JP2004119965A - ヒューズ構造及びそれを利用した半導体メモリ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ヒューズ構造は第1及び第2ヒューズを含み、第1及び第2ヒューズは各々一端と他端とを有する。前記第1ヒューズの一端と他端は一直線に連結される。前記第2ヒューズは前記第1ヒューズの一端と第1間隔だけ離隔されて配置された一端と、前記第1ヒューズの他端と第2間隔だけ離隔されて配置された他端とを有する。前記第1及び第2ヒューズの一端は前記第1及び第2ヒューズの他端と同一、またはそれより狭い幅を有する。
【選択図】 図5
Description
FG1 第1ヒューズバンク
101〜104 ヒューズ
105 切断領域
FG2 第2ヒューズバンク
101’〜104’ ヒューズ
105’ 切断領域
Claims (31)
- 一端と他端とを有する第1ヒューズと、
前記第1ヒューズの一端と第1間隔だけ離隔されて配置された一端と、前記第1ヒューズの他端と第2間隔だけ離隔されて配置された他端とを有する第2ヒューズとを含み、前記第1及び第2ヒューズの一端は前記第1及び第2ヒューズの他端と同一、またはそれより狭い幅を有することを特徴とするヒューズ構造。 - 前記第1間隔は前記第2間隔より広くて、前記第1及び第2ヒューズの一端は切断領域に配置されることを特徴とする請求項1に記載のヒューズ構造。
- 前記第1及び第2ヒューズの一端及び他端は行方向に配置されることを特徴とする請求項1に記載のヒューズ構造。
- 前記第1ヒューズの一端と他端は一直線に連結され、前記第2ヒューズの一端は前記第2ヒューズの他端から側方にオフセットされることを特徴とする請求項2に記載のヒューズ構造。
- 前記第1及び第2ヒューズの第1ヒューズグループに対して180度だけ回転するようにして、前記第1ヒューズグループと隣接して配置される、第3及び第4ヒューズを有する第2ヒューズグループをさらに含み、前記第3及び第4ヒューズは前記第1及び第2ヒューズと同一の構造を有するように配置されることを特徴とする請求項4に記載のヒューズ構造。
- 前記第1及び第2ヒューズの一端は前記第1及び第2ヒューズの他端と垂直に連結されることを特徴とする請求項2に記載のヒューズ構造。
- 一直線に連結される一端と他端とを有する第1ヒューズと、
一直線に連結される一端と他端とを有する第2ヒューズと、
前記第1ヒューズの一端と第1間隔だけ離隔されて配置された一端と、前記第1ヒューズの他端と第2間隔だけ離隔されて配置された他端とを有し、前記一端は前記他端から側方にオフセットされる第3ヒューズと、
前記第2ヒューズの一端と第1間隔だけ離隔されて配置された一端と、前記第2ヒューズの他端と第2間隔だけ離隔されて配置された他端とを有し、前記一端は前記他端から側方にオフセットされる第4ヒューズとを含み、前記第1及び第3ヒューズの一端は前記第2及び第4ヒューズの他端と同一、またはそれより狭い幅を有することを特徴とするヒューズ構造。 - 前記第1乃至第4ヒューズの一端及び他端は行方向に平行に配置されることを特徴とする請求項7に記載のヒューズ構造。
- 前記第1間隔は前記第2間隔より広いことを特徴とする請求項7に記載のヒューズ構造。
- 前記第1及び第3ヒューズの一端は第1行に沿って形成される第1切断領域に配置され、前記第2及び第4ヒューズの他端は第2行に沿って形成される第2切断領域に配置されることを特徴とする請求項7に記載のヒューズ構造。
- 各々一端と他端とを有する複数個の第1ヒューズで構成され、前記第1ヒューズの一端は互いに第1間隔だけ離隔され、前記第1ヒューズの他端は互いに第2間隔だけ離隔され、前記第1ヒューズのうち一つの一端と他端は一直線に連結され、残りの第1ヒューズの一端はそれの他端から側方にオフセットされる第1ヒューズグループと、
各々一端と他端とを有する複数個の第2ヒューズで構成され、前記第2ヒューズの一端は互いに第1間隔だけ離隔され、前記第2ヒューズの他端は互いに第2間隔だけ離隔され、前記第2ヒューズのうち一つの一端と他端は一直線に連結され、残りの第2ヒューズの一端はそれの他端から側方にオフセットされる第2ヒューズグループとを含み、
一端と他端とが一直線に連結された第1及び第2ヒューズは残りの第1及び第2ヒューズを含むように配置され、前記各ヒューズグループのヒューズの一端はそれの他端と同一、またはそれより狭い幅を有することを特徴とするヒューズ構造。 - 前記第1及び第2ヒューズの一端及び他端は行方向に平行に配置されることを特徴とする請求項11に記載のヒューズ構造。
- 前記第1間隔は前記第2間隔より広くて、前記第1ヒューズの一端は第1行に沿って形成される第1切断領域に配置され、前記第2ヒューズの他端は第2行に沿って形成される第2切断領域に配置されることを特徴とする請求項11に記載のヒューズ構造。
- 互いに第1間隔だけ離隔されて配置された第1ヒューズセグメントと、
前記第1ヒューズセグメントと各々対応し、互いに第2間隔だけ離隔されて切断領域に配置された第2ヒューズセグメントと、
前記第2ヒューズセグメントに連結された共通接続ラインとを含み、
前記第1ヒューズセグメントは対応する第2ヒューズセグメントと直角に連結され、前記第2間隔は前記第1間隔より広くて、前記各第2ヒューズセグメントの幅は前記各第1ヒューズセグメントの幅と同一、またはそれより小さいことを特徴とするヒューズ構造。 - 前記第1及び第2ヒューズセグメントの第1ヒューズグループと対称するように、前記第1ヒューズグループと隣接して配置され、第3及び第4ヒューズセグメントを有する第2ヒューズグループをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のヒューズ構造。
- 前記第3及び第4ヒューズセグメントは前記第1及び第2ヒューズセグメントと同一の構造を有するように配置されることを特徴とする請求項15に記載のヒューズ構造。
- 前記第1及び第2ヒューズセグメントと前記共通接続ラインとで構成される第1ヒューズグループと対称するように、前記第1ヒューズグループと隣接して配置され、第3及び第4ヒューズセグメントを有する第2ヒューズグループをさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のヒューズ構造。
- 前記第3及び第4ヒューズセグメントは前記第1及び第2ヒューズセグメントと同一の構造を有するように配置されることを特徴とする請求項17に記載のヒューズ構造。
- 前記第1ヒューズセグメントは行方向に沿って平行に配置され、前記第2ヒューズセグメントは列方向に沿って平行に配置されることを特徴とする請求項14に記載のヒューズ構造。
- 第1ヒューズ領域に配置され、第1間隔だけ離隔されて配置される第1及び第2ヒューズと、
互いに第2間隔だけ離隔され、前記第1及び第2ヒューズに各々連結される第1及び第2信号ラインと、
第2ヒューズ領域に配置され、前記第1間隔だけ離隔されて配置される第3及び第4ヒューズと、
互いに第2間隔だけ離隔され、前記第3及び第4ヒューズに各々連結される第3及び第 4信号ラインとを含み、
前記第1及び第2信号ラインは前記第2ヒューズ領域に隣接して配置され、前記第3及び第4信号ラインは前記第1ヒューズ領域に隣接して配置され、前記第1間隔は前記第2間隔より広いことを特徴とするヒューズ構造。 - 前記第1信号ラインは前記第1ヒューズの一端に一直線に連結され、前記第2信号ラインは前記第2ヒューズの一端から所定の角度だけオフセットされるように、前記第2ヒューズの一端に連結されることを特徴とする請求項20に記載のヒューズ構造。
- 前記第3信号ラインは前記第3ヒューズの一端に一直線に連結され、前記第4信号ラインは前記第4ヒューズの一端から所定の角度だけオフセットされるように、前記第4ヒューズの一端に連結されることを特徴とする請求項20に記載のヒューズ構造。
- 行と列に配列されたメモリセルのアレイと、
欠陥メモリセルを代替するための冗長アレイと、
各々欠陥アドレスを貯蔵するための複数個のヒューズボックスとを含み、
前記ヒューズボックスの各々は、
一直線に連結される一端と他端とを有する第1ヒューズと、
前記第1ヒューズの一端と第1間隔だけ離隔されて配置された一端と、前記第1ヒューズの他端と第2間隔だけ離隔されて配置された他端とを有する第2ヒューズとを含み、
前記第1及び第2ヒューズの一端は行方向に沿って切断領域に配置され、前記第2ヒューズの一端は前記第2ヒューズの他端から側方にオフセットされ、前記第1及び第2ヒューズの一端は前記第1及び第2ヒューズの他端と同一、またはそれより狭い幅を有することを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記各ヒューズボックスは前記第1及び第2ヒューズの第1ヒューズグループに対して 180°だけ回転するようにして、前記第1ヒューズグループと隣接して配置される、第3及び第4ヒューズを有する第2ヒューズグループをさらに含むことを特徴とする請求項23に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第3及び第4ヒューズは前記第1及び第2ヒューズと同一の構造を有するように配置されることを特徴とする請求項24に記載の半導体メモリ装置。
- 行方向に平行に配列された複数個のワードラインと、
列方向に平行に配列された複数個のビットラインと、
前記ワードラインと前記ビットラインに各々連結されるメモリセルと、
欠陥アドレス情報を貯蔵するための複数個のヒューズボックスと、
デコーディング信号に応答して前記ワードラインのうち少なくとも一つを選択する行選択回路と、
前記行選択回路及び前記ヒューズボックスに連結され、前記ヒューズボックスの一側に配置される第1信号ラインと、
前記行選択回路に連結され、前記ヒューズボックスの一側に配置される第2信号ラインと、
前記ヒューズボックスに連結され、前記ヒューズボックスの他の側に配置される第3信号ラインとを含むことを特徴とする半導体メモリ装置。 - 前記第2及び第3信号ラインは同一の信号を伝達することを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第2及び第3信号ラインのローディングは前記第1信号ラインより大きいことを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置。
- 前記複数個のヒューズボックスは行方向に配置される第1ヒューズボックスグループ及び前記第1ヒューズボックスグループに180°回転して前記第1ヒューズボックスグループに隣接して配置される第2ヒューズボックスグループで構成されることを特徴とする請求項26に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第1ヒューズボックスグループには前記第1信号ラインが連結され、前記第2ヒューズボックスグループには前記第3信号ラインが連結されることを特徴とする請求項29に記載の半導体メモリ装置。
- 前記第3信号ラインは前記第2信号ラインと同一であることを特徴とする請求項30に記載の半導体メモリ装置。
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