JP2856197B2 - Ｂｇａ接続構造 - Google Patents
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- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品のＢＧＡ
（ボール グリッド アレイ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）接続構造に関し、特に、例えばＬＳＩをパッ
ケージした部品或いは電子部品を複数搭載したモジュー
ル基板などのような、ＬＳＩに比べて大型の部品或いは
基板と回路基板とを接続するためのＢＧＡ接続構造に関
する。
（ボール グリッド アレイ：Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａ
ｒｒａｙ）接続構造に関し、特に、例えばＬＳＩをパッ
ケージした部品或いは電子部品を複数搭載したモジュー
ル基板などのような、ＬＳＩに比べて大型の部品或いは
基板と回路基板とを接続するためのＢＧＡ接続構造に関
する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩに代表される多ピンの半導体装置
をパッケージする技術の一つにＢＧＡ接続が知られてい
るが、この技術による接続構造（ＢＧＡ接続構造）は、
ＬＳＩをパッケージした部品或いは電子部品を複数搭載
したモジュール基板のような、ＬＳＩより大型の部品や
基板と回路基板との接続にも利用できる。このような大
型部品或いは基板と回路基板との接続に用いられるＢＧ
Ａ接続構造は、ＬＳＩのパッケージングに実用化されて
いるＢＧＡ接続構造と、基本的には同じである。すなわ
ち、図１０に接続部の拡大断面図を示すように、接続す
る側（以後、上記モジュール基板で代表させる）１と接
続される側（同、回路基板）４それぞれの電極を、それ
ぞれの基板の面内に、同一ピッチで格子状に配置し、モ
ジュール基板１の電極形成面と回路基板４の電極形成面
とを対置させ、対応する電極２Ａ，２Ｂどうしをはんだ
３で接続する構造である。
をパッケージする技術の一つにＢＧＡ接続が知られてい
るが、この技術による接続構造（ＢＧＡ接続構造）は、
ＬＳＩをパッケージした部品或いは電子部品を複数搭載
したモジュール基板のような、ＬＳＩより大型の部品や
基板と回路基板との接続にも利用できる。このような大
型部品或いは基板と回路基板との接続に用いられるＢＧ
Ａ接続構造は、ＬＳＩのパッケージングに実用化されて
いるＢＧＡ接続構造と、基本的には同じである。すなわ
ち、図１０に接続部の拡大断面図を示すように、接続す
る側（以後、上記モジュール基板で代表させる）１と接
続される側（同、回路基板）４それぞれの電極を、それ
ぞれの基板の面内に、同一ピッチで格子状に配置し、モ
ジュール基板１の電極形成面と回路基板４の電極形成面
とを対置させ、対応する電極２Ａ，２Ｂどうしをはんだ
３で接続する構造である。
【０００３】ところで、このＢＧＡ接続構造では、はん
だ３だけで接続すると、接続後のはんだ３の断面形状
は、溶融はんだの表面張力と基板１，４間に加わる力と
の釣り合いで、高さ方向中央部が横方向に張り出した、
太鼓状になることが知られている。ここで、モジュール
基板と回路基板とを含む全体に温度変化が生じた場合を
考える。このとき、モジュール基板１と回路基板４の熱
膨張率とが異なると、一例として図１０中に右向き又は
左向きの矢印で示したような、基板面に平行な方向の応
力が、接続部に加わる。そして、図中に破線の丸で囲っ
て示した部分Ｅにおけるような、はんだ３が電極２Ａに
鈍角で接続している接合部分には、引っ張り応力が加わ
り、応力集中が起きる。甚だしい場合には接合部分Ｅの
はんだに亀裂が入る。このような亀裂は温度変化の繰返
しにより成長し、終には接合部分の破断に至ることがあ
る。
だ３だけで接続すると、接続後のはんだ３の断面形状
は、溶融はんだの表面張力と基板１，４間に加わる力と
の釣り合いで、高さ方向中央部が横方向に張り出した、
太鼓状になることが知られている。ここで、モジュール
基板と回路基板とを含む全体に温度変化が生じた場合を
考える。このとき、モジュール基板１と回路基板４の熱
膨張率とが異なると、一例として図１０中に右向き又は
左向きの矢印で示したような、基板面に平行な方向の応
力が、接続部に加わる。そして、図中に破線の丸で囲っ
て示した部分Ｅにおけるような、はんだ３が電極２Ａに
鈍角で接続している接合部分には、引っ張り応力が加わ
り、応力集中が起きる。甚だしい場合には接合部分Ｅの
はんだに亀裂が入る。このような亀裂は温度変化の繰返
しにより成長し、終には接合部分の破断に至ることがあ
る。
【０００４】上述した、モジュール基板と回路基板とを
ＢＧＡ接続した場合における両基板間の熱膨張率の相違
に基づく接合部分の破断を防止する一つの方法は、熱膨
張率の差そのものを小さくして、生じる応力を小さくす
ることである。特開平８−６４７１１号公報は、ＬＳＩ
のパッケージングに係わる発明であって、本発明の主た
る対象である、ＬＳＩより大型の部品或いはモジュール
基板と回路基板との接続に直接係わるものではないが、
接続すべき二つの基板間に、それら二つの基板とは熱膨
張率が異なる第３番目の材料の層を挟み込むことにより
応力を緩和する接続技術（従来例１）を開示している。
すなわち、従来例１における接続構造の断面を示す図１
１を参照して、セラミック基板１０２に、熱膨張・収縮
の際の整合層として厚さ１ｍｍの樹脂基板１０３を貼り
付け、その樹脂基板１０３にはんだボール１０８を設け
ている。そして、上記樹脂基板１０３の材料に、その熱
膨張率が回路基板（図示せず）の熱膨張率とセラミック
基板１０２の熱膨張率の中間の値であるような材料を選
択することにより、実効的なセラミック基板１０２の熱
膨張率を回路基板の熱膨張率に近づけて、接続部の応力
を緩和している。このような従来例１の技術は、本発明
が主として対象とする大型部品、基板の接続に対して
も、応力緩和という作用効果を奏するであろう。
ＢＧＡ接続した場合における両基板間の熱膨張率の相違
に基づく接合部分の破断を防止する一つの方法は、熱膨
張率の差そのものを小さくして、生じる応力を小さくす
ることである。特開平８−６４７１１号公報は、ＬＳＩ
のパッケージングに係わる発明であって、本発明の主た
る対象である、ＬＳＩより大型の部品或いはモジュール
基板と回路基板との接続に直接係わるものではないが、
接続すべき二つの基板間に、それら二つの基板とは熱膨
張率が異なる第３番目の材料の層を挟み込むことにより
応力を緩和する接続技術（従来例１）を開示している。
すなわち、従来例１における接続構造の断面を示す図１
１を参照して、セラミック基板１０２に、熱膨張・収縮
の際の整合層として厚さ１ｍｍの樹脂基板１０３を貼り
付け、その樹脂基板１０３にはんだボール１０８を設け
ている。そして、上記樹脂基板１０３の材料に、その熱
膨張率が回路基板（図示せず）の熱膨張率とセラミック
基板１０２の熱膨張率の中間の値であるような材料を選
択することにより、実効的なセラミック基板１０２の熱
膨張率を回路基板の熱膨張率に近づけて、接続部の応力
を緩和している。このような従来例１の技術は、本発明
が主として対象とする大型部品、基板の接続に対して
も、応力緩和という作用効果を奏するであろう。
【０００５】ＢＧＡ接続構造における両基板間の熱膨張
率の相違に基づく接続部の破断を防止する他の方法は、
基板材料の違いによる熱膨張率の差は容認した上で、接
続部のはんだの剛性を小さくして、はんだに加わる歪み
を吸収することである。特開平８−２１３４００号公報
は、そのような歪み吸収技術を適用した電子部品（従来
例２）を開示している。すなわち、上記公報記載の電子
部品における接続部の断面を示す図１２を参照すると、
この図に示される接続構造は、はんだバンプ２８０の内
部に、ポリイミド樹脂製で弾性を持つボール２８１を備
えている。このボール２８１は、それ自身が有する弾性
で、電子部品を回路基板（図示せず）に接続する際の押
圧力や加熱時に熱膨張率の相違により生じる歪みを吸収
する。これによりはんだバンプ２８０に加わる応力は緩
和され、接続部での破断は防止される。この従来例２
も、本発明の主たる対象である大型部品或いは基板と回
路基板との接続に直接係わるものではないが、歪み吸収
による応力緩和という作用効果は、大型部品、基板の接
続に適用した場合においても期待できるであろう。
率の相違に基づく接続部の破断を防止する他の方法は、
基板材料の違いによる熱膨張率の差は容認した上で、接
続部のはんだの剛性を小さくして、はんだに加わる歪み
を吸収することである。特開平８−２１３４００号公報
は、そのような歪み吸収技術を適用した電子部品（従来
例２）を開示している。すなわち、上記公報記載の電子
部品における接続部の断面を示す図１２を参照すると、
この図に示される接続構造は、はんだバンプ２８０の内
部に、ポリイミド樹脂製で弾性を持つボール２８１を備
えている。このボール２８１は、それ自身が有する弾性
で、電子部品を回路基板（図示せず）に接続する際の押
圧力や加熱時に熱膨張率の相違により生じる歪みを吸収
する。これによりはんだバンプ２８０に加わる応力は緩
和され、接続部での破断は防止される。この従来例２
も、本発明の主たる対象である大型部品或いは基板と回
路基板との接続に直接係わるものではないが、歪み吸収
による応力緩和という作用効果は、大型部品、基板の接
続に適用した場合においても期待できるであろう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】熱膨張率の異なる二種
類の基板をはんだだけのＢＧＡ接続構造によって接続し
た場合、熱履歴を受けると、はんだと基板側の電極との
接合部分付近ではんだ亀裂が生じ、ついには破断する。
各々の基板の熱膨張率が異なり、ＢＧＡ接続部に剪断力
と引っ張り力が加わることと、接続後のはんだの断面形
状が太鼓状であるということとにより、一部に応力が繰
り返し集中するためである。
類の基板をはんだだけのＢＧＡ接続構造によって接続し
た場合、熱履歴を受けると、はんだと基板側の電極との
接合部分付近ではんだ亀裂が生じ、ついには破断する。
各々の基板の熱膨張率が異なり、ＢＧＡ接続部に剪断力
と引っ張り力が加わることと、接続後のはんだの断面形
状が太鼓状であるということとにより、一部に応力が繰
り返し集中するためである。
【０００７】このような理由による接続部の破断を防止
するには、温度変化により接合部分に生じる応力を何ら
かの方法により緩和することが必要であり、従来例１に
おける、熱膨張率の差を圧縮することにより発生応力の
大きさそのものを小さくする技術や、従来例２におけ
る、はんだ中に含ませた弾性ボールによりはんだに生じ
る歪みを吸収することにより応力を緩和する技術は、有
効であろう。
するには、温度変化により接合部分に生じる応力を何ら
かの方法により緩和することが必要であり、従来例１に
おける、熱膨張率の差を圧縮することにより発生応力の
大きさそのものを小さくする技術や、従来例２におけ
る、はんだ中に含ませた弾性ボールによりはんだに生じ
る歪みを吸収することにより応力を緩和する技術は、有
効であろう。
【０００８】しかしながら、従来例１の場合は、樹脂基
板１０３（図１１参照）を形成することによってコスト
が上昇するという副作用を伴う。また、樹脂基板１０３
を挿入することにより、接続部の体積（本来のセラミッ
ク基板１０２と回路基板との間の体積）が増大してしま
う。前出の特開平８−６４７１号公報記載の実施例によ
れば、厚みが１ｍｍも増加してしまう。このような接続
部の体積増加は、ＢＧＡで実装した電子装置の大型化に
直結するものであり、装置に対する小型、軽量化の要望
が強い現在では、到底認められるものではない。
板１０３（図１１参照）を形成することによってコスト
が上昇するという副作用を伴う。また、樹脂基板１０３
を挿入することにより、接続部の体積（本来のセラミッ
ク基板１０２と回路基板との間の体積）が増大してしま
う。前出の特開平８−６４７１号公報記載の実施例によ
れば、厚みが１ｍｍも増加してしまう。このような接続
部の体積増加は、ＢＧＡで実装した電子装置の大型化に
直結するものであり、装置に対する小型、軽量化の要望
が強い現在では、到底認められるものではない。
【０００９】一方、従来例２の場合は、はんだバンプ２
８０（図１２参照）中に含ませるボール２８１の剛性に
よっては、はんだバンプに加わる応力を吸収しきれな
い。すなわち、本発明の主たる適用対象は、ＬＳＩをパ
ッケージした部品或いは電子部品を複数搭載したモジュ
ール基板のような、ＬＳＩよりずっと大型の部品や基板
と回路基板との接続である。このような大型モジュール
基板においては、基板面内の電極間距離が大きく、接続
点間の距離が長いので、はんだに加わる歪み量そのもの
が、単なるＬＳＩなどのような小型部品の場合に比べず
っと大きくなる。これに対し、はんだバンプ２８０中の
ボール２８１が、例えば従来例２に用いられているよう
なポリイミド樹脂製のものなどでは、剛性が大きすぎ
て、はんだバンプ２８０の基板側電極との接合部におけ
る変形が、応力を吸収するほどには大きくない。結局、
回路基板やモジュール基板には大きな応力が加わり、モ
ジュール基板や回路基板あるいは、接合部分近傍のはん
だに破壊が生じてしまう。
８０（図１２参照）中に含ませるボール２８１の剛性に
よっては、はんだバンプに加わる応力を吸収しきれな
い。すなわち、本発明の主たる適用対象は、ＬＳＩをパ
ッケージした部品或いは電子部品を複数搭載したモジュ
ール基板のような、ＬＳＩよりずっと大型の部品や基板
と回路基板との接続である。このような大型モジュール
基板においては、基板面内の電極間距離が大きく、接続
点間の距離が長いので、はんだに加わる歪み量そのもの
が、単なるＬＳＩなどのような小型部品の場合に比べず
っと大きくなる。これに対し、はんだバンプ２８０中の
ボール２８１が、例えば従来例２に用いられているよう
なポリイミド樹脂製のものなどでは、剛性が大きすぎ
て、はんだバンプ２８０の基板側電極との接合部におけ
る変形が、応力を吸収するほどには大きくない。結局、
回路基板やモジュール基板には大きな応力が加わり、モ
ジュール基板や回路基板あるいは、接合部分近傍のはん
だに破壊が生じてしまう。
【００１０】従って、本発明は、ＬＳＩより大型の部品
或いはモジュール基板と回路基板とをＢＧＡ構造で接続
する場合、二つの基板の熱膨張率の違いにより接合部分
近傍に配置された部品に加わる歪みを小さくすることで
ある。
或いはモジュール基板と回路基板とをＢＧＡ構造で接続
する場合、二つの基板の熱膨張率の違いにより接合部分
近傍に配置された部品に加わる歪みを小さくすることで
ある。
【００１１】本発明は又、接続部の体積を増やすことな
く、ＢＧＡ接続構造における熱履歴に対する寿命を長く
することである。
く、ＢＧＡ接続構造における熱履歴に対する寿命を長く
することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明のＢＧＡ接続構造
は、電子部品或いは電子部品を複数搭載したモジュール
基板に設けられた電極とこれに接続すべき回路基板面上
の電極とをはんだによりＢＧＡ接続したＢＧＡ接続構造
において、ＢＧＡ接続構造のはんだ内部に、はんだに対
する下地層に覆われたプラスチックからなる核を含ま
せ、その核とこれを覆う前記下地層との界面に隙間を設
けたことを特徴とする。
は、電子部品或いは電子部品を複数搭載したモジュール
基板に設けられた電極とこれに接続すべき回路基板面上
の電極とをはんだによりＢＧＡ接続したＢＧＡ接続構造
において、ＢＧＡ接続構造のはんだ内部に、はんだに対
する下地層に覆われたプラスチックからなる核を含ま
せ、その核とこれを覆う前記下地層との界面に隙間を設
けたことを特徴とする。
【００１３】又、本発明のＢＧＡ接続構造は、上記のＢ
ＧＡ接続構造において、ＢＧＡ接続で接続される対の電
極に、剪断応力が加わる方向に延びる突起状電極を付け
加えたことを特徴とする。
ＧＡ接続構造において、ＢＧＡ接続で接続される対の電
極に、剪断応力が加わる方向に延びる突起状電極を付け
加えたことを特徴とする。
【００１４】本発明においては、接続部のはんだの一部
に応力が集中するのを防ぐため、接続のはんだとは異な
る、はんだの下地層に覆われたプラスチック製のボール
を接続部に含ませ、更にそのボールに、線熱膨張係数が
はんだの下地層よりも大きい材料を用いる。そして、ボ
ールとはんだ下地層との熱膨張率の違いを利用し、接続
時の熱工程でプラスチックボールとはんだ下地層とをそ
れらの界面で剥離させて、ボールとはんだ下地層との間
に隙間を設ける。温度変化によって接続部に加わる歪み
は、はんだが上記の隙間の大きさだけ変形することで吸
収される。又、はんだにボールを含ませることにより、
電極近傍のはんだの断面形状を、応力集中の起きない中
窪みの鼓状とし、はんだの破壊を防ぐ。
に応力が集中するのを防ぐため、接続のはんだとは異な
る、はんだの下地層に覆われたプラスチック製のボール
を接続部に含ませ、更にそのボールに、線熱膨張係数が
はんだの下地層よりも大きい材料を用いる。そして、ボ
ールとはんだ下地層との熱膨張率の違いを利用し、接続
時の熱工程でプラスチックボールとはんだ下地層とをそ
れらの界面で剥離させて、ボールとはんだ下地層との間
に隙間を設ける。温度変化によって接続部に加わる歪み
は、はんだが上記の隙間の大きさだけ変形することで吸
収される。又、はんだにボールを含ませることにより、
電極近傍のはんだの断面形状を、応力集中の起きない中
窪みの鼓状とし、はんだの破壊を防ぐ。
【００１５】又、ＢＧＡ接続すべきモジュール基板側の
電極、回路基板側の電極それぞれの平面形状を、本来の
電極に加えて、剪断応力が加わる方向に延びる突起状電
極を付け加えた形状とすることで、温度変化の繰返しに
対するはんだの寿命がはんだ量の変動に影響されないよ
うにしている。
電極、回路基板側の電極それぞれの平面形状を、本来の
電極に加えて、剪断応力が加わる方向に延びる突起状電
極を付け加えた形状とすることで、温度変化の繰返しに
対するはんだの寿命がはんだ量の変動に影響されないよ
うにしている。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて、実施例を用い図面を参照して、説明する。
いて、実施例を用い図面を参照して、説明する。
【００１７】（実施例１）図１に、本発明の第１の実施
例（実施例１）における、モジュール基板と回路基板と
の間のＢＧＡ接続部の断面を拡大して示す。図１を参照
して、モジュール基板１上の電極２Ａと回路基板４側の
電極２Ｂとが、はんだ３で、接続されている。はんだ３
の断面形状は、高さ方向中央部が凹み、基板面の電極２
Ａ，２Ｂとの接合面に向かって広がる、鼓状である。は
んだ３の内部には、はんだの下地層（後述する）である
ニッケル膜５に包まれたプラスチック製のボール７が配
置されている。ニッケル膜５とボール７との間には、隙
間６ができている。本実施例の場合、ボール７の直径は
５００μｍφであり、ボールとニッケル膜との隙間６
は、２〜３μｍである。
例（実施例１）における、モジュール基板と回路基板と
の間のＢＧＡ接続部の断面を拡大して示す。図１を参照
して、モジュール基板１上の電極２Ａと回路基板４側の
電極２Ｂとが、はんだ３で、接続されている。はんだ３
の断面形状は、高さ方向中央部が凹み、基板面の電極２
Ａ，２Ｂとの接合面に向かって広がる、鼓状である。は
んだ３の内部には、はんだの下地層（後述する）である
ニッケル膜５に包まれたプラスチック製のボール７が配
置されている。ニッケル膜５とボール７との間には、隙
間６ができている。本実施例の場合、ボール７の直径は
５００μｍφであり、ボールとニッケル膜との隙間６
は、２〜３μｍである。
【００１８】図１の右半分に、本実施例において、温度
変化により接続部に剪断方向の変位が加わった場合の状
態を示す。図を参照して、接続部は高さ方向中央部付近
のはんだ（図中に破線の長円Ａで囲った部分）が薄く、
またボール７とニッケル膜５との間に隙間６もあるの
で、変位が４μｍ程度迄は、はんだ３が剪断方向に容易
に変形する。これよりも大きい変位は、モジュール基板
１および回路基板４が反ることと、回路基板４が伸びる
こととで吸収される。本発明では、はんだ３が変形する
とき変形するのは、図１中のＡの部分となる。そのＡ部
では、図１に示すとおり、はんだが電極付近など他の部
分に比べて薄くなっている。しかも、そのはんだが薄い
部分Ａは、上下方向に１００μｍ程度の広い範囲に渡っ
ている。従って、図１０に示す従来の技術による接続構
造とは異なり、基板側電極２Ａ（図１０参照）とはんだ
３との接合部分Ｅ（同）のような狭い範囲（極論すれ
ば、ただ一点）に歪みが集中することは、ない。従来例
の接続構造においては、はんだの断面形状は、電極とは
んだとの接合部分（図１０中のＥ部）に応力集中する形
状である。そのため、はんだと電極の界面のごく狭い範
囲に応力が集中し、はんだに亀裂が生じ、繰り返し応力
が加わることで接続部に破壊が起きる。これに対し、本
実施例においては、はんだのＡ部に加わる最大応力を、
従来の接続構造におけるＥ部に比べて小さくできるの
で、変位の繰返しによって起こる亀裂の発生と進行を遅
らせ、接続部の寿命を延ばすことができる。
変化により接続部に剪断方向の変位が加わった場合の状
態を示す。図を参照して、接続部は高さ方向中央部付近
のはんだ（図中に破線の長円Ａで囲った部分）が薄く、
またボール７とニッケル膜５との間に隙間６もあるの
で、変位が４μｍ程度迄は、はんだ３が剪断方向に容易
に変形する。これよりも大きい変位は、モジュール基板
１および回路基板４が反ることと、回路基板４が伸びる
こととで吸収される。本発明では、はんだ３が変形する
とき変形するのは、図１中のＡの部分となる。そのＡ部
では、図１に示すとおり、はんだが電極付近など他の部
分に比べて薄くなっている。しかも、そのはんだが薄い
部分Ａは、上下方向に１００μｍ程度の広い範囲に渡っ
ている。従って、図１０に示す従来の技術による接続構
造とは異なり、基板側電極２Ａ（図１０参照）とはんだ
３との接合部分Ｅ（同）のような狭い範囲（極論すれ
ば、ただ一点）に歪みが集中することは、ない。従来例
の接続構造においては、はんだの断面形状は、電極とは
んだとの接合部分（図１０中のＥ部）に応力集中する形
状である。そのため、はんだと電極の界面のごく狭い範
囲に応力が集中し、はんだに亀裂が生じ、繰り返し応力
が加わることで接続部に破壊が起きる。これに対し、本
実施例においては、はんだのＡ部に加わる最大応力を、
従来の接続構造におけるＥ部に比べて小さくできるの
で、変位の繰返しによって起こる亀裂の発生と進行を遅
らせ、接続部の寿命を延ばすことができる。
【００１９】本発明者は、上述の実施例を、以下に述べ
る製造工程にしたがって作製した。図２に、本実施例の
製造工程を、順に示す。図２を参照して、先ず、モジュ
ール基板１を準備する（図２（ａ））。モジュール基板
の平面図を、図３に示す。図３を参照して、モジュール
基板１は、ガラスセラミック（線熱膨張係数６ｐｐｍ／
℃）製で、一辺３０ｍｍの正方形、厚さ１ｍｍのパッケ
ージである。電極２Ａは、基板の周囲４列に配列されて
いる。電極２Ａは、直径７００μｍφの円で、ピッチ
２．５４ｍｍで配置されている。モジュール基板１の電
極形成面とは反対の面には、隠れて見えないが、電子部
品が搭載されている。
る製造工程にしたがって作製した。図２に、本実施例の
製造工程を、順に示す。図２を参照して、先ず、モジュ
ール基板１を準備する（図２（ａ））。モジュール基板
の平面図を、図３に示す。図３を参照して、モジュール
基板１は、ガラスセラミック（線熱膨張係数６ｐｐｍ／
℃）製で、一辺３０ｍｍの正方形、厚さ１ｍｍのパッケ
ージである。電極２Ａは、基板の周囲４列に配列されて
いる。電極２Ａは、直径７００μｍφの円で、ピッチ
２．５４ｍｍで配置されている。モジュール基板１の電
極形成面とは反対の面には、隠れて見えないが、電子部
品が搭載されている。
【００２０】上述した工程とは別に、はんだ中に含ませ
るためのプラスチックボール７（図１参照）を用意し、
これに予めはんだめっきを施した。はんだめっきプラス
チックボールの断面図を図４に示す。ボール７は、ジビ
ニルベンゼンを５００μｍφの球にしたものである。こ
のジビニルベンゼン製のボール７に、３μｍ厚のニッケ
ル５を無電解めっきで形成した。更に、１５μｍ厚のは
んだ３をすず鉛無電解めっきで形成して、はんだめっき
プラスチックボール１０を得た。上記のニッケル膜５
は、若しこの膜５を形成せず直接ボール７にはんだめっ
きを行った場合、後の工程ではんだを溶融させたとき、
プラスチックと溶融はんだとの濡れ性が悪く、プラスチ
ックボール７がはんだ３から弾き出され所望の接続構造
を得ることができなくなるのを防ぐためのものである。
溶融はんだはニッケル膜５に十分に濡れ、しかもニッケ
ル層５が固相を保つので、ボール７ははんだに内包され
た状態を保つことができる。本発明ではこのような作用
を示す金属の層を、はんだめっきに対する下地層と定義
することにする。下地層として使用可能な金属として
は、他に、例えば銅などが知られている。尚、核となる
ジビニルベンゼン製ボール７の線熱膨張係数は、１００
ｐｐｍ／℃である。
るためのプラスチックボール７（図１参照）を用意し、
これに予めはんだめっきを施した。はんだめっきプラス
チックボールの断面図を図４に示す。ボール７は、ジビ
ニルベンゼンを５００μｍφの球にしたものである。こ
のジビニルベンゼン製のボール７に、３μｍ厚のニッケ
ル５を無電解めっきで形成した。更に、１５μｍ厚のは
んだ３をすず鉛無電解めっきで形成して、はんだめっき
プラスチックボール１０を得た。上記のニッケル膜５
は、若しこの膜５を形成せず直接ボール７にはんだめっ
きを行った場合、後の工程ではんだを溶融させたとき、
プラスチックと溶融はんだとの濡れ性が悪く、プラスチ
ックボール７がはんだ３から弾き出され所望の接続構造
を得ることができなくなるのを防ぐためのものである。
溶融はんだはニッケル膜５に十分に濡れ、しかもニッケ
ル層５が固相を保つので、ボール７ははんだに内包され
た状態を保つことができる。本発明ではこのような作用
を示す金属の層を、はんだめっきに対する下地層と定義
することにする。下地層として使用可能な金属として
は、他に、例えば銅などが知られている。尚、核となる
ジビニルベンゼン製ボール７の線熱膨張係数は、１００
ｐｐｍ／℃である。
【００２１】次に、モジュール基板面の電極２Ａ上に、
すず鉛共晶はんだペーストを供給した。はんだペースト
の供給は、６００μｍφの穴を持つ０．２ｍｍ厚のメタ
ルマスクを用いたスクリーン印刷に依った。更に前述の
はんだめっきプラスチックボール１０を治具を用いてそ
れぞれの電極上に載置し、２３０℃でリフローして、モ
ジュール基板１にボール７を持つはんだ突起１１を形成
した（図２（ｂ））。形成されたはんだ突起１１の断面
図を、図５に示す。
すず鉛共晶はんだペーストを供給した。はんだペースト
の供給は、６００μｍφの穴を持つ０．２ｍｍ厚のメタ
ルマスクを用いたスクリーン印刷に依った。更に前述の
はんだめっきプラスチックボール１０を治具を用いてそ
れぞれの電極上に載置し、２３０℃でリフローして、モ
ジュール基板１にボール７を持つはんだ突起１１を形成
した（図２（ｂ））。形成されたはんだ突起１１の断面
図を、図５に示す。
【００２２】これまでの工程とは別に、回路基板４上の
電極２Ｂ（図２（ｃ））にも、予めすず鉛共晶はんだペ
ースト９を供給した（図２（ｄ））。はんだペーストの
供給は、モジュール基板におけると同様の、メタルマス
クを用いたスクリーン印刷に依った。尚、回路基板４
は、厚さ１ｍｍ、１辺１００ｍｍの正方形のＦＲ−４ガ
ラスエポキシ製（線熱膨張係数＝１５ｐｐｍ／℃）であ
る。モジュール基板１の電極２Ａに対応する位置に電極
２Ｂが形成されている。
電極２Ｂ（図２（ｃ））にも、予めすず鉛共晶はんだペ
ースト９を供給した（図２（ｄ））。はんだペーストの
供給は、モジュール基板におけると同様の、メタルマス
クを用いたスクリーン印刷に依った。尚、回路基板４
は、厚さ１ｍｍ、１辺１００ｍｍの正方形のＦＲ−４ガ
ラスエポキシ製（線熱膨張係数＝１５ｐｐｍ／℃）であ
る。モジュール基板１の電極２Ａに対応する位置に電極
２Ｂが形成されている。
【００２３】次いで、モジュール基板１を回路基板４の
電極２Ｂに位置合せして載せ、２３０℃ではんだリフロ
ーを行って、二つの基板１，４を接続した（図２
（ｅ））。
電極２Ｂに位置合せして載せ、２３０℃ではんだリフロ
ーを行って、二つの基板１，４を接続した（図２
（ｅ））。
【００２４】上記はんだリフロー終了後の接続部の断面
図を、図３中のＧの部分について、図１に示す。リフロ
ー後の冷却過程でプラスチックボール７が収縮し、プラ
スチックボール７とニッケル膜５の界面で剥離が起こ
る。冷却が終了したときには、ボール７とニッケル膜５
との間に、両者の熱膨張率の違いから、平均して２〜３
μｍの隙間６ができる。はんだの融点が下がったり、プ
ラスチックボールの熱膨張率が小さくなると隙間６も小
さくなるので、はんだ３の融点は１８３℃以上、ボール
７の線熱膨張係数は１００ｐｐｍ／℃以上であること
が、望ましい。
図を、図３中のＧの部分について、図１に示す。リフロ
ー後の冷却過程でプラスチックボール７が収縮し、プラ
スチックボール７とニッケル膜５の界面で剥離が起こ
る。冷却が終了したときには、ボール７とニッケル膜５
との間に、両者の熱膨張率の違いから、平均して２〜３
μｍの隙間６ができる。はんだの融点が下がったり、プ
ラスチックボールの熱膨張率が小さくなると隙間６も小
さくなるので、はんだ３の融点は１８３℃以上、ボール
７の線熱膨張係数は１００ｐｐｍ／℃以上であること
が、望ましい。
【００２５】本発明による接続構造では、接続部のはん
だ３にプラスチックボール７が内包され、モジュール基
板１と回路基板４との間隔は常に一定となるので、はん
だ量を適正に制御することによって、図１に示したよう
な鼓状の接続部形状を、安定して得ることができる。は
んだの内部にボール７がない場合は必ず、モジュールの
重さと溶融したはんだの表面張力とが釣り合った、太鼓
形となる。これに対し本発明による接続構造では、はん
だが溶けた場合には接続部の高さはボール７の直径とな
る。この形状から計算される量よりもはんだ供給量を多
くしなければ、図１に示したとおりの、ボール周辺部で
くびれた構造を安定して得ることができる。
だ３にプラスチックボール７が内包され、モジュール基
板１と回路基板４との間隔は常に一定となるので、はん
だ量を適正に制御することによって、図１に示したよう
な鼓状の接続部形状を、安定して得ることができる。は
んだの内部にボール７がない場合は必ず、モジュールの
重さと溶融したはんだの表面張力とが釣り合った、太鼓
形となる。これに対し本発明による接続構造では、はん
だが溶けた場合には接続部の高さはボール７の直径とな
る。この形状から計算される量よりもはんだ供給量を多
くしなければ、図１に示したとおりの、ボール周辺部で
くびれた構造を安定して得ることができる。
【００２６】本実施例による試料１０個と、図１０に示
した従来の構造の試料１０個とに対し、冷熱サイクル試
験を施した。試験条件は、−４０℃で３０分保持、１２
５℃３０分で保持である。従来の構造の試料では３００
サイクルから５００サイクルで全て断線したが、本実施
例による試料では１０００サイクルまで断線が起きなか
った。
した従来の構造の試料１０個とに対し、冷熱サイクル試
験を施した。試験条件は、−４０℃で３０分保持、１２
５℃３０分で保持である。従来の構造の試料では３００
サイクルから５００サイクルで全て断線したが、本実施
例による試料では１０００サイクルまで断線が起きなか
った。
【００２７】（実施例２）以下に述べる第２の実施例
（実施例２）は、接続部の断面形状および製造方法は実
施例１と同一で、モジュール基板面の電極および回路基
板面の電極の平面形状を変更した例を示すものである。
図６（ａ）に、モジュール基板１と回路基板４とを実施
例１と同じ方法でＢＧＡ接続したものの透視平面図を、
示す。モジュール基板１側から見た図である。又、図６
（ａ）中の破線の丸印で囲った部分Ｂについて、モジュ
ール基板の電極２Ａの拡大平面図を図６（ｂ）に、回路
基板の電極２Ｂの拡大平面図を図６（ｃ）に示す。
（実施例２）は、接続部の断面形状および製造方法は実
施例１と同一で、モジュール基板面の電極および回路基
板面の電極の平面形状を変更した例を示すものである。
図６（ａ）に、モジュール基板１と回路基板４とを実施
例１と同じ方法でＢＧＡ接続したものの透視平面図を、
示す。モジュール基板１側から見た図である。又、図６
（ａ）中の破線の丸印で囲った部分Ｂについて、モジュ
ール基板の電極２Ａの拡大平面図を図６（ｂ）に、回路
基板の電極２Ｂの拡大平面図を図６（ｃ）に示す。
【００２８】図６を参照して、本実施例では、各基板
１，４上の電極２Ａ，２Ｂのパターンを、変位が加わる
方向に、一部引き伸ばした形状にしている。電極を引き
伸ばす方向は、はんだに引っ張り方向の応力が加わる向
きである。すなわち、モジュール基板１にあっては、基
板中心から外側に向かう方向であり（図６（ｂ））、回
路基板にあっては、内向きに基板中心に向かう方向であ
る（図６（ｃ））。従って、接続される電極どうしでい
えば、モジュール基板側の電極２Ａと回路基板側の電極
２Ｂとでは、互いに逆の方向に引き伸ばされていること
になる。電極の引伸ばしの大きさは、電極の変位が加わ
る方向の幅が変位方向に垂直な方向の幅の１．２倍程度
になるような大きさにする。すなわち、電極２Ａ，２Ｂ
の一例のパターンを示す図９（ａ）を参照して、電極の
引伸ばしの方向（この場合は、紙面上下方向）の最大距
離Ｌを、直径Ｗの１．２倍（Ｌ＝１．２Ｗ）にする。
１，４上の電極２Ａ，２Ｂのパターンを、変位が加わる
方向に、一部引き伸ばした形状にしている。電極を引き
伸ばす方向は、はんだに引っ張り方向の応力が加わる向
きである。すなわち、モジュール基板１にあっては、基
板中心から外側に向かう方向であり（図６（ｂ））、回
路基板にあっては、内向きに基板中心に向かう方向であ
る（図６（ｃ））。従って、接続される電極どうしでい
えば、モジュール基板側の電極２Ａと回路基板側の電極
２Ｂとでは、互いに逆の方向に引き伸ばされていること
になる。電極の引伸ばしの大きさは、電極の変位が加わ
る方向の幅が変位方向に垂直な方向の幅の１．２倍程度
になるような大きさにする。すなわち、電極２Ａ，２Ｂ
の一例のパターンを示す図９（ａ）を参照して、電極の
引伸ばしの方向（この場合は、紙面上下方向）の最大距
離Ｌを、直径Ｗの１．２倍（Ｌ＝１．２Ｗ）にする。
【００２９】上述したようなパターンの電極を持つモジ
ュール基板と回路基板とを実施例１と同一の製造方法に
より接続したものについて、温度変化による応力が加わ
ったときの電極付近の断面の状態を、図７に示す。図７
は、図６（ａ）中の直線Ｆで示す部分の断面図である。
はんだ３と電極２Ａとの接合部で引っ張り応力が働く部
分の接触角が、実施例１におけるよりも更に鋭角になっ
ており、はんだと電極との剥離が起き難くなっている。
ュール基板と回路基板とを実施例１と同一の製造方法に
より接続したものについて、温度変化による応力が加わ
ったときの電極付近の断面の状態を、図７に示す。図７
は、図６（ａ）中の直線Ｆで示す部分の断面図である。
はんだ３と電極２Ａとの接合部で引っ張り応力が働く部
分の接触角が、実施例１におけるよりも更に鋭角になっ
ており、はんだと電極との剥離が起き難くなっている。
【００３０】本実施例において、例えば製造時にはんだ
の供給量がばらつき、はんだ量が減った場合には、接続
部の断面は、図８（ａ）に示す形状になる。この場合
は、はんだが溶けたときに、表面張力で、引っ張り応力
が加わる部分Ｃにはんだが集まる。従って、引っ張り応
力が加わる部分Ｃには十分な量のはんだがあり、引っ張
りの力が加わってもこの部分のはんだは破断しない。一
方、はんだ供給量のばらつきではんだ量が多い場合は、
接続部の断面は、図８（ｂ）のようになる。この場合、
応力によって変形する部分は、ボール周辺のはんだが薄
くなった部分（図８（ｂ）のボール７の高さ方向中央部
の側面付近）であり、歪みはこの部分で吸収される。従
って、図８（ｂ）中の破線の丸印で囲った部分Ｄには応
力は加わらず、この部分から破壊することはない。
の供給量がばらつき、はんだ量が減った場合には、接続
部の断面は、図８（ａ）に示す形状になる。この場合
は、はんだが溶けたときに、表面張力で、引っ張り応力
が加わる部分Ｃにはんだが集まる。従って、引っ張り応
力が加わる部分Ｃには十分な量のはんだがあり、引っ張
りの力が加わってもこの部分のはんだは破断しない。一
方、はんだ供給量のばらつきではんだ量が多い場合は、
接続部の断面は、図８（ｂ）のようになる。この場合、
応力によって変形する部分は、ボール周辺のはんだが薄
くなった部分（図８（ｂ）のボール７の高さ方向中央部
の側面付近）であり、歪みはこの部分で吸収される。従
って、図８（ｂ）中の破線の丸印で囲った部分Ｄには応
力は加わらず、この部分から破壊することはない。
【００３１】電極２Ａ，２Ｂの平面形状は、はんだの表
面張力を利用してはんだの厚みを変えられるものであれ
ば、図９（ａ）に示す形状に特に限定されるものではな
い。例えば、図９（ｂ）に示すような、正方形のパター
ンから小さい四角形の突起を飛び出させたパターンでも
よいし、図９（ｃ）に示すような、半円形の突起を設け
たパターンの電極でもよい。但し、パターンによって
は、プラスチックボール７が電極の中央に来ないことが
ある。実験により、電極からの引っ張り応力方向への引
伸ばし部分（突起部分）の幅と引伸ばしの長さについ
て、ＢＧＡ電極の剪断応力が加わる方向に直角な方向の
電極の幅をＷとしたとき、Ｗの１／３以下の幅でボール
が所定の位置に固定されるのが望ましく、引伸ばし長さ
ｄはＷの０．２倍以上であれば応力集中が起こらないの
で望ましいことが、確かめられた。
面張力を利用してはんだの厚みを変えられるものであれ
ば、図９（ａ）に示す形状に特に限定されるものではな
い。例えば、図９（ｂ）に示すような、正方形のパター
ンから小さい四角形の突起を飛び出させたパターンでも
よいし、図９（ｃ）に示すような、半円形の突起を設け
たパターンの電極でもよい。但し、パターンによって
は、プラスチックボール７が電極の中央に来ないことが
ある。実験により、電極からの引っ張り応力方向への引
伸ばし部分（突起部分）の幅と引伸ばしの長さについ
て、ＢＧＡ電極の剪断応力が加わる方向に直角な方向の
電極の幅をＷとしたとき、Ｗの１／３以下の幅でボール
が所定の位置に固定されるのが望ましく、引伸ばし長さ
ｄはＷの０．２倍以上であれば応力集中が起こらないの
で望ましいことが、確かめられた。
【００３２】本実施例の電極を形成したモジュール基板
と回路基板とを実施例１と同一の製造工程で接続したも
のを試料とし、冷熱サイクル試験に供した。試験条件
は、実施例１で実施した試験の条件と、同一である。試
料の水準は、電極上にすず鉛共晶はんだペーストをスク
リーン印刷するときに用いるメタルマスクの穴の直径が
５００μｍのものと、７００μｍのものとの二水準であ
る。尚、実施例１による試料も、同一試験に供した。実
施例１による試料についても、はんだペーストスクリー
ン印刷時のメタルマスクの穴径が５００μｍのものと，
７００μｍのものとの二水準とした。試料数は、各水準
とも、１０個ずつである。試験結果を以下に示す。
と回路基板とを実施例１と同一の製造工程で接続したも
のを試料とし、冷熱サイクル試験に供した。試験条件
は、実施例１で実施した試験の条件と、同一である。試
料の水準は、電極上にすず鉛共晶はんだペーストをスク
リーン印刷するときに用いるメタルマスクの穴の直径が
５００μｍのものと、７００μｍのものとの二水準であ
る。尚、実施例１による試料も、同一試験に供した。実
施例１による試料についても、はんだペーストスクリー
ン印刷時のメタルマスクの穴径が５００μｍのものと，
７００μｍのものとの二水準とした。試料数は、各水準
とも、１０個ずつである。試験結果を以下に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１を参照すると、メタルマスク穴径のい
ずれの水準においても、実施例２の方が実施例１より
も、接続部の寿命が延びていることが分る。
ずれの水準においても、実施例２の方が実施例１より
も、接続部の寿命が延びていることが分る。
【００３５】尚、これまでの実施例は全て、ＬＳＩより
大型のモジュール基板と回路基板とを接続したものであ
るが、本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩ程
度の大きさの部品或いは基板と他の基板との接続に適用
して、実施例におけると同様の作用効果を奏すること
は、明らかであろう。
大型のモジュール基板と回路基板とを接続したものであ
るが、本発明はこれに限られるものではない。ＬＳＩ程
度の大きさの部品或いは基板と他の基板との接続に適用
して、実施例におけると同様の作用効果を奏すること
は、明らかであろう。
【００３６】
【発明の効果】本発明は、ＢＧＡ接続構造のはんだ中に
プラスチックボールを含ませ、そのプラスチックボール
の線熱膨張係数を適当に選ぶことによって、ボールとは
んだ下地層との間に隙間を作ると共に、はんだの断面形
状を、高さ方向中央部が窪んだ鼓状にしている。
プラスチックボールを含ませ、そのプラスチックボール
の線熱膨張係数を適当に選ぶことによって、ボールとは
んだ下地層との間に隙間を作ると共に、はんだの断面形
状を、高さ方向中央部が窪んだ鼓状にしている。
【００３７】これにより本発明によれば、熱膨張率の異
なる２枚の基板をＢＧＡによって接続したとき、接続部
近傍に搭載された部品に加わる歪みを小さくできる。温
度変化によって生じる電極の相対的なずれを、接続部に
含ませたボール周辺の隙間で吸収することにより、各々
の基板に与える歪みを小さくすることができるからであ
る。
なる２枚の基板をＢＧＡによって接続したとき、接続部
近傍に搭載された部品に加わる歪みを小さくできる。温
度変化によって生じる電極の相対的なずれを、接続部に
含ませたボール周辺の隙間で吸収することにより、各々
の基板に与える歪みを小さくすることができるからであ
る。
【００３８】又、しかも接続部の体積増加を伴わずに、
ＢＧＡ接続部の温度サイクルに対する寿命を長くでき
る。熱膨張・収縮に対する整合層のような、接続部の体
積を増加させる特別の部品が不要でしかも、はんだの断
面形状を鼓状とすることで、接続部に剪断応力が加わっ
たとき、接続部の応力と歪みを分散させ、はんだの亀裂
発生を遅らせることができるからである。
ＢＧＡ接続部の温度サイクルに対する寿命を長くでき
る。熱膨張・収縮に対する整合層のような、接続部の体
積を増加させる特別の部品が不要でしかも、はんだの断
面形状を鼓状とすることで、接続部に剪断応力が加わっ
たとき、接続部の応力と歪みを分散させ、はんだの亀裂
発生を遅らせることができるからである。
【００３９】本発明はまた、モジュール基板および回路
基板の電極の平面形状を、引っ張り応力の方向に引伸ば
された、突起を持つ形状としている。
基板の電極の平面形状を、引っ張り応力の方向に引伸ば
された、突起を持つ形状としている。
【００４０】これにより本発明によれば、接続部の寿命
が電極へのはんだ供給量のばらつきに左右されないよう
にできる。電極の形状を引っ張り応力が加わる方向に広
げておくことで、はんだの断面形状を、はんだ供給量が
増えても応力が集中しないような形状とし、また供給量
が減った場合でも、応力がもっとも強く加わる部分のは
んだの厚みが確保されるようにしているからである。
が電極へのはんだ供給量のばらつきに左右されないよう
にできる。電極の形状を引っ張り応力が加わる方向に広
げておくことで、はんだの断面形状を、はんだ供給量が
増えても応力が集中しないような形状とし、また供給量
が減った場合でも、応力がもっとも強く加わる部分のは
んだの厚みが確保されるようにしているからである。
【００４１】本発明は、ＬＳＩより大型の部品或いはモ
ジュール基板と回路基板とをＢＧＡで接続する場合に適
用して、特に顕著な効果を示す。
ジュール基板と回路基板とをＢＧＡで接続する場合に適
用して、特に顕著な効果を示す。
【図１】本発明の実施例１における接続部の断面図であ
る。
る。
【図２】実施例１の製造工程を、順に示す図である。
【図３】実施例１に用いたモジュール基板の平面図であ
る。
る。
【図４】実施例１に用いたはんだめっきプラスチックボ
ールの断面図である。
ールの断面図である。
【図５】実施例１における、モジュール基板の電極上に
形成されたプラスチックボールを含むはんだ突起の断面
図である。
形成されたプラスチックボールを含むはんだ突起の断面
図である。
【図６】実施例２のモジュール基板と回路基板を実装し
たものの透視平面図、モジュール基板上の電極の拡大平
面図および、回路基板上の電極の拡大平面図である。
たものの透視平面図、モジュール基板上の電極の拡大平
面図および、回路基板上の電極の拡大平面図である。
【図７】実施例２における接続部の断面図である。
【図８】実施例２において、はんだが少ない場合の接続
部の断面図および、はんだが多い場合の断面図である。
部の断面図および、はんだが多い場合の断面図である。
【図９】実施例２における電極の平面形状の他の例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１０】従来の技術によるＢＧＡ接続構造の一例の断
面図である。
面図である。
【図１１】従来の技術によるＢＧＡ接続構造の他の例の
断面図である。
断面図である。
【図１２】従来の技術によるＢＧＡ接続構造の更に他の
例の断面図である。
例の断面図である。
１ モジュール基板 ２Ａ，２Ｂ 電極 ３ はんだ ４ 回路基板 ５ ニッケル膜 ６ 隙間 ７ プラスチックボール ９ はんだペースト １０ はんだめっきプラスチックボール １１ はんだ突起
Claims (5)
- 【請求項１】 電子部品或いは電子部品を複数搭載した
モジュール基板に設けられた電極とこれに接続すべき回
路基板面上の電極とをはんだによりＢＧＡ接続したＢＧ
Ａ接続構造において、 ＢＧＡ接続構造のはんだ内部に、はんだに対する下地層
に覆われたプラスチックからなる核を含ませ、その核と
これを覆う前記下地層との界面に隙間を設けたことを特
徴とするＢＧＡ接続構造。 - 【請求項２】 前記はんだの融点が１８３℃以上である
ことを特徴とする、請求項１に記載のＢＧＡ接続構造。 - 【請求項３】 前記核を覆う下地層はニッケル膜であ
り、前記核は線熱膨張係数が１００ｐｐｍ／℃以上であ
ることを特徴とする、請求項１又は請求項２に記載のＢ
ＧＡ接続構造。 - 【請求項４】 ＢＧＡ接続で接続される対の電極に、剪
断応力が加わる方向に延びる突起状電極を付け加えたこ
とを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載のＢ
ＧＡ接続構造。 - 【請求項５】 前記突起状電極は、本来の電極の剪断応
力が加わる方向に直角な方向の距離をＷとしたとき、幅
がＷの１／３以下で、長さがＷの０．２倍以上であるこ
とを特徴とする、請求項４に記載のＢＧＡ接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149240A JP2856197B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Ｂｇａ接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9149240A JP2856197B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Ｂｇａ接続構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10340980A JPH10340980A (ja) | 1998-12-22 |
| JP2856197B2 true JP2856197B2 (ja) | 1999-02-10 |
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ID=15470954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9149240A Expired - Fee Related JP2856197B2 (ja) | 1997-06-06 | 1997-06-06 | Ｂｇａ接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2856197B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP3103566B1 (en) * | 2014-02-04 | 2018-11-14 | Senju Metal Industry Co., Ltd | Ni ball, ni core ball, solder joint, solder paste, and solder foam |
| JP2016188773A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日立金属株式会社 | 磁気センサ及びこれを用いた磁気エンコーダ、並びにレンズ鏡筒とカメラ |
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-
1997
- 1997-06-06 JP JP9149240A patent/JP2856197B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10340980A (ja) | 1998-12-22 |
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