JP2008205321A - 電子部品および電子装置の製造方法 - Google Patents

電子部品および電子装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2008205321A
JP2008205321A JP2007041545A JP2007041545A JP2008205321A JP 2008205321 A JP2008205321 A JP 2008205321A JP 2007041545 A JP2007041545 A JP 2007041545A JP 2007041545 A JP2007041545 A JP 2007041545A JP 2008205321 A JP2008205321 A JP 2008205321A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electronic component
solder
electrode
solder sheet
heating
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2007041545A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5066935B2 (ja
Inventor
Norio Kainuma
則夫 海沼
Kuniko Ishikawa
邦子 石川
Hidehiko Kira
秀彦 吉良
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP2007041545A priority Critical patent/JP5066935B2/ja
Priority to US11/951,693 priority patent/US7833831B2/en
Priority to CN2007101597560A priority patent/CN101252093B/zh
Publication of JP2008205321A publication Critical patent/JP2008205321A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5066935B2 publication Critical patent/JP5066935B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/06Soldering, e.g. brazing, or unsoldering making use of vibrations, e.g. supersonic vibrations
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016Brazing of electronic components
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/741Apparatus for manufacturing means for bonding, e.g. connectors
    • H01L24/742Apparatus for manufacturing bump connectors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3478Applying solder preforms; Transferring prefabricated solder patterns
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36Electric or electronic devices
    • B23K2101/40Semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/0556Disposition
    • H01L2224/05568Disposition the whole external layer protruding from the surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554External layer
    • H01L2224/05573Single external layer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/11001Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate
    • H01L2224/11003Involving a temporary auxiliary member not forming part of the manufacturing apparatus, e.g. removable or sacrificial coating, film or substrate for holding or transferring the bump preform
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/113Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector
    • H01L2224/1133Manufacturing methods by local deposition of the material of the bump connector in solid form
    • H01L2224/1134Stud bumping, i.e. using a wire-bonding apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods
    • H01L2224/118Post-treatment of the bump connector
    • H01L2224/1182Applying permanent coating, e.g. in-situ coating
    • H01L2224/11822Applying permanent coating, e.g. in-situ coating by dipping, e.g. in a solder bath
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099Material
    • H01L2224/131Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73201Location after the connecting process on the same surface
    • H01L2224/73203Bump and layer connectors
    • H01L2224/73204Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75251Means for applying energy, e.g. heating means in the lower part of the bonding apparatus, e.g. in the apparatus chuck
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7525Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/75252Means for applying energy, e.g. heating means in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the bonding head
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/8101Cleaning the bump connector, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/81011Chemical cleaning, e.g. etching, flux
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/81024Applying flux to the bonding area
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8112Aligning
    • H01L2224/81121Active alignment, i.e. by apparatus steering, e.g. optical alignment using marks or sensors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201Compression bonding
    • H01L2224/81203Thermocompression bonding, e.g. diffusion bonding, pressure joining, thermocompression welding or solid-state welding
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818Bonding techniques
    • H01L2224/81801Soldering or alloying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • H01L2224/83192Arrangement of the layer connectors prior to mounting wherein the layer connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00013Fully indexed content
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01009Fluorine [F]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3025Electromagnetic shielding
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10621Components characterised by their electrical contacts
    • H05K2201/10674Flip chip
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10613Details of electrical connections of non-printed components, e.g. special leads
    • H05K2201/10954Other details of electrical connections
    • H05K2201/10984Component carrying a connection agent, e.g. solder, adhesive
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/02Details related to mechanical or acoustic processing, e.g. drilling, punching, cutting, using ultrasound
    • H05K2203/0285Using ultrasound, e.g. for cleaning, soldering or wet treatment
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0338Transferring metal or conductive material other than a circuit pattern, e.g. bump, solder, printed component
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1105Heating or thermal processing not related to soldering, firing, curing or laminating, e.g. for shaping the substrate or during finish plating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

【課題】配線基板の接続パッドにはんだを被着させることなく電子部品を実装することを可能とし、配線基板の接続パッドを狭ピッチに配置することを可能とし、狭ピッチに形成された電極突起を備える電子部品であっても、接続電極間の電気的短絡を防止して搭載することができる電子部品およびこの電子部品を用いた電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 電極突起12にはんだが被着された接続電極を備える電子部品の製造方法であって、はんだシート20を半溶融状態に加熱し、はんだシート20に電子部品10を押接して前記電極突起12をはんだシート20に接触させる工程と、前記電極突起12が前記はんだシート20に接触した位置から電子部品10を離間させ、はんだシート20に接触した前記電極突起12の外面にはんだ20aを転写させる工程とを備える。
【選択図】図1

