JP2007501519A - メモリ用相変化アクセス装置 - Google Patents
メモリ用相変化アクセス装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007501519A JP2007501519A JP2006522564A JP2006522564A JP2007501519A JP 2007501519 A JP2007501519 A JP 2007501519A JP 2006522564 A JP2006522564 A JP 2006522564A JP 2006522564 A JP2006522564 A JP 2006522564A JP 2007501519 A JP2007501519 A JP 2007501519A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- memory
- access device
- chalcogenide
- voltage
- memory element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/02—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using elements whose operation depends upon chemical change
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0021—Auxiliary circuits
- G11C13/003—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0004—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising amorphous/crystalline phase transition cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C13/00—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00
- G11C13/0002—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements
- G11C13/0007—Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00, or G11C25/00 using resistive RAM [RRAM] elements comprising metal oxide memory material, e.g. perovskites
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
- H10B63/24—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the Ovonic threshold switching type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
- H10B63/84—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays arranged in a direction perpendicular to the substrate, e.g. 3D cell arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/30—Resistive cell, memory material aspects
- G11C2213/32—Material having simple binary metal oxide structure
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/71—Three dimensional array
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2213/00—Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
- G11C2213/70—Resistive array aspects
- G11C2213/76—Array using an access device for each cell which being not a transistor and not a diode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Patterning of the switching material
- H10N70/063—Patterning of the switching material by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/231—Multistable switching devices, e.g. memristors based on solid-state phase change, e.g. between amorphous and crystalline phases, Ovshinsky effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices without a potential-jump barrier or surface barrier, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/882—Compounds of sulfur, selenium or tellurium, e.g. chalcogenides
- H10N70/8828—Tellurides, e.g. GeSbTe
Abstract
Description
前記アクセス装置は、該アクセス装置によって選択されたメモリ素子の読み出しの際に、メモリ素子に保管されたデータを妨害しないよう十分に小さなスナップバック電圧を有する。
Claims (31)
- カルコゲナイドアクセス装置を形成するステップを有する方法であって、
前記アクセス装置は、該アクセス装置によって選択されたメモリ素子の読み出しの際に、メモリ素子に保管されたデータを妨害しないよう十分に小さなスナップバック電圧を有する、方法。 - メモリ素子の閾値電圧よりも小さなスナップバック電圧を有する、カルコゲナイドアクセス装置を形成するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 相変化材料のメモリ素子を形成するステップを有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 薄膜材料のメモリ装置を形成するステップを有することを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 相互に積層された、少なくとも2つのメモリ素子の配列を形成するステップを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 各々がカルコゲナイドアクセス装置を有する、少なくとも2つのメモリ素子でメモリ配列を形成するステップを有することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 半導体基板上に前記カルコゲナイドアクセス装置を形成するステップを有することを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記半導体基板上に前記メモリ素子を形成するステップを有することを特徴とする請求項7に記載の方法。
- メモリ素子の上部にアクセス装置を形成するステップを有することを特徴とする請求項8に記載の方法。
- メモリ素子上に中間バリア層を介さず、直接アクセス装置を形成するステップを有することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- カルコゲナイドアクセス装置およびメモリ素子を含むセルを有するメモリであって、
カルコゲナイドアクセス装置は、メモリ素子の読み出しの際に、メモリ素子に保管されたデータを妨害しないよう十分に小さなスナップバック電圧を有する、メモリ。 - 前記カルコゲナイドアクセス装置は、メモリ素子の閾値電圧よりも小さなスナップバック電圧を有することを特徴とする請求項11に記載のメモリ。
- 前記メモリ素子は、相変化材料を有することを特徴とする請求項12に記載のメモリ。
- 前記メモリ素子は、薄膜材料を有することを特徴とする請求項12に記載のメモリ。
- 少なくとも2つのメモリ配列を有し、各配列は、相互に積層された複数のセルを有することを特徴とする請求項11に記載のメモリ。
- 各々がカルコゲナイドアクセス装置を有する、少なくとも2つのメモリ素子を有することを特徴とする請求項15に記載のメモリ。
- 半導体基板を有し、前記2つのメモリ素子の前記カルコゲナイドアクセス装置は、前記半導体基板上に形成されることを特徴とする請求項16に記載のメモリ。
- 前記2つのメモリ素子は、前記半導体基板上に形成されることを特徴とする請求項17に記載のメモリ。
- 2つのメモリ素子のうちの少なくとも一つの上部に設置されたアクセス装置を有することを特徴とする請求項18に記載のメモリ。
- アクセス装置は、メモリ素子上に直接設置されることを特徴とする請求項19に記載のメモリ。
- プロセッサをベースとする装置、
該プロセッサをベースとする装置に結合された無線インターフェース、および
前記装置に結合されたメモリ、
を有するシステムであって、
前記メモリは、カルコゲナイドアクセス装置と、メモリ装置とを含むセルを有し、カルコゲナイドアクセス装置は、メモリ素子の読み出しの際に、メモリ素子に保管されたデータを妨害しないよう十分に小さなスナップバック電圧を有する、システム。 - 前記カルコゲナイドアクセス装置は、メモリ素子の閾値電圧よりも小さなスナップバック電圧を有することを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記メモリ素子は、相変化材料を有することを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記メモリは、各々が行および列を有する少なくとも2つの配列を有し、前記配列の一方は、前記配列の他方の上部に積層されることを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 各々がカルコゲナイドアクセス装置を有する2つのメモリ素子を有することを特徴とする請求項24に記載のシステム。
- 基板を有し、前記カルコゲナイドアクセス装置は、前記基板上に形成されることを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 前記メモリ素子は、前記半導体基板の上部に形成されることを特徴とする請求項26に記載のシステム。
- メモリ素子の上部に設置されたアクセス装置を有することを特徴とする請求項27に記載のシステム。
- アクセス装置は、メモリ素子上に直接設置されることを特徴とする請求項28に記載のシステム。
- 前記アクセス装置と前記メモリ装置は、カルコゲナイド材料を有し、アクセス装置とメモリ素子に使用されるカルコゲナイド材料は、別のカルコゲナイド材料であることを特徴とする請求項21に記載のシステム。
- 前記無線インターフェースは、ダイポールアンテナを有することを特徴とする請求項21に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/634,140 US6914255B2 (en) | 2003-08-04 | 2003-08-04 | Phase change access device for memories |
PCT/US2004/022284 WO2005017904A1 (en) | 2003-08-04 | 2004-07-12 | Phase change access device for memories |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007501519A true JP2007501519A (ja) | 2007-01-25 |
Family
ID=34115981
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006522564A Pending JP2007501519A (ja) | 2003-08-04 | 2004-07-12 | メモリ用相変化アクセス装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6914255B2 (ja) |
JP (1) | JP2007501519A (ja) |
KR (1) | KR100796430B1 (ja) |
TW (1) | TWI250677B (ja) |
WO (1) | WO2005017904A1 (ja) |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344948A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Hynix Semiconductor Inc | 相変化記憶素子及びその製造方法 |
JP2008244439A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 相転移メモリ素子及びその製造方法 |
WO2008149493A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 抵抗変化型記憶装置 |
JP2009545095A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-12-17 | エッセティマイクロエレクトロニクス ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | 相変化メモリデバイス |
US7830706B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US8658998B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-02-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage device |
JP2014525642A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-09-29 | インテル・コーポレーション | クロスポイントアレイにおける結合キャパシタを利用したタイルレベルでのスナップバック検出 |
JP2021197199A (ja) * | 2020-06-11 | 2021-12-27 | サンディスク テクノロジーズ エルエルシー | クロスポイントメモリアレイ内のセレクタの閾値下電圧形成 |
Families Citing this family (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7308067B2 (en) * | 2003-08-04 | 2007-12-11 | Intel Corporation | Read bias scheme for phase change memories |
US7596016B2 (en) * | 2003-08-04 | 2009-09-29 | Ovonyx, Inc. | Optically accessible phase change memory |
JP4124743B2 (ja) * | 2004-01-21 | 2008-07-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 相変化メモリ |
EP1626411A1 (en) * | 2004-08-13 | 2006-02-15 | STMicroelectronics S.r.l. | Shared address lines for crosspoint memory |
US7687830B2 (en) * | 2004-09-17 | 2010-03-30 | Ovonyx, Inc. | Phase change memory with ovonic threshold switch |
US7646630B2 (en) * | 2004-11-08 | 2010-01-12 | Ovonyx, Inc. | Programmable matrix array with chalcogenide material |
TWI260764B (en) * | 2004-12-10 | 2006-08-21 | Macronix Int Co Ltd | Non-volatile memory cell and operating method thereof |
US8116159B2 (en) | 2005-03-30 | 2012-02-14 | Ovonyx, Inc. | Using a bit specific reference level to read a resistive memory |
US8653495B2 (en) | 2005-04-11 | 2014-02-18 | Micron Technology, Inc. | Heating phase change material |
US20060255328A1 (en) * | 2005-05-12 | 2006-11-16 | Dennison Charles H | Using conductive oxidation for phase change memory electrodes |
KR100650753B1 (ko) * | 2005-06-10 | 2006-11-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 상변환 기억 소자 및 그의 제조방법 |
US8637342B2 (en) * | 2005-11-10 | 2014-01-28 | Ovonyx, Inc. | Phase change memory with threshold switch select device |
US7471554B2 (en) * | 2006-01-27 | 2008-12-30 | Ovonyx, Inc. | Phase change memory latch |
US7579611B2 (en) * | 2006-02-14 | 2009-08-25 | International Business Machines Corporation | Nonvolatile memory cell comprising a chalcogenide and a transition metal oxide |
US7426134B2 (en) * | 2006-02-24 | 2008-09-16 | Infineon Technologies North America | Sense circuit for resistive memory |
US20070218665A1 (en) * | 2006-03-15 | 2007-09-20 | Marvell International Ltd. | Cross-point memory array |
US7646006B2 (en) | 2006-03-30 | 2010-01-12 | International Business Machines Corporation | Three-terminal cascade switch for controlling static power consumption in integrated circuits |
US7345899B2 (en) * | 2006-04-07 | 2008-03-18 | Infineon Technologies Ag | Memory having storage locations within a common volume of phase change material |
US7800143B2 (en) * | 2006-07-13 | 2010-09-21 | Globalfoundries Inc. | Dynamic random access memory with an amplified capacitor |
US7679955B2 (en) | 2006-08-02 | 2010-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor switching device |
KR101080394B1 (ko) * | 2006-12-29 | 2011-11-07 | 샌디스크 코포레이션 | 비휘발성 저장장치에 대한 저항 감지 및 보상 |
US7616498B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-11-10 | Sandisk Corporation | Non-volatile storage system with resistance sensing and compensation |
US7590002B2 (en) * | 2006-12-29 | 2009-09-15 | Sandisk Corporation | Resistance sensing and compensation for non-volatile storage |
US7745231B2 (en) * | 2007-04-17 | 2010-06-29 | Micron Technology, Inc. | Resistive memory cell fabrication methods and devices |
US20080272354A1 (en) * | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Thomas Nirschl | Phase change diode memory |
US7848138B2 (en) * | 2007-06-01 | 2010-12-07 | Intel Corporation | Biasing a phase change memory device |
US20090169138A1 (en) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | Mckesson Automation Inc. | Medication and medical supply storage package and method |
US7883931B2 (en) | 2008-02-06 | 2011-02-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming memory cells, and methods of forming programmed memory cells |
US7990761B2 (en) | 2008-03-31 | 2011-08-02 | Ovonyx, Inc. | Immunity of phase change material to disturb in the amorphous phase |
US7936593B2 (en) * | 2008-04-08 | 2011-05-03 | Ovonyx, Inc. | Reducing drift in chalcogenide devices |
US8134865B2 (en) * | 2008-05-06 | 2012-03-13 | Macronix International Co., Ltd. | Operating method of electrical pulse voltage for RRAM application |
KR20100028932A (ko) * | 2008-09-05 | 2010-03-15 | 삼성전자주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 이를 포함하는 저장 시스템 |
US8120068B2 (en) * | 2008-12-24 | 2012-02-21 | Sandisk 3D Llc | Three-dimensional memory structures having shared pillar memory cells |
US9349950B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-05-24 | Microchip Technology Incorporated | Resistive memory cell with trench-shaped bottom electrode |
US9444040B2 (en) | 2013-03-13 | 2016-09-13 | Microchip Technology Incorporated | Sidewall type memory cell |
US20140264247A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Microchip Technology Incorporated | Resistive Memory Cell with Reduced Bottom Electrode |
WO2015065337A1 (en) * | 2013-10-29 | 2015-05-07 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Resistive crosspoint memory array sensing |
US9412942B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-08-09 | Microchip Technology Incorporated | Resistive memory cell with bottom electrode having a sloped side wall |
US10003021B2 (en) | 2014-02-19 | 2018-06-19 | Microchip Technology Incorporated | Resistive memory cell with sloped bottom electrode |
US9385313B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-07-05 | Microchip Technology Incorporated | Resistive memory cell having a reduced conductive path area |
US9865813B2 (en) | 2014-02-19 | 2018-01-09 | Microchip Technology Incorporated | Method for forming resistive memory cell having a spacer region under an electrolyte region and a top electrode |
US9318702B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-04-19 | Microchip Technology Incorporated | Resistive memory cell having a reduced conductive path area |
US9269606B2 (en) | 2014-02-19 | 2016-02-23 | Microchip Technology Incorporated | Spacer enabled active isolation for an integrated circuit device |
KR20170037965A (ko) * | 2014-07-29 | 2017-04-05 | 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피 | 다상 셀렉터 |
US9437293B1 (en) * | 2015-03-27 | 2016-09-06 | Intel Corporation | Integrated setback read with reduced snapback disturb |
WO2017111894A1 (en) * | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Intel Corporation | Fabrication and apparatus of a hybrid phase field effect transistor |
KR102463023B1 (ko) | 2016-02-25 | 2022-11-03 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 이의 제조 방법 |
US9984748B1 (en) | 2016-05-24 | 2018-05-29 | SK Hynix Inc. | Electronic device and method for reading data stored in resistive memory cell |
US10032508B1 (en) | 2016-12-30 | 2018-07-24 | Intel Corporation | Method and apparatus for multi-level setback read for three dimensional crosspoint memory |
US10163977B1 (en) * | 2017-03-22 | 2018-12-25 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
US10727405B2 (en) | 2017-03-22 | 2020-07-28 | Micron Technology, Inc. | Chalcogenide memory device components and composition |
US10658588B2 (en) * | 2017-04-06 | 2020-05-19 | Sony Corporation | Memory cell switch device |
US10796755B2 (en) * | 2018-04-19 | 2020-10-06 | Micron Technology, Inc. | Permutation coding for improved memory cell operations |
US11139025B2 (en) | 2020-01-22 | 2021-10-05 | International Business Machines Corporation | Multi-level cell threshold voltage operation of one-selector-one-resistor structure included in a crossbar array |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387765A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-04-19 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 薄膜ラインドライバを有する電子アレイ |
JPH10511814A (ja) * | 1995-06-07 | 1998-11-10 | ミクロン テクノロジー、インコーポレイテッド | 不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック/トレンチダイオード |
JP2001127263A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Sony Corp | 不揮発性メモリおよびその駆動方法 |
JP2001189431A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | メモリのセル構造及びメモリデバイス |
JP2002536840A (ja) * | 1999-02-11 | 2002-10-29 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ | プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法 |
US20030001230A1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-01-02 | Lowrey Tyler A. | Three dimensional programmable device and method for fabricating the same |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE251225C (ja) | ||||
DD251225A1 (de) * | 1986-07-18 | 1987-11-04 | Karl Marx Stadt Tech Hochschul | Entkoppelte anordnung amorpher speicherelemente |
US5714768A (en) | 1995-10-24 | 1998-02-03 | Energy Conversion Devices, Inc. | Second-layer phase change memory array on top of a logic device |
US5812441A (en) * | 1996-10-21 | 1998-09-22 | Micron Technology, Inc. | MOS diode for use in a non-volatile memory cell |
AU2576999A (en) | 1998-02-26 | 1999-09-15 | Intermec Ip Corp. | Multifunction antenna mounting for a communications instrument, such as a symbolreader |
US6590807B2 (en) * | 2001-08-02 | 2003-07-08 | Intel Corporation | Method for reading a structural phase-change memory |
EP1326254B1 (en) * | 2001-12-27 | 2009-02-25 | STMicroelectronics S.r.l. | Architecture of a phase-change nonvolatile memory array |
US6579760B1 (en) | 2002-03-28 | 2003-06-17 | Macronix International Co., Ltd. | Self-aligned, programmable phase change memory |
US7589343B2 (en) | 2002-12-13 | 2009-09-15 | Intel Corporation | Memory and access device and method therefor |
US6795338B2 (en) * | 2002-12-13 | 2004-09-21 | Intel Corporation | Memory having access devices using phase change material such as chalcogenide |
-
2003
- 2003-08-04 US US10/634,140 patent/US6914255B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-12 KR KR1020067002317A patent/KR100796430B1/ko active IP Right Grant
- 2004-07-12 WO PCT/US2004/022284 patent/WO2005017904A1/en active Application Filing
- 2004-07-12 JP JP2006522564A patent/JP2007501519A/ja active Pending
- 2004-07-21 TW TW093121746A patent/TWI250677B/zh active
-
2005
- 2005-04-11 US US11/103,238 patent/US20050180216A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6387765A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-04-19 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 薄膜ラインドライバを有する電子アレイ |
JPH10511814A (ja) * | 1995-06-07 | 1998-11-10 | ミクロン テクノロジー、インコーポレイテッド | 不揮発性メモリセル内のマルチステート材料と共に使用するスタック/トレンチダイオード |
JP2002536840A (ja) * | 1999-02-11 | 2002-10-29 | アリゾナ ボード オブ リージェンツ | プログラマブルマイクロエレクトロニックデバイスおよびその形成およびプログラミング方法 |
JP2001127263A (ja) * | 1999-10-27 | 2001-05-11 | Sony Corp | 不揮発性メモリおよびその駆動方法 |
JP2001189431A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | メモリのセル構造及びメモリデバイス |
US20030001230A1 (en) * | 2000-06-30 | 2003-01-02 | Lowrey Tyler A. | Three dimensional programmable device and method for fabricating the same |
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006344948A (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-21 | Hynix Semiconductor Inc | 相変化記憶素子及びその製造方法 |
JP2009545095A (ja) * | 2006-07-27 | 2009-12-17 | エッセティマイクロエレクトロニクス ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | 相変化メモリデバイス |
JP2008244439A (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 相転移メモリ素子及びその製造方法 |
US7990754B2 (en) | 2007-06-01 | 2011-08-02 | Panasonic Corporation | Resistance variable memory apparatus |
WO2008149493A1 (ja) * | 2007-06-01 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 抵抗変化型記憶装置 |
US8154909B2 (en) | 2007-06-01 | 2012-04-10 | Panasonic Corporation | Resistance variable memory apparatus |
US7830706B2 (en) | 2007-12-27 | 2010-11-09 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US7983109B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-07-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US8094489B2 (en) | 2007-12-27 | 2012-01-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US8456940B2 (en) | 2007-12-27 | 2013-06-04 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device |
US8658998B2 (en) | 2011-04-28 | 2014-02-25 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage device |
JP2014525642A (ja) * | 2011-08-29 | 2014-09-29 | インテル・コーポレーション | クロスポイントアレイにおける結合キャパシタを利用したタイルレベルでのスナップバック検出 |
JP2021197199A (ja) * | 2020-06-11 | 2021-12-27 | サンディスク テクノロジーズ エルエルシー | クロスポイントメモリアレイ内のセレクタの閾値下電圧形成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050180216A1 (en) | 2005-08-18 |
KR100796430B1 (ko) | 2008-01-21 |
TW200516794A (en) | 2005-05-16 |
KR20060027409A (ko) | 2006-03-27 |
US20050029505A1 (en) | 2005-02-10 |
WO2005017904A1 (en) | 2005-02-24 |
TWI250677B (en) | 2006-03-01 |
US6914255B2 (en) | 2005-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2007501519A (ja) | メモリ用相変化アクセス装置 | |
US6943395B2 (en) | Phase random access memory with high density | |
US7728352B2 (en) | Damascene conductive line for contacting an underlying memory element | |
US7397061B2 (en) | Lateral phase change memory | |
CN100541810C (zh) | 电可改写非易失存储元件及其制造方法 | |
US7558100B2 (en) | Phase change memory devices including memory cells having different phase change materials and related methods and systems | |
US7910904B2 (en) | Multi-level phase change memory | |
US7381611B2 (en) | Multilayered phase change memory | |
US7709822B2 (en) | Phase change memory and manufacturing method thereof | |
US7649191B2 (en) | Forming a carbon layer between phase change layers of a phase change memory | |
US20070259479A1 (en) | Forming phase change memory arrays | |
US7977674B2 (en) | Phase change memory device and method of fabricating the same | |
US7528402B2 (en) | Electrically rewritable non-volatile memory element | |
JP3999549B2 (ja) | 相変化材料素子および半導体メモリ | |
US20050030787A1 (en) | Read bias scheme for phase change memories | |
US20060098524A1 (en) | Forming planarized semiconductor structures | |
US20050029504A1 (en) | Reducing parasitic conductive paths in phase change memories |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100323 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100623 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100630 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100721 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100817 |