JP2005322834A - パターン形状体及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】粒状の集合体にて構成されたパターンと、該パターンを支持している支持部材とを備え、該支持部材とパターンとが接触している界面において、該パターンを構成している粒状の集合体と該支持部材との混合層が形成されているパターン形状体を前提として、該パターン中の混合層を除く部分に存在する粒子の大きさが、該混合層に存在する粒子に比べて大きいことである。
【選択図】図1
Description
最近、パターン形成の簡便性から、ナノ粒子により構成されている各種材料が開発されてきている。特に、配線形成用にAgナノ粒子をベースとしたインクの開発が各社で進められており、インクジェットやその他印刷方法による簡便なパターン形成技術が提案されてきている。このようなナノ粒子は、基板上に塗布や印刷をした後で乾燥、硬化させることにより基板上にパターンを形成するが、ナノ粒子自体は基材に対する密着性を有していないため、パターンの基板に対する密着性を大きくする何らかの対策が必要である。
しかし、この従来技術においては、パターン自体が粉体の場合には浸透を利用することができるが、パターン部の導電性を得るためには高荷重条件下での粒子の圧縮を行わないと特性が得られないことや、圧縮による体積収縮が起こるため微細なパターン形成には適応できないことが問題である。また、微細化に対して粒径を小さくすると導電部の導電率が小さくなってしまうだけでなく、微細になるほど密着力を確保するのに必要な膜厚が大きくなるため、限界がある。
しかし、この方法では、金属粒子を埋設するために基材を加工しなければならず、特に加工形状を壷形状にするのが困難であり、金属粒子と基材の密着性を確保するのに問題がある。そして、微細パターンでは、加工精度の観点から製造コストが高くなってしまう。
しかし、この方法では、金属層105の粗化処理が必要であり、プロセスが煩雑となる。
上記課題を解決するために講じた解決手段1は、粒状の集合体にて構成されたパターンと、該パターンを支持している支持部材とを備え、該支持部材とパターンとが接触している界面において、該パターンを構成している粒状の集合体と該支持部材との混合層が形成されているパターン形状体を前提として、該パターン中の混合層を除く部分に存在する粒子の大きさが、該混合層に存在する粒子に比べて大きいことである。
〔作 用〕
上記支持部材が流動性を有する状態において、パターンを構成している粒子の粒間に浸透することによって、簡易的にパターンの支持部材(基材)への密着性を向上させることができる。この場合、支持部材が流動性を有する状況としては、熱硬化性樹脂や紫外線硬化型樹脂を用いた場合では、パターンに接触後に硬化させることにより容易に形成することが可能である。また、熱可塑樹脂の場合には加熱することで流動性が発現し、そのときにパターンと接触させることによって形成することができる。この場合には、特に成型による形成方法が有用である。
上記粒状の集合体と樹脂から成る支持部材との混合層では導電性よりも密着性が重視されるため、該粒状の集合体における粒径は小さい方が望ましく、該支持部材と接触する表面積を稼ぐことができて密着力を向上させることができる。導電性が必要とされるパターン中の混合層を除く部分では、できる限り粒界を抑えることによって、配線として実用的な導電性を得ることができる。
実施態様1は、上記解決手段1のパターン形状体において、粒状の集合体はナノ粒子の融着状態にて構成されていることである。
〔作 用〕
粒状の集合体がナノ粒子により構成している場合、混合層においては樹脂(支持部材)の浸透によりナノ粒子間隔が変わるため、混合層とそれ以外では融着時に形成される粒径が異なることになる。混合層以外では、予め粒子状態により構成されている場合に比べて、導電性の障害となる粒界の形成がより緻密になるため、バルク材に近い導電性が得られる。また、混合層では粒子の融着が進まないため、導電性は確保できないが、融着時に発生するボイドを減少させることができて良好な密着性を得ることができる。
実施態様2は、上記実施態様1のパターン形状体において、ナノ粒子の材料が金属材料であることである。
〔作 用〕
ナノ粒子の材料を金属材料で構成して、ナノ金属粒子を供給後加熱融着させることにより、容易に導電性を得ることができる。そのため、配線を形成する方法として、従来のようにメッキ、蒸着又はスパッタ等の工程に限定されるがことなく、オフセット印刷やインクジェットのような汎用の印刷技術により形成することも可能であり、製造方法の選択肢が大きくなるという利点がある。
実施態様3は、上記解決手段1、実施態様1、又は実施態様2のパターン形状体において、支持部材の材料が流動性樹脂を硬化させたものであることである。
〔作 用〕
流動性樹脂としては、溶融状態での熱可塑性樹脂、又は硬化前の熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂が挙げられる。浸透による密着性を向上させることにより、パターン材料自体に特別な処理をすることなく密着力を向上させることができる。特に、銀ナノ粒子の場合には、材料自体に密着性がないため有効である。
実施態様4は、上記解決手段1、又は実施態様1〜実施態様3のいずれかのパターン形状体において、パターンがその表面を除いて支持部材の中に埋め込まれていることである。
〔作 用〕
パターンが支持部材中に埋め込まれることにより、該パターンを囲むように支持部材に密着することになるので、該パターンの密着性が向上する。例えば、平板上にパターンを形成し、接着剤転写により支持部材上に形成した場合には、該パターンの接触部はパターンの側面も加わることになるから、密着力が向上する。