Description

本発明は、電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品およびその製造方法、並びに前記電子部品を配線基板等に実装して得られる電子装置およびその製造方法に関する。
半導体チップをフリップチップ接続によって配線基板に搭載する方法には、半導体チップの電極に接続用のはんだバンプを形成して配線基板に接合する方法と、配線基板に形成された接続パッドにはんだを被着させ、半導体チップの電極と接続パッドとを位置合わせして接合する方法がある。
半導体チップの電極にはんだバンプを形成する方法には、キャリアチップにドット状にはんだ層を形成して半導体チップの電極にはんだ層を転写する方法(特許文献1参照)や、半導体チップの電極を加熱した状態で電極にはんだシートを接触させ、はんだを溶融させて電極にはんだを付着させることによってはんだバンプを形成する方法(特許文献2参照)がある。
配線基板の接続パッドにはんだを被着する方法としては、はんだクリーム印刷あるいははんだめっきがある。配線基板の接続パッドにはんだを被着して半導体チップを接合する場合に、半導体チップの電極がきわめて狭ピッチになるような場合には、半導体チップの電極に突起状のスタッドバンプ(電極突起)を形成し、配線基板の接続パッドに微細なはんだ粉を粘着させ、接続パッドのはんだを溶融して電極突起を接続パッドに接合する方法がある(特許文献5参照)。
特開平10−229087号公報 特開平8−203904号公報 特開平11−163199号公報 特開平10−70153号公報 特開2000−77471号公報
上記のように、配線基板の接続パッドにあらかじめはんだを被着させる方法の場合は、基板にクリームはんだ印刷やはんだめっき等といった処理を施さなければならないから、そのために製造コストがかかる。また、半導体チップの電極がきわめて狭ピッチになると、配線基板の接続パッドも狭ピッチになるから、接続パッドがはんだにより電気的に短絡しやすくなる。
また、半導体チップを配線基板に接合する際には半導体チップを加熱しながら接合するが、半導体チップは配線基板にくらべて熱伝導性が良好であるから、配線基板の接続パッドに供給されたはんだが溶融したときに電極突起側にはんだが濡れ上がり、半導体チップの接合性が不確実になるという問題がある。
本発明はこれらの課題を解決すべくなされたものであり、配線基板の接続パッドにはんだを被着させるといった基板に対する処理を不要とし、配線基板の接続パッドを狭ピッチに配置することを可能とし、狭ピッチに形成された電極突起を備える電子部品であっても、接続電極間の電気的短絡を防止して搭載することができる電子部品およびその製造方法、ならびにこの電子部品を用いた電子装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、上記目的を達成するため次の構成を備える。
すなわち、電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品の製造方法であって、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させる工程と、前記電極突起がはんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写させる工程とを備えることを特徴とする。
また、前記はんだシートを加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を加熱ヘッドに支持し、前記加熱ステージと前記加熱ヘッドとにより前記はんだシートと前記電子部品とを挟圧して、前記はんだシートに前記電極突起を押接することにより、はんだシートから電極突起に好適にはんだを転写することができる。
また、前記加熱ステージと前記加熱ヘッドとを、前記はんだシートを半溶融状態とする温度に加熱するとともに、前記加熱ステージの加熱温度を前記加熱ヘッドの加熱温度よりも高温に設定することによって、電極突起に確実にはんだを被着させることができる。
また、前記はんだシートに前記電極突起を押接する際に、電子部品に超音波を印加することによって、はんだシートの加熱温度を高くすることなく、電極突起にはんだを転写することができる。
また、前記はんだシートを加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を超音波ヘッドに支持し、前記加熱ステージと前記超音波ヘッドにより前記はんだシートと前記電子部品とを挟圧し、前記超音波ヘッドにより前記電子部品に超音波を印加して前記はんだシートに前記電極突起を押接する方法が有効である。
また、前記電子部品に超音波を印加して前記はんだシートに前記電極突起を押接する操作を、窒素雰囲気下で行うことにより、電極突起に形成されるはんだのフレッティング腐食を防止することができる。
また、電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品を、接続パッドが形成された配線基板に、前記接続電極を接続パッドに接合して実装する電子装置の製造方法において、前記電子部品は、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させた後、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写して形成され、該電子部品の接続電極と配線基板の前記接続パッドとを位置合わせし、前記はんだが溶融する温度に加熱して前記電子部品と配線基板とを接合する工程を備えることを特徴とする。
また、前記電子部品として、前記はんだシートに前記電極突起を押接する際に、電子部品に超音波を印加して前記はんだシートから電極突起にはんだを転写した電子部品を用いることが有効である。
また、前記配線基板を加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を実装加熱ヘッドに支持し、前記加熱ステージを前記はんだの融点以上に加熱する一方、前記実装加熱ヘッドの加熱温度を前記加熱ステージよりも低温に設定して前記電子部品と配線基板とを接合することにより、電極突起側へのはんだのはい上がりを防止して、電極突起と接続パッドとを確実に接合することができる。
また、前記配線基板の前記電子部品が実装される領域にあらかじめフラックスフィルを塗布し、前記電子部品の接続電極と前記配線基板の接続パッドとを位置合わせし、該電子部品と配線基板とを前記はんだが溶融する温度に加熱するとともに、前記フラックスフィルを熱硬化して前記電子部品と配線基板とを接合することにより、電極突起と接続パッドとを確実に接合することができるとともに、電子部品と配線基板との接合部を封止して、電子部品と配線基板との接合部を確実に保持することができる。
また、電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品として、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させる工程と、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写させる工程とを有する製造方法により形成された電子部品が好適に用いられる。
また、電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品を、接続パッドが形成された配線基板に、前記接続電極を接続パッドに接合して実装されて形成された電子装置として、前記電子部品は、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させた後、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写して形成され、該電子部品の接続電極と配線基板の前記接続パッドとを位置合わせし、前記はんだが溶融する温度に加熱して前記電子部品と配線基板とを接合する工程を有する製造方法により形成された電子装置が好適に用いられる。
本発明に係る電子部品および電子装置の製造方法によれば、電子部品の電極突起にはんだシートからはんだを転写し、電子部品側に実装用の接続電極を形成する方法によることで、接続電極を容易に形成することができ、かつ電極突起が電気的に短絡することを防止して、きわめて狭ピッチに電極突起が形成された電子部品であっても確実に実装することが可能となる。また、電子部品に接続電極を形成することによって、接続パッドの電気的短絡を防止して高密度に接続パッドを形成した配線基板を容易に製造することが可能となる。
(電子部品の製造方法:第1実施形態)
図1は、半導体チップの電極突起の外面にはんだを被着して接続電極が形成された電子部品を製造する工程を示す。図1(a)は、半導体チップ10の電極に電極突起12を形成した状態である。電極突起12は、いわゆるボールボンディング法によって形成される。ボンディングツールにより金ワイヤを溶融してボール部を形成し、半導体チップ10の各々の電極(不図示)にボール部12aを押接し、金ワイヤを引き上げながら切断して突起部12bが形成される。突起部12bはやや扁平に形成されたボール部12aから尖鋭形状に突出する形態に形成される。
本発明に係る電子部品の製造方法では、はんだシート20を使用して半導体チップ10に形成した電極突起12の外面にはんだを被着させて接続電極を形成する。図1(a)は、電極突起12を形成した半導体チップ10とはんだシート20を説明的に示したものである。はんだシート20は種々の厚さの製品が圧延ロール体として提供されている。電極突起12ではんだを被着させる部分の高さに応じて、適宜圧さのはんだシート20を選択すればよい。
本実施形態の半導体チップ10の電極突起12の高さは30μm程度であるので、はんだシート20としては厚さ50μmのものを使用した。また、本実施形態で使用したはんだシート20はSn−Ag(錫−銀)はんだからなるもので、融点220℃のものである。
図1(b)は、はんだシート20に電極突起12を向けて半導体チップ10を加圧し、電極突起12の突起部12bをはんだシート20に埋没させるように差し込む工程を示す。はんだシート20は加熱ステージ30上に支持して加熱し、半導体チップ10は実装加熱ヘッド32に吸着支持して加熱する。半導体チップ10の電極突起12を形成した面を、加熱ステージ30に支持されたはんだシート20の面に平行に対置し、実装加熱ヘッド32をはんだシート20に向けて押圧する。
実装加熱ヘッド32と加熱ステージ30とで半導体チップ10とはんだシート20とが挟圧され、半導体チップ10の電極突起12の突起部12bがはんだシート20に押入される。電極突起12はボール部12aから突起部12bが突出する形態に形成されているから、突起部12bがはんだシート20に没入した状態で電極突起12の押入位置が規制される。
図1(b)に示す工程においては、加熱ステージ30および実装加熱ヘッド32をはんだシート20が半溶融状態となるように加熱制御する。半溶融状態とは、はんだシート20の溶融温度以下ではんだシート20が軟化する温度領域であり、はんだが完全に固体となっている状態と液体となる状態の中間状態、いいかえれば固相と液相が混在している状態である。この半溶融状態でははんだシートはシートの状態を維持している。
本実施形態において使用しているSn−Agはんだの融点は220℃であり、170℃程度から半溶融状態になる。
はんだシート20を半溶融状態としてはんだシート20から電極突起12にはんだを転写するため、本実施形態では実装加熱ヘッド32の温度を150℃程度とし、加熱ステージ30の温度を190℃程度とした。実装加熱ヘッド32の温度を加熱ステージ30の温度よりも低く設定するのは、電極突起12に過度にはんだが転写されないようにするためである。実装加熱ヘッド32の温度をはんだの融点程度にまで上げると、電極突起12がはんだシート20に接触した際に、はんだが電極突起12の外面に這い上がり、電極突起12に転写されるはんだの付着量が多くなる。したがって、実装加熱ヘッド32の加熱温度ははんだシート20の半溶融温度領域での低温側か半溶融温度領域よりも若干低温程度とするのがよい。これに対して、加熱ステージ30ははんだの半溶融温度域の高温側に設定する。これによって、電極突起12がはんだシート20に差し込みやすくなり、電極突起12にはんだが付着しやすくなる。
図1(c)は、図1(b)に示す工程後、半導体チップ10をはんだシート20から離間させた状態を示す。半導体チップ10の電極突起12ではんだシート20に没入した突起部12bの外面に、はんだ20aが被着して接続用の接続電極14が形成された電子部品が得られる。はんだシート20には、電極突起12の突起部12bが没入した凹部21が形成される。
電極突起12の突起部12bに被着するはんだ20aの厚さは平均2〜3μm、最大5μm程度である。電極突起12にこの程度の厚さにはんだ20aが付着することで、配線基板に形成された接続パッドと確実にはんだ接合される。
本実施形態のはんだシート20を半溶融状態としてはんだシート20から電極突起12にはんだを転写して接続電極14を形成する方法は、半導体チップ10に容易に接続用の接続電極を形成することができるという利点がある。また、電極突起12には薄くはんだ20aが被着されるから、はんだを溶融して電極にはんだを付着させてはんだバンプを形成する方法と比較して、電極突起12がきわめて狭ピッチに形成されている場合でも電極突起12を電気的に短絡させずに接続電極が形成できるという利点がある。
(電子部品の製造方法:第2実施形態)
図2は、はんだシート20を使用して半導体チップ10の電極に設けた電極突起12にはんだを転写する第2の実施の形態を示す。
本実施の形態では、半導体チップ10を超音波ヘッド40によって吸着支持し、はんだシート20から半導体チップ10の電極突起12にはんだを転写する際に、半導体チップ10に超音波を作用させて電極突起12にはんだを転写することを特徴とする。
図2(a)は、はんだシート20を加熱ステージ30に支持し、電極突起12をはんだシート20に対向させて、半導体チップ10を超音波ヘッド40に吸着支持した状態である。図2(b)は、加熱ステージ30に支持されたはんだシート20に半導体チップ10を押接し、はんだシート20に電極突起12の突起部12bを進入させた状態で超音波ヘッド40により超音波を作用させている状態である。突起部12bをはんだシート20に没入させた状態で超音波振動を印加している時間は0.5秒程度で十分である。
第1の実施の形態の場合と同様に、加熱ステージ30によりはんだシート20を半溶融状態となるように加熱し、超音波ヘッド40により半導体チップ10を加熱して、はんだシート20から電極突起12にはんだを転写する。本実施形態のように半導体チップ10に超音波を作用させてはんだを転写する場合は、超音波振動を利用しない場合にくらべて加熱ステージ30の加熱温度を低く設定してはんだを転写することができる。たとえば、本実施形態で使用しているSn−Agはんだからなるはんだシート20の場合は、加熱ステージ30の加熱温度を170℃程度とすればよい。これは、半導体チップ10に超音波振動を作用させてはんだシート20に電極突起12を接触させると、電極突起12がはんだシート20に接触した部位が摩擦によって温度上昇するためと考えられる。
本実施形態のように、半導体チップ10に超音波を作用させてはんだシート20から電極突起12にはんだを転写する方法の場合には、はんだシート20の加熱温度を低くすることができるから、はんだシート20の保形性が第1の実施の形態と比較して良好になり、はんだシート20の取り扱いが簡単になるという利点がある。また、半導体チップ10に超音波振動を作用させることによって、はんだシート20に進入した電極突起12の突起部12bがはんだシート20と摩擦して突起部12bとはんだシート20とが接触する部位に確実にはんだを転写することができる。
図2(c)は、はんだシート20から電極突起12の突起部12bにはんだ20aが転写されて接続電極14が形成された電子部品とはんだを転写した後のはんだシート20を示している。本実施形態の場合も、はんだシート20は半溶融状態として電極突起12にはんだ20aを被着させるから、はんだ20aは突起部12bの外面に薄く付着するだけであり、電極突起12が狭ピッチに配置されていても、電極突起12が電気的に短絡することを防止することができる。
ところで、半導体チップ10に超音波を印加してはんだシート20からはんだを電極突起12に転写する際に、電極突起12とはんだシート20との摩擦により、電極突起12とはんだとの接触部分に酸化膜が生じるフレッティング腐食(Fretting Corrosion)が生じる場合がある。電極突起12に転写されたはんだ20aに酸化膜が生じているか否かは、はんだが酸化膜になると黒色を呈することから簡単に見分けることができる。
このようなフレッティング腐食が生じないようにするには、半導体チップ10に超音波を印加してはんだシート20から電極突起12にはんだを転写する操作を、非酸化性雰囲気中で行えばよい。具体的には、はんだを転写する作業領域を外部から遮蔽して配置し、作業領域を窒素雰囲気下において行えばよい。簡単な方法としては、超音波ヘッド40により超音波を印加して半導体チップ10をはんだシート20に加圧する際に、半導体チップ10とはんだシート20とが接触する部位に向けて窒素ガスを吹き付けるようにすればよい。
図3(a)は、はんだシート20に電極突起12の突起部12bを押入した状態で電極突起12に超音波振動を印加した状態である。図3(b)は、電極突起12の突起部12bにはんだ20aが被着された状態で、はんだ20aが酸化してフレッティング腐食が生じた状態を説明的に示している。これに対して、図3(a)は、窒素雰囲気下で電極突起12にはんだ20aを転写させることによってはんだ20aが黒化せず、酸化膜を生じさせずにはんだ20aが転写されることを示す。
このように、窒素雰囲気下で半導体チップ10に超音波を印加してはんだシート20から電極突起12にはんだを転写する方法によれば、電極突起12に被着されるはんだ20aが酸化することを抑制することができ、電子部品を実装する際に確実にはんだ接合することができる。
なお、上記各実施形態においては半導体チップ10の電極に、ボールボンディング法によって形成した電極突起12を形成した電子部品を例に説明したが、半導体チップ10の電極に形成する電極突起12はボールボンディング法によって形成したものに限定されるものではない。また、電極突起12の形態も上記実施形態のボール部12aと突起部12bを有する形態に限定について説明したが、半導体チップ10の電極に形成する電極突起の形態も上記実施形態に限定されるものではない。ただし、本発明に係る電子部品の製造方法では、はんだシート20に電極突起の少なくとも先端部を進入させて電極突起にはんだを転写するから、電極突起が突起部の先端が尖鋭形状に形成されているものが有効に利用できる。
(電子装置の製造方法:第3実施形態)
図4は、電極突起12にはんだ20aが被着された接続電極14が形成された電子部品を配線基板に実装して電子装置を組み立てる製造工程例を示す。本実施形態の電子装置は、配線基板50に半導体チップ10をフリップチップ接続し、半導体チップ10と配線基板50との接合部が樹脂によって封止され、半導体チップ10が配線基板50に固着されて形成されている。
本実施形態の電子装置の製造方法は、配線基板50の半導体チップ10を搭載する領域に、あらかじめフラックスフィル60を塗布しておき、半導体チップ10をフリップチップ接続によって配線基板50に搭載する方法による。
図4(a)は、配線基板50の半導体チップ10を搭載する領域にフラックスフィル60を塗布した状態を示す。配線基板50の半導体チップ10を搭載する部位には、半導体チップ10に形成されている接続部である電極突起12の平面配置と配置位置を一致させて接続パッド52が形成されている。
フラックスフィル60は、半導体チップ10を配線基板50に搭載する際に、電極突起12と接続パッド52との接合性を確保するフラックスとしての作用と、半導体チップ10を配線基板50に搭載した後、半導体チップ10と配線基板50との間を充填し、半導体チップ10を配線基板50に固定支持するアンダーフィル樹脂としての作用を備えるものである。
図4(b)は、配線基板50を加熱ステージ70上にセットし、半導体チップ10を実装用の加熱ヘッド80に吸着支持し、配線基板50に位置合わせして接合する状態を示す。半導体チップ10の電極突起12と配線基板50に形成された接続パッド52とを位置合わせし、半導体チップ10を配線基板50に加圧・加熱して配線基板50に接合する。
図4(c)は、配線基板50に半導体チップ10を接合して電子装置を組み立てた状態を示す。半導体チップ10に形成された電極突起12が配線基板50に形成された接続パッド52に各々はんだ接合され、半導体チップ10と配線基板50との間にフラックスフィル60が充填され、半導体チップ10と配線基板50との接合部分が封止されている。
半導体チップ10を配線基板50に加圧してはんだ20aが溶融する温度に加熱することによって、電極突起12と接続パッド52との間にはんだが濡れ広がり、電極突起12と接続パッド52がはんだ接合される。また、その状態のまま加圧および加熱を維持することにより、フラックスフィル60が樹脂硬化し、半導体チップ10が配線基板50にしっかりと固着される。
半導体チップ10を配線基板50に加圧および加熱する際には、半導体チップ10を加圧および加熱する加熱ヘッド80の温度を、配線基板50を支持する加熱ステージ70の温度よりも低く設定するのがよい。これによって、半導体チップ10の電極突起12に被着したはんだ20aが、電極突起12から配線基板50の接続パッド52に濡れ広がり、電極突起12と接続パッド52が確実にはんだ接合される。
また、この場合に、半導体チップ10の加熱温度をはんだ20aの融点よりも低く設定し、配線基板50の加熱温度をはんだ20aの融点よりも高く設定することにより、接続パッド52から電極突起12側にはんだが濡れ上がるようになることを防止して、さらに確実なはんだ接合ができる。
