JP2005116025A - 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録再生装置 - Google Patents
垂直磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録再生装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005116025A JP2005116025A JP2003347192A JP2003347192A JP2005116025A JP 2005116025 A JP2005116025 A JP 2005116025A JP 2003347192 A JP2003347192 A JP 2003347192A JP 2003347192 A JP2003347192 A JP 2003347192A JP 2005116025 A JP2005116025 A JP 2005116025A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic recording
- recording medium
- perpendicular magnetic
- mol
- underlayer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 312
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 72
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 43
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 42
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 38
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 130
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 37
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 33
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 24
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 23
- 229910005805 NiNb Inorganic materials 0.000 description 20
- 241000849798 Nita Species 0.000 description 19
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 15
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 13
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 8
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 6
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 6
- 229910052774 Proactinium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 4
- 229910000287 alkaline earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005435 FeTaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/658—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing oxygen, e.g. molecular oxygen or magnetic oxide
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/7368—Non-polymeric layer under the lowermost magnetic recording layer
- G11B5/7377—Physical structure of underlayer, e.g. texture
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板11と、少なくとも一層の下地層13,14と、磁化容易軸が基板11面に対し垂直に配向し、磁性結晶粒子と該磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とを有する垂直磁気記録層15と、を具備し、粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつ、Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有するとともに、
前記垂直磁気記録層に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上20モル%以下である。
【選択図】 図1
Description
また、特許文献2に磁性薄膜に少なくとも一種のアルカリ土類金属の酸化物を添加する技術が開示されている。
(1) 基板と、
該基板上に形成された少なくとも一層の下地層と、
該下地層上に形成されて、磁化容易軸が前記基板面に対し垂直に配向し、磁性結晶粒子と該磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とを有する垂直磁気記録層と、を含み、
前記粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつ、Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有するとともに、
前記垂直磁気記録層に含まれるSi,Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
(2) 前記垂直磁気記録層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする前項1に記載の垂直磁気記録媒体。
(3) 前記磁性結晶粒子は、Coを主成分とし、Pt及びCrを含有することを特徴とする前項1から2に記載の垂直磁気記録媒体。
(4) 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を主成分とすることを特徴とする前項1ないし3のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
(5) 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を主成分とする非磁性結晶粒子と、該非磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とから構成され、
前記粒界領域は、Si,Cr,Tiの内より選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含むことを特徴とする前項1ないし4のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
(6) 前記下地層中の前記粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする前項5に記載の垂直磁気記録媒体。
(7) 前記下地層に含まれるSi,Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする前項1ないし6のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
