングされているため、安定した状態でナノ粒子を受理層等に塗布することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層の表面に、ナノ粒子をインクジェット方式で塗布するものである。
受理層の表面に、ナノ粒子をインクジェット方式で塗布するため、ナノ粒子を均一にかつ正確に塗布することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層の表面に、ナノ粒子を印刷方式で塗布するものである。
例えば、受理層の表面に、ナノ粒子をスクリーン印刷で塗布すれば、ナノ粒子を均一かつ正確に塗布することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層の表面に、ナノ粒子を転写方式で塗布するものである。
例えば、平板状のものにナノ粒子を載置して転写するようにすれば、インクジェット方式等と同様に、ナノ粒子を均一かつ正確に塗布することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の受理層の表面に、ナノ粒子を滴下方式で塗布するものである。
受理層の表面に、ナノ粒子を滴下方式で塗布するようにすれば、インクジェット方式等に比べて短時間で広い範囲にナノ粒子を塗布することができる。
また本発明に係る電子装置の製造方法は、上記の加熱の際に、加圧を行うものである。
加熱と同時に加圧を行うようにすれば、更に部材の接合信頼性を向上させることができる。
実施形態１．
図１及び図２は、本発明の実施形態１に係る電子装置の製造方法により、電子装置を製造するときの製造工程を示す縦断面模式図である。なお図１及び図２では、２個の部材を接合する場合を示しているが、例えば、１つの基板に複数の半導体素子を接合する場合など、３個以上の部材を接合する場合にも適応できる。また図１では、接合部分が２つある場合を示しているが、接合部分が１つであったり、３つ以上であってもよい。なお本発明で電子装置とは、回路基板に半導体素子（いわゆるＩＣ、Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｄ、集積回路）を接合したもの、半導体素子同士を接合したもの、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ、微小電子機械システム）等が含まれるものとする。
まず、２個の部材１の両方に電極２を形成し、その表面に受理層３を形成する（図１（ａ））。この部材１は、例えば、回路基板、半導体素子、半導体素子を搭載した回路基板等が考えられる。なお図１では、部材１が平板状のものとなっているが、異なる形状のものであってもよい。また２個の部材１はそれぞれ異種のものでもよく、例えば、回路基板と半導体素子であってもよい。なお、電極２は一般的なスパッタ等により形成することができ、部材１の製造の際にあらかじめ形成しておいてもよい。
受理層２としては、主に、ポリアミク酸、アクリル樹脂、アルミナ水和物、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、合成微粒子シリカ、タルク、カオリン、硫酸カルシウム、硫酸バリウム等が使用され、機械による塗布や噴霧等により形成される。なお電極２に受理層３を形成する前に、電極２と受理層３の密着力が高まるように、電極２の表面を粗くしておいてもよい。
本実施形態１では、受理層３に導電性を持たせるために受理層３に導電性粒子が混練されている。この導電性粒子としては、後に示すような金属物質からなるナノ粒子を用いることもできるが、ナノ粒子よりも粒径の大きい導電性粒子を用いても良い。また、導電性粒子の代わりに、導電性繊維を用いてもよい。さらにまた、受理層の導電性をさらに上げるために、受理層自身を金属粉、導電性セラミクス粉等の導電性の粒子で形成しても良い。
また、受理層３を金属メッキによって形成するようにしてもよい。この際、金属メッキからなる受理層３の表面を適当に荒らしたり、ポーラスにしたり、親水性を持たせるようにしてナノ粒子（後に詳述）の保持力を向上させるようにしてもよい。
さらに、受理層３を導電性を有するカーボンナノチューブやカーボンナノホーンによって形成するようにして受理層３に導電性を持たせるようにしてもよい。また、上述した受理層は一層でなくてもよく、多層としてもよい。
このように受理層３に導電性を持たせることによって、部材１同士を導通させて電子装置として機能させることができる。
次に、電極２の表面に形成された受理層３の両方に、分散材５でコーティングされたナノ粒子４を塗布する（図１（ｂ））。このナノ粒子４としては、例えば、直径１０ｎｍ程度の金属物質が使用され、特に、金、銀又は銅が使用される場合が多い。このような金属物質からなるナノ粒子４を使用して電子装置を構成する複数の部材１を接合すれば、接合強度が高くなる。また、分散材５はナノ粒子４を保護するためのものであり、ナノ粒子４の加熱前においてナノ粒子４を安定した状態に維持する。分散材５としては、様々な種類の炭化水素等を用いることができる。
分散材５でコーティングされたナノ粒子４は、例えば、溶剤に混ぜられてペースト状又はインク状にされて受理層３に塗布される。このようにペースト状又はインク状になっているナノ粒子４は、例えば、インクジェット方式、印刷方式、転写方式、滴下方式等によって塗布することができる。ここでインクジェット方式とは、インクジェットヘッドを用いて溶剤に混ぜられたナノ粒子４を飛ばして塗布するものであり、印刷方式とは、スクリーン印刷等で溶剤に混ぜられたナノ粒子４を印刷して塗布するものである。また転写方式とは、平板状のものにナノ粒子４を載置して転写することにより塗布するものである。なお転写方式では、必ずしもナノ粒子４を溶剤等に混ぜてペースト状又はインク状にする必要はない。さらに滴下方式とは、ディスペンサ等によって溶剤に混ぜられたナノ粒子４を飛ばして塗布するものである。なおナノ粒子４は、受理層３の表面だけに選択的に塗布してもよいが、電極２のショート等の問題がなければ、部材１の表面全体に塗布するようにしてもよい。
そして、図１（ｂ）で受理層３にナノ粒子４の塗布された部材１を、互いに接触する形で対向させる（図１（ｃ））。なおこの状態では、ナノ粒子４は分散材５で保護されているため、安定した状態で受理層３に保持されている。
その後、図１（ｃ）で互いに接触させる形で対向させた２個の部材１を加熱する（図２（ｄ））。２個の部材１を加熱することにより、受理層３に塗布されているナノ粒子４の一部又は全部が互いに融着する。またナノ粒子４と受理層３も、ナノ粒子４が一部融解して密着することにより、２個の部材１が接合されることとなる。このときの加熱温度は、ナノ粒子４が体積に対して表面積が大きく、反応性が高いため、例えば、１５０〜２００℃程度の低温でよい。なお図２（ｄ）では、ナノ粒子４がそのままの形で残った状態を示しているが、実際にはナノ粒子４の一部又は全部が互いに融着して繋がった状態となる。
この図２（ｄ）の工程で部材１が加熱されると、一般的に、ナノ粒子４をコーティングしている分散材５の大半が蒸発して無くなる場合が多い。
なお部材１の接合強度を高めるために、図２（ｄ）の加熱と同時に加圧をするようにしてもよい。また図１では、２個の部材１の両方に設けられた受理層３の両方にナノ粒子４を塗布するようにしているが、片側の受理層３のみにナノ粒子４を塗布するようにしてもよい。ナノ粒子が融解する前（溶媒に混合され、液状でナノ粒子としての機能を有する間）に、もう一方の受理層に吸収されれば、両側の受理層に塗布したのと同様の効果が得られる。
最後に、図２（ｄ）の工程で接合された２つの部材１の間の空間を樹脂封止することにより電子装置７が完成する（図２（ｅ））。この樹脂封止をすることにより、図２（ｅ）に示すように樹脂６で電子装置７が保護され、電子装置の信頼性が向上する。なお、この図２（ｅ）の樹脂封止の工程は、必ずしも行う必要はない。
本実施形態１では、受理層３に導電性粒子を混練し、受理層３に導電性を持たせるようにしているが、受理層３を一般的な電子装置の接合に使用するようにし、受理層３が導電性を持たないようにしてもよい。これは例えば、ＭＥＭＳ等のガラス基板とシリコン基板を接合するような場合であり、この場合は図１の電極２は設ける必要がない。
また図１では、部材１が２個であって２個の部材１の両方に受理層３を設けた場合を示したが、複数の部材（例えば、３個以上）を接合する際に、少なくとも１以上の部材に受理層を設けるようにしてもよい。
さらに、接合される部材１のうち少なくとも１以上の部材に、ナノ粒子４が混練されている受理層３が設けられるようにしてもよい。このナノ粒子４が混練された受理層３は、例えば、粉末のポリアミク酸とナノ粒子を混練し、塗布や噴霧により形成すればよい。この場合は、例えば受理層３同士を接触させて加熱することにより部材１を接合すればよく、受理層３の表面に改めてナノ粒子４を塗布する必要はない。またこの場合、ナノ粒子４として金属物質等の導電性のものを使用すれば、複数の部材同士を導通させることができ、電極２は必ずしも設ける必要がない。
本実施形態１では、複数の部材１を溶融温度の低いナノ粒子４で接合するため、比較的低温で部材１の接合が可能となり、接合する部材１へのダメージが少なくなる。また、接合された部材１のうち少なくとも１以上の部材１にナノ粒子４が保持される受理層３が設けられているため、接合強度が高くなる。
また、２個の部材１の両方に受理層３を設けるようにして、両方の受理層３にナノ粒子４を塗布して接合するようにすれば、更に部材１同士の接合信頼性が向上する。
さらに、受理層３に導電性粒子や導電性繊維を混練したり、受理層３を金属メッキや導電性を有するカーボンナノチューブで形成するようにすれば、電子装置を構成する部材１同士を導通させることができる。
実施形態２．
図３は、本発明の実施形態２に電子装置の製造方法により、電子装置を製造するときの製造工程を示す縦断面模式図である。なお本実施形態２では、実施形態１の受理層３の代わりに、電極２の表面にナノ粒子４が保持される受理構造８が形成される。本実施形態２では、実施形態１の図１（ａ）及び図１（ｂ）の製造工程が、図３（ａ）及び図３（ｂ）に置き換わり、その後の製造工程は図１（ｃ）、図２（ｄ）及び図２（ｅ）と同様である。またその他の点は、実施形態１と同様であり、同一の部分は実施形態１と同一の符号を付して説明する。
まず、２個の部材１の両方に電極２を形成し、その表面に受理構造８を形成する（図３（ａ））。なお電極２は、実施形態１と同様に形成することができる。また実施形態１と同様に、接合される複数の部材１のうち、少なくとも１以上の部材１に電極２及び受理構造８を形成するようにしてもよい。
この受理構造８は、ペースト状又はインク状のナノ粒子３が混練されている溶剤等の濡れ性が向上するものであれば何でもよく、例えば、電極２の表面を化学的又は物理的に改質して形成することができる。電極２の表面を化学的に改質する方法としては、例えば、酸化プロセスや水酸化プロセスにより、電極２の表面に親水基を導入する方法が考えられる。また、カップリング剤等を塗布するようにしてもよい。また、電極２の表面を物理的に改質する方法としては、機械的研磨、化学的研磨等により電極２の表面荒れを増したり、電子ビームや光を照射することにより電極２の表面エネルギーを増加させる方法が考えられる。
また、部材１の表面に有機物や、無機物を蒸着、スパッタなどの方法で付着させることで受理構造５としてもよく、無電解法や電解法によるメッキによって受理構造５を形成しても良い。これらの、受理構造５に用いる物質は、前述した溶剤等の濡れ性が向上するものであれば何でもよい。
そして、実施形態１と同様に電極２に形成された受理構造８の両方に、分散材５でコーティングされたナノ粒子４を塗布する（図２（ｂ））。その後の接合工程は、実施形態１の図１（ｃ）、図２（ｄ）及び図２（ｅ）と同様である。
本実施形態２では、接合された部材１のうち少なくとも１以上の部材に電極２を設け、少なくとも１つの電極２の表面にナノ粒子４が保持される受理構造８が形成されているため、実施形態１の受理層３が設けられた電子装置と同様に、接合強度が高くなる。
実施形態３．
図４は、本発明の実施形態３に係る電子機器の例を示した図である。なお本実施形態３に示す電子機器は、実施形態１及び実施形態２の電子装置の製造方法で製造された電子装置を搭載したものである。図４（ａ）は、電子機器の例として、ノート型パーソナルコンピュータ１００が示されており、図４（ｂ）では、その他の電子機器の例として、携帯電話２００が示されている。なお、実施形態１及び実施形態２で示した電子装置は、その他の家電製品等にも使用することができる。
実施形態１に係る電子装置の製造工程を示す縦断面模式図。 図１の電子装置の製造工程の続きの工程を示す縦断面模式図。 実施形態２に係る電子装置の製造工程を示す縦断面模式図。 実施形態３に係る電子機器の例を示した図。
符号の説明
１ 部材、２ 電極、３ 受理層、４ ナノ粒子、５ 分散材、６ 樹脂、７ 電子装置、８ 受理構造、１００ ノート型パーソナルコンピュータ、２００ 携帯電話。