なお、上記実施形態では、配線基板50にあらかじめフラックスフィル60を塗布して半導体チップ10を搭載する方法を説明したが、配線基板50に半導体チップ10を接合した後、半導体チップ10と配線基板50との接合部にアンダーフィル樹脂を注入して電子装置とすることもできる。あらかじめフラックスフィル60を配線基板50に供給して半導体チップ10を搭載する方法は、電極突起12がきわめて狭ピッチとなってアンダーフィルが困難な電子装置の製造に有効に利用できる。
本実施形態の電子装置の製造方法では、半導体チップ10の電極突起12にはんだ20aを被着し、配線基板50の接続パッド52にははんだを供給しないから、配線基板50の処理が容易である。また、接続パッド52をきわめて微細ピッチに形成した場合でも、隣り合った接続パッド52がはんだ供給によって電気的に短絡することを回避することができ、きわめて微細パターンに配線基板50を形成することができる。
また、半導体チップ10についても、はんだシート20から電極突起12にはんだ20aを転写することにより、狭ピッチに電極突起12が形成された半導体チップ(電子部品)を形成できるから、電極が高密度配置されている半導体チップであっても確実に配線基板に搭載することが可能になる。
なお、上記実施形態では電子部品として半導体チップを取り上げて説明したが、場合によっては半導体チップを搭載した半導体パッケージを実装する場合についても本願発明方法を適用することが可能である。この場合には半導体パッケージが電子部品に相当し、半導体パッケージを実装基板に搭載した製品が電子装置に相当する。
(付記1) 電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品の製造方法であって、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させる工程と、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写させる工程と、を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
(付記2) 前記はんだシートを加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を加熱ヘッドに支持し、前記加熱ステージと前記加熱ヘッドとにより前記はんだシートと前記電子部品とを挟圧して、前記はんだシートに前記電極突起を押接することを特徴とする付記1記載の電子部品の製造方法。
(付記3) 前記加熱ステージと前記加熱ヘッドとを、前記はんだシートを半溶融状態とする温度に加熱するとともに、前記加熱ステージの加熱温度を前記加熱ヘッドの加熱温度よりも高温に設定することを特徴とする付記2記載の電子部品の製造方法。
(付記4) 前記はんだシートに前記電子部品を押接する際に、電子部品に超音波を印加することを特徴とする付記1記載の電子部品の製造方法。
(付記5) 前記はんだシートを加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を超音波ヘッドに支持し、前記加熱ステージと前記超音波ヘッドにより前記はんだシートと前記電子部品とを挟圧し、前記超音波ヘッドにより前記電子部品に超音波を印加して前記はんだシートに前記電極突起を押接することを特徴とする付記4記載の電子部品の製造方法。
(付記6) 前記電子部品に超音波を印加して前記はんだシートに前記電極突起を押接する操作を、窒素雰囲気下で行うことを特徴とする付記4または5記載の電子部品の製造方法。
(付記7) 電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品を、接続パッドが形成された配線基板に、前記接続電極を接続パッドに接合して実装する電子装置の製造方法において、前記電子部品は、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させた後、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写して形成され、該電子部品の接続電極と配線基板の前記接続パッドとを位置合わせし、前記はんだが溶融する温度に加熱して前記電子部品と配線基板とを接合する工程を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
(付記8) 前記電子部品として、前記はんだシートに前記電子部品を押接する際に、電子部品に超音波を印加して前記はんだシートから電極突起にはんだを転写した電子部品を用いることを特徴とする付記7記載の電子装置の製造方法。
(付記9) 前記配線基板を加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を実装加熱ヘッドに支持し、前記加熱ステージを前記はんだの融点以上に加熱する一方、前記実装加熱ヘッドの加熱温度を前記加熱ステージよりも低温に設定して前記電子部品と配線基板とを接合することを特徴とする付記7または8記載の電子装置の製造方法。
(付記10) 前記配線基板の前記電子部品が実装される領域にあらかじめフラックスフィルを塗布し、前記電子部品の接続電極と前記配線基板の接続パッドとを位置合わせし、
該電子部品と配線基板とを前記はんだが溶融する温度に加熱するとともに、前記フラックスフィルを熱硬化して前記電子部品と配線基板とを接合することを特徴とする付記7〜9のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
(付記11) 電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品であって、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させる工程と、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写させる工程とを有する製造方法により形成されたことを特徴とする電子部品。
(付記12) 電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品を、接続パッドが形成された配線基板に、前記接続電極を接続パッドに接合して実装されて形成された電子装置であって、前記電子部品は、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させた後、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写して形成され、該電子部品の接続電極と配線基板の前記接続パッドとを位置合わせし、前記はんだが溶融する温度に加熱して前記電子部品と配線基板とを接合する工程を有する製造方法により形成されたことを特徴とする電子装置。
電子部品の製造方法について第1の実施の形態の製造工程を示す説明図である。 電子部品の製造方法についての第2の実施の形態の製造工程を示す説明図である。 電極突起のフレッティング腐食を防止する例を示す説明図である。 電子装置の製造方法を示す説明図である。
符号の説明
10 半導体チップ
12 電極突起
12a ボール部
12b 突起部
14 接続電極
20 はんだシート
21 凹部
30 加熱ステージ
32 実装加熱ヘッド
40 超音波ヘッド
50 配線基板
52 接続パッド
60 フラックスフィル
70 加熱ステージ
80 加熱ヘッド

