KR100668824B1 - 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
상변환 기억 소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100668824B1 KR100668824B1 KR1020040050118A KR20040050118A KR100668824B1 KR 100668824 B1 KR100668824 B1 KR 100668824B1 KR 1020040050118 A KR1020040050118 A KR 1020040050118A KR 20040050118 A KR20040050118 A KR 20040050118A KR 100668824 B1 KR100668824 B1 KR 100668824B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- film
- lower electrode
- forming
- interlayer insulating
- contact hole
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 8
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 43
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 37
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 19
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/066—Shaping switching materials by filling of openings, e.g. damascene method
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/828—Current flow limiting means within the switching material region, e.g. constrictions
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
Claims (9)
- 하부패턴이 구비된 반도체 기판;상기 하부패턴을 덮도록 반도체 기판 상에 형성된 층간절연막;상기 층간절연막 내에 형성된 콘택플러그;상기 콘택플러그 및 이에 인접한 층간절연막 상에 형성된 하부전극;상기 하부전극을 포함한 층간절연막 상에 형성되며 하부전극을 노출시키는 콘택홀을 구비한 제1산화막;상기 콘택홀 내의 하부전극 상에 형성되며 상기 하부전극을 부분 노출시키도록 형성된 제2산화막;상기 콘택홀 표면과 제2산화막 사이 및 상기 제2산화막 상에 형성된 상변환막; 및상기 상변환막 상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 상변환 기억 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 폴리실리콘막 또는 금속막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 상변환막은 상기 콘택홀 표면과 제2산화막 사이 및 상기 제2산화막 상에 형성됨과 아울러 상기 콘택홀에 인접한 제1산화막 상에 형성 된 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자.
- 콘택플러그 상에 형성된 하부전극;상기 하부전극 상에 π형상으로 형성된 상변환막; 및상기 상변환막 상에 형성된 상부전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자.
- 하부패턴을 구비한 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 하부패턴을 덮도록 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막 내에 콘택플러그를 형성하는 단계;상기 콘택플러그 및 이에 인접한 층간절연막 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극을 포함한 층간절연막 상에 제1산화막을 형성하는 단계;상기 제1산화막을 식각하여 하부전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀 측벽에 스페이서를 형성하는 단계;상기 스페이서를 포함한 콘택홀 내에 제2산화막을 형성하는 단계;상기 스페이서를 제거하는 단계;상기 스페이서가 제거된 콘택홀 측벽과 제2산화막 사이 및 상기 제2산화막 상에 상변환막을 형성하는 단계; 및상기 상변환막 상에 상부전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하 는 상변환 기억 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 제1산화막은 그 형성 후에 CMP 공정을 이용해서 표면 평탄화를 수행하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 하부전극 및 상부전극은 폴리실리콘막 또는 금속막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서, 상기 스페이서는 질화막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자의 제조방법.
- 하부패턴을 구비한 반도체 기판을 제공하는 단계;상기 하부패턴을 덮도록 반도체 기판 상에 층간절연막을 형성하는 단계;상기 층간절연막 내에 콘택플러그를 형성하는 단계;상기 콘택플러그 및 이에 인접한 층간절연막 상에 하부전극을 형성하는 단계;상기 하부전극을 포함한 층간절연막 상에 제1산화막을 형성하는 단계;상기 제1산화막을 식각하여 하부전극을 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계;상기 콘택홀 측벽에 스페이서를 형성하는 단계;상기 스페이서를 포함한 콘택홀 내에 제2산화막을 형성하는 단계;상기 스페이서를 제거하는 단계;상기 스페이서가 제거된 콘택홀 부분과 제2산화막 및 상기 제1산화막 상에 상변환막을 형성하는 단계;상기 상변환막 상에 상부전극용 도전막을 형성하는 단계; 및상기 상부전극용 도전막을 식각하여 상부전극을 형성함과 아울러 상기 상변환막을 식각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 상변환 기억 소자의 제조방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040050118A KR100668824B1 (ko) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
US10/999,519 US7408181B2 (en) | 2004-06-30 | 2004-11-30 | Phase-change memory device and method of manufacturing the same |
JP2004357233A JP4530411B2 (ja) | 2004-06-30 | 2004-12-09 | 相変化記憶素子の製造方法 |
US12/164,262 US7553692B2 (en) | 2004-06-30 | 2008-06-30 | Phase-change memory device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040050118A KR100668824B1 (ko) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060001091A KR20060001091A (ko) | 2006-01-06 |
KR100668824B1 true KR100668824B1 (ko) | 2007-01-16 |
Family
ID=35514365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040050118A KR100668824B1 (ko) | 2004-06-30 | 2004-06-30 | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7408181B2 (ko) |
JP (1) | JP4530411B2 (ko) |
KR (1) | KR100668824B1 (ko) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101006516B1 (ko) * | 2004-06-30 | 2011-01-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 기억 소자 및 그 제조방법 |
KR100842903B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2008-07-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 |
KR100650753B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2006-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 |
US8237140B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-08-07 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned, embedded phase change RAM |
KR100713809B1 (ko) | 2006-02-21 | 2007-05-02 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 형성 방법 |
US7495946B2 (en) * | 2006-03-02 | 2009-02-24 | Infineon Technologies Ag | Phase change memory fabricated using self-aligned processing |
US7884346B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-02-08 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element and manufacturing method thereof |
KR100711517B1 (ko) * | 2006-04-12 | 2007-04-27 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 장치 및 이의 형성 방법 |
US7608848B2 (en) | 2006-05-09 | 2009-10-27 | Macronix International Co., Ltd. | Bridge resistance random access memory device with a singular contact structure |
US7732800B2 (en) | 2006-05-30 | 2010-06-08 | Macronix International Co., Ltd. | Resistor random access memory cell with L-shaped electrode |
US7473921B2 (en) * | 2006-06-07 | 2009-01-06 | International Business Machines Corporation | Nonvolatile memory cell with concentric phase change material formed around a pillar arrangement |
KR100791477B1 (ko) * | 2006-08-08 | 2008-01-03 | 삼성전자주식회사 | 상변화 메모리 유닛, 이의 제조 방법, 이를 포함하는상변화 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR100764343B1 (ko) * | 2006-09-22 | 2007-10-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법 |
US8106376B2 (en) * | 2006-10-24 | 2012-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | Method for manufacturing a resistor random access memory with a self-aligned air gap insulator |
US8067762B2 (en) | 2006-11-16 | 2011-11-29 | Macronix International Co., Ltd. | Resistance random access memory structure for enhanced retention |
US8138028B2 (en) | 2007-02-12 | 2012-03-20 | Macronix International Co., Ltd | Method for manufacturing a phase change memory device with pillar bottom electrode |
TWI337386B (en) * | 2007-02-16 | 2011-02-11 | Chipmos Technologies Inc | Semiconductor device and method for forming packaging conductive structure of the semiconductor device |
WO2008117679A1 (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Nec Corporation | 抵抗変化素子およびその製造方法、並びに電子デバイス |
DE102008032067A1 (de) | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Verfahren zum Bilden von Phasenänderungsspeichern mit unteren Elektroden |
US8178386B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-05-15 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory cell array with self-converged bottom electrode and method for manufacturing |
CN101861649B (zh) * | 2007-11-15 | 2012-10-31 | 松下电器产业株式会社 | 非易失性存储装置及其制造方法 |
KR100985756B1 (ko) | 2007-11-21 | 2010-10-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US8158965B2 (en) * | 2008-02-05 | 2012-04-17 | Macronix International Co., Ltd. | Heating center PCRAM structure and methods for making |
CN101981720B (zh) * | 2008-04-01 | 2013-10-23 | Nxp股份有限公司 | 垂直相变存储单元 |
US8829646B2 (en) * | 2009-04-27 | 2014-09-09 | Macronix International Co., Ltd. | Integrated circuit 3D memory array and manufacturing method |
US8310864B2 (en) | 2010-06-15 | 2012-11-13 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned bit line under word line memory array |
US9082954B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-07-14 | Macronix International Co., Ltd. | PCRAM with current flowing laterally relative to axis defined by electrodes |
CN102487120B (zh) * | 2010-12-03 | 2014-03-12 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 相变存储器的形成方法 |
CN102593350B (zh) * | 2011-01-18 | 2014-07-02 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 相变存储单元及其制作方法 |
US8497182B2 (en) | 2011-04-19 | 2013-07-30 | Macronix International Co., Ltd. | Sidewall thin film electrode with self-aligned top electrode and programmable resistance memory |
KR101812687B1 (ko) * | 2011-06-13 | 2017-12-27 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자의 제조 방법 |
US8987700B2 (en) | 2011-12-02 | 2015-03-24 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally confined electrode for programmable resistance memory |
US8981330B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-03-17 | Macronix International Co., Ltd. | Thermally-confined spacer PCM cells |
US9214351B2 (en) | 2013-03-12 | 2015-12-15 | Macronix International Co., Ltd. | Memory architecture of thin film 3D array |
US8916414B2 (en) | 2013-03-13 | 2014-12-23 | Macronix International Co., Ltd. | Method for making memory cell by melting phase change material in confined space |
TWI549229B (zh) | 2014-01-24 | 2016-09-11 | 旺宏電子股份有限公司 | 應用於系統單晶片之記憶體裝置內的多相變化材料 |
KR102029905B1 (ko) * | 2014-02-28 | 2019-10-08 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자장치 및 그 제조방법 |
US9559113B2 (en) | 2014-05-01 | 2017-01-31 | Macronix International Co., Ltd. | SSL/GSL gate oxide in 3D vertical channel NAND |
US9793323B1 (en) | 2016-07-11 | 2017-10-17 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with high endurance |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5879955A (en) * | 1995-06-07 | 1999-03-09 | Micron Technology, Inc. | Method for fabricating an array of ultra-small pores for chalcogenide memory cells |
US6420725B1 (en) * | 1995-06-07 | 2002-07-16 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for forming an integrated circuit electrode having a reduced contact area |
US6727192B2 (en) * | 2001-03-01 | 2004-04-27 | Micron Technology, Inc. | Methods of metal doping a chalcogenide material |
US6764894B2 (en) * | 2001-08-31 | 2004-07-20 | Ovonyx, Inc. | Elevated pore phase-change memory |
US6580144B2 (en) * | 2001-09-28 | 2003-06-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | One time programmable fuse/anti-fuse combination based memory cell |
KR100481866B1 (ko) * | 2002-11-01 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 상변환 기억소자 및 그 제조방법 |
US7049623B2 (en) * | 2002-12-13 | 2006-05-23 | Ovonyx, Inc. | Vertical elevated pore phase change memory |
KR100560659B1 (ko) * | 2003-03-21 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 상변화 기억 소자 및 그 제조 방법 |
KR100615586B1 (ko) * | 2003-07-23 | 2006-08-25 | 삼성전자주식회사 | 다공성 유전막 내에 국부적인 상전이 영역을 구비하는상전이 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
-
2004
- 2004-06-30 KR KR1020040050118A patent/KR100668824B1/ko active IP Right Grant
- 2004-11-30 US US10/999,519 patent/US7408181B2/en active Active
- 2004-12-09 JP JP2004357233A patent/JP4530411B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-30 US US12/164,262 patent/US7553692B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20080268569A1 (en) | 2008-10-30 |
US7553692B2 (en) | 2009-06-30 |
US20060003263A1 (en) | 2006-01-05 |
JP4530411B2 (ja) | 2010-08-25 |
JP2006019686A (ja) | 2006-01-19 |
KR20060001091A (ko) | 2006-01-06 |
US7408181B2 (en) | 2008-08-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100668824B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR100650761B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
JP2006344948A (ja) | 相変化記憶素子及びその製造方法 | |
KR20080050098A (ko) | 상변환 기억 소자의 제조방법 | |
KR100980295B1 (ko) | 상변환 기억 소자의 제조방법 | |
KR100650719B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR100650735B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR100762894B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR100967676B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR100997785B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR101006515B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR100680976B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR100728984B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20060075423A (ko) | 상변환 기억 소자 | |
KR100728985B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20060122266A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR101006516B1 (ko) | 상변화 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR20060001090A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR101078718B1 (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20080002500A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20070069767A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20060122268A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 | |
KR20060001088A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR20060001101A (ko) | 상변화 기억 소자 및 그 제조방법 | |
KR20060070066A (ko) | 상변환 기억 소자 및 그 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121224 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131223 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141218 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151221 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161125 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171220 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181219 Year of fee payment: 13 |