実施態様5は、上記解決手段1、又は実施態様1〜実施態様4のいずれかのパターン形状体において、パターンが多面にまたがって形成されていることである。
〔作 用〕
立体的なパターンを形成する場合には、面をまたがる領域でパターン形成する必要があるが、このようなパターン形成は困難である。このような立体的な形状体に対して、単純にバルク状態のパターンを転写シート上に形成して、転写等により支持部材に貼り付けるだけでは、パターン自体の可とう性の点から断線等の問題が発生することになる。また、荷重を掛けて導電性を得る方法では、荷重のばらつきとパターン形状の崩れが発生するために問題がある。本発明では、加熱することによって、ナノ粒子が融着して連続性を発現するため、下地の形状に影響を受けない利点がある。
実施態様6は、上記解決手段1、又は実施態様1〜実施態様5のいずれかのパターン形状体において、支持部材が複数の部材にて構成されていることである。
〔作 用〕
支持部材が複数の部材によって構成されている場合には、パターンが接触している領域に存在する支持部材と、この支持部材を補強するために存在する支持部材が挙げられる。具体的には、パターンとの密着には接着剤のような密着性に優れた支持部材を選択し、その接着剤を外形寸法や強度の観点から別の樹脂により補強することが挙げられる。このように構成することにより、支持部材に対する要求仕様を材料ごとに分離することができ、材料の選択性が大きくなる。また、パターンと接触する支持部材が加熱等により溶融する場合には、支持部材とパターンの分離を容易に行うことができるので、リサイクルの処理がやり易くなる。
実施態様7は、上記解決手段1、又は実施態様1〜実施態様6のいずれかのパターン形状体において、支持部材が光透過性を有していることである。
〔作 用〕
支持部材が光透過性を有していることにより、光学部品を実装することが可能である。ガラス基板上に半導体レーザをフリップチップ実装する場合、発光部からガラスを介して発光する場合、又はガラス内あるいはガラス基板上に導光路を形成して光伝送するものと同様に、パターン形状体に実装した半導体レーザからの信号に対して、パターン形状体を透過する場合、支持部材内部を伝送する場合、又はパターン形状体に導光路を形成して伝送する場合が挙げられる。
実施態様8は、上記実施態様7のパターン形状体において、支持部材が紫外線硬化型樹脂であることである。
〔作 用〕
支持部材として紫外線硬化樹脂を使うことにより、短時間で支持部材上にパターンを形成することができる。短時間に硬化する利点としては、パターンの粒間への接着剤の浸透を抑制することができるため、パターンの機能を損なわない点にある。例えば、配線を形成する場合には、接着剤が浸透することにより、金属ナノ粒子の融着が抑制され導電性が確保できなくなるため、接着剤がパターン中央まで浸透するのを防ぐことは重要である。また、上記実施態様7に記載しているように、紫外線硬化樹脂の光透過性を利用して、光学部品をパターン形状体に接着することもできる。
実施態様9は、上記解決手段1、又は実施態様1〜実施態様8のいずれかのパターン形状体において、パターンが親疎水性を利用して形成されていることである。
〔作 用〕
親水性と疎水性を利用した版や型を用いることにより、容易に機能性材料をパターン状に形成することができる。例えば、ディピングや塗工のように大量の液体に浸して形成すること、又はインクジェットやディスペンサによる吹き付けによって形成することが可能であり、特に微細パターンを形成するのに有効である。特に、微細パターンの連続性を重視する場合に、インクジェット方式などでは、吐出ドット間の位置ずれや吐出量のムラによって連続性が確保できない場合があるが、予め親疎水性のパターンを施しておくことによって、インクジェット方式でも良好なパターンを形状することができる。
実施態様10は、上記解決手段1、又は実施態様1〜実施態様9のいずれかのパターン形状体において、パターンが複数のパターン層にて構成されていることである。
〔作 用〕
複数のパターンを順次積層することにより、多層パターンを形成することが可能である。配線の場合には多層配線となり、立体形状物における配線を小面積にて形成することができる。また、平面状に形成することにより多層配線板を形成することができる。
上記課題を解決するために講じた解決手段2は、型上にナノ粒子を含んだインクでパターンを形成し、流動性の支持部材材料で該パターンを覆うように支持部材を形成し、該支持部材を硬化させた後に該ナノ粒子を加熱して融着させ粒を成長させて粒状の集合体を形成し、冷却した後に型から取り出すことにより、上記解決手段1、又は上記実施態様1〜実施態様10のいずれかに記載のパターン形状体を製造することである。
〔作 用〕
パターンを構成しているナノ粒子に対して、パターン支持部材となる流動性の支持部材材料を浸透させてから融着させることにより、上記解決手段1、又は上記実施態様1〜実施態様10のいずれかに記載のパターン形状体を製作することができる。このとき、該流動性の支持部材材料をナノ粒子に浸透させて、流動性を失わせるまでの時間を制御することにより、浸透させる厚みを制御することができる。
上記課題を解決するために講じた解決手段3は、型上にナノ粒子を含んだインクでパターンを形成し、流動性の支持部材材料で該パターンを覆うように支持部材を形成し、該ナノ粒子を加熱して融着させ粒を成長させて粒状の集合体を形成すると同時に該支持部材も硬化させた後、冷却させて型から取り出すことにより、上記解決手段1、又は上記実施態様1〜実施態様10のいずれかに記載のパターン形状体を製造することである。
