JP2006019686A - 相変化記憶素子及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 その上面に下部パターンが備えられた半導体基板と、前記下部パターンを覆うように半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜内に形成されたコンタクトプラグと、前記コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に形成された下部電極と、前記下部電極を含んだ層間絶縁膜上に形成され、下部電極を露出させるコンタクトホールを備えた第1酸化膜と、前記コンタクトホール内の下部電極上に、前記下部電極が部分露出するように形成された第2酸化膜と、前記コンタクトホールの内側面と第2酸化膜との間及び前記第2酸化膜上に形成された相変化膜と、前記相変化膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする。
【選択図】図2
Description
図1に示すように、従来の相変化記憶素子は、下部電極3を含む半導体基板1上に層間絶縁膜5を形成する。次に、層間絶縁膜5をエッチングしてソース領域等と電気的に連結されるコンタクトプラグ7を形成した後にコンタクトプラグ7を含んだ基板結果物上に相変化膜9を形成する。続いて、相変化膜9上に上部電極11を形成する。
また、相変化メモリ素子の読み取り(Read)及び書き込み(Write)動作時に前記下部電極と相変化膜との接触面積が大きいので、相変化に必要とする電流量が増加することになり、これによって、相変化記憶素子の速度にも影響を与えることになる。
前記相変化膜は、前記コンタクトホールの内側面と第2酸化膜との間及び前記第2酸化膜上に形成されると共に、上部が前記コンタクトホールに隣接した第1酸化膜上に延長されて形成されることを特徴とする。
前記下部電極及び上部電極は、ポリシリコン膜または金属膜で形成することを特徴とする。
前記スペーサは窒化膜で形成することを特徴とする。
従って、相変化に必要とする電流量を減少させることにより、相変化記憶素子の速度を向上させることができる効果がある。
図2に示すように、本発明の相変化記憶素子は、その上面に下部パターン(図示していない)を含む半導体基板21上に下部パターンを覆うように層間絶縁膜22が形成され、層間絶縁膜22内にコンタクトプラグ23が形成される。コンタクトプラグ23及びこれに隣接した層間絶縁膜22上に下部電極24が形成される。下部電極24を含んだ層間絶縁膜22上に、下部電極24を露出させるコンタクトホール26を備えた第1酸化膜25が形成される。コンタクトホール26内の下部電極24上に形成され、下部電極24面を部分露出させるように第2酸化膜28が形成される。コンタクトホール26の内側面と第2酸化膜28との間及び第2酸化膜28上に相変化膜29が形成され、相変化膜29上に上部電極30が形成される。
また、下部電極24及び上部電極30はポリシリコン膜または金属膜より形成することが好ましい。
まず、図3に示すように、その上面に下部パターン(図示していない)を備えた半導体基板21上に下部パターンを覆うように第1層間絶縁膜22を形成する。次に、第1層間絶縁膜22をエッチングしてコンタクトプラグ23を形成した後にコンタクトプラグ23及びこれに隣接した層間絶縁膜22上に下部電極24を形成する。その際、下部電極24はポリシリコン膜または金属膜で形成する。
次に、図6に示すように、スペーサ27を含んだコンタクトホール26内に第2酸化膜28を形成する。
次に、図8に示すように、スペーサ27が除去されたコンタクトホール26の側壁と第2酸化膜28との間及び第2酸化膜28上に相変化膜29を形成する。次に、相変化膜29上に上部電極30を形成する。ここで、上部電極30はポリシリコン膜または金属膜で形成する。
図9に示すように、その上面に下部パターンを備えた半導体基板21上に下部パターンを覆うように層間絶縁膜22を形成する。続いて、層間絶縁膜22内にコンタクトプラグ23を形成し、コンタクトプラグ23及びこれに隣接した層間絶縁膜22上に下部電極24を形成する。次に、下部電極24を含んだ層間絶縁膜22上に第1酸化膜25を形成した後、第1酸化膜25をエッチングして下部電極24を露出させるコンタクトホール26を形成する。
22 層間絶縁膜
23 コンタクトプラグ
24 下部電極
25 第1酸化膜
26 コンタクトホール
27 スペーサ
28 第2酸化膜
29 相変化膜
30 上部電極
Claims (9)
- その上面に下部パターンが備えられた半導体基板と、
前記下部パターンを覆うように半導体基板上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜内に形成されたコンタクトプラグと、
前記コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に形成された下部電極と、
前記下部電極を含んだ層間絶縁膜上に形成され、下部電極を露出させるコンタクトホールを備えた第1酸化膜と、
前記コンタクトホール内の下部電極上に、前記下部電極が部分露出するように形成された第2酸化膜と、
前記コンタクトホールの内側面と第2酸化膜との間及び前記第2酸化膜上に形成された相変化膜と、
前記相変化膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする相変化記憶素子。 - 前記下部電極及び上部電極は、ポリシリコン膜または金属膜より形成されることを特徴とする請求項1記載の相変化記憶素子。
- 前記相変化膜は、前記コンタクトホールの内側面と第2酸化膜との間及び前記第2酸化膜上に形成されると共に、上部が前記コンタクトホールに隣接した第1酸化膜上に延長されて形成されることを特徴とする請求項1記載の相変化記憶素子。
- コンタクトプラグ上に形成された下部電極と、
前記下部電極上にその断面形状が「π」字型の形状で形成された相変化膜と、
前記相変化膜上に形成された上部電極とを有することを特徴とする相変化記憶素子。 - その上面に下部パターンを備えた半導体基板を提供するステップと、
前記下部パターンを覆うように半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜内にコンタクトプラグを形成するステップと、
前記コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に下部電極を形成するステップと、
前記下部電極を含んだ層間絶縁膜上に第1酸化膜を形成するステップと、
前記第1酸化膜をエッチングして下部電極を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、
前記コンタクトホールの側壁にスペーサを形成するステップと、
前記スペーサを含んだコンタクトホール内に第2酸化膜を形成するステップと、
前記スペーサを除去するステップと、
前記スペーサが除去されたコンタクトホールの側壁と第2酸化膜との間及び前記第2酸化膜上に相変化膜を形成するステップと、
前記相変化膜上に上部電極を形成するステップとを有することを特徴とする相変化記憶素子の製造方法。 - 前記第1酸化膜は、その形成後にCMP工程を用いて表面平坦化を実施することを特徴とする請求項5記載の相変化記憶素子の製造方法。
- 前記下部電極及び上部電極は、ポリシリコン膜または金属膜で形成することを特徴とする請求項5記載の相変化記憶素子の製造方法。
- 前記スペーサは窒化膜で形成することを特徴とする請求項5記載の相変化記憶素子の製造方法。
- その上面に下部パターンを備えた半導体基板を提供するステップと、
前記下部パターンを覆うように半導体基板上に層間絶縁膜を形成するステップと、
前記層間絶縁膜内にコンタクトプラグを形成するステップと、
前記コンタクトプラグ及びこれに隣接した層間絶縁膜上に下部電極を形成するステップと、
前記下部電極を含んだ層間絶縁膜上に第1酸化膜を形成するステップと、
前記第1酸化膜をエッチングして下部電極を露出させるコンタクトホールを形成するステップと、
前記コンタクトホールの側壁にスペーサを形成するステップと、
前記スペーサを含んだコンタクトホール内に第2酸化膜を形成するステップと、
前記スペーサを除去するステップと、
前記スペーサが除去されたコンタクトホール内側面と第2酸化膜との間、前記第2酸化膜上、及びこれに隣接した前記第1酸化膜上に相変化膜を形成するステップと、
前記相変化膜上に上部電極用導電膜を形成するステップと、
前記上部電極用導電膜をエッチングして上部電極を形成すると共に、前記相変化膜をエッチングするステップとを有することを特徴とする相変化記憶素子の製造方法。
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