Claims (10)

  1. 電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品の製造方法であって、
    はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させる工程と、
    前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写させる工程と、
    を備えることを特徴とする電子部品の製造方法。
  2. 前記はんだシートを加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を加熱ヘッドに支持し、
    前記加熱ステージと前記加熱ヘッドとにより前記はんだシートと前記電子部品とを挟圧して、前記はんだシートに前記電極突起を押接することを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。
  3. 前記加熱ステージと前記加熱ヘッドとを、前記はんだシートを半溶融状態とする温度に加熱するとともに、前記加熱ステージの加熱温度を前記加熱ヘッドの加熱温度よりも高温に設定することを特徴とする請求項2記載の電子部品の製造方法。
  4. 前記はんだシートに前記電子部品を押接する際に、電子部品に超音波を印加することを特徴とする請求項1記載の電子部品の製造方法。
  5. 前記はんだシートを加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を超音波ヘッドに支持し、
    前記加熱ステージと前記超音波ヘッドにより前記はんだシートと前記電子部品とを挟圧し、前記超音波ヘッドにより前記電子部品に超音波を印加して前記はんだシートに前記電極突起を押接することを特徴とする請求項4記載の電子部品の製造方法。
  6. 前記電子部品に超音波を印加して前記はんだシートに前記電極突起を押接する操作を、窒素雰囲気下で行うことを特徴とする請求項4または5記載の電子部品の製造方法。
  7. 電極突起にはんだが被着された接続電極を備える電子部品を、接続パッドが形成された配線基板に、前記接続電極を接続パッドに接合して実装する電子装置の製造方法において、
    前記電子部品は、はんだシートを半溶融状態に加熱し、はんだシートに電子部品を押接して前記電極突起をはんだシートに接触させた後、前記電極突起が前記はんだシートに接触した位置から電子部品を離間させ、はんだシートに接触した前記電極突起の外面にはんだを転写して形成され、
    該電子部品の接続電極と配線基板の前記接続パッドとを位置合わせし、前記はんだが溶融する温度に加熱して前記電子部品と配線基板とを接合する工程を備えることを特徴とする電子装置の製造方法。
  8. 前記電子部品として、前記はんだシートに前記電子部品を押接する際に、電子部品に超音波を印加して前記はんだシートから電極突起にはんだを転写した電子部品を用いることを特徴とする請求項7記載の電子装置の製造方法。
  9. 前記配線基板を加熱ステージに支持するとともに、前記電子部品を実装加熱ヘッドに支持し、
    前記加熱ステージを前記はんだの融点以上に加熱する一方、前記実装加熱ヘッドの加熱温度を前記加熱ステージよりも低温に設定して前記電子部品と配線基板とを接合することを特徴とする請求項7または8記載の電子装置の製造方法。
  10. 前記配線基板の前記電子部品が実装される領域にあらかじめフラックスフィルを塗布し、
    前記電子部品の接続電極と前記配線基板の接続パッドとを位置合わせし、
    該電子部品と配線基板とを前記はんだが溶融する温度に加熱するとともに、前記フラックスフィルを熱硬化して前記電子部品と配線基板とを接合することを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項記載の電子装置の製造方法。
JP2007041545A 2007-02-22 2007-02-22 電子部品および電子装置の製造方法 Expired - Fee Related JP5066935B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007041545A JP5066935B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 電子部品および電子装置の製造方法
US11/951,693 US7833831B2 (en) 2007-02-22 2007-12-06 Method of manufacturing an electronic component and an electronic device
CN2007101597560A CN101252093B (zh) 2007-02-22 2007-12-21 电子元件和电子装置的制造方法、电子元件以及电子装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007041545A JP5066935B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 電子部品および電子装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008205321A true JP2008205321A (ja) 2008-09-04
JP5066935B2 JP5066935B2 (ja) 2012-11-07