〔作 用〕
上記解決手段2に記載するような方法では、流動性の支持部材材料のパターンへの浸透が著しい場合においては、この解決手段3のようにパターンの融着と同時に支持部材材料を硬化させることにより、パターン形状体を製作することが可能である。また、加熱時間を短縮することも可能であり、熱可塑性樹脂を成形する場合には、パターンに高温の樹脂が接触するため、瞬時にナノ粒子の融着が起こり、より短時間で硬化させることができる。
実施態様11は、上記解決手段2又は解決手段3の製造方法において、パターン上に機能部品を一体に成型することである。
〔作 用〕
従来のパッケージングと同様に、立体形状物の内部に電子部品や光学部品を埋め込むことにより、高機能を有する立体形状物を容易に製作することができる。特に、立体形状物に後から実装することが困難な場合や、より小型化を達成する場合に有効な方法である。
実施態様12は、上記解決手段2又は解決手段3の製造方法において、パターンに沿って配線を形成することである。
〔作 用〕
パターンが粒状の集合体によって構成されているため、機能によっては問題になる場合がある。その場合には、パターンを支持部材に形成した後に、該パターン上に機能性材料を供給することによって問題を解決することもできる。支持部材(基材)上に形成したパターンを利用して、該パターン上に銅メッキをして配線を形成することが可能である。この場合、支持部材への密着性も確保することができると共に、様々な部材形状のものに形成可能であるため、立体形状物に配線を微細に形成することも可能である。銅配線を形成したい場合は、銅の微粒子は酸化し易いため、容易に形成することができない。この場合は、予め銀ナノ粒子によりパターンを形成して導電性を確保した上で、銅メッキをすることによって達成することができる。
また、メッキに限らず予め立体形状物に親疎水性のパターンを形成してから、インクジェットやディスペンサのように微細に供給することが困難な方式によっても、配線等の機能性パターンを形成することができる。特に、厚膜化のような場合には有効であり、製造プロセスの選択性が大きくなる。
(1) 請求項1に係る発明
パターンを形成する粒子と支持部材材料の浸透によって形成される混合層により、密着力の大きいパターンを形成することができる。特に、混合層に存在する粒子の大きさが、パターン中の混合層を除く部分に存在する粒子に比べて小さいので、支持部材に対するパターンの密着力をさらに大きくすることができる。
(2) 請求項2に係る発明
ナノ粒子の形状を利用することにより、容易に密着性の大きいパターンを形成することができる。また、ナノ粒子は融着させることが容易であるため、パターンの崩れが起こり難く微細パターンを形成することができる。
(3) 請求項3に係る発明
ナノ粒子の低温融着を利用することにより、容易に配線を形成することができる。
支持部材の材料である流動性樹脂の浸透を利用することにより、容易に密着性の大きいパターンを形成することができる。
(5) 請求項5に係る発明
パターンの側面に対しても流動性樹脂の浸透を利用することができるので、耐剥離性に優れたパターンを形成することができる。
(6) 請求項6に係る発明
粒子の融着を利用した粒状のパターンであるため、多面にまたがる場合でも断線することのないパターンを形成することができる。
(7) 請求項7に係る発明
複数の支持部材を選択して利用することにより、密着力の向上やパターン形状体の強度の増大を図ることができる。
支持部材に光透過性を持たせることにより光学部品の実装が可能である。また、導光路の形成も可能である。
(9) 請求項9に係る発明
支持部材に紫外線硬化型樹脂を用いることにより、短時間で硬化することが可能となり、パターン内部への樹脂の浸透を抑制することができる。
(10) 請求項10に係る発明
パターンが親疎水性を利用した版や型によって形成されるので、ナノ粒子の材料を該版や型に一括供給することにより簡単にパターンを形成することができる。
(11) 請求項11に係る発明
パターンを複数回転写することにより、立体形状物に多層のパターンを容易に形成することができる。また、パターンが配線の場合には多層配線となり、立体形状物における配線を小面積にて形成することができる。平面状に形成することにより多層配線板を形成することができる。
パターンを形成するナノ粒子の粒間に流動性樹脂を浸透させ硬化した後に、該ナノ粒子を融着させることにより、ナノ粒子に荷重を掛けることが不要であり、容易に密着力に優れたパターンを形成することができる。
(13) 請求項13に係る発明
パターンを形成するナノ粒子を融着させると同時に、流動性樹脂(支持部材材料)も硬化させることにより、加熱時間を短縮することができる。
(14) 請求項14に係る発明
機能部品と一体成形することができるため小型化が可能である。また、伝送路を短縮することができ高性能化を図ることが可能である。
(15) 請求項15に係る発明
パターンを厚膜化することによって、さらに導電性に優れた配線を形成することができる。
パターン形状体10には、図1に示されているように、パターン11が粒状の材料を集合して形成されており、その集合体12と支持部材13との界面において、該集合体12の粒間に浸透するように支持部材13が接触していて、界面に混合層15が形成されている。このようなパターン11の内部での粒間の結合は、分子間力や水素結合、局所的な共有結合、金属であれば金属結合のような結合により集合体を構成している。別な観点でみると、該パターン11中に支持部材が浸透できるような構造体を形成していることを特徴としている。