(8) 前記下地層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする前項1から7に記載の垂直磁気記録媒体
(9) 基板に下地層を形成する工程と、
該下地層上に、磁性結晶粒子材料と、Siの酸化物及びLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含む材料とを蒸着して磁性結晶粒子及び該磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域を有する垂直磁気記録層を形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法
(10) 前記垂直磁気記録層中の粒界領域が、Siの酸化物を含み、かつLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする前項9に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(11) 前記垂直磁気記録層に含まれるSi,Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合を、1モル%以上20モル%以下とすることを特徴とする前項9または10に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(12) 前記垂直磁気記録層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする前項9から11に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(13) 前記磁性結晶粒子は、Coを主成分とし、Pt及びCrを含有することを特徴とする前項9ないし12のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(14) 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする前項9ないし13のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(15) 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を含む非磁性結晶粒子と、該非磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とから構成され、
前記粒界領域は、Si,Cr,Tiの内より選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含むことを特徴とする前項9ないし14のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(16) 前記下地層の前記粒界領域に含まれるSi,Cr,Tiの内より選択される少なくとも1種の元素の酸化物の割合が、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする前項15に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(17) 前記下地層中の前記粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする前項15ないし16のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(18) 前記下地層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする前項15から17に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
(19) 前項1ないし8のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体と、
記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。
(20) 前記記録再生ヘッドは、単磁極記録ヘッドである前項19に記載の磁気記録再生装置。
本発明は、第2に、下地層が形成された基板を用意し、該下地層上に、磁性結晶粒子材料と、Siの酸化物及びLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含む材料とを蒸着し、磁性結晶粒子、及び該磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域を有する垂直磁気記録層を形成する工程を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
本発明は、第3に、上記垂直磁気記録媒体と記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置を提供する。
これにより融点またはガラス転移温度が高い材料に比べて、融点またはガラス転移温度以下の同じ温度において、体弾性率または粘性が低くでき、特に体拡散における拡散の活性化エネルギーを減少し、拡散速度を劇的に増加することができる。従って、このような複合酸化物を、粒界領域として磁性結晶粒子材料と同時に蒸着に供すると、高速で拡散して、磁性結晶粒子内に残留することなく磁性結晶粒子の粒界に十分析出することが可能となる。このため、本発明によれば、磁性結晶粒子の分断及び微細化のための添加物として、上記の所定の成分元素を組み合わせた複合酸化物を使用することにより、磁性結晶粒子と過飽和固溶体を形成することなく微細化されたグラニュラ構造を形成することができる。
磁性結晶粒子材料として、より好ましくは、CoCrPt,CoCrPtB,CoCrPtTa,CoCrPtNd,CoCrPtCu等の合金があげられる。
本発明において、「主成分とする」とは、他の元素に比べて最も物質量が多い元素のことを意味するものである。
上記下地層は、必要に応じて2以上の層の積層にすることができる。例えば基板側から、NiTa/Ru,NiTa/Rh,NiTa/Pt,NiTa/Pd,NiTa/Ir,NiTa/Ti,NiNb/Ru,NiNb/Rh,NiNb/Pt,NiNb/Pd,NiNb/Ir,NiNb/Ti,NiTa/Pt/Ru,NiTa/Pt/Rh,NiTa/Pd/Ru,NiTa/Pd/Rh,NiNb/Pt/Ru,NiNb/Pt/Rh,NiNb/Pd/Ru,NiNb/Pd/Rh,等の積層があげられる。
高透磁率な軟磁性層を設けることにより、軟磁性層上に垂直磁気記録層を有するいわゆる垂直二層媒体が構成される。この垂直二層媒体において、軟磁性層は、垂直磁磁気記録層を磁化するための磁気ヘッド例えば単磁極ヘッドからの記録磁界を、水平方向に通して、磁気ヘッド側へ還流させるという磁気ヘッドの機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で充分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させる役目を果たし得る。
このような軟磁性層として、例えばCoZrNb,FeSiAl,FeTaC,CoTaC,NiFe,Fe,FeCoB,FeCoN,FeTaNがあげられる。
図1は、本実施形態における垂直磁気記録媒体の一例を表す断面図であり、図において、符号10は垂直磁気記録媒体である。
上記下地層13,14の積層は、例えば基板側から、NiTa/Ru,NiTa/Rh,NiTa/Pt,NiTa/Pd,NiTa/Ti,NiNb/Ru,NiNb/Rh,NiNb/Pt,NiNb/Pd,NiNb/Ir,NiNb/Ti等の積層とされている。
また、下地層14は垂直磁気記録層15に直接接する層でなくても構わない。
このような軟磁性層12の材質として、例えばCoZrNb,FeSiAl,FeTaC,CoTaC,NiFe,Fe,FeCoB,FeCoN,FeTaNがあげられる。
ここで、前述した特許文献2には、磁性薄膜に少なくとも一種のアルカリ土類金属の酸化物を添加する技術が開示されており、アルカリ土類金属酸化物とともSiOが包含されてもよいと記載されているが、該特許文献では本発明と異なり、SiOとアルカリ土類金属酸化物の組成比、あるいは、磁性膜中の酸化物の組成が規定されていないため、前記特許文献2に開示されている技術のみでは上記のようなSNRの顕著な向上効果を得ることはできない。
図2は、本実施形態における垂直垂直磁気記録媒体20の一例を表す断面図である。
本実施形態において、上述の第1実施形態と異なるのは、図2に示すように、下地層が3層とされた点であり、それ以外の相当する構成要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
また、下地層14は垂直磁気記録層15に直接接する層でなくても構わない。
図3に示されるように、本発明の垂直磁気記録装置は、上面の開口した矩形箱状の筐体61と、複数のねじにより筐体61にねじ止めされる筐体の上端開口を閉塞する図示しないトップカバーを有している。
このように、垂直磁気記録装置60の磁気記録媒体62に、本発明の各実施形態に係る垂直磁気記録媒体10を用いることができる。
本実施形態の垂直磁気記録再生装置によれば、上記のように、磁性結晶粒子の結晶性や配向性を乱すことなく、その磁性結晶粒子の粒径が微細化され、良好なSNR特性を示す垂直磁気記録媒体10を用いることで、高密度記録が可能な磁気記録再生装置を得ることができる。
<実施例1>
実施例1として、図1に示した構造の垂直磁気記録媒体を作成した。まず、2.5インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
スパッタリング装置の真空チャンバー内を2×10−5Pa以下に排気した後、0.67PaのAr雰囲気中で、軟磁性層として、Co84Zr6Nb10ターゲットを使用し、Co84Zr6Nb10軟磁性層を200nm、第2の下地層として、Taターゲットを使用し、Ta層を8nm形成した。その後3PaのAr雰囲気中で、第1の下地層として、Ruターゲットを使用し、Ru層を15nm積層した。
各垂直磁気記録媒体について、スピンスタンドを用いてR/W特性を評価した。磁気ヘッドとして、記録トラック幅0.3μmの単磁極ヘッドと、再生トラック幅0.2μmのMRヘッドを組み合わせたものを用いた。
媒体SNRとして微分回路を通した後の微分波形の信号ノイズ比(SNRm)(但し、Sは線記録密度119kfciの出力、Nmは716kfciでのrms(root mean square)値)の値を、また、記録分解能の指標として、微分波形の半値幅dPW50を評価した。
下記表1に、x=0.08,y=0.05で各添加材料を添加した場合のSNRm値及びdPW50値を示す。
添加量x=0.08,y=0.05の場合についてのSNRm値を下記表2に示す。
添加量x=0.08,y=0.05の場合についてのSNRm値を下記表3に示す。
実施例2として、2.5インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
スパッタリング装置の真空チャンバー内を2×10−5Pa以下に排気した後、0.67PaのAr雰囲気中で、軟磁性層として、Co84Zr6Nb10ターゲットを使用し、Co84Zr6Nb10軟磁性層を200nm、第2の下地層として、Taターゲットを使用し、Ta層を8nm形成した。その後3PaのAr雰囲気中で、第1の下地層として、RuとSiO2を混合したコンポジットターゲットを使用し、Ru−SiO2層を15nm積層した。
作製した媒体について、実施例1と同様の方法でR/W特性を評価した。x=0.08,y=0.05,a=0.05の場合について、SNRm値及びdPW50値を下記表4に示す。
また、第1の下地層への材料添加による、上のようなSNRm改善効果は、磁気記録層のLi2Oの代わりに、Na2O,K2O,Rb2O,Cs2O,CaO,SrO,あるいはBaOを各々使用した場合についても、それぞれ同様に確認された。
実施例3として、2.5インチハードディスク形状の非磁性ガラス基板を用意した。
スパッタリング装置の真空チャンバー内を2×10−5Pa以下に排気した後、0.67PaのAr雰囲気中で、軟磁性層として、Co84Zr6Nb10ターゲットを使用し、Co84Zr6Nb10軟磁性層を200nm、第2の下地層として、Taターゲットを使用し、Ta層を8nm形成した。その後3PaのAr雰囲気中で、第1の下地層として、Ru,SiO2,Li2Oを混合したコンポジットターゲットを使用し、Ru−SiO2−Li2O層を15nm積層した。
作製した媒体について、実施例1と同様の方法でR/W特性を評価した。x=0.08,y=0.05,a=0.05,b=0.05の場合について、SNRm値及びdPW50値を下記表7に示す。
また、第1の下地層への材料添加による、上のようなSNRm改善効果は、磁気記録層のLi2Oの代わりに、Na2O,K2O,Rb2O,Cs2O,CaO,SrO,あるいはBaOを各々使用した場合についても、それぞれ同様に確認された。
また、第1の下地層への材料添加による、上のようなSNRm改善効果は、磁気記録層のLi2Oの代わりに、Na2O,K2O,Rb2O,Cs2O,CaO,SrO,あるいはBaOを各々使用した場合についても、それぞれ同様に確認された。
Claims (20)
- 基板と、
該基板上に形成された少なくとも一層の下地層と、
該下地層上に形成されて、磁化容易軸が前記基板面に対し垂直に配向し、磁性結晶粒子と該磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とを有する垂直磁気記録層と、を含み、
前記粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつ、Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有するとともに、
前記垂直磁気記録層に含まれるSi,Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 - 前記垂直磁気記録層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする請求項1に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記磁性結晶粒子は、Coを主成分とし、Pt及びCrを含有することを特徴とする請求項1または2のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を主成分とすることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を主成分とする非磁性結晶粒子と、該非磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とから構成され、
前記粒界領域は、Si,Cr,Tiの内より選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含むことを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。 - 前記下地層中の前記粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項5に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記下地層に含まれるSi,Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体。
- 前記下地層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする請求項1から7記載の垂直磁気記録媒体
- 基板に下地層を形成する工程と、
該下地層上に、磁性結晶粒子材料と、Siの酸化物及びLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含む材料とを蒸着して磁性結晶粒子及び該磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域を有する垂直磁気記録層を形成する工程と、を含むことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法 - 前記垂直磁気記録層中の粒界領域が、Siの酸化物を含み、かつLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項9に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記垂直磁気記録層に含まれるSi,Li,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合を、1モル%以上20モル%以下とすることを特徴とする請求項9または10に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記垂直磁気記録層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする請求項9から11に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記磁性結晶粒子は、Coを主成分とし、Pt及びCrを含有することを特徴とする請求項9ないし12のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を含むことを特徴とする請求項9ないし13のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記下地層の少なくとも一層が、Ru,Ti,Rh,Pt,Pd,Tiの内より選択される少なくとも一種の元素を含む非磁性結晶粒子と、該非磁性結晶粒子を取り囲む粒界領域とから構成され、
前記粒界領域は、Si,Cr,Tiの内より選択される少なくとも1種の元素の酸化物を含むことを特徴とする請求項9ないし14のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記下地層の前記粒界領域に含まれるSi,Cr,Tiの内より選択される少なくとも1種の元素の酸化物の割合が、1モル%以上20モル%以下であることを特徴とする請求項15に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記下地層中の前記粒界領域は、Siの酸化物を含み、かつLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの内より選択される少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項15ないし16のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記下地層の前記粒界領域に含まれるLi,Na,K,Rb,Cs,Ca,Sr,Baの物質量の合計の割合が、1モル%以上30モル%以下であることを特徴とする請求項15から17に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項1ないし8のいずれか1項に記載の垂直磁気記録媒体と、
記録再生ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生装置。 - 前記記録再生ヘッドは、単磁極記録ヘッドである請求項19に記載の磁気記録再生装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003347192A JP4188196B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
US10/574,573 US7901803B2 (en) | 2003-10-06 | 2004-10-05 | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
PCT/JP2004/015007 WO2005034095A1 (en) | 2003-10-06 | 2004-10-05 | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same |
CNB2004800288314A CN100409319C (zh) | 2003-10-06 | 2004-10-05 | 垂直磁性记录介质、其制造方法及磁性读取/写入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003347192A JP4188196B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005116025A true JP2005116025A (ja) | 2005-04-28 |
JP4188196B2 JP4188196B2 (ja) | 2008-11-26 |
Family
ID=34539860
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003347192A Expired - Fee Related JP4188196B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録再生装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7901803B2 (ja) |
JP (1) | JP4188196B2 (ja) |
CN (1) | CN100409319C (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006348366A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 低融点金属酸化物を含むCo系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材およびその製造方法 |
JP2007052852A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
JPWO2017141557A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2018-10-18 | Jx金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
JP7161282B2 (ja) | 2016-06-29 | 2022-10-26 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 磁気構造およびその形成方法 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005353256A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記憶装置 |
JP2006309919A (ja) * | 2005-03-30 | 2006-11-09 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録媒体、その製造方法および磁気記憶装置 |
CN100555418C (zh) * | 2006-01-24 | 2009-10-28 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 垂直磁记录介质、及其制造方法 |
JP4922648B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-04-25 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記憶装置 |
KR20080095086A (ko) * | 2007-04-23 | 2008-10-28 | 삼성전자주식회사 | 수직자기 기록 매체 및 그 제조 방법 |
KR101196732B1 (ko) * | 2008-02-01 | 2012-11-07 | 시게이트 테크놀로지 엘엘씨 | 수직자기 기록매체 |
JP4940417B2 (ja) * | 2008-08-28 | 2012-05-30 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置及び磁気記憶媒体 |
US8748018B2 (en) * | 2009-10-12 | 2014-06-10 | HGST Netherlands B.V. | Patterned perpendicular magnetic recording medium with data islands having a flux channeling layer below the recording layer |
US9412404B2 (en) | 2009-12-15 | 2016-08-09 | HGST Netherlands B.V. | Onset layer for perpendicular magnetic recording media |
US20120250178A1 (en) * | 2011-03-31 | 2012-10-04 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic media with thermal insulation layer for thermally assisted magnetic data recording |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05143953A (ja) | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Kobe Steel Ltd | 磁気記録媒体 |
US5736013A (en) * | 1994-04-06 | 1998-04-07 | Komag, Inc. | Method for forming an improved magnetic media including sputtering of selected oxides or nitrides in the magnetic layer, and apparatus for same |
US5652054A (en) * | 1994-07-11 | 1997-07-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic recording media having a magnetic thin film made of magnetic metals grains and nonmagnetic matrix |
JP3522944B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2004-04-26 | 株式会社東芝 | 磁気記録媒体 |
JP2000182233A (ja) | 1998-12-15 | 2000-06-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
US6210544B1 (en) * | 1999-03-08 | 2001-04-03 | Alps Electric Co., Ltd. | Magnetic film forming method |
JP2002541671A (ja) * | 1999-03-30 | 2002-12-03 | ドイッチェ テレコム アーゲー | 制御キャビネット |
JP2001043526A (ja) | 1999-05-26 | 2001-02-16 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP3836630B2 (ja) | 1999-06-28 | 2006-10-25 | 日立マクセル株式会社 | 磁気ディスクの製造方法 |
JP2001014649A (ja) * | 1999-06-28 | 2001-01-19 | Hitachi Ltd | 板状体、無機化合物基板、磁気記録媒体及び磁気記憶装置 |
JP2001291230A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-19 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
DE10017490A1 (de) * | 2000-04-07 | 2001-10-11 | Emtec Magnetics Gmbh | Magnetisches Aufzeichnungsmedium |
JP2001351217A (ja) | 2000-06-08 | 2001-12-21 | Fujitsu Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2002083411A (ja) | 2000-06-30 | 2002-03-22 | Sony Corp | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
JP2002025030A (ja) | 2000-07-06 | 2002-01-25 | Hitachi Ltd | 垂直磁気記録媒体とその製法および磁気記録装置 |
JP2002133645A (ja) * | 2000-10-20 | 2002-05-10 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
JP2002208129A (ja) | 2000-11-09 | 2002-07-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録装置 |
US6699600B2 (en) * | 2001-02-28 | 2004-03-02 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacture therefor, and apparatus for magnetic recording and reproducing recordings |
JP2002260209A (ja) | 2001-03-01 | 2002-09-13 | Hitachi Ltd | 非晶質磁気記録媒体およびその製法ならびに磁気記録再生装置 |
JP2002329305A (ja) | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Showa Denko Kk | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
JP4757400B2 (ja) | 2001-05-09 | 2011-08-24 | 昭和電工株式会社 | 垂直磁気記録媒体、および磁気記録再生装置 |
JP2003036525A (ja) | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Fuji Electric Co Ltd | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法 |
US6682826B2 (en) * | 2001-08-01 | 2004-01-27 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium, method of manufacturing therefor, and magnetic read/write apparatus |
JP4083494B2 (ja) | 2001-08-01 | 2008-04-30 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体、その製造方法、および磁気記録再生装置 |
JP2003217107A (ja) | 2002-01-17 | 2003-07-31 | Fuji Electric Co Ltd | 磁気記録媒体 |
JP2003346317A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Fuji Photo Film Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
US7429427B2 (en) * | 2004-12-06 | 2008-09-30 | Seagate Technology Llc | Granular magnetic recording media with improved grain segregation and corrosion resistance |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003347192A patent/JP4188196B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-10-05 CN CNB2004800288314A patent/CN100409319C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-10-05 US US10/574,573 patent/US7901803B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006348366A (ja) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Sanyo Special Steel Co Ltd | 低融点金属酸化物を含むCo系磁性薄膜作製用高密度ターゲット材およびその製造方法 |
JP2007052852A (ja) * | 2005-08-17 | 2007-03-01 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
JP4557838B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2010-10-06 | 株式会社東芝 | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 |
JPWO2017141557A1 (ja) * | 2016-02-19 | 2018-10-18 | Jx金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
CN108699678A (zh) * | 2016-02-19 | 2018-10-23 | 捷客斯金属株式会社 | 磁记录介质用溅射靶以及磁性薄膜 |
JP2020147851A (ja) * | 2016-02-19 | 2020-09-17 | Jx金属株式会社 | 磁気記録媒体用スパッタリングターゲット及び磁性薄膜 |
JP7161282B2 (ja) | 2016-06-29 | 2022-10-26 | 台湾積體電路製造股▲ふん▼有限公司 | 磁気構造およびその形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1864205A (zh) | 2006-11-15 |
US7901803B2 (en) | 2011-03-08 |
US20070065955A1 (en) | 2007-03-22 |
JP4188196B2 (ja) | 2008-11-26 |
CN100409319C (zh) | 2008-08-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4292226B1 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及びこれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP4213001B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 | |
JP4751344B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 | |
JP2008287829A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP2006268972A (ja) | 垂直磁気記録ディスク及びその製造方法 | |
US20080131733A1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus | |
JP2006155861A (ja) | 垂直磁気記録媒体及びその製造方法並びに磁気記録再生装置 | |
JP4557880B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
JP4188196B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、その製造方法、及びこれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP4874526B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造法、並びに磁気記録再生装置 | |
JP4534711B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP4255826B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造方法並びに磁気記録再生装置 | |
JP2005276364A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP4585214B2 (ja) | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録再生装置 | |
US7141316B2 (en) | Perpendicular magnetic recording medium and magnetic recording/reproducing apparatus | |
JP3725132B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及びこれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP4557838B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
JP4951075B2 (ja) | 磁気記録媒体及びその製造法、並びにそれを用いた磁気記録再生装置 | |
JP2016225002A (ja) | 垂直磁気記録媒体及び磁気記録再生装置 | |
JP2008010088A (ja) | 垂直磁気記録媒体 | |
JP4746701B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記録媒体の製造法、並びに磁気記録再生装置 | |
WO2005034095A1 (en) | Perpendicular magnetic recording medium, manufacturing method therefor, and magnetic read/write apparatus using the same | |
JP2007294032A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、並びに磁気記録再生装置 | |
JP3987080B2 (ja) | 磁気記録媒体及び磁気記憶装置 | |
JP5075993B2 (ja) | 垂直磁気記録媒体、及び磁気記録再生装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060309 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080617 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080811 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080902 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080910 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110919 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140919 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |