JP2004327908A - 光学電子デバイスの接合方法及び接合構造 - Google Patents

光学電子デバイスの接合方法及び接合構造 Download PDF

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Abstract

【課題】低コストでXYZ方向の高精度位置合わせを可能とする光学電子デバイスの接合方法および構造を提供すること。
【解決手段】溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合したことである。
初期接合材の供給量に対して、体積が減少することで接合されるので、初期供給量が多少ばらついていても、接合に寄与する材料の量のばらつきの影響がそれだけ小さくなり、XY方向のみならずZ方向の位置合わせ精度が高くなるとともに、接合時の高さを低くすることができ、さらに金属ナノペーストを用いることにより、比較的低い温度で接合することができる。
【選択図】 図1

Description

【0001】
【発明の産業上の利用分野】
この発明は、MEMS接合,光素子接合等、光学電子デバイスの高精度位置合わせ接合方法及び構造に関するものであり、さらに具体的には、レーザーダイオードやフォトダイオード等の光素子を、はんだを用いないで基板上に接続し、三次元的に高精度に位置決めする光素子の接合方法および接合構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術と問題点】
従来、電子機器の高機能化に対応した高速伝送技術が求められ、そのための開発がなされている。この光伝送技術において低コストで光デバイスを高精度位置合わせ実装することが大きな課題となっており、パッシブアライメント方式としてはんだの表面張力を利用した接合技術が開発されている。はんだの表面張力を利用したセルフアライメントによる接合においては、XY方向の位置精度は容易に確保できるが、しかし、Z方向の位置合せが困難であるとともに、はんだの酸化を防止するためのフラックスは、光学特性を悪化させるため使用できないか、あるいは使用後完全に洗浄する必要があるなどの問題がある。
【0003】
このZ方向高精度位置合わせおよびフラックスレスはんだ接合技術の一例として、特開2002−334902号公報に記載されたものがある。この従来技術によって、Z方向位置合せにおいて、はんだ接続部の高さを従来よりも低く設定できるようにはなったものの、高さの決定要因がはんだ供給量に大きく依存するので、少量のはんだを精度良く供給することが必要である。また、フラックスレス対応技術としても加熱プロセスを還元性雰囲気に維持する必要があり、装置コストおよびランニングコストが高いという問題があった。
【0004】
【特許文献1】特開2002−334902号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、この発明は従来の上記問題を解消するためになされたものであって、その課題は、低コストでXYZ方向の高精度位置合わせを可能とする光学電子デバイスの接合方法および構造を提供することであり、各請求項毎の課題は次の通りである。
【0006】
【課題1】(請求項1に対応)
課題1は、低コストでXYZ方向の高精度位置合わせとともに電気的な接合を低温で可能にした光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0007】
【課題2】(請求項2に対応)
課題2は、低コストでXYZ方向の高精度位置合わせとともに電気的な接合を低温で可能にし、さらに接合強度の高い光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0008】
【課題3】(請求項3に対応)
課題3は、低温かつ環境に悪影響を与えない高精度位置合わせを可能にする光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0009】
【課題4】(請求項4に対応)
課題4は、接合部へのボイド巻きこみを低減し、Z方向位置合わせ精度と接合強度をともに向上させる光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0010】
【課題5】(請求項5に対応)
課題5は、生産性が高く液状ペーストを高精度な量で供給する光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0011】
【課題6】(請求項6に対応)
課題6は、表面張力によるセルフアライメント効果が確実に発揮された光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0012】
【課題7】(請求項7に対応)
課題7は、表面張力によるセルフアライメント効果が確実に発揮された光学電子デバイスの他の接合構造を提供することである。
【0013】
【課題8】(請求項8に対応)
課題8は、接合強度の高い光学電子デバイスの他の接合構造を提供することである。
【0014】
【課題9】(請求項9に対応)
課題9は、Z方向の高さ制御が任意設定可能とされた光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0015】
【課題10】(請求項10に対応)
課題10は、Z方向の高さ制御が任意設定可能であり、さらに接合強度の高い光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0016】
【課題11】(請求項11に対応)
課題11は、Z方向の高さ制御を任意設定可能にするとともに、接合強度を高くする光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0017】
【課題12】(請求項12に対応)
課題12は、Z方向の高さ制御を任意設定可能にするとともに、安定した接合強度を確保する光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0018】
【課題13】(請求項13に対応)
課題13は、Z方向の高さ制御が任意設定可能であり、接続抵抗の低い光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0019】
【課題14】(請求項14、請求項15に対応)
課題14は、Z方向の高さ制御が任意設定可能とされ、接続抵抗が低く、さらに接合強度の高い光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0020】
【課題15】(請求項16に対応)
課題15は、Z方向の高さ制御を精度よく任意に設定可能にするとともに、接続抵抗を低くし、接合強度の高い光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0021】
【課題16】(請求項17に対応)
課題16は、低コストでXYZ方向の高精度位置合わせとともに電気的な接合を低温で可能にし、さらにZ方向の高さ制御が任意設定可能な光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0022】
【課題17】(請求項18に対応)
課題17は、実装する電子デバイスの大型化に対応できる光学電子デバイスの接合構造を提供することである。
【0023】
【課題18】(請求項19に対応)
課題18は、実装する電子デバイスの大型化に対応できるようにするとともに接合信頼性の高い光学電子デバイスの接合方法を提供することである。
【0024】
【課題を解決するための手段】
【解決手段1】(請求項1に対応)
解決手段1は、上記課題1の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合したことである。
【0025】
【作用】
金属ナノペーストは、低粘度化されており溶媒の特性に近い表面張力をもっている。この表面張力を利用してセルフアライメントを行い、かつ金属微粒子の凝集により接合する。この金属ナノペーストを濡れ広がりが制御可能な被接合体 (基板)の所定の電極パターン部に供給し、同じく濡れ広がり制御可能な接合体(光学電子デバイス)を金属ナノペーストを介して被接合体の上に搭載する。この被接合体および接合体は、金属ナノペーストの表面張力によりX,Y方向の位置合せが高精度に行われる(なお、この位置合わせ現象は、金属ナノメーストと接合体、被接合体の接触面積が最小になるように接合体、被接合体が表面張力で引っ張られて位置合わせが自然になされる現象によるものであって、従来周知のことである)。
【0026】
被接合体と接合体の電極間は、金属ナノペースト中に含まれる金属微粒子が互いにあるいは電極間で凝集することで接合される。本解決手段1は、初期接合材の供給量に対して、体積が減少することで接合されることが大きな特徴である。
これによれば、初期供給量が多少ばらついていても、接合に寄与する材料の量のばらつきの影響がそれだけ小さくなり、XY方向のみならずZ方向の位置合わせ精度が高くなるとともに、接合時の高さを低くすることができる。さらに金属ナノペーストを用いることにより、比較的低い温度で接合することができる。
【0027】
【解決手段2】(請求項2に対応)
解決手段2は課題2の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子と接着剤とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集と接着剤により電極間を接合したことである。
【0028】
【作用】
一般に金属微粒子の融着現象は加熱温度を高くすることにより促進され、接合強度も向上する。これに対して、金属ナノペースト中に接着剤を混練すると、金属微粒子間の融着現象が低くても接着剤により接合部を補強できるので、低温で接合しても強度の向上が図られる。
【0029】
【解決手段3】(請求項3に対応)
解決手段3は課題3の解決手段であり、水を主とした溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子を含むコロイド溶液である金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合したことである。
【0030】
【作用】
水は溶媒の中では表面張力が大きい特性(常温において約72dyne/cm)を持っており、微粒子コロイド溶液においても同等レベルの表面張力を示し、セルフアライメント効果を十分に発揮することができる。また、溶媒気化時に人体に有害な物質を排出しないので、環境面でも優れた材料である。
【0031】
【解決手段4】(請求項4に対応)
解決手段4は課題4の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト中の溶媒を揮発させる第一の加熱プロセスと金属微粒子を凝集させる第二の加熱プロセスを含むステップキュアにより接合することである。
【0032】
【作用】
加熱硬化による接合プロセスにおいて、溶媒の気化が十分に進んでいない状態で微粒子の融着現象が発生し始めると接合部にボイドを巻きこんでしまい、接合強度の低下とともにZ方向の高さばらつきが大きくなってしまう。これに対しては温度プロファイルを改良することで対応できる。まず微粒子の融着現象があまり起こらず溶媒の沸点よりも低温の第一の温度域まで加熱して溶媒を気化させ、その後、微粒子が融着現象を起こす程度の高温の第二の温度域まで加熱して接合することにより、接合部へのボイド巻きこみを低減でき、接合強度が向上し、Z方向位置合わせも高精度に行える。
【0033】
【解決手段5】(請求項5に対応)
解決手段5は課題5の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト供給用ツール上に接合電極と同一パターンレイアウトでその接合電極径より大きい面積に金属ナノペーストを表面張力により凸状に形成しておき、その金属ナノペーストを被接合体の接合電極に転写供給することである。
【0034】
【作用】
はじめに金属ナノペーストを金属ナノペースト供給用ツール上に供給し、その供給量は接合部位に供給する量よりも多くしておく。この金属ナノペースト供給用ツール上に金属ナノペーストを供給して後、接合部位に金属ナノペーストを付着させ、金属ナノペーストを接合部位に転写する。この接合部位への転写量は金属ナノペーストの表面張力と接合部位の面積に準じるので供給量が安定化する。
金属ナノペーストの供給用ツールとして、パターン状に親水性、撥水性を有する版を用いることができる。版上の親水性パターン配置は接合部位に対応させているが、接合部位のサイズよりもツール上での親水性の高い部位のサイズ(面積)を大きくすることにより、接合部への金属ナノペーストの安定供給を可能にしている。この版上への供給は、金属ナノペーストの濡れ性の差を利用してローラー方式、霧状噴霧方式等によることで可能である。版上から接合部位への転写は、版を接合部位に近づけて金属ナノペーストを接合部位に接触させた後、版をゆっくり離していく。このとき、金属ナノペーストの表面張力により、所定の金属ナノペースト量が接合部位に転写される。
【0035】
【解決手段6】(請求項6に対応)
解決手段6は課題6の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、接合体と被接合体双方の凸形状電極のトップ部を金属微粒子の凝集により接合したことである。
【0036】
【作用】
金属ナノペーストの表面張力を利用してセルフアライメントするためには、金属ナノペーストの濡れ広がりを電極部のみに制限する必要がある。そこで、両電極部を凸形状とし、電極コーナー部での見掛け上の接触角を大きくすることができることから、溶融はんだに対して表面張力の小さい金属ナノペーストにおいても濡れ広がりを電極凸部のトップ部に制限することができる。この電極凸部のトップ部コーナーは鋭角であることが望ましい。このようにして接合することにより、高精度に位置合わせされた凸状電極間を金属微粒子の凝集により接合することができる。
【0037】
【解決手段7】(請求項7に対応)
解決手段7は課題7の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して、その周辺部に当該電極より撥水性が高い部位が形成されている被接合体の当該電極と接合体側の電極を接合したことである。
【0038】
【作用】
金属ナノペーストの表面張力を利用してセルフアライメントするためには、金属ナノペーストの濡れ広がりを電極部のみに制限する必要がある。そこで、被接合体の電極周辺にその電極より濡れ性の低い撥水部を形成することにより、金属ナノペーストの濡れ広がりを当該電極部に制限するものである。ここで、撥水部は電極に一部かかっていても良い。また、電極と撥水部が必ずしも接している必要はない。
【0039】
【解決手段8】(請求項8に対応)
解決手段8は課題8の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して、その表面粗さが10nm〜1000nmの範囲に形成されている接合体と被接合体双方の電極間を接合したことである。
【0040】
【作用】
金属微粒子の凝集による電極間接合において、表面粗さを大きくすることで、接合電極との接合強度を向上させることができる。具体的には10nm以上であり、電極との接触面積が増大するためと考えられる。ただし、表面粗さが1000nm以上であると、表面の凹凸を埋めるだけの多量の金属微粒子を必要とし、金属微粒子の凝集による膜厚を厚くすることになり、その反面、内部応力が高くなることでクラック等が発生しやすく、接合強度が低くなってしまう。このことから、接合電極の表面粗さは10nm〜1000nmであることが望ましい。
【0041】
【解決手段9】(請求項9に対応)
解決手段9は課題9の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子と径100nm以上の球形フィラーを含有する金属ナノペーストを用い、この球形フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集し電極間を接合したことである。
【0042】
【作用】
金属ナノペースト中に100nm以上の径の揃った球形フィラーを含有している。この金属ナノペーストを接合電極部に供給して後、電子デバイスをマウントしX,Y方向にセルフアライメントする。その後、加熱することで金属ナノペースト中の溶媒が気化して体積が減少し、金属微粒子の凝集による接合が起こる。
ここで、電極間には球形フィラーが挟み込まれた状態となり、この球形フィラーの径に準じて電極間ギャップが決まるので、球形フィラーの径を調整することにより任意にZ方向の位置制御ができることになる。この電極間に挟まれた球形フィラーの表面には金属微粒子の凝集による金属膜が形成され、これによって接合電極と連続した電気的な導通を確保することができる。この球形フィラーとしては、単分散の有機フィラーおよび無機フィラー等の絶縁性フィラーを活用することができる。複数種類の径を持った球形フィラーを含有させても良い。
【0043】
金属ナノペーストと球形フィラーとを組合せたことによる機能は、金属ナノペーストの表面張力によりXY方向の位置合せを行い、Z方向の高さ調整を球形フィラーの径を調整することによって行えることである。この球形フィラー径に依存する高さ調整は金属ナノペーストの大きな体積減少があって成り立つものである。また、金属ナノペーストの金属微粒子が加熱プロセスで球形フィラーの表面を覆う金属膜を低温で形成することができるため、球形フィラーとして絶縁材料を活用することができ、連続体となる電極との接合も可能である。