このような融着は温度や粒間の接触状態によって影響を受けるため、支持部材13中に存在するナノ粒子は、該支持部材である樹脂の浸透によってナノ粒子の接近を抑制することになる。そのため、加熱時にはパターン11の内部(混合層15を除く部分)では融着が進むため粒径が大きくなるが、支持部材13との界面の混合層15では、融着の進行が小さいためパターン11の内部に比べて粒径が余り大きくならない。このように、パターン11に混合層15を設けることによって、ナノ粒子自体の密着力が小さいという弱点を補うことにより、支持部材13に対して密着力の大きいパターン11を容易に形成することができる。
融着による粒径の増加割合は加熱温度と時間により異なるので、混合層15とパターン11の内部にそれぞれ存在する粒子の大きさは、加熱温度と時間を調整することによって制御することができる。例えば、混合層15中の平均粒子径が50nmのとき、パターン11の内部の平均粒子径は100nm以上であり、粒径比は略1:2となっている。このように混合層15中の粒子の大きさを、パターン11の内部の粒子の大きさより小さくすることによって、パターンの支持部材に対する密着力をさらに増大することができる。
作製方法としては、先ず、PETフィルム21上に含フッ素アクリレート(TG-702、ダイキン工業製)をスプレーコートにより塗布して含フッ素アクリレート膜22を形成し、その後、該PETフィルム21を90℃に熱したエチレングリコールに30秒間浸漬して親水化処理を行った。次に、半導体レーザ(L8933、浜松ホトニムス製)により描画して、該含フッ素アクリレート膜22を疎水性に変化させる(疎水部23を形成する)ことにより、200μm幅のパターン(親水部24から成るパターン)を形成した(図2(a))。このようにして形成した版上に銀コロイド水溶液(ファインスフィアSVW102、日本ペイント製)をディッピングにより供給して、上記含フッ素アクリレート膜22の親水部24のみに銀粒子のパターン25を形成した(図2(b))。
このようにして形成したパターン(配線)に対して、粘着テープのナイスタック(ニチバン製、商標)を用いて剥離試験を実施した。ここでは、紫外線硬化型樹脂へ転写した後と、150℃で30分間硬化した後のいずれでも剥離試験を行った。その結果、どちらも粘着テープへの付着は見られず、導電性は確保されていた。
また、白板ガラス基板上でも同様に銀コロイド水溶液にて200μm幅のパターンをディスペンサにて形成した。硬化条件は上記と同様に150℃で30分間実施したが、硬化前後における剥離試験ではいずれも剥離がみられ、導電性を確保することができなかった。
走査型電子顕微鏡(SEM)による観察結果では平均粒径が50nm程度であり、パターン11の内部では100nm程度であるから、樹脂の浸透によって融着状態が変化していると考えられる。さらに、パターン11の内部では融着によって粒界に空洞部が見られるが、混合層15内では樹脂の浸透と融着の影響が小さいため空洞部が見られず、図1に示すような粒径の分布になることが確認できた。
これに対して、本発明では粒状体によってパターン11が構成されているので、角の部分においてもパターン11が断線することなく連続体として形成することが可能である。特に、金属ナノ粒子を用いて配線を形成する場合には、ナノ粒子を融着する前にパターン状に供給することが可能であるため、加熱することによって角の部分でも問題なく配線を形成することができる。同様に曲面体でのパターン形成においても、バルク体に比べて優れた連続性を得ることができる。
先ず、立体形状のパターン形状体を成型するために用いる型として、アルミニウム(Al)の金属ブロックである上型31と下型32を切削加工により製作した。
次に、このAl製の下型32に対して、含フッ素アクリレート(TG-702、ダイキン工業製)をスプレーコートによって塗布して含フッ素アクリレート膜22を形成し、この下型32を90℃に熱したエチレングリコールに30秒間浸漬することにより親水処理を行った。その後、半導体レーザ(L8933、浜松ホトニムス製)により描画して、含フッ素アクリレート膜22を疎水性に変化させて疎水部23のパターンを形成することによって、50μm幅の親水部24のパターンを形成した(図4(a))。
この実施例2は、3次元筐体のような立体形状物に対してパターン形成をする場合について説明しているが、複数の面や曲面を有する筐体に限定されることはなく、プリント板のように平面形状物へのパターンの形成も同様のプロセスによって実施することができる。その場合には、パターンを平面上に形成すればいいため、微細化も容易に行えるなど自由度はかなり大きい。
そして、パターンを型上に形成する方法としては、平面上において形成したパターンを型に貼り付ける方法も考えられる。この場合は、パターンをフィルム上に形成するため、曲面部へのパターンの形成が可能である。
また、本実施例では親疎水性のパターンを用いているため、パターンは支持部材に埋め込まれた形状になる。この場合、パターンは表面以外において支持部材に接触することになるので、より密着力に優れたパターンを形成することができる。
さらに、パターンの形成方法としては、親疎水性のパターンに限るものではなく、凸版や凹版により形成することも可能である。特に、凸部にパターンを形成した場合には、支持部材によりパターンが囲まれた状態のものが形成し易いという特徴を有する。
また、支持部材として紫外線硬化樹脂のように光透過性のある部材を選択することにより、光学部品を実装することが可能である。この場合には構造部材として、紫外線硬化型樹脂(SD-2200、大日本インク製)を供給して硬化させることにより形成することが可能である。
