JPH08116169A - 合金はんだ接続アセンブリおよび接続方法 - Google Patents

合金はんだ接続アセンブリおよび接続方法

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JPH08116169A
JPH08116169A JP7274745A JP27474595A JPH08116169A JP H08116169 A JPH08116169 A JP H08116169A JP 7274745 A JP7274745 A JP 7274745A JP 27474595 A JP27474595 A JP 27474595A JP H08116169 A JPH08116169 A JP H08116169A
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solder
alloy
alloy solder
indium
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John L Leicht
ジョン・エル・レイクト
William R Bratschun
ウィリアム・アール・ブラッチュン
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Motorola Inc
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱的に引き起こされる有害な剪断応力を低減
して疲労および機械的障害に耐えるより従順性あるはん
だ接続構造を実現する。 【解決手段】 電子アセンブリ100は2つの基板10
6,108の接合面202,204を結合する多数のは
んだ接続101を含む。はんだ接続201は始めにより
従順性の低いはんだペースト312,314および従順
性あるプリフォーム210をリフロー加熱し、プリフォ
ーム210の従順性ある材料がはんだペースト312,
314内に溶け込む。はんだペースト312,314の
凝固によって、除々に変化する濃度の従順性ある材料を
有する混合領域520,522がフィレット212,2
14とプリフォーム210との間に形成される。混合領
域520,522は電子アセンブリ100の熱サイクル
によって生じる剪断応力をフィレット212,214か
ら従順性あるプリフォーム210内に伝達する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は一般的にはピンレス
(ピン無し)コネクタ構造に関し、かつ、より特定的に
は、はんだ接続構造に関する。
【0002】
【従来の技術】電子製造工業は電子集積回路(IC)パ
ッケージの基板への接続手段としてのピンの使用から離
れつつある。ますます小さな電子部品の製造によって入
力/出力の制約が実感される。さらに、ピンコネクタは
受入れ難いほど高い障害率を有している。ICパッケー
ジおよびピンコネクタのこれらのおよび他の品質の制約
および物理的制約を克服するため、ICパッケージを基
板に接続するのに表面実装はんだ接続構造が開発され
た。
【0003】表面実装はんだ接続構造を使用するICパ
ッケージはグリッドアレイパッケージ(grid ar
ray package)と称される。今日、グリッド
アレイパッケージはコンピュータから電話交換機にいた
る電子機器において使用されている。グリッドアレイパ
ッケージを基板に実装するためには多数のはんだ接続構
造を必要とする。グリッドアレイパッケージをはんだ接
続構造を介して基板に取り付けることによって得られる
電子アセンブリは典型的には以下に説明するように製造
される。
【0004】はんだ接続構造は一般にはんだフィレット
によって2つの基板の接合面の間に電気的に接続された
ボール形状のはんだ部分(「ボール」)からなる。取付
けおよびはんだ接続構造の作成の前に、はんだフィレッ
トはペースト(「ペースト」)の形式になっている。前
記ボールは典型的にはペーストよりも高い融点を有す
る。電子アセンブリは、始めに、グリッドアレイパッケ
ージの接合面上に配置されたペーストと接触してボール
を配置しかつ、第2に、ペーストの融点より高いがボー
ルの融点より低い熱を加えることによって製作できる。
その結果、溶けたペーストはボールをぬらしかつボール
をグリッドアレイパッケージの接合面に接着しかつ後に
フィレットへと凝固する。電子アセンブリは次に、同様
にペーストを基板の対応する接合面上に施し、グリッド
アレイパッケージに対向するボールの領域をペーストに
接触させ、かつ同様に必要な熱を加えることによって、
完成させることができる。上記方法ならびに他の製造方
法は、例えば、米国特許第5,060,844号、「相
互接続構造および試験方法」、ビーフン(Behun)
他、により詳細に説明されている。
【0005】はんだ接続構造は温度によって引き起こさ
れる剪断応力およびひずみ(shear stress
es and strains)によって生じる累積的
な弱体化により限られた寿命を有する。はんだ接続構造
はしばしば異なる構成内容の基板を取り付けなければな
らず、例えば、グリッドアレイパッケージは典型的には
セラミックから構成され、一方プリント回路基板(PC
B)はたいていの場合エポキシから構成される。異なる
基板は温度の変化に関して異なる割合で膨脹する傾向が
あるから、はんだ接続構造は機械的な障害なしにそのよ
うな膨脹を受け入れるために柔軟でありまたは弾力性
(compliant)がなければならない。はんだ接
続構造を使用する電子装置は典型的は周期的な動作から
温度変化を受けるから、該はんだ接続構造は疲労に対し
て耐性のあるものでなければならない。
【0006】従来技術のはんだ接続構造は典型的には2
つの成分、スズ(tin)および鉛(lead)、を含
む合金から構成される。前記ボールは約90%の鉛と1
0%のスズから構成される。前記ペーストおよびそこか
ら生じるフィレットは約63%のスズと37%の鉛から
構成される。ボールとペーストの組成は特定のものが選
択され、これはそれによって加熱の間の各面のぬれ性
(wetting)および取付けが容易に可能となるた
めである。また、従来技術のはんだ接続構造のボールお
よびペーストの成分は同じ応力−ひずみ(stress
−strain)性能を有し、それらが単一体としてふ
るまうようにしている。これは剪断強度および張力強度
を伸びに対して比較することによって見ることができ、
従順性(compliancy)を定義するのに使用で
きる(マンコ(Manko)による、「はんだおよびは
んだ付け(Solders and Solderin
g)」、第2版、マックグロウヒル、ページ132、表
4−3を参照)。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】従来技術のはんだ接続
構造は主としてスズおよび鉛の合金から構成されるた
め、それらは電子アセンブリの動作の間におけるそれら
の基板の温度に関連する膨脹および収縮に耐えるための
必要な従順性および疲労に対する耐性を欠いている。
【0008】従って、必要なことはより柔軟性または従
順性がありかつ疲労に対する耐性を有し、かつ温度によ
って引き起こされる剪断応力に耐えることができるコス
ト効率のよい、量産可能なはんだ接続構造である。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は疲労に対する耐
性を有するはんだ接続構造を提供する。該はんだ接続構
造は柔軟性または従順性ある(compliant)は
んだ合金から形成されたプリフォーム(予備的形成品)
からなり、該プリフォームは該プリフォームおよび2つ
のフィレットの徐々に変化する濃度を有する混合された
領域によって、比較的従順性がより低いはんだ合金で形
成される2つのフィレットの間に接続可能に配置され
る。各々のフィレットはさらに基板の接合面に取り付け
られる。
【0010】該はんだ接続構造のはんだ接続は、コスト
効率のよいより従順性の低いはんだペーストを基板の接
合面上に被着し、前記従順性あるプリフォームを前記ペ
ーストと接触して配置し、かつ前記ペーストおよび前記
プリフォームを加熱して前記プリフォームからの従順性
ある材料(はんだペーストには存在しない)が前記ペー
スト内に溶解して入り、凝固したペーストから生じるフ
ィレットが始めに被着されたペーストに関して組成的に
異なるようにすることによって製造される。前記溶解に
よって生じる従順性ある材料の「剪断(sharin
g)」は従来技術に対してはんだ接続をより従順性があ
りかつ疲労に対する耐性があるようにしかつ、従って、
有害な剪断応力の印加を緩和することができる。
【0011】
【発明の実施の形態】図1は、本発明に係わる部分的に
示されたプリント回路基板108上に実装されたグリッ
ドアレイIC(集積回路)パッケージ106を備えた電
子アセンブリ100の斜視図を示す。該電子アセンブリ
100は、コンピュータまたは電話交換機のような、電
子装置内の電気回路の一部からなるものとすることがで
きる。グリッドアレイパッケージ106は高密度の入力
/出力を必要とする任意のIC部品、例えばJEDEC
登録第MO−156号に記載されたセラミックボール・
グリッドアレイ・ファミリ、とすることができる。
【0012】グリッドアレイパッケージ106は、エポ
キシおよびグラスファイバから構成できる、回路基板1
08上に多数のはんだ接続構造101によって実装され
ている。はんだ接続構造101はグリッドアレイパッケ
ージ106の底面に配置された接合面(または表面導
体)の2次元配列を回路基板108の上面に配置された
接合面の対応する配列と相互接続する。前記接合面はグ
リッドアレイパッケージ106からなる電子部品を配線
パターンまたはトレース109を介して回路基板108
上に配置された隣接する電子回路(図示せず)へと効率
的に結合する。グリッドアレイパッケージ106および
回路基板108が図1に示されているが、本はんだ接続
構造101は適切な接合面を有する任意の2つの基板を
相互接続できることが理解されるべきである。
【0013】前記多数のはんだ接続構造101は従順性
を持たせ電子アセンブリ100の動作の間にひずませる
ことによって加えられる応力を緩和することができなけ
ればならない。電子アンブリ100の動作の間に、熱エ
ネルギ、すなわち、熱、が発生される。電子アセンブリ
100の温度が上昇するに応じて、グリッドアレイパッ
ケージ106および回路基板108の双方が膨脹する。
異なる組成のため、グリッドアレイパッケージ106お
よび回路基板108は異なる割合の熱膨脹を受ける。セ
ラミック材料からなる、グリッドアレイパッケージ10
6は該グリッドアレイパッケージ106の温度が上昇す
るセ氏の毎温度ごとにほぼ7ppm(parts pe
r million)膨脹する。エポキシおよびグラス
ファイバから構成できる、回路基板108は該回路基板
108の温度が上昇するセ氏の毎温度ごとにほぼ18p
pmだけ膨脹する。グリッドアレイパッケージ106お
よび回路基板108が異なる割合で膨脹するに応じて、
多数のはんだ接続構造108に対して応力が分与され
る。
【0014】同様に、多数のはんだ接続構造101は電
子アセンブリ100が動作を停止したときにひずんだ状
態から弾力的に戻ることができるように従順性がなけれ
ばならない。上で述べた熱膨脹に関連して電子アセンブ
リ100が動作を停止しかつ冷却されたときにグリッド
アレイパッケージ106と回路基板108が異なる割合
で引き続き収縮を行う。冷却が発生しかつグリッドアレ
イパッケージ106および回路基板108が異なる割合
でかつ加熱の間に生じたひずみ状態からの戻りは別とし
て収縮が生じると、多数のはんだ接続構造101はまた
該収縮にわたり与えられる付加的な応力にさらされる。
【0015】従って、上記多数のはんだ接続構造101
は有害な応力レベルの累積を防止するために従順性を持
たなければならないのみならず、電子アセンブリ100
が動作に入りかつ動作を停止するとき異なる割合でグリ
ッドアレイパッケージ106および回路基板108が周
期的に膨脹する加熱および、引き続く、収縮する冷却に
持ちこたえるよう疲労に対し耐性を持たなければならな
い。
【0016】図2は、本発明に係わる図1の電子アセン
ブリ100のはんだ接続構造101の1つを構成する部
分的な電子アセンブリ200の側面断面図を示す。該部
分的な電子アセンブリ200はグリッドアレイパッケー
ジの一部206および回路基板の対応する部分208を
含み、これらの要素の間にははんだ接続構造201があ
る。はんだ接続構造201はグリッドアレイパッケージ
206および回路基板208の、それぞれ、接合面20
2および204を相互接続する。好ましい実施例では、
接合面202および204は銅、ニッケル、タングステ
ン、またはモリブデンからなる円形のメタライズされた
パッドとすることができる。グリッドアレイパッケージ
206の接合面202は導電性を促進するために金のよ
うな材料でめっきすることができる。しかしながら、し
ばしば、接合面202上に設けられた金めっきは初期リ
フロー加熱プロセスの間ははんだ接続構造201の取付
けを促進するために除去される。
【0017】はんだ接続構造201は球形のプリフォー
ム210からなる。球形のプリフォーム210は従来技
術において使用されたボールと形状および機能において
同様のものである。球形のプリフォーム210は金属合
金はんだから構成される。従来技術に対してより従順性
および疲労への耐性を達成するため、本発明の球形のプ
リフォーム210はスズよりもむしろインジウムを含ま
せることができる。前に述べたように、従来技術のはん
だ接続構造のボールは、より従順性の低い材料である、
スズを使用している。その結果、本発明のはんだ接続構
造201はより低い応力レベルでひずませることができ
かつ、従って、疲労および障害につながる有害な応力レ
ベルの累積を防止する。
【0018】はんだ接続構造201はさらに一対のフィ
レット212および214を備えている。該フィレット
212および214は好ましくは球形のプリフォーム2
10を構成する金属合金はんだよりも比較的従順性が低
い金属合金はんだとされる。より低い従順性を達成する
ため、フィレット212および214はスズから構成さ
れる。該フィレット212および214は球形のプリフ
ォーム210をそれぞれの接合面202および204に
取り付ける。フィレット212および214はスズを含
みかつ球形のプリフォーム210よりも従順性が低いか
ら、フィレット212および214とそれぞれの接合面
202および204との間にもろい金属間層(inte
rmetallic layer)が存在する。
【0019】はんだ接続構造201を疲労に対してより
耐え得るものにするために、フィレット212および2
14はテーパーが付けられており、それによってはんだ
接続構造201に伝達される剪断応力をはんだ接続構造
201内の最も小さな可能な断面積にかつもろい金属間
層から離れるよう集中させている。はんだ接続構造20
1の前述の最も小さな可能な断面積(またはそれぞれの
接合面202および204が円形である場合にフィレッ
ト212および214の可能な最も小さな直径)はもろ
い金属間層にはなく、むしろフィレット212および2
14の中にかつ従順性ある球形プリフォーム210の面
にまたは該面の近くに存在する。前記可能な最も小さな
断面積はそれぞれの接合面202および204の平坦な
面に平行な断面を取ることによって実現することがで
き、この断面は接合面202および204の面積より小
さな面積を有する。従って、剪断応力にさらされたと
き、はんだ接続構造201はその断面積が可能な最も小
さいところで、前記もろい金属間層ではなく前記従順な
球形プリフォーム210の面においてまたはその面の近
くで、最も多く応力を受ける。その結果、剪断応力はは
んだ接続構造101の従順性ある部分のひずみによって
安全に緩和することができる。
【0020】図2のはんだ接続構造201は次のような
プロセスを使用して製造できる。図3の(a)は球形の
プリフォーム210をグリッドアレイパッケージ206
に取り付ける方法における1つの工程を示す。凝固の前
に、フィレット212は金属合金からなるはんだペース
ト312の形式となっている。はんだペースト312は
グリッドアレイパッケージ206の接合面202上に被
着される。所定の量のはんだペースト312が接合面2
02上に被着されて得られる凝固されたフィレット21
2が確実にテーパー状になるようにする。
【0021】球形のプリフォーム210は次に矢印31
6で示された方向に移動されかつはんだペースト312
と接触するようにされる。グリッドアレイパッケージ2
06−接合面202−はんだペースト312−球形のプ
リフォーム210の構造が次に、ワットキンズ・ジョン
ソン(Watkins Johnson)の対流式オー
ブンモデル番号第18SMD−66のような、オーブン
によってリフロー加熱される。リフロー加熱ははんだペ
ースト312の融点より高い温度まで立ち上がるべきで
あるが、球形プリフォーム210の融点より低い温度で
約15〜60秒の時間の間行われるべきである。グリッ
ドアレイパッケージ206−接合面202−はんだペー
スト312−球形プリフォーム210の構造ははんだペ
ースト312の融点よりも高い温度まで加熱され、はん
だペーストがそれが放熱可能な構造における金属に接触
したときに早すぎる冷却を生じることを防止することが
必要である。この時間の間、球形プリフォーム210か
らのインジウムが、今や溶解した状態にある、はんだペ
ースト312内に溶け込む。インジウムのはんだペース
ト312内への溶解ははんだペースト312の再合金化
(re−alloying)として特徴付けることがで
き、すなわち、今やインジウムを含む、はんだペースト
312は始めに被着したはんだペースト312と明らか
に異なる組成を有する。
【0022】冷却によって、インジウムを含む前記再合
金化したはんだペースト312はフィレット212へと
凝固する。溶解したときは一様であるが、はんだペース
ト312はフィレット212へと凝固したとき多相(m
ultiphase)混合物に類似する。フィレット2
12は図5によりよく図示されているように球形プリフ
ォーム210およびはんだペースト312から徐々に変
化する材料の組合わせを有する。
【0023】図3の(b)は球形プリフォーム210を
回路基板208に取り付ける方法の一工程を示す。該方
法は図3の(a)に関して述べた方法と同様である。は
んだペースト312と組成が同じ、はんだペースト31
4が所定量回路基板208の接合面204上に配置され
る。球形プリフォーム210のグリッドアレイパッケー
ジ206の反対側の部分は次に矢印318で示される方
向に移動されかつはんだペースト314と接触するよう
にされる。次に、球形プリフォーム210およびはんだ
ペースト314はリフロー加熱される。図2のはんだ接
続構造201は以上の方法工程から得られる。はんだ接
続構造201は図3の(a)および(b)によって示さ
れる方法工程の順序を逆にすることによって製造でき、
すなわち、回路基板208をグリッドアレイパッケージ
206の取付けの前に球形プリフォーム210に取り付
けることも可能であることに注目すべきである。
【0024】図1の電子アセンブリ100の製造は上に
述べたプロセス工程を拡張して多数のはんだ接続構造1
01による多数の並列接続を考慮することによって達成
できる。最初に、はんだペースト312のような、はん
だペーストが計量ステンシル(metering st
encil)を使用してグリッドアレイパッケージ10
6の接合面の2次元配列へとスクリーン印刷される。次
に、球形プリフォーム210のような、球形プリフォー
ムが、好ましくはアルミニウムで構成される、テンプレ
ートによって前記接合面と接触しかつ向きを合わせて配
置される。部分的に組み立てられた電子アセンブリは次
に前に述べたようにリフロー加熱されかつ、引続き、凝
固できるようにされる。次に、はんだペースト314の
ような、はんだペーストが回路基板108上に配置され
た接合面の対応する2次元配列上にスクリーン印刷され
る。グリッドアレイパッケージ106の接合面から伸び
る球形のプリフォームが次に回路基板108の対応する
接合面と接触するようにされかつリフロー加熱され、そ
して引き続き凝固できるようにされる。前に述べた工程
によっていったん接続されると、グリッドアレイパッケ
ージ106は回路基板108上に形成された電子回路に
おける他の構成要素とともに動作することができる。
【0025】図2のはんだ接続コード201が図3の
(a)および(b)の前に述べた方法工程によって製造
できるようにどのような合金が球形プリフォーム210
およびはんだペースト312および314を構成できる
かを決定する場合に種々の要因を考慮しなければならな
い。該要因は、それらに制限されるものではないが、コ
ンプライアンスおよび疲労耐性、融点の考慮事項、およ
び量産可能性ならびにコストを含む。さらに、前記合金
ははんだペースト312および314が球形プリフォー
ム210および接合面202および204の双方をぬら
すことができるようにはんだ付けできなければならな
い。
【0026】コンプライアンスおよび疲労耐性を達成す
るため、はんだ接続構造201の球形プリフォーム21
0は低い応力でひずむことができる従順性ある合金から
構成すべきである。この従順性またはコンプライアンス
は、典型的には障害応力における高いレベルの伸びによ
って特徴付けられる、インジウムの単純合金(simp
le alloys)によって示される(前述のマンコ
(Manko)による、「はんだおよびはんだ付け」、
表4−3を参照)。これらのインジウムの単純合金は約
3および50%の間の重量パーセントのインジウムおよ
び残りの鉛から構成されるものを含むのが好ましい。特
定の例は約95%の鉛および5%のインジウム、約90
%の鉛および10%のインジウム、約81%の鉛および
19%のインジウム、約75%の鉛および25%のイン
ジウム、および約50%の鉛および約50%のインジウ
ムからなる合金を含む。あるいは、インジウムの受入れ
可能な単純な合金はまた約90および97の間の重量パ
ーセントのインジウムおよび残りの銀からなるものを含
む。特定の例は約90%のインジウムおよび10%の銀
からなる合金を含む。
【0027】リフロー加熱の間における球形プリフォー
ム210の液化を防止するため、球形プリフォーム21
0を構成する合金の融点ははんだペースト312および
314を構成する合金の融点より高くなければならな
い。はんだ接続構造201は球形プリフォーム210と
はんだペースト312および314との融点の差が約2
5℃よりも小さくない場合に製作できる。例えば、もし
球形プリフォーム210が、約237℃の融点を有す
る、90%のインジウムと10%の銀の合金から構成さ
れれば、はんだ接続構造201は約63%のスズおよび
37%の鉛からなる合金で構成されかつ約183℃の融
点を有するはんだペースト312および314によって
球形プリフォーム210を接合面202および204に
取り付けることによって製作できる。製造を容易にする
ため、接合面および他の関連する部品の積極的な温度の
立上りおよび適切な加熱を可能にするためより大きな融
点の差を持つことが好ましい。これは前に述べかつ図5
を参照して以下に説明するようにはんだペースト312
および314の取付けおよび再合金化を実現する。従っ
て、例えば、好ましいはんだ接続構造201は95%の
鉛および5%のインジウムの合金からなりかつ約314
℃の融点を有する球形プリフォーム210を63%のス
ズおよび37%の鉛の合金からなるはんだペーストと取
り付けることによって製作できる。上述したことに従っ
て、はんだペースト312および314はまた、約62
%のスズ、36%の鉛および2%の銀からなりかつ約1
79℃の融点を有する合金、および約35.5%のビス
マス、35%の鉛、20%のスズ、および9.5%のカ
ドミウムからなりかつ約90℃の融点を有する合金によ
って構成できる(前記マンコ(Manko)による、
「はんだおよびはんだ付け」、ページ110、表3−1
6を参照)。特定された融点は直接球形のプリフォーム
210およびはんだペースト312および314の合金
を構成する成分元素の割合に依存することに注目すべき
である。
【0028】球形のプリフォーム210およびはんだペ
ースト312および314に対するもっともらしい組成
を示唆することに加えて、上に述べた合金の使用を正当
化するために量産性およびコストの考慮事項について考
察しなければならない。製造プロセスとの両立性を維持
するために、はんだペースト312および314は回路
基板208のすべての電子部品(グリッドアレイパッケ
ージ206に加えての部品)を典型的には回路基板の製
造を開始する一工程インラインスクリーン印刷プロセス
で取り付けることができるはんだ合金から構成されなけ
ればならない。その比較的低いコストのため、スズおよ
び鉛からなるはんだペースト312および314が典型
的には好まれる。
【0029】始めにはんだペースト312および314
においてインジウムを備えた疲労に耐えるはんだ接続構
造を作成することも可能であるが、インジウムを含むは
んだペーストの高いコストおよび他の量産性の考慮事項
はこれを思いとどまらせる。インジウムのコストはスズ
および鉛のコストを大きく超えているためかつ自動化さ
れた組立てを維持しかつ無用のコストおよび品質のばら
つきを防止するために一工程スクリーン印刷製造プロセ
スが望まれるため、はんだペースト312および314
にインジウムを使用することは実際上実現できない。例
えば、高いコストのため、インジウムを含むはんだペー
ストはグリッドアレイパッケージ206を回路基板20
8に取り付けるためにのみ使用され、従って他の電子部
品の取付けのために回路基板208の残りの部分にスズ
−鉛はんだペーストを印刷した後にグリッドアレイパッ
ケージの取付けのために回路基板上にインジウムを含む
はんだペーストをスクリーン印刷するための付加的な製
造工程を必要とする。さらに、インジウムを含む合金は
んだペーストはペースト化合物とのインジウムの反応に
より引き起こされるペーストの望ましくない硬直のため
に短い貯蔵寿命を有することが判定されている。
【0030】はんだ接続構造201を形成するために組
み合わせることができる、上に述べたはんだペースト合
金、球形のプリフォーム合金、およびそれらの融点のい
くつかが明瞭化のため以下の表1に示されている。
【表1】 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− はんだ 球形の 融点 ペースト プリフォーム (℃) の合金 の合金 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−− 63%Sn/37%Pb 183 35.5%Bi/35%Pb /20%Sn/9.5%Cd 90 62%Sn/36%Pb/2%Ag 179 95%Pb/5%In 314 90%Pb/10%In 300 81%Pb/19%In 280 75%Pb/25%In 264 90%In/10%Ag 237 50%Pb/50%In 209 −−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−−
【0031】上に述べたことに従って、第1、第2およ
び第3、および第4の行のはんだペースト合金は第5、
第6、第7、第8、第9または第10の行の球形プリフ
ォームの合金と組み合わせてはんだ接続構造201を形
成することができる。例えば、第1の行のはんだペース
トを構成する63%のスズおよび37%の鉛の合金は第
7行の球形プリフォームを構成する81%の鉛および1
9%のインジウムの合金と組み合わせることができる。
あるいは、同様に、第2および第3行のはんだペースト
を構成する35.5%のビスマス、35%の鉛、20%
のスズ、および9.5%のカドミウムの合金は第9行の
球形のプリフォームを構成する90%のインジウムおよ
び10%の銀の合金と、あるいは第10行の球形のプリ
フォームを構成する50%の鉛および50%のインジウ
ムの合金と組み合わせることができる。
【0032】図4は、従来技術のはんだ接続構造401
の顕微鏡的断面側面図400を示す。図4の顕微鏡的側
面図400は実質的に従来技術のはんだ接続構造の顕微
鏡写真と同様にされている。このはんだ接続構造401
はフィレット412および414の間に配置された球形
のプリフォーム410を備えている。従来のはんだ接続
構造401の球形プリフォーム410は約90%の鉛お
よび10%のスズから構成される。フィレット412お
よび414は約63%の鉛および37%のスズから構成
される。同じ組成のため、球形プリフォーム410およ
びフィレット412および414は同じ応力−ひずみ性
能を示し、このはんだ接続構造401が機械的に一様な
構造のようにふるまうことが示唆される。しかしなが
ら、いたるところにスズが存在するため、このはんだ接
続構造401は加えられる熱的に引き起こされる応力を
適切に緩和するようにひずむための従順性(compl
iance)を欠いている。その結果、これらの応力は
このはんだ接続構造401内に累積する傾向があり最終
的に疲労および機械的障害につながる。
【0033】顕微鏡的側面図400はフィレット412
および414を構成する90%の鉛および10%のスズ
の合金と、球形プリフォーム410を構成する63%の
鉛および37%のスズの合金との間で明白な接合部分を
示している。リフロー加熱の間に、後に凝固してフィレ
ット412および414を形成するはんだペーストは単
に球形プリフォーム410の表面をぬらすだけである。
その結果、従来のはんだ接続構造401は上に述べた剪
断応力の影響を極めて受けやすくなる。
【0034】図5は、本発明に係わる図2のはんだ接続
構造201の顕微鏡的側面図500を示す。図5の顕微
鏡的側面図500ははんだ接続構造201の顕微鏡写真
に実質的に適合するようにされている。顕微鏡的側面図
500は一対のフィレット512および514の間に配
置された球形のプリフォーム510を示している。図4
のフィレット412および414を構成する合金と球形
プリフォーム410を構成する合金との間の明白な接合
部に対し、顕微鏡的側面図500はそれぞれのフィレッ
ト512および514と球形プリフォーム510との間
に位置する混合したまたは溶け合った領域520および
522を示している。
【0035】溶け合った領域520および522は後に
凝固してフィレット512および514を形成するはん
だペーストの再合金化(re−alloying)から
生じる。リフロー加熱の間に、球形プリフォーム510
は頭を切り取って短くしたような形状になる。この切り
詰めは球形プリフォーム510を構成するインジウムの
いくらかが、はんだペースト312および314のよう
な、はんだペースト内に溶け込む結果として生じる。は
んだペースト内に溶解する球形プリフォーム510の量
は前記図3の(a)および(b)に関連して説明した方
法ステップの間に接合面上に被着されるはんだペースト
の量に正比例する。
【0036】溶け合った領域520および522は従順
性のより少ないフィレット512および514の従順性
ある球形プリフォーム510への接合を実現する。溶け
合った領域520および522は熱的に引き起こされる
応力をより従順性の少ないフィレット512および51
4から従順性ある球形プリフォーム510へと転送し機
械的障害なしにまたは、特に、より従順性の少ないフィ
レット512および514からの従順性ある球形プリフ
ォーム510の剪断または分離を引き起こすことなしに
はんだ接続構造501の弾力的な曲げまたはひずみを可
能にする。
【0037】溶け合った領域520および522そして
それぞれのフィレット512および514ははんだペー
ストから球形プリフォーム510への材料の組合わせの
除々の変化からなる。例えば、63%のスズと37%の
鉛からなるはんだペースト312および314および8
1%の鉛と19%のインジウムからなる球形プリフォー
ム510の組合わせをリフロー加熱することにより、約
42%のスズ、40%の鉛、および18%のインジウム
の組成を有する溶け合った領域520および522そし
てそれぞれのフィレット512および514を生じる。
62%のスズ、36%の鉛および2%の銀からなるはん
だペースト312および314そして81%の鉛および
19%のインジウムからなる球形プリフォーム510を
リフロー加熱することにより約42%のスズ、40%の
鉛、18%のインジウムおよびわずかの量の銀の組成を
有する溶け合った領域520および522そしてそれぞ
れのフィレット512および514を生じ、この場合前
記銀のわずかな量は典型的には0.1%より少ないもの
である。62%のスズ、36%の鉛、および2%の銀か
らなるはんだペースト312および314と90%の鉛
および10%のインジウムからなる球形プリフォーム5
10の組合わせによって約64%のスズ、32%の鉛、
4%のインジウム、およびわずかな量の銀の組成を有す
る溶け合った領域520および522そしてそれぞれの
フィレット512および514が形成される。また、6
2%のスズ、36%の鉛、および2%の銀からなるはん
だペーストおよび95%の鉛と5%のインジウムからな
る球形プリフォームは組合わされて約76%のスズ、2
2%の鉛、2%のインジウム、およびわずかの量の銀の
組成を有する溶け合った領域520および522そして
それぞれのフィレット512および514を形成する。
インジウムがフィレット512および514にわたり存
在するが、インジウムのより高い濃度部分は溶け合った
領域520および522の近くと溶け合った領域520
および522の中に存在するのが典型的な例である。
【0038】さらに、温度サイクルの試験によって本発
明に係わる上に述べた組合わせの合金を有するはんだ接
続構造の疲労寿命および信頼性は従来のはんだ接続構造
のものを超えていることが示された。例えば、本発明に
係わる81%の鉛と19%のインジウムからなる球形プ
リフォームから製作された多数のはんだ接続構造501
の約5℃から100℃までの温度サイクルによって、ほ
ぼ2,290サイクルの後も何らの疲労も現われなかっ
た。90%の鉛と10%の鈴からなる球形プリフォーム
から製作された従来技術のはんだ接続構造の同じ試験で
は529サイクルで最初の障害が、1,248サイクル
で2番目の障害が、そして2,226サイクルで第3の
障害が発生している。
【0039】2つの別個の元素を含む合金からなる従来
技術のはんだ接続構造と異なり、はんだ接続構造501
は第3の従順性ある元素、インジウム、を含んでいる。
はんだ接続構造501の従順性および疲労耐性は球形プ
リフォーム510とフィレット512および514の間
のインジウムの「共有(sharing)」(上に述べ
た溶解により生成される)の結果として存在する。
【0040】はんだ接続構造501の上に述べた実施例
は球形プリフォームを使用するが、他の形状のはんだ合
金プリフォームを使用して疲労に耐えかつ従順性あるは
んだ接続構造を製造することも可能である。例えば、従
順性あるブロック形状、たる形状、または角柱形状のプ
リフォームもまたより従順性の低いフィレットおよび溶
け合った領域を介して(フィレットと接合面との間の)
金属間層から伝達される応力を受けかつ均等に分配する
ことができる。
【0041】
【発明の効果】本発明ははんだ接続構造のための疲労に
耐えるはんだ接続を提供する。2つの基板の接合面を結
合する、はんだ接続構造は2つのより従順性の低い金属
合金はんだフィレットの間に接続可能に配置された従順
性あるまたは弾力性ある金属合金はんだプリフォームか
ら構成される。該はんだ接続構造は、鉛およびスズから
構成できる、はんだペーストを前記基板の1つの接合面
に被着することによって製作される。鉛およびインジウ
ムのような、より従順性または弾力性ある合金からな
る、プリフォームが前記ペーストと接触して配置され
る。前記プリフォームおよびペーストは次に充分にリフ
ロー加熱され、それによって従順性あるプリフォームか
らのインジウムがはんだペースト内に溶け込み、効果的
にはんだペーストを再合金化する。凝固したペーストか
ら生じる、フィレットは前記プリフォームおよびはんだ
ペーストの双方の金属合金はんだと組成の上で異なる
鉛、スズおよびインジウムを含む別個の金属合金はんだ
から構成される。上記プロセスは次に他の基板をプリフ
ォームに取り付けるために再び行なわれる。プリフォー
ムおよび再合金化したフィレットはインジウムを共有す
るから、はんだ接続構造はより従順性または弾力性があ
り、したがって熱的に引き起こされる有害な剪断応力を
低減することによって疲労および機械的障害に耐えるよ
うになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係わる回路基板上に実装されたグリッ
ドアレイ集積回路パッケージを含む電子アセンブリの斜
視図である。
【図2】2−2線に沿った図1の電子アセンブリのはん
だ接続構造の1つを含む部分的な電子アセンブリの断面
側面図である。
【図3】図2のはんだ接続構造の製造方法を示す断面的
説明図である。
【図4】従来技術のはんだ接続構造を示す顕微鏡的断面
側面図である。
【図5】本発明に係わる図2のはんだ接続構造を示す顕
微鏡的断面側面図である。
【符号の説明】
100 電子アセンブリ 101 はんだ接続構造 106 グリッドアレイICパッケージ 108 回路基板 109 配線パターン 200 電子アセンブリの一部 201 はんだ接続構造 202,204 接合面 206 グリッドアレイパッケージ 208 回路基板 210 球形プリフォーム 212,214 フィレット 312,314 はんだペースト 500 顕微鏡的側面図 501 はんだ接続構造 510 球形プリフォーム 512,514 フィレット 520,522 溶け合った領域

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板(206,208)の接合面(20
    2,204)への溶融合金接続を形成する方法であっ
    て、 (a)前記接合面(202,204)上に第1の融点を
    有する第1の合金はんだ(312,314)を被着する
    段階(図3(a)および(b))、 (b)前記第1の合金はんだ(312,314)と接触
    して柔軟性ある材料から形成される第2の合金はんだ
    (210)を配置する段階(図3(a))であって、該
    第2の合金はんだ(210)は前記第1の融点よりも大
    きな第2の融点を有するもの、そして (c)前記第1の合金はんだ(312,314)および
    前記第2の合金はんだ(210)を前記第1の融点と前
    記第2の融点との間の温度に加熱して(図3(b))、
    前記弾力性ある材料を前記第2の合金はんだ(210)
    から前記第1の合金はんだ(312,314)へと溶け
    込ませかつ前記第1の合金はんだ(312,314)を
    前記第1の合金はんだ(312,314)および前記第
    2の合金はんだ(210)と組成が異なる第3の合金は
    んだ(520,522)へと変換する段階、 を具備することを特徴とする基板(206,208)の
    接合面(202,204)への溶融合金接続を形成する
    方法。
  2. 【請求項2】 前記段階(b)において配置された前記
    第2の合金はんだ(210)は第1のインジウム合金は
    んだからなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記段階(a)において被着された前記
    第1の合金はんだ(312,314)は実質的にインジ
    ウムがないことを特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記第3の合金はんだ(520,52
    2)は第2のインジウム合金はんだからなることを特徴
    とする請求項3に記載の方法。
  5. 【請求項5】 さらに、 (d)前記溶融合金接続を冷却して(図3(a)および
    (b))前記第3の合金はんだ(520,522)を前
    記第2の合金はんだ(210)および前記第1の合金は
    んだ(312,314)の元素の多相混合物へと凝固す
    る段階、 を具備することを特徴とする請求項1に記載の方法。
  6. 【請求項6】 前記第1の融点は第2の融点よりも約2
    5℃またはそれ以上の温度だけ低いことを特徴とする請
    求項1に記載の方法。
  7. 【請求項7】 前記第2の合金はんだ(210)は約3
    および50の間の重量%のインジウムと残りの実質的な
    鉛からなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  8. 【請求項8】 前記第2の合金はんだ(210)は約9
    0および97の間の重量%のインジウムと残りの実質的
    な銀からなることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  9. 【請求項9】 第1の基板(206/208)の第1の
    接合面(202/204)および第2の基板(208/
    206)の第2の接合面(204/202)を相互接続
    する溶融合金接続アセンブリ(501)であって、 第1の融点を有する柔軟性あるはんだ合金で形成される
    プリフォーム(510)、 前記第1の融点よりも低い第2の融点を有するより柔軟
    性の低い組成が異なるはんだ合金で形成される第1のフ
    ィレット(512/514)および第2のフィレット
    (514/512)であって、前記第1のフィレット
    (512/514)および前記第2のフィレット(51
    4/512)は第1の接合面(202/204)および
    第2の接合面(204/202)のそれぞれの1つに取
    り付けられているもの、 を具備し、前記プリフォーム(510)は、前記プリフ
    ォーム(510)と前記第1のフィレット(512/5
    14)および前記第2のフィレット(514/512)
    の除々に変化する濃度を有する溶け合った領域(52
    0,522)を生じさせるのに充分に加熱することによ
    って、前記第1のフィレット(512/514)および
    前記第2のフィレット(514/512)の間に接続可
    能に配置されていることを特徴とする溶融合金接続アセ
    ンブリ(501)。
  10. 【請求項10】 前記プリフォーム(510)はインジ
    ウムの単純はんだ合金で構成されることを特徴とする請
    求項9に記載のアセンブリ。
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