【0044】
【解決手段10】(請求項10に対応)
解決手段10は課題10の解決手段であり、溶媒と、100nm以下の径を持つ金属微粒子と径100nm以上でその表面が10nm〜1000nmの凹凸を有する球形フィラーを含有する金属ナノペーストを用い、この球形フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合したことであ
る。
【0045】
【作用】
球形フィラーを含有して接合する場合は、球形フィラー表面の金属微粒子凝集により金属膜を介して接合するため、接合強度確保のためには球形フィラー表面の金属膜密着力を高める必要がある。この方法としては、球形フィラーの表面粗さを10nm以上にすることで、アンカー効果による密着力を向上させることができるが、1000nmを超えると、Z方向の高さばらつきが大きくなってしまう。このことから、球形フィラーの表面粗さを10〜1000nmとすることで接合強度向上とZ方向位置あわせ精度を確保できることになる。
【0046】
【解決手段11】(請求項11に対応)
解決手段11は課題11の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト中にその表面を活性化処理してなる径100nm以上の球形フィラーを混練し、この球形フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合することである。
【0047】
【作用】
球形フィラーを金属ナノペーストに混練する前にその表面を活性化処理することにより、金属膜密着力が向上し、したがって、接合強度が向上する。
【0048】
【解決手段12】(請求項12に対応)
解決手段12は課題12の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト中にその表面を大気中でのプラズマ処理により活性化処理した径100nm以上の球形フィラーを混練し、この球形フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合することである。
【0049】
【作用】
プラズマ処理することで球形フィラーに均一な表面処理が施され、接合強度の安定性が向上する。
【0050】
【解決手段13】(請求項13に対応)
解決手段13は課題13の解決手段であり、溶媒と径100nm以上の導電性球形フィラーと100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、この球形フィラー表層の導電部と金属微粒子を凝集し電極間を接合したことである。
【0051】
【作用】
接合された状態では、球形フィラー表面の金属層の上に更に金属ナノペースト中の金属微粒子の凝集による金属膜が形成されているとともに接合電極とも接合されているので、接合部の抵抗を更に低くすることができ、さらに、球形フィラーとの密着力も向上するので接合強度が向上する。この導電性を持つ球形フィラーとして、有機等のコア粒子表面にめっき等により金属被覆したものを使用することができる。
【0052】
【解決手段14】(請求項14に対応)
解決手段14は課題14の解決手段であり、溶媒と、径100nm以上の球形フィラーと10nmから1000nmの径を持つ一軸方向に伸びた針状フィラーと100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、この球形フィラーおよび針状フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合したことである。
【0053】
【作用】
接合部においては、球形フィラー表面に金属微粒子の凝集による金属膜が形成されているとともに針状フィラーは3次元的な網目構造で互いに接触した構造になっており、金属微粒子の凝集により表面に金属膜が形成され、また針状フィラー間の接触点でも金属微粒子の凝集による接合点が確保される。これにより、球形フィラーだけを用いた場合より、導通経路を増やすことができるから、接続抵抗を低くすることができ、接合強度も向上する。
なお、針状フィラーの径が10nm以下であると凝集してしまい3次元的な網目構造を有する針形状の特性を損なってしまう。また、1000nm以上となると、Z方向の位置合わせに対してばらつきが大きくなってしまう。
【0054】
【解決手段15】(請求項15に対応)
解決手段15は課題14の解決手段であり、溶媒と、径100nm以上の球形フィラーと導電性を有し少なくともその最表面が金属粒子と同一の金属で構成されている10nmから1000nmの径を持つ一軸方向に伸びた針状フィラーと100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、球状フィラー外周及び針状フィラー表面の導電部から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合したことである。
【0055】
【作用】
この針状フィラーを、少なくとも表面層を金属微粒子と同じ金属により構成することにより、金属微粒子の凝集に対して安定した針状フィラーとの接合が実現されることになる。なお、この金属は貴金属であるのが望ましい。また、この導電性の針状フィラーとしては、針状フィラーに無電解めっき等で導電性を付与したものを使用することができる。
【0056】
【解決手段16】(請求項16に対応)
解決手段16は課題15の解決手段であり、溶媒と、径100nm以上の球形フィラーと10nmから1000nmの径を持つ一軸方向に伸びた針状フィラーと100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、加熱接合時に超音波振動を加え、この球形フィラーおよび針状フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集し電極間を接合することである。この場合、針状フィラーは導電性を有し、少なくともその最表面が金属粒子と同一の金属で構成され、球状フィラー外周及び針状フィラー表面の導電部の外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合させるようにしてもよい。
【0057】
【作用】
針状フィラーは3次元的な網目構造で互いに接触しやすい特性を有しており、球形フィラーと混練した場合、溶媒気化による体積減少時に球形フィラーと針状フィラーが重なることによるZ方向高さのばらつき発生を防止する必要があるが、これは、加熱接合時に超音波振動を加えることによって可能であり、これにより、Z方向の高精度位置合せが可能となる。
【0058】
【解決手段17】(請求項17に対応)
解決手段17は課題16の解決手段であり、双方の電極間が電極部以外の位置に設けられた一方あるいは双方に形成された突き当て部により所定のギャップが保たれ、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子と針状フィラーを含む金属ナノペーストを用い、その針状フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集して電極間を接合したことである。
【0059】
【作用】
Z方向の高さは、接合部以外の部分において一方あるいは双方の凸状突き当て部が接触することで任意に制御される。接合部は針状フィラーを含んだ金属ナノペーストにより接合されている。この針状フィラーは3次元的な網目構造で互いに接触する構造となるとともに、金属微粒子の凝集により表面に金属膜が形成され、また針状フィラー間の接触点でも金属微粒子の凝集による接合点が確保されている。針状フィラー間は点状に接合されているため、接合部にフレキシブル性がある。これにより、接合部に発生する応力を緩和することができ、熱応力等の応力に対する接合信頼性が向上される。
【0060】
【解決手段18】(請求項18に対応)
解決手段18は課題17の解決手段であり、接合電極部とは離れた位置の互いに対向する位置に親水部およびその周囲に撥水部がパターン形成されており、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを少なくとも含む金属ナノペーストを用い、接合電極部を少なくとも金属微粒子の凝集により接合したことである。
【0061】
【作用】
接合電極部は金属ナノペーストにより接合される。この電極部以外の領域に親水部およびその周囲に撥水部が形成されている。この親水部に水を供給し、この水の表面張力を利用してセルフアライメントする。この親水部、撥水部は電極部以外の任意の位置に形成することができるので、接合電極面積が小さいものあるいは大型の電子デバイスを接合するに際しても、十分なセルフアライメント効果を発揮することができ、高精度に位置合わせすることができる。また、水を使うことで、作業環境の悪化が防止される。
【0062】
【解決手段19】(請求項19に対応)
解決手段19は課題18の解決手段であり、溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを少なくとも含む金属ナノペーストを用い、少なくともその金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、水よりも高沸点の溶媒を用いるとともに、接合電極部とは離れた位置の互いに対向する位置に親水部およびその周囲に撥水部をパターン形成しておき、この親水部に水を供給し、この水の表面張力を利用してセルフアライメントし、電極間を接合することである。
【0063】
【作用】
金属ナノペーストの溶媒として水よりも高沸点の溶媒を用いることにより水の表面張力を利用して位置合わせし、その後に加熱することで、水および溶媒が気化するが、水の気化が溶媒の気化よりも先行して進むため、金属ナノペーストは必ず双方の電極間に濡れる。これにより両電極間との金属微粒子による融着接合が確実に行われる。
【0064】
【発明の実施の形態】
【実施例1】
図1を用いて実施例1を説明する。
100nm以下の非常に微細な金属微粒子は、表面の活性力が強いため融点より低い温度で金属の融着現象を含めた凝集が起こる。nmオーダーの金属微粒子となると、常温においても凝集が起こってしまう。そこで、この凝集現象を制御するため金属微粒子の表面に分散剤を被覆させ、溶媒中に分散させた金属微粒子含有の導電性ペースト、すなわち、金属ナノペーストが配線パターン形成用に開発されている。この金属ナノペーストを配線パターン状に形成し、150℃程度で加熱することにより、溶媒が蒸発して金属微粒子が凝集し始め、金属配線パターンが形成される。この実施例1は、上記金属ナノペーストを利用し、高精度に位置合せを行い、電極間を接合するものである。
【0065】
金属ナノペーストは、低粘度化されており溶媒の特性に近い表面張力をもっているので、その表面張力を利用してセルフアライメントを行い、かつ金属微粒子の凝集により接合する。この金属ナノペーストを濡れ広がりが制御可能な被接合体(基板)1の所定の電極パターン部に供給し、同じく濡れ広がりが制御可能な接合体(光学電子デバイス)2を金属ナノペーストを介して被接合体1の上に載せる。この被接合体1および接合体2は金属ナノペーストの表面張力によりX,Y方向の位置合せが高精度に行われる。この際に働く表面張力は、はんだ溶融状態よりも小さいが、接合体2の重量に対して金属ナノペーストが所定の濡れ広がり範囲(たとえば電極上)に収まれば、金属ナノペーストは低粘度であるから、この表面張力によりセルフアライメントされる。ここで、この接合体2の重量が所定以上に大きいと、金属ナノペーストは所定の濡れ広がり範囲を超えてしまう。これを解決する手段としては、金属ナノペーストの供給量および濡れ広がり面積を小さくする方法,金属ナノペースト供給箇所を多くする方法を単独で、あるいは組合せて用いることで接合体2の適合重量範囲を大きくすることができる。
【0066】
この状態で金属ナノペーストの溶媒を加熱して気化させることで金属ナノペーストの体積は減少し、被接合体1および接合体2の電極間距離が小さくなる。そしてこの電極間距離は最終的に金属ナノペースト中の固形分の量に依存する。たとえば、水を溶媒中にAg微粒子を50wt%含有する金属ナノペーストとすると、Agの密度は約10(g/cm)であることから、体積は1/10以下になる。
なお、上記被接合体1と接合体2の電極間は、金属ナノペースト中に含まれる金属微粒子が互いにあるいは電極間で凝集することで接合されるが、この実施例は、初期接合材の供給量に対して、体積減少して接合されることが大きな特徴である。これによれば、初期供給量が多少ばらついていても、接合に寄与する材料の量のばらつきが少なく、当該ばらつきが小さい分だけ、Z方向の位置合わせ精度が高くなり、また、接合時の高さが低くなる。
また、この実施例によれば接合時に光学特性を劣化させる揮発分を含まないことから光学素子デバイス接合に対しても洗浄不要である。
【0067】
高精度位置合せが要求される光学電子デバイスを金属ナノペーストにより接合するときのプロセスおよび構造を図1に示している。
まず、基板電極上に金属ナノペーストを供給し、光学電子デバイスを仮位置決めして搭載する(図1(a))。このとき、光学電子デバイスは金属ナノペーストの表面張力により、XY方向にセルフアライメントされる(図1(b))。次いで加熱して溶媒を気化させる。この加熱気化にともなう体積減少により、金属微粒子が凝集し、電極間での接合がなされる(図1(c))。
ここで、金属ナノペーストの体積減少により、初期供給量ばらつきに対して接合後の膜厚ばらつきが非常に小さくなることから、Z方向位置合わせも高精度になるが、この金属微粒子の融着現象は、加熱温度を高くすることにより促進され、接合強度も向上する。これに対して、導電性ペースト中に接着剤を混練すると、金属微粒子間の融着現象が低くても接着剤により接合部を補強できるので、低温で接合しても強度は向上する。
【0068】
【実施例2】
この実施例2は、金属ナノペーストとして主たる溶媒が水である微粒子コロイド溶液を用いて接合するものである。水は溶媒の中では表面張力が大きい特性 (常温において約72dyne/cm)を持っており、微粒子コロイド溶液においても同等レベルの表面張力を示し、セルフアライメント効果を十分に発揮することができる。
【0069】
また、実施例2では、水を溶媒としたAg微粒子(30〜50wt%)のコロイド溶液にてAu電極を有する基板及び電子デバイスの接合を実施したものであり、加熱温度を150,200,250℃にしたものである。そして、その接合性を評価したところ、加熱温度150℃ではAg微粒子の融着現象があまり見られず、接合強度が低かったが、加熱温度を高くすると融着現象が増加し、さらに接合強度が高くなり、良好な接合が得られる。
【0070】
この加熱硬化による接合プロセスにおいて、溶媒の気化が十分に進んでいない状態で微粒子の融着現象が発生し始めると、接合部にボイドを巻きこんでしまい、接合強度が低下し、また、Z方向の高さばらつきが大きくなってしまうが、これに対しては温度プロファイルを改良することで対応できる。まず、微粒子の融着現象があまり起こらず溶媒の沸点よりも低温の第一の温度域まで加熱して溶媒を気化させ、その後、微粒子が融着現象を起こす程度の高温の第二の温度域まで加熱して接合することにより、接合部へのボイド巻きこみを低減することができ、また、接合強度の向上とZ方向位置合わせ精度も高くなることが確認された。具体的には水溶媒の場合、沸点よりも低い60〜90℃程度を第一の温度域とし、金属微粒子融着促進のため、第二の温度域を250℃程度とすることで良好な接合特性が得られた。この加熱硬化による接合プロセスにおける温度プロファイルの一例を図2に示す。尚、ここでは、金属微粒子としてAgを例示したが、他の金属微粒子でも同様の効果が得られる。また、溶媒も水に限定されるものではない。
【0071】
【実施例3】
図3を用いて実施例3を説明する。
粘度の低い液体を定量供給する方法としてはディスペンサが一般的に用いられている。高精度に定量供給するためには、高価なディスペンサを使用する必要があるとともに接合部が複数ある場合は、各接合点にそれぞれ供給する必要があり、また、時間がかかってしまう。また、インクジェット方式で供給することも考えられるが、この場合は、ディスペンサ同様、供給するための時間が長くかかってしまう。
そこでこの実施例3では、金属ナノペーストの表面張力を利用して、ペースト量を精度良く供給するようにした。その詳細は次のとおりである。
はじめに金属ナノペーストを金属ナノペースト供給用ツール上に供給する。この供給量は接合部位に供給する量よりも多くしておく。この金属ナノペースト供給用ツール上に金属ナノペーストを供給して後、接合部位に金属ナノペーストを付着させ、金属ナノペーストを接合部位に転写する。この接合部位への転写量は金属ナノペーストの表面張力と接合部位の面積に準じるから、供給量が安定する。
【0072】
また、実施例3では、金属ナノペースト供給用ツールとして、パターン状に親水性、撥水性を有する版を用いた。図3において、22が親水性を有する部分 (親水部)、21が撥水性を有する部分(撥水部)である。親水部、撥水部をパターン状に形成した版としては、一般的に印刷等に用いられている水なし版(東レ製,PRESTEK社製)等を利用できる。基本的には撥水部にフッ素系樹脂あるいはシリコーン系樹脂を用いればよく、他方、親水部には表面エネルギーの大きい金属、酸化物膜を用いればよい。
【0073】
版上の親水部のパターン配置は接合部位に対応させているが、この例では、接合部位のサイズはφ0.3mm、ツール上での親水性の高い部位(親水部)のサイズはφ0.5mmである。ツール上面積を大きくすることにより、接合部への金属ナノペーストの安定供給が可能である。この版上への供給は金属ナノペーストの濡れ性の差を利用してローラー方式、霧状噴霧方式等で行う。版上からの接合部位への転写は、版を接合部位に近づけ金属ナノペーストを接合部位に接触させた後、版をゆっくり離していく。このとき、金属ナノペーストの表面張力により、所定の金属ナノペースト量が接合部位に転写される。図3は金属ナノペーストを基板1に転写供給した状態を示している。
【0074】
実施例3では版を用いたが、所定パターンの微細な穴を形成したマルチノズルから金属ナノペーストを飛び出させ、この金属ナノペーストの表面張力を利用して接合部に転写供給するようにするとも可能である。転写供給後は、前記実施例に倣って、接合体2の電極と被接合体1の電極を接合すればよい。
【0075】
【実施例4】
図4を用いて実施例4を説明する。
金属ナノペーストの表面張力を利用してセルフアライメントするためには、金属ナノペーストの濡れ広がりを電極部のみに制限する必要がある。そこで実施例4では、両電極部を凸形状とし、電極コーナー部での見掛け上の接触角を大きくすることができることから、溶融はんだに対して表面張力の小さい金属ナノペーストにおいても濡れ広がりを電極凸部上部に制限することができる(図4(a))。この電極凸部のトップ部コーナーは鋭角であること、即ち、凸形状電極コーナー部のRが小さいことが望ましい。なぜなら、Rが大きくなると金属ナノペーストが側面に濡れ広がりやすくなるからである。このようにして接合することにより、高精度に位置合わせされた凸状電極間を金属微粒子の凝集により接合できる(図4(b))。なお、凸形状電極高さは1μm以上で効果があるが、高さばらつきを抑える上でも1〜10μmが望ましい。
【0076】
【実施例5】
図5を用いて実施例5を説明する。
上記の通り、金属ナノペーストの表面張力を利用してセルフアライメントするためには、金属ナノペーストの濡れ広がりを電極部のみに制限する必要がある。実施例5では、図5に示すように、被接合体1の電極周辺部に電極より濡れ性の低い撥水部41を形成することにより、金属ナノペーストの濡れ広がりを当該電極部に制限する。なお、撥水部41は電極に一部かかっていても特に問題はなく、また、電極と撥水部が必ずしも接している必要はない。
【0077】
【実施例6】
金属微粒子の凝集による電極間接合において、表面粗さを大きくすることで接合電極との接合強度を向上させることができることが判明した。具体的には10nm以上であり、電極との接触面積が増大するためと考えられる。ただし、表面粗さが1000nm以上となると、表面の凹凸を埋めるだけの多量の金属微粒子を必要とし、金属微粒子の凝集による膜厚を厚くすることになるが、内部応力が高くなることでクラック等が発生しやすく、逆に接合強度が低くなってしまう。このため、接合電極の表面粗さは10〜1000nmが望ましい。
【0078】
【実施例7】
次いで実施例7について説明する。
実施例7は金属ナノペースト中に100nm以上の径の揃った球形フィラー51を含有するものである(図6参照)。この金属ナノペーストを接合電極部に供給後、電子デバイスをマウントし、X,Y方向にセルフアライメントする。その後、加熱することで金属ナノペースト中の溶媒が気化し体積減少し、金属微粒子の凝集による接合が起こる。ここで、電極間には球形フィラー51が挟みこまれた状態となり、この球形フィラーの径によって電極間ギャップが決まるので、球形フィラー51の径を調整することによりZ方向の位置制御がなされることになる。この電極間に挟まれた球形フィラー51の表面は金属微粒子の凝集による金属膜52が形成され、接合電極と連続した電気的な導通を確保することができる。
【0079】
この球形フィラーとしては、単分散の有機フィラーおよび無機フィラー等の絶縁性フィラーを活用することができる。複数種類の径を持った球形フィラーを含有させても良いが、最大径の球形フィラーはZ方向の位置を規定するものであるから、その径は均一でなければならない。
球形フィラー径に依存するこの高さ調整は金属ナノペーストの大きな体積減少があってはじめて成り立つものである。また、金属ナノペーストの金属微粒子が加熱プロセスで球形フィラーの表面を覆う金属膜52を低温で形成することができるので、球形フィラーとしては絶縁材料を使用することができ、連続体となる電極との接合も可能でなる。
【0080】
球形フィラーを含有して接合する場合は、球形フィラー表面の金属微粒子凝集により、金属膜52を介して接合するため、接合強度確保のためには球形フィラー表面の金属膜密着力を高める必要がある。この方法としては、球形フィラーの表面粗さを10nm以上とすることでアンカー効果による密着力を向上させることができるが、1000nmを超えると、Z方向の高さばらつきが大きくなってしまう。即ち、球形フィラーの表面粗さを10〜1000nmとすることで接合強度を向上させ、Z方向位置合せ精度を高くすることができる。
【0081】
また、金属膜密着力の向上策としては、金属ナノペーストに混練する前に球形フィラー表面を活性化処理する方法がある。この活性化処理方法としては、大気圧中でのプラズマ表面処理をすることで可能である。大気圧中でプラズマ表面処理できる装置は、特別なものである必要はなく汎用のものを使用することができる。球形フィラー表面をプラズマ処理するには、球形フィラーを容器に入れ、この容器を超音波振動させながら上方からプラズマ照射すればよい。これによって均一に表面処理が容易になされる。
【0082】
更に、この球形フィラーの少なくとも表面層に導電性を持たせてもよい(図7の模式図参照)。この場合、接合された状態としては、球形フィラー表面の導電層61の上に更に金属ナノペースト中の金属微粒子の凝集による金属膜52が形成されるとともに接合電極とも接合されるため、接合部の抵抗を更に低くすることができ、さらにまた球形フィラー51との密着力が向上し、接合強度が向上する。
導電性を持つ球形フィラーとして、例えば、単分散の有機コア粒子(平均粒子径6μm,CV値2.8%)にNi,Auを被覆した球形フィラーを用いることにより、球形フィラーに対する金属微粒子の凝集によって金属膜52を良好に形成し接合することができる。
【0083】
なお、電極間のギャップを高精度に制御するための径の揃った球形フィラーに加え、より径の小さい球形フィラーを含有してもよく、この場合、接合後の球形フィラー充填量が増し、球形フィラー表面に形成された金属微粒子の融着による導通経路が増えるので抵抗が一層低下する。
【0084】
【実施例8】
実施例8は、金属ナノペースト中にZ方向の高さを制御するための球形フィラー51と10〜1000nmの径を持つ一軸方向に伸びた形状のフィラー(以下針状フィラー)71を少なくとも含んだ構成により電極間を接合するものである(図8参照)。
接合部においては、球形フィラー表面に金属微粒子の凝集による金属膜(図示略)が形成されるとともに針状フィラーは3次元的な網目構造で相互に接触する構造となるとともに、金属微粒子の凝集により表面に金属膜が形成され、また針状フィラー間の接触点でも金属微粒子の凝集による接合点を確保することができる。これにより、球形フィラー51だけを用いた場合より、導通経路を増やすことができることから接続抵抗を低くすることができるとともに接合強度も向上する。ここで、針状フィラー71の径が10nm以下の場合は凝集してしまい、3次元的な網目構造を有する針形状の特性を損なってしまい、また、1000nm以上の場合は、Z方向の位置合わせに対してばらつきが大きくなってしまう。
この針状フィラーについては、その表面を金属微粒子と同じ金属で被覆しており(図9(a)の模式図、図9(b)の拡大図参照)、これにより、金属微粒子の凝集に対して安定して針状フィラーが接合されるようになる。上記金属は貴金属であることが望ましく、上記金属被覆は、例えば、無電解メッキによるものでよい。
【0085】
上記針状フィラーは3次元的な網目構造で互いに接触しやすい特性を有しており、球形フィラーと混練した場合、溶媒気化による体積減少時に球形フィラー51と針状フィラー71が重なることによるZ方向高さばらつきの発生を防止する必要があるが、これは、加熱接合時に超音波振動を加えることで可能である。これにより、Z方向の高精度で位置合せがなされる。
【0086】
【実施例9】
実施例9は、そのZ方向の高さが、接合部以外の部分において一方あるいは双方の凸状突き当て部91が接触することで任意に制御されるものである(図10参照)。そして、その接合部は針状フィラーを含んだ金属ナノペーストにより接合されており、この針状フィラーは3次元的な網目構造で互いに接触する構造になるとともに、金属微粒子の凝集により表面に金属膜が形成され、また針状フィラー間の接触点でも金属微粒子の凝集による接合点が確保されている。針状フィラー間は点状に接合されているため、接合部にフレキシブル性を持っている。これにより、接合部に発生する応力が緩和され、熱応力等の応力に対する接合の信頼性を向上させることができる。
【0087】
【実施例10】
実施例10では、接合電極部を金属ナノペーストによって接合している。接合体1及び被接合体2は、それぞれ、電極部以外の領域に親水部13およびその周囲に撥水部14が形成されており(図11参照)、両者の親水部間に水を供給し、この水の表面張力を利用することでセルフアライメントがなされる。この親水部13、撥水部14は電極部以外の任意の位置に形成することができるので、接合電極面積が小さいものあるいは大型の電子デバイスを接合するに際しても、十分なセルフアライメント効果が発揮されて、高精度で位置合わせされる。
【0088】
また、金属ナノペーストの溶媒として水よりも高沸点の溶媒を用いる。これは、水の表面張力を利用して位置合わせした後に加熱することで水および溶媒が気化するが、水の気化が溶媒の気化よりも先行して進んで、金属ナノペーストが必ず双方の電極間に濡れるようにするためである。これにより、確実に、両電極間との金属微粒子による融着接合がなされる。
【0089】
【発明の効果】
この発明の効果を、各請求項毎に整理すれば次のとおりである。
1)請求項1に係る発明の効果
溶媒と金属微粒子とを含む金属ナノペーストの表面張力によるセルフアライメント作用を利用することで、XYZ方向の位置合わせ精度を高くすることができ、金属ナノペーストの体積減少による金属微粒子の凝集を利用して電極間を低温下で導通接合させることができる。
【0090】
2)請求項2に係る発明の効果
金属微粒子の融着とともに接着剤の接着力を活用することにより、接合強度を向上させることができる。
【0091】
3)請求項3に係る発明の効果
金属ナノペーストの溶媒として水を使うことにより表面張力を大きくすることができるから、位置合わせ精度を高くすることができ、また、溶媒の気化によって作業環境を悪化させることもない。
【0092】
4)請求項4に係る発明の効果
ステップキュアとすることで、溶媒が気化する前に微粒子が凝集することを防止でき、接合部でのボイド巻きこみを低減できる。これにより、接合強度を向上させるとともにZ方向の位置精度を向上させることができる。
【0093】
5)請求項5に係る発明の効果
金属ナノペーストの表面張力を利用して接合部にペーストを供給することにより、簡易な方法でその供給量を高精度に制御できる。
【0094】
6)請求項6,7に係る発明の効果
電極を凸形状にし、あるいはその周囲を撥水処理することで、導電性ペーストの濡れ広がりを制限でき、安定したセルフアライメント効果による高精度の位置合せが可能である。
【0095】
7)請求項8に係る発明の効果
接合電極表面粗さを制御することで、その接合電極表面と金属微粒子との接触面積が大きくなり、電極に対する接合強度が高められる。
【0096】
8)請求項9に係る発明の効果
導電性ペースト中に球形フィラーを含めることにより、その径に準じた電極間ギャップに制御でき、球形フィラーの径によってZ方向高さを高精度で設定することができる。
【0097】
9)請求項10、請求項11に係る発明の効果
球形フィラーの表面に凹凸を形成し、あるいは表面を活性化させることで、金属微粒子の融着による金属膜の球形フィラーに対して密着力を向上させ、接合強度を高くすることができる。
【0098】
10)請求項12に係る発明の効果
球形フィラーの表面処理を大気圧環境下で行うことができ、生産性を高くし、低コスト化が図られる。
【0099】
11)請求項13に係る発明の効果
球形フィラーが導電性を有していることから、この球形フィラーと金属微粒子による金属膜との密着力も上がり接続抵抗が低減され、接合強度が向上する。
【0100】
12)請求項14に係る発明の効果
針状フィラーは3次元的な網目構造の状態で接触し、金属微粒子により互いに接合されるため、導通経路を無数に確保することができ、接続抵抗を低減することができる。
【0101】
13)請求項15に係る発明の効果
針状フィラーは金属微粒子と同じ金属を表面に持っていることから、針状フィラーとの凝集が安定的になされ、接続抵抗を低減することができる。
【0102】
14)請求項16に係る発明の効果
加熱接合時に超音波振動を加えることにより、球形フィラーと針状フィラーとの重なりによるZ方向高さばらつきの発生を防止できる。
【0103】
15)請求項17に係る発明の効果
突き当て部により、Z方向の高さ制御が高精度で可能であり、また、針状フィラー間が点接合されていることにより、応力緩和が可能になり、接合信頼性が向上される。
【0104】
16)請求項18に係る発明の効果
接合部以外の領域で表面張力を利用して位置合せを行うことができ、接合電極面積が小さいものあるいは大型の光学電子デバイスを接合する場合でも、高精度に位置合わせすることができ、また、金属微粒子による微細な電極間の接合も可能である。
【0105】
18)請求項19に係る発明の効果
溶媒を水よりも高沸点とすることで、水を先行して気化させることが可能であり、これにより金属微粒子の融着による電極接合を確実に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】は、本発明の第1実施例の説明図である。
【図2】は、本発明の第2実施例における加熱硬化による接合プロセスの温度プロファイルの一例である。
【図3】は、本発明の第3実施例の説明図である。
【図4】は、本発明の第4実施例の説明図である。
【図5】は、本発明の第5実施例の説明図である。
【図6】は、本発明の第7実施例の構成の説明図である。
【図7】は、本発明の第7実施例の他の構成の説明図である。
【図8】は、本発明の第8実施例の構成の説明図である。
【図9】(a)は本発明の第8実施例の他の構成の説明図であり、図9(b)は針状フィラーと該フィラー表面に形成された導電層及び該導電層の表面に凝集した金属微粒子による金属膜の状態を示す拡大図である。
【図10】は本発明の第9実施例の説明図である。
【図11】は本発明の第10実施例の説明図である。
【符号の説明】
1:被接合体(基板)
2:接合体(光学電子デバイス)
21,41,101:撥水部
22,102:親水部
51:球形フィラー
52:金属微粒子凝集による金属膜
61:球形フィラー表面の導電層
71:針状フィラー
91:突き当て部

Claims (19)

  1. 溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合したことを特徴とする光学電子デバイスの接合構造。
  2. 溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子と接着剤とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集と接着剤により電極間を接合したことを特徴とする光学電子デバイスの接合構造。
  3. 水を主とした溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子を含むコロイド溶液である金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合することを特徴とする光学電子デバイスの接合方法。
  4. 溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト中の溶媒を揮発させる第一の加熱プロセスと金属微粒子を凝集させる第二の加熱プロセスを含むステップキュアにより電極間を接合することを特徴とする光学電子デバイスの接合方法。
  5. 溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト供給用ツール上に接合電極と同一パターンレイアウトで接合電極径より大きい面積に金属ナノペーストを表面張力により凸状に形成しておき、その金属ナノペーストを接合部位に転写供給することを特徴とする光学電子デバイスの接合方法。
  6. 接合体と被接合体双方の電極が凸形状に構成されており、その凸電極のトップ部が金属微粒子の凝集により接合したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光学電子デバイスの接合構造。
  7. 被接合体の電極周辺部に接合電極より撥水性が高い部位が形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光学電子デバイスの接合構造。
  8. 接合体と被接合体双方の電極の表面粗さが10nm〜1000nmの範囲に形成されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光学電子デバイスの接合構造。
  9. 金属ナノペースト中に径100nm以上の球形フィラーを含有し、この球形フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子が凝集し電極間が接合されていることを特徴とする請求項1又は請求項2の光学電子デバイスの接合構造。
  10. 球形フィラーの表面が10nm〜1000nmの凹凸を有していることを特徴とする請求項9記載の光学電子デバイスの接合構造。
  11. 溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを含む金属ナノペーストを用い、その金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、金属ナノペースト中にその表面を活性化処理してなる径100nm以上の球形フィラーを混練し、この球形フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子を凝集し電極間を接合することを特徴とする光学電子デバイスの接合方法。
  12. 活性化処理として、球形フィラー表面を大気圧中でのプラズマ処理により行うことを特徴とする請求項11記載の光学電子デバイスの接合方
    法。
  13. 球形フィラーが導電性を有しており、この球形フィラー表層の導電部と金属微粒子が凝集により接合されていることを特徴とする請求項9記載の光学電子デバイスの接合構造。
  14. 10nmから1000nmの径を持つ一軸方向に伸びた針状フィラーを含有し、この球形フィラーおよび針状フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子が凝集し電極間が接合されていることを特徴とする請求項9記載の光学電子デバイスの接合構造。
  15. 針状フィラーが導電性を有しており、少なくともその最表面が金属微粒子と同一の金属で構成されており、この針状フィラー表面の導電部と金属微粒子が凝集し電極間が接合されていることを特徴とする請求項14記載の光学電子デバイスの接合構造。
  16. 請求項14乃至請求項15の光学電子デバイスの接合構造を構成するときに、接合時に加熱し、超音波振動を加えることを特徴とする光学電子デバイスの接合方法。
  17. 双方の電極間は電極部以外の位置に設けられた一方あるいは双方に形成された突き当て部により所定のギャップが保たれ、金属ナノペースト中にはさらに針状フィラーを含有し、その針状フィラーの外周から接合電極表面に沿って金属微粒子が凝集し電極間が接合されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光学電子デバイスの接合構造。
  18. 接合電極部とは離れた位置の互いに対向する位置に親水部およびその周囲に撥水部がパターン形成されており、接合電極部は少なくとも金属微粒子の凝集により接合されていることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の光学電子デバイスの接合構造。
  19. 溶媒と100nm以下の径を持つ金属微粒子とを少なくとも含む金属ナノペーストを用い、少なくともその金属微粒子の凝集を利用して電極間を接合するに際し、水よりも高沸点の溶媒を用いるとともに、接合電極部とは離れた位置の互いに対向する位置に親水部およびその周囲に撥水部をパターン形成しておき、この親水部に水を供給し、この水の表面張力を利用してセルフアライメントし、電極間を接合することを特徴とする光学電子デバイスの接合方法。
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Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203468A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電子装置及びその製造方法
JP2006186748A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Daishinku Corp 圧電振動デバイス
JP2006211089A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Daishinku Corp 圧電振動デバイス
JP2007180059A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp 光半導体装置とその製造方法
JP2007184425A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007274104A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Daishinku Corp 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法
JP2008153470A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2008105425A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
JP2008545257A (ja) * 2005-06-30 2008-12-11 インテル・コーポレーション エレクトロマイグレーション耐性を有し柔軟性のあるワイヤ相互接続、ナノサイズのはんだ組成、それらを形成するシステム、およびはんだ付けされたパッケージの組み立て方法
WO2010013588A1 (ja) * 2008-08-01 2010-02-04 株式会社新川 金属ナノインクとその製造方法並びにその金属ナノインクを用いるダイボンディング方法及びダイボンディング装置
JP2010054004A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Sii Micro Precision Kk 転がり軸受ユニットの製造方法および転がり軸受ユニット
JP2010072196A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Konica Minolta Business Technologies Inc 固定構造、光走査装置、画像形成装置及び固定方法
WO2011030753A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2011210945A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Brother Industries Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP2011233899A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2011249599A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 Panasonic Corp 半導体実装基板およびそれを用いた実装構造体
JP2012238795A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Stanley Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
CN102891240A (zh) * 2012-09-18 2013-01-23 惠州雷曼光电科技有限公司 倒装结构的发光二极管及其制备方法
CN103378220A (zh) * 2012-04-23 2013-10-30 比亚迪股份有限公司 一种高压发光二极管芯片及其制备方法
JP2014013885A (ja) * 2012-06-05 2014-01-23 Jsr Corp 回路の製造方法及び回路
JP2014067876A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2018093033A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
JP2018157121A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 日本電気株式会社 実装基板および実装構造および実装方法
JP2019125913A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 オリンパス株式会社 超音波プローブ
KR20200114811A (ko) * 2019-03-29 2020-10-07 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005203468A (ja) * 2004-01-14 2005-07-28 Seiko Epson Corp 電子装置及びその製造方法
US7342179B2 (en) 2004-01-14 2008-03-11 Seiko Epson Corporation Electronic device and method for producing the same
JP2006186748A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Daishinku Corp 圧電振動デバイス
JP2006211089A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Daishinku Corp 圧電振動デバイス
US8441118B2 (en) 2005-06-30 2013-05-14 Intel Corporation Electromigration-resistant and compliant wire interconnects, nano-sized solder compositions, systems made thereof, and methods of assembling soldered packages
JP4918088B2 (ja) * 2005-06-30 2012-04-18 インテル・コーポレーション エレクトロマイグレーション耐性を有し柔軟性のあるワイヤ相互接続、ナノサイズのはんだ組成、それらを形成するシステム、およびはんだ付けされたパッケージの組み立て方法
JP2008545257A (ja) * 2005-06-30 2008-12-11 インテル・コーポレーション エレクトロマイグレーション耐性を有し柔軟性のあるワイヤ相互接続、ナノサイズのはんだ組成、それらを形成するシステム、およびはんだ付けされたパッケージの組み立て方法
JP2007180059A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Toshiba Corp 光半導体装置とその製造方法
JP2007184425A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Shinko Electric Ind Co Ltd 発光装置及びその製造方法
JP2007274104A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Daishinku Corp 圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法
JP2008153470A (ja) * 2006-12-18 2008-07-03 Renesas Technology Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN101681849B (zh) * 2007-02-28 2011-09-21 株式会社新川 焊接装置以及焊接方法
WO2008105426A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
US7726546B2 (en) 2007-02-28 2010-06-01 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus and bonding method
US7743964B2 (en) 2007-02-28 2010-06-29 Shinkawa Ltd. Bonding apparatus and bonding method
WO2008105425A1 (ja) * 2007-02-28 2008-09-04 Shinkawa Ltd. ボンディング装置及びボンディング方法
CN101681850B (zh) * 2007-02-28 2011-08-10 株式会社新川 焊接装置以及焊接方法
KR101039655B1 (ko) 2008-08-01 2011-06-08 가부시키가이샤 신가와 금속 나노 잉크와 그 제조방법 및 그 금속 나노 잉크를 사용하는 다이본딩 방법 및 다이본딩 장치
WO2010013588A1 (ja) * 2008-08-01 2010-02-04 株式会社新川 金属ナノインクとその製造方法並びにその金属ナノインクを用いるダイボンディング方法及びダイボンディング装置
US8328928B2 (en) 2008-08-01 2012-12-11 Shinkawa Ltd. Metal nanoink and process for producing the metal nanoink, and die bonding method and die bonding apparatus using the metal nanoink
JP2010054004A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Sii Micro Precision Kk 転がり軸受ユニットの製造方法および転がり軸受ユニット
JP2010072196A (ja) * 2008-09-17 2010-04-02 Konica Minolta Business Technologies Inc 固定構造、光走査装置、画像形成装置及び固定方法
US8664106B2 (en) 2009-09-09 2014-03-04 Tokyo Electron Limited Method of manufacturing semiconductor device
JP2011060941A (ja) * 2009-09-09 2011-03-24 Tokyo Electron Ltd 半導体装置の製造方法
WO2011030753A1 (ja) * 2009-09-09 2011-03-17 東京エレクトロン株式会社 半導体装置の製造方法
CN102498565A (zh) * 2009-09-09 2012-06-13 东京毅力科创株式会社 半导体装置的制造方法
KR101330969B1 (ko) * 2009-09-09 2013-11-18 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 반도체 장치의 제조 방법
JP2011210945A (ja) * 2010-03-30 2011-10-20 Brother Industries Ltd 多層プリント配線板の製造方法
JP2011233899A (ja) * 2010-04-28 2011-11-17 Lg Innotek Co Ltd 発光素子パッケージ
JP2011249599A (ja) * 2010-05-27 2011-12-08 Panasonic Corp 半導体実装基板およびそれを用いた実装構造体
JP2012238795A (ja) * 2011-05-13 2012-12-06 Stanley Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
CN103378220A (zh) * 2012-04-23 2013-10-30 比亚迪股份有限公司 一种高压发光二极管芯片及其制备方法
JP2014013885A (ja) * 2012-06-05 2014-01-23 Jsr Corp 回路の製造方法及び回路
CN102891240A (zh) * 2012-09-18 2013-01-23 惠州雷曼光电科技有限公司 倒装结构的发光二极管及其制备方法
JP2014067876A (ja) * 2012-09-26 2014-04-17 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2018093033A (ja) * 2016-12-01 2018-06-14 富士通株式会社 光モジュール及び光モジュールの製造方法
JP2018157121A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 日本電気株式会社 実装基板および実装構造および実装方法
JP2019125913A (ja) * 2018-01-16 2019-07-25 オリンパス株式会社 超音波プローブ
JP7013249B2 (ja) 2018-01-16 2022-01-31 オリンパス株式会社 超音波プローブ
KR20200114811A (ko) * 2019-03-29 2020-10-07 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법
KR102659865B1 (ko) 2019-03-29 2024-04-24 삼성전자주식회사 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법

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