Claims (34)

  1. 複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置であって、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材にナノ粒子が保持される受理層が設けられていることを特徴とする電子装置。
  2. 前記部材が２個であって、該２個の部材の両方に前記受理層が設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
  3. 前記受理層が、導電性を有することを特徴とする請求項１又は２記載の電子装置。
  4. 前記複数の部材のうち少なくとも１以上の部材に電極が設けられ、該電極の表面に前記受理層が設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の電子装置。
  5. 前記受理層に、導電性粒子が混練されていることを特徴とする請求項３又は４記載の電子装置。
  6. 前記受理層に、導電性繊維が混練されていることを特徴とする請求項３又は４記載の電子装置。
  7. 前記受理層が、金属メッキによって形成されていることを特徴とする請求項３又は４記載の電子装置。
  8. 前記受理層が、導電性を有するカーボンナノチューブで形成されていることを特徴とする請求項３又は４記載の電子装置。
  9. 複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置であって、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材に電極が設けられており、少なくとも１つの前記電極の表面にナノ粒子が保持される受理構造が形成されていることを特徴とする電子装置。
  10. 前記受理構造が、前記電極の表面を化学的又は物理的に改質して形成されていることを特徴とする請求項９記載の電子装置。
  11. 複数の部材がナノ粒子によって接合された電子装置であって、接合された部材のうち少なくとも１以上の部材にナノ粒子が混練されている受理層が設けられていることを特徴とする電子装置。
  12. 前記ナノ粒子の一部又は全部が、互いに融着していることを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の電子装置。
  13. 前記ナノ粒子が、金属物質を含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の電子装置。
  14. 前記ナノ粒子が、金、銀又は銅であることを特徴とする請求項１３記載の電子装置。
  15. 複数の部材をナノ粒子によって接合する電子装置の製造方法であって、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に受理層を設け、少なくとも１つの前記受理層の表面に前記ナノ粒子を塗布した後に、前記複数の部材同士を対向させて加熱することを特徴とする電子装置の製造方法。
  16. 前記部材が２個であって、該２個の部材の両方に前記受理層を設けることを特徴とする請求項１５記載の電子装置の製造方法。
  17. 前記受理層を、導電性を有するように設けることを特徴とする請求項１５又は１６記載の電子装置の製造方法。
  18. 前記複数の部材のうち少なくとも１以上の部材に電極を設け、該電極の表面に前記受理層を設けることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  19. 前記受理層に、導電性粒子を混練することを特徴とする請求項１７又は１８記載の電子装置の製造方法。
  20. 前記受理層に、導電性繊維を混練することを特徴とする請求項１７又は１８記載の電子装置の製造方法。
  21. 前記受理層を、金属メッキによって形成することを特徴とする請求項１７又は１８記載の電子装置の製造方法。
  22. 前記受理層を、導電性を有するカーボンナノチューブによって形成することを特徴とする請求項１７又は１８記載の電子装置の製造方法。
  23. 複数の部材をナノ粒子によって接合する電子装置の製造方法であって、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に電極を設け、少なくとも１つの前記電極の表面に受理構造を形成し、該受理構造に前記ナノ粒子を塗布した後に、前記複数の部材同士を対向させて加熱することを特徴とする電子装置の製造方法。
  24. 前記受理構造を、前記電極の表面を化学的又は物理的に改質して形成することを特徴とする請求項２３記載の電子装置の製造方法。
  25. 複数の部材をナノ粒子によって接合する電子装置の製造方法であって、接合する部材のうち少なくとも１以上の部材に受理層を設け、少なくとも１つの前記受理層に前記ナノ粒子を混練し、前記複数の部材を対向させて加熱することを特徴とする電子装置の製造方法。
  26. 前記ナノ粒子の一部又は全部を、互いに融着させることを特徴とする請求項１５〜２５記載の電子装置の製造方法。
  27. 前記ナノ粒子が、金属物質を含むことを特徴とする請求項１５〜２６のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  28. 前記ナノ粒子が、金、銀又は銅であることを特徴とする請求項２７記載の電子装置の製造方法。
  29. 前記ナノ粒子は、加熱する前において分散材でコーティングされていることを特徴とする請求項１５〜２８のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  30. 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子をインクジェット方式で塗布することを特徴とする請求項１５〜２２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  31. 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子を印刷方式で塗布することを特徴とする請求項１５〜２２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  32. 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子を転写方式で塗布することを特徴とする請求項１５〜２２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  33. 前記受理層の表面に、前記ナノ粒子を滴下方式で塗布することを特徴とする請求項１５〜２２のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
  34. 前記加熱の際に、加圧を行うことを特徴とする請求項１５〜３３のいずれかに記載の電子装置の製造方法。
JP2004006426A 2004-01-14 2004-01-14 電子装置 Expired - Fee Related JP3997991B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004006426A JP3997991B2 (ja) 2004-01-14 2004-01-14 電子装置
TW93137972A TWI266576B (en) 2004-01-14 2004-12-08 Electronic device and method for producing the same
US11/024,992 US7342179B2 (en) 2004-01-14 2004-12-29 Electronic device and method for producing the same
KR20050003335A KR100702743B1 (ko) 2004-01-14 2005-01-13 전자 장치 및 그 제조 방법
CNB2005100039820A CN100459829C (zh) 2004-01-14 2005-01-14 电子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004006426A JP3997991B2 (ja) 2004-01-14 2004-01-14 電子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2005203468A true JP2005203468A (ja) 2005-07-28
JP3997991B2 JP3997991B2 (ja) 2007-10-24

Family

ID=34737263

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004006426A Expired - Fee Related JP3997991B2 (ja) 2004-01-14 2004-01-14 電子装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7342179B2 (ja)
JP (1) JP3997991B2 (ja)
KR (1) KR100702743B1 (ja)
CN (1) CN100459829C (ja)
TW (1) TWI266576B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036236A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Palo Alto Research Center Inc 自己集合化電気的接点構造体の形成方法、自己集合化電気的接点構造体および電気的接点構造体
JP2007208082A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
WO2008105426A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
JP2009224615A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010098156A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子機器
WO2011030753A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2012069545A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子の搭載方法
WO2012081144A1 (ja) * 2010-12-15 2012-06-21 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2020107711A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 日東電工株式会社 半導体装置製造方法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4069867B2 (ja) * 2004-01-05 2008-04-02 セイコーエプソン株式会社 部材の接合方法
US7525194B2 (en) * 2005-07-27 2009-04-28 Palo Alto Research Center Incorporated System including self-assembled interconnections
US7504331B2 (en) * 2005-07-27 2009-03-17 Palo Alto Research Center Incorporated Method of fabricating self-assembled electrical interconnections
JP2007059652A (ja) * 2005-08-25 2007-03-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子部品実装方法
US7768366B1 (en) * 2007-10-29 2010-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Nanoparticles and corona enhanced MEMS switch apparatus
US8028621B2 (en) * 2008-05-02 2011-10-04 International Business Machines Corporation Three-dimensional structures and methods of fabricating the same using a printing plate
US20090278213A1 (en) 2008-05-08 2009-11-12 International Business Machines Corporation Electrode arrays and methods of fabricating the same using printing plates to arrange particles in an array
DE102009050199A1 (de) * 2009-10-21 2011-04-28 Giesecke & Devrient Gmbh Herstellung von Leiterstrukturen auf Kunststoff-Folien mittels Nanotinten
FI124372B (fi) * 2009-11-13 2014-07-31 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Kerrostettuihin partikkeleihin liittyvä menetelmä ja tuotteet
US8580607B2 (en) 2010-07-27 2013-11-12 Tessera, Inc. Microelectronic packages with nanoparticle joining
US8853558B2 (en) 2010-12-10 2014-10-07 Tessera, Inc. Interconnect structure
US8426964B2 (en) * 2011-04-29 2013-04-23 Industrial Technology Research Institute Micro bump and method for forming the same
US8618647B2 (en) * 2011-08-01 2013-12-31 Tessera, Inc. Packaged microelectronic elements having blind vias for heat dissipation
CN103170617B (zh) * 2011-12-23 2016-04-27 比亚迪股份有限公司 一种改性Ag膏及其应用以及功率模块中芯片和基体连接的烧结方法
US9633971B2 (en) * 2015-07-10 2017-04-25 Invensas Corporation Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles
US10886250B2 (en) 2015-07-10 2021-01-05 Invensas Corporation Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles
TWI822659B (zh) * 2016-10-27 2023-11-21 美商艾德亞半導體科技有限責任公司 用於低溫接合的結構和方法
CN106449451B (zh) * 2016-11-29 2019-05-07 河南省科学院应用物理研究所有限公司 一种利用纳米结构的金属界面的键合方法
CN109943068B (zh) * 2019-03-28 2022-01-25 金旸（厦门）新材料科技有限公司 一种耐高温尼龙材料和电镀尼龙材料及其准备方法和应用
KR102521946B1 (ko) * 2022-02-24 2023-04-17 한국항공우주산업 주식회사 전자파흡수필름 제조방법 및 전자파흡수필름을 포함하는 항공기용 전자파흡수패널

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224855A (ja) * 1985-07-25 1987-02-02 Hitachi Ltd 接合方法
JPS6312142A (ja) * 1986-05-30 1988-01-19 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション はんだ継手の形状の制御方法
JPH04213884A (ja) * 1990-02-01 1992-08-04 Corning Inc 誘導放出型光信号増幅器
JPH04323884A (ja) * 1991-04-24 1992-11-13 Fujitsu Ltd 圧電トランス
JPH05327202A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Taiyo Yuden Co Ltd はんだバンプの形成方法
JPH06342795A (ja) * 1993-06-01 1994-12-13 Oki Electric Ind Co Ltd Ｉｃのフリップチップ実装の接続構造
JPH11233568A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Nec Corp ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法
JPH11245081A (ja) * 1998-02-27 1999-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 熱溶融性接合部材およびこれを用いた半導体実装装置
JP2000031387A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Fuji Electric Co Ltd 誘電体薄膜コンデンサの製造方法
JP2002126869A (ja) * 2000-10-25 2002-05-08 Harima Chem Inc 金属間のロウ付け接合方法
JP2004327908A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Ricoh Co Ltd 光学電子デバイスの接合方法及び接合構造

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4878611A (en) 1986-05-30 1989-11-07 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Process for controlling solder joint geometry when surface mounting a leadless integrated circuit package on a substrate
US6516671B2 (en) 2000-01-06 2003-02-11 Rosemount Inc. Grain growth of electrical interconnection for microelectromechanical systems (MEMS)
WO2001052316A1 (fr) * 2000-01-14 2001-07-19 Toray Engineering Co., Ltd. Procede de montage de puce
KR100398716B1 (ko) * 2000-06-12 2003-09-19 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 모듈 및 반도체 장치를 접속한 회로 기판
KR100360476B1 (ko) * 2000-06-27 2002-11-08 삼성전자 주식회사 탄소나노튜브를 이용한 나노 크기 수직 트랜지스터 및 그제조방법
JP3867523B2 (ja) 2000-12-26 2007-01-10 株式会社デンソー プリント基板およびその製造方法
JP3711873B2 (ja) * 2001-02-19 2005-11-02 ソニーケミカル株式会社 バンプレスｉｃチップの製造方法
JP4627376B2 (ja) * 2001-02-20 2011-02-09 バンドー化学株式会社 金属コロイド液及びその製造方法
CN1412782A (zh) * 2001-10-19 2003-04-23 聚鼎科技股份有限公司 具有正温度系数的导电复合材料
JP2003203450A (ja) * 2001-12-28 2003-07-18 Alps Electric Co Ltd 磁気ヘッド
JP3886401B2 (ja) * 2002-03-25 2007-02-28 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続構造体の製造方法
TWI220163B (en) * 2003-04-24 2004-08-11 Ind Tech Res Inst Manufacturing method of high-conductivity nanometer thin-film probe card
US6989325B2 (en) * 2003-09-03 2006-01-24 Industrial Technology Research Institute Self-assembled nanometer conductive bumps and method for fabricating
US6982492B2 (en) * 2003-10-23 2006-01-03 Intel Corporation No-flow underfill composition and method
DE10359424B4 (de) * 2003-12-17 2007-08-02 Infineon Technologies Ag Umverdrahtungsplatte für Halbleiterbauteile mit engem Anschlussraster und Verfahren zur Herstellung derselben
US20050285116A1 (en) * 2004-06-29 2005-12-29 Yongqian Wang Electronic assembly with carbon nanotube contact formations or interconnections
KR100753468B1 (ko) * 2005-03-11 2007-08-31 삼성전기주식회사 배선 재료, 배선 기판 및 배선 기판의 형성방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6224855A (ja) * 1985-07-25 1987-02-02 Hitachi Ltd 接合方法
JPS6312142A (ja) * 1986-05-30 1988-01-19 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション はんだ継手の形状の制御方法
JPH04213884A (ja) * 1990-02-01 1992-08-04 Corning Inc 誘導放出型光信号増幅器
JPH04323884A (ja) * 1991-04-24 1992-11-13 Fujitsu Ltd 圧電トランス
JPH05327202A (ja) * 1992-05-22 1993-12-10 Taiyo Yuden Co Ltd はんだバンプの形成方法
JPH06342795A (ja) * 1993-06-01 1994-12-13 Oki Electric Ind Co Ltd Ｉｃのフリップチップ実装の接続構造
JPH11233568A (ja) * 1998-02-17 1999-08-27 Nec Corp ハンダボール・キャリアテープ及びその製作方法
JPH11245081A (ja) * 1998-02-27 1999-09-14 Fuji Xerox Co Ltd 熱溶融性接合部材およびこれを用いた半導体実装装置
JP2000031387A (ja) * 1998-07-14 2000-01-28 Fuji Electric Co Ltd 誘電体薄膜コンデンサの製造方法
JP2002126869A (ja) * 2000-10-25 2002-05-08 Harima Chem Inc 金属間のロウ付け接合方法
JP2004327908A (ja) * 2003-04-28 2004-11-18 Ricoh Co Ltd 光学電子デバイスの接合方法及び接合構造

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036236A (ja) * 2005-07-27 2007-02-08 Palo Alto Research Center Inc 自己集合化電気的接点構造体の形成方法、自己集合化電気的接点構造体および電気的接点構造体
JP4731340B2 (ja) * 2006-02-02 2011-07-20 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2007208082A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
WO2008105426A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
WO2008105425A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
US7726546B2 (en) 2007-02-28 2010-06-01 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus and bonding method
US7743964B2 (en) 2007-02-28 2010-06-29 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus and bonding method
CN101681849B (zh) * 2007-02-28 2011-09-21 株式会社新川 焊接装置以及焊接方法
JP2009224615A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2010098156A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Seiko Epson Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子機器
WO2011030753A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011060941A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
US8664106B2 (en) 2009-09-09 2014-03-04 Tokyo Electron Limited Method of manufacturing semiconductor device
JP2012069545A (ja) * 2010-09-21 2012-04-05 Toyoda Gosei Co Ltd 発光素子の搭載方法
US8852970B2 (en) 2010-09-21 2014-10-07 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for mounting luminescent device
WO2012081144A1 (ja) * 2010-12-15 2012-06-21 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP2020107711A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 日東電工株式会社 半導体装置製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN100459829C (zh) 2009-02-04
CN1642394A (zh) 2005-07-20
TW200524503A (en) 2005-07-16
US7342179B2 (en) 2008-03-11
US20050150684A1 (en) 2005-07-14
JP3997991B2 (ja) 2007-10-24
TWI266576B (en) 2006-11-11
KR100702743B1 (ko) 2007-04-03
KR20050074921A (ko) 2005-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3997991B2 (ja) 電子装置
JP4069867B2 (ja) 部材の接合方法
JP4617978B2 (ja) 配線基板の製造方法
TWI425582B (zh) 形成自組裝之電氣接觸結構的方法
JP2006339057A (ja) 樹脂金属複合導電材料、その製造方法およびそれを用いた電子デバイス
CN104427753A (zh) 结合型印刷布线板及其制造方法
JP2005322834A (ja) パターン形状体及びその製造方法
JP2001155539A (ja) 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
JP2004006417A (ja) 接続部材及びこれを用いた電極の接続構造
JP2005340279A (ja) 多層配線板およびその製造方法
JP2005209454A (ja) 異方導電フィルムの製造方法
US10912201B2 (en) Electronic device and production method thereof
JP4099475B2 (ja) 導電性シリコンパウダーとその製造方法、並びにこれを適用した異方導電性フィルム及び導電性ペースト
JP2001189170A (ja) 導電性微粒子、異方性導電接着剤及び導電接続構造体
JP4637591B2 (ja) 配線形成体の製造方法
JP2009295897A (ja) 金属膜、電子部品、および電子部品の製造方法
JP2012009590A (ja) ３次元流路と電気配線を内蔵したｌｔｃｃ基板、その製造方法、その基板を用いたｍｅｍｓ素子及びその製造方法
JP4293030B2 (ja) 電子デバイス実装構造体およびその製造方法
JP2008112732A (ja) 電極の接続方法
JP2007067304A (ja) 基板接合方法と実装基板
JP2009071036A (ja) 部品実装基板、複合基板
JP4872706B2 (ja) はんだ接着材料及びはんだ供給方法
JP2016207904A (ja) 回路基板の製造方法、電子デバイスの製造方法、および、電子デバイス
JP3015709B2 (ja) フィルムキャリア、それを用いてなる半導体装置ならびに半導体素子の実装方法
JP2005347673A (ja) 導電性ボールの搭載方法および搭載装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20061208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20061212

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070213

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070306

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070507

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070612

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070621

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070717

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070730

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100817

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110817

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120817

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130817

Year of fee payment: 6

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees