JP2004118940A5 - - Google Patents

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  1. メモリセルと、
    前記メモリセルの一端に接続されるビット線と、
    前記ビット線に接続され、前記メモリセルに関するプログラムデータ又はリードデータを一時的に記憶するデータ回路とを具備し、
    前記データ回路は、第１、第２及び第３データ記憶部と、前記第１及び第３データ記憶部の間に接続される第１データ転送回路と、前記第２及び第３データ記憶部の間に接続される第２データ転送回路とを有し、
    前記第１データ記憶部は、前記ビット線に接続され、前記第２データ記憶部は、自らが記憶するデータに基づいて、前記第１データ記憶部のデータを強制的に変更する機能を有することを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
  2. 前記第１及び第２データ記憶部は、キャパシタにより構成されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体メモリ。
  3. 前記第２データ記憶部は、ゲートが前記第２データ転送回路に接続されるＭＯＳトランジスタにより構成され、前記ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第１データ記憶部との間には、第３データ転送回路が接続され、
    前記データ回路は、カラム選択スイッチを経由してデータ線に接続される第４データ記憶部と、前記第１及び第４データ記憶部の間に接続される第４データ転送回路とをさらに有し、
    前記データ回路内における前記リードデータの移動を制御する制御回路をさらに備え、
    前記メモリセルが４つの状態を持つ場合に、前記制御回路は、第１リード電位で前記メモリセルから読み出した第１リードデータを前記第３データ記憶部に記憶させる手段と、前記第１リードデータを前記３データ記憶部から前記第２データ記憶部に転送させる手段と、第２リード電位で前記メモリセルから読み出した第２リードデータを前記第１データ記憶部に記憶させる手段と、前記第２データ記憶部に記憶された前記第１リードデータに基づいて、前記第１データ記憶部に記憶された前記第２リードデータの値を強制的に変更させる手段と、前記第２リードデータを前記１データ記憶部から前記第４データ記憶部に転送させる手段とから構成されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体メモリ。
  4. 前記第２データ記憶部は、ゲートが前記第２データ転送回路に接続されるＭＯＳトランジスタにより構成され、前記ＭＯＳトランジスタのドレインと前記第１データ記憶部との間には、第３データ転送回路が接続され、
    前記データ回路は、カラム選択スイッチを経由してデータ線に接続される第４データ記憶部と、前記第１及び第４データ記憶部の間に接続される第４データ転送回路とをさらに有し、
    前記データ回路内における前記プログラムデータの移動を制御する制御回路をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体メモリ。
  5. 前記制御回路は、前記プログラムデータを前記第４データ記憶部に記憶させる手段と、前記プログラムデータを前記第４データ記憶部から前記第３データ記憶部に転送させる手段と、前記プログラムデータを前記第３データ記憶部から前記第２データ記憶部に転送させる手段とから構成されることを特徴とする請求項４記載の不揮発性半導体メモリ。
  6. 前記メモリセルが２ビットデータを記憶する機能を有し、かつ、そのうちの１ビットデータが既に前記メモリセルに記憶されている場合に、前記制御回路は、前記プログラムデータを前記第４データ記憶部から前記第３データ記憶部に転送させた後に、前記第４データ記憶部の状態をリセットする手段と、前記メモリセルに記憶された前記１ビットデータを前記第４データ記憶部に読み出す手段とから構成されることを特徴とする請求項５記載の不揮発性半導体メモリ。
  7. 前記第２及び第３データ記憶部に前記プログラムデータが記憶され、ライト動作時に、前記第３データ記憶部に記憶された前記プログラムデータの値に基づいて、前記メモリセルの閾値電圧を変動させるか否かを決定する場合に、前記制御回路は、ベリファイリードにより前記リードデータを前記第１データ記憶部に記憶させる手段と、前記第２データ記憶部に記憶された前記プログラムデータの値に応じて、前記第１データ記憶部に記憶された前記リードデータの値を強制的に変更させる手段と、前記第１データ記憶部に記憶された前記リードデータを、前記プログラムデータとして前記第３データ記憶部に記憶させる手段とを具備することを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体メモリ。
  8. 電気的に書換可能な不揮発性半導体メモリセルと、
    前記メモリセルに繋がるビット線と、
    前記メモリセルのデータを読み出すための読み出し回路とを備え、
    さらに、前記読み出し回路は、ビット線と繋がる第１のデータ記憶部と、前記第１のデータ記憶部のデータを自身が記憶しているデータに従って書換える機能を有する第２のデータ記憶部と、前記第１のデータ記憶部のデータを読み出す機能を有する第３のデータ記憶部と、前記第３のデータ記憶部のデータを前記第２のデータ記憶部に転送するデータ転送回路とを備え、
    前記メモリセルのデータを前記ビット線を介して前記第１のデータ記憶部に読み出し、前記第２のデータ記憶部のデータに従って前記第１のデータ記憶部の読み出しデータを書換え、その後、前記第３のデータ記憶部のデータを前記第２のデータ記憶部に転送し、さらに、その後、前記第３のデータ記憶部で前記第１のデータ記憶部のデータを読み出す読み出し制御回路をさらに備える
    ことを特徴とする不揮発性半導体メモリ。
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