JP2006344948A - 相変化記憶素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】セル大きさの増大を防止できる相変化記憶素子及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】相変化記憶素子は、相変化セル領域25及び電圧印加領域24を有する半導体基板21と、半導体基板21上に形成された第1酸化膜26、窒化膜27及び第2酸化膜28と、第1酸化膜26、窒化膜27及び第2酸化膜28に隣接して相変化セル領域に形成された第1プラグ32と、第1酸化膜26及び窒化膜27に隣接して電圧印加領域に形成された第2プラグ33と、第2プラグ33上に形成された導電ライン34と、第1プラグ32、導電ライン34及び第2酸化膜28上に形成された第3酸化膜35と、第3酸化膜35に隣接し、第1プラグ32と直接コンタクトするように第1プラグ32の上に形成されたプラグ形状の下部電極37と、下部電極37上にパターン形状で形成された相変化膜38及び上部電極39とを備える。
【選択図】 図2G
【解決手段】相変化記憶素子は、相変化セル領域25及び電圧印加領域24を有する半導体基板21と、半導体基板21上に形成された第1酸化膜26、窒化膜27及び第2酸化膜28と、第1酸化膜26、窒化膜27及び第2酸化膜28に隣接して相変化セル領域に形成された第1プラグ32と、第1酸化膜26及び窒化膜27に隣接して電圧印加領域に形成された第2プラグ33と、第2プラグ33上に形成された導電ライン34と、第1プラグ32、導電ライン34及び第2酸化膜28上に形成された第3酸化膜35と、第3酸化膜35に隣接し、第1プラグ32と直接コンタクトするように第1プラグ32の上に形成されたプラグ形状の下部電極37と、下部電極37上にパターン形状で形成された相変化膜38及び上部電極39とを備える。
【選択図】 図2G
Description
本発明は、相変化記憶素子及びその製造方法に関し、より詳しくは、セルの大きさの増大を防止することができる相変化記憶素子及びその製造方法に関する。
一般に、記憶素子は、電源が遮断されると記録された情報を失う揮発性のRAM(Random Access Memory)と、電源が遮断されても記録された情報の格納状態を引続き維持する不揮発性のROM(Read Only Memory)とに大別される。揮発性のRAMとしては、DRAM及びSRAMが挙げられ、不揮発性のROMとしては、EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM)などのフラッシュメモリ(Flash Memory)が挙げられる。
ところが、DRAMはよく知られているように、非常に優れた記憶素子であるにも拘わらず、高い電荷格納能力が要求され、このために、電極表面積を増大させなければならないので高集積化が困難である。
また、フラッシュメモリは2つのゲートが積層された構造を有することと関連して電源電圧に比べて高い動作電圧が要求され、これによって、書込及び消去動作に必要な電圧を生成するための昇圧回路を必要とするので高集積化が困難である。
近年、不揮発性記憶素子の特性を有したまま高集積化を実現することができ、且つ、構造が単純な新たな記憶素子を開発するために多くの研究が進行しており、その一例として、相変化記憶素子(Phase Change memory device)が提案された。
相変化記憶素子は、下部電極と上部電極との間の電流によって、これらの電極間に介装された相変化膜が結晶状態から非晶質状態に相変化することによる結晶質と非晶質との電気抵抗値の差を用いてセルに格納された情報を判別する。
相変化記憶素子では相変化膜としてカルコゲナイド(Chalcogenide)膜を用いるが、このカルコゲナイド膜は、ゲルマニウム(Ge)、アンチモン(Sb)及びテルル(Te)からなる化合物の膜であって、印加された電流による発熱、即ちジュール熱(Joule Heat)により相変化、即ち非晶質(Amorphous)状態と結晶質(Crystalline)状態との間の変化が起こる。この際、非晶質状態にある相変化膜の比抵抗が結晶質状態にある相変化膜の比抵抗よりも高いことから、相変化記憶素子では、書込及び読取モードで相変化膜を流れる電流を感知して、相変化記憶素子のセル(以下、相変化セルとも記す)に格納された情報が論理“1”であるか、または、論理“0”であるかを判別する。
図1は、従来の相変化記憶素子を示す断面図であって、これについて説明すれば次の通りである。
図示されたように、素子分離膜2により画定された半導体基板1のアクティブ領域上にゲート3が形成されており、ゲート3の両側の基板表面下にはソース領域4及びドレイン領域5が形成されている。
ゲート3を覆うように基板1の全面に層間絶縁膜である第1酸化膜6が形成されており、第1酸化膜6の、相変化セルが接続されるドレイン領域5と電圧が印加されるソース領域4との上の部分に各々第1タングステンプラグ7と第2タングステンプラグ8とが形成されている。
第1及び第2タングステンプラグ7、8並びに第1酸化膜6上に第2酸化膜9が形成されており、詳細に図示してはいないが、ダマシン(damascene)法により相変化セルが形成される領域には第1タングステンプラグ7とコンタクトするようにドット(dot)型の金属パッド10が形成されており、併せて、電圧が印加される領域には第2タングステンプラグ8とコンタクトするようにバー(bar)形状の導電ライン11が形成されている。
金属パッド10、導電ライン11及び第2酸化膜9上には第3酸化膜12が形成されており、第3酸化膜の、相変化セルが形成される領域部分には金属パッド10とコンタクトするようにプラグ形状の下部電極13が形成されている。
下部電極13とコンタクトするように第3酸化膜12上にパターン化された相変化膜14と上部電極15とが積層されており、これらによって、即ち、プラグ形状の下部電極13とその上に積層された相変化膜14及び上部電極15とによって相変化セルが構成されている。
そして、相変化セルを覆うように第3酸化膜12上に第4酸化膜16が形成されており、さらに、第4酸化膜16上には上部電極15とコンタクトする金属配線17が形成されている。
前述のように、従来の相変化記憶素子では、相変化セルが形成されるドレイン領域5の上と電圧が印加されるソース領域8の上との各々の第2酸化膜部分に金属パッド及び導電ラインを同時に形成しなければならないが、このように同一層に金属パッドと導電ラインとを同時に形成する場合、それらの間に間隔を確保しなければならないので、必然的にセルの大きさが大きくなるという問題がある。
本発明は、このような従来技術の問題を解決するために案出されたものであって、その目的は、セルの大きさの増大を防止することができる相変化記憶素子及びその製造方法を提供することにある。
上記した目的を達成するために、本発明は、相変化セル領域及び電圧印加領域を有する半導体基板と、前記半導体基板上に順に形成された第1酸化膜、窒化膜及び第2酸化膜と、前記第1酸化膜、前記窒化膜及び前記第2酸化膜に隣接し、前記第1酸化膜、前記窒化膜及び前記第2酸化膜の合計の厚さに相当する高さで前記相変化セル領域の上に形成された第1プラグと、前記第1酸化膜及び前記窒化膜に隣接し、前記第1酸化膜及び前記窒化膜の合計の厚さに相当する高さで前記電圧印加領域の上に形成された第2プラグと、前記第2酸化膜に隣接し、前記第2酸化膜の厚さに相当する高さで前記第2プラグ上に形成された導電ラインと、前記第1プラグ、導電ライン及び前記第2酸化膜の上に形成された第3酸化膜と、前記第3酸化膜に隣接し、前記第1プラグと直接コンタクトするように前記第1プラグの上に、前記第3酸化膜の厚さに相当する高さで形成されたプラグ形状の下部電極と、前記下部電極上にパターン形状で順に形成された相変化膜及び上部電極と、を備える相変化記憶素子を提供する。
ここで、前記相変化セル領域はトランジスタのドレイン領域であり、前記電圧印加領域はトランジスタのソース領域であることができる。
前記第1及び第2プラグと導電ラインとはタングステンから形成され得る。
前記下部電極は、TiN、TiW、Al、Cu及びWSiからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質から形成され得る。
前記相変化膜は、Ge−Sb−Teと、Ge−Bi−Teと、Ag、In及びBiのうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたSb−Teと、Ag、In及びSnのうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたBi−Teとからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質から形成され得る。
前記上部電極は、Al、Ti、Ta、TaSiN、TaN、Ru、TiN、TiW及びTiAlNからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質から形成され得る。
また、本発明は、アクティブ領域を画定する素子分離膜が形成され、前記アクティブ領域上にゲートが形成され、前記ゲートの両側の表面内にソース領域及びドレイン領域が形成された半導体基板を提供するステップと、前記半導体基板の全面に第1酸化膜、窒化膜及び第2酸化膜を順に形成するステップと、前記窒化膜をエッチング停止膜に利用して前記第2酸化膜をエッチングし、前記ソース領域の上の第2酸化膜の部分にバー形状のトレンチを形成するステップと、前記第1酸化膜、前記窒化膜及び前記第2酸化膜をエッチングし、ドレイン領域を露出させる第1コンタクトホールを形成すると共に、前記トレンチの底面で前記ソース領域を露出させる第2コンタクトホールを形成するステップと、前記第1及び第2コンタクトホール、並びにトレンチ内に導電材料を埋め込み、前記第1コンタクトホール内に前記ドレイン領域とコンタクトする第1プラグを形成し、前記第2コンタクトホール内に前記ソース領域とコンタクトする第2プラグを形成し、且つ前記トレンチ内に導電ラインを形成するステップと、前記第1プラグ、前記導電ライン及び前記第2酸化膜上に第3酸化膜を形成するステップと、前記ドレイン領域の上の第3酸化膜の部分に、前記第1プラグと直接コンタクトするプラグ形状の下部電極を形成するステップと、前記下部電極及びこれに隣接した前記第3酸化膜の上にパターン形状で相変化膜及び上部電極を順に形成するステップと、を含む相変化記憶素子の製造方法を提供する。
本発明によれば、プラグ形状の下部電極を、ドレイン領域とコンタクトしたタングステンプラグと直接コンタクトさせることによって金属パッドを形成する工程を省略し、このことによって、金属パッドと電圧が印加されるソース領域上の導電ラインとの間の間隔を確保する必要がなく、従って、金属パッドと導電ラインとの間の間隔を確保するためのセル大きさの増大を効果的に防止することができる。
また、本発明によれば、プラグ形状の下部電極が形成される第3酸化膜の厚さを均一に形成することができるので、下部電極用コンタクトホール形成時のE−ビーム工程が容易になる。特に、工程の安定化によって、プラグ形状の下部電極を半導体基板の全領域に亘って均一な大きさにすることができるので、下部電極と相変化膜との間の接触面積の大きさを半導体基板の全領域に亘って均一にすることができ、従って、相変化膜の相変化に必要な書込電流値を低くすることができる。
以下、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態を詳細に説明する。
図2A〜図2Gは、本発明に係る相変化記憶素子の製造方法を説明するための各工程の断面図であり、工程が進行する順に示されている。
図2Aを参照すれば、STI(Shallow Trench Isolation)工程によって半導体基板21内に素子分離膜22を形成してアクティブ領域を画定する。次に、素子分離膜22により画定された半導体基板21のアクティブ領域上に公知の工程によってゲート23を形成した後、不純物の高濃度イオン注入によってゲート23の両側の基板表面下にソース領域24及びドレイン領域25を形成し、トランジスタを形成する。
次に、形成されたトランジスタを覆うように基板の全面に層間絶縁膜として第1酸化膜26を形成した後、エッチバックまたはCMP(Chemical Mechanical Polishing)によりその表面を平坦化する。次に、表面が平坦化された第1酸化膜26上にエッチング停止膜として窒化膜27を蒸着した後、窒化膜27の上に第2酸化膜28を形成する。
図2Bを参照すれば、窒化膜27をエッチング停止膜に利用して第2酸化膜28の一部分を選択的にエッチングし、これによって、電圧が印加されるソース領域24の上に導電ラインが形成される領域としてバー(Bar)形状のトレンチ29を形成する。
ここで、本発明では、従来技術と異なり、導電ラインが形成されるバー形状のトレンチ29を形成するだけであり、相変化セルとコンタクトするドレイン領域25の上に金属パッドを形成するためのドット形状のホールを形成しないので、金属パッドと導電ラインとの間の間隔を確保する必要がない。したがって、後述するように、本発明は、金属パッドと導電ラインとの間の間隔を確保するためのセルの大きさの増大を防止することができる。
図2Cを参照すれば、第2酸化膜28上にソース領域24及びドレイン領域25を露出させるためのマスクパターン(図示せず)を形成した状態で、このマスクパターンを利用して、まず窒化膜をエッチングした後、引き続き、第2酸化膜28と第1酸化膜26とをエッチングして、相変化セル領域であるドレイン領域25を露出させる第1コンタクトホール30と電圧印加領域あるソース領域24を露出させる第2コンタクトホール31とを各々形成する。
図2Dを参照すれば、第1コンタクトホール30及び第2コンタクトホール31を含めてトレンチ29を完全に埋め込むように第2酸化膜28上にプラグ用導電材料の膜、例えば、タングステン膜を蒸着した後、これをエッチバックまたはCMPして第1コンタクトホール30内にドレイン領域25とコンタクトする第1タングステンプラグ32を形成すると共に、第2コンタクトホール31内に第2タングステンプラグ33を形成し、さらにこれと同時にトレンチ29内に導電ライン34を形成する。
ここで、本発明は、ドレイン領域24の上への金属パッドの形成を省略することによって、金属パッドと導電ラインと間の間隔を確保するためにセルの大きさの増大を防止できることは勿論、導電ライン34とタングステンプラグ32、33とを同時に形成するので、タングステンプラグと導電ラインとを各々形成する従来技術と比較して製造工程を単純化することができる。
図2Eを参照すれば、第1タングステンプラグ32、導電ライン34及び第2酸化膜28上に第3酸化膜35を形成する。次に、第3酸化膜35をエッチングして相変化セルが形成される領域の第1タングステンプラグ32を露出する微細な大きさの下部電極用第3コンタクトホール36を形成する。
ここで、第3酸化膜35は、概して平坦な下地層、即ち、第1タングステンプラグ32、導電ライン34及び第2酸化膜28上に形成されているので、形成された厚さが比較的均一であり、したがって、下部電極用の第3コンタクトホール36形成時のE−ビーム工程を安定的に遂行することができる。
図2Fを参照すれば、第3コンタクトホール36を埋め込むように第3酸化膜35上に下部電極物質膜、例えば、TiN、TiW、Al、Cu及びWSiからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質を蒸着した後、これをエッチバックし、第3コンタクトホール36内に金属パッドを介在させずに第1タングステンプラグ32と直接コンタクトするプラグ形状の下部電極37を形成する。
図2Gを参照すれば、下部電極37を含めて第3酸化膜35上にCVD(Chemical Vapor Deposition)またはALD(Atomic Layer Deposition)によって相変化物質膜を蒸着する。相変化物質膜としては、例えば、Ge−Sb−TeまたはGe−Bi−Teを使用する。また、相変化物質膜として、Ag、In及びBiからなる群の中から選択される物質のうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたSb−Te、あるいは、Ag、In及びSnからなる群の中から選択される物質のうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたBi−Teを使用してもよい。次に、相変化物質膜上に、Al、Ti、Ta、TaSiN、TaN、Ru、TiW、TiN及びTiAlNからなる群の中から選択される物資からなる上部電極物質膜を蒸着する。
次に、上部電極物質膜及びその下の相変化物質膜をエッチングして上部電極39及び相変化膜38を形成し、これによって、プラグ形状の下部電極37とその上に順に積層されたパターン形状の相変化膜38及び上部電極39とからなる相変化セルを形成する。
以後、図示してはいないが、金属配線工程を含めた公知の一連の後続工程を順に遂行して本発明に係る相変化記憶素子の製造を完了する。
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記した実施の形態に限定されず、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想から逸脱しない範囲で種々の修正、変形を加えて実施することができることを理解できるはずである。
21 半導体基板
22 素子分離膜
23 ゲート
24 ソース領域
25 ドレイン領域
26 第1酸化膜
27 窒化膜
28 第2酸化膜
29 トレンチ
30 第1コンタクトホール
31 第2コンタクトホール
32 第1タングステンプラグ
33 第2タングステンプラグ
34 導電ライン
35 第3酸化膜
36 第3コンタクトホール
37 下部電極
38 相変化膜
39 上部電極
22 素子分離膜
23 ゲート
24 ソース領域
25 ドレイン領域
26 第1酸化膜
27 窒化膜
28 第2酸化膜
29 トレンチ
30 第1コンタクトホール
31 第2コンタクトホール
32 第1タングステンプラグ
33 第2タングステンプラグ
34 導電ライン
35 第3酸化膜
36 第3コンタクトホール
37 下部電極
38 相変化膜
39 上部電極
Claims (11)
- 相変化セル領域及び電圧印加領域を有する半導体基板と、
前記半導体基板上に順に形成された第1酸化膜、窒化膜及び第2酸化膜と、
前記第1酸化膜、前記窒化膜及び前記第2酸化膜に隣接し、前記第1酸化膜、前記窒化膜及び前記第2酸化膜の合計の厚さに相当する高さで前記相変化セル領域の上に形成された第1プラグと、
前記第1酸化膜及び前記窒化膜に隣接し、前記第1酸化膜及び前記窒化膜の合計の厚さに相当する高さで前記電圧印加領域の上に形成された第2プラグと、
前記第2酸化膜に隣接し、前記第2酸化膜の厚さに相当する高さで前記第2プラグ上に形成された導電ラインと、
前記第1プラグ、前記導電ライン及び前記第2酸化膜の上に形成された第3酸化膜と、
前記第3酸化膜に隣接し、前記第1プラグと直接コンタクトするように前記第1プラグの上に、前記第3酸化膜の厚さに相当する高さで形成されたプラグ形状の下部電極と、
前記下部電極上にパターン形状で順に形成された相変化膜及び上部電極と、
を備えることを特徴とする相変化記憶素子。 - 前記相変化セル領域がトランジスタのドレイン領域であり、
前記電圧印加領域がトランジスタのソース領域であることを特徴とする請求項1に記載の相変化記憶素子。 - 前記第1及び第2プラグと導電ラインとがタングステンからなることを特徴とする請求項1に記載の相変化記憶素子。
- 前記下部電極が、TiN、TiW、Al、Cu及びWSiからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の相変化記憶素子。
- 前記相変化膜が、Ge−Sb−Teと、Ge−Bi−Teと、Ag、In及びBiのうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたSb−Teと、Ag、In及びSnのうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたBi−Teとからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の相変化記憶素子。
- 前記上部電極が、Al、Ti、Ta、TaSiN、TaN、Ru、TiN、TiW及びTiAlNからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質からなることを特徴とする請求項1に記載の相変化記憶素子。
- アクティブ領域を画定する素子分離膜が形成され、前記アクティブ領域上にゲートが形成され、前記ゲートの両側の表面下にソース領域及びドレイン領域が形成された半導体基板を提供するステップと、
前記半導体基板の全面に第1酸化膜、窒化膜及び第2酸化膜を順に形成するステップと、
前記窒化膜をエッチング停止膜に利用して前記第2酸化膜をエッチングし、前記ソース領域の上の第2酸化膜の部分にバー形状のトレンチを形成するステップと、
前記第1酸化膜、前記窒化膜及び前記第2酸化膜をエッチングし、前記ドレイン領域を露出させる第1コンタクトホールを形成すると共に、前記トレンチの底面で前記ソース領域を露出させる第2コンタクトホールを形成するステップと、
前記第1及び第2コンタクトホール、並びにトレンチ内に導電材料を埋め込み、前記第1コンタクトホール内に前記ドレイン領域とコンタクトする第1プラグを形成し、前記第2コンタクトホール内に前記ソース領域とコンタクトする第2プラグを形成し、且つ前記トレンチ内に導電ラインを形成するステップと、
前記第1プラグ、前記導電ライン及び前記第2酸化膜上に第3酸化膜を形成するステップと、
前記ドレイン領域の上の第3酸化膜の部分に、前記第1プラグと直接コンタクトするプラグ形状の下部電極を形成するステップと、
前記下部電極及びこれに隣接した前記第3酸化膜の上にパターン形状で相変化膜及び上部電極を順に形成するステップと、
を含むことを特徴とする相変化記憶素子の製造方法。 - 前記第1及び第2プラグ及び導電ラインをタングステンで形成することを特徴とする請求項7に記載の相変化記憶素子の製造方法。
- 前記下部電極を、TiN、TiW、Al、Cu及びWSiからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質で形成することを特徴とする請求項7に記載の相変化記憶素子の製造方法。
- 前記相変化膜を、Ge−Sb−Teと、Ge−Bi−Teと、Ag、In及びBiのうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたSb−Teと、Ag、In及びSnのうちの少なくとも一つの物質がドーピングされたBi−Teとからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質で形成することを特徴とする請求項7に記載の相変化記憶素子の製造方法。
- 前記上部電極を、Al、Ti、Ta、TaSiN、TaN、Ru、TiN、TiW及びTiAlNからなる群の中から選択されるいずれか一つの物質で形成することを特徴とする請求項7に記載の相変化記憶素子の製造方法。
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