JP4762536B2 - 半導体部品及び半導体パッケージ - Google Patents
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Description
以下では、このダイシング前の回路が積層されてなるウエハ状の基材であって、配線基板(インタポーザ)を使用しないウェハレベルCSP(Chip Size/Scale Package)等の半導体パッケージを作製するために用いる半導体部品を例として、その製造方法について説明する。
図5に示した半導体装置100は、例えばウェハ状の基材101をなす一方の面側に配され、不図示の回路と電気的に接続されてなる複数個(図5には2個のみ示す)の第一導電部102と、基材101および第一導電部102を被覆してなる第一絶縁部103と、第一導電部102に接続された第二導電部104と、基材101、第一絶縁部103およ
び第二導電部104を封止する第二絶縁部106と、第二絶縁部106の一部が開口され、第二導電部104のうち露出した状態の領域に配された半田バンプ107と、を備えてなる。
このような半導体パッケージはその表層部に設けた半田バンプを介して、他の基材(実装基板とも呼ぶ)に実装することにより用いられる。他の基材に実装した半導体パッケージは、主に半導体パッケージと他の基材との熱膨張率の違いにより発生する応力を他の基材より受ける。特に、半田バンプによって他の基材と半導体チップとを電気的に接続するBGAやCSPなどの半導体パッケージでは、この半田バンプの接合部に応力が集中する傾向がある。そのため、このように応力集中の生じた接合部付近から断線不良に繋がるクラックが発生し易いという問題があった。
しかしながら、ウェハレベルCSPに代表される、インターポーザを用いない半導体パッケージにおいては、その基材として通常はシリコンを使用するので、半導体パッケージの熱膨張率はほぼシリコンの値になってしまう。これに対して、他の基材(実装基板)としては樹脂が主体をなす基板(樹脂基板とも呼ぶ)が多用されている。シリコンは、一般的に実装基板をなす樹脂基板に比べてその熱膨張率は一桁以上小さいため、両者の熱膨張率の差は必然的に大きなものとならざるを得ない。
上述したウェハレベルCSPにより得られた半導体パッケージについては、その電気特性の信頼性を向上させるための技術が種々提案されている(特許文献1〜6参照。)。
図1は、本発明に係る半導体部品の一例を示す部分断面図であり、2個の半田バンプが例示された領域を示す。
図1に示した半導体部品10は、ウェハ状の基材(厚さT)11をなす一方の面側に配された複数個(図1では2個)の第一導電部12と、これらの基材11および第一導電部12を被覆してなる第一絶縁部(厚さt1 )13と、第一導電部12に接続された第二導電部14と、基材11、第一絶縁部13および第二導電部14を封止する第二絶縁部(厚さt2 )16と、この第二絶縁部16を貫通して形成され、第二導電部14に電気的に接続された頂部の上面に半田バンプ17を配する第三導電部15と、基材11をなす他方の面側に配された第三絶縁部(厚さt3 )18とを備えてなる。そして、この基材11は、半田バンプ17を配した面側(図1の紙面上方)に凹状をなしていることを特徴としている。
したがって、半田バンプ17に蓄積される疲労を小さく抑えられるので、他の基材(実装基板)に実装された半導体部品10は他の基材から受ける応力を抑制できることから、図1に示した半導体部品10は電気的かつ機械的に長期信頼性に優れた接続をもたらす。
ここでは、本発明に係る半導体部品10として、配線基板(インタポーザ)を使用しないウェハレベルCSPを例にとり説明したが、それ以外のパッケージ、すなわちインタポーザを使用する半導体パッケージにおいても、上述した基材11が半田バンプ17を配した面側(図1の紙面上方)に凹状をなすという、本発明に係る構成は有効に働く。
以上では、半導体部品を構成する基材11としてシリコン(Si)を例として説明したが、本発明はシリコン(Si)系の材料に限定されるものではない。半導体デバイスの分野で広く使われている他の材料、例えばガリウム砒素(GaAs)系や、インジウムリン(InP)系、ガリウムリン(GaP)系、ガリウムナイトライド(GaN)系、ガリウムテルル(GaTe)系、亜鉛セレン(ZnSe)系、シリコンカーバイド(SiC)系などにも、上述した基材11が半田バンプ17を配した面側(図1の紙面上方)に凹状をなすという、本発明に係る構成は本発明に係る構成は有効に働く。
本発明に係る半導体部品は、少なくとも3つの導電部、すなわち第一導電部、第二導電部および第三導電部を備えている。第一導電部は、基材上に設けられた半導体デバイスの入出力端子に相当し、電力ラインおよび信号ラインの端子部として機能するものである。第二導電部は、半導体パッケージの配線に相当し、第一導電部と第三導電部とを電気的に接続するものであり、第一導電部を再配置するために用いられる。第三導電部は、第二導電部と半田バンプとを電気的に接続するものである。第二導電部上に直接、半田バンプを設ける場合には不要となるが、意図的に第三導電部を設けてもよい。
半田バンプは、半導体パッケージの端子に相当し、半導体パッケージなどの半導体部品を構成する一方の基材と、実装基板を構成する他方の基材とを、電気的かつ機械的に接続するものである。半田の材料としては、スズ鉛(SnPb)の他に、各種のPbフリー半田(SnAgCu、SnZnBi、SnInBiなど)を用いても、上述した基材11が半田バンプ17を配した面側(図1の紙面上方)に凹状をなすという、本発明に係る構成は本発明に係る構成は有効に働くことは言うまでもない。
本発明に係る半導体部品は、少なくとも3つの絶縁部、すなわち第一絶縁部、第二絶縁部および第三絶縁部を備えている。第一絶縁部は、半導体デバイスの表面を保護するとともに、第二導電部との絶縁性を確保するものである。第二絶縁部は、第二導電部を電気的、機械的および化学的に保護するものであり、本発明ではパッケージの熱膨張率の増大やパッケージの凹形状を制御する役目も担っている。第三絶縁部は、半導体デバイスの裏面を保護するとともに、、本発明ではパッケージの熱膨張率の増大やパッケージの凹形状を制御する役目も担っている。
図2において、一方の(左側に位置する)構成例は、第三導電部15’が半田バンプ17’と一体化した場合であり、第三導電部15’に引き続き半田バンプ17’が同じ材料で連続して形成されるので、両者の間には界面が存在しない形態が得られる。他方の(右側に位置する)構成例は、第三導電部15”が第二導電部14、半田バンプ17”の何れとも異なる材料からなる場合であり、第三導電部15”を取り囲む第二絶縁部16との機械的な関係から好ましい材料が選定できる。また、他方の構成例とした場合には、第三導電部15”をその厚さ方向に組成変調させることにより、第二導電部14や半田バンプ17”との界面における電気的な改善も図れる。
図3は、本発明に係る半導体部品の他の一例を示す部分断面図であり、図1と同様に2個の半田バンプが例示された領域を示す。図3の半導体部品20は特に、基材21の一方の面側に配された第一絶縁部23と第二絶縁部26を合計した厚さ(t1+t2)が、基材21の他方の面側に配された第三絶縁部28の厚さt3 より小さい場合を示しており、他の点は実施例1と同様である。
図4は、本発明に係る半導体部品の他の一例を示す部分断面図であり、図1と同様に2個の半田バンプが例示された領域を示す。図4の半導体部品30は特に、基材31の一方の面側に配された第二絶縁部36の厚さt2 を極端に大きくした場合を示しており、他の点は実施例1と同様である。
図5は、本発明に係る半導体部品の他の一例を示す部分断面図であり、図1と同様に2個の半田バンプが例示された領域を示す。図5の半導体部品40は特に、図1における第三絶縁部18に相当するような部材は一切配されておらず、基材41の他方の面側は露出した状態をなしており、他の点は実施例1と同様である。
Claims (4)
- ウェハ状の基材をなす一方の面側に配された複数個の第一導電部と、前記基材および前記第一導電部を被覆してなる第一絶縁部と、前記第一導電部に接続された第二導電部と、前記基材、前記第一絶縁部および前記第二導電部を封止する第二絶縁部と、前記第二絶縁部を貫通して形成され、前記第二導電部に電気的に接続された頂部の上面に半田バンプを配する第三導電部と、前記基材をなす他方の面側に配された第三絶縁部とを備えた半導体部品であって、
前記基材の熱膨張率は、前記半導体部品を実装するための実装基板を構成する他の基材に比べて小さく、かつ、前記基材は、前記半田バンプを配した面側に凹状をなしていることを特徴とする半導体部品。 - 前記第三絶縁部の膜厚は、前記第一絶縁部と前記第二絶縁部の合計膜厚より小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体部品。
- 前記第三絶縁部のヤング率は、前記第一絶縁部と前記第二絶縁部のヤング率より小さいことを特徴とする請求項1に記載の半導体部品。
- 請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体部品を備えた半導体パッケージであって、
前記半導体部品の半田バンプにより該半導体部品が実装基板に実装されており、かつ、前記半導体部品を構成する基材がシリコン、前記実装基板を構成する基材が樹脂、であることを特徴とする半導体パッケージ。
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