JP2001118885A - 電子部品の実装方法及び基板モジュール - Google Patents
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- H01L2224/83101—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector the layer connector being supplied to the parts to be connected in the bonding apparatus as prepeg comprising a layer connector, e.g. provided in an insulating plate member
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- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
- H01L2224/83851—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester being an anisotropic conductive adhesive
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- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 リフロー工程やヒートサイクル試験工程にお
いても絶縁樹脂と電子部品又は基板との間で剥離が生じ
にくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めること
ができる電子部品実装方法及び基板モジュールを提供す
る。 【解決手段】 電子部品と基板のいずれか一方に配置さ
れた密着力向上剤が、電子部品と基板との接合時に両者
間を絶縁樹脂で封止するとき、絶縁樹脂と接触して絶縁
樹脂と電子部品又は基板との間の密着力を向上させる。
いても絶縁樹脂と電子部品又は基板との間で剥離が生じ
にくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めること
ができる電子部品実装方法及び基板モジュールを提供す
る。 【解決手段】 電子部品と基板のいずれか一方に配置さ
れた密着力向上剤が、電子部品と基板との接合時に両者
間を絶縁樹脂で封止するとき、絶縁樹脂と接触して絶縁
樹脂と電子部品又は基板との間の密着力を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子回路用プリン
ト基板（本明細書では、代表例として「基板」と称する
が、この「基板」にはインタポーザや電子部品が装着さ
れる他の部品などの被装着体を意味する。）に電子部品
例えばＩＣチップ、ＣＳＰ(Chip Size Package)、Ｍ
ＣＭ（Multi Chip Module）、ＢＧＡ（Ball Grid A
rray）や表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスなどを単体（Ｉ
Ｃチップの場合にはベアＩＣ）状態で実装する回路基板
への電子部品の実装方法及び上記実装方法により上記電
子部品が上記基板に実装された基板モジュールに関する
ものである。
ト基板（本明細書では、代表例として「基板」と称する
が、この「基板」にはインタポーザや電子部品が装着さ
れる他の部品などの被装着体を意味する。）に電子部品
例えばＩＣチップ、ＣＳＰ(Chip Size Package)、Ｍ
ＣＭ（Multi Chip Module）、ＢＧＡ（Ball Grid A
rray）や表面弾性波（ＳＡＷ）デバイスなどを単体（Ｉ
Ｃチップの場合にはベアＩＣ）状態で実装する回路基板
への電子部品の実装方法及び上記実装方法により上記電
子部品が上記基板に実装された基板モジュールに関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、電子回路基板は、あらゆる製品に
使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回
路基板上で用いられる周波数も高くなっており、インピ
ーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用
する電子機器に適した実装方法となっている。また、携
帯機器の増加から、回路基板にＩＣチップをパッケージ
ではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求めら
れている。このために、ＩＣチップそのまま単体で回路
基板に搭載したときのＩＣチップや、電子機器及びフラ
ットパネルディスブレイへ実装したＩＣチップには、一
定数の不良品が混在している。また、上記フリップチッ
プ以外にもＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ＳｉｚｅＰａｃｋａｇ
ｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等が
用いられるようになってきている。
使用されるようになり、日増しにその性能が向上し、回
路基板上で用いられる周波数も高くなっており、インピ
ーダンスが低くなるフリップチップ実装は高周波を使用
する電子機器に適した実装方法となっている。また、携
帯機器の増加から、回路基板にＩＣチップをパッケージ
ではなく裸のまま搭載するフリップチップ実装が求めら
れている。このために、ＩＣチップそのまま単体で回路
基板に搭載したときのＩＣチップや、電子機器及びフラ
ットパネルディスブレイへ実装したＩＣチップには、一
定数の不良品が混在している。また、上記フリップチッ
プ以外にもＣＳＰ（Ｃｈｉｐ ＳｉｚｅＰａｃｋａｇ
ｅ）、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）等が
用いられるようになってきている。
【０００３】従来の電子機器の回路基板へＩＣチップを
接合する方法としては特公平０６−６６３５５号公報等
により開示されたものがある。これを図２１に示す。図
２１に示すように、バンプ７３を形成したＩＣチップ７
１にＡｇペースト７４を転写して回路基板７６の電極７
５に接続したのちＡｇペースト７４を硬化し、その後、
封止材７８をＩＣチップ７１と回路基板７６の間に流し
込む方法が一般的に知られている。
接合する方法としては特公平０６−６６３５５号公報等
により開示されたものがある。これを図２１に示す。図
２１に示すように、バンプ７３を形成したＩＣチップ７
１にＡｇペースト７４を転写して回路基板７６の電極７
５に接続したのちＡｇペースト７４を硬化し、その後、
封止材７８をＩＣチップ７１と回路基板７６の間に流し
込む方法が一般的に知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
造のものでは、特に、矩形のＩＣチップの四隅の部分
（図２１の参照符号１００で示す部分）でかつバンプが
無い部分や、回路基板のバンプが無い部分（図２１の参
照符号１０１で示す部分）では、バンプを介して接合さ
れている他の部分と比較して、密着力が不足し、ＩＣチ
ップと基板との接合工程では両者の接合が良好のように
見えても、リフロー工程やヒートサイクル試験工程にお
いて、上記密着力の不足から絶縁樹脂とＩＣチップ又は
基板との間で剥離が生じてしまい、剥離部分から水分が
侵入して短絡又は腐食が生じてしまい、信頼性が低下す
るといった問題が生じうる可能性がある。
造のものでは、特に、矩形のＩＣチップの四隅の部分
（図２１の参照符号１００で示す部分）でかつバンプが
無い部分や、回路基板のバンプが無い部分（図２１の参
照符号１０１で示す部分）では、バンプを介して接合さ
れている他の部分と比較して、密着力が不足し、ＩＣチ
ップと基板との接合工程では両者の接合が良好のように
見えても、リフロー工程やヒートサイクル試験工程にお
いて、上記密着力の不足から絶縁樹脂とＩＣチップ又は
基板との間で剥離が生じてしまい、剥離部分から水分が
侵入して短絡又は腐食が生じてしまい、信頼性が低下す
るといった問題が生じうる可能性がある。
【０００５】従って、本発明の目的は、上記問題を解決
することにあって、リフロー工程やヒートサイクル試験
工程においても絶縁樹脂と電子部品又は基板との間で剥
離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高
めることができる電子部品の実装方法及び基板モジュー
ルを提供することにある。
することにあって、リフロー工程やヒートサイクル試験
工程においても絶縁樹脂と電子部品又は基板との間で剥
離が生じにくく、短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高
めることができる電子部品の実装方法及び基板モジュー
ルを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は以下のように構成する。
に、本発明は以下のように構成する。
【０００７】本発明の第１態様によれば、電子部品と基
板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方
法において、上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向
上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、上
記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか
一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上
記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合する
とともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹
脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触
させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子
部品又は上記基板との間の密着力を向上させるようにし
たことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
板とを絶縁樹脂で接合しつつ封止する電子部品の実装方
法において、上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向
上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、上
記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか
一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電極と上
記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接合する
とともに、上記電子部品と上記基板との間を上記絶縁樹
脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記密着力向上剤とを接触
させて上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子
部品又は上記基板との間の密着力を向上させるようにし
たことを特徴とする電子部品の実装方法を提供する。
【０００８】本発明の第２態様によれば、上記電子部品
が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記
基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部
と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチ
ップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置
するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を
提供する。
が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記
基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部
と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチ
ップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置
するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を
提供する。
【０００９】本発明の第３態様によれば、上記電子部品
がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に
実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチ
ップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部との
うちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置す
るようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を提
供する。
がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に
実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチ
ップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部との
うちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置す
るようにした第１態様に記載の電子部品の実装方法を提
供する。
【００１０】本発明の第４態様によれば、上記電子部品
がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に
実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチ
ップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部との
うちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に
配置するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方
法を提供する。
がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に
実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチ
ップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部との
うちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状に
配置するようにした第１態様に記載の電子部品の実装方
法を提供する。
【００１１】本発明の第５態様によれば、上記電子部品
がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に
実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチ
ップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部との
うちのいずれか一方の実装部の全面に配置するようにし
た第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板に
実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣチ
ップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部との
うちのいずれか一方の実装部の全面に配置するようにし
た第１態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１２】本発明の第６態様によれば、上記密着力向
上剤の入った液槽内に、上記電子部品と上記基板との互
いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の
面を浸漬させることにより、当該面に上記密着力向上剤
を配置するようにした第１，４，５のいずれかの態様に
記載の電子部品の実装方法を提供する。
上剤の入った液槽内に、上記電子部品と上記基板との互
いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方の
面を浸漬させることにより、当該面に上記密着力向上剤
を配置するようにした第１，４，５のいずれかの態様に
記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１３】本発明の第７態様によれば、上記密着力向
上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面のうち少なくともいずれか一方の面に塗布又は印
刷することにより配置するようにした第１〜５のいずれ
かの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面のうち少なくともいずれか一方の面に塗布又は印
刷することにより配置するようにした第１〜５のいずれ
かの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１４】本発明の第８態様によれば、上記密着力向
上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面の両方の面に塗布又は印刷することにより配置す
るようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部
品の実装方法を提供する。
上剤を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面の両方の面に塗布又は印刷することにより配置す
るようにした第１〜５のいずれかの態様に記載の電子部
品の実装方法を提供する。
【００１５】本発明の第９態様によれば、上記電子部品
と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくと
も上記いずれか一方の面に対向する面に上記密着力向上
剤を備えかつ上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シー
トを、上記電子部品と上記基板との間に配置することに
より、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板と
の互いに対向する２つの面のうち少なくとも上記いずれ
か一方の面に配置するようにした第１〜５のいずれかの
態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくと
も上記いずれか一方の面に対向する面に上記密着力向上
剤を備えかつ上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シー
トを、上記電子部品と上記基板との間に配置することに
より、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板と
の互いに対向する２つの面のうち少なくとも上記いずれ
か一方の面に配置するようにした第１〜５のいずれかの
態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００１６】本発明の第１０態様によれば、上記電子部
品と上記基板との互いに対向する２つの面のそれぞれに
上記密着力向上剤を備えかつ上記絶縁樹脂より構成され
る絶縁樹脂シートを上記電子部品と上記基板との間に配
置することにより、上記密着力向上剤を、上記電子部品
と上記基板との互いに対向する２つの面のそれぞれの面
に配置するようにした第１〜５のいずれかの態様に記載
の電子部品の実装方法を提供する。
品と上記基板との互いに対向する２つの面のそれぞれに
上記密着力向上剤を備えかつ上記絶縁樹脂より構成され
る絶縁樹脂シートを上記電子部品と上記基板との間に配
置することにより、上記密着力向上剤を、上記電子部品
と上記基板との互いに対向する２つの面のそれぞれの面
に配置するようにした第１〜５のいずれかの態様に記載
の電子部品の実装方法を提供する。
【００１７】本発明の第１１態様によれば、上記密着力
向上剤は上記絶縁樹脂シートに形成された固体層より構
成されるようにした第９又は１０態様に記載の電子部品
の実装方法を提供する。
向上剤は上記絶縁樹脂シートに形成された固体層より構
成されるようにした第９又は１０態様に記載の電子部品
の実装方法を提供する。
【００１８】本発明の第１２態様によれば、上記密着力
向上剤は上記絶縁樹脂シートに混合配置された液体又は
半固体状であるようにした第９又は１０態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
向上剤は上記絶縁樹脂シートに混合配置された液体又は
半固体状であるようにした第９又は１０態様に記載の電
子部品の実装方法を提供する。
【００１９】本発明の第１３態様によれば、上記電子部
品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なく
とも上記いずれか一方の面に上記密着力向上剤を配置す
るとともに、上記絶縁樹脂より構成されるシートを上記
電子部品と上記基板との間に配置したのち、上記電子部
品と上記基板との接合及び上記電子部品と上記基板との
間の上記絶縁樹脂による封止を行うようにした第１〜８
のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
品と上記基板との互いに対向する２つの面のうち少なく
とも上記いずれか一方の面に上記密着力向上剤を配置す
るとともに、上記絶縁樹脂より構成されるシートを上記
電子部品と上記基板との間に配置したのち、上記電子部
品と上記基板との接合及び上記電子部品と上記基板との
間の上記絶縁樹脂による封止を行うようにした第１〜８
のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供す
る。
【００２０】本発明の第１４態様によれば、上記電子部
品と上記基板との互いに対向する２つの面の両方に上記
密着力向上剤をそれぞれ配置するとともに、上記絶縁樹
脂より構成されるシート又は液体を上記電子部品と上記
基板との間に配置したのち、上記電子部品と上記基板と
の接合及び上記電子部品と上記基板との間の上記絶縁樹
脂による封止を行うようにした第１〜８のいずれかの態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
品と上記基板との互いに対向する２つの面の両方に上記
密着力向上剤をそれぞれ配置するとともに、上記絶縁樹
脂より構成されるシート又は液体を上記電子部品と上記
基板との間に配置したのち、上記電子部品と上記基板と
の接合及び上記電子部品と上記基板との間の上記絶縁樹
脂による封止を行うようにした第１〜８のいずれかの態
様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２１】本発明の第１５態様によれば、上記絶縁樹
脂シートは、その中央部よりもその表面側に多くの上記
密着力向上剤が存在するような濃度分布を持つ第９〜１
２のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供
する。
脂シートは、その中央部よりもその表面側に多くの上記
密着力向上剤が存在するような濃度分布を持つ第９〜１
２のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法を提供
する。
【００２２】本発明の第１６態様によれば、上記絶縁樹
脂シートは、シート自体の線膨張係数を低下させる無機
フィラーを含む第９，１０，１１，１２，１５のいずれ
かの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
脂シートは、シート自体の線膨張係数を低下させる無機
フィラーを含む第９，１０，１１，１２，１５のいずれ
かの態様に記載の電子部品の実装方法を提供する。
【００２３】本発明の第１７態様によれば、上記絶縁樹
脂シートは、上記バンプと上記電極とを電気的に接続さ
せる導電粒子を有する異方性導電膜より構成される第
９，１０，１１，１２，１５のいずれかの態様に記載の
電子部品の実装方法を提供する。
脂シートは、上記バンプと上記電極とを電気的に接続さ
せる導電粒子を有する異方性導電膜より構成される第
９，１０，１１，１２，１５のいずれかの態様に記載の
電子部品の実装方法を提供する。
【００２４】本発明の第１８態様によれば、上記密着力
向上剤は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収し
にくい材料からなる外皮内に封入され、かつ、所定圧力
以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると上記外
皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能を発
揮するようにした第１〜１７のいずれかの態様に記載の
電子部品の実装方法を提供する。
向上剤は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収し
にくい材料からなる外皮内に封入され、かつ、所定圧力
以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると上記外
皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能を発
揮するようにした第１〜１７のいずれかの態様に記載の
電子部品の実装方法を提供する。
【００２５】本発明の第１９態様によれば、上記密着力
向上剤は、エポキシ系、アミノ系、アルキル系、メルカ
プト系、メトキシ系、若しくは、メタクリロ系のシラン
カップリング剤、又は、チタネートカップリング剤より
構成される第１〜１８のいずれかの態様に記載の電子部
品の実装方法を提供する。
向上剤は、エポキシ系、アミノ系、アルキル系、メルカ
プト系、メトキシ系、若しくは、メタクリロ系のシラン
カップリング剤、又は、チタネートカップリング剤より
構成される第１〜１８のいずれかの態様に記載の電子部
品の実装方法を提供する。
【００２６】本発明の第２０態様によれば、上記絶縁樹
脂は、その体積が、上記電子部品と上記基板との間の空
間の体積より大きい第１〜１９のいずれかの態様に記載
の電子部品の実装方法を提供する。
脂は、その体積が、上記電子部品と上記基板との間の空
間の体積より大きい第１〜１９のいずれかの態様に記載
の電子部品の実装方法を提供する。
【００２７】本発明の第２１態様によれば、第１〜２０
のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法により上
記電子部品が上記基板に実装された基板モジュールを提
供する。
のいずれかの態様に記載の電子部品の実装方法により上
記電子部品が上記基板に実装された基板モジュールを提
供する。
【００２８】本発明の第２２態様によれば、電子部品と
基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を
絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおい
て、上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのい
ずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電
極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接
合し、上記電子部品と上記基板との互いに互いに対向す
る２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置さ
れた密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力
向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板
との間の密着力が向上するようにしたことを特徴とする
基板モジュールを提供する。
基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を
絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおい
て、上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのい
ずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電
極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接
合し、上記電子部品と上記基板との互いに互いに対向す
る２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置さ
れた密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力
向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板
との間の密着力が向上するようにしたことを特徴とする
基板モジュールを提供する。
【００２９】本発明の第２３態様によれば、上記電子部
品が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤が、上
記基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部
と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチ
ップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置
されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により
上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着
力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モ
ジュールを提供する。
品が矩形のＩＣチップであり、上記密着力向上剤が、上
記基板に実装されるべき上記矩形のＩＣチップの実装部
と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記基板のＩＣチ
ップ実装部のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置
されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により
上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着
力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モ
ジュールを提供する。
【００３０】本発明の第２４態様によれば、上記電子部
品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板
に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣ
チップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部と
のうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置
されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により
上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着
力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モ
ジュールを提供する。
品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板
に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣ
チップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部と
のうちのいずれか一方の実装部の縁部にドット状に配置
されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により
上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着
力が向上しているようにした第２２態様に記載の基板モ
ジュールを提供する。
【００３１】本発明の第２５態様によれば、上記電子部
品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板
に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣ
チップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部と
のうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状
に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤
により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間
の密着力が向上しているようにした第２２態様に記載の
基板モジュールを提供する。
品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板
に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣ
チップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部と
のうちのいずれか一方の実装部の縁部に枠状でかつ帯状
に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤
により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間
の密着力が向上しているようにした第２２態様に記載の
基板モジュールを提供する。
【００３２】本発明の第２６態様によれば、上記電子部
品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板
に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣ
チップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部と
のうちのいずれか一方の実装部の全面に配置されて上記
絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹
脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上し
ているようにした第２２態様に記載の基板モジュールを
提供する。
品がＩＣチップであり、上記密着力向上剤を、上記基板
に実装されるべき上記ＩＣチップの実装部と、上記ＩＣ
チップが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部と
のうちのいずれか一方の実装部の全面に配置されて上記
絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹
脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上し
ているようにした第２２態様に記載の基板モジュールを
提供する。
【００３３】本発明の第２７態様によれば、電子部品と
基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を
絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおい
て、上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのい
ずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電
極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接
合し、上記電子部品と上記基板との互いに互いに対向す
る２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置さ
れかつメルカプト系、アミノ系、又はチタネートカップ
リング剤より構成する密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接
触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子
部品又は上記基板との間の密着力が向上し、上記絶縁樹
脂の反応速度を高めるようにしたことを特徴とする基板
モジュールを提供する。
基板とを接合したのち上記電子部品と上記基板との間を
絶縁樹脂で封止して構成される基板モジュールにおい
て、上記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのい
ずれか一方の電極に形成したバンプを上記電子部品の電
極と上記基板の電極とのうちのいずれか他方の電極に接
合し、上記電子部品と上記基板との互いに互いに対向す
る２つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置さ
れかつメルカプト系、アミノ系、又はチタネートカップ
リング剤より構成する密着力向上剤が上記絶縁樹脂と接
触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子
部品又は上記基板との間の密着力が向上し、上記絶縁樹
脂の反応速度を高めるようにしたことを特徴とする基板
モジュールを提供する。
【００３４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明にかかる実施の形
態を図面に基づいて詳細に説明する。
態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００３５】本発明の第１実施形態にかかる電子部品の
実装方法は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、電子部
品、例えば、矩形のＩＣチップ１と基板、例えば接合表
面に無機質材料が存在する矩形の回路基板４とを接合し
たのち、ＩＣチップ１と回路基板４との間を絶縁樹脂６
で封止する電子部品の実装方法において、上記絶縁樹脂
６との密着力向上用の密着力向上剤７を、上記ＩＣチッ
プ１と上記回路基板４との互いに対向する２つの面、例
えば、上記回路基板４に実装されるべき上記矩形のＩＣ
チップ１の矩形の実装部１ａと、上記ＩＣチップ１が実
装されるべき上記回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部
４ａとのうちの少なくともいずれか一方の実装部（例え
ば、ＩＣチップ１の実装部１ａ）に配置するとともに、
液体状の上記絶縁樹脂６を上記回路基板４の矩形のＩＣ
チップ実装部４ａに配置し、上記ＩＣチップ１の電極
２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５とのうち
のいずれか一方の電極（例えば、ＩＣチップ１の電極
２，…，２）に形成したバンプ３，…，３を上記ＩＣチ
ップの電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，
５とのうちのいずれか他方の電極（例えば、回路基板４
の電極５，…，５）に、レベリングせずに、接合し、そ
の後、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との間を上記
絶縁樹脂６で封止し、上記絶縁樹脂６と上記密着力向上
剤７とを接触させて上記密着力向上剤７により上記絶縁
樹脂６と上記ＩＣチップ１又は上記回路基板４（例え
ば、上記絶縁樹脂６と上記ＩＣチップ１）との間の密着
力を向上させるようにしている。なお、図１（Ａ），
（Ｂ）において、８はＩＣチップ１を吸着保持及び加
熱、加圧する接合ツールであり、９は回路基板４が載置
されるステージである。なお、実装部１ａの形状は矩形
に限られるものではない。
実装方法は、図１（Ａ），（Ｂ）に示すように、電子部
品、例えば、矩形のＩＣチップ１と基板、例えば接合表
面に無機質材料が存在する矩形の回路基板４とを接合し
たのち、ＩＣチップ１と回路基板４との間を絶縁樹脂６
で封止する電子部品の実装方法において、上記絶縁樹脂
６との密着力向上用の密着力向上剤７を、上記ＩＣチッ
プ１と上記回路基板４との互いに対向する２つの面、例
えば、上記回路基板４に実装されるべき上記矩形のＩＣ
チップ１の矩形の実装部１ａと、上記ＩＣチップ１が実
装されるべき上記回路基板４の矩形のＩＣチップ実装部
４ａとのうちの少なくともいずれか一方の実装部（例え
ば、ＩＣチップ１の実装部１ａ）に配置するとともに、
液体状の上記絶縁樹脂６を上記回路基板４の矩形のＩＣ
チップ実装部４ａに配置し、上記ＩＣチップ１の電極
２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５とのうち
のいずれか一方の電極（例えば、ＩＣチップ１の電極
２，…，２）に形成したバンプ３，…，３を上記ＩＣチ
ップの電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，
５とのうちのいずれか他方の電極（例えば、回路基板４
の電極５，…，５）に、レベリングせずに、接合し、そ
の後、上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との間を上記
絶縁樹脂６で封止し、上記絶縁樹脂６と上記密着力向上
剤７とを接触させて上記密着力向上剤７により上記絶縁
樹脂６と上記ＩＣチップ１又は上記回路基板４（例え
ば、上記絶縁樹脂６と上記ＩＣチップ１）との間の密着
力を向上させるようにしている。なお、図１（Ａ），
（Ｂ）において、８はＩＣチップ１を吸着保持及び加
熱、加圧する接合ツールであり、９は回路基板４が載置
されるステージである。なお、実装部１ａの形状は矩形
に限られるものではない。
【００３６】上記ＩＣチップ１の電極２，…，２と上記
回路基板４の電極５，…，５とのうちのいずれか一方の
電極に形成したバンプ３，…，３を上記ＩＣチップ１の
電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５との
うちのいずれか他方の電極に接合する一例として、図１
（Ａ），（Ｂ）においては、上記ＩＣチップ１の電極
２，…，２に、例えばワイヤボンディングなどの公知の
方法で予め形成したバンプ３，…，３を、上記回路基板
４の電極５，…，５に接合したものを示している。しか
しながら、逆に、本発明の第２実施形態にかかる電子部
品の実装方法として図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、
上記回路基板４の電極５，…，５に形成されたバンプ
３，…，３を、上記ＩＣチップ１の電極２，…，２に接
合するようにしてもよい。また、図２（Ｃ）に示すよう
に、液体状の上記絶縁樹脂６を、回路基板４の矩形のＩ
Ｃチップ実装部４ａではなく、上記ＩＣチップ１の矩形
の実装部１ａに配置するようにしてもよい。
回路基板４の電極５，…，５とのうちのいずれか一方の
電極に形成したバンプ３，…，３を上記ＩＣチップ１の
電極２，…，２と上記回路基板４の電極５，…，５との
うちのいずれか他方の電極に接合する一例として、図１
（Ａ），（Ｂ）においては、上記ＩＣチップ１の電極
２，…，２に、例えばワイヤボンディングなどの公知の
方法で予め形成したバンプ３，…，３を、上記回路基板
４の電極５，…，５に接合したものを示している。しか
しながら、逆に、本発明の第２実施形態にかかる電子部
品の実装方法として図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、
上記回路基板４の電極５，…，５に形成されたバンプ
３，…，３を、上記ＩＣチップ１の電極２，…，２に接
合するようにしてもよい。また、図２（Ｃ）に示すよう
に、液体状の上記絶縁樹脂６を、回路基板４の矩形のＩ
Ｃチップ実装部４ａではなく、上記ＩＣチップ１の矩形
の実装部１ａに配置するようにしてもよい。
【００３７】上記絶縁樹脂６は、例えば、絶縁性熱硬化
性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニ
フェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカーボネイ
ト、変性ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）など）、
又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合
したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として
絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性
樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜２００℃程度であ
る。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初
は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷
却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹
脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、
熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性
樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。
性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリ
イミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹脂（例えば、ポニ
フェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリカーボネイ
ト、変性ポリフェニレンオキサイド（ＰＰＯ）など）、
又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可塑性樹脂を混合
したものなどが使用できるが、ここでは、代表例として
絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続ける。この熱硬化性
樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜２００℃程度であ
る。なお、熱可塑性樹脂のみを使用する場合には、最初
は加熱して一旦軟化させたのち、加熱を停止して自然冷
却させることにより硬化させる一方、絶縁性熱硬化性樹
脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使用する場合には、
熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能するため、熱硬化性
樹脂のみと場合と同様に加熱することにより硬化する。
【００３８】上記第１実施形態にかかる電子部品の実装
方法においては、図１（Ａ）に示すように、回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａに、回路基板４とＩＣチップ１
との接合後の隙間間に配置される硬化された絶縁樹脂６
ｓ（図１（Ｂ）参照）の体積に大略相当するか又はそれ
以上の体積を持つ液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩ
Ｃチップ実装部４ａの中央部に配置する。
方法においては、図１（Ａ）に示すように、回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａに、回路基板４とＩＣチップ１
との接合後の隙間間に配置される硬化された絶縁樹脂６
ｓ（図１（Ｂ）参照）の体積に大略相当するか又はそれ
以上の体積を持つ液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩ
Ｃチップ実装部４ａの中央部に配置する。
【００３９】次いで、図８に示すような電子部品搭載装
置６００において、部品保持部材６０１の先端の熱せら
れた接合ツール８により、前工程でバンプ３が各電極２
上に形成されたＩＣチップ１をトレー６０２から吸着保
持しつつ、該ＩＣチップ１を、上記前工程で準備されか
つステージ９上に載置された回路基板４に対して、ＩＣ
チップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極５上
に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた
接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧す
る。この位置合わせは、公知の位置認識動作を使用す
る。例えば、図９（Ｃ）に示すように、回路基板４に形
成された位置認識マーク６０５又はリード若しくはラン
ドパターンを、電子部品搭載装置６００の回路基板認識
用カメラ６０４で認識して、図９（Ｄ）に示すようにカ
メラ６０４で得られた画像６０６を基に、回路基板４の
ステージ９上での直交するＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸ
Ｙ座標の原点に対する回転位置とを認識して回路基板４
の位置を認識する。一方、図９（Ａ）に示すように、接
合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１の位置認識用
マーク６０８又は回路パターンをＩＣチップ用位置認識
カメラ６０３で認識して、図９（Ｂ）に示すようにカメ
ラ６０３で得られた画像６０７を基に、ＩＣチップ１の
上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する
回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置を認識する。
そして、上記回路基板４とＩＣチップ１との位置認識結
果を基に、接合ツール８又はステージ９を移動させて、
ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極
５上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せら
れた接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押
圧する。このとき、各バンプ３は、その先端頭部が、絶
縁樹脂６や密着力向上剤７を掻き分けながら回路基板４
の各電極５に接触して、回路基板４の各電極５上で変形
されながら押しつけられていく。よって、絶縁樹脂６や
密着力向上剤７が電極上に配置されていても、バンプ３
が電極に必ず接触するようにしているため、電気的接続
において、何ら問題とはならない。
置６００において、部品保持部材６０１の先端の熱せら
れた接合ツール８により、前工程でバンプ３が各電極２
上に形成されたＩＣチップ１をトレー６０２から吸着保
持しつつ、該ＩＣチップ１を、上記前工程で準備されか
つステージ９上に載置された回路基板４に対して、ＩＣ
チップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極５上
に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せられた
接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押圧す
る。この位置合わせは、公知の位置認識動作を使用す
る。例えば、図９（Ｃ）に示すように、回路基板４に形
成された位置認識マーク６０５又はリード若しくはラン
ドパターンを、電子部品搭載装置６００の回路基板認識
用カメラ６０４で認識して、図９（Ｄ）に示すようにカ
メラ６０４で得られた画像６０６を基に、回路基板４の
ステージ９上での直交するＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸ
Ｙ座標の原点に対する回転位置とを認識して回路基板４
の位置を認識する。一方、図９（Ａ）に示すように、接
合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１の位置認識用
マーク６０８又は回路パターンをＩＣチップ用位置認識
カメラ６０３で認識して、図９（Ｂ）に示すようにカメ
ラ６０３で得られた画像６０７を基に、ＩＣチップ１の
上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する
回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置を認識する。
そして、上記回路基板４とＩＣチップ１との位置認識結
果を基に、接合ツール８又はステージ９を移動させて、
ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基板４の各電極
５上に位置するように位置合わせしたのち、上記熱せら
れた接合ツール８によりＩＣチップ１を回路基板４に押
圧する。このとき、各バンプ３は、その先端頭部が、絶
縁樹脂６や密着力向上剤７を掻き分けながら回路基板４
の各電極５に接触して、回路基板４の各電極５上で変形
されながら押しつけられていく。よって、絶縁樹脂６や
密着力向上剤７が電極上に配置されていても、バンプ３
が電極に必ず接触するようにしているため、電気的接続
において、何ら問題とはならない。
【００４０】このとき、ＩＣチップ１を介してバンプ３
側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異なるが、
折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ３の頭
部が、回路基板４の電極５に接触して必ず変形する程度
の荷重を加えることが必要である。
側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異なるが、
折れ曲がって重なり合うようになっているバンプ３の頭
部が、回路基板４の電極５に接触して必ず変形する程度
の荷重を加えることが必要である。
【００４１】なお、セラミックヒータ又はパルスヒータ
などの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８に
より、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩ
Ｃチップ１を、上記前工程で準備された回路基板４に対
してＩＣチップ１の電極２が対応する回路基板４の電極
５上に位置するように位置合わせする位置合わせ工程
と、位置合わせしたのち押圧接合する工程とを、１つの
位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。し
かしながら、別々の装置、例えば、多数の回路基板を連
続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業
とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、
上記位置合わせ工程は位置合わせ装置（図示せず）で行
い、上記押圧接合工程は接合装置（図示せず）で行うよ
うにしてもよい。
などの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８に
より、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩ
Ｃチップ１を、上記前工程で準備された回路基板４に対
してＩＣチップ１の電極２が対応する回路基板４の電極
５上に位置するように位置合わせする位置合わせ工程
と、位置合わせしたのち押圧接合する工程とを、１つの
位置合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。し
かしながら、別々の装置、例えば、多数の回路基板を連
続生産する場合において位置合わせ作業と押圧接合作業
とを同時的に行うことにより生産性を向上させるため、
上記位置合わせ工程は位置合わせ装置（図示せず）で行
い、上記押圧接合工程は接合装置（図示せず）で行うよ
うにしてもよい。
【００４２】上記回路基板４としては、例えばセラミッ
ク多層基板、樹脂多層基板（ガラエポ、松下電器産業株
式会社製登録商標「アリブ」（ＡＬＩＶＨ）の基板）な
どが用いられる。このような回路基板４は、熱履歴や、
裁断、加工により反りやうねりを生じていることがあ
り、必ずしも完全な平面ではないことがある。そこで、
例えば約１０μｍ以下に調整されるように平行度がそれ
ぞれ管理された接合ツール８とステージ９とにより、接
合ツール８側からステージ９側に向けて熱と荷重をＩＣ
チップ１を通じて回路基板４に局所的に印加することに
より、その印加された部分の回路基板４の反りが矯正せ
しめられる。また、ＩＣチップ１は、アクティブ面の中
心を凹として反っているが、これを接合時に１バンプあ
たり２０ｇｆ以上の強い荷重で加圧することで、回路基
板４とＩＣチップ１の両方の反りやうねりを矯正するこ
とができる。このＩＣチップ１の反りは、ＩＣチップ１
を形成するとき、Ｓｉに薄膜を形成する際に生じる内部
応力により発生するものである。バンプの変形量は１０
〜２５μｍ程度であり、この程度の回路基板が当初から
持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影響にバ
ンプ３の変形でそれぞれのバンプ３が順応することで許
容できるようになる。
ク多層基板、樹脂多層基板（ガラエポ、松下電器産業株
式会社製登録商標「アリブ」（ＡＬＩＶＨ）の基板）な
どが用いられる。このような回路基板４は、熱履歴や、
裁断、加工により反りやうねりを生じていることがあ
り、必ずしも完全な平面ではないことがある。そこで、
例えば約１０μｍ以下に調整されるように平行度がそれ
ぞれ管理された接合ツール８とステージ９とにより、接
合ツール８側からステージ９側に向けて熱と荷重をＩＣ
チップ１を通じて回路基板４に局所的に印加することに
より、その印加された部分の回路基板４の反りが矯正せ
しめられる。また、ＩＣチップ１は、アクティブ面の中
心を凹として反っているが、これを接合時に１バンプあ
たり２０ｇｆ以上の強い荷重で加圧することで、回路基
板４とＩＣチップ１の両方の反りやうねりを矯正するこ
とができる。このＩＣチップ１の反りは、ＩＣチップ１
を形成するとき、Ｓｉに薄膜を形成する際に生じる内部
応力により発生するものである。バンプの変形量は１０
〜２５μｍ程度であり、この程度の回路基板が当初から
持っている内層銅箔から表面に現れるうねりの影響にバ
ンプ３の変形でそれぞれのバンプ３が順応することで許
容できるようになる。
【００４３】こうして回路基板４の反りが矯正された状
態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回
路基板４の間の絶縁樹脂６の例である熱硬化性樹脂６に
例えば数秒〜２０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂６
が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂６が流れ
てＩＣチップ１のエッジまで封止する。また、樹脂であ
るため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するため、
このようにエッジまで流れるような流動性が生じる。熱
硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と回路基板４との間の
空間の体積より大きくすることにより、この空間からは
み出すように流れ出て、封止効果を奏することができ
る。このとき、同時に、ＩＣチップ１の実装部１ａに配
置されていた密着力向上剤７が絶縁樹脂６と基板又はＩ
Ｃ表面で反応して、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹
脂６との間の密着力を向上させる。なお、図１（Ｂ）で
は、理解しやすくするため、ＩＣチップ１の実装部１ａ
と絶縁樹脂６との間で密着力が向上した部分を参照符号
１４により誇張して明示しているが、実際には、このよ
うに明確な層として見えるものではない。
態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回
路基板４の間の絶縁樹脂６の例である熱硬化性樹脂６に
例えば数秒〜２０秒程度印加され、この熱硬化性樹脂６
が硬化される。このとき、最初は熱硬化性樹脂６が流れ
てＩＣチップ１のエッジまで封止する。また、樹脂であ
るため、加熱されたとき、当初は自然に軟化するため、
このようにエッジまで流れるような流動性が生じる。熱
硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と回路基板４との間の
空間の体積より大きくすることにより、この空間からは
み出すように流れ出て、封止効果を奏することができ
る。このとき、同時に、ＩＣチップ１の実装部１ａに配
置されていた密着力向上剤７が絶縁樹脂６と基板又はＩ
Ｃ表面で反応して、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹
脂６との間の密着力を向上させる。なお、図１（Ｂ）で
は、理解しやすくするため、ＩＣチップ１の実装部１ａ
と絶縁樹脂６との間で密着力が向上した部分を参照符号
１４により誇張して明示しているが、実際には、このよ
うに明確な層として見えるものではない。
【００４４】この後、加熱されたツール８が上昇するこ
とにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１と熱硬化
性樹脂６の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂６は流
動性を失い、図１（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１は
硬化した熱硬化性樹脂６ｓにより回路基板４上に固定さ
れる。また、回路基板４側をステージ９のヒータ９ａな
どにより加熱しておくと、接合ツール８の温度をより低
く設定することができる。なお、図中、参照符号６ｓ
は、絶縁樹脂の例としての熱硬化性樹脂６のうち接合ツ
ール８の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂が溶融
後に熱硬化された樹脂である。
とにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１と熱硬化
性樹脂６の温度が急激に低下して、熱硬化性樹脂６は流
動性を失い、図１（Ｂ）に示すように、ＩＣチップ１は
硬化した熱硬化性樹脂６ｓにより回路基板４上に固定さ
れる。また、回路基板４側をステージ９のヒータ９ａな
どにより加熱しておくと、接合ツール８の温度をより低
く設定することができる。なお、図中、参照符号６ｓ
は、絶縁樹脂の例としての熱硬化性樹脂６のうち接合ツ
ール８の熱により溶融した溶融中の熱硬化性樹脂が溶融
後に熱硬化された樹脂である。
【００４５】上記密着力向上剤７の例としては、エポキ
シ系、アミノ系、アルキル系、メルカプト系、メトキシ
系、若しくは、メタクリロ系のシランカップリング剤、
又は、チタネートカップリング剤である。なお、密着力
向上剤７としては絶縁性は必要である。
シ系、アミノ系、アルキル系、メルカプト系、メトキシ
系、若しくは、メタクリロ系のシランカップリング剤、
又は、チタネートカップリング剤である。なお、密着力
向上剤７としては絶縁性は必要である。
【００４６】ここで、密着力向上剤７の一例としてのシ
ランカップリング剤の構造は化学構造式ＸＳｉ（ＯＲ）
3で表され、一分子中に少なくとも２種類の反応性の異
なる官能基を持っている。上記化学構造式中、Ｘは各種
合成樹脂などの有機質材料と化学結合する反応基であ
り、ここでは絶縁樹脂６と化学結合する反応基となる。
上記化学構造式中、ＯＲはガラス又は金属などの無機質
材料と化学結合する反応基であり、ここではＩＣチップ
１の表面の材料又は回路基板４の表面の材料と化学結合
する反応基となる。よって、シランカップリング剤のア
ルコキシシリル基（Ｓｉ−ＯＲ）が水あるいは湿気によ
り加水分解されるとシラノール基になる。接合工程にお
いて水分を加えることにより、空気中の水分と反応して
加熱ツールにより圧着する際に水は除去される。又は、
ＩＣ等に塗布する場合は、水希釈した密着性向上剤を用
いる。これを炉に入れて、例えば１２０℃３０分の熱処
理を行う。このシラノール基と無機質表面（ＩＣチップ
１の表面又は回路基板４の表面）とが縮合反応により、
Ｓｉ−Ｏ−Ｍ結合を形成する。また、一方の反応基［Ｘ
−］は有機質（絶縁樹脂６）と結合あるいは相溶化し、
結果的に無機質と有機質を化学的に結合させる、言い換
えれば、ＩＣチップ１の表面又は回路基板４の表面と絶
縁樹脂６とを化学的に結合させることができる。一方、
チタネートカップリング剤は、Ｔｉを含む親水基と樹脂
と相互作用する疎水基とからなっており、これが無機物
の表面に有機質の被膜を作り出して密着性及び流れ性を
改善する。
ランカップリング剤の構造は化学構造式ＸＳｉ（ＯＲ）
3で表され、一分子中に少なくとも２種類の反応性の異
なる官能基を持っている。上記化学構造式中、Ｘは各種
合成樹脂などの有機質材料と化学結合する反応基であ
り、ここでは絶縁樹脂６と化学結合する反応基となる。
上記化学構造式中、ＯＲはガラス又は金属などの無機質
材料と化学結合する反応基であり、ここではＩＣチップ
１の表面の材料又は回路基板４の表面の材料と化学結合
する反応基となる。よって、シランカップリング剤のア
ルコキシシリル基（Ｓｉ−ＯＲ）が水あるいは湿気によ
り加水分解されるとシラノール基になる。接合工程にお
いて水分を加えることにより、空気中の水分と反応して
加熱ツールにより圧着する際に水は除去される。又は、
ＩＣ等に塗布する場合は、水希釈した密着性向上剤を用
いる。これを炉に入れて、例えば１２０℃３０分の熱処
理を行う。このシラノール基と無機質表面（ＩＣチップ
１の表面又は回路基板４の表面）とが縮合反応により、
Ｓｉ−Ｏ−Ｍ結合を形成する。また、一方の反応基［Ｘ
−］は有機質（絶縁樹脂６）と結合あるいは相溶化し、
結果的に無機質と有機質を化学的に結合させる、言い換
えれば、ＩＣチップ１の表面又は回路基板４の表面と絶
縁樹脂６とを化学的に結合させることができる。一方、
チタネートカップリング剤は、Ｔｉを含む親水基と樹脂
と相互作用する疎水基とからなっており、これが無機物
の表面に有機質の被膜を作り出して密着性及び流れ性を
改善する。
【００４７】なお、絶縁樹脂６がエポキシ系の場合に
は、上記密着力向上剤７としてはメルカプト系、又は、
アミノ系のシランカップリング剤が好ましく、その理由
は、メルカプト系、又は、アミノ系のシランカップリン
グ剤の上記密着力向上剤７がエポキシ系の絶縁樹脂６に
接触すると急激に反応して密着力を高めるため、密着力
向上剤を使用しない場合と比較して、密着力は２〜３倍
向上し、かつ、半分の時間で接合を完了することができ
るためである。
は、上記密着力向上剤７としてはメルカプト系、又は、
アミノ系のシランカップリング剤が好ましく、その理由
は、メルカプト系、又は、アミノ系のシランカップリン
グ剤の上記密着力向上剤７がエポキシ系の絶縁樹脂６に
接触すると急激に反応して密着力を高めるため、密着力
向上剤を使用しない場合と比較して、密着力は２〜３倍
向上し、かつ、半分の時間で接合を完了することができ
るためである。
【００４８】エポキシ系シランカップリング剤の具体例
としては、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエ
トキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシ
ラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル
トリメトキシシランがある。また、アミノ系シランカッ
プリング剤の具体例としては、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミ
ノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，
Ｎ’−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エ
チレンジアミン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）
アミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノシラン
［特殊アミノシラン配合物（メタノール溶液又は水希
釈）］、アミノシラン［特殊アミノシラン配合物（ＩＰ
Ａ溶液又は水希釈）］である。また、アルキル系シラン
カップリング剤の具体例としては、ジメチルジメトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリ
エトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシランである。また、メルカプト系シランカ
ップリング剤の具体例としては、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
である。また、メトキシ系シランカップリング剤の具体
例としては、γ−クロロプロピルトリメトキシシランで
ある。また、メタクリロ系シランカップリング剤の具体
例としては、、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメ
トキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ランである。また、シラン系とは異なる、チタネート系
シランカップリング剤の具体例としては、表１に掲げる
ものを使用することができる。
としては、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエ
トキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシ
シラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシ
ラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル
トリメトキシシランがある。また、アミノ系シランカッ
プリング剤の具体例としては、Ｎ−β（アミノエチル）
γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミ
ノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２
−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシ
シラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピル
トリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシ
シラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，
Ｎ’−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エ
チレンジアミン、Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルト
リメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプ
ロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）
アミノプロピルメチルジメトキシシラン、アミノシラン
［特殊アミノシラン配合物（メタノール溶液又は水希
釈）］、アミノシラン［特殊アミノシラン配合物（ＩＰ
Ａ溶液又は水希釈）］である。また、アルキル系シラン
カップリング剤の具体例としては、ジメチルジメトキシ
シラン、メチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキシルトリ
エトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルト
リエトキシシランである。また、メルカプト系シランカ
ップリング剤の具体例としては、γ−メルカプトプロピ
ルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメ
トキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシ
ラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン
である。また、メトキシ系シランカップリング剤の具体
例としては、γ−クロロプロピルトリメトキシシランで
ある。また、メタクリロ系シランカップリング剤の具体
例としては、、γ−（メタクリロキシプロピル）トリメ
トキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキ
シシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ランである。また、シラン系とは異なる、チタネート系
シランカップリング剤の具体例としては、表１に掲げる
ものを使用することができる。
【００４９】
【表１】
【００５０】また、回路基板４又はＩＣチップ１側に窒
化膜がある場合には、上記シランカップリング剤のう
ち、特に、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ランが好ましい。
化膜がある場合には、上記シランカップリング剤のう
ち、特に、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシ
ランが好ましい。
【００５１】上記第１実施形態によれば、密着力向上剤
７により、絶縁樹脂６と、ＩＣチップ１又は回路基板４
との密着力を向上させることができるため、リフロー工
程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂６とＩ
Ｃチップ１又は回路基板４との間で剥離が生じにくく、
短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができ
る。また、ＩＣチップ１と回路基板４との間に配置され
る液体状の絶縁樹脂６の体積をＩＣチップ１と回路基板
４との間の空間の体積より大きくするようにすれば、こ
の空間から絶縁樹脂６がはみ出すように流れ出て、ＩＣ
チップ１と回路基板４との間の封止効果を奏することが
できる。よって、ＩＣチップと回路基板４を接合すると
同時に絶縁樹脂６による封止を行うことができて、ＩＣ
チップと回路基板４を接合した後にＩＣチップの下に封
止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を行う
必要がなく、工程を短縮することができる。又は、数十
秒の短時間で生産でき、基板の反り、うねりが吸収でき
るので、安価な基板が使用できる。
７により、絶縁樹脂６と、ＩＣチップ１又は回路基板４
との密着力を向上させることができるため、リフロー工
程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹脂６とＩ
Ｃチップ１又は回路基板４との間で剥離が生じにくく、
短絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができ
る。また、ＩＣチップ１と回路基板４との間に配置され
る液体状の絶縁樹脂６の体積をＩＣチップ１と回路基板
４との間の空間の体積より大きくするようにすれば、こ
の空間から絶縁樹脂６がはみ出すように流れ出て、ＩＣ
チップ１と回路基板４との間の封止効果を奏することが
できる。よって、ＩＣチップと回路基板４を接合すると
同時に絶縁樹脂６による封止を行うことができて、ＩＣ
チップと回路基板４を接合した後にＩＣチップの下に封
止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を行う
必要がなく、工程を短縮することができる。又は、数十
秒の短時間で生産でき、基板の反り、うねりが吸収でき
るので、安価な基板が使用できる。
【００５２】なお、本発明は上記実施形態に限定される
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。なお、
以下の図では、理解しやすくするため、ＩＣチップ１の
実装部１ａと絶縁樹脂６との間又は回路基板４のＩＣチ
ップ実装部４ａと絶縁樹脂６との間で密着力が向上した
部分を参照符号１４により誇張して明示しているが、実
際には、このように明確な層として見えるものではな
い。また、密着力が向上した部分はシートに均一に混ざ
り込んでいても良い。
ものではなく、その他種々の態様で実施できる。なお、
以下の図では、理解しやすくするため、ＩＣチップ１の
実装部１ａと絶縁樹脂６との間又は回路基板４のＩＣチ
ップ実装部４ａと絶縁樹脂６との間で密着力が向上した
部分を参照符号１４により誇張して明示しているが、実
際には、このように明確な層として見えるものではな
い。また、密着力が向上した部分はシートに均一に混ざ
り込んでいても良い。
【００５３】例えば、上記図１では、上記密着力向上剤
７を、ＩＣチップ１の実装部１ａの全面に図３（Ｄ）に
示すように配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部
１ａ全体において密着力の向上を図るようにしている
が、これに限らず、図３（Ｈ）に示すように、上記回路
基板４のＩＣチップ実装部４ａの全面に配置するように
して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体において
密着力の向上を図るようにしてもよい。なお、図中、４
ｂは回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのリードであ
る。また、実装部４ａの形状は矩形に限られるものでは
ない。
７を、ＩＣチップ１の実装部１ａの全面に図３（Ｄ）に
示すように配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部
１ａ全体において密着力の向上を図るようにしている
が、これに限らず、図３（Ｈ）に示すように、上記回路
基板４のＩＣチップ実装部４ａの全面に配置するように
して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体において
密着力の向上を図るようにしてもよい。なお、図中、４
ｂは回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのリードであ
る。また、実装部４ａの形状は矩形に限られるものでは
ない。
【００５４】また、これに限らず、本発明の第３実施形
態にかかる電子部品の実装方法として、図３（Ａ）に示
すように、上記密着力向上剤７を、上記ＩＣチップ１の
実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの
うちのいずれか一方の実装部、一例として図３（Ａ）で
はＩＣチップ１の実装部１ａの四隅のみに配置するよう
にして、ＩＣチップ１の実装部１ａの四隅部分において
密着力の向上を図るようにしてもよい。実装部の形状は
矩形に限られるものではなく、さらに、各密着力向上剤
７の配置された形状も円形に限らず任意の形状でよく、
寸法もこれに限られるものではない。なお、ＩＣチップ
１の実装部１ａの四隅に代えて、図３（Ｅ）に示すよう
に回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの四隅に配置し
て、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの四隅部分にお
いて密着力の向上を図るようにしてもよい。また、全面
に塗布ものに比べて密着力向上剤の塗布が短時間で可能
となる。
態にかかる電子部品の実装方法として、図３（Ａ）に示
すように、上記密着力向上剤７を、上記ＩＣチップ１の
実装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの
うちのいずれか一方の実装部、一例として図３（Ａ）で
はＩＣチップ１の実装部１ａの四隅のみに配置するよう
にして、ＩＣチップ１の実装部１ａの四隅部分において
密着力の向上を図るようにしてもよい。実装部の形状は
矩形に限られるものではなく、さらに、各密着力向上剤
７の配置された形状も円形に限らず任意の形状でよく、
寸法もこれに限られるものではない。なお、ＩＣチップ
１の実装部１ａの四隅に代えて、図３（Ｅ）に示すよう
に回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの四隅に配置し
て、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの四隅部分にお
いて密着力の向上を図るようにしてもよい。また、全面
に塗布ものに比べて密着力向上剤の塗布が短時間で可能
となる。
【００５５】また、これに限らず、本発明の第４実施形
態にかかる電子部品の実装方法として、上記密着力向上
剤７を、上記ＩＣチップの実装部１ａと上記回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装
部、例えば、図３（Ｂ）ではＩＣチップ１の実装部１ａ
の縁部にドット状に図３（Ｂ）に示すように配置するよ
うにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部において密
着力の向上を図ることもできる。実装部の形状は矩形に
限られるものではなく、さらに、配置個数は図３（Ｂ）
に限らず、これより多くしてもよいし、少なくしても良
いとともに、各密着力向上剤７の配置された形状も円形
に限らず任意の形状でよく、寸法もこれに限られるもの
ではない。なお、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部にド
ット状に配置する代わりに、図３（Ｆ）に示すように回
路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部にドット状に配
置して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部にお
いて密着力の向上を図るようにしてもよい。また、密着
力向上剤７を全面に配置するよりも短時間で済み、密着
力向上剤７の使用量を減らすことができる。
態にかかる電子部品の実装方法として、上記密着力向上
剤７を、上記ＩＣチップの実装部１ａと上記回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装
部、例えば、図３（Ｂ）ではＩＣチップ１の実装部１ａ
の縁部にドット状に図３（Ｂ）に示すように配置するよ
うにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部において密
着力の向上を図ることもできる。実装部の形状は矩形に
限られるものではなく、さらに、配置個数は図３（Ｂ）
に限らず、これより多くしてもよいし、少なくしても良
いとともに、各密着力向上剤７の配置された形状も円形
に限らず任意の形状でよく、寸法もこれに限られるもの
ではない。なお、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部にド
ット状に配置する代わりに、図３（Ｆ）に示すように回
路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部にドット状に配
置して、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの縁部にお
いて密着力の向上を図るようにしてもよい。また、密着
力向上剤７を全面に配置するよりも短時間で済み、密着
力向上剤７の使用量を減らすことができる。
【００５６】また、本発明の第５実施形態にかかる電子
部品の実装方法として、上記密着力向上剤７を、上記Ｉ
Ｃチップ１の矩形の実装部１ａと上記回路基板４の矩形
のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装
部、例えば、図３（Ｃ）ではＩＣチップ１の実装部１ａ
の縁部に矩形枠状でかつ帯状に図３（Ｃ）に示すように
配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部
において密着力の向上を図ることもできる。実装部の形
状は矩形に限られるものではなく、さらに、各密着力向
上剤７の配置された形状は均一幅の帯状に限らず任意の
形状でよく、寸法もこれに限られるものではない。な
お、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部に帯状に配置する
代わりに、図３（Ｇ）に示すように回路基板４のＩＣチ
ップ実装部４ａの縁部に帯状に配置して、回路基板４の
ＩＣチップ実装部４ａの縁部において密着力の向上を図
るようにしてもよい。
部品の実装方法として、上記密着力向上剤７を、上記Ｉ
Ｃチップ１の矩形の実装部１ａと上記回路基板４の矩形
のＩＣチップ実装部４ａのうちのいずれか一方の実装
部、例えば、図３（Ｃ）ではＩＣチップ１の実装部１ａ
の縁部に矩形枠状でかつ帯状に図３（Ｃ）に示すように
配置するようにして、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部
において密着力の向上を図ることもできる。実装部の形
状は矩形に限られるものではなく、さらに、各密着力向
上剤７の配置された形状は均一幅の帯状に限らず任意の
形状でよく、寸法もこれに限られるものではない。な
お、ＩＣチップ１の実装部１ａの縁部に帯状に配置する
代わりに、図３（Ｇ）に示すように回路基板４のＩＣチ
ップ実装部４ａの縁部に帯状に配置して、回路基板４の
ＩＣチップ実装部４ａの縁部において密着力の向上を図
るようにしてもよい。
【００５７】また、図２２のようにＩＣチップ１の中心
部分のみにポリイミド６が配置され外周部にＳｉＮパッ
シベイションが露出したようなＩＣパターンの場合に
は、ＳｉＮ部で剥離が起きやすいが、ＩＣチップ１の実
装部１ａの縁部に矩形枠状でかつ帯状に上記密着力向上
剤７を配置することにより、上記剥離を防止することが
できる。
部分のみにポリイミド６が配置され外周部にＳｉＮパッ
シベイションが露出したようなＩＣパターンの場合に
は、ＳｉＮ部で剥離が起きやすいが、ＩＣチップ１の実
装部１ａの縁部に矩形枠状でかつ帯状に上記密着力向上
剤７を配置することにより、上記剥離を防止することが
できる。
【００５８】上記図３（Ａ）〜（Ｈ）における上記密着
力向上剤７の厚さは、絶縁樹脂６と反応として密着力向
上を図ることができる程度の厚さがあれば十分である。
力向上剤７の厚さは、絶縁樹脂６と反応として密着力向
上を図ることができる程度の厚さがあれば十分である。
【００５９】また、上記密着力向上剤７を配置する面
は、ＩＣチップ１の実装部１ａに限らず、本発明の第６
実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図４
（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記回路基板４のＩＣチ
ップ実装部４ａにのみ配置するようにしてもよい。この
ようにすれば、密着力向上剤７により、絶縁樹脂６と回
路基板４との間での密着力を向上させることができるた
め、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても
絶縁樹脂６と回路基板４との間で剥離が生じにくく、短
絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。
特に、密着力向上剤７により樹脂の流れ性及びヌレ性を
向上させることができ、樹脂に混ぜたフィラーとの密着
性も向上し、樹脂の強度を向上させることができる。
は、ＩＣチップ１の実装部１ａに限らず、本発明の第６
実施形態にかかる電子部品の実装方法として、図４
（Ａ），（Ｂ）に示すように、上記回路基板４のＩＣチ
ップ実装部４ａにのみ配置するようにしてもよい。この
ようにすれば、密着力向上剤７により、絶縁樹脂６と回
路基板４との間での密着力を向上させることができるた
め、リフロー工程やヒートサイクル試験工程においても
絶縁樹脂６と回路基板４との間で剥離が生じにくく、短
絡又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。
特に、密着力向上剤７により樹脂の流れ性及びヌレ性を
向上させることができ、樹脂に混ぜたフィラーとの密着
性も向上し、樹脂の強度を向上させることができる。
【００６０】また、本発明の第７実施形態にかかる電子
部品の実装方法として、図５（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４の
ＩＣチップ実装部４ａとの両方に上記密着力向上剤７を
配置するようにしてもよい。このようにすれば、密着力
向上剤７により、絶縁樹脂６と、ＩＣチップ１と回路基
板４との両方の間での密着力を向上させることができる
ため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程において
も絶縁樹脂６とＩＣチップ１との間及び絶縁樹脂６と回
路基板４との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食がよ
り確実に防止でき、信頼性をより高めることができる。
特に、密着力向上剤７により樹脂の流れ性及びヌレ性を
向上させることができ、樹脂に混ぜたフィラーとの密着
性も向上し、樹脂の強度を向上させることができる。
部品の実装方法として、図５（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路基板４の
ＩＣチップ実装部４ａとの両方に上記密着力向上剤７を
配置するようにしてもよい。このようにすれば、密着力
向上剤７により、絶縁樹脂６と、ＩＣチップ１と回路基
板４との両方の間での密着力を向上させることができる
ため、リフロー工程やヒートサイクル試験工程において
も絶縁樹脂６とＩＣチップ１との間及び絶縁樹脂６と回
路基板４との間で剥離が生じにくく、短絡又は腐食がよ
り確実に防止でき、信頼性をより高めることができる。
特に、密着力向上剤７により樹脂の流れ性及びヌレ性を
向上させることができ、樹脂に混ぜたフィラーとの密着
性も向上し、樹脂の強度を向上させることができる。
【００６１】第７実施形態及び他の実施形態において、
上記密着力向上剤７を回路基板側とＩＣチップ側の両方
に対して配置する場合には、回路基板側では回路基板４
に適した密着力向上剤７を配置させる一方、ＩＣチップ
側ではＩＣチップ１に適した密着力向上剤７を配置させ
るようにして、回路基板側とＩＣチップ側とでは異なる
種類の密着力向上剤７を使用するようにしてもよい。
上記密着力向上剤７を回路基板側とＩＣチップ側の両方
に対して配置する場合には、回路基板側では回路基板４
に適した密着力向上剤７を配置させる一方、ＩＣチップ
側ではＩＣチップ１に適した密着力向上剤７を配置させ
るようにして、回路基板側とＩＣチップ側とでは異なる
種類の密着力向上剤７を使用するようにしてもよい。
【００６２】また、上記密着力向上剤７の配置方法の一
例としては、例えばメルカプト系又はアミノ系のシラン
カップリング剤などの上記密着力向上剤７をアルコー
ル、水等で希釈した液体の入った密着力向上液槽内に、
上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との互いに対向する
２つの面のうち少なくともいずれか一方の面を浸漬さ
せ、例えばＩＣチップ１全体を浸漬させたのち、オーブ
ンなどで乾燥させることにより、図３（Ｄ）に示すよう
に当該面全体に上記密着力向上剤７を配置するようにし
ている。このように、ＩＣチップ１全体を密着力向上液
槽内に浸漬させたのち乾燥させるだけで、ＩＣチップ１
の上記面に上記密着力向上剤７を配置させることができ
るため、簡単でかつ短時間で配置処理が行える。また、
均一な膜を形成することが可能となり、ＩＣチップ側が
ＳｉＮで基板側が有機材料の場合、最適な密着力向上剤
を使用することが可能となる。
例としては、例えばメルカプト系又はアミノ系のシラン
カップリング剤などの上記密着力向上剤７をアルコー
ル、水等で希釈した液体の入った密着力向上液槽内に、
上記ＩＣチップ１と上記回路基板４との互いに対向する
２つの面のうち少なくともいずれか一方の面を浸漬さ
せ、例えばＩＣチップ１全体を浸漬させたのち、オーブ
ンなどで乾燥させることにより、図３（Ｄ）に示すよう
に当該面全体に上記密着力向上剤７を配置するようにし
ている。このように、ＩＣチップ１全体を密着力向上液
槽内に浸漬させたのち乾燥させるだけで、ＩＣチップ１
の上記面に上記密着力向上剤７を配置させることができ
るため、簡単でかつ短時間で配置処理が行える。また、
均一な膜を形成することが可能となり、ＩＣチップ側が
ＳｉＮで基板側が有機材料の場合、最適な密着力向上剤
を使用することが可能となる。
【００６３】また、このような浸漬方法に限らず、塗布
ノズルから液体状の又はペーストなどの半固体状の密着
力向上剤７を所定個所に塗布する塗布方法又はスクリー
ン印刷などの印刷方法により、図３（Ａ）〜（Ｄ）に示
すように上記密着力向上剤７を配置するようにしてもよ
い。一例として、本発明の第８実施形態にかかる電子部
品の実装方法として、図６（Ａ），（Ｂ）には、液体状
の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの中
央部に電極５，…，５を覆わないように山状に塗布配置
したのち、さらに液体状の絶縁樹脂６の外面に、液体の
密着力向上剤７を塗布する。その後、ＩＣチップ１と回
路基板４とを押圧接合することにより、ＩＣチップ１と
回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がると同時
にＩＣチップ１の実装部１ａ全体に液体の密着力向上剤
７が広がったのち、加熱して絶縁樹脂６を硬化させるよ
うにして、図１（Ｂ）と同様に、密着力向上剤７によ
り、硬化した絶縁樹脂６ｓとＩＣチップ１の実装部１ａ
全体とにおいて密着力の向上を図るようにしてもよい。
なお、この場合、ＩＣチップ１と回路基板４との間で液
体状の絶縁樹脂６が広がるとき、液体の密着力向上剤７
の一部が絶縁樹脂６内に入り込み、ＩＣチップ１の実装
部１ａの近傍に位置しなくなるものもあるが、そのよう
な密着力向上剤７はＩＣチップ１の実装部１ａとの密着
力の向上機能には寄与しないだけで、硬化後の絶縁樹脂
６ｓの絶縁性を阻害するとはならない。また、密着力向
上剤７が液体の場合、ＭＣＭのように基板のあちこちに
ＩＣがある場合や、ＩＣのサイズが異なっている場合で
も、１台のディスペンサーで密着力向上剤７の液体を吐
出制御することにより、密着力向上剤７の塗布が可能と
なる。
ノズルから液体状の又はペーストなどの半固体状の密着
力向上剤７を所定個所に塗布する塗布方法又はスクリー
ン印刷などの印刷方法により、図３（Ａ）〜（Ｄ）に示
すように上記密着力向上剤７を配置するようにしてもよ
い。一例として、本発明の第８実施形態にかかる電子部
品の実装方法として、図６（Ａ），（Ｂ）には、液体状
の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４ａの中
央部に電極５，…，５を覆わないように山状に塗布配置
したのち、さらに液体状の絶縁樹脂６の外面に、液体の
密着力向上剤７を塗布する。その後、ＩＣチップ１と回
路基板４とを押圧接合することにより、ＩＣチップ１と
回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がると同時
にＩＣチップ１の実装部１ａ全体に液体の密着力向上剤
７が広がったのち、加熱して絶縁樹脂６を硬化させるよ
うにして、図１（Ｂ）と同様に、密着力向上剤７によ
り、硬化した絶縁樹脂６ｓとＩＣチップ１の実装部１ａ
全体とにおいて密着力の向上を図るようにしてもよい。
なお、この場合、ＩＣチップ１と回路基板４との間で液
体状の絶縁樹脂６が広がるとき、液体の密着力向上剤７
の一部が絶縁樹脂６内に入り込み、ＩＣチップ１の実装
部１ａの近傍に位置しなくなるものもあるが、そのよう
な密着力向上剤７はＩＣチップ１の実装部１ａとの密着
力の向上機能には寄与しないだけで、硬化後の絶縁樹脂
６ｓの絶縁性を阻害するとはならない。また、密着力向
上剤７が液体の場合、ＭＣＭのように基板のあちこちに
ＩＣがある場合や、ＩＣのサイズが異なっている場合で
も、１台のディスペンサーで密着力向上剤７の液体を吐
出制御することにより、密着力向上剤７の塗布が可能と
なる。
【００６４】また、本発明の第９実施形態にかかる電子
部品の実装方法として、図７（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、まず始めに、液体状の密着力向上剤７を回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａの例えば全面に塗布したのち、
液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４
ａの中央部に電極５，…，５をなるべく覆わないように
塗布し、さらにその後、液体状の絶縁樹脂６の外面に、
液体の密着力向上剤７を塗布する。その後、ＩＣチップ
１と回路基板４とを押圧接合することにより、ＩＣチッ
プ１と回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がる
と同時に回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体とＩＣ
チップ１の実装部１ａ全体とに液体の密着力向上剤７が
それぞれ広がったのち、加熱して絶縁樹脂６を硬化させ
るようにして、密着力向上剤７により、硬化した絶縁樹
脂６ｓと回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体とＩＣ
チップ１の実装部１ａ全体とのそれぞれにおいて密着力
の向上を図るようにしてもよい。また、液体の密着力向
上剤７と接着剤である液体状の絶縁樹脂６とを別々に保
存しておくことができるので、封止材のポットライフ
（保存性）を長くすることができる。
部品の実装方法として、図７（Ａ），（Ｂ）に示すよう
に、まず始めに、液体状の密着力向上剤７を回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａの例えば全面に塗布したのち、
液体状の絶縁樹脂６を回路基板４のＩＣチップ実装部４
ａの中央部に電極５，…，５をなるべく覆わないように
塗布し、さらにその後、液体状の絶縁樹脂６の外面に、
液体の密着力向上剤７を塗布する。その後、ＩＣチップ
１と回路基板４とを押圧接合することにより、ＩＣチッ
プ１と回路基板４との間で液体状の絶縁樹脂６が広がる
と同時に回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体とＩＣ
チップ１の実装部１ａ全体とに液体の密着力向上剤７が
それぞれ広がったのち、加熱して絶縁樹脂６を硬化させ
るようにして、密着力向上剤７により、硬化した絶縁樹
脂６ｓと回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ全体とＩＣ
チップ１の実装部１ａ全体とのそれぞれにおいて密着力
の向上を図るようにしてもよい。また、液体の密着力向
上剤７と接着剤である液体状の絶縁樹脂６とを別々に保
存しておくことができるので、封止材のポットライフ
（保存性）を長くすることができる。
【００６５】また、液体状の上記絶縁樹脂６に対して、
ＩＣチップ側、又は回路基板側、又はＩＣチップ側及び
回路基板側に、固体シート状の密着力向上剤７を上記第
７及び第８実施形態のように配置するようにしてもよ
い。
ＩＣチップ側、又は回路基板側、又はＩＣチップ側及び
回路基板側に、固体シート状の密着力向上剤７を上記第
７及び第８実施形態のように配置するようにしてもよ
い。
【００６６】また、液体の上記密着力向上剤７を浸漬、
塗布、又は印刷などの方法で所定個所に配置するものに
限らず、固体の上記密着力向上剤７を使用することもで
きる。なお、絶縁樹脂６も固体又は半固体の絶縁樹脂シ
ート６ｂとし、かつ、ＩＣチップ１と回路基板４との間
の絶縁樹脂シート６ｂの体積をＩＣチップ１と回路基板
４との間の空間の体積より大きくするようにすれば、こ
の空間から絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂がはみ出すよ
うに流れ出て、ＩＣチップ１と回路基板４との間の封止
効果を奏することができる。よって、ＩＣチップと回路
基板４を接合すると同時に絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹
脂による封止を行うことができて、ＩＣチップと回路基
板４を接合した後にＩＣチップの下に封止樹脂（アンダ
ーフィルコート）による封止工程を行う必要がなく、工
程を短縮することができる。
塗布、又は印刷などの方法で所定個所に配置するものに
限らず、固体の上記密着力向上剤７を使用することもで
きる。なお、絶縁樹脂６も固体又は半固体の絶縁樹脂シ
ート６ｂとし、かつ、ＩＣチップ１と回路基板４との間
の絶縁樹脂シート６ｂの体積をＩＣチップ１と回路基板
４との間の空間の体積より大きくするようにすれば、こ
の空間から絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂がはみ出すよ
うに流れ出て、ＩＣチップ１と回路基板４との間の封止
効果を奏することができる。よって、ＩＣチップと回路
基板４を接合すると同時に絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹
脂による封止を行うことができて、ＩＣチップと回路基
板４を接合した後にＩＣチップの下に封止樹脂（アンダ
ーフィルコート）による封止工程を行う必要がなく、工
程を短縮することができる。
【００６７】例えば、本発明の第１０実施形態にかかる
電子部品の実装方法を図１０（Ａ），（Ｂ）に示す。こ
の電子部品の実装方法では、図１１に示すように、ベー
スフィルム６ｘの上に、シランカップリング剤をベース
フィルム６ｘとは反対側の面に混入させて固体の密着力
向上層７ｂを形成した絶縁性熱硬化性樹脂であるエポキ
シ樹脂シート６ｂを配置し、さらにその上を耐湿性のカ
バーシート６ｙで覆うことにより、封止用樹脂シート１
１を予め形成する。そして、この封止用樹脂シート１１
を使用するときには、カバーシート６ｙを取り外し、ベ
ースフィルム６ｘから密着力向上層７ｂ付きのエポキシ
樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ
１との間の所定位置に位置決めして使用する。このと
き、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの
密着力向上層７ｂが、上記矩形のＩＣチップ１の実装部
１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのうちの
上記いずれか一方の面、例えば、図１０（Ａ）では上記
ＩＣチップ１の実装部１ａに対向するように配置し、Ｉ
Ｃチップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層
７ｂにより、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂
シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにし
てもよい。上記封止用樹脂シート１１の具体例として
は、厚さ５０μｍのベースフィルム６ｘに、例えば、シ
ランカップリング剤をベースフィルム６ｘとは反対側の
面に混入させて密着力向上層７ｂを形成した絶縁性熱硬
化性樹脂である厚さ４０〜５０μｍのエポキシ樹脂シー
ト６ｂを配置し、さらにその上を厚さ３０μｍのカバー
シート６ｙで覆うことにより形成される。
電子部品の実装方法を図１０（Ａ），（Ｂ）に示す。こ
の電子部品の実装方法では、図１１に示すように、ベー
スフィルム６ｘの上に、シランカップリング剤をベース
フィルム６ｘとは反対側の面に混入させて固体の密着力
向上層７ｂを形成した絶縁性熱硬化性樹脂であるエポキ
シ樹脂シート６ｂを配置し、さらにその上を耐湿性のカ
バーシート６ｙで覆うことにより、封止用樹脂シート１
１を予め形成する。そして、この封止用樹脂シート１１
を使用するときには、カバーシート６ｙを取り外し、ベ
ースフィルム６ｘから密着力向上層７ｂ付きのエポキシ
樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ
１との間の所定位置に位置決めして使用する。このと
き、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの
密着力向上層７ｂが、上記矩形のＩＣチップ１の実装部
１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａのうちの
上記いずれか一方の面、例えば、図１０（Ａ）では上記
ＩＣチップ１の実装部１ａに対向するように配置し、Ｉ
Ｃチップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層
７ｂにより、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂
シート６ｂの絶縁樹脂との密着力を向上させるようにし
てもよい。上記封止用樹脂シート１１の具体例として
は、厚さ５０μｍのベースフィルム６ｘに、例えば、シ
ランカップリング剤をベースフィルム６ｘとは反対側の
面に混入させて密着力向上層７ｂを形成した絶縁性熱硬
化性樹脂である厚さ４０〜５０μｍのエポキシ樹脂シー
ト６ｂを配置し、さらにその上を厚さ３０μｍのカバー
シート６ｙで覆うことにより形成される。
【００６８】このように、密着力向上剤７を固体にすれ
ば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液
体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置する
ことができる。また、電子部品組立工程において、基板
やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったよう
な新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単
になる。
ば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液
体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置する
ことができる。また、電子部品組立工程において、基板
やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったよう
な新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単
になる。
【００６９】逆に、密着力向上層７ｂを回路基板４のＩ
Ｃチップ実装部４ａ側に配置するようにしてもよい。す
なわち、本発明の第１１実施形態にかかる電子部品の実
装方法を図１２（Ａ），（Ｂ）に示す。この電子部品の
実装方法では、第１０実施形態で使用した図１１に示す
封止用樹脂シート１１を使用し、カバーシート６ｙを取
り外し、ベースフィルム６ｘから密着力向上層７ｂ付き
のエポキシ樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４と
ＩＣチップ１との間の所定位置に位置決めして使用す
る。このとき、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シ
ート６ｂの密着力向上層７ｂが、上記回路基板４の矩形
のＩＣチップ実装部４ａに対向するように配置し、ＩＣ
チップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層７
ｂにより、上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶
縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との間での密着力を向上さ
せるようにしてもよい。このように、密着力向上剤７を
固体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になると
ともに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７
を配置することができる。また、電子部品組立工程にお
いて、基板やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布すると
いったような新たな工程が増えず、上記したように取り
扱いが簡単になる。
Ｃチップ実装部４ａ側に配置するようにしてもよい。す
なわち、本発明の第１１実施形態にかかる電子部品の実
装方法を図１２（Ａ），（Ｂ）に示す。この電子部品の
実装方法では、第１０実施形態で使用した図１１に示す
封止用樹脂シート１１を使用し、カバーシート６ｙを取
り外し、ベースフィルム６ｘから密着力向上層７ｂ付き
のエポキシ樹脂シート６ｂを取り外して、回路基板４と
ＩＣチップ１との間の所定位置に位置決めして使用す
る。このとき、上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シ
ート６ｂの密着力向上層７ｂが、上記回路基板４の矩形
のＩＣチップ実装部４ａに対向するように配置し、ＩＣ
チップ１を回路基板４に押圧して、上記密着力向上層７
ｂにより、上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶
縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との間での密着力を向上さ
せるようにしてもよい。このように、密着力向上剤７を
固体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になると
ともに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７
を配置することができる。また、電子部品組立工程にお
いて、基板やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布すると
いったような新たな工程が増えず、上記したように取り
扱いが簡単になる。
【００７０】また、第１０実施形態と第１１実施形態と
を組み合わせたもの、すなわち、第１２実施形態にかか
る電子部品の実装方法として、図１４（Ａ），（Ｂ）に
示すように、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路
基板４のＩＣチップ実装部４ａとのそれぞれに上記密着
力向上層７ｂを備えかつ上記絶縁樹脂より構成される図
１３の封止用樹脂シート１３を使用するようにしてもよ
い。すなわち、図１３に示すように、ベースフィルム６
ｘの上に、シランカップリング剤をベースフィルム６ｘ
に接触する面と当該面とは反対側の面すなわち上下両面
にそれぞれ混入させて密着力向上層７ｂ，７ｂを形成し
た絶縁性熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂シート６ｂを
配置し、さらにその上を耐湿性のカバーシート６ｙで覆
うことにより、封止用樹脂シート１３を予め形成する。
そして、この封止用樹脂シート１３を使用するときに
は、カバーシート６ｙを取り外し、ベースフィルム６ｘ
から上下に密着力向上層７ｂ，７ｂ付きのエポキシ樹脂
シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ１と
の間の所定位置に位置決めして使用する。このとき、上
記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの上下２
つの密着力向上層７ｂ，７ｂが、上記ＩＣチップ１の実
装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとに
それぞれ対向するように配置し、ＩＣチップ１を回路基
板４に押圧して、上記密着力向上層７ｂ，７ｂにより、
上記ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂との密着力を向上させるとともに、上記回路基
板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶
縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。
を組み合わせたもの、すなわち、第１２実施形態にかか
る電子部品の実装方法として、図１４（Ａ），（Ｂ）に
示すように、上記ＩＣチップ１の実装部１ａと上記回路
基板４のＩＣチップ実装部４ａとのそれぞれに上記密着
力向上層７ｂを備えかつ上記絶縁樹脂より構成される図
１３の封止用樹脂シート１３を使用するようにしてもよ
い。すなわち、図１３に示すように、ベースフィルム６
ｘの上に、シランカップリング剤をベースフィルム６ｘ
に接触する面と当該面とは反対側の面すなわち上下両面
にそれぞれ混入させて密着力向上層７ｂ，７ｂを形成し
た絶縁性熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂シート６ｂを
配置し、さらにその上を耐湿性のカバーシート６ｙで覆
うことにより、封止用樹脂シート１３を予め形成する。
そして、この封止用樹脂シート１３を使用するときに
は、カバーシート６ｙを取り外し、ベースフィルム６ｘ
から上下に密着力向上層７ｂ，７ｂ付きのエポキシ樹脂
シート６ｂを取り外して、回路基板４とＩＣチップ１と
の間の所定位置に位置決めして使用する。このとき、上
記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート６ｂの上下２
つの密着力向上層７ｂ，７ｂが、上記ＩＣチップ１の実
装部１ａと上記回路基板４のＩＣチップ実装部４ａとに
それぞれ対向するように配置し、ＩＣチップ１を回路基
板４に押圧して、上記密着力向上層７ｂ，７ｂにより、
上記ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂との密着力を向上させるとともに、上記回路基
板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶
縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。
【００７１】このように、密着力向上剤７を固体にすれ
ば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液
体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置する
ことができる。また、電子部品組立工程において、基板
やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったよう
な新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単
になる。
ば、液体のものより取り扱いが簡単になるとともに、液
体の場合よりも、より均一に密着力向上剤７を配置する
ことができる。また、電子部品組立工程において、基板
やＩＣチップに密着力向上剤７を塗布するといったよう
な新たな工程が増えず、上記したように取り扱いが簡単
になる。
【００７２】また、上記絶縁樹脂シート６ｂにおいて密
着力向上層７ｂを形成するとき、明確に区分けされた層
を形成するものに限らず、絶縁樹脂シート６ｂ全体に密
着力向上剤７を含浸させ、絶縁樹脂シート６ｂの中央部
よりも上下両端部での密着力向上剤７の濃度を高くする
ようにしてもよい。すなわち、図１５（Ａ），（Ｂ）に
示すように、本発明の第１３実施形態にかかる電子部品
の実装方法においては、図１５（Ａ）中にグラフで示す
ように、密着力向上剤７を、絶縁樹脂シート６ｂの中央
部よりも、回路基板４に対向する表面とＩＣチップ１に
対向する表面とに多く配合した封止用樹脂シート１５を
使用することにより、回路基板４の表面での絶縁樹脂シ
ート６ｂの絶縁樹脂６との結合に寄与する密着力向上剤
７の量を多くして、より高い密着強度を得るとともに、
ＩＣチップ１に対向する表面での絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂６との結合に寄与する密着力向上剤７の量を多
くして、より高い密着強度を得ることができる。
着力向上層７ｂを形成するとき、明確に区分けされた層
を形成するものに限らず、絶縁樹脂シート６ｂ全体に密
着力向上剤７を含浸させ、絶縁樹脂シート６ｂの中央部
よりも上下両端部での密着力向上剤７の濃度を高くする
ようにしてもよい。すなわち、図１５（Ａ），（Ｂ）に
示すように、本発明の第１３実施形態にかかる電子部品
の実装方法においては、図１５（Ａ）中にグラフで示す
ように、密着力向上剤７を、絶縁樹脂シート６ｂの中央
部よりも、回路基板４に対向する表面とＩＣチップ１に
対向する表面とに多く配合した封止用樹脂シート１５を
使用することにより、回路基板４の表面での絶縁樹脂シ
ート６ｂの絶縁樹脂６との結合に寄与する密着力向上剤
７の量を多くして、より高い密着強度を得るとともに、
ＩＣチップ１に対向する表面での絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂６との結合に寄与する密着力向上剤７の量を多
くして、より高い密着強度を得ることができる。
【００７３】この密着力向上剤７は、絶縁樹脂シート６
ｂの作製時には均一に配合されるように形成しても、硬
化反応後に上記したような分布になるものであっても効
果は同様である。
ｂの作製時には均一に配合されるように形成しても、硬
化反応後に上記したような分布になるものであっても効
果は同様である。
【００７４】また、本発明の第１４実施形態にかかる電
子部品の実装方法として、図１６（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、絶縁樹脂シート６ｂの所望の個所、例えば、Ｉ
Ｃチップ１の実装部１ａに対向する部分に液体状又は半
固体状（ペースト状）の密着力向上剤７を塗布又は印刷
又は浸漬により配置して、密着力向上剤７により、ＩＣ
チップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂
との密着力を向上させるようにしてもよい。上記絶縁樹
脂シート６ｂの所望の個所は、回路基板４のＩＣチップ
実装部４ａに対向する部分として、そこに液体状の密着
力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置し、回路
基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。ま
た、ＩＣチップ１の実装部１ａと回路基板４のＩＣチッ
プ実装部４ａとの両方に対向する部分にそれぞれ液体状
の密着力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置
し、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂との密着力を向上させると同時に、回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹
脂との密着力を向上させるようにしてもよい。また、Ｓ
ｉＮに最適な密着力向上剤と、Ａｌ２Ｏ３などセラミッ
ク基板又は樹脂基板に最適な密着力向上剤とを組み合わ
せて使用することもできる。
子部品の実装方法として、図１６（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、絶縁樹脂シート６ｂの所望の個所、例えば、Ｉ
Ｃチップ１の実装部１ａに対向する部分に液体状又は半
固体状（ペースト状）の密着力向上剤７を塗布又は印刷
又は浸漬により配置して、密着力向上剤７により、ＩＣ
チップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂
との密着力を向上させるようにしてもよい。上記絶縁樹
脂シート６ｂの所望の個所は、回路基板４のＩＣチップ
実装部４ａに対向する部分として、そこに液体状の密着
力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置し、回路
基板４のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂との密着力を向上させるようにしてもよい。ま
た、ＩＣチップ１の実装部１ａと回路基板４のＩＣチッ
プ実装部４ａとの両方に対向する部分にそれぞれ液体状
の密着力向上剤７を塗布又は印刷又は浸漬により配置
し、ＩＣチップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの
絶縁樹脂との密着力を向上させると同時に、回路基板４
のＩＣチップ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹
脂との密着力を向上させるようにしてもよい。また、Ｓ
ｉＮに最適な密着力向上剤と、Ａｌ２Ｏ３などセラミッ
ク基板又は樹脂基板に最適な密着力向上剤とを組み合わ
せて使用することもできる。
【００７５】また、本発明の第１５実施形態にかかる電
子部品の実装方法として、図１７（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、ＩＣチップ１の実装部１ａ又は回路基板４のＩ
Ｃチップ実装部４ａに、液体状の密着力向上剤７を塗布
又は印刷又は浸漬により配置し、絶縁樹脂シート６ｂを
ＩＣチップ１の実装部１ａと回路基板４のＩＣチップ実
装部４ａとの間に挟みこんだのち、ＩＣチップ１を回路
基板４に押圧接合して、密着力向上剤７により、ＩＣチ
ップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂と
の密着力を向上させるとともに、回路基板４のＩＣチッ
プ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着
力を向上させるようにしてもよい。
子部品の実装方法として、図１７（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、ＩＣチップ１の実装部１ａ又は回路基板４のＩ
Ｃチップ実装部４ａに、液体状の密着力向上剤７を塗布
又は印刷又は浸漬により配置し、絶縁樹脂シート６ｂを
ＩＣチップ１の実装部１ａと回路基板４のＩＣチップ実
装部４ａとの間に挟みこんだのち、ＩＣチップ１を回路
基板４に押圧接合して、密着力向上剤７により、ＩＣチ
ップ１の実装部１ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂と
の密着力を向上させるとともに、回路基板４のＩＣチッ
プ実装部４ａと絶縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂との密着
力を向上させるようにしてもよい。
【００７６】また、本発明の第１６実施形態にかかる電
子部品の実装方法として、図１８（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、上記絶縁樹脂シート６ｂ全体又は表面に密着力
向上剤７を含侵させた絶縁樹脂シート６ｂに、無機フィ
ラー１６を配合して、上記密着力向上剤７による密着力
向上の効果に加えて、無機フィラー１６の存在により絶
縁樹脂シート６ｂの線膨張係数を低下させることがで
き、より長寿命化させることができて、信頼性を向上さ
せることができるようにしてもよい。
子部品の実装方法として、図１８（Ａ），（Ｂ）に示す
ように、上記絶縁樹脂シート６ｂ全体又は表面に密着力
向上剤７を含侵させた絶縁樹脂シート６ｂに、無機フィ
ラー１６を配合して、上記密着力向上剤７による密着力
向上の効果に加えて、無機フィラー１６の存在により絶
縁樹脂シート６ｂの線膨張係数を低下させることがで
き、より長寿命化させることができて、信頼性を向上さ
せることができるようにしてもよい。
【００７７】このような絶縁樹脂シート６ｂを形成する
場合、最初、絶縁樹脂シート６ｂの中央部では多くＩＣ
チップ１側及び回路基板４側ではそれぞれ少なく無機フ
ィラー１６を配置するとともに絶縁樹脂シート６ｂの全
体に大略均一に密着力向上剤７を含侵させても、絶縁樹
脂シート６ｂの上下両側に比較してその中央部で無機フ
ィラー１６と密着力向上剤７とが活発に反応してしま
い、結果的に密着力向上剤７が絶縁樹脂シート６ｂの中
央部よりも上下両端部の濃度が高くなるように配合され
た図１５（Ａ）の場合と同様の濃度分布状態となり、同
様な効果を奏することができる。
場合、最初、絶縁樹脂シート６ｂの中央部では多くＩＣ
チップ１側及び回路基板４側ではそれぞれ少なく無機フ
ィラー１６を配置するとともに絶縁樹脂シート６ｂの全
体に大略均一に密着力向上剤７を含侵させても、絶縁樹
脂シート６ｂの上下両側に比較してその中央部で無機フ
ィラー１６と密着力向上剤７とが活発に反応してしま
い、結果的に密着力向上剤７が絶縁樹脂シート６ｂの中
央部よりも上下両端部の濃度が高くなるように配合され
た図１５（Ａ）の場合と同様の濃度分布状態となり、同
様な効果を奏することができる。
【００７８】以下に、無機フィラー１６が配合されかつ
密着力向上剤７が上下両面に配置されている絶縁樹脂シ
ート６ｂを使用して電子部品を実装する方法について説
明する。
密着力向上剤７が上下両面に配置されている絶縁樹脂シ
ート６ｂを使用して電子部品を実装する方法について説
明する。
【００７９】まず、回路基板４のＩＣチップ実装部４ａ
上に、ＩＣチップ１の大きさより若干大きな寸法にてカ
ットされた無機フィラー１６を配合した固体又は半固体
の絶縁樹脂層の一例としての熱硬化性樹脂より構成され
る絶縁樹脂シート６ｂを配置し、例えば８０〜１２０℃
に熱せられた貼付けツール（図９（Ａ）の接合ツールと
同様に対象物を吸着保持可能なツール）により、例えば
５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ 2程度の圧力で絶縁樹脂シート６
ｂをステージ９上の基板４の電極５上に貼り付けて、回
路基板４の準備工程が完了する。ここで、絶縁樹脂シー
ト６ｂは、球状又は破砕シリカ、アルミナ等のセラミク
スなどの無機系フィラー１６を絶縁樹脂中に分散させて
混合し、これをドクターブレード法などにより平坦化し
溶剤成分を気化させ固体化したものが好ましいととも
に、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐
熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる程度の耐熱
性）を有することが好ましい。上記絶縁樹脂は、例え
ば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹
脂（例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、
ポリカーボネイト、変性ポリフェニレンオキサイド（Ｐ
ＰＯ）など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可
塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここで
は、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続け
る。この熱硬化性樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜
２００℃程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用す
る場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱
を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、
絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使
用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能す
るため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱すること
により硬化する。
上に、ＩＣチップ１の大きさより若干大きな寸法にてカ
ットされた無機フィラー１６を配合した固体又は半固体
の絶縁樹脂層の一例としての熱硬化性樹脂より構成され
る絶縁樹脂シート６ｂを配置し、例えば８０〜１２０℃
に熱せられた貼付けツール（図９（Ａ）の接合ツールと
同様に対象物を吸着保持可能なツール）により、例えば
５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ 2程度の圧力で絶縁樹脂シート６
ｂをステージ９上の基板４の電極５上に貼り付けて、回
路基板４の準備工程が完了する。ここで、絶縁樹脂シー
ト６ｂは、球状又は破砕シリカ、アルミナ等のセラミク
スなどの無機系フィラー１６を絶縁樹脂中に分散させて
混合し、これをドクターブレード法などにより平坦化し
溶剤成分を気化させ固体化したものが好ましいととも
に、後工程のリフロー工程での高温に耐えうる程度の耐
熱性（例えば、２４０℃に１０秒間耐えうる程度の耐熱
性）を有することが好ましい。上記絶縁樹脂は、例え
ば、絶縁性熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリイミドなど）、又は絶縁性熱可塑性樹
脂（例えば、ポニフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、
ポリカーボネイト、変性ポリフェニレンオキサイド（Ｐ
ＰＯ）など）、又は、絶縁性熱硬化性樹脂に絶縁性熱可
塑性樹脂を混合したものなどが使用できるが、ここで
は、代表例として絶縁性熱硬化性樹脂として説明を続け
る。この熱硬化性樹脂のガラス転移点は一般に１２０〜
２００℃程度である。なお、熱可塑性樹脂のみを使用す
る場合には、最初は加熱して一旦軟化させたのち、加熱
を停止して自然冷却させることにより硬化させる一方、
絶縁性熱硬化性樹脂に熱可塑性樹脂を混合したものを使
用する場合には、熱硬化性樹脂のほうが支配的に機能す
るため、熱硬化性樹脂のみと場合と同様に加熱すること
により硬化する。
【００８０】次に、図１８（Ａ）に示すように、図８の
電子部品搭載装置６００において、部品保持部材６０１
の先端の熱せられた接合ツール８により、上記前工程で
各バンプ３が各電極２上に形成されたＩＣチップ１をト
レー６０２から吸着保持しつつ、該ＩＣチップ１を、上
記前工程で準備されかつステージ９上に載置された回路
基板４に対して、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回
路基板４の各電極５上に位置するように位置合わせした
のち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１
を回路基板４に押圧する。この位置合わせは、公知の位
置認識動作を使用する。例えば、図９（Ｃ）に示すよう
に、回路基板４に形成された位置認識マーク６０５又は
リード若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置６
００の基板認識用カメラ６０４で認識して、図９（Ｄ）
に示すようにカメラ６０４で得られた画像６０６を基
に、回路基板４のステージ９上での直交するＸＹ方向の
ＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認
識して基板４の位置を認識する。一方、図９（Ａ）に示
すように、接合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１
の位置認識用マーク６０８又は回路パターンをＩＣチッ
プ用位置認識カメラ６０３で認識して、図９（Ｂ）に示
すようにカメラ６０３で得られた画像６０７を基に、Ｉ
Ｃチップ１の上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の
原点に対する回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置
を認識する。そして、上記回路基板４とＩＣチップ１と
の位置認識結果を基に、接合ツール８又はステージ９を
移動させて、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基
板４の各電極５上に位置するように位置合わせしたの
ち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を
回路基板４に押圧する。
電子部品搭載装置６００において、部品保持部材６０１
の先端の熱せられた接合ツール８により、上記前工程で
各バンプ３が各電極２上に形成されたＩＣチップ１をト
レー６０２から吸着保持しつつ、該ＩＣチップ１を、上
記前工程で準備されかつステージ９上に載置された回路
基板４に対して、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回
路基板４の各電極５上に位置するように位置合わせした
のち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１
を回路基板４に押圧する。この位置合わせは、公知の位
置認識動作を使用する。例えば、図９（Ｃ）に示すよう
に、回路基板４に形成された位置認識マーク６０５又は
リード若しくはランドパターンを、電子部品搭載装置６
００の基板認識用カメラ６０４で認識して、図９（Ｄ）
に示すようにカメラ６０４で得られた画像６０６を基
に、回路基板４のステージ９上での直交するＸＹ方向の
ＸＹ座標位置とＸＹ座標の原点に対する回転位置とを認
識して基板４の位置を認識する。一方、図９（Ａ）に示
すように、接合ツール８に吸着保持されたＩＣチップ１
の位置認識用マーク６０８又は回路パターンをＩＣチッ
プ用位置認識カメラ６０３で認識して、図９（Ｂ）に示
すようにカメラ６０３で得られた画像６０７を基に、Ｉ
Ｃチップ１の上記ＸＹ方向のＸＹ座標位置とＸＹ座標の
原点に対する回転位置とを認識してＩＣチップ１の位置
を認識する。そして、上記回路基板４とＩＣチップ１と
の位置認識結果を基に、接合ツール８又はステージ９を
移動させて、ＩＣチップ１の各電極２が対応する回路基
板４の各電極５上に位置するように位置合わせしたの
ち、上記熱せられた接合ツール８によりＩＣチップ１を
回路基板４に押圧する。
【００８１】このとき、各バンプ３は、その頭部３ａ
が、回路基板４の各電極５上で変形されながら押しつけ
られていく。このとき、熱硬化性樹脂中の無機フィラー
１６は、接合開始当初に熱硬化性樹脂中に入り込んでき
た尖っているバンプ３により、バンプ３の外側方向へ押
し出される。また、この外側方向への押し出し作用によ
りバンプ３と基板電極５の間に無機フィラー１６が入り
込まないことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発
揮する。このとき、もし、バンプ３と回路基板電極５の
間に無機フィラー１６が多少入り込んだとしても、バン
プ３と回路基板電極５とが直接接触していることによ
り、全く問題はない。このとき、ＩＣチップ１を介して
バンプ３側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異
なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバン
プ３の頭部３ａが、必ず図１８（Ｂ）のように変形する
程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は、最
低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）を必要とする。２
０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）未満では抵抗値１００ｍ
ｍΩ／バンプより大きくなって抵抗値が大きくなりすぎ
て実用上問題があるため、２０（ｇｆ／バンプ１ケあた
り）以上であることが好ましい。また、８０μｍ，４０
μｍのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基
づき信頼性の高い領域を検討すると、４０μｍ以上の外
径のバンプでは最低荷重は２５（ｇｆ／バンプ１ケあた
り）以上であることが好ましく、４０μｍ未満の外径の
バンプでは最低荷重は２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）
以上ぐらいが信頼性が高いことが推定される。なお、今
後、リードの狭ピッチ化とともにバンプ外径が４０μｍ
未満と小さくなった場合、バンプの投影面積に応じて、
その２乗に比例して荷重が減少する傾向があることが推
定される。よって、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に
印加する最低荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあ
たり）を必要とするのが好ましい。上記ＩＣチップ１を
介してバンプ３側に印加する荷重の上限は、ＩＣチップ
１、バンプ３、回路基板４などが損傷しない程度とす
る。場合によって、その最大荷重は１５０（ｇｆ／バン
プ１ケあたり）を越えることもある。
が、回路基板４の各電極５上で変形されながら押しつけ
られていく。このとき、熱硬化性樹脂中の無機フィラー
１６は、接合開始当初に熱硬化性樹脂中に入り込んでき
た尖っているバンプ３により、バンプ３の外側方向へ押
し出される。また、この外側方向への押し出し作用によ
りバンプ３と基板電極５の間に無機フィラー１６が入り
込まないことにより、接続抵抗値を低下させる効果を発
揮する。このとき、もし、バンプ３と回路基板電極５の
間に無機フィラー１６が多少入り込んだとしても、バン
プ３と回路基板電極５とが直接接触していることによ
り、全く問題はない。このとき、ＩＣチップ１を介して
バンプ３側に印加する荷重は、バンプ３の外径により異
なるが、折れ曲がって重なり合うようになっているバン
プ３の頭部３ａが、必ず図１８（Ｂ）のように変形する
程度の荷重を加えることが必要である。この荷重は、最
低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）を必要とする。２
０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）未満では抵抗値１００ｍ
ｍΩ／バンプより大きくなって抵抗値が大きくなりすぎ
て実用上問題があるため、２０（ｇｆ／バンプ１ケあた
り）以上であることが好ましい。また、８０μｍ，４０
μｍのそれぞれの外径のバンプと最低荷重との関係に基
づき信頼性の高い領域を検討すると、４０μｍ以上の外
径のバンプでは最低荷重は２５（ｇｆ／バンプ１ケあた
り）以上であることが好ましく、４０μｍ未満の外径の
バンプでは最低荷重は２０（ｇｆ／バンプ１ケあたり）
以上ぐらいが信頼性が高いことが推定される。なお、今
後、リードの狭ピッチ化とともにバンプ外径が４０μｍ
未満と小さくなった場合、バンプの投影面積に応じて、
その２乗に比例して荷重が減少する傾向があることが推
定される。よって、ＩＣチップ１を介してバンプ３側に
印加する最低荷重は、最低で２０（ｇｆ／バンプ１ケあ
たり）を必要とするのが好ましい。上記ＩＣチップ１を
介してバンプ３側に印加する荷重の上限は、ＩＣチップ
１、バンプ３、回路基板４などが損傷しない程度とす
る。場合によって、その最大荷重は１５０（ｇｆ／バン
プ１ケあたり）を越えることもある。
【００８２】なお、セラミックヒータ又はパルスヒータ
などの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８に
より、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩ
Ｃチップ１を、上記前工程で準備された回路基板４に対
してＩＣチップ１の電極２が対応する回路基板４の電極
５上に図１８（Ａ）に示すように位置するように位置合
わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち図１８
（Ｂ）に示すように押圧接合する工程とを、１つの位置
合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかし
ながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産す
る場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時
的に行うことにより生産性を向上させるため、上記位置
合わせ工程は位置合わせ装置で行い、上記押圧接合工程
は接合装置で行うようにしてもよい。
などの内蔵ヒータ８ａにより熱せられた接合ツール８に
より、上記前工程でバンプ３が電極２上に形成されたＩ
Ｃチップ１を、上記前工程で準備された回路基板４に対
してＩＣチップ１の電極２が対応する回路基板４の電極
５上に図１８（Ａ）に示すように位置するように位置合
わせする位置合わせ工程と、位置合わせしたのち図１８
（Ｂ）に示すように押圧接合する工程とを、１つの位置
合わせ兼押圧接合装置で行うようにしてもよい。しかし
ながら、別々の装置、例えば、多数の基板を連続生産す
る場合において位置合わせ作業と押圧接合作業とを同時
的に行うことにより生産性を向上させるため、上記位置
合わせ工程は位置合わせ装置で行い、上記押圧接合工程
は接合装置で行うようにしてもよい。
【００８３】回路基板４は、一般に、熱履歴や、裁断、
加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な
平面ではないことが多い。そこで、例えば約１０μｍ以
下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合
ツール８とステージ９とにより、接合ツール８側からス
テージ９側に向けて熱と荷重をＩＣチップ１を通じて回
路基板４に局所的に印加することにより、その印加され
た部分の回路基板４の反りが矯正せしめられる。また、
ＩＣチップ１は、アクティブ面の中心を凹として反って
いるが、これを接合時に１バンプあたり２０ｇｆ以上の
強い荷重で加圧することで、回路基板４とＩＣチップ１
の両方の反りやうねりを矯正することができる。このＩ
Ｃチップ１の反りは、ＩＣチップ１を形成するとき、Ｓ
ｉに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生する
ものである。バンプの変形量は１０〜２５μｍ程度であ
り、この程度の回路基板が当初から持っている内層銅箔
から表面に現れるうねりの影響にバンプ３の変形でそれ
ぞれのバンプ３が順応することで許容できるようにな
る。
加工により反りやうねりを生じており、必ずしも完全な
平面ではないことが多い。そこで、例えば約１０μｍ以
下に調整されるように平行度がそれぞれ管理された接合
ツール８とステージ９とにより、接合ツール８側からス
テージ９側に向けて熱と荷重をＩＣチップ１を通じて回
路基板４に局所的に印加することにより、その印加され
た部分の回路基板４の反りが矯正せしめられる。また、
ＩＣチップ１は、アクティブ面の中心を凹として反って
いるが、これを接合時に１バンプあたり２０ｇｆ以上の
強い荷重で加圧することで、回路基板４とＩＣチップ１
の両方の反りやうねりを矯正することができる。このＩ
Ｃチップ１の反りは、ＩＣチップ１を形成するとき、Ｓ
ｉに薄膜を形成する際に生じる内部応力により発生する
ものである。バンプの変形量は１０〜２５μｍ程度であ
り、この程度の回路基板が当初から持っている内層銅箔
から表面に現れるうねりの影響にバンプ３の変形でそれ
ぞれのバンプ３が順応することで許容できるようにな
る。
【００８４】こうして回路基板４の反りが矯正された状
態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回
路基板４の間の絶縁樹脂シート６ｂに例えば数秒〜２０
秒程度印加され、この絶縁樹脂シート６ｂが硬化され
る。このとき、最初は絶縁樹脂シート６ｂを構成する熱
硬化性樹脂が流れてＩＣチップ１のエッジまで封止す
る。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自
然に軟化するため、このようにエッジまで流れるような
流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と
回路基板４との間の空間の体積より大きくすることによ
り、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を
奏することができる。この後、加熱されたツール８が上
昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１
と絶縁樹脂シート６ｂの温度が急激に低下して、絶縁樹
脂シート６ｂは流動性を失い、図１８（Ｂ）に示すよう
に、ＩＣチップ１は硬化した熱硬化性樹脂６ｓにより回
路基板４上に固定される。また、回路基板４側をステー
ジ９のヒータ９ａなどにより加熱しておくと、接合ツー
ル８の温度をより低く設定することができる。
態で、例えば１４０〜２３０℃の熱がＩＣチップ１と回
路基板４の間の絶縁樹脂シート６ｂに例えば数秒〜２０
秒程度印加され、この絶縁樹脂シート６ｂが硬化され
る。このとき、最初は絶縁樹脂シート６ｂを構成する熱
硬化性樹脂が流れてＩＣチップ１のエッジまで封止す
る。また、樹脂であるため、加熱されたとき、当初は自
然に軟化するため、このようにエッジまで流れるような
流動性が生じる。熱硬化性樹脂の体積はＩＣチップ１と
回路基板４との間の空間の体積より大きくすることによ
り、この空間からはみ出すように流れ出て、封止効果を
奏することができる。この後、加熱されたツール８が上
昇することにより、加熱源がなくなるためＩＣチップ１
と絶縁樹脂シート６ｂの温度が急激に低下して、絶縁樹
脂シート６ｂは流動性を失い、図１８（Ｂ）に示すよう
に、ＩＣチップ１は硬化した熱硬化性樹脂６ｓにより回
路基板４上に固定される。また、回路基板４側をステー
ジ９のヒータ９ａなどにより加熱しておくと、接合ツー
ル８の温度をより低く設定することができる。
【００８５】なお、無機フィラー１６を絶縁樹脂シート
６ｂにその５〜９０ｗｔ％程度配合することにより、絶
縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂の弾性率、熱膨張係数を回
路基板４に最適なものにコントロールすることができ
る。これに加えて、通常のメッキバンプでこれを利用す
ると、バンプと回路基板４の間に無機フィラーが入り込
み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本実施形態
のようにスタッドバンプ（ワイヤーボンディングを応用
した形成方法）を用いるようにすれぱ、接合開始当初に
絶縁樹脂中に入り込んできた尖っているバンプにより、
無機フィラー１６を、よって、絶縁樹脂を、バンプの外
側方向へ押し出さすことにより、バンプが変形していく
過程で無機フィラー１６と絶縁樹脂をバンプと電極の間
から押し出し、不要な介在物を存在させないようにする
ことができ、より信頼性を向上させることができる。
６ｂにその５〜９０ｗｔ％程度配合することにより、絶
縁樹脂シート６ｂの絶縁樹脂の弾性率、熱膨張係数を回
路基板４に最適なものにコントロールすることができ
る。これに加えて、通常のメッキバンプでこれを利用す
ると、バンプと回路基板４の間に無機フィラーが入り込
み、接合信頼性が低くなる。しかしながら、本実施形態
のようにスタッドバンプ（ワイヤーボンディングを応用
した形成方法）を用いるようにすれぱ、接合開始当初に
絶縁樹脂中に入り込んできた尖っているバンプにより、
無機フィラー１６を、よって、絶縁樹脂を、バンプの外
側方向へ押し出さすことにより、バンプが変形していく
過程で無機フィラー１６と絶縁樹脂をバンプと電極の間
から押し出し、不要な介在物を存在させないようにする
ことができ、より信頼性を向上させることができる。
【００８６】また、同じ重量の無機フィラー１６を配合
する場合には、平均粒径が３μｍ以上の大きな無機フィ
ラーを用いるようにするか、複数の異なる平均粒径を持
つ無機フィラーを用いるようにするか、一方の無機フィ
ラーの平均粒径は、他方の無機フィラーの平均粒径の２
倍以上異なっている無機フィラーを用いるようにする
か、少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無
機フィラーは３μｍを超える平均粒径を持ち、他方の無
機フィラーは３μｍ以下の平均粒径を持つ無機フィラー
を用いるようにすれば、無機フィラーの周りにおける吸
湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させること
が可能となるとともに、無機フィラーの量を増加させる
ことができて、フィルム化（固体化）することが容易に
なる上に、絶縁樹脂シートの線膨張係数を低下させるこ
とができ、より長寿命化させることができて、信頼性を
向上させることができる。。
する場合には、平均粒径が３μｍ以上の大きな無機フィ
ラーを用いるようにするか、複数の異なる平均粒径を持
つ無機フィラーを用いるようにするか、一方の無機フィ
ラーの平均粒径は、他方の無機フィラーの平均粒径の２
倍以上異なっている無機フィラーを用いるようにする
か、少なくとも２種類の無機フィラーのうちの一方の無
機フィラーは３μｍを超える平均粒径を持ち、他方の無
機フィラーは３μｍ以下の平均粒径を持つ無機フィラー
を用いるようにすれば、無機フィラーの周りにおける吸
湿量を減らしめることができ、耐湿性を向上させること
が可能となるとともに、無機フィラーの量を増加させる
ことができて、フィルム化（固体化）することが容易に
なる上に、絶縁樹脂シートの線膨張係数を低下させるこ
とができ、より長寿命化させることができて、信頼性を
向上させることができる。。
【００８７】さらに、平均粒径の大きい一方の無機フィ
ラーは上記絶縁樹脂と同一材料からなるようにすれば、
応力緩和作用を奏するようにすることができ、又、平均
粒径の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁樹脂である
エポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラー
が圧縮されるようにすれば、応力緩和作用を奏するよう
にすることもできる。
ラーは上記絶縁樹脂と同一材料からなるようにすれば、
応力緩和作用を奏するようにすることができ、又、平均
粒径の大きい一方の無機フィラーは上記絶縁樹脂である
エポキシ樹脂よりも柔らかく、上記一方の無機フィラー
が圧縮されるようにすれば、応力緩和作用を奏するよう
にすることもできる。
【００８８】また、ＩＣチップ１又は上記回路基板４と
絶縁樹脂シート６ｂとの接合界面では無機フィラーが存
在しないかその量を少なくすれば、絶縁樹脂シート６ｂ
の絶縁樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で
接着性の高い絶縁樹脂が多くなり、ＩＣチップ１又は上
記回路基板４と絶縁樹脂との密着強度を向上させること
ができて、無機フィラー１６による線膨張係数を下げる
効果を持たせたまま、ＩＣチップ１又は上記回路基板４
との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験で
の寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が
向上する。
絶縁樹脂シート６ｂとの接合界面では無機フィラーが存
在しないかその量を少なくすれば、絶縁樹脂シート６ｂ
の絶縁樹脂本来の接着性が発揮されて、上記接合界面で
接着性の高い絶縁樹脂が多くなり、ＩＣチップ１又は上
記回路基板４と絶縁樹脂との密着強度を向上させること
ができて、無機フィラー１６による線膨張係数を下げる
効果を持たせたまま、ＩＣチップ１又は上記回路基板４
との接着性が向上する。これにより、各種信頼性試験で
の寿命が向上するとともに、曲げに対しての剥離強度が
向上する。
【００８９】さらに、上記ＩＣチップ１に接触する部分
では、ＩＣチップ１表面に用いられる膜素材に対して密
着性を向上させる絶縁樹脂を用いる一方、上記回路基板
４に接触する部分では、回路基板表面の材料に対して密
着性を向上させる絶縁樹脂を用いるようにすれば、さら
に密着性を向上させることができる。
では、ＩＣチップ１表面に用いられる膜素材に対して密
着性を向上させる絶縁樹脂を用いる一方、上記回路基板
４に接触する部分では、回路基板表面の材料に対して密
着性を向上させる絶縁樹脂を用いるようにすれば、さら
に密着性を向上させることができる。
【００９０】また、本発明の第１７実施形態にかかる電
子部品の実装方法として、図１９（Ａ）に示すように、
ＩＣチップ１と基板４との接合において、上記密着力向
上剤７を有するＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）２０を使
用するようにしてもよい。このＡＣＦ２０を使用する場
合には、ＡＣＦ２０中に多数存在しかつ上記バンプ３と
上記電極５とを電気的に接続させる導電粒子２１をバン
プ３と基板電極５との間に必ず挟む必要があること以外
は、上記絶縁樹脂シート６ｂを使用する場合と同様な作
用効果を奏する。
子部品の実装方法として、図１９（Ａ）に示すように、
ＩＣチップ１と基板４との接合において、上記密着力向
上剤７を有するＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ：異方性導電膜）２０を使
用するようにしてもよい。このＡＣＦ２０を使用する場
合には、ＡＣＦ２０中に多数存在しかつ上記バンプ３と
上記電極５とを電気的に接続させる導電粒子２１をバン
プ３と基板電極５との間に必ず挟む必要があること以外
は、上記絶縁樹脂シート６ｂを使用する場合と同様な作
用効果を奏する。
【００９１】また、本発明の第１８実施形態にかかる電
子部品の実装方法として、図２０（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示すように、上記第１〜第１７の各実施形態に
おいて、上記密着力向上剤７を液体状又は半固体状の絶
縁樹脂６又は固体の絶縁樹脂シート６ｂに配置すると
き、上記密着力向上剤７をそのまま配置するのではな
く、図２０（Ａ）に示すように、数ミクロンから数十ミ
クロンの直径の球形でかつ水分を吸収しにくい材料から
なる外皮３１内に上記密着力向上剤７を封入して構成し
たマイクロカプセル３０として配置するようにして、Ｉ
Ｃチップ１と回路基板４とを接合するときには、所定圧
力以上の加圧動作又は所定温度（例えば１５０℃）以上
の加熱動作により上記マイクロカプセル３０の外皮３１
が破壊されるようにして、破壊されたマイクロカプセル
３０中の上記密着力向上剤７が加水分解反応して密着力
向上機能を発揮できるようにする。例えば、上記密着力
向上剤７がシランカップリング剤の場合のマイクロカプ
セルの硬化のメカニズムは以下の通りである。数種類の
アミン成分とエポキシ樹脂とをある程度反応させて樹脂
化し、次いで、上記密着力向上剤７であるシランカップ
リング剤アミン等の活性基をポリマーの三次元構造中に
封じ込めることにより、マイクロカプセル３０を形成し
ている。このように形成されたマイクロカプセル３０が
例えばエポキシ樹脂の絶縁樹脂６又は絶縁樹脂シート６
ｂに接触すると、最初は、マイクロカプセル３０の表面
は一部反応するが、ここで反応がストップし、次いで、
所定圧力以上の加圧又は所定温度以上の加熱により、マ
イクロカプセル３０が溶融及び溶解すると、マイクロカ
プセル３０の外皮３１すなわちポリマーの三次元構造中
に封じ込められていた上記密着力向上剤７であるシラン
カップリング剤の活性基が現れ、活性基により一斉に加
水分解反応が開始される。なお、図２０（Ｃ）におい
て、３２は破壊された外皮３１である。
子部品の実装方法として、図２０（Ａ），（Ｂ），
（Ｃ）に示すように、上記第１〜第１７の各実施形態に
おいて、上記密着力向上剤７を液体状又は半固体状の絶
縁樹脂６又は固体の絶縁樹脂シート６ｂに配置すると
き、上記密着力向上剤７をそのまま配置するのではな
く、図２０（Ａ）に示すように、数ミクロンから数十ミ
クロンの直径の球形でかつ水分を吸収しにくい材料から
なる外皮３１内に上記密着力向上剤７を封入して構成し
たマイクロカプセル３０として配置するようにして、Ｉ
Ｃチップ１と回路基板４とを接合するときには、所定圧
力以上の加圧動作又は所定温度（例えば１５０℃）以上
の加熱動作により上記マイクロカプセル３０の外皮３１
が破壊されるようにして、破壊されたマイクロカプセル
３０中の上記密着力向上剤７が加水分解反応して密着力
向上機能を発揮できるようにする。例えば、上記密着力
向上剤７がシランカップリング剤の場合のマイクロカプ
セルの硬化のメカニズムは以下の通りである。数種類の
アミン成分とエポキシ樹脂とをある程度反応させて樹脂
化し、次いで、上記密着力向上剤７であるシランカップ
リング剤アミン等の活性基をポリマーの三次元構造中に
封じ込めることにより、マイクロカプセル３０を形成し
ている。このように形成されたマイクロカプセル３０が
例えばエポキシ樹脂の絶縁樹脂６又は絶縁樹脂シート６
ｂに接触すると、最初は、マイクロカプセル３０の表面
は一部反応するが、ここで反応がストップし、次いで、
所定圧力以上の加圧又は所定温度以上の加熱により、マ
イクロカプセル３０が溶融及び溶解すると、マイクロカ
プセル３０の外皮３１すなわちポリマーの三次元構造中
に封じ込められていた上記密着力向上剤７であるシラン
カップリング剤の活性基が現れ、活性基により一斉に加
水分解反応が開始される。なお、図２０（Ｃ）におい
て、３２は破壊された外皮３１である。
【００９２】このようにすれば、密着力向上剤７を含む
固体の絶縁樹脂シート６ｂを保存しておくとき、又は、
上記密着力向上剤７を液体状又は半固体状の絶縁樹脂６
に配置したのち接合までに時間がかかるときなどにおい
て、上記密着力向上剤７が水分を吸うことにより加水分
解反応が進んで密着力向上機能が劣化するのを防止する
ことができる。
固体の絶縁樹脂シート６ｂを保存しておくとき、又は、
上記密着力向上剤７を液体状又は半固体状の絶縁樹脂６
に配置したのち接合までに時間がかかるときなどにおい
て、上記密着力向上剤７が水分を吸うことにより加水分
解反応が進んで密着力向上機能が劣化するのを防止する
ことができる。
【００９３】また、上記密着力向上剤７を回路基板側と
ＩＣチップ側の両方に対して配置する場合に、回路基板
側では回路基板４に適した密着力向上剤７を封入したマ
イクロカプセル３０を配置させる一方、ＩＣチップ側で
はＩＣチップ１に適した密着力向上剤７を封入したマイ
クロカプセル３０を配置させるようにして、回路基板側
とＩＣチップ側とでは異なる種類の密着力向上剤７を封
入したマイクロカプセル３０を使用するようにしてもよ
い。
ＩＣチップ側の両方に対して配置する場合に、回路基板
側では回路基板４に適した密着力向上剤７を封入したマ
イクロカプセル３０を配置させる一方、ＩＣチップ側で
はＩＣチップ１に適した密着力向上剤７を封入したマイ
クロカプセル３０を配置させるようにして、回路基板側
とＩＣチップ側とでは異なる種類の密着力向上剤７を封
入したマイクロカプセル３０を使用するようにしてもよ
い。
【００９４】ここで、密着力向上剤７がシランカップリ
ング剤である場合のマイクロカプセル３０の製造方法を
説明する。まず、二重ノズルを利用して、上記密着力向
上剤７である一定量のカップリング剤を中心側から吐出
させると同時に、その周囲から外皮３１を形成するため
の一定量のエポキシ樹脂を管状に吐出させて、硬化材溶
液中に滴下させる。この結果、硬化材溶液中において、
密着力向上剤７の周囲がエポキシ樹脂で全て覆われ、こ
のエポキシ樹脂が硬化材により架橋されて硬化されて外
皮３１となるため、密着力向上剤７の周囲がエポキシ樹
脂の外皮３１で全て覆われたマイクロカプセル３０が形
成される。
ング剤である場合のマイクロカプセル３０の製造方法を
説明する。まず、二重ノズルを利用して、上記密着力向
上剤７である一定量のカップリング剤を中心側から吐出
させると同時に、その周囲から外皮３１を形成するため
の一定量のエポキシ樹脂を管状に吐出させて、硬化材溶
液中に滴下させる。この結果、硬化材溶液中において、
密着力向上剤７の周囲がエポキシ樹脂で全て覆われ、こ
のエポキシ樹脂が硬化材により架橋されて硬化されて外
皮３１となるため、密着力向上剤７の周囲がエポキシ樹
脂の外皮３１で全て覆われたマイクロカプセル３０が形
成される。
【００９５】また、別の製造方法として、フィラー系材
料やガラス繊維などを表面処理することによりマイクロ
カプセル３０を形成する方法には、乾式処理法、湿式処
理法、インテグラルブレンド法の３方法が知られてい
る。以下に、その概要を述べる。
料やガラス繊維などを表面処理することによりマイクロ
カプセル３０を形成する方法には、乾式処理法、湿式処
理法、インテグラルブレンド法の３方法が知られてい
る。以下に、その概要を述べる。
【００９６】まず、乾式処理法は、へンシェル・ミキサ
ーのような高速攪拌可能な機械の中に無機フィラー系材
料を仕込み、高速攪拌しながら、この中にシランそのも
の或いは希釈液をゆっくり滴下或いはスプレー処理して
マイクロカプセル３０を形成する方法である。必要なら
ば、窒素ガスを流しても良いし、処理後、加熱処理して
も良い。この他に流動槽のような装置も使用することが
できるが、装置的に大規模になるという欠点がある。上
記乾式処理法は、湿式処理法と比較して均一な処理が難
しいという欠点があるものの、多量の処理が短時間で出
来る点及び処理に熱源を余り必要としない点などの利点
もある。
ーのような高速攪拌可能な機械の中に無機フィラー系材
料を仕込み、高速攪拌しながら、この中にシランそのも
の或いは希釈液をゆっくり滴下或いはスプレー処理して
マイクロカプセル３０を形成する方法である。必要なら
ば、窒素ガスを流しても良いし、処理後、加熱処理して
も良い。この他に流動槽のような装置も使用することが
できるが、装置的に大規模になるという欠点がある。上
記乾式処理法は、湿式処理法と比較して均一な処理が難
しいという欠点があるものの、多量の処理が短時間で出
来る点及び処理に熱源を余り必要としない点などの利点
もある。
【００９７】次に、湿式処理法は、無機フィラー系材料
或いはガラス繊維などをシラン溶液中で処理し、その
後、乾燥させてマイクロカプセル３０を形成する方法で
ある。シラン溶液は水溶液でも良いし、アルコール性溶
液を使用しても良い。アルコール性溶液を使用する場
合、あらかじめ部分加水分解させてから使用しても良
い。この方法は乾燥時多量の熱源を必要とするため、工
業的には不利である。但し、フィラー系材料を湿式法で
製造する場合には、乾燥前にシラン溶液を添加するだけ
で済むためメリットはある。この方法で処理すると、均
一に処理出来る。
或いはガラス繊維などをシラン溶液中で処理し、その
後、乾燥させてマイクロカプセル３０を形成する方法で
ある。シラン溶液は水溶液でも良いし、アルコール性溶
液を使用しても良い。アルコール性溶液を使用する場
合、あらかじめ部分加水分解させてから使用しても良
い。この方法は乾燥時多量の熱源を必要とするため、工
業的には不利である。但し、フィラー系材料を湿式法で
製造する場合には、乾燥前にシラン溶液を添加するだけ
で済むためメリットはある。この方法で処理すると、均
一に処理出来る。
【００９８】最後に、インテグラルブレンド法は、フィ
ラー材料等を直接処理する方法ではなくて、有機樹脂中
でシランとフィラー材料を間接的に処理する方法であ
る。即ち、有機樹脂中にシランを分散させておき、ここ
にフィラー材料を添加・混合することにより一段階でコ
ンパウディングすることすなわちマイクロカプセル３０
を形成することが出来る。こうした利点のため、工業的
にはしばしば利用されている。但し、シランと有機樹脂
とが反応する可能性のある場合には、この方法は適用す
ることは出来ない。
ラー材料等を直接処理する方法ではなくて、有機樹脂中
でシランとフィラー材料を間接的に処理する方法であ
る。即ち、有機樹脂中にシランを分散させておき、ここ
にフィラー材料を添加・混合することにより一段階でコ
ンパウディングすることすなわちマイクロカプセル３０
を形成することが出来る。こうした利点のため、工業的
にはしばしば利用されている。但し、シランと有機樹脂
とが反応する可能性のある場合には、この方法は適用す
ることは出来ない。
【００９９】
【発明の効果】本発明によれば、密着力向上剤により、
絶縁樹脂と、電子部品例えばＩＣチップ又は基板例えば
回路基板との密着力を向上させることができるため、リ
フロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹
脂と電子部品又は基板との間で剥離が生じにくく、短絡
又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。ま
た、上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の
密着力を向上させることができる結果、耐湿性も向上さ
せることができる。
絶縁樹脂と、電子部品例えばＩＣチップ又は基板例えば
回路基板との密着力を向上させることができるため、リ
フロー工程やヒートサイクル試験工程においても絶縁樹
脂と電子部品又は基板との間で剥離が生じにくく、短絡
又は腐食が防止でき、信頼性を高めることができる。ま
た、上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の
密着力を向上させることができる結果、耐湿性も向上さ
せることができる。
【０１００】また、電子部品と基板との間に配置される
液体状の絶縁樹脂の体積を電子部品と基板との間の空間
の体積より大きくするようにすれば、この空間から絶縁
樹脂がはみ出すように流れ出て、電子部品と基板との間
の封止効果を奏することができる。よって、電子部品と
基板を接合すると同時に絶縁樹脂による封止を行うこと
ができて、電子部品と基板を接合した後に電子部品の下
に封止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を
行う必要がなく、工程を短縮することができる。
液体状の絶縁樹脂の体積を電子部品と基板との間の空間
の体積より大きくするようにすれば、この空間から絶縁
樹脂がはみ出すように流れ出て、電子部品と基板との間
の封止効果を奏することができる。よって、電子部品と
基板を接合すると同時に絶縁樹脂による封止を行うこと
ができて、電子部品と基板を接合した後に電子部品の下
に封止樹脂（アンダーフィルコート）による封止工程を
行う必要がなく、工程を短縮することができる。
【０１０１】また、本発明において、電子部品全体を密
着力向上液槽内に浸漬させたのち乾燥させることにより
密着力向上剤を配置する場合には、簡単でかつ短時間で
配置処理が行える。
着力向上液槽内に浸漬させたのち乾燥させることにより
密着力向上剤を配置する場合には、簡単でかつ短時間で
配置処理が行える。
【０１０２】また、本発明において、密着力向上剤を固
体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になるとと
もに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤を配
置することができる。
体にすれば、液体のものより取り扱いが簡単になるとと
もに、液体の場合よりも、より均一に密着力向上剤を配
置することができる。
【０１０３】また、本発明において、基板の表面での絶
縁樹脂との結合に寄与する密着力向上剤の量を多くすれ
ば、より高い密着強度を得ることができるとともに、電
子部品に対向する表面での絶縁樹脂の絶縁樹脂との結合
に寄与する密着力向上剤の量を多くすれば、より高い密
着強度を得ることができる。
縁樹脂との結合に寄与する密着力向上剤の量を多くすれ
ば、より高い密着強度を得ることができるとともに、電
子部品に対向する表面での絶縁樹脂の絶縁樹脂との結合
に寄与する密着力向上剤の量を多くすれば、より高い密
着強度を得ることができる。
【０１０４】また、本発明において、上記絶縁樹脂シー
トに無機フィラーを配合させれば、上記密着力向上剤に
よる密着力向上の効果に加えて、無機フィラーの存在に
より絶縁樹脂シートの線膨張係数を低下させることがで
き、より長寿命化させることができて、信頼性を向上さ
せることができる。
トに無機フィラーを配合させれば、上記密着力向上剤に
よる密着力向上の効果に加えて、無機フィラーの存在に
より絶縁樹脂シートの線膨張係数を低下させることがで
き、より長寿命化させることができて、信頼性を向上さ
せることができる。
【０１０５】また、本発明において、上記密着力向上剤
は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収しにくい
材料からなる外皮内に封入されるようにすれば、所定圧
力以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると、上
記外皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能
を発揮することができ、上記密着力向上剤が水分を吸う
ことにより加水分解反応が進んで密着力向上機能が劣化
するのを防止することができる。
は、マイクロカプセルの球形でかつ水分を吸収しにくい
材料からなる外皮内に封入されるようにすれば、所定圧
力以上の圧力又は所定温度以上の温度が作用すると、上
記外皮が破壊されて上記密着力向上剤の密着力向上機能
を発揮することができ、上記密着力向上剤が水分を吸う
ことにより加水分解反応が進んで密着力向上機能が劣化
するのを防止することができる。
【図１】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１実施
形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上
剤をＩＣチップの実装部１ａ側に配置しかつバンプがＩ
Ｃチップの電極に形成された状態及びＩＣチップと回路
基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回
路基板の一部断面図である。
形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上
剤をＩＣチップの実装部１ａ側に配置しかつバンプがＩ
Ｃチップの電極に形成された状態及びＩＣチップと回路
基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回
路基板の一部断面図である。
【図２】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ本発明の
第２実施形態にかかる電子部品の実装方法において、密
着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａ側に配置しかつバ
ンプが回路基板の電極に形成された状態及びＩＣチップ
と回路基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチッ
プと回路基板の一部断面図、及び、上記第２実施形態の
変形例にかかる電子部品の実装方法において、絶縁樹脂
をＩＣチップの実装部１ａ側に配置した状態を説明する
ためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
第２実施形態にかかる電子部品の実装方法において、密
着力向上剤をＩＣチップの実装部１ａ側に配置しかつバ
ンプが回路基板の電極に形成された状態及びＩＣチップ
と回路基板との接合後の状態を説明するためのＩＣチッ
プと回路基板の一部断面図、及び、上記第２実施形態の
変形例にかかる電子部品の実装方法において、絶縁樹脂
をＩＣチップの実装部１ａ側に配置した状態を説明する
ためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図３】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ），（Ｄ），（Ｅ），
（Ｆ），（Ｇ），（Ｈ）はそれぞれ本発明の第３〜第５
実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向
上剤をＩＣチップの実装部１ａの四隅のみに配置した状
態の裏面図、ＩＣチップの実装部１ａの縁部にドット状
に配置した状態の裏面図、ＩＣチップの実装部１ａの縁
部に矩形枠状でかつ帯状に配置した状態の裏面図、上記
第１実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着
力向上剤をＩＣチップの実装部１ａの全面に配置した状
態の裏面図、密着力向上剤を回路基板のＩＣチップ実装
部４ａの四隅のみに配置した状態の裏面図、回路基板の
ＩＣチップ実装部４ａの縁部にドット状に配置した状態
の裏面図、回路基板のＩＣチップ実装部４ａの縁部に矩
形枠状でかつ帯状に配置した状態の裏面図、上記第１実
施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向上
剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａの全面に配置した
状態の裏面図である。
（Ｆ），（Ｇ），（Ｈ）はそれぞれ本発明の第３〜第５
実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向
上剤をＩＣチップの実装部１ａの四隅のみに配置した状
態の裏面図、ＩＣチップの実装部１ａの縁部にドット状
に配置した状態の裏面図、ＩＣチップの実装部１ａの縁
部に矩形枠状でかつ帯状に配置した状態の裏面図、上記
第１実施形態にかかる電子部品の実装方法において密着
力向上剤をＩＣチップの実装部１ａの全面に配置した状
態の裏面図、密着力向上剤を回路基板のＩＣチップ実装
部４ａの四隅のみに配置した状態の裏面図、回路基板の
ＩＣチップ実装部４ａの縁部にドット状に配置した状態
の裏面図、回路基板のＩＣチップ実装部４ａの縁部に矩
形枠状でかつ帯状に配置した状態の裏面図、上記第１実
施形態にかかる電子部品の実装方法において密着力向上
剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａの全面に配置した
状態の裏面図である。
【図４】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第６実施
形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上
剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａ側に配置した状態
及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を示すＩＣ
チップと回路基板の一部断面図である。
形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上
剤を回路基板のＩＣチップ実装部４ａ側に配置した状態
及びＩＣチップと回路基板との接合後の状態を示すＩＣ
チップと回路基板の一部断面図である。
【図５】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第７実施
形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上
剤をＩＣチップの実装部１ａ側と上記回路基板のＩＣチ
ップ実装部４ａ側との両方に配置した状態及びＩＣチッ
プと回路基板との接合後の状態を示すＩＣチップと回路
基板の一部断面図である。
形態にかかる電子部品の実装方法において、密着力向上
剤をＩＣチップの実装部１ａ側と上記回路基板のＩＣチ
ップ実装部４ａ側との両方に配置した状態及びＩＣチッ
プと回路基板との接合後の状態を示すＩＣチップと回路
基板の一部断面図である。
【図６】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第８実施
形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチ
ップと回路基板の配置状態及びＩＣチップと回路基板と
の接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板
の一部断面図である。
形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチ
ップと回路基板の配置状態及びＩＣチップと回路基板と
の接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板
の一部断面図である。
【図７】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第９実施
形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチ
ップと回路基板の配置状態及びＩＣチップと回路基板と
の接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板
の一部断面図である。
形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩＣチ
ップと回路基板の配置状態及びＩＣチップと回路基板と
の接合後の状態を説明するためのＩＣチップと回路基板
の一部断面図である。
【図８】 上記第１実施形態で使用される電子部品搭載
装置の斜視図である。
装置の斜視図である。
【図９】 （Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）はそれぞれ
図８の電子部品搭載装置での部品側での位置認識動作を
示す斜視図、部品の位置認識画像の図、基板側での位置
認識動作を示す斜視図、基板の位置認識画像の図であ
る。
図８の電子部品搭載装置での部品側での位置認識動作を
示す斜視図、部品の位置認識画像の図、基板側での位置
認識動作を示す斜視図、基板の位置認識画像の図であ
る。
【図１０】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１０
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１１】 図１０（Ａ）で使用する封止用樹脂シート
の一例の部分断面図である。
の一例の部分断面図である。
【図１２】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１１
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１３】 図１２（Ａ）で使用する封止用樹脂シート
の一例の部分断面図である。
の一例の部分断面図である。
【図１４】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１２
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１５】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１３
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１６】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１４
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１７】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１５
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１８】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１６
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図１９】 （Ａ），（Ｂ）はそれぞれ本発明の第１７
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工程でのＩ
Ｃチップと回路基板の配置状態及び接合後の状態を説明
するためのＩＣチップと回路基板の一部断面図である。
【図２０】 （Ａ），（Ｂ），（Ｃ）はそれぞれ本発明
の第１８実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工
程において使用するマイクロカプセルの拡大断面図、マ
イクロカプセルを有する絶縁樹脂シートを使用する接合
工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の
状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面
図である。
の第１８実施形態にかかる電子部品の実装方法の接合工
程において使用するマイクロカプセルの拡大断面図、マ
イクロカプセルを有する絶縁樹脂シートを使用する接合
工程でのＩＣチップと回路基板の配置状態及び接合後の
状態を説明するためのＩＣチップと回路基板の一部断面
図である。
【図２１】 従来の電子機器の回路基板へＩＣチップを
接合する方法により接合された回路基板とＩＣチップと
の状態を示す一部断面図である。
接合する方法により接合された回路基板とＩＣチップと
の状態を示す一部断面図である。
【図２２】 本発明の第５実施形態の変形例にかかる電
子部品の実装方法において、外周部にＳｉＮパッシベイ
ションが露出したようなＩＣパターンの場合にＩＣチッ
プの縁部に矩形枠状でかつ帯状に密着力向上剤を配置し
てＳｉＮ部での剥離を防止する状態を示すＩＣチップと
回路基板の断面図である。
子部品の実装方法において、外周部にＳｉＮパッシベイ
ションが露出したようなＩＣパターンの場合にＩＣチッ
プの縁部に矩形枠状でかつ帯状に密着力向上剤を配置し
てＳｉＮ部での剥離を防止する状態を示すＩＣチップと
回路基板の断面図である。
１…ＩＣチップ、１ａ…実装部、２，５…電極、３…バ
ンプ、４…回路基板、４…ＩＣチップ実装部、６…絶縁
樹脂、６ｂ…絶縁樹脂シート、６ｘ…ベースフィルム、
６ｙ…カバーシート、７…密着力向上剤、７ｂ…密着力
向上層、８…接合ツール、８ａ…ヒータ、９…ステー
ジ、９ａ…ヒータ、１１，１３，１５…封止用樹脂シー
ト、１４…密着力が向上した部分、１６…無機フィラ
ー、２０…ＡＣＦ、２１…導電粒子、３０…マイクロカ
プセル、３１…外皮。
ンプ、４…回路基板、４…ＩＣチップ実装部、６…絶縁
樹脂、６ｂ…絶縁樹脂シート、６ｘ…ベースフィルム、
６ｙ…カバーシート、７…密着力向上剤、７ｂ…密着力
向上層、８…接合ツール、８ａ…ヒータ、９…ステー
ジ、９ａ…ヒータ、１１，１３，１５…封止用樹脂シー
ト、１４…密着力が向上した部分、１６…無機フィラ
ー、２０…ＡＣＦ、２１…導電粒子、３０…マイクロカ
プセル、３１…外皮。
フロントページの続き (72)発明者 清水 一路 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E319 AA03 AB05 BB20 CC61 5F044 KK01 LL11 RR17 RR18 RR19 5F061 AA01 BA04 CA04
Claims (27)
- 【請求項１】 電子部品（１）と基板（４）とを絶縁樹
脂（６，６ｂ，６ｓ）で接合しつつ封止する電子部品の
実装方法において、 上記絶縁樹脂との密着力向上用の密着力向上剤（７，７
ｂ）を、上記電子部品と上記基板との互いに対向する２
つの面のうち少なくともいずれか一方の面に配置し、 上記電子部品の電極（２）と上記基板の電極（５）との
うちのいずれか一方の電極に形成したバンプ（３）を上
記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか
他方の電極に接合するとともに、上記電子部品と上記基
板との間を上記絶縁樹脂で封止し、上記絶縁樹脂と上記
密着力向上剤とを接触させて上記密着力向上剤により上
記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力
を向上させるようにしたことを特徴とする電子部品の実
装方法。 - 【請求項２】 上記電子部品が矩形のＩＣチップであ
り、上記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上
記矩形のＩＣチップの実装部（１ａ）と、上記ＩＣチッ
プが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部（４
ａ）のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置するよ
うにした請求項１に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項３】 上記電子部品がＩＣチップであり、上記
密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチ
ップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記
基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装
部の縁部にドット状に配置するようにした請求項１に記
載の電子部品の実装方法。 - 【請求項４】 上記電子部品がＩＣチップであり、上記
密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチ
ップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記
基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装
部の縁部に枠状でかつ帯状に配置するようにした請求項
１に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項５】 上記電子部品がＩＣチップであり、上記
密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣチ
ップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上記
基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実装
部の全面に配置するようにした請求項１に記載の電子部
品の実装方法。 - 【請求項６】 上記密着力向上剤の入った液槽内に、上
記電子部品と上記基板との互いに対向する２つの面のう
ち少なくともいずれか一方の面を浸漬させることによ
り、当該面に上記密着力向上剤を配置するようにした請
求項１，４，５のいずれかに記載の電子部品の実装方
法。 - 【請求項７】 上記密着力向上剤を、上記電子部品と上
記基板との互いに対向する２つの面のうち少なくともい
ずれか一方の面に塗布又は印刷することにより配置する
ようにした請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品の
実装方法。 - 【請求項８】 上記密着力向上剤を、上記電子部品と上
記基板との互いに対向する２つの面の両方の面に塗布又
は印刷することにより配置するようにした請求項１〜５
のいずれかに記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項９】 上記電子部品と上記基板との互いに対向
する２つの面のうち少なくとも上記いずれか一方の面に
対向する面に上記密着力向上剤（７，７ｂ）を備えかつ
上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート（６ｂ）
を、上記電子部品と上記基板との間に配置することによ
り、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との
互いに対向する２つの面のうち少なくとも上記いずれか
一方の面に配置するようにした請求項１〜５のいずれか
に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項１０】 上記電子部品と上記基板との互いに対
向する２つの面のそれぞれに上記密着力向上剤を備えか
つ上記絶縁樹脂より構成される絶縁樹脂シート（６ｂ）
を上記電子部品と上記基板との間に配置することによ
り、上記密着力向上剤を、上記電子部品と上記基板との
互いに対向する２つの面のそれぞれの面に配置するよう
にした請求項１〜５のいずれかに記載の電子部品の実装
方法。 - 【請求項１１】 上記密着力向上剤（７ｂ）は上記絶縁
樹脂シートに形成された固体層より構成されるようにし
た請求項９又は１０に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項１２】 上記密着力向上剤（７）は上記絶縁樹
脂シートに混合配置された液体又は半固体状であるよう
にした請求項９又は１０に記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項１３】 上記電子部品と上記基板との互いに対
向する２つの面のうち少なくとも上記いずれか一方の面
に上記密着力向上剤（７，７ｂ）を配置するとともに、
上記絶縁樹脂より構成されるシート（６ｂ）を上記電子
部品と上記基板との間に配置したのち、上記電子部品と
上記基板との接合及び上記電子部品と上記基板との間の
上記絶縁樹脂による封止を行うようにした請求項１〜８
のいずれかに記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項１４】 上記電子部品と上記基板との互いに対
向する２つの面の両方に上記密着力向上剤（７，７ｂ）
をそれぞれ配置するとともに、上記絶縁樹脂より構成さ
れるシート（６ｂ）又は液体を上記電子部品と上記基板
との間に配置したのち、上記電子部品と上記基板との接
合及び上記電子部品と上記基板との間の上記絶縁樹脂に
よる封止を行うようにした請求項１〜８のいずれかに記
載の電子部品の実装方法。 - 【請求項１５】 上記絶縁樹脂シートは、その中央部よ
りもその表面側に多くの上記密着力向上剤が存在するよ
うな濃度分布を持つ請求項９〜１２のいずれかに記載の
電子部品の実装方法。 - 【請求項１６】 上記絶縁樹脂シートは、シート自体の
線膨張係数を低下させる無機フィラー（１６）を含む請
求項９，１０，１１，１２，１５のいずれかに記載の電
子部品の実装方法。 - 【請求項１７】 上記絶縁樹脂シートは、上記バンプと
上記電極とを電気的に接続させる導電粒子（２１）を有
する異方性導電膜（２０）より構成される請求項９，１
０，１１，１２，１５のいずれかに記載の電子部品の実
装方法。 - 【請求項１８】 上記密着力向上剤は、マイクロカプセ
ル（３０）の球形でかつ水分を吸収しにくい材料からな
る外皮（３１）内に封入され、かつ、所定圧力以上の圧
力又は所定温度以上の温度が作用すると上記外皮が破壊
されて上記密着力向上剤の密着力向上機能を発揮するよ
うにした請求項１〜１７のいずれかに記載の電子部品の
実装方法。 - 【請求項１９】 上記密着力向上剤は、エポキシ系、ア
ミノ系、アルキル系、メルカプト系、メトキシ系、若し
くは、メタクリロ系のシランカップリング剤、又は、チ
タネートカップリング剤より構成される請求項１〜１８
のいずれかに記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項２０】 上記絶縁樹脂は、その体積が、上記電
子部品と上記基板との間の空間の体積より大きい請求項
１〜１９のいずれかに記載の電子部品の実装方法。 - 【請求項２１】 請求項１〜２０のいずれかに記載の電
子部品の実装方法により上記電子部品が上記基板に実装
された基板モジュール。 - 【請求項２２】 電子部品（１）と基板（４）とを接合
したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂（６
ｓ）で封止して構成される基板モジュールにおいて、上
記電子部品の電極（２）と上記基板の電極（５）とのう
ちのいずれか一方の電極に形成したバンプ（３）を上記
電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか他
方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互いに
互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一方
の面に配置された密着力向上剤（７，７ｂ）が上記絶縁
樹脂と接触して上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と
上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向上するよ
うにしたことを特徴とする基板モジュール。 - 【請求項２３】 上記電子部品が矩形のＩＣチップであ
り、上記密着力向上剤が、上記基板に実装されるべき上
記矩形のＩＣチップの実装部（１ａ）と、上記ＩＣチッ
プが実装されるべき上記基板のＩＣチップ実装部（４
ａ）のうちのいずれか一方の実装部の四隅に配置されて
上記絶縁樹脂と接触し、上記密着力向上剤により上記絶
縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との間の密着力が向
上しているようにした請求項２２に記載の基板モジュー
ル。 - 【請求項２４】 上記電子部品がＩＣチップであり、上
記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣ
チップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上
記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実
装部の縁部にドット状に配置されて上記絶縁樹脂と接触
し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部
品又は上記基板との間の密着力が向上しているようにし
た請求項２２に記載の基板モジュール。 - 【請求項２５】 上記電子部品がＩＣチップであり、上
記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣ
チップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上
記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実
装部の縁部に枠状でかつ帯状に配置されて上記絶縁樹脂
と接触し、上記密着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記
電子部品又は上記基板との間の密着力が向上しているよ
うにした請求項２２に記載の基板モジュール。 - 【請求項２６】 上記電子部品がＩＣチップであり、上
記密着力向上剤を、上記基板に実装されるべき上記ＩＣ
チップの実装部と、上記ＩＣチップが実装されるべき上
記基板のＩＣチップ実装部とのうちのいずれか一方の実
装部の全面に配置されて上記絶縁樹脂と接触し、上記密
着力向上剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記
基板との間の密着力が向上しているようにした請求項２
２に記載の基板モジュール。 - 【請求項２７】 電子部品（１）と基板（４）とを接合
したのち上記電子部品と上記基板との間を絶縁樹脂（６
ｓ）で封止して構成される基板モジュールにおいて、 上記電子部品の電極（２）と上記基板の電極（５）との
うちのいずれか一方の電極に形成したバンプ（３）を上
記電子部品の電極と上記基板の電極とのうちのいずれか
他方の電極に接合し、上記電子部品と上記基板との互い
に互いに対向する２つの面のうち少なくともいずれか一
方の面に配置されかつメルカプト系、アミノ系、又はチ
タネートカップリング剤より構成する密着力向上剤
（７，７ｂ）が上記絶縁樹脂と接触して上記密着力向上
剤により上記絶縁樹脂と上記電子部品又は上記基板との
間の密着力が向上し、上記絶縁樹脂の反応速度を高める
ようにしたことを特徴とする基板モジュール。
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