JP2004289029A - 記憶装置 - Google Patents

記憶装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2004289029A
JP2004289029A JP2003081724A JP2003081724A JP2004289029A JP 2004289029 A JP2004289029 A JP 2004289029A JP 2003081724 A JP2003081724 A JP 2003081724A JP 2003081724 A JP2003081724 A JP 2003081724A JP 2004289029 A JP2004289029 A JP 2004289029A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
atomic
line
voltage
group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2003081724A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4254293B2 (ja
JP2004289029A5 (ja
Inventor
Motoyasu Terao
元康 寺尾
Norikatsu Takaura
則克 高浦
Kenzo Kurotsuchi
健三 黒土
Hideyuki Matsuoka
秀行 松岡
Takeshi Yamauchi
豪 山内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP2003081724A priority Critical patent/JP4254293B2/ja
Priority to KR1020040012920A priority patent/KR101064832B1/ko
Priority to DE602004028190T priority patent/DE602004028190D1/de
Priority to CNB2004100714402A priority patent/CN100413075C/zh
Priority to EP04005034A priority patent/EP1463061B1/en
Priority to US10/790,881 priority patent/US7335907B2/en
Publication of JP2004289029A publication Critical patent/JP2004289029A/ja
Publication of JP2004289029A5 publication Critical patent/JP2004289029A5/ja
Priority to US11/952,540 priority patent/US20080089154A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4254293B2 publication Critical patent/JP4254293B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/56—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency
    • G11C11/5678—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using storage elements with more than two stable states represented by steps, e.g. of voltage, current, phase, frequency using amorphous/crystalline phase transition storage elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
    • G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
    • G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/30—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors
    • H10B63/34—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having three or more electrodes, e.g. transistors of the vertical channel field-effect transistor type
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
    • H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
    • H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
    • H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
    • H10N70/257—Multistable switching devices, e.g. memristors having switching assisted by radiation or particle beam, e.g. optically controlled devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/821—Device geometry
    • H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/841—Electrodes
    • H10N70/8413—Electrodes adapted for resistive heating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
    • H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
    • H10N70/881—Switching materials
    • H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
    • H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
    • G11C2213/70—Resistive array aspects
    • G11C2213/79—Array wherein the access device being a transistor

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

【課題】メモリ素子と選択トランジスタとを用いたメモリセルで構成される相変化記憶装置において、１３０度以上で動作可能なように耐熱性を高めること。
【解決手段】記録層にＺｎ−Ｇｅ−ＴｅのＺｎやＣｄなどの含有量が２５原子％以上、Ｇｅ含有量が５原子％以上２５原子％以下、Ｔｅの含有量が４０原子％以上のものを用いる。
【効果】車載などの高温になる可能性がある用途に使える記憶装置を実現することができる。
【選択図】 図８

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体不揮発メモリに関し、特に相変化材料を用いた記録装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、相変化膜を用いた不揮発性メモリが知られており、例えば米国特許第５８８３８２７号に詳述されている。これは、記憶素子自体に流れる電流によるジュール熱に応じて、記憶素子の結晶状態が変化することにより記憶情報が書き込まれる相変化メモリである。非晶質（アモルファス）化する際にジュール熱で６００℃を越える温度にして一旦記録層を融解させるために書き込み電流が大きいが、結晶状態に応じて抵抗値が２桁から３桁も変化する。このメモリは、抵抗値を信号として用いるため、読み出し信号が大きく、センス動作が容易である。
【０００３】
図２に、上記米国特許第５８８３８２７号のＦｉｇ．１２の相変化メモリの構成の略図を示す。当該相変化メモリは、メモリアレイとロウ（行）デコーダＸＤＥＣ、カラム（列）デコーダＹＤＥＣ、読み出し回路ＲＣ、書き込み回路ＷＣで構成される。メモリアレイは、ワード線ＷＬｐ（ｐ＝１、…、ｎ）とデータ線ＤＬｒ（ｒ＝１、…、ｍ）の各交点にメモリセルＭＣｐｒが配置されてなる。各メモリセルは、直列接続された記憶素子ＲＭと選択トランジスタＱＭが、データ線ＤＬと接地電位との間に挿入された構成である。ワード線ＷＬが選択トランジスタのゲートに、カラム選択線ＹＳｒ（ｒ＝１、…、ｍ）が対応するカラム選択スイッチＱＡｒにそれぞれ接続される。
【０００４】
このような構成により、ロウデコーダＸＤＥＣで選択されたワード線上の選択トランジスタが導通し、さらにカラムデコーダＹＤＥＣで選択されたカラム選択線に対応するカラム選択スイッチが導通することにより、選択メモリセル内に電流経路が形成されて、共通データ線Ｉ／Ｏに読み出し信号が発生される。選択メモリセル内の抵抗値は、記憶情報によって差があるので、共通データ線Ｉ／Ｏに出力される電圧は記憶情報によって差が出る。この差を読み出し回路ＲＣで判別することにより、選択メモリセルの記憶情報が読み出される。
【０００５】
一方、公表特許公報２００１−５０２８４８では電気的メモリ素子に用いるメモリ材料として、遷移金属元素を含むものが述べられている。遷移金属元素は従来の定義では２ｂ族を含まないことが多いが、この明細書では２ｂ族までを遷移金属元素としている。実施例には、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系材料に１０原子％以下のＴｉなどを含むものが述べられている。
【特許文献１】米国特許第５８８３８２７号（ＵＳＰ５，８８３，８２７）
【特許文献２】公表特許公報２００１−５０２８４８
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、次世代半導体不揮発メモリとして期待されている相変化メモリは、光ディスクの記録膜材料を相変化層として用いたものであるが、光ディスクより高温での使用が要求される半導体メモリではＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５で代表される光ディスクの記録膜材料は耐熱性が十分ではない。
【０００６】
従って本発明の目的は、小面積の素子とした時抵抗値が最適であって、高温動作不揮発メモリを提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、相変化膜として、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録するものであって、（１）ＧｅまたはＳｂと、（２）４０原子％以上のＴｅと、（３）２０原子％以上５０原子％以下の２ｂ族、１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族元素から選ばれた少なくとも一元素を含むものを用いることによって、達成される。
【０００８】
ここで、４０原子％以上のＴｅを含み、かつ、２０原子％以上５０原子％以下の２ｂ族、１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族元素から選ばれた少なくとも一元素を含むようにする理由は、高い結晶化温度を保つようにするためである。２ｂ族、１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族元素の代表としてＺｎを、ＧｅまたはＳｂの代表としてＧｅを例にとって説明する。多くのＺｎを含む組成の場合には、結合力の強いＺｎ−Ｔｅの非晶質ネットワーク中にＧｅ−Ｔｅが取り込まれた形になり、安定な結晶系も互いに違うため、全体として高い結晶化温度を保つと考えられる。ここで、Ｇｅの添加で、イオン性が強いＺｎＴｅより共有結合性が増して非晶質ネットワーク（網目構造）が変形しにくくなり、一方、一旦結晶化が始まるとドミノ倒し式に高速結晶化される、と考えられる。
【０００９】
図１３に、Ｇｅ２５Ｔｅ７５へのＺｎの添加量と融点の関係を示した。Ｚｎが２０原子％以上５０原子％以下では固相部分の融点が９００℃以上となった。５０原子％以上でも固相部分の融点は高いが、５０原子％より多いと耐酸化性が急激に低下して素子製作工程で記録層が損傷または剥離してしまい、最終工程まで通すことが難しくなった。図１４にはＧｅ２５Ｔｅ７５へのＺｎの添加量と実施例で延べるメモリー素子の動作上限温度との関係を示した。Ｚｎが２０原子％以上５０原子％以下の範囲で１４０℃以上での素子動作が可能である。自動車のエンジン制御用の場合、通常のメモリー素子の動作温度上限である１２０℃より高い１４０℃での動作が自動車メーカーの要求仕様となっており、本願の構成ではこの要求仕様を満たすことができる。一方、公表特許公報２００１−５０に記載の１０原子％以下のＴｉを含む材料組成では、この要求仕様を達成することができない。
【００１０】
また、Ｚｎと同じ２ｂ族のＣｄは、同等の耐熱性を示す。１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族の各元素は、融点および結晶化温度は２ｂ族元素を含む場合より低いが、１３０℃には耐えるので、断熱性のあるケース内に収納すれば１０時間以内の連続運転に耐える。
【００１１】
従って本発明の材料を用いた記憶装置では結晶化温度も高く、高温動作、高温記憶保持が期待できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
＜実施例１＞
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。実施例の各ブロックを構成する回路素子は、特に制限されないが、典型的には公知のＣＭＯＳ（相補型ＭＯＳトランジスタ）等の半導体集積回路技術によって、単結晶シリコンのような１個の半導体基板上に形成される。さらに、相変化を示すカルコゲナイド材料等が集積回路の作成技術にハイブリッドして作成される。
【００１３】
（メモリアレイ構成）
図１は、本発明によるメモリアレイの構成例を示している。同図では、メモリアレイの動作に必要なロウデコーダＸＤＥＣ、カラムデコーダＹＤＥＣ、読み出し回路ＲＣ、書き込み回路ＷＣも同時に示されている。この構成の特徴は、データ線に平行なソース線を設け、双方を等電位に駆動するプリチャージ回路と、選択ソース線を選択的に駆動する回路を配置することにより、選択されたワード線と選択されたソース線の交点にある選択セルにのみ電流経路を発生する点にある。
【００１４】
メモリアレイは、前述の図２と同様にｎ×ｍビットのメモリセルを有する構成が示されている。メモリセルを構成する素子は、選択トランジスタＱＭとカルコゲナイド材料による可変抵抗による記憶素子ＲＭである。
【００１５】
ロウデコーダＸＤＥＣは、ロウアドレスに応じたワード線ＷＬを選択する。また、カラムデコーダＹＤＥＣは、カラムアドレスに応じたカラム選択線ＹＳを駆動する。選択されたカラム選択線ＹＳに応じたカラム選択スイッチＱＡが導通することにより、選択されたメモリセルは、共通データ線Ｉ／Ｏを介して読み出し回路ＲＣおよび書き込み回路ＷＣに接続される。ここでＱＡ１〜ＱＡｍは複数のデータ線（ＤＬ１〜ＤＬｍ）の一つを選択して共通データ線に接続するための第１のスイッチ回路をなすとみることができる。また、ＱＢ１〜ＱＢｍは複数のソース線（ＤＳ１〜ＤＬｍ）の一つを選択してソース電圧供給線に接続するための第２のスイッチ回路をなすと見ることができる。
【００１６】
このメモリアレイ構成は、以下の三つの特徴を有する。第一は、データ線ＤＬに平行な複数（ここではｍ本）のソース線ＳＬｒ（ｒ＝１、…、ｍ）が配置され、列方向のトランジスタＱＭのソースがソース線ＳＬに共通に接続されている点である。第二は、それぞれのソース線ＳＬｒとソース電圧端子ＶＳＬとの間に複数（ここではｍ個）のＮＭＯＳトランジスタＱＢｒ（ｒ＝１、…、ｍ）が挿入され、これらのトランジスタが列デコーダで選択される点である。図１では、これらのゲートに対応するカラム選択線Ｙｓｒが直接接続されている例を示している。第三は、対応するデータ線ＤＬとソース線ＳＬをプリチャージ電圧ＶＤＬに駆動する複数（ここではｍ個）のＮＭＯＳトランジスタＱＣｒおよびＱＤｒ（ｒ＝１、…、ｍ）が配置され、これらのトランジスタのゲートにプリチャージイネーブル信号ＰＣが接続されている点である。このような構成により、プリチャージ電圧ＶＰＣに駆動された複数のデータ線ＤＬおよびソース線ＳＬの中から、選択したいデータ線に対応するソース線を駆動することができる。つまり、選択したいデータ線及びソース線に接続されたメモリセルにのみ、電圧差を印加することができる。したがって、選択ワード線上の所望のメモリセルにのみ電流経路を形成し、選択データ線にのみ読み出し信号を発生することが可能となる。
【００１７】
なお、プリチャージ回路はＱＣ１、ＱＤ１〜ＱＣｍ、ＱＤｍ全体と解することができ、ＱＣ１とＱＤ１はＤＬ１とＳＬ１の対毎に設けられた要素プリチャージ回路と見ることができる。
【００１８】
（記憶素子の特性）
記憶素子は、少なくとも亜鉛（Ｚｎ）とゲルマニウム（Ｇｅ）とテルル（Ｔｅ）を含むＺｎ−Ｇｅ−Ｔｅ系、などのカルコゲナイド材料を記録層の材料として用いている。この材料の特徴は、従来メモリ素子用に実験されたりしているＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系などの材料に比べて融点、結晶化温度ともに大幅に高いので高い温度で使用できること、電気抵抗が高いこと、光学的には透過率が高く、相変化による複素屈折率の変化は大きくないこと、などである。カルコゲナイド材料を用いた相変化メモリの特性は、例えば、ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｍｅｅｔｉｎｇ， ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＤＩＧＥＳＴ， ｐｐ．８０３−８０６， ２００１ここで、カルコゲナイドとは、硫黄、セレン、テルルのうちの少なくとも１元素を含む材料をいう。この記憶素子に記憶情報０’を書き込む場合、図３に示すように、素子をカルコゲナイド材料の融点Ｔａ以上に熱してから急冷するようなリセットパルスを印加する。リセットパルスを短くして、与える全エネルギーを小さくし、冷却時間ｔ１を短く、例えば約１ｎｓに設定することにより、カルコゲナイド材料は高抵抗のアモルファス状態となる。逆に、記憶情報１’を書き込む場合、記憶素子を融点よりも低く、ガラス転移点と同じかそれよりも高い結晶化温度Ｔｘより高い温度領域に保つようなセットパルスを印加することにより、カルコゲナイド材料は低抵抗の多結晶状態となる。結晶化に要する時間ｔ２はカルコゲナイド材料の組成によって異なるが、例えば、約５０ｎｓである。同図に示した素子の温度は、記憶素子自身が発するジュール熱、および周囲への熱拡散に依存する。したがって、図４のＩ−Ｖ特性に示すように、書き込み情報に応じた値の電流パルスを記憶素子に印加することにより、記憶素子の結晶状態が制御される。同図は、カルコゲナイド材料を用いた記憶素子の動作原理を模式的に示しており、ＩＷ１からＩＷ０の範囲内のセット電流を印加する場合に記憶情報１’が書き込まれ、ＩＷ０以上のリセット電流を印加する場合に記憶情報０’が書き込まれることを示している。ただし、どちらの状態を０’、どちらの状態を１’としても良い。以下では、同図に従い、四通りの書き込み動作を詳しく説明する。
【００１９】
第一に、初期状態１’の記憶素子に１’書き込みを行う場合、セット電流が印加されると、セット（結晶）状態の低抵抗曲線を辿って初期状態とセット領域との間を往復するので、状態が保持される。第二に、初期状態１’の記憶素子に０’書き込みを行う場合、リセット電流が印加されると、セット状態の低抵抗曲線を辿ってリセット電流に達する。次に、ジュール熱により部分的に融解が始まるので、導電率が徐々に下がる。さらに、融解が進むと高抵抗状態になる。液相の記憶素子を急冷すると、アモルファス状態に相変化するので、液相時の抵抗よりも若干低いリセット（非晶質）状態の高抵抗曲線を辿って初期状態に戻る。図４で点線で示した部分は、リセットパルスは既に切れているが、そのまま電圧をかけ続けたら抵抗値の変化で電流はこのように変化するはず、という仮想的な線である。第三に、初期状態０’の記憶素子に１’書き込みを行う場合、セット電流を印加すると、記憶素子の端子電圧がしきい電圧Ｖｔｈを超えた時に、低抵抗状態にスイッチする。スイッチング後は、ジユール熱によって結晶化が進行する。電流値がセット電流に達すると、結晶化領域が広がって相変化することにより、さらに抵抗値が下がるので、低抵抗曲線を辿って初期状態に戻る。途中から電圧−電流曲線の傾斜がゆるやかになるのは、低抵抗状態へスイッチングしていた領域がスイッチＯＦＦとなり、結晶化による抵抗低下のみが残留するためである。第四に、初期状態０’の記憶素子に０’書き込みを行う場合、前述したスイッチング後にほとんど結晶化する時間はなく、スイッチングしたことによる低抵抗曲線を辿ってリセット領域に達し、融解、急冷、固化して初期状態に戻る。
【００２０】
このような記憶素子の動作原理から、読み出し時には記憶情報を破壊しないようにするために、最高でもしきい電圧Ｖｔｈより低い電圧に抑制しながら動作しなければならない。実際には、しきい電圧は電圧印加時間にも依存し、時間が長いと低下する傾向があるため、読出し時間内にしきい電圧を越えて低抵抗状態へのスイッチングが起こらない電圧にする必要がある。そこで、これらの原理に基づいた、図１に示したメモリアレイ構成を実現する動作を以下に説明する。
【００２１】
（読み出し動作）
次に、図５に従い、図１に示したアレイ構成を用いたメモリセルの読み出し動作について説明する。ここで、図５は、メモリセルＭＣ１１を選択する場合の動作波形を示している。
【００２２】
まず、待機状態において、プリチャージイネーブル信号ＰＣが電源電圧ＶＤＤ（例えば１．５Ｖ）に保持されているので、ＮＭＯＳトランジスタＱＣおよびＱＤによりデータ線ＤＬおよびソース線ＳＬがプリチャージ電圧ＶＤＬに維持される。ここでＶＤＬは、ＶＤＤよりもトランジスタのしきい電圧だけ降下した値で、例えば１．０Ｖである。また、共通データ線Ｉ／Ｏも、読み出し回路ＲＣによりプリチャージ電圧ＶＤＬにプリチャージされている。
【００２３】
読み出し動作が始まると、電源電圧ＶＤＤとなっているプリチャージイネーブル信号ＰＣが接地電位ＶＳＳに駆動され、接地電位ＶＳＳとなっているカラム選択線ＹＳ１が昇圧電位ＶＤＨ（例えば１．５以上）に駆動されることにより、トランジスタＱＡ１、ＱＢ１が導通する。この時、データ線ＤＬ１は、共通データ線Ｉ／Ｏと等電位にあるのでプリチャージ電圧ＶＤＬに保持されるが、ソース線ＳＬ１はトランジスタＱＢ１によりソース電圧ＶＳＬ（例えば０．５Ｖ）に駆動される。このソース電圧ＶＳＬとプリチャージ電圧ＶＤＬは、プリチャージ電圧ＶＤＬがソース電圧ＶＳＬよりも高く、その差は、抵抗ＲＭの端子電圧が図４に示したような読み出し電圧領域の範囲内に収まるような関係に設定されている。次に、接地電位ＶＳＳとなっているワード線ＷＬ１が昇圧電位ＶＤＨに駆動されると、ワード線ＷＬ１上の全てのメモリセルにおけるトランジスタＱＭが導通する。この時、記憶素子ＲＭに電位差が生じたメモリセルＭＣ１１内に電流経路が発生し、データ線ＤＬ１および共通データ線Ｉ／Ｏが、記憶素子ＲＭの抵抗値に応じた速さでソース電圧ＶＳＬに向かって放電される。同図では、記憶情報１’を保持している場合の方が、記憶情報０’の場合よりも抵抗値が小さいものとしているので、放電が速い。したがって、記憶情報に応じた信号電圧が発生される。非選択メモリセルＭＣ１２〜ＭＣ１ｍでは記憶素子ＲＭの電位差が０なので、非選択データ線ＤＬ１２〜ＤＬ１ｍはプリチャージ電圧ＶＤＬに保持される。すなわち、ワード線ＷＬ１とソース線ＳＬ１により選択されたメモリセルＭＣ１１のみが、データ線ＤＬ１を通じて読み出し電流を流す。ここで、読み出し回路ＲＣで読み出し情報が弁別された後なら、ワード線ＷＬ１を立ち下げることができる。尚、この弁別が遅い場合にワード線ＷＬ１を立ち上げ続けると、記憶情報０’を読み出す場合においても、選択されたデータ線ＤＬ１がソース電圧ＶＳＬ付近まで放電されてしまい、０’読み出しの信号電圧と１’読み出しの信号電圧との差が減少して、記憶情報を正しく読み出せなくなる場合がある。このような場合には、同図のように、０’読み出しの場合のデータ線電圧が参照電圧ＶＤＲを越える前のタイミングで、ワード線ＷＬ１を立ち下げることにより、誤動作を防止できる。ワード線を立ち下げて電流経路を遮断することにより、共通データ線Ｉ／Ｏ上の信号電圧が保持されるので、読み出し回路ＲＣは参照電圧ＶＤＲを基準として発生された正または負の信号を弁別することが可能である。以上の読み出し動作が終了すると、共通データ線Ｉ／Ｏはプリチャージ電位ＶＤＬに駆動されて、待機状態に戻る。
【００２４】
なお、待機状態において、メモリアレイのデータ線やソース線をフローティングとすると、読み出し動作開始時にデータ線と共通データ線を接続した際に、電圧が不定であるデータ線の容量が共通データ線から充電されてしまう。このため、同図ではワード線ＷＬ１に応じてカラム選択線ＹＳ１も立ち下げ、さらに接地電位ＶＳＳとなっているプリチャージイネーブル信号ＰＣを電源電圧ＶＤＤに駆動することにより、データ線およびソース線をプリチャージ電位ＶＤＬに駆動して待機状態としている。また、昇圧電位ＶＤＨは、従来のＤＲＡＭにおいて広く用いられているような電圧であり、電源電圧ＶＤＤとＮＭＯＳトランジスタのしきい電圧ＶＴＮを用いて、ＶＤＨ＞ＶＤＤ＋ＶＴＮの関係を満たすように設定されている。例えば相変化メモリの書き込み動作では、後述するように、読み出し動作よりも大きな電流を流す必要がある。このため、本発明では、ワード線ＷＬとカラム選択線ＹＳを昇圧電位ＶＤＨに駆動してＮＭＯＳトランジスタの抵抗を下げることにより、正確な書き込み動作を行うことができる。また、プリチャージ電圧ＶＤＬをソース電圧ＶＳＬより高く設定することにより、選択ソース線を選択メモリセル中のトランジスタＱＭのソースとし、記憶素子ＲＭの抵抗によらず、トランジスタのゲート―ソース間電圧を確保できる。なお、逆の電位関係であっても、その差が、図３に示したような読み出し電圧領域の範囲内に収まるように設定されているならば、同様の選択動作が可能である。
【００２５】
尚、図５は、ソース線ＳＬ１を駆動してからワード線ＷＬ１を駆動する例であるが、設計の都合によっては、ワード線ＷＬ１を駆動してからソース線ＳＬ１を駆動してもよい。この場合には、最初はワード線ＷＬ１が駆動されて選択トランジスタＱＭが導通するため、記憶素子ＲＭの端子電圧は０Ｖに確保される。その後、ソース線ＳＬ１を駆動すると、記憶素子ＲＭの端子電圧は０Ｖから大きくなるが、その値はソース線ＳＬ１の駆動速度で制御可能で、前述した読み出し領域の範囲に収めることができる。同様に、ワード線ＷＬ１とソース線ＳＬ１を、ほぼ同時に駆動することもできる。また、ワード線ＷＬ１とソース線ＳＬ１のうちで、駆動タイミングの遅い方のパルスに先行してカラム選択線ＹＳ１を駆動すれば、Ｉ／Ｏへの出力待ち時間を減らせるので、アクセス時間が速くなる。もちろんこの場合には、図１に示したトランジスタＱＡ１とＱＢ１を独立に駆動できるように結線を変えればよい。
【００２６】
以上、メモリセルＭＣ１１を選択する例を示したが、同じデータ線上のメモリセルは、それらのワード線電圧が接地電位ＶＳＳに固定されているので選択されることはない。また、他のデータ線とソース線は同じ電位ＶＤＬなので、残りのメモリセルも非選択セルの状態に維持される。
【００２７】
以上の説明では、待機状態のワード線を接地電位ＶＳＳとし、選択状態のソース線を０．５Ｖといった正のソース電圧ＶＳＬとしている。この電圧関係は、非選択メモリセルを通じて流れる電流が動作に影響を及ぼさないように設定する。すなわち、ソース線が選択され、ワード線が非選択のメモリセル、例えばメモリセルＭＣ１１を選択する際の非選択メモリセルＭＣ２１〜ＭＣｎ１のトランジスタＱＭが十分オフになるように設定すれば良い。ここで示したように、待機状態のワード線電圧を接地電位ＶＳＳとし、ソース電圧ＶＳＬを正の電圧とすることにより、トランジスタＱＭのしきい値電圧を低くできる。場合によっては、選択されたソース線を接地電位０Ｖとして、待機状態のワード線を負の電圧にすることも可能である。その場合にも、トランジスタＱＭのしきい値電圧を低くできる。待機時のワード線用に負電圧を発生させる必要があるが、選択時のソース線の電圧が、外部から印加される接地電位ＶＳＳであるため安定させ易い。トランジスタＱＭのしきい値電圧を十分高くすれば、選択時のソース線と待機状態のワード線を接地電位０Ｖとしても良い。その場合、外部から印加される接地電位ＶＳＳである上に、待機状態のワード線の容量が安定化容量として働くために、選択時のソース線の電圧をさらに安定なものにできる。
【００２８】
さらに、ここでは、共通データ線Ｉ／Ｏに読み出された信号電圧を、読み出し回路ＲＣにより弁別する動作を説明したが、共通データ線Ｉ／Ｏに流れる電流を弁別する動作も可能である。その場合、読み出し回路ＲＣに、例えば前述の米国特許第５８８３８２７号に述べられているような、入力インピーダンスが小さいセンス回路を用いる。そのような、電流をセンスする方式にすることにより、共通データ線の配線容量の影響が小さくなり、読み出し時間を短縮できる。
【００２９】
（書き込み動作）
さらに、図６に従い、図１に示したアレイ構成を用いたメモリセルの書き込み動作について説明する。但し、図６は、メモリセルＭＣ１１を選択する場合の動作波形である。
【００３０】
まず、メモリセルＭＣ１１の選択動作は、読み出し動作と同じように行われる。メモリセルＭＣ１１が選択されると、書き込み回路ＷＣが共通データ線Ｉ／Ｏを駆動することにより、書き込み電流ＩＷＣが発生される。０’書き込みの場合、図４に示した範囲の値に設定されたリセット電流がメモリセルＭＣ１１に印加される。リセット電流のパルス幅は短く、駆動後は直ちに待機状態に戻って、電流値が０となる。このようなリセット電流により、図３に示したようなリセットパルスと同じジュール熱が発生される。反対に、１’書き込みの場合、図４に示した範囲の値に設定されたセット電流が印加される。このパルス幅は約５０ｎｓである。このようなセット電流により、図３に示したようなセットパルスと同じジュール熱が発生される。このように、書き込みパルスの印加時間と電流値は書き込み回路ＷＣで制御されるので、どちらの記憶情報を書き込む場合においても、メモリセルはセット電流のパルス幅だけ選択状態にある。
【００３１】
（メモリセル構造）
次に、メモリアレイの構造の例を説明する。この構造の特徴は、ワード線とデータ線及びソース線に対し、ＭＯＳトランジスタの活性領域を傾けて配置していることである。ソース線を第一金属層、データ線を第二金属層で配線し、データ線に対応してソース線を設けたメモリセル構造を実現している。
【００３２】
図７に、レイアウトを示す。同図で、ＦＬは活性領域パターン、ＦＭはソース線ＳＬや電源給電線などの第一金属層パターン、ＳＭはデータ線ＤＬ用の第二金属層パターン、ＴＭはカラム選択線ＹＳ用の第三金属層パターン、ＦＧはシリコン基板上に形成されたトランジスタの第一ゲート電極パターン、ＦＣＴは第一金属層コンタクトパターン、ＳＣＴは第二金属層コンタクトパターン、ＴＣＴは第三金属層コンタクトパターン、ＷＢＦは記憶素子の上部電極層である。これらのパターンのパターニングには、周知の光リソグラフィを用いることができる。なお、同図では、各上部電極層ＷＢＦの下に記憶素子が形成されている。また、パターン名の後の括弧内に対応するノード名を示しているので、例えば、メモリセルＭＣ１ｍは、ワード線ＷＬ１とデータ線ＤＬｍおよびソース線ＳＬｍとの交点に示した位置に配置されることは、容易に理解できる。
【００３３】
図８は、メモリアレイをデータ線に垂直方向から見た断面を模式的に示した図である。１００はＰ型半導体基板、１０１はＰ型半導体基板内に埋め込まれた素子分離用の絶縁物、１０２は図７中の活性領域パターンＦＬにおけるＮ型拡散層領域、１０３は基板上に形成されたトランジスタのゲート酸化膜、１０４は基板上に形成されたトランジスタのゲート電極、１０５は基板上に形成されたトランジスタに絶縁膜で形成されたサイドウォールある。また、２００はソース線ＳＬや電源給電線などに用いられる第一金属層である。また、２０１はデータ線ＤＬなどに用いられる第二金属層、２０２はカラム選択線ＹＳに用いられる第三金属層、２０３は層間絶縁膜、２０４はＮ型拡散層領域１０２と第一金属層とを接続するコンタクト、２０５は第一金属層と第二金属層とを接続するコンタクトである。さらに、２０８は記憶素子ＲＭの下部発熱材であるＴｉ−Ａｌ−Ｎ層、３０４はＷ８０Ｔｉ２０上部電極、３０５は記憶素子ＲＭとなるカルコゲナイド材料膜、３０６は下部発熱材２０８とＮ型拡散層領域１０２とを接続するコンタクトである。上部電極もカルコゲナイド材料膜からの熱の逃げが大きくなりすぎてリセット電流が大きくならないようにカルコゲナイド材料膜よりも面積を小さくしてある。ここで、図８では、アレイ端からデータ線ＤＬｍとソース線ＳＬｍを見たものとして層名の後の括弧内にノード名を示している。例えば、図８中の１０４で示されたゲート電極のノード名によって、選択トランジスタおよびプリチャージ用トランジスタＱＣｍ、ＱＤｍの配置が容易に理解できる。
【００３４】
金属層とコンタクトは、上層部を形成する際の熱処理による電気特性の劣化と、多数回書換え時のカルコゲナイド材料と電極との化学反応や相互拡散を防ぐために、例えば融点の高いタングステンまたはその合金、たとえばＷ８０Ｔｉ２０で形成される。また、コンタクトは、サイドウォール１０７の隙間を埋め込むように形成される。この加工技術は、従来のＤＲＡＭで広く用いられている自己整合プロセスと呼ばれるものである。
【００３５】
本実施例による記憶素子は、図８に示したような絶縁膜３０５を用いて、カルコゲナイド材料３０４と下部発熱材２０８との接触面積を小さくしているので、抵抗値が大きい。このため、小さな電流で高いジュール熱を発生することができるので、低電力の書き込み動作が可能な相変化メモリを実現することができる。また、図７に示したレイアウトにより、ワード線を最小ピッチの２Ｆ（Ｆは最小加工寸法）、データ線を、ワード線の１．５倍の３Ｆピッチでそれぞれ配置できるので、Ｆの２乗の６倍の相変化メモリセルを実現することができる。
【００３６】
以上で述べたメモリアレイおよびメモリセルの構成と動作による効果を、以下にまとめる。第一に、本実施例によるメモリアレイは、図１に示したようにデータ線ＤＬに平行なソース線ＳＬが設けられ、メモリセル内の選択トランジスタＱＭのソースが対応するソース線ＳＬに接続された構成とすることにより、読み出し動作における消費電力を低減することができる。具体的には、データ線ＤＬおよびソース線ＳＬに選択トランジスタＱＡ、ＱＢがそれぞれ配置され、さらにプリチャージ用トランジスタＱＣ、ＱＤがそれぞれ配置される。このような構成において、選択したデータ線に対応するソース線をソース電圧ＶＳＬに駆動することができる。このため、選択ワードと選択ソース線の交点のセルにのみ電流経路を形成し、選択データ線にのみ読み出し信号を発生することができる。したがって、非選択データ線の充放電を抑制することにより、例えば相変化メモリやＭＲＡＭの読み出し動作における消費電力を低減することができる。なお、相変化メモリに本発明を適用した場合、書き込み動作においても読み出し動作と同様の選択動作が行われるので、全体として低電力の相変化メモリを実現することができる。
【００３７】
また、本実施例によるメモリアレイは、第一の効果で述べたような選択動作により非選択データ線の電位が保たれるので、データ線間の容量カップリングによるノイズが小さく、安定した読み出し信号を発生することができる。したがって、読み出し動作の安定した相変化メモリを実現することができる。
【００３８】
（縦型トランジスタを用いたメモリセル構造）
次に、メモリアレイの構造の別な例を説明する。この構造の特徴は、図１に示したサブアレイ内の選択トランジスタＱＭとして、縦型構造のＭＯＳトランジスタを用いていることである。
【００３９】
図９に、レイアウトを示す。図７と同様に、ＦＬは活性領域パターン、ＦＭはソース線ＳＬなどの第一金属層パターン、ＳＭはデータ線ＤＬ用の第二金属層パターン、ＴＭはカラム選択線ＹＳ用の第三金属層パターン、ＦＧはシリコン基板上に形成されたトランジスタの第一ゲート電極パターン、ＳＧはワード線ＷＬすなわち縦型トランジスタの第二ゲート電極パターン、ＦＣＴは第一金属層コンタクトパターン、ＳＣＴは第二金属層コンタクトパターン、ＴＣＴは第三金属層コンタクトパターンである。ここで、第二ゲート電極パターンＳＧと第二金属層パターンＳＭの交差している領域に縦型トランジスタとカルコゲナイドが積層されて、メモリセルが作られている。これらのパターンのパターニングには、周知の光リソグラフィを用いることができる。なお、同図では、Ａ−Ａ’線がデータ線ＤＬｍ上に、Ｂ−Ｂ’線がデータ線ＷＬ１上に示されているものとしてパターン名の後の括弧内に対応するノード名を示している。例えば、メモリセルＭＣ１ｍは、ワード線ＷＬ１とデータ線ＤＬｍとの交点に示した位置に配置されることは、容易に理解できる。
【００４０】
図１０は、図９に示したＡ−Ａ’線に沿った部分の断面（以下、Ａ−Ａ’断面と呼ぶ）を示している。同様に、図１１は、図９に示したＢ−Ｂ’線に沿った部分の断面（以下、Ｂ−Ｂ’断面と呼ぶ）を示している。これらの図では、１００はＰ型半導体基板、１０１はＰ型半導体基板内に埋め込まれた素子分離用の絶縁物、１０２は図９中の活性領域パターンＦＬにおけるＮ型拡散層領域、１０３は基板上に形成されたトランジスタのゲート酸化膜、１０４は基板上に形成されたトランジスタのゲート電極、１０５は基板上に形成されたトランジスタに絶縁膜で形成されたサイドウォールある。また、２００はソース線ＳＬや電源給電線、共通データ線Ｉ／Ｏなどに用いられる第一金属層、２０１はデータ線ＤＬなどに用いられる第二金属層、２０２はカラム選択線ＹＳに用いられる第三金属層、２０３は層間絶縁膜、２０４はＮ型拡散層領域１０２と第一金属層とを接続するコンタクト、２０５は第一金属層と第二金属層とを接続するコンタクト、２０６は第二金属層と第三金属層とを接続するコンタクト、２０７は第一金属層と基板上に形成されたトランジスタのゲート電極１０４とを接続するコンタクト、２０８はＺｎＴｅよりなる抵抗発熱層である。ＺｎＴｅに１０原子％以下の他の元素３から５族元素を添加した材料でも良い。さらに、３０１は縦型トランジスタＰＭのソース電極となるＮ型ポリシリコン、３０２は縦型トランジスタＰＭのチャネルとなる不純物が添加されていない真性ポリシリコン、３０３は縦型トランジスタＰＭのドレイン電極となるＮ型ポリシリコン、３０５は記憶素子ＲＭとなるカルコゲナイド材料、３０４は上部電極、３０６は縦型トランジスタの側壁に形成されたゲート酸化膜、３０７は縦型トランジスタのゲート電極すなわちワード線ＷＬ、３０８はデータ線ＤＬとワード線ＷＬとの間に形成された層間絶縁膜、３０９は側壁酸化膜である。
【００４１】
記憶用カルコゲナイド材料とどちらか一方の電極との間、あるいは抵抗発熱材層との間に薄く酸化物、窒化物、硫化物、炭化物などの誘電体の層、あるいはこれら誘電体とカルコゲナイド材料との混合膜を形成すると、最初の低抵抗状態へのセット時にその領域の誘電体中にカルコゲナイドのフィラメント状領域が形成されて細い導電パスとなり、そこだけに電流が流れ、相変化するので高い抵抗値、低い動作電流値を得ることができる。好ましい誘電体材料は酸化ゲルマニウム、窒化ゲルマニウム、酸化シリコン、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化チタン、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化クロム、酸化タンタル、酸化モリブデン、炭化シリコン、硫化亜鉛を主成分（６０％以上含有）とする材料、あるいはこれらの混合材料である。この混合膜領域はどちらかの電極に接しているのが好ましく、プラスイオンによりフィラメントが形成されることからマイナス電極に接して設けられるのがメモリー動作の安定性の点で最も好ましいが、両電極に接しない状態でも動作可能である。誘電体材料とカルコゲナイドとの混合層とする場合は、カルコゲナイドの含有量を６０モル％以下としないと高抵抗化効果が見られなかった。本実施例ではＴａ２Ｏ５を７０％と記録層の材料３０％の混合物の、厚さ５ｎｍの膜を設けた。膜厚は２ｎｍから２５ｎｍの範囲で抵抗比を１桁以上に保って２倍以上の抵抗上昇を確保することができた。ただし、膜厚が薄ければ元々誘電体層にピンホールが有ってカルコゲナイド材料が入り込むので問題無いが、膜厚１５ｎｍ以上では最初に安定動作電圧より１．５倍以上高い電圧をかけて絶縁破壊を起こさせ、フィラメント形成させる必要がある。このようなフィラメント状領域が常時形成された層を設ける方法、およびその効果は本発明の記録層材料組成の範囲外の、例えばＧｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録層を用いた場合にも共通であるが、Ｇｅ２Ｓｂ２Ｔｅ５記録層より抵抗値が高い本発明の記録層と組み合わせれば、さらに高抵抗、低電流化の効果が有った。リセット（非晶質化）電流は８０マイクロアンペアとなった。
【００４２】
ここで、図１０および図１１では、図９と同様に、Ａ−Ａ’線がデータ線ＤＬｍ上に、Ｂ−Ｂ’線がデータ線ＷＬ１上に示されているものとして層名の後の括弧内にノード名を示している。例えば、図１０中の１０４で示されたゲート電極のノード名によって、トランジスタＱａｍ、ＱＢｍ、ＱＣｍ、ＱＤｍのゲート電極の配置が容易に理解できる。
【００４３】
このように縦型トランジスタを用いることにより、ワード線とデータ線の各交点に形成された所謂クロスポイントセルにできる。すなわち、ワード線とデータ線を最小加工寸法Ｆで加工すると、メモリセルの面積が、Ｆの２乗の４倍となる。したがって、集積度の高い、大容量の相変化メモリを実現することができる。
【００４４】
ここで用いている縦型トランジスタは、オフ状態では、チャネル領域である真性ポリシリコン３０２が完全に空乏化し、いわゆる完全空乏型ＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）トランジスタとして動作する。そのため、基板上のＭＯＳトランジスタに比べて、しきい値電圧の調整が困難である。図５に示した読み出し動作に関連して説明したように、選択状態のソース線の電位に対して待機状態のワード線の電位を低くした電圧設定は、この縦型トランジスタのしきい値電圧が低くて良いため、好適である。
【００４５】
以上、１個のカルコゲナイド材料による記憶素子と１個のトランジスタとで構成されるメモリセルを有する相変化メモリについて主に説明してきた。しかし、メモリセルの構成は、これに限定されない。
【００４６】
本実施例の素子は１００万回以上の書き換えが可能で、高い歩留まりで製作できる。
【００４７】
本実施例の素子の諸特性のカルコゲナイド記録層材料依存性は下記のとおりであった。Ｚｎの好ましい含有量範囲は２０原子％以上５０原子％以下であって、これより少ないと連続動作可能な上限温度は１４０度未満となり、高温動作を要求される用途での実用が困難である。これより多いと耐酸化性が低下して素子製作工程で記録層が損傷または剥離してしまい、最終工程まで通すことができなかった。特に好ましい範囲は２５原子％以上３５原子％以下であった。この範囲内でＧｅまたはＳｂの含有量が２５原子％以上３５原子％以下の範囲では、プロセス上問題無く、かつ１４０℃以上で動作可能であった。Ｚｎ以外に、他の２ｂ族、１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族元素から選ばれた少なくとも一元素を含んでも素子特性は良好であった。しかし高い結晶化温度を得るという点では、Ｚｎがもっとも好ましく、次いでＣｄが好ましかった。ＧｅまたはＳｂの好ましい含有量範囲は、４０原子％以下であった。４０原子％を越えると融点が低下すると同時に相変化による体積変化が許容値を越え、書き換え１０万回以下で剥離が発生した。より好ましい範囲は２５原子％以上３５原子％以下であった。Ｇｅの場合、これより少ないとスパッタリング時にターゲットから微粒子が落下して歩留まりが５０％以下となった。これより多いと融点、結晶化温度ともに低下し、連続動作可能な上限温度は１３０度未満となり、実用が困難である。Ｓｂの場合、２５原子％以下では耐酸化性が不足してプロセスの歩留まりが５０％以下となるので２５％以上が好ましいが、ターゲット微粒子が落下するのを防ぐ効果はあまり無いのでスパッタｕｐ方式でスパッタできる場合には問題無いが、スパッタｄｏｗｎ方式では問題がある。Ｔｅの含有量が４０原子％未満であると非晶質化が困難となり、書き換え１０回以下で変化しなくなった。以上述べた以外に、Ｉｎ，Ｓｉ、Ｓｎ，Ｂｉ、Ｐｂ，Ｓｅ，Ｎ，Ｏ，Ｈや、Ａｕ，Ａｇ，Ｔｉなどの遷移金属元素を１０原子％以下含んでも良い。Ｉｎ，Ｓｎ，Ｂｉ、Ｐｂは、３原子％以上添加すると結晶化速度３０％以上向上の効果があった。ＳｉとＳｅは製造プロセス中の酸化の防止に効果が有った。
【００４８】
上記ＧｅとＳｂは両方含まれても良い。その場合は両元素の含有量の和がそれぞれ単独で含まれる場合の好ましい含有量範囲にあるのが好ましい。Ｇｅ：Ｓｂの比が１：２から２：１の範囲であれば両者の特長を持たせることができる。
【００４９】
下部のコンタクト（プラグ）の上部の発熱材は、ＴｉＡｌＮの代わりに上記記録層材料よりＺｎまたはＣｄの含有量が１０原子％以上多い融点が１０００℃以上の同様な材料を用いると、この部分のジュール発熱によって記録層下部を補助加熱することができ、Ｗコンタクトの場合に比べてリセット電流の約３０％の低減と良好な多数回書き換え特性が得られた。
【００５０】
カルコゲナイド記録層に隣接して、ＴｉＡｌＮ等の遷移金属の窒化物や酸化物等のバリア膜や、記録層材料よりＺｎまたはＣｄの含有量が１０原子％以上多い融点が１０００℃以上の同様な材料の膜、Ｗ８０Ｔｉ２０ などの金属導電膜、あるいはこれらの積層膜を堆積すれば、書換え可能回数が増大する利点が有る。あるいは、カルコゲナイドの相状態を変えるのに必要な熱の拡散を抑制する目的で、例えば、ＩＴＯ（インジウムとスズの酸化物の混合物）のような熱伝導率の悪い導電膜を間に挟むことも、勿論可能である。
【００５１】
上記実施例によれば、抵抗値が高いので高抵抗のトランジスタなどとも組合すことができ、リセット電流を小さくすることもできる。光透過率が高いので光照射と電圧印加による多層メモリも可能である。プロセス上も、スパッタリングターゲット表面の凹凸を抑制でき、製造歩留まりを向上させられる。記録層下部のプラグにも類似の材料を用いれば書き換え可能回数の向上やリセット電流の低減に効果がある。
【００５２】
＜実施例２＞
本実施例では、メモリ素子のアドレス指定を電気的だけでなく、光も利用して行う。素子は基板の面に垂直方向に４層積層して面積あたりの素子数を多くした。この場合、ＺｎやＣｄの２族元素を含む記録層は光学的バンドギャップが広く、有利である。例えばＺｎ２５Ｇｅ２５Ｔｅ５０記録層を用いた。
【００５３】
図１２に示したように、波長６６０ｎｍの半導体レーザー９１の光９３を、ＭＥＭＳ技術の一つである、シリコン単結晶から形成した１６μｍ角の５００個×５００個の反射鏡アレー９７にガイドミラーによって導く。反射鏡アレーの個々のミラーは、面内で２０個×２０個で４層になったメモリー素子群を担当し、１軸のまわりに±１５度回転できる。各ミラーにはメモリー素子群側に円筒レンズが形成されていて、幅０．５μｍ，長さ１６μｍの細長い光スポットを形成する。ミラーの角度変化によって図の上下方向の当該ミラーが担当する３２行の素子群のうちの１行に光が当たるようにする。各素子は部分拡大図のように４層になっており、各層はカルコゲナイド記録層をＩＴＯ透明電極で挟んだ構造で、層間には厚さ５０ｎｍのＳｉＯ２断熱層を形成した。各層の素子の片側の透明電極は、１個のミラーにつき１６本の上下方向に長い短冊形に分割されており、図の左右方向のアドレス指定は電極の選択により行う。垂直方向の層選択は、透明電極対を選んで電圧印加することによって行う。このようにすることによって４層にしてもデバイス構造は簡単になり、低価格化できる。それにより、ミラーアレーとメモリーアレーの位置合わせを精度良くおこなえるようにすれば、メモリーアレーを装置から取り外して交換することもメリットが有る。各ミラーは、その下部のトランジスタアレーにより、静電力または電磁力により駆動される。
【００５４】
レーザー光照射によりメモリー素子内にフォトキャリアが発生し、それが電界で加速されてキャリア増倍が起こり、光と電圧の両方が与えられた素子だけで記録や抵抗値による読み出しが行える。読み出しは記録の約１／５の光強度で行った。
【００５５】
本実施例の場合、各層のメモリ素子の光透過率は３０％以上であることは必須であって、実際には５０％以上に設計した。
【００５６】
本実施例の場合も好ましい記録層組成の範囲は実施例１と同様であった。本実施例の場合は記録層の透過率が高いことが重要であり、Ｚｎ５０Ｔｅ５０の組成がその点では望ましいが、実施例１で述べたプロセスや相変化上の条件があり、好ましい組成範囲、より好ましい組成範囲は実施例１と同様である。
【００５７】
レーザー光源に、例えばアレーレーザーを用いた場合、複数のミラーに同時にレーザー光を送ってデータ転送速度を４倍近く高速化することができる。
【００５８】
反射鏡アレーは、大容量が要求される用途では１５００×１５００程度まで数を増すことができる。
【００５９】
上記実施例により、簡単な装置構成で大きな記憶容量を得ることができる。
【非特許文献１】ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｄｅｖｉｃｅｓ ｍｅｅｔｉｎｇ， ＴＥＣＨＮＩＣＡＬ ＤＩＧＥＳＴ， ｐｐ．８０３−８０６， ２００１
【００６０】
【発明の効果】
本発明によれば、相変化材料を利用したメモリにおいて、高い耐熱性が得られる。本願の材料を用いたメモリ素子は高温動作可能であるので、自動車車載用など、周囲温度が上昇しやすい用途に十分使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による記憶情報に応じ抵抗が変化する１個の記憶素子と１個の選択トランジスタで構成されるメモリセルを用いたメモリアレイの構成例を示す図。
【図２】記憶情報に応じ抵抗が変化する１個の記憶素子と１個の選択トランジスタで構成されるメモリセルを用いたメモリアレイ構成の従来例を示す図。
【図３】記憶素子の相変化に必要なパルス幅と温度との関係を示す図。
【図４】記憶素子の電流−電圧特性を示す図。
【図５】本発明のメモリアレイの読み出し動作タイミングを示す図。
【図６】本発明のメモリアレイの書き込み動作タイミングを示す図。
【図７】本発明のメモリアレイのレイアウトを示す図。
【図８】図７のレイアウト図中に示したメモリアレイの構造を模式的に示す断面図。
【図９】本発明のメモリアレイの別なレイアウトを示す図。
【図１０】図９のレイアウト図中に示したＡ−Ａ’線に沿った部分の構造を示す断面図。
【図１１】図９のレイアウト図中に示したＢ−Ｂ’線に沿った部分の構造を示す断面図。
【図１２】ミラーアレーと組み合わせて用いる多層メモリー素子アレーの構造を示す図。
【図１３】Ｇｅ２５Ｔｅ７５にＺｎを添加した時の固相部分の融点の変化を示す図。
【図１４】Ｇｅ２５Ｔｅ７５にＺｎを添加した時の記憶素子の動作上限温度の変化を示す図。
【符号の説明】
ＲＭ…記憶素子、
ＱＭ…選択トランジスタ、
ＭＣｐｒ（ｐ＝０、１、…、ｎ、ｒ＝０、１、…、ｍ）…メモリセル、
ＱＡｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）， ＱＢｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）， ＱＣｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）， ＱＤｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）…ＮＭＯＳトランジスタ、
ＤＬｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）…データ線、
ＳＬｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）…ソース線、
ＹＳｒ（ｒ＝０、１、…、ｍ）…カラム選択線、
ＷＬｐ（ｐ＝０、１、…、ｎ）…ワード線、Ｉ／Ｏ…共通データ線、
ＰＣ…プリチャージイネーブル信号、
ＲＣ…読み出し回路、ＷＣ…書き込み回路、
ＸＤＥＣ…ロウデコーダ、ＹＤＥＣ…カラムデコーダ、
ＶＤＤ…電源電圧、ＶＳＳ…接地電圧、ＶＤＬ…プリチャージ電圧、ＶＳＬ…ソース電圧、ＶＤＨ…昇圧電位、
ＩＷＣ…書き込み電流、Ｔａ…カルコゲナイド合金の融点、
Ｔｘ…結晶化温度、ｔ１…冷却時間、ｔ２…結晶化に要する時間、
ＦＬ…活性領域パターン、
ＦＭ…第一金属層パターン、ＳＭ…第二金属層パターン、ＴＭ…第三金属層パターン、
ＦＧ…シリコン基板上に形成されたトランジスタの第一ゲート電極パターン、ＳＧ…縦型トランジスタの第一ゲート電極パターン、
ＦＣＴ…第一金属層コンタクトパターン、ＳＣＴ…第二金属層コンタクトパターン、ＴＣＴ…第三金属層コンタクトパターン、
ＷＢＦ…記憶素子の下部電極層、
１００…Ｐ型半導体基板、１０１…素子分離用の絶縁物、１０２…活性領域パターンＦＬにおけるＮ型拡散層領域、１０３…基板上に形成されたトランジスタのゲート酸化膜、１０４…基板上に形成されたトランジスタのゲート電極、１０５…基板上に形成されたトランジスタに絶縁膜で形成されたサイドウォール、
２００…第一金属層、２０１…第二金属層、２０２…第三金属層、２０３…層間絶縁膜、２０４…Ｎ型拡散層領域１０２と第一金属層とを接続するコンタクト、２０５…第一金属層と第二金属層とを接続するコンタクト、２０６…第二金属層と第三金属層とを接続するコンタクト、２０７…第一金属層と基板上に形成されたトランジスタのゲート電極１０４とを接続するコンタクト、２０８…記憶素子ＲＭの下部電極となるタングステン層、
３０１…縦型トランジスタＰＭのソース電極となるＮ型ポリシリコン、３０２…縦型トランジスタＰＭのチャネルとなる不純物が添加されていない真性ポリシリコン、３０３…縦型トランジスタＰＭのドレイン電極となるＮ型ポリシリコン、３０４…記憶素子ＲＭとなるカルコゲナイド材料、３０５…絶縁膜、３０６…下部電極２０８とＮ型拡散層領域１０２とを接続するコンタクト、３０７…縦型トランジスタのゲート電極すなわちワード線ＷＬ、３０８…データ線ＤＬとワード線ＷＬとの間に形成された層間絶縁膜、３０９…側壁酸化膜。

Claims (9)

  1. ＧｅまたはＳｂと、４０原子％以上のＴｅと、２０原子％以上５０原子％以下の２ｂ族、１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族元素から選ばれた少なくとも一元素を含み、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する記録膜と、
    前記記録膜に電圧を印加するための電極とを有するメモリ素子を有することを特徴とする記憶装置。
  2. 前記群より選ばれた元素は、２ｂ族のＺｎまたはＣｄであることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  3. 前記ＧｅまたはＳｂの含有量は、４０原子％以下であることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  4. 前記ＧｅまたはＳｂの含有量は、２５原子％以上３５原子％以下であることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  5. 前記記憶装置は、１４０℃以上の雰囲気で用いられるものであることを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  6. 前記記録膜に隣接して、ＺｎまたはＣｄの含有量が相対的に１０原子％以上多い領域を有することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  7. 前記メモリ素子は記録または再生光を３０％以上透過することを特徴とする請求項１記載の記憶装置。
  8. 複数のメモリセルと
    前記複数のメモリセルを選択する複数のワード線と、
    前記複数のワード線と直交するように配置され、前記複数のメモリセルから信号が読み出される複数のデータ線とを有し、
    前記複数のメモリセルの各々は、ＧｅまたはＳｂと、４０原子％以上のＴｅと、２０原子％以上５０原子％以下の２ｂ族、１ｂ族、３ａから７ａ族，および８族元素から選ばれた少なくとも一元素を含み、結晶相と非晶質相との間で可逆的な相変化を起こすことにより情報を記録する記録膜と、前記記録膜に電圧を印加するための電極とを有することを特徴とする記憶装置。
  9. 前記記録膜と前記電極との間には、絶縁膜が設けられていることを特徴とする請求項８記載の記憶装置。
JP2003081724A 2003-03-25 2003-03-25 記憶装置 Expired - Fee Related JP4254293B2 (ja)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003081724A JP4254293B2 (ja) 2003-03-25 2003-03-25 記憶装置
KR1020040012920A KR101064832B1 (ko) 2003-03-25 2004-02-26 기억 장치
CNB2004100714402A CN100413075C (zh) 2003-03-25 2004-03-03 存储装置
EP04005034A EP1463061B1 (en) 2003-03-25 2004-03-03 Memory device
DE602004028190T DE602004028190D1 (de) 2003-03-25 2004-03-03 Speicheranordnung
US10/790,881 US7335907B2 (en) 2003-03-25 2004-03-03 Memory device
US11/952,540 US20080089154A1 (en) 2003-03-25 2007-12-07 Memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003081724A JP4254293B2 (ja) 2003-03-25 2003-03-25 記憶装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2004289029A true JP2004289029A (ja) 2004-10-14
JP2004289029A5 JP2004289029A5 (ja) 2005-10-20
JP4254293B2 JP4254293B2 (ja) 2009-04-15

Family

ID=32821441

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003081724A Expired - Fee Related JP4254293B2 (ja) 2003-03-25 2003-03-25 記憶装置

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7335907B2 (ja)
EP (1) EP1463061B1 (ja)
JP (1) JP4254293B2 (ja)
KR (1) KR101064832B1 (ja)
CN (1) CN100413075C (ja)
DE (1) DE602004028190D1 (ja)

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117031A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Mitsubishi Materials Corp 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP2006140395A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Renesas Technology Corp 半導体メモリおよびその製造方法
JP2006190380A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Renesas Technology Corp 半導体装置
JP2006344948A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Hynix Semiconductor Inc 相変化記憶素子及びその製造方法
JP2006352082A (ja) * 2005-05-19 2006-12-28 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2007019305A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
JP2007073779A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Elpida Memory Inc 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
JP2007109381A (ja) * 2005-10-15 2007-04-26 Samsung Electronics Co Ltd 相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の読み出し動作の制御方法
JP2007129198A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Elpida Memory Inc 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
WO2007088626A1 (ja) * 2006-02-02 2007-08-09 Renesas Technology Corp. 半導体装置
WO2007141865A1 (ja) * 2006-06-08 2007-12-13 Renesas Technology Corp. 半導体装置及びその製造方法
JPWO2005076355A1 (ja) * 2004-02-06 2008-01-10 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
JP2008091703A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP2008130166A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Elpida Memory Inc メモリ読み出し回路及び方式
JP2008130995A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
WO2008068807A1 (ja) * 2006-11-30 2008-06-12 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
US7391643B2 (en) 2005-02-08 2008-06-24 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory device and writing method thereof
WO2008084545A1 (ja) * 2007-01-11 2008-07-17 Renesas Technology Corp. 半導体装置
JP2008288587A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Korea Electronics Telecommun アンチモン−亜鉛合金を利用した相変化形不揮発性メモリ素子及びその製造方法
WO2008142768A1 (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Renesas Technology Corp. 半導体装置およびその製造方法
JP2009535810A (ja) * 2006-04-27 2009-10-01 スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 低抵抗共通ソースおよび高電流駆動能力を有するメモリセルアレイ
JP2012151169A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置
JP5039035B2 (ja) * 2006-06-23 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP5145217B2 (ja) * 2006-05-31 2013-02-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8513640B2 (en) 2005-11-21 2013-08-20 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7242019B2 (en) * 2002-12-13 2007-07-10 Intel Corporation Shunted phase change memory
KR100979710B1 (ko) * 2003-05-23 2010-09-02 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 제조방법
US7372722B2 (en) * 2003-09-29 2008-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Methods of operating magnetic random access memory devices including heat-generating structures
KR100733147B1 (ko) * 2004-02-25 2007-06-27 삼성전자주식회사 상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법
JP4529493B2 (ja) * 2004-03-12 2010-08-25 株式会社日立製作所 半導体装置
JP4834542B2 (ja) * 2004-04-08 2011-12-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR101029339B1 (ko) 2004-05-14 2011-04-13 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 반도체 기억장치
JP2006031795A (ja) * 2004-07-14 2006-02-02 Renesas Technology Corp 不揮発性半導体記憶装置
US7190048B2 (en) * 2004-07-19 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory device and method of fabrication
US7326950B2 (en) * 2004-07-19 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Memory device with switching glass layer
JP2008515127A (ja) * 2004-09-30 2008-05-08 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ プログラム可能な抵抗を備えるメモリセルを有する集積回路、及び、プログラム可能な抵抗を備えるメモリセルをアドレス指定するための方法
JP4466315B2 (ja) * 2004-10-21 2010-05-26 株式会社日立製作所 相変化メモリ
JP2006127583A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Elpida Memory Inc 不揮発性半導体記憶装置及び相変化メモリ
US7272037B2 (en) * 2004-10-29 2007-09-18 Macronix International Co., Ltd. Method for programming a multilevel phase change memory device
KR100738070B1 (ko) * 2004-11-06 2007-07-12 삼성전자주식회사 한 개의 저항체와 한 개의 트랜지스터를 지닌 비휘발성메모리 소자
EP1677371A1 (en) 2004-12-30 2006-07-05 STMicroelectronics S.r.l. Dual resistance heater for phase change devices and manufacturing method thereof
JP4591821B2 (ja) 2005-02-09 2010-12-01 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
US7317200B2 (en) 2005-02-23 2008-01-08 Micron Technology, Inc. SnSe-based limited reprogrammable cell
US7812404B2 (en) * 2005-05-09 2010-10-12 Sandisk 3D Llc Nonvolatile memory cell comprising a diode and a resistance-switching material
KR100650735B1 (ko) * 2005-05-26 2006-11-27 주식회사 하이닉스반도체 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법
US7579615B2 (en) * 2005-08-09 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Access transistor for memory device
KR100674992B1 (ko) * 2005-09-08 2007-01-29 삼성전자주식회사 구동전압 레벨을 변경할 수 있는 상 변화 메모리 장치
JP4684297B2 (ja) * 2005-10-19 2011-05-18 富士通株式会社 不揮発性半導体記憶装置の書き込み方法
US7463507B2 (en) * 2005-11-09 2008-12-09 Ulrike Gruening-Von Schwerin Memory device with a plurality of memory cells, in particular PCM memory cells, and method for operating such a memory cell device
DE102005063435B4 (de) * 2005-11-09 2015-12-10 Polaris Innovations Ltd. Speicherbauelement mit mehreren Speicherzellen, insbesondere PCM-Speicherzellen, sowie Verfahren zum Betreiben eines derartigen Speicherbauelements
DE102005053496B4 (de) * 2005-11-09 2008-05-08 Qimonda Ag Speicherbauelement mit mehreren resistiv schaltenden Speicherzellen, insbesondere PCM-Speicherzellen
GB2433647B (en) * 2005-12-20 2008-05-28 Univ Southampton Phase change memory materials, devices and methods
US7875871B2 (en) 2006-03-31 2011-01-25 Sandisk 3D Llc Heterojunction device comprising a semiconductor and a resistivity-switching oxide or nitride
JP4191211B2 (ja) * 2006-07-07 2008-12-03 エルピーダメモリ株式会社 不揮発性メモリ及びその制御方法
US7902537B2 (en) 2007-06-29 2011-03-08 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US7824956B2 (en) 2007-06-29 2010-11-02 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively grown reversible resistance-switching element and methods of forming the same
US8233308B2 (en) 2007-06-29 2012-07-31 Sandisk 3D Llc Memory cell that employs a selectively deposited reversible resistance-switching element and methods of forming the same
JP5115090B2 (ja) * 2007-08-10 2013-01-09 富士通セミコンダクター株式会社 半導体メモリ、半導体メモリのテスト方法およびシステム
US8338812B2 (en) 2008-01-16 2012-12-25 Micron Technology, Inc. Vertical spacer electrodes for variable-resistance material memories and vertical spacer variable-resistance material memory cells
US8372483B2 (en) * 2008-06-27 2013-02-12 Asm International N.V. Methods for forming thin films comprising tellurium
US8467236B2 (en) 2008-08-01 2013-06-18 Boise State University Continuously variable resistor
FR2935530B1 (fr) * 2008-08-29 2012-05-04 Commissariat Energie Atomique Dispositif de memorisation de donnees a adressage optique.
ITTO20080647A1 (it) * 2008-08-29 2010-02-28 St Microelectronics Srl Decodificatore di colonna per dispositivi di memoria non volatili, in particolare del tipo a cambiamento di fase
WO2010026664A1 (ja) * 2008-09-08 2010-03-11 株式会社 東芝 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶装置
US7897954B2 (en) 2008-10-10 2011-03-01 Macronix International Co., Ltd. Dielectric-sandwiched pillar memory device
US8031518B2 (en) * 2009-06-08 2011-10-04 Micron Technology, Inc. Methods, structures, and devices for reducing operational energy in phase change memory
US8208290B2 (en) * 2009-08-26 2012-06-26 Qualcomm Incorporated System and method to manufacture magnetic random access memory
US20110304404A1 (en) * 2010-02-19 2011-12-15 University Of Connecticut Signal generators based on solid-liquid phase switching
JP5017480B1 (ja) * 2011-05-02 2012-09-05 株式会社東芝 半導体記憶装置
EP2597647A1 (en) * 2011-11-28 2013-05-29 Imec Selector device for memory applications
US8835898B2 (en) * 2012-04-20 2014-09-16 International Business Machines Corporation Self-aligned process to fabricate a memory cell array with a surrounding-gate access transistor
JP2020155569A (ja) 2019-03-20 2020-09-24 キオクシア株式会社 記憶装置
KR20200141887A (ko) * 2019-06-11 2020-12-21 에스케이하이닉스 주식회사 읽기 동작을 제어하는 제어회로를 포함하는 반도체 메모리 장치
US11271155B2 (en) 2020-03-10 2022-03-08 International Business Machines Corporation Suppressing oxidation of silicon germanium selenium arsenide material
CN112585758B (zh) * 2020-11-17 2023-06-02 长江先进存储产业创新中心有限责任公司 用于3d pcm的改进的选择器热可靠性的新颖间隙填充和单元结构

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3271591A (en) * 1963-09-20 1966-09-06 Energy Conversion Devices Inc Symmetrical current controlling device
JPS438393Y1 (ja) 1965-12-16 1968-04-13
JPS474832U (ja) 1971-02-12 1972-09-13
JP2834131B2 (ja) * 1988-03-28 1998-12-09 株式会社日立製作所 情報記録用薄膜
US5335219A (en) * 1991-01-18 1994-08-02 Ovshinsky Stanford R Homogeneous composition of microcrystalline semiconductor material, semiconductor devices and directly overwritable memory elements fabricated therefrom, and arrays fabricated from the memory elements
US5406509A (en) * 1991-01-18 1995-04-11 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
US5271978A (en) * 1992-01-31 1993-12-21 Eastman Kodak Company Optical recording media
US5883827A (en) * 1996-08-26 1999-03-16 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for reading/writing data in a memory system including programmable resistors
US5825046A (en) * 1996-10-28 1998-10-20 Energy Conversion Devices, Inc. Composite memory material comprising a mixture of phase-change memory material and dielectric material
US6511867B2 (en) * 2001-06-30 2003-01-28 Ovonyx, Inc. Utilizing atomic layer deposition for programmable device
JP3948292B2 (ja) 2002-02-01 2007-07-25 株式会社日立製作所 半導体記憶装置及びその製造方法
EP1343154B1 (en) * 2002-03-05 2006-10-25 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Phase-change recording material used for an information recording medium and an information recording medium employing it
US6795338B2 (en) * 2002-12-13 2004-09-21 Intel Corporation Memory having access devices using phase change material such as chalcogenide
EP1609154B1 (en) * 2003-03-18 2013-12-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Phase change memory device

Cited By (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005117031A (ja) * 2003-09-17 2005-04-28 Mitsubishi Materials Corp 半導体不揮発メモリー用相変化膜およびこの相変化膜を形成するためのスパッタリングターゲット
JP4856953B2 (ja) * 2004-02-06 2012-01-18 ルネサスエレクトロニクス株式会社 記憶装置
JPWO2005076355A1 (ja) * 2004-02-06 2008-01-10 株式会社ルネサステクノロジ 記憶装置
JP2006140395A (ja) * 2004-11-15 2006-06-01 Renesas Technology Corp 半導体メモリおよびその製造方法
JP2006190380A (ja) * 2005-01-05 2006-07-20 Renesas Technology Corp 半導体装置
TWI398867B (zh) * 2005-01-05 2013-06-11 Renesas Electronics Corp Semiconductor device
JP4646634B2 (ja) * 2005-01-05 2011-03-09 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US7391643B2 (en) 2005-02-08 2008-06-24 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory device and writing method thereof
US7800940B2 (en) 2005-02-08 2010-09-21 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory device and writing method thereof
JP2011091433A (ja) * 2005-05-19 2011-05-06 Renesas Electronics Corp 半導体記憶装置
JP2006352082A (ja) * 2005-05-19 2006-12-28 Renesas Technology Corp 半導体記憶装置及びその製造方法
US8450772B2 (en) 2005-06-10 2013-05-28 Hynix Semiconductor Inc. Phase change RAM device and method for manufacturing the same
JP2006344948A (ja) * 2005-06-10 2006-12-21 Hynix Semiconductor Inc 相変化記憶素子及びその製造方法
US7550756B2 (en) 2005-07-08 2009-06-23 Elpida Memory, Inc. Semiconductor memory
JP2007019305A (ja) * 2005-07-08 2007-01-25 Elpida Memory Inc 半導体記憶装置
JP2007073779A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Elpida Memory Inc 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
JP2007109381A (ja) * 2005-10-15 2007-04-26 Samsung Electronics Co Ltd 相変化メモリ装置及び相変化メモリ装置の読み出し動作の制御方法
JP2007129198A (ja) * 2005-11-02 2007-05-24 Elpida Memory Inc 不揮発性メモリ素子及びその製造方法
US8513640B2 (en) 2005-11-21 2013-08-20 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
WO2007088626A1 (ja) * 2006-02-02 2007-08-09 Renesas Technology Corp. 半導体装置
US7859896B2 (en) 2006-02-02 2010-12-28 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
JP2009535810A (ja) * 2006-04-27 2009-10-01 スパンジョン・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 低抵抗共通ソースおよび高電流駆動能力を有するメモリセルアレイ
JP5145217B2 (ja) * 2006-05-31 2013-02-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
US8618523B2 (en) 2006-05-31 2013-12-31 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device
WO2007141865A1 (ja) * 2006-06-08 2007-12-13 Renesas Technology Corp. 半導体装置及びその製造方法
JPWO2007141865A1 (ja) * 2006-06-08 2009-10-15 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置及びその製造方法
JP5039035B2 (ja) * 2006-06-23 2012-10-03 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP2008091703A (ja) * 2006-10-03 2008-04-17 Toshiba Corp 半導体記憶装置
US7692979B2 (en) 2006-11-21 2010-04-06 Elpida Memory, Inc. Memory readout circuit and phase-change memory device
JP2008130166A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Elpida Memory Inc メモリ読み出し回路及び方式
JP4524684B2 (ja) * 2006-11-21 2010-08-18 エルピーダメモリ株式会社 メモリ読み出し回路及び方式
JP2008130995A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Toshiba Corp 半導体記憶装置
WO2008068807A1 (ja) * 2006-11-30 2008-06-12 Renesas Technology Corp. 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5023072B2 (ja) * 2006-11-30 2012-09-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP5073680B2 (ja) * 2007-01-11 2012-11-14 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
WO2008084545A1 (ja) * 2007-01-11 2008-07-17 Renesas Technology Corp. 半導体装置
US8000126B2 (en) 2007-01-11 2011-08-16 Renesas Electronics Corporation Semiconductor device with recording layer containing indium, germanium, antimony and tellurium
JP2008288587A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Korea Electronics Telecommun アンチモン−亜鉛合金を利用した相変化形不揮発性メモリ素子及びその製造方法
WO2008142768A1 (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Renesas Technology Corp. 半導体装置およびその製造方法
JPWO2008142768A1 (ja) * 2007-05-21 2010-08-05 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
JP2012151169A (ja) * 2011-01-17 2012-08-09 Toshiba Corp 半導体記憶装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040086536A (ko) 2004-10-11
CN1571160A (zh) 2005-01-26
US20040233748A1 (en) 2004-11-25
JP4254293B2 (ja) 2009-04-15
EP1463061B1 (en) 2010-07-21
US7335907B2 (en) 2008-02-26
EP1463061A2 (en) 2004-09-29
EP1463061A3 (en) 2006-02-22
US20080089154A1 (en) 2008-04-17
DE602004028190D1 (de) 2010-09-02
KR101064832B1 (ko) 2011-09-14
CN100413075C (zh) 2008-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4254293B2 (ja) 記憶装置
JP4856953B2 (ja) 記憶装置
JP4666008B2 (ja) 記憶装置
JP5145217B2 (ja) 半導体装置
US7864568B2 (en) Semiconductor storage device
US7254059B2 (en) Multilevel phase-change memory element and operating method
JP5073680B2 (ja) 半導体装置
US20070029676A1 (en) Semiconductor device and method for manufacturing the same
JPWO2008142768A1 (ja) 半導体装置およびその製造方法
WO2007046130A1 (ja) 半導体装置
CN100595930C (zh) 电可重写非易失存储元件
JP5103470B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2006351992A (ja) 半導体記憶装置及びその製造方法
JP2009076596A (ja) 半導体装置およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050610

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050610

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20060420

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20071018

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20071023

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071225

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20090106

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20090119

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 4254293

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees