JP2004531080A - 基板接合c4ハンダ・ボールの疲労寿命の延長 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記結合により、ハンダ部材(例えば、ハンダ・ボール)は半導体基板上の導電性パッドおよび有機基板上の導電性パッドの両方と境を接する。半導体基板上のパッドの表面積を有機基材上のパッドの表面積より大きくすることにより、熱サイクル中のハンダ部材の熱ひずみを減少させることができる。ハンダ部材の中心線から、半導体基板の最も近い端部までの距離を、約0.25mmより大きくすることによってもまた、熱サイクル中のハンダ部材の熱ひずみを減少させることができる。
【選択図】図1
Description
【0001】
本発明は、有機チップ・キャリアへ半導体チップをハンダ・ボールにより結合する方法および構造に関する。
【背景技術】
【0002】
半導体チップを有機チップ・キャリアに結合するハンダ・ボールは、熱サイクル中に、熱に誘起されてひずむ。熱により発生するこのひずみにより、不可避的にハンダが損傷を受け、十分なサイクルが行われると、クラック発生と電気的不良に至る。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
このように、前記の熱により発生するひずみを小さくして疲労寿命を延ばす方法および構造が求められている。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明は、
第1の導電性パッドをその上に有する半導体基板;
第2の導電性パッドをその上に有する有機基板;
を備え、第1のパッドの表面積は第2のパッドの表面積より大きく、さらに
第1のパッドを第2のパッドに電気的に結合するハンダ部材;
を備えるエレクトロニクス構造体(electronic structure)を提供する。
【0005】
本発明は、
第1の導電性パッドをその上に有する半導体基板;
第2の導電性パッドをその上に有する有機基板;および
第1のパッドを第2のパッドに電気的に結合するハンダ部材;
を備え、ハンダ部材の中心線から、半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約0.25mmであるエレクトロニクス構造体を提供する。
【0006】
本発明は、
第1の導電性パッドをその上に有する半導体基板を形成すること;
第2の導電性パッドをその上に有する有機基板を形成すること;
を含み、第1のパッドの表面積は第2のパッドの表面積より大きく、さらに
ハンダ部材の使用により、第1のパッドを第2のパッドに電気的に結合すること;
を含むエレクトロニクス構造体を形成する方法を提供する。
【0007】
本発明は、
第1の導電性パッドをその上に有する半導体基板を形成すること;
第2の導電性パッドをその上に有する有機基板を形成すること;および
ハンダ部材の使用により、第1のパッドを第2のパッドに電気的に結合すること;
を含み、ハンダ部材の中心線から、半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約0.25mmであるエレクトロニクス構造体を形成する方法を提供する。
【0008】
本発明は、熱サイクル中に、半導体チップを有機チップ・キャリアに結合するハンダ・ボールに生じる、熱により誘起されるひずみを小さくする。
【発明を実施するための最良の形態】
【0009】
図1は、本発明の実施形態によるエレクトロニクス構造体10の断面正面図を示す。エレクトロニクス構造体10には、ハンダ部材16により有機基板14に結合する半導体基板12が含まれる。ハンダ部材16は、半導体基板12上の導電性パッド20に機械的および電気的に結合している。同様に、ハンダ部材16は、有機基板14上の導電性パッド22に機械的および電気的に結合している。
【0010】
半導体基板12には、特に、半導体チップ(例えば、シリコン・チップまたはゲルマニウム・チップ)が含まれるであろう。半導体基板12の熱膨張係数(CTE)は、ppmを百万分率であるとして、約3ppm/℃であろう。
【0011】
有機基板14には、特に、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、ガラス・クロス、銅−インバー−銅あるいは他の強化多層、ならびにこれらの組合せなどの有機材料が含まれる。有機基板14には、特に、有機チップ・キャリアが含まれるであろう。有機基板14のCTEは、約10ppm/℃と約18ppm/℃の間である。
【0012】
