JP2004511651A5 - ニオブスパッタ要素、ニオブ金属およびそれを含む物品 - Google Patents
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】 ニオブスパッタ要素であって、25μm以下の平均粒径を有し、当該要素の厚さにわたって1次の(111)型または混合(111)型の均一組織を有するニオブスパッタ要素。
【請求項2】 前記ニオブスパッタ要素が、50ppm以下の金属不純物を有する請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項3】 100ppm以下の金属不純物を有する請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項4】 実質的に(100)組織バンドのない請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項5】 タンタル、モリブデンおよびタングステンの合計量が100ppm未満である請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項6】 タンタル、モリブデンおよびタングステンの合計量が10ppm未満である請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項7】 100ppm以下の金属不純物および150μm以下の平均粒径を有するニオブ金属であって、当該金属は、
a)(100)極図形が、任意の5%増加厚さ内で、0〜5ランダムの中央ピーク強度を有する組織;および
b)同じ増加厚さ内で、−1.5〜7または−3〜5の(111):(100)中央ピーク強度の自然対数比
を有する。
【請求項8】 前記金属が、十分に再結晶化されている請求項7記載のニオブ金属。
【請求項9】 前記金属の80%以上が、再結晶化されている請求項7記載のニオブ金属。
【請求項10】 50μm以下の平均粒径を有する請求項7記載のニオブ金属。
【請求項11】 純度99.995%〜99.999%を有する請求項7記載のニオブ金属。
【請求項12】 平均粒径10〜100μmを有する請求項7記載のニオブ金属。
【請求項13】 前記金属が、前記ニオブ金属の厚さにわたって1次の(111)型組織を有する請求項7記載のニオブ金属。
【請求項14】 前記金属が、前記ニオブ金属の厚さ内に(100)組織バンドがない請求項13記載のニオブ金属。
【請求項15】 スパッタターゲット、キャパシタおよびキャパシタかんから選ばれる、請求項7〜14のいずれか一項に記載のニオブ金属を含む物品。
【請求項1】 ニオブスパッタ要素であって、25μm以下の平均粒径を有し、当該要素の厚さにわたって1次の(111)型または混合(111)型の均一組織を有するニオブスパッタ要素。
【請求項2】 前記ニオブスパッタ要素が、50ppm以下の金属不純物を有する請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項3】 100ppm以下の金属不純物を有する請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項4】 実質的に(100)組織バンドのない請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項5】 タンタル、モリブデンおよびタングステンの合計量が100ppm未満である請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項6】 タンタル、モリブデンおよびタングステンの合計量が10ppm未満である請求項1記載のニオブスパッタ要素。
【請求項7】 100ppm以下の金属不純物および150μm以下の平均粒径を有するニオブ金属であって、当該金属は、
a)(100)極図形が、任意の5%増加厚さ内で、0〜5ランダムの中央ピーク強度を有する組織;および
b)同じ増加厚さ内で、−1.5〜7または−3〜5の(111):(100)中央ピーク強度の自然対数比
を有する。
【請求項8】 前記金属が、十分に再結晶化されている請求項7記載のニオブ金属。
【請求項9】 前記金属の80%以上が、再結晶化されている請求項7記載のニオブ金属。
【請求項10】 50μm以下の平均粒径を有する請求項7記載のニオブ金属。
【請求項11】 純度99.995%〜99.999%を有する請求項7記載のニオブ金属。
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【請求項15】 スパッタターゲット、キャパシタおよびキャパシタかんから選ばれる、請求項7〜14のいずれか一項に記載のニオブ金属を含む物品。
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JP4928706B2 (ja) * | 2002-12-03 | 2012-05-09 | 株式会社東芝 | 光学薄膜形成用Nbスパッタリングターゲットの製造方法 |
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WO2004103906A2 (en) | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Cabot Corporation | Methods of making a niobium metal oxide and oxygen reduced niobium oxides |
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WO2005080961A2 (en) * | 2004-02-18 | 2005-09-01 | Cabot Corporation | Ultrasonic method for detecting banding in metals |
US8252126B2 (en) | 2004-05-06 | 2012-08-28 | Global Advanced Metals, Usa, Inc. | Sputter targets and methods of forming same by rotary axial forging |
US7666243B2 (en) | 2004-10-27 | 2010-02-23 | H.C. Starck Inc. | Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy |
JP2006161066A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Seiko Epson Corp | スパッタリングターゲットとその製造方法及びスパッタリング装置並びに液体噴射ヘッド |
US7998287B2 (en) * | 2005-02-10 | 2011-08-16 | Cabot Corporation | Tantalum sputtering target and method of fabrication |
US8128765B2 (en) * | 2005-04-05 | 2012-03-06 | Jefferson Science Associates, Llc | Large grain cavities from pure niobium ingot |
JP5126742B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2013-01-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット |
US20070044873A1 (en) | 2005-08-31 | 2007-03-01 | H. C. Starck Inc. | Fine grain niobium sheet via ingot metallurgy |
JP4034802B2 (ja) * | 2005-11-22 | 2008-01-16 | 株式会社神戸製鋼所 | 超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒およびNb3Sn超電導線材の製造方法 |
EE05493B1 (et) * | 2006-03-07 | 2011-12-15 | Cabot Corporation | Meetod l?pliku paksusega metallesemete valmistamiseks, saadud metallplaat ja selle valmistamiseks kasutatav BCC- metall |
CN100357464C (zh) * | 2006-06-03 | 2007-12-26 | 郭青蔚 | 草酸体系萃取法制取无氟氧化铌工艺 |
CN100529150C (zh) * | 2007-12-17 | 2009-08-19 | 西部金属材料股份有限公司 | 一种制备金属铌带材的方法 |
JP5308683B2 (ja) * | 2008-01-29 | 2013-10-09 | 株式会社神戸製鋼所 | ブロンズ法Nb3Sn超電導線材製造用NbまたはNb基合金棒、Nb3Sn超電導線材製造用前駆体およびその製造方法、並びにNb3Sn超電導線材 |
US20110008201A1 (en) * | 2009-07-07 | 2011-01-13 | H.C. Starck Inc. | Niobium based alloy that is resistant to aqueous corrosion |
US9834829B1 (en) | 2009-07-07 | 2017-12-05 | H.C. Starck Inc. | Niobium-based alloy that is resistant to aqueous corrosion |
JP5907997B2 (ja) * | 2012-02-02 | 2016-04-26 | しのはらプレスサービス株式会社 | 超伝導加速空洞の純ニオブ製エンドグループ部品の製造方法 |
WO2014156918A1 (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | ニオブスパッタリングターゲット |
CN103316912B (zh) * | 2013-07-09 | 2014-12-17 | 武汉科技大学 | 一种极薄铌带的轧制方法 |
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US11885009B2 (en) * | 2019-02-12 | 2024-01-30 | Uchicago Argonne, Llc | Method of making thin films |
SG11202110358SA (en) * | 2019-03-26 | 2021-10-28 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Niobium sputtering target |
CN110983218B (zh) * | 2019-12-25 | 2021-09-03 | 西部超导材料科技股份有限公司 | 一种组织均匀的小规格纯铌棒材的制备方法 |
Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3085871A (en) | 1958-02-24 | 1963-04-16 | Griffiths Kenneth Frank | Method for producing the refractory metals hafnium, titanium, vanadium, silicon, zirconium, thorium, columbium, and chromium |
NL252366A (ja) | 1958-06-13 | |||
GB955832A (en) | 1959-10-21 | 1964-04-22 | Ciba Ltd | Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof |
US3110585A (en) | 1959-10-21 | 1963-11-12 | Ciba Ltd | Process for the manufacture of metallic niobium or tantalum or alloys thereof |
US3497402A (en) | 1966-02-03 | 1970-02-24 | Nat Res Corp | Stabilized grain-size tantalum alloy |
CH515996A (de) | 1968-06-06 | 1971-11-30 | Starck Hermann C Fa | Verfahren zur Herstellung von hochreinem Niob und/oder Tantal |
US3597192A (en) | 1968-12-05 | 1971-08-03 | Atomic Energy Commission | Preparation of tantalum metal |
DE2517180C3 (de) | 1975-04-18 | 1979-04-19 | Fa. Hermann C. Starck Berlin, 1000 Berlin | Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von feinem hochkapazitiven Erdsäuremetallpulver für Elektrolytkondensatoren |
US4149876A (en) | 1978-06-06 | 1979-04-17 | Fansteel Inc. | Process for producing tantalum and columbium powder |
JPS56145109A (en) | 1980-04-12 | 1981-11-11 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Preparation of tantalum carbide or niobium carbide |
JPS57106525A (en) | 1980-12-19 | 1982-07-02 | Rasa Kogyo Kk | Manufacture of lithium niobate or lithium tantalate |
JPS59202624A (ja) | 1983-04-30 | 1984-11-16 | Sharp Corp | 薄膜形成用蒸発源 |
JPS6066425A (ja) | 1983-09-22 | 1985-04-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Lsi電極用の高純度モリブデンタ−ゲツトならびに高純度モリブデンシリサイドタ−ゲツトおよびその製造方法 |
JPS60124452A (ja) | 1983-12-07 | 1985-07-03 | Hitachi Ltd | 高純度金属スリ−ブの製造方法 |
JPS619532A (ja) | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Daido Steel Co Ltd | ニオブ又はタンタルの金属鋳塊の製造方法 |
JPS61146717A (ja) | 1984-12-18 | 1986-07-04 | Sumitomo Chem Co Ltd | タンタルの精製方法 |
JPS61281831A (ja) | 1985-06-07 | 1986-12-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 高純度タンタルの精製法 |
JPS62297A (ja) | 1985-06-25 | 1987-01-06 | Fuji Photo Film Co Ltd | 多層分析要素 |
LU86090A1 (fr) | 1985-09-23 | 1987-04-02 | Metallurgie Hoboken | Procede pour preparer du tantale ou du niobium affins |
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JPS62108517A (ja) | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Hitachi Ltd | 分子線源 |
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JPH0621346B2 (ja) | 1986-06-11 | 1994-03-23 | 日本鉱業株式会社 | 高純度金属タンタル製ターゲットの製造方法 |
JPS63216966A (ja) | 1987-03-06 | 1988-09-09 | Toshiba Corp | スパツタタ−ゲツト |
JPS6415334A (en) | 1987-07-09 | 1989-01-19 | Toho Titanium Co Ltd | Production of metal from metal halide |
JPS6473009A (en) | 1987-09-11 | 1989-03-17 | Showa Denko Kk | Production of high purity tantalum or niobium powder |
JPS6473028A (en) | 1987-09-16 | 1989-03-17 | Tosoh Corp | Recovering method for high purity tantalum from scrap tantalum |
JPS6475632A (en) | 1987-09-18 | 1989-03-22 | Tosoh Corp | Recovering method for tantalum from scrap tantalum |
US4960163A (en) | 1988-11-21 | 1990-10-02 | Aluminum Company Of America | Fine grain casting by mechanical stirring |
JPH0735586B2 (ja) | 1989-08-25 | 1995-04-19 | 住友金属工業株式会社 | 着色フェライト系ステンレス鋼とその製造方法 |
JPH03150828A (ja) | 1989-11-07 | 1991-06-27 | Nippon Chemicon Corp | 電解コンデンサ用アルミニウム電極の製造方法 |
JP3031474B2 (ja) | 1989-12-26 | 2000-04-10 | 株式会社東芝 | 高純度タンタル材,タンタルターゲット,薄膜および半導体装置の製造方法 |
US5530467A (en) | 1990-02-01 | 1996-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Sputtering target, film resistor and thermal printer head |
JPH042618A (ja) | 1990-04-20 | 1992-01-07 | Nikko Kyodo Co Ltd | 弗化タンタルカリウムの精製方法 |
JPH0421524A (ja) | 1990-05-15 | 1992-01-24 | Nikko Kyodo Co Ltd | 弗化タンタルカリウムの精製方法 |
DE4032566C2 (de) | 1990-10-13 | 1993-12-16 | Schott Glaswerke | Bleifreies optisches Glas mit negativ abweichender anomaler Teildispersion |
US5269403A (en) | 1992-06-15 | 1993-12-14 | Johnson Matthey Electronics | Sputtering target assembly for a sputter coating apparatus |
TW234767B (ja) | 1992-09-29 | 1994-11-21 | Nippon En Kk | |
US5693203A (en) | 1992-09-29 | 1997-12-02 | Japan Energy Corporation | Sputtering target assembly having solid-phase bonded interface |
US5406850A (en) | 1993-01-14 | 1995-04-18 | Tosoh Smd, Inc. | Method of non-destructively testing a sputtering target |
JPH06264232A (ja) | 1993-03-12 | 1994-09-20 | Nikko Kinzoku Kk | Ta製スパッタリングタ−ゲットとその製造方法 |
US5409548A (en) | 1993-05-17 | 1995-04-25 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Ferroelectric detector array utilizing material and fabrication technique |
DE4414571C1 (de) | 1994-04-27 | 1996-01-18 | Starck H C Gmbh Co Kg | Verfahren zur Herstellung von Tantal-Niob-Konzentraten |
US5442978A (en) | 1994-05-19 | 1995-08-22 | H. C. Starck, Inc. | Tantalum production via a reduction of K2TAF7, with diluent salt, with reducing agent provided in a fast series of slug additions |
US5687600A (en) | 1994-10-26 | 1997-11-18 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Metal sputtering target assembly |
US5522535A (en) | 1994-11-15 | 1996-06-04 | Tosoh Smd, Inc. | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies |
JPH08165528A (ja) | 1994-12-09 | 1996-06-25 | Japan Energy Corp | 高純度高融点金属または合金の製造方法 |
US5590389A (en) | 1994-12-23 | 1996-12-31 | Johnson Matthey Electronics, Inc. | Sputtering target with ultra-fine, oriented grains and method of making same |
JP3852967B2 (ja) | 1995-07-14 | 2006-12-06 | 株式会社アルバック | 低圧スパッタリング装置 |
CN1289243C (zh) * | 1996-11-07 | 2006-12-13 | 卡伯特公司 | 铌粉、铌电容器和用其降低直流电泄漏的方法 |
US6010676A (en) | 1997-09-12 | 2000-01-04 | Osram Sylvania Inc. | Method for making a highly pure tantalum compound |
US6323055B1 (en) | 1998-05-27 | 2001-11-27 | The Alta Group, Inc. | Tantalum sputtering target and method of manufacture |
US6348139B1 (en) | 1998-06-17 | 2002-02-19 | Honeywell International Inc. | Tantalum-comprising articles |
KR100600908B1 (ko) * | 1998-06-29 | 2006-07-13 | 가부시끼가이샤 도시바 | 스퍼터 타겟 |
DE19847012A1 (de) * | 1998-10-13 | 2000-04-20 | Starck H C Gmbh Co Kg | Niobpulver und Verfahren zu dessen Herstellung |
US6348113B1 (en) * | 1998-11-25 | 2002-02-19 | Cabot Corporation | High purity tantalum, products containing the same, and methods of making the same |
TW460883B (en) * | 1999-02-16 | 2001-10-21 | Showa Denko Kk | Niobium powder, niobium sintered body, capacitor comprised of the sintered body, and method for manufacturing the capacitor |
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