この実施例3の製造方法は、下型に32にパターン25を形成する工程(図5(b))まで、上記実施例2の場合と同じである(図4(b)参照)。上記実施例2と同じ方法により形成された型(図5(b))に対して、パターン25を囲むように接着剤41である紫外線硬化型樹脂(SD-2200、大日本インク製)をディスペンサにて供給した後(図5(c))、紫外線硬化を行った。紫外線照射条件としては15mW/cm2で10秒間行った。その後、下型32に上型31を取り付けてから、これらの型の中に2液性エポキシ樹脂33のアラルダイト急速硬化タイプ(ハンツマン・アドバンスド・マテリアルズ製)を注入し、60℃で5時間放置した(図5(d))。その後、立体形状物を型から離型して(図5(e))、150℃で30分間硬化を行った。このようにして、立体形状物上に50μm幅の配線パターンが形成されたパターン形状体40を製作することができた。
接着剤41にて急速にパターン25に接着させることにより、パターン25自体の密着性を確保しつつ、パターン25内部への接着剤の染み出しを抑制することができる。
本実施例3では、3次元筐体のような立体形状物に対してパターンを形成するものとして説明されているが、上記下型32のような型の上にパターンを形成する場合に限定されるものではなく、プリント板のような平面形状体へパターンを形成することも同様に可能である。
この実施例4の製造方法は、上記実施例3の場合と同じように、下型に32に形成したパターン25を囲むように接着剤51を供給した後に、導電性接着剤ドータイト(XA-910、藤倉化成製)にてバンプ53が形成されたSiチップ52を実装した(図6(c))。ここで、型上でのパターン幅は200μmにて形成されており、上記接着剤51にはアンダーフィル用エポキシ樹脂(ナミックス製)を用いている。版上へのSiチップ52の実装においては、フリップチップボンダ(CB-500、ミスズFA製)により接続を行った。接続条件は200℃で2分間のパルス加熱によりチップ側より仮硬化を行っている。ここで、用いたSiチップ52は導通確認用にAuのベタパターンのチップを用いている。
その後、150℃で30分間にて導電性接着剤、アンダーフィル用エポキシ樹脂、及び銀ナノ粒子を硬化した後に、下型32に上型31を取り付けてから、これらの型の中に2液性エポキシ樹脂33のアラルダイト急速硬化タイプ(ハンツマン・アドバンスド・マテリアルズ製)を注入し、常温で24時間放置した(図6(d))。その後、立体形状物を型から離型し(図6(e))、Siチップ52が接続されていることを導通により確認した。このようにして、Siチップを接続した立体形状のパターン形状体50を製作することができた。
この実施例5の製造方法は、上記実施例1において説明したように(図2(a),(b)参照)、PETフィルム61上に含フッ素アクリレートにより親疎水性のパターンを形成し、その上に銀コロイド水溶液(ファインスフィアSVW102、日本ペイント製)を供給し乾燥して配線パターンである転写部材62を形成した。その後、ディスペンサにて導電性接着剤ドータイト(XA-910、藤倉化成製)を該転写部材62のナノ粒子上に供給して乾燥し、バンプ63を形成した。(図7(b))
そして、型上には上記実施例3(図5(b))と同様にパターン25を形成し(図7(a))、そのパターン25上に接着剤41である紫外線硬化型樹脂をディスペンサにて供給して、さらに該パターン25に対して上記転写部材62が形成されたPETフィルム61を貼り付けて、紫外線による硬化を行った。その後、PETフィルム61を剥離して、上記パターン25上に別の配線パターン(転写部材62)を形成した。このような別の配線パターン(転写部材62)の形成を同様に順次繰り返すことによって、多層配線パターンを形成することができた(図7(b))。その後、下型32に上型31を取り付けてから、これらの型の中に2液性エポキシ樹脂33のアラルダイト急速硬化タイプ(ハンツマン・アドバンスド・マテリアルズ製)を注入し、150℃で30分間にて上記導電性接着剤と銀ナノ粒子を硬化した後、常温で24時間放置した(図7(c))。その後、立体形状物を型から離型することによって(図7(d))、多層配線が形成された立体形状のパターン形状体60を製作することができた。
12‥‥粒状材料の集合体 13‥‥支持部材
15‥‥混合層
20‥‥パターン形状体 21‥‥PETフィルム
22‥‥含フッ素アクリレート膜 23‥‥疎水部
24‥‥親水部 25‥‥パターン
27‥‥紫外線硬化型樹脂(UV樹脂) 28‥‥ガラス基板
30‥‥立体形状のパターン形状体 31‥‥上型
32‥‥下型 33‥‥2液性エポキシ樹脂
40‥‥立体形状のパターン形状体 41‥‥接着剤(UV硬化型樹脂)
50‥‥立体形状のパターン形状体
51‥‥接着剤(アンダーフィル用エポキシ樹脂)
52‥‥Siチップ 53‥‥バンプ
60‥‥立体形状のパターン形状体 61‥‥PETフィルム
62‥‥転写部材 63‥‥バンプ
Claims (15)
- 粒状の集合体にて構成されたパターンと、該パターンを支持している支持部材とを備え、該支持部材とパターンとが接触している界面において、該パターンを構成している粒状の集合体と該支持部材との混合層が形成されているパターン形状体であって、
該パターン中の混合層を除く部分に存在する粒子の大きさが、該混合層に存在する粒子に比べて大きいことを特徴とするパターン形状体。 - 上記粒状の集合体はナノ粒子の融着状態にて構成されていることを特徴とする請求項1記載のパターン形状体。
- 上記ナノ粒子の材料が金属材料であることを特徴とする請求項2記載のパターン形状体。
- 上記支持部材の材料が流動性樹脂を硬化させたものであることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれかに記載のパターン形状体。
- 上記パターンが、該パターンの表面を除いて上記支持部材の中に埋め込まれていることを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれかに記載のパターン形状体。
- 上記パターンが多面にまたがって形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項5のいずれかに記載のパターン形状体。
- 上記支持部材が複数の部材にて構成されていることを特徴とする請求項1〜請求項6のいずれかに記載のパターン形状体。
- 上記支持部材が光透過性を有していることを特徴とする請求項1〜請求項7のいずれかに記載のパターン形状体。
- 上記支持部材が紫外線硬化型樹脂であることを特徴とする請求項8記載のパターン形状体。
- 上記パターンが親疎水性を利用して形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項9のいずれかに記載のパターン形状体。
- 上記パターンが複数のパターン層にて構成されていることを特徴とする請求項1〜請求項10のいずれかに記載のパターン形状体。
- 型上にナノ粒子を含んだインクでパターンを形成し、流動性の支持部材材料で該パターンを覆うように支持部材を形成し、該支持部材を硬化させた後に該ナノ粒子を加熱して融着させ粒を成長させて粒状の集合体を形成し、冷却した後に型から取り出すことを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれかに記載のパターン形状体の製造方法。
- 型上にナノ粒子を含んだインクでパターンを形成し、流動性の支持部材材料で該パターンを覆うように支持部材を形成し、該ナノ粒子を加熱して融着させ粒を成長させて粒状の集合体を形成すると同時に該支持部材も硬化させた後、冷却させて型から取り出すことを特徴とする請求項1〜請求項11のいずれかに記載のパターン形状体の製造方法。
- 上記パターン上に機能部品を一体に成型することを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の製造方法。
- 上記パターンに沿って配線を形成することを特徴とする請求項12又は請求項13に記載の製造方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010131936A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 構造体包埋フィルム及びこの構造体包埋フィルムの製造方法 |
WO2021132479A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 配線基板及びその製造方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101137862B1 (ko) * | 2005-06-17 | 2012-04-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 평판표시소자의 제조방법 |
DE102006017115B4 (de) * | 2006-04-10 | 2008-08-28 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse und Verfahren zu seiner Herstellung |
US8293121B2 (en) * | 2006-09-27 | 2012-10-23 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Method for forming fine wiring |
KR100961282B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2010-06-03 | 포항공과대학교 산학협력단 | 친수성 표면과 소수성 표면을 갖는 멤브레인의 제조방법 |
FR2929864B1 (fr) * | 2008-04-09 | 2020-02-07 | Commissariat A L'energie Atomique | Auto-assemblage de puces sur un substrat |
CN107567197B (zh) * | 2017-08-29 | 2019-09-13 | 华中科技大学 | 一种自清洁柔性导电线路及其制备方法 |
CN108899278A (zh) * | 2018-06-30 | 2018-11-27 | 昆山国显光电有限公司 | 图案化的纳米银线薄膜及触控面板的制造方法 |
TWI781528B (zh) * | 2021-02-02 | 2022-10-21 | 日商材料概念股份有限公司 | 配線基板及其製造方法 |
Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2585700A (en) * | 1949-02-12 | 1952-02-12 | Charles E Bloom | Method of making conductive designs |
JPS62205687A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 大日本印刷株式会社 | 印刷回路を有する成形品の製造方法およびその製造に使用する転写シ−ト |
JPS62282488A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 日本写真印刷株式会社 | 印刷配線板用転写材と該転写材を用いた印刷配線板およびその製造法 |
JPS63166109A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-07-09 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 絶縁基板に導電性の印刷画像を施す方法及びそのための被覆材 |
JPH0193149A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH03189605A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-19 | Nippon Steel Corp | 熱線反射板 |
JPH08191178A (ja) * | 1991-09-10 | 1996-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 印刷配線板の製造方法 |
JPH1051089A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2003078171A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Sony Corp | 配線及びその形成方法、接続孔及びその形成方法、配線形成体及びその形成方法、表示素子及びその形成方法、画像表示装置及びその製造方法 |
JP2003141929A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅ペースト用の銅粉 |
US20030168639A1 (en) * | 2001-12-29 | 2003-09-11 | Cheon Jin Woo | Metallic nanoparticle cluster ink and method for forming metal pattern using the same |
JP2003261355A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-16 | Central Glass Co Ltd | 電波透過性波長選択膜の製法 |
JP2003279969A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Seiko Epson Corp | 反射膜の製造方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置の製造方法、デバイス及び電気光学装置、電子機器 |
JP2003283123A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Asahi Kasei Corp | 積層基板及びその製造方法 |
JP2004130482A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Ebara Corp | マイクロ部品及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1984003586A1 (en) * | 1983-03-02 | 1984-09-13 | Dennis R Mitchell | Method for bonding electrical conductors to an insulating substrate |
US5512131A (en) * | 1993-10-04 | 1996-04-30 | President And Fellows Of Harvard College | Formation of microstamped patterns on surfaces and derivative articles |
JP2000036650A (ja) * | 1998-07-17 | 2000-02-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 回路板製造法 |
JP3431556B2 (ja) * | 1999-12-07 | 2003-07-28 | 松下電器産業株式会社 | 転写媒体及びその製造方法、転写媒体を用いた配線基板の製造方法 |
US6472247B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-10-29 | Ricoh Company, Ltd. | Solid-state imaging device and method of production of the same |
JP3951722B2 (ja) * | 2002-02-04 | 2007-08-01 | 凸版印刷株式会社 | 導電性積層体及びその製造方法 |
JP2004051755A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Ricoh Co Ltd | 弾性導電樹脂及び弾性導電接合構造 |
US7364769B2 (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-29 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus and method for formation of a wiring pattern on a substrate, and electronic devices and producing methods thereof |
JP4191567B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2008-12-03 | 株式会社リコー | 導電性接着剤による接続構造体及びその製造方法 |
-
2004
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2005
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Patent Citations (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2585700A (en) * | 1949-02-12 | 1952-02-12 | Charles E Bloom | Method of making conductive designs |
JPS62205687A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-10 | 大日本印刷株式会社 | 印刷回路を有する成形品の製造方法およびその製造に使用する転写シ−ト |
JPS62282488A (ja) * | 1986-05-30 | 1987-12-08 | 日本写真印刷株式会社 | 印刷配線板用転写材と該転写材を用いた印刷配線板およびその製造法 |
JPS63166109A (ja) * | 1986-12-17 | 1988-07-09 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 絶縁基板に導電性の印刷画像を施す方法及びそのための被覆材 |
JPH0193149A (ja) * | 1987-10-02 | 1989-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JPH03189605A (ja) * | 1989-12-20 | 1991-08-19 | Nippon Steel Corp | 熱線反射板 |
JPH08191178A (ja) * | 1991-09-10 | 1996-07-23 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 印刷配線板の製造方法 |
JPH1051089A (ja) * | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法 |
JP2003078171A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Sony Corp | 配線及びその形成方法、接続孔及びその形成方法、配線形成体及びその形成方法、表示素子及びその形成方法、画像表示装置及びその製造方法 |
JP2003141929A (ja) * | 2001-10-30 | 2003-05-16 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 銅ペースト用の銅粉 |
US20030168639A1 (en) * | 2001-12-29 | 2003-09-11 | Cheon Jin Woo | Metallic nanoparticle cluster ink and method for forming metal pattern using the same |
JP2003261355A (ja) * | 2002-03-06 | 2003-09-16 | Central Glass Co Ltd | 電波透過性波長選択膜の製法 |
JP2003283123A (ja) * | 2002-03-20 | 2003-10-03 | Asahi Kasei Corp | 積層基板及びその製造方法 |
JP2003279969A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Seiko Epson Corp | 反射膜の製造方法及びデバイスの製造方法、電気光学装置の製造方法、デバイス及び電気光学装置、電子機器 |
JP2004130482A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Ebara Corp | マイクロ部品及びその製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010131936A (ja) * | 2008-12-08 | 2010-06-17 | Hitachi Chem Co Ltd | 構造体包埋フィルム及びこの構造体包埋フィルムの製造方法 |
WO2021132479A1 (ja) * | 2019-12-27 | 2021-07-01 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 配線基板及びその製造方法 |
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