ハンダ部材16には、特に、controlled collapse chipconnection(C4)ハンダ・ボールのようなハンダ・ボールが含まれであろう。ハンダ部材16には、特に、鉛−スズ共晶合金(すなわち、重量で約63%の鉛と37%のスズ)、鉛−スズ高融点合金、eutectic-tipped高融点合金、無鉛ハンダなどが含まれるであろう。例えば、鉛−スズ高融点合金では、鉛とスズが97:3の重量比で、融点は約330℃であろう。ハンダ部材16のCTEは、約21ppm/℃と約28ppm/℃の間である。特に、鉛とスズの重量濃度比が97:3の合金のCTEは、約28ppm/℃である。
【0013】
アンダーフィル材24が半導体基板12と有機基板14の間に存在し、アンダーフィル材24はハンダ部材16を封じ込め、アンダーフィル材24は少なくとも約1ギガパスカル(GPa)の弾性率をもつ。アンダーフィル材24はハンダ部材16への熱応力を低下させる役目を果たし、このような熱応力は熱サイクル動作中に生じうる。アンダーフィル材24として、当分野の技術者に知られているどのようアンダーフィル材料も用いることができる。知られているアンダーフィル材料の例には、特に、Dexter CNB840-38およびNamics U8437-2が含まれる。
【0014】
次の様にしてエレクトロニクス構造体10を製造することができる。パッド20をその上にもつ半導体基板12を形成するか、あるいは何らかの別の仕方で得る。パッド22をその上にもつ有機基板14を形成するか、あるいは何らかの別の仕方で得る。鉛−スズ高融点ハンダを、半導体基板12のパッド20上に付着させ、付形して、ハンダ・ボールを形成する。鉛−スズ共晶ハンダ・ペーストを有機基板14のパッド22上に付着させる。パッド20上の高融点ハンダをパッド22上の共晶ハンダ・ペーストと接触させる。ハンダ・ペーストを、鉛−スズ高融点ハンダの融点以下の温度でリフローさせ、次いで冷却して、半導体基板12を有機基板14に機械的および電気的に結合するハンダ部材16を形成する。次に、アンダーフィル材24がハンダ部材16を封じ込むように、アンダーフィル材24が半導体基板12と有機基板14の間に入れられるであろう。
【0015】
ハンダ部材16への熱応力を軽減するというアンダーフィル材24の役割にもかかわらず、こうして低下した熱応力が、それにもかかわらず、ハンダ部材16とパッド20の間の境界で、ハンダ部材16にクラックを引き起こしうる。ハンダ部材16とパッド20に結合している半導体基板12との間のCTEの局所的不一致は、半導体部材16とパッド22に結合している有機基板14との間の不一致より大きいので、ハンダ部材16とパッド20の間の境界は、ハンダ部材16とパッド22の間の境界より熱応力による損傷を受けやすい。熱応力による損傷は、ハンダ部材16とパッド20の間の境界の、疲労寿命に悪影響を及ぼす。
【0016】
本発明は、ハンダ部材16とパッド20との間の境界の疲労寿命を延長する、2つの発明技術を開示する。第1の発明技術では、ハンダで濡れた半導体基板12のパッド20の表面32の表面積をS1、有機基板14のパッド22の表面34の表面積をS2であるとして、S1/S2が1を超える。第2の発明技術では、ハンダ部材16の中心線26から、半導体基板12の最も近い横端部13までの、方向8での距離が、約0.25mmを超える。中心線26は、ハンダ部材16の重心28を通り、表面32に垂直な方向9に沿うものとして定義される。
【0017】
S2に対してS1を大きくすることにより、S1/S2を1より大きくする第1の発明技術は、パッド20でのハンダ部材16への熱応力および結果としての熱ひずみを、パッド22でのハンダ部材16への熱応力および結果としての熱ひずみに比べて、減少させる。第1の発明技術は、パッド20でのハンダ部材16への相対的に大きな熱応力の一部分を緩和し、前記の相対的に大きな熱応力は、ハンダ部材16と有機基板14との間のCTEの違いに比べて、ハンダ部材16と半導体基板12との間の相対的に大きいCTEの違いによる。
【0018】
図2は、図1のハンダ部材16に対する熱サイクル疲労試験データの表であり、S1/S2を増加させると、図1のハンダ部材16とパッド20との間の境界の疲労寿命が増加することを例示している。図2の元になった試験では、各サイクルでエレクトロニクス構造体10を、100℃から0℃へ、そして100℃に戻す熱サイクルを実施した。半導体基板12はシリコン半導体チップであり、有機基板14は有機ビルドアップ層をもつガラス・エポキシ・コアを備える有機チップ・キャリアであり、またハンダ部材16は、重量濃度で約97%の鉛と約3%のスズからなる鉛−スズ合金を含むC4ハンダ・ボールである。弾性率が7GPaであるNamics U8437-2材料のアンダーフィル24材を用いた。
【0019】
図2の第1行に現れる列のタイトルは次の通りである。「行」の列は行番号を表す。「試料数」の列は、試験された各バッチで用いられた、同じエレクトロニクス構造体10の試料数を表す。「チップ・サイズ」は、チップ12の表面18に沿うチップ寸法を表す。パッド22は、「有機基板パッド直径、D2」の列に記される直径をもつ。パッド20は、「チップ・パッド直径、D1」の列に記された直径をもつ。「D1/D2」の列はD1とD2の比を示す。「S1/S2」の列は、S1/S2=(D1/D2)2であるS1/S2を表す。「ハンダ・ボール高さ」の列は、図1に示される方向9における高さHを表す。「ハンダ・ボール中心線からチップ端部までの距離(DEDGE)」の列は、図1に示される方向8における距離DEDGEを表す。「50%不良までのサイクル数」の列は、50%の試料が不良となるサイクル数を表し、試料数についての平均から計算された。「不良発生の最初のサイクル」の列は、100サイクル毎に試料の不良を試験した行4を例外として、500サイクル毎に試料の不良を試験したので、500サイクルの誤差がある。試料の不良は、ハンダ部材16のクラック、あるいはハンダ部材16のパッド20からの剥離として定義される。
【0020】
図2の行4および3に見られるように、S1/S2が0.40から0.77に増加すると、「50%不良までのサイクル数」は3250から7963回まで増加し、また「不良発生の最初のサイクル」は、600から2500回目まで増加する。行2および3では、S1/S2が0.77から0.81に増加して、「50%不良までのサイクル数」が7963から8430回まで増加しているので、行3および4と矛盾がないことに注意されたい。行2、3および4では、DEDGEが100μmで同じ値であることに注意されたい。
【0021】
S1/S2の増加が疲労寿命を延長させることが先の結果により確認され、このことが本発明の第1の発明技術の根拠である。有限要素モデリングを用いて、疲労寿命の増加が広い範囲のS1/S2比に渡って予測された。第1の発明技術には、S1/S2に関していくつかの実施形態が含まれる。第1の発明技術の第1の実施形態は、S1/S2>1である。第1の発明技術の第2の実施形態は、少なくとも約1.2倍だけ、S1をS2より大きくすることである。第1の発明技術の第3の実施形態では、約1.1と約1.3倍の間だけ、S1をS2より大きくすることである。第1の発明技術の第4の実施形態では、約1.3と約2.0倍の間だけ、S1をS2より大きくすることである。
【0022】
図2の行1および3は、本発明の第2の発明技術を例示する。行1と3ではそれぞれ、DEDGEは230μm(すなわち、0.23mmまたは9ミル)と100μm(すなわち、0.10mmまたは4ミル)に等しい。行1と3に対して、図2は、DEDGEを100μmから230μmまで(すなわち、0.10mmから0,23mmまで)増加させると、「50%不良までのサイクル数」が7963サイクルから13260サイクルに増加することを示している。このように、最も近いチップ端部13から数百ミクロン以内の距離DEDGE(図2参照)で、DEDGEを増加させると、50%の不良レベルに達するまでのサイクル数は多くなる。行1および3では、S1/S2は同じ値0.77であることに注意されたい。
【0023】
最も近いチップ端部13から数百ミクロン以内でDEDGEを増加させることの有益な効果は、図3および図4によっても示されている。図3と図4はそれぞれ、ハンダ部材16と半導体基板12のパッド20との間の境界でのハンダ部材の、平均せん断ひずみと平均軸方向ひずみ(axial strain)のプロットである。図3の平均せん断ひずみは、図1の方向8および9により決まる面内にあり、図4の平均軸方向ひずみは、方向9に平行である。図3のせん断ひずみも図4の軸方向ひずみも、C4ハンダ・ボール16と境を接するパッド表面32の部分に渡る空間的な平均である。
【0024】
図3と図4では、半導体基板12はシリコン半導体チップであり、有機基板14は有機ビルドアップ層をもつガラス・エポキシ・コアを備える有機チップ・キャリアであり、またハンダ部材16は、重量濃度で約97%の鉛と約3%のスズからなる鉛−スズ合金を含むC4ハンダ・ボールであった。2から11GPaの弾性率をもつアンダーフィル24材が存在する。チップ12の端部13は、チップ12の中央(示されていない)から約8mmである。チップ12の表面18の寸法は16mm×16mmである。C4ハンダ・ボールの高さHは0.1mmである。
【0025】
図3および図4の元になったシミュレーションでは、各サイクルでエレクトロニクス構造体10を100℃から0℃へ、そして100℃に戻す熱サイクルを実施した。得られた、図3のせん断ひずみと図4の軸方向ひずみは、DCの関数としてそれぞれプロットされており、DCは方向8における半導体基板12の中央から、ハンダ部材16の中心線26までの距離8(図1参照)である。図3は、アンダーフィル24の弾性率がそれぞれ、2GPa、5GPa、および11GPaに対応する3つのせん断ひずみ曲線102、105、および111を示す。同様に、図4は、アンダーフィル24の弾性率がそれぞれ、2GPa、5GPa、および11GPaに対応する3つの軸方向ひずみ曲線202、205、および211を示す。
【0026】
図3では、C4ハンダ・ボール中心線26が、3つの曲線102、105、および111のどれを問題にするかに応じて、チップ12の端部13から約0.25mmと約0.40mmの間にある場合に、平均せん断ひずみは最も急激に低下する。この0.25mmの距離は、曲線211上の点P1(勾配の鋭い変化が起こっている箇所)とチップ12の端部13に対応するDC=8mmとの間のDCの変化である。この0.40mmの距離は、曲線105上の点P2(勾配の鋭い変化が起こっている箇所)とチップ12の端部13に対応するDC=8mmとの間のDCの差である。
【0027】
図4では、C4ハンダ・ボール中心線26が、3つの曲線202、205、および211のどれを問題にするかに応じて、チップ12の端部13から約0.30mmと約1.0mmの間にある場合に、平均軸方向ひずみは最も急激に低下する。この0.30mmの距離は、曲線211上の点P3(勾配の鋭い変化が起こっている箇所)とチップ12の端部13に対応するDC=8mmとの間のDCの差である。この1.0mmの距離は、曲線202上の点P4(勾配の鋭い変化が起こっている箇所)とチップ12の端部13に対応するDC=8mmとの間のDCの差である。先の結果に基づいて、第2の発明技術にはDEDGEに関していくつかの実施形態が含まれる。第2の発明技術の第1の実施形態では、図3の平均せん断ひずみ曲線に基づいて、DEDGEは少なくとも約0.25mmである。第2の発明技術の第2の実施形態では、図3の平均せん断ひずみ曲線に基づいて、DEDGEは少なくとも約0.40mmである。第2の発明技術の第3の実施形態では、図4の平均軸方向ひずみ曲線に基づいて、DEDGEは少なくとも約0.30mmである。第2の発明技術の第4の実施形態では、図4の平均軸方向ひずみ曲線に基づいて、DEDGEは少なくとも約1.00mmである。
【0028】
本発明の効果は、ハンダ部材16とパッド20の間には、半導体部材16とパッド22の間より大きなCTEの違いがあるので、ハンダ部材16とパッド20の間の境界は、ハンダ部材16とパッド22の間の境界より熱応力による損傷を受けやすいという事実に関連する。これに応じて、CTEカップリング・パラメータPが前記のCTEの違いを特徴づけ、CSOLDERをハンダ部材16のCTE、CORGANICを有機基板14のCTE、CSEMIを半導体基板12のCTEとして、Pは、(CSOLDER−CORGANIC)/(CSOLDER−CSEMI)として定義される。CSOLDER>CORGANIC>CSEMIと仮定すると、Pは、0<P<1を満たさなければならない。P=1は、パッド20とパッド22の間では、前記CTEの違いが完全に対称に配分されていることを表す。一方、P=0は、パッド20とパッド22の間では、前記CTEの違いが完全に非対称に配分されていることを表す。ハンダ部材16、有機基板14、および半導体基板12の前記CTEの範囲では、Pは0.17<P<0.72を満たす。こうして、Pの包括的範囲は、本特許で考慮されるCTEの範囲では、0.15<P<0.75である。
【図面の簡単な説明】
【0029】
【図1】本発明の実施形態に従った、有機チップ・キャリアにハンダ・ボールにより結合した半導体チップの断面正面図である。
【図2】図1のハンダ・ボールについての熱サイクル疲労試験データの表である。
【図3】チップの中心とハンダ・ボール中心線との間の距離の関数としての、図1のハンダ・ボールのせん断ひずみのプロットである。
【図4】チップの中心とハンダ・ボール中心線との間の距離の関数としての、図1のハンダ・ボールの軸方向ひずみのプロットである。
Claims (18)
- 第1の導電性パッドをその上に有する半導体基板と、
第2の導電性パッドをその上に有する有機基板と、
前記第1のパッドを前記第2のパッドに電気的に結合するハンダ部材と
を備え、
前記第1のパッドの表面積が前記第2のパッドの表面積より大きいことを特徴とするエレクトロニクス構造体。 - 前記ハンダ部材の中心線から、前記半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約0.25mmまたは0.40mmである請求項1に記載のエレクトロニクス構造体。
- 前記半導体基板と前記有機基板の間のアンダーフィル材をさらに備え、前記アンダーフィル材が前記ハンダ部材を包み込み、また前記アンダーフィル材の弾性率が少なくとも約1GPaである請求項1または2のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
- 前記有機基板の熱膨張係数(CTE)が約10ppm/℃と約18ppm/℃の間である請求項1または2のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
- CSOLDERを前記ハンダ部材のCTE、CORGANICを前記有機基板のCTE、CSEMIを前記半導体基板のCTEとして、Pを、(CSOLDER−CORGANIC)/(CSOLDER−CSEMI)として定義すると、Pが約0.15と約0.75の間である請求項1または2のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
- 前記有機基板が、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、およびこれらの組合せからなる群から選択される有機材料を含む請求項1または2のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
- 前記ハンダ部材が、controlled collapse chip connection(C4)ハンダ・ボールを含む請求項1または2のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
- 前記ハンダ部材が鉛−スズ合金を含む請求項1または2のいずれか一項に記載のエレクトロニクス構造体。
- 前記有機基板において、前記第1のパッドの表面積が、少なくとも約1.2倍または、約1.1と約1.3倍の間または、約1.3と2.0倍の間だけ前記第2のパッドの表面積より大きく、ハンダ部材が前記第1のパッドを前記第2のパッドに電気的に結合する請求項1に記載のエレクトロニクス構造体。
- 第1の導電性パッドをその上に有する半導体基板を形成することと、
第2の導電性パッドをその上に有する有機基板を形成することと、
ハンダ部材の使用により、前記第1のパッドを前記第2のパッドに電気的に結合することと
を含み、前記第1のパッドの表面積が前記第2のパッドの表面積より大きいことを特徴とするエレクトロニクス構造体を形成する方法。 - 前記ハンダ部材の中心線から、前記半導体基板の最も近い横端部までの距離が少なくとも約0.25mmまたは0.40mmである請求項10に記載の方法。
- 前記半導体基板と前記有機基板の間にアンダーフィル材を入れ、前記アンダーフィル材の弾性率が少なくとも約1GPaである請求項10または11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機基板の熱膨張係数(CTE)が約10ppm/℃と約18ppm/℃の間である請求項10または11のいずれか一項に記載の方法。
- CSOLDERを前記ハンダ部材16のCTE、CORGANICを前記有機基板14のCTE、CSEMIを前記半導体基板12のCTEとして、Pを、(CSOLDER−CORGANIC)/(CSOLDER−CSEMI)として定義すると、Pが約0.15と約0.75の間である請求項10または11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記有機基板が、エポキシ、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、およびこれらの組合せからなる群から選択される有機材料を含む請求項10または11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ハンダ部材が、C4ハンダ・ボールを含む請求項10または11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ハンダ部材が鉛−スズ合金を含む請求項10または11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記形成ステップにおいて、前記第1のパッドの表面積が、少なくとも約1.2倍または、約1.1と約1.3倍の間または、約1.3と2.0倍の間だけ前記第2のパッドの表面積より大きい請求項10に記載の方法。
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