Family

ID=39716249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007041545A Expired - Fee Related JP5066935B2 (ja) 2007-02-22 2007-02-22 電子部品および電子装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7833831B2 (ja)
JP (1) JP5066935B2 (ja)
CN (1) CN101252093B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080540A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Fujitsu Ltd 電極接続部の形成方法
JP2012529776A (ja) * 2009-06-11 2012-11-22 クアルコム,インコーポレイテッド タイトピッチのフリップチップ集積回路のパッケージを作る方法
KR20200070098A (ko) * 2018-12-06 2020-06-17 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 기판 어댑터의 제조 방법 및 전자 부품에 연결하기 위한 기판 어댑터

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010205792A (ja) * 2009-02-27 2010-09-16 Hitachi Cable Ltd 太陽電池用リード線およびその製造方法並びにそれを用いた太陽電池
US20110147923A1 (en) * 2009-12-21 2011-06-23 Jiun Hann Sir Surface Mounting Integrated Circuit Components
DE102010015520A1 (de) * 2010-04-16 2011-10-20 Pac Tech-Packaging Technologies Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung von Lotdepots
US8070043B1 (en) * 2010-12-02 2011-12-06 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Curable flux composition and method of soldering
JP6197319B2 (ja) * 2013-03-21 2017-09-20 富士通株式会社 半導体素子の実装方法
CN104916553A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 东莞高伟光学电子有限公司 将半导体器件或元件焊接到基板上的方法和装置
CN104916554A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 东莞高伟光学电子有限公司 将半导体器件或元件焊接到基板上的方法和装置
CN104916555A (zh) * 2014-03-11 2015-09-16 东莞高伟光学电子有限公司 将半导体器件或元件焊接到基板上的方法和装置
CN111370562B (zh) * 2020-03-18 2021-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种微发光二极管的转印方法及微发光二极管显示面板
US20230268312A1 (en) * 2022-02-18 2023-08-24 Bae Systems Information And Electronic Systems Integration Inc. Soft touch eutectic solder pressure pad

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235103A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ic実装方法
JPH08203904A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Toshiba Corp はんだバンプ形成方法
JPH11154689A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金バンプ付電子部品の実装方法
JP2003101206A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Denso Corp 部材の突起部へのはんだ供給方法
JP2006265484A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Fujitsu Ltd 接着性樹脂組成物及び電子装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1070153A (ja) 1996-08-26 1998-03-10 Hitachi Ltd 電子部品の接続方法
JP3123707B2 (ja) 1997-02-14 2001-01-15 日本電信電話株式会社 はんだバンプの形成方法,はんだバンプの接続方法および加圧治具
JPH11163199A (ja) 1997-11-27 1999-06-18 Nec Corp 実装方法
JP3420076B2 (ja) 1998-08-31 2003-06-23 新光電気工業株式会社 フリップチップ実装基板の製造方法及びフリップチップ実装基板及びフリップチップ実装構造
JP3239335B2 (ja) * 1999-08-18 2001-12-17 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 電気的接続用構造体の形成方法およびはんだ転写用基板
JP4864313B2 (ja) * 2004-11-19 2012-02-01 富士通株式会社 薄膜キャパシタ基板、その製造方法、及び、半導体装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05235103A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ic実装方法
JPH08203904A (ja) * 1995-01-25 1996-08-09 Toshiba Corp はんだバンプ形成方法
JPH11154689A (ja) * 1997-11-21 1999-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 金バンプ付電子部品の実装方法
JP2003101206A (ja) * 2001-09-25 2003-04-04 Denso Corp 部材の突起部へのはんだ供給方法
JP2006265484A (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Fujitsu Ltd 接着性樹脂組成物及び電子装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010080540A (ja) * 2008-09-24 2010-04-08 Fujitsu Ltd 電極接続部の形成方法
JP2012529776A (ja) * 2009-06-11 2012-11-22 クアルコム,インコーポレイテッド タイトピッチのフリップチップ集積回路のパッケージを作る方法
JP2014123752A (ja) * 2009-06-11 2014-07-03 Qualcomm Inc タイトピッチのフリップチップ集積回路のパッケージを作る方法
KR20200070098A (ko) * 2018-12-06 2020-06-17 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 기판 어댑터의 제조 방법 및 전자 부품에 연결하기 위한 기판 어댑터
KR102321949B1 (ko) 2018-12-06 2021-11-04 헤레우스 도이칠란트 게엠베하 운트 코. 카게 기판 어댑터의 제조 방법 및 전자 부품에 연결하기 위한 기판 어댑터

Also Published As

Publication number Publication date
US20080206587A1 (en) 2008-08-28
CN101252093A (zh) 2008-08-27
CN101252093B (zh) 2011-03-30
US7833831B2 (en) 2010-11-16
JP5066935B2 (ja) 2012-11-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5066935B2 (ja) 電子部品および電子装置の製造方法
JP3663938B2 (ja) フリップチップ実装方法
US6981317B1 (en) Method and device for mounting electronic component on circuit board
US10163840B2 (en) Methods of fluxless micro-piercing of solder balls, and resulting devices
JP3381601B2 (ja) バンプ付電子部品の実装方法
JP2007019360A (ja) 電子部品の実装方法
JP2001332583A (ja) 半導体チップの実装方法
US6998293B2 (en) Flip-chip bonding method
US7750484B2 (en) Semiconductor device with flip-chip connection that uses gallium or indium as bonding material
JP4129837B2 (ja) 実装構造体の製造方法
JP2000022300A (ja) 配線基板および電子ユニット
JP4200273B2 (ja) 実装基板の製造方法
JPH0831871A (ja) 電子部品を表面実装する際に使用する界面封止用フィルム、及び電子部品の表面実装構造
JP3923248B2 (ja) 回路基板への電子部品の実装方法及び回路基板
JP5065657B2 (ja) 電子装置およびその製造方法
JP4200090B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2003297874A (ja) 電子部品の接続構造及び接続方法
JP4483131B2 (ja) 実装構造体及びその実装方法
JPS5935439A (ja) バンプ付リ−ドレスチツプキヤリアの基板搭載方法
JP2002368038A (ja) フリップチップ実装方法
JP2005353913A (ja) 半導体装置及びその製造方法、回路基板
JPH05152303A (ja) 突起電極を有する半導体装置および突起電極形成方法ならびにその半導体装置の実装体
JP2003243447A (ja) 半導体素子の実装方法
JPH0888249A (ja) フェイスダウンボンディング方法
JP2010141112A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091110

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110726

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110922

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120424

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120625

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120717

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120730

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150824

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees