JP2014525642A - クロスポイントアレイにおける結合キャパシタを利用したタイルレベルでのスナップバック検出 - Google Patents
クロスポイントアレイにおける結合キャパシタを利用したタイルレベルでのスナップバック検出 Download PDFInfo
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Abstract
【選択図】 図1
Description
Claims (20)
- 相変化メモリにおいてタイルレベルでスナップバック検出を行う装置であって、
複数のメモリセルを含むタイルを有する相変化メモリアレイと、
デコーダと
を備え、
前記デコーダは、
第1の電圧を示すセンスノードを含むデコード経路と、
第1の端子において前記センスノードに結合されており、前記第1の電圧に基づき第2の電圧を提供するキャパシタと、
前記キャパシタの第2の端子に結合されており、受信したイネーブル信号および前記第2の電圧に基づきラッチを制御するロジック回路と
を有する装置。 - 相変化メモリスイッチ(PCMS)デバイスを備える請求項1に記載の装置。
- 前記キャパシタは、前記第1の電圧の変化に応じて前記第2の電圧が対応して変化するように前記センスノードに結合されており、
前記第1の電圧および前記第2の電圧は値が異なる請求項1または2に記載の装置。 - 前記デコーダはさらに、前記キャパシタに結合されている初期化回路を有し、前記初期化回路は、スナップバックイベントを検出する前に前記第2の電圧を初期状態に設定する請求項1から3のいずれか一項に記載の装置。
- 前記初期状態はグラウンドである請求項4に記載の装置。
- 前記ロジック回路は、前記第2の電圧および前記イネーブル信号に対するAND演算の結果に基づいて、前記ラッチを制御する請求項1から5のいずれか一項に記載の装置。
- 前記第1の電圧は、スナップバックイベントが発生する前後において、負の値である請求項1から6のいずれか一項に記載の装置。
- 前記キャパシタは、容量が約50フェムトファラドである請求項1から7のいずれか一項に記載の装置。
- 相変化メモリにおいてタイルレベルでスナップバック検出を行うシステムであって、
デコーダを有する相変化メモリデバイス(PCMデバイス)と、
前記PCMデバイスに結合され、イネーブル信号を提供するストレージコントローラと
を備え、
前記デコーダは、
第2のノードにおける負のセンス電圧に基づき第1のノードにおける負でないセンス電圧を提供する調整回路と、
前記負でないセンス電圧および前記イネーブル信号に基づき、スナップバック動作を検出するロジック回路と
を含み、
前記調整回路は、第1の端子において前記第2のノードに結合され、第2の端子において前記ロジック回路に結合されるキャパシタを含むシステム。 - 前記負のセンス電圧を示す前記第2のノードを持つデコード経路をさらに備える請求項9に記載のシステム。
- 前記調整回路は、前記第1のノードおよび前記第2のノードに結合されているキャパシタを含み、前記キャパシタは、前記負でないセンス電圧を前記ロジック回路の第1の入力に供給する請求項10に記載のシステム。
- 前記調整回路はさらに、初期化回路を含み、
前記初期化回路は、
前記ストレージコントローラから初期化信号を受信し、
前記初期化信号に基づき前記負でないセンス電圧を初期状態に設定する請求項11に記載のシステム。 - 前記PCMデバイスは、複数のタイル、および、前記複数のタイルにそれぞれ対応する複数のデコーダを有する請求項9から12のいずれか一項に記載のシステム。
- 前記システムは、ラップトップコンピューティングデバイスまたはモバイルコンピューティングデバイスを備える
請求項9から13のいずれか一項に記載のシステム。 - スナップバック状態を検出する方法であって、
第1の電圧でビットラインを、第2の電圧でワードラインを選択的に駆動することによって、タイルのメモリセルを選択する段階と、
前記タイルのデコーダのロジック回路にイネーブル信号を供給する段階と、
デコード経路のセンスノードに示される負の第2のセンス電圧に基づいて前記ロジック回路に対して正の第1のセンス電圧を提供する段階と、
前記ロジック回路が出力する値をラッチする段階と
を備え、
前記第2のセンス電圧の変化は、前記第1のセンス電圧において対応する変化を引き起こす方法。 - 前記イネーブル信号を供給する段階の前に、前記第1の電圧を第1の状態に初期化する段階をさらに備える請求項15に記載の方法。
- 前記第1の状態はグラウンドである請求項16に記載の方法。
- 前記第2のセンス電圧は、前記メモリセルを選択する段階を実行した結果発生するスナップバックイベントの前後において、負である請求項15から17のいずれか一項に記載の方法。
- 前記第1のセンス電圧を、前記センスノードに結合されているキャパシタに供給する段階をさらに備える請求項15から18のいずれか一項に記載の方法。
- 前記メモリセルを選択する段階の前に、選択された前記ワードラインからデコーダを切り離す段階と、
前記メモリセルを選択する段階を実行した結果発生するスナップバックイベントの後で、前記デコーダを前記選択されたワードラインに再接続する段階と
ラッチされた前記値に基づいて前記メモリセルの設定状態を決定する段階と
をさらに備える請求項15から19のいずれか一項に記載の方法。
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