JP2003531802A - 高度に層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末、その製造方法及び使用 - Google Patents

高度に層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末、その製造方法及び使用

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、約50〜約300のアスペクト比の窒化ホウ素粒子を含む粉末に関する。また本発明は、層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法に関する。ここでこの方法は、窒化ホウ素粉末を提供し、そして層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末を生成するのに有効な条件下において、粉砕媒体及び粉砕液体を含む粉砕混合物中で六方晶窒化ホウ素を粉砕することを含む。本発明の他の面は、溶融ポリマーの押出方法に関する。ここでこの方法は、約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒子を含む粉末を、ポリマーと配合して配合物を生成し、そして窒化ホウ素粒子をポリマー全体に分散させるのに有効な条件下で、前記配合物を押出機を通して押し出して押出生成物を得ることを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】 (産業上の利用分野) 本発明は、高度に層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末、このような粉末の製造方
法及びその結果生じる粉末の使用に関する。
【0002】 (発明の背景) 窒化ホウ素、特に六方晶窒化ホウ素(「h−BN」)を粉砕するためのいくつ
かの方法は、当業界で既知である。h−BNを粉砕するための慣用的一方法は、
Hagio等のJ. Am. Cer. Soc. 72: 1482〜84(1989)(「Hagio」)に開示されてい
る。Hagioによれば、未処理h−BN粉末(約10 μmの粒子サイズ、約5 m2/gの
表面積及び約100 nmの厚みにより特微付けられる)は、空気中で炭化タングステ
ン乳鉢(WC)を用いて磨砕することにより粉砕される。Hagioの磨砕操作の明
らかな目的は、h−BN粉末の表面積を増大させ、それによりその反応性を増大
させることである。この方法で24時間粉砕すると、その結果生じるh−BN粉末
は粒子直径が比較的小さく(2 μm)、表面積が比較的大きく(54 m2/g)、そし
てわずかに比較的薄い(71 nm)。Hagioにより報告されたデータは、粉砕粉末の
最終形状寸法が出発粉末純度によらないということを示唆する。Hagioは小板の
厚みの低減を報告しているが、Hagioの粉砕操作は主にBN粒子破断を生じ、そ
れにより粒子直径を小さくして、表面積増大を生じている。
【0003】 Tsuyoshi等の米国特許第5,063,184号(「Tsuyoshi」)では、高表面積で高反
応性のh−BN粉末は、高密度無加圧焼結h−BN部品を提供するのに有用であ
るということが報告されている。Tsuyoshiにおける各実施例では、未処理h−B
Nは空気中又は窒素中で粉砕されている。
【0004】 本発明は、h−BN粉末を製造するための改良型粉砕方法を提供することを意
図する。
【0005】 発明の概略 本発明は、約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒子を含む
粉末に関する。
【0006】 本発明は、層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法にも関する。この方法
は、六方晶窒化ホウ素粉末を提供し、そして約50〜約300のアスペクト比を有す
る層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末を生成するのに有効な条件下において、混合
物中で六方晶窒化ホウ素を粉砕することを含む。
【0007】 本発明の別の局面は、溶融ポリマーの押出し方法に関する。この方法は、約50
〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒子を含む粉末をポリマーと
配合して、配合物を生成し、そして窒化ホウ素粒子をポリマー全体に分散させる
のに有効な条件下で配合物を押出機を通して押し出して、押出生成品を作ること
を含む。
【0008】 本発明の方法は、比較的高度に層剥離した高アスペクト比窒化ホウ素粉末を製
造する。従来技術の乾燥粉砕手法は、本質的に粒子破断により(即ち粒子直径を
小さくすることにより)BN粒子を表面積を増大するが、本発明の方法は、粒子
の層剥離により(即ち粒子の厚みを小さくすることにより)表面積を大きくする
。その結果生じる窒化ホウ素粉末は高アスペクト比(大きい粒子直径及び小さい
粒子厚)を有し、これがある用途において、例えばポリマーの押出しのための加
工助剤として有用である。特に本発明の層剥離したBN粉末は、押出し中のダイ
壁/ポリマー界面の摩擦を下げ、押出圧の低減をもたらし、そして更に総メルト
フラクチュアの開始を比較的大きい有効剪断速度にまで遅延させるのにより有効
である。
【0009】 本発明の詳細な説明 本発明は、約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒子を含む
粉末に関する。粒子のアスペクト比は、粒子直径を粒子の厚みで割って確定され
る。
【0010】 六方晶窒化ホウ素は、扁平六方晶結晶構造(黒鉛の構造と同様)を有する不活
性滑性セラミック物質である(「h−BN」)。h−BNの周知の異方性は、h
−BN粒子の六角形を示す図1を参照することにより容易に説明され得る。h−
BN粒子小板の直径は図1においてDとして示される寸法であり、a−方向と呼
ばれる。BNは、a−方向の平面で共有結合されている。粒子厚はLcとして示
される寸法であり、これは直径と垂直であり、c−方向と呼ばれる。積重ねられ
たBN六角形(即ちc−方向で)は、相対的に弱いファンデルワールス力によっ
てのみ一緒に保持されている。弱いファンデルワールス力より大きい剪断力がB
N六角形の平面間に付与されると、弱いファンデルワールス力が克服され、平面
が互いに関してスライドする。BNのこれらの平面が互いに対してスライドする
相対的容易性は、h−BNの高滑性の理由の1つであり得る。
【0011】 一実施態様では、粒子は少なくとも約20 m2/g、好ましくは少なくとも約40 m2 /g、更に好ましくは少なくとも約60 m2/gの表面積を有する。h−BN粒子の比
表面積は、典型的にはBET吸着技法により、例えばMicromeretics, Flowsorb
II 2300(ジョージア州Norcross)を用いて測定される。
【0012】 好ましくは粒子は少なくとも約1ミクロン、典型的には約1〜20 μm、更に典型
的には約4 μm〜9 μmの平均直径を有する。本明細書中で用いる場合、h−BN
粒子小板の「粒子サイズ」又は「直径」は、図1でDとして示される寸法である
。これは典型的には、走査電子顕微鏡並びに例えばLeeds & Northrup Microtrac
X100(フロリダ州Clearwater)を用いたレーザー散乱技法により測定される。更
に粒子直径D10は、典型的には少なくとも約2 μm、更に典型的には少なくとも
約3 μmである。本明細書中で用いる場合、D10直径は、BN粒子の容積の10%
がその直径より小さい直径である。
【0013】 更に粒子は、好ましくは約50 nm以下、更に好ましくは約10〜40 nm、最も好ま
しくは約10〜20 nmの厚みを有する。粒子厚は、図1でLcとして示される寸法
である。これは典型的には走査型電子顕微鏡(SEM)により測定され、SEM
直径及び表面積データから、そして粒子小板が多重結晶でない場合、時としては
x線回析線拡大技法(Hagio等のJ. Am. Cer. Soc. 72: 1482〜84(1989)(「Hagi
o」)参照、この記載内容は、参照により本明細書中に含まれる)により、例え
ばSIEMENSモデルD500回析計を用いて、間接的に算定される。
【0014】 本発明の粉末は、高次六方晶構造を有するh−BN粉末であり得る。このよう
な粉末は、少なくとも0.12(高度に六方晶h−BNの定量化)、好ましくは0.15
より大きい結晶化指数(Hubacekの「Hypothetical Model of Turbostratic Laye
red Boron Nitride,」,J. Cer. Soc. of Japan, 104: 695〜98(1996)、この記載
内容は、参照により本明細書中に含まれる)を有する。好ましくはh−BN粉末
は、約0.20〜約0.55、最も好ましくは約0.30〜約0.55の結晶指数を有する。
【0015】 本発明のh−BN粉末の層剥離は、酸化剤、例えば水又は酸素により容易に酸
化される新規開裂BN表面を露呈する。酸化剤は、これらの新しい表面と反応し
てB23を生成する。粉砕中のB23の存在は、下記のような粒子の層剥離では
なく粒子の破断に関連すると考えられるが、しかしいくつかのB23は、結果的
に生じる粉末中に、用いられた洗浄及び乾燥技法の結果物として存在し得る。得
られる粉末の使用に基づいて、結果的に生じる粉末中のB23の量を調整するこ
とが望ましい。特に化粧品の用途に関しては、本発明のh−BN粉末は、得られ
る粉末の湿分に関する性質を増大させる(皮膚を乾燥させない)ために、低重量
分率のB23を有するべきである。好ましくは化粧品の用途のためには、本発明
のh−BN粉末は500 ppm以下のB23を、更に好ましくは約0 ppm〜約200 ppm
のB23を含有する。低B23含有量は、注意深い洗浄(例えばドライアルコー
ル、低温水等を用いる溶媒洗浄)及び乾燥(例えば凍結乾燥)によって達成され
得る。
【0016】 あるいは、ポリマー押出しにおける加工助剤として用いるためには、高残留B23含有量が溶融物内の粒子分散を促進し得る。従って好ましくは押出し用途の
ためには、本発明のh−BN粉末は、少なくとも0.5重量%のB23、更に好ま
しくは約0.5重量%〜約5重量%のB23を含有する。しかしながらポリマーと食
物と接触が考えられる場合の加工助剤に関しては、化粧品用途に関して前記した
ように低B23含有率が望ましい。
【0017】 本発明は、層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法にも関する。この方法
は、六方晶窒化ホウ素粉末を提供し、そして約50〜約300のアスペクト比を有す
る層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末を生成するのに有効な条件下において、粉砕
混合物中で六方晶窒化ホウ素粉末を粉砕することを含む。
【0018】 好ましくは、六方晶窒化ホウ素粉末は、前記のような比較的高次の六方晶構造
を有する。典型的にはこの開始粉末は、未処理の、本質的に乱層(turbostratic
)(非晶質)窒化ホウ素粉末を「高焼成」処理することにより生成される(Hagio
等の「Microstructural Development with Crystallization of Hexagonal Boro
n Nitride,」, J. Mat. Sci. Lett. 16:795〜798(1997)参照、この記載内容は、
参照により本明細書中に含まれる)。好ましい実施態様では、0.12未満の結晶化
指数を有する微細乱層BN粉末を、約1400〜2300℃で約0.5〜12時間にわたって
窒素中で熱処理する。乱層粉末粒子の微細な1 μm未満の微結晶は熱処理中に更
に高次になり(結晶化され)且つより大きく(1 μm超に)なるので、この熱処
理は、典型的にはより粗いh−BN粉末を生成するよう作用する。典型的な実施
態様では、高焼成h−BN粉末は、1〜20 μm、更に典型的には4〜9 μmの粒子
サイズを有する。
【0019】 典型的には未処理h−BN粉末は、粉砕混合物の約5〜30重量%を構成する。
実質的に10重量%未満が用いられる場合には、生産効率は下がる。30重量%より
多くが用いられる場合には、粉砕スラリーの粘度が増大して、低い粉砕効率をも
たらす。
【0020】 好ましくは粉砕混合物は、粉砕媒体及び粉砕液体を含む。
【0021】 粉砕液体は、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、低分
子アルコールの異性体、アセトン及び超臨界CO2であり得る。一実施態様では
、液体は、B23が可溶性である任意の液体である。
【0022】 典型的には、液体粉砕媒体は、粉砕混合物の約70〜95重量%を構成する。70重
量%未満が用いられる場合には、スラリーの粘度は効率的粉砕のためには高すぎ
る。95重量%より多くが用いられる場合には、生産性、及び乾燥粉末が望ましい
場合の大容積の溶媒の除去という付加的な負荷の犠牲が存在する。
【0023】 本発明の粉砕媒体は、約1 mm〜約20 mmの平均直径を有し得る。好ましくは粉
砕媒体は、少なくとも3 mmの平均直径を有する粗い粉砕媒体である。適切な粉砕
媒体としては、ジルコニア、鋼球、アルミナ、窒化ケイ素、炭化ケイ素、炭化ホ
ウ素、酸化カルシウム及び酸化マグネシウムが挙げられる。粉砕媒体のサイズは
、粉砕物質のアスペクト比に影響を及ぼすためにも用いられ得る。特に微細な1
mmジルコニアを用いる粉砕は、1/8インチ鋼球を用いて同様に粉砕されたh−B
N粉末より小さい粒子直径を有するh−BN粉末を生成する。
【0024】 いくつかの実施態様において、分散剤は、粉砕スラリーの粘度を低下させるた
めに用いられる。適切な分散剤としては、Rohm & Haas Duramax 3019、Rhodapex
CO/436、Nekal及びTritonシリーズが挙げられる。
【0025】 他の実施態様では、水によるh−BNの湿潤を促すために、約1〜20重量%の
アルコールが用いられる。
【0026】 典型的には、h−BN粉末の粉砕は、湿潤粉砕手法により、例えばボールミル
、磨細機又は振動ミルで行われる。ボールミルがもちいられる場合には、好まし
い粉砕媒体は、磁気分離による粉砕破砕屑の除去を促すために鋼鉄又はその他の
適切な磁性材料である。
【0027】 高アスペクト比h−BNが望ましい状況では、8〜48時間の粉砕時間が好まし
い。粉砕が8時間未満にわたって実施される場合、不十分な層剥離が認められる
。粉砕が48時間より長い間実施される場合、粉砕時間の増大による経費付加が生
じる。しかしながら粉砕時間が増大すると、その結果生じる粉末のBN粒子の表
面積は増大する。
【0028】 いくつかの実施態様では、粉砕混合物の温度は粉砕操作中に有意に高まるとい
うことが判明した。B23の生成は温度に伴ってアレニウスの反応速度式に従っ
て増大するため、温度のこの増大は最終的なB23濃度に影響を及ぼすことがあ
る。従ってB23含有率が低い粉末が望ましい実施態様では、温度は約30℃又は
それより低い温度で維持される。そうでなければ、粉砕混合物の温度は高めるこ
とができる。
【0029】 理論に縛られたくはないが、h−BN粒子に粉砕媒体により付与されるエネル
ギーは、それらの最も弱い点で、即ちh−BNの積重ねられた六方晶結晶平面は
非常に弱いファンデルワールス力により保持されているのでBNの面(a−方向
)で開裂すると考えられる。Hagio等のJ. Am. Cer. Soc. 72: 1482〜84(1989)(
「Hagio」)(この記載内容は、参照により本明細書中に含まれる)の粉砕操作
の初期段階は、これらの面に沿ってBN粒子のいくらかの層剥離を生じると考え
られる。しかしながらこれらの初期層剥離は、広い新規開裂BN表面を空気に露
出させる。空気中の酸素はこれらの新しい反応性表面と反応し、それによりB2
3を生成する。このB23含有量の増大は、粒子破断の不十分な制御に関連す
ると考えられる。
【0030】 B23含有量の増大が粒子破断を促進する理由は、目下明らかでない。理論に
縛られたくはないが、B23の剛性が破断を引き起こすということはあり得る。
従って比較的脆性のB23を豊富に含むh−BN粒子のその後の粉砕は、実質的
に粒子のさらなる破断を生じ(実質的にさらなる層剥離を伴わずに)、粒子の直
径(その厚みではなく)の低減を実質的に引き起こす。
【0031】 あるいは、粉砕中に生成された酸化ホウ素の接着性が、h−BN粒子が接触し
たときにそれらを付着させて、各h−BN粒子を制約された位置に本質的に固定
するある種の硬質集塊を生成するということもあり得る。この集塊が高速度粉砕
媒体間に捕捉されると、集塊内に拘束された個々の小板がc−方向で(即ち小板
軸に対して垂直に)破断する。
【0032】 あるいは液体媒体の存在下で粉砕する場合、BN小板に対して平行な剪断力を
促進して層剥離を促す様式で、粉砕媒体が粒子に衝撃を与えることを液体は可能
にする。
【0033】 それにもかかわらず、粉砕工程は剪断より衝撃によるほうが多く、あるいはB23の生成は小板の多くの破断を促進するので、慣用的な乾燥粉砕法は高アスペ
クト比h−BN構造を生じるその能力に関して本質的に制限されていたと考えら
れる。
【0034】 本発明は、粉砕媒体と窒化ホウ素と間の剪断衝撃を促進するか又はBNの表面
からB23を除去する水性媒体又は任意の他の液体媒体を用いることによって非
制御破断の問題を解決すると考えられる。液体媒体が層剥離したh−BNの表面
からB23を除去し、それによりさらなる層剥離を起こさせる作用を有するとい
うことが更に考えられる。B23は水中で容易に溶解するということは既知であ
るので、h−BN小板の開裂中にB23が生成されるが、B23の実質的部分は
水性媒体によりh−BN粒子から洗い落とされ、それにより相対的に純粋な層剥
離したh−BN粒子を残すと考えられる。これらの清浄化粒子の粉砕はさらなる
層剥離(破断でなく)を実質的に生じ、それにより高アスペクト比h−BN粉末
を生成する。その後の層剥離の間に生成される任意のB23も水により洗い落と
されるため、層剥離/B23生成/B23洗浄のサイクルが無限に継続し、それ
により高度に層剥離した超高アスペクト比h−BN粉末を生じ得る。
【0035】 従って粉砕液の選定は、h−BNの所望のアスペクト比によるべきである。例
えば高度に層剥離した高アスペクト比h−BN粉末が望ましい場合には、液体は
、(粒子の破断を防止し、層剥離を促進するために)h−BN粒子からB23
容易に除去するものであるべきである。これらの場合、液体はB23を高度に溶
解するもの(即ちB23の溶解度が少なくとも0.01 g/ccであるもの)であるべ
きである。選択された粉砕液中でのB23の溶解度が与えられた場合、物質平衡
計算を用いて、粉砕液容積と総B23の最小比を確定し、BN表面からのB23 の有効な除去を達成し得る。他方で、高アスペクト比のBN小板を生成するため
の機構が剪断粉砕である場合には、十分な密度を有する任意の液体を、粉砕媒体
と組合せて用い得る。
【0036】 非常に薄いだけでなく、いくらか微細でもある調整されたBN粒子、例えば直
径1〜2 μmの薄い小板のBN粉末を生成することも望ましい。これは、層剥離及
び破断したh−BN粒子を生成するために、本発明の粉砕方法を乾燥粉砕(例え
ばHagio等のJ. Am. Cer. Soc. 72: 1482〜84(1989)参照(この記載内容は、参照
により本明細書中に含まれる))と組合せることにより達成され得る。特にh−
BN粉末の平均粒子サイズが約1〜10μmである場合、粒子サイズの変化(例えば
図1の場合に基礎面を横切って半分に粒子を切断すること)は、生成された粒子
の比表面積を有効には変えない(図4参照)。このような場合、粉末の直径のわ
ずかな低減は、高比面積の利点を失うことなく、およそ2〜4倍の多数の粒子を提
供するという利点(これは典型的に、均質性を改良し、従ってBNの性能を改良
する)を提供する。従って好ましい実施態様では、本発明の方法は、約1 μm〜
約2.5 μmの直径を有する層剥離した粒子を生成するのに有効な条件下で、窒化
ホウ素粉末を乾燥粉砕することを更に含む。更に好ましくは、結果的に生じる粉
砕されたh−BN粉末は高アスペクト比を有し、それによって少なくとも約20 m2 /g(好ましくは少なくとも約40 m2/g)の表面積及び約50 nm以下(好ましくは約
20 nm以下)の厚みLcを有し、且つ粒子直径D10が約1 μm〜2.5 μm、更に好ま
しくは約1 μm〜2.25 μmである。好ましくは乾燥粉砕は、粉砕媒体及び粉砕液
体を含む粉砕混合物中での窒化ホウ素粉末の粉砕(「湿式粉砕」)後に実行され
るが、しかしながら乾燥粉砕は湿式粉砕工程の前に実行してもよい。乾燥粉砕後
、得られる粉末を注意深く洗浄、乾燥して、残留B23を除去する必要があるこ
ともある。
【0037】 本発明の別の局面は、溶融ポリマーの押出方法である。この方法は、約50〜約
300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒子を含む粉末をポリマーと配合
して配合物を生成し、そして窒化ホウ素粒子をポリマー全体に分散させるのに有
効な条件で配合物を押出機を通して押し出して、押出生成物を得ることを含む。
【0038】 一実施態様では、ポリマーは熱可塑性ポリマーである。本発明に用いられ得る
熱可塑性ポリマーの例としては、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、例え
ばアイソタクチックポリプロピレン、線状ポリエチレン、例えば高密度ポリエチ
レン(HDPE)、0.89〜0.92の比重を有する線状低密度ポリエチレンのような
線状低密度ポリエチレン(LLDPE)が挙げられる。Dow Chemical Companyの
INSITE(商標)触媒技法により製造された線状低密度ポリエチレン及びEx
xon Chemical Companyから入手可能なEXACT(商標)ポリエチレンも、本発
明に用いられ得る。これらの樹脂は、総称的にmLLDPEと呼ばれる。これら
の線状低密度ポリエチレンは、エチレンと小比率の例えば炭素数4〜8の、比較的
高級なα−モノオレフィン、典型的にはブテン又はオクテンとのコポリマーであ
る。これらの熱可塑性ポリマーのいずれかは、単一ポリマーであり得るし、ある
いはポリマーの配合物であり得る。従ってEXACT(商標)ポリエチレンはし
ばしば、異なる分子量のポリエチレンとの配合物である。
【0039】 他の熱可塑性ポリマーとしては、フルオロポリマーが挙げられる。フルオロポ
リマーの例としては、テトラフルオロエチレンと、1又はそれよりも多くのフッ
素化モノマー、例えばヘキサフルオロプロピレンのような炭素数1〜8のフルオロ
オレフィン、及びペルフルオロ(アルキルビニルエーテル)(この場合、アルキ
ル基が炭素数3〜8である)のような炭素数3〜10のフルオロビニルエーテルとの
溶融−二次加工可能コポリマーが挙げられる。特定のこのようなモノマーとして
は、ペルフルオロ(エチル又はプロピルビニルエーテル)が挙げられる。好まし
くはフルオロポリマーは過フッ素化されており、且つ372℃で0.5 × 103〜5 ×
106 Pa・sの溶融粘度を有する。これらのフルオロポリマーは過フッ素化されて
いるが、過フッ素化されていなくてもよい。例えばフルオロポリマーのフッ素含
有量は、好ましくは少なくとも35重量%である。過フッ素化されていない用いら
れ得るこのようなポリマーの例としては、テトラフルオロエチレン/エチレン及
びクロロトリフルオロエチレン/エチレンコポリマーが挙げられる。
【0040】 ポリオレフィンからフルオロポリマーまでの範囲の熱可塑性ポリマーの多様性
から、多数のその他の熱可塑性ポリマーが本発明において有用であるということ
が明らかである。このような熱可塑性ポリマーはすべて、溶融押出し可能である
ような溶融粘度を有する。
【0041】 当業界で既知のように、ポリマーは、ポリマーの特性を調整するために、種々
のその他の添加剤及び改質剤、例えばUV安定化剤、粘着防止剤、発泡剤及び充
填材(例えば無機物)を含有し得る。
【0042】 好ましくは配合物中の窒化ホウ素粉末の量は、約0〜5000 ppm、更に好ましく
は約100〜1000 ppm、最も好ましくは約200〜500 ppmである。
【0043】 配合は、ミキサー中で、例えばv−配合機中で実行される(以下の実施例参照
)。
【0044】 適切な押出機としては、当業界で既知のような単一スクリュー又は2スクリュ
ー押出機が挙げられる(米国特許第5,688,457号(Buckmaster等)参照、この記
載内容は参照により本明細書中に含まれる)。
【0045】 押出法は当業者には周知であり、本明細書中で詳細に説明しない(例えば米国
特許第2,911,508号、米国特許第3,125,547号、米国特許第5,688,457号(Buckmas
ter等)、Yip等のANTEC 1999, Tech. Papers, 45, New York(1999)参照、これら
の記載内容は参照により本明細書中に含まれる)。要するに、窒化ホウ素粉末及
びポリマーは、ミキサー中で配合される。配合物はホッパーに供給され、ホッパ
ーが押出機に送り込む。ポリマーは、溶融ポリマー全体に窒化ホウ素粒子を分散
させるのに十分な剪断を付与する押出機中で溶融される。
【0046】 一実施態様では、本発明の押出方法は、押出し生成物を未処理ポリマーと混合
して、押出し生成物中で窒化ホウ素粉末の所望濃度を達成することを更に含む。
【0047】 更に別の実施態様では、本発明の窒化ホウ素粉末は、他のポリマー加工助剤、
例えばフルオロエラストマー加工助剤(例えばDynamar(商標)(Dynecon)、Vi
ton(商標)(DuPont Dow Elastomers))と組み合わせることができる。このよ
うな組み合せは、相乗効果を提供し得る。
【0048】 実施例 実施例1−比較例 この比較例は、慣用的な乾式粉砕法が高アスペクト比h−BNを生成できない
ことを実証する。
【0049】 4インチ実験室用高g力サイクロミル(Dayton Tinker Company、オハイオ州デ
ートン)で、3つの粉砕実験を実施した。実験はすべて、約8 m2/gの表面積及び
約6 μmの平均容積粒子小板直径を有する高黒鉛化指数(0.4超)粉末を用いて開
始した。ミルへの投入物は、225グラムの窒化ホウ素、並びにミルのほぼ半分の
容積を充填する1/4インチスチール媒体であった。500 rpmで30分間にわたって乾
式で第一実験を実施した。その結果生じた粉末は高度に汚染されており、レーザ
ー散乱分析用に散乱させるのが困難であった。しかしながら粒子サイズは、SE
Mにより、マイクロメートル以下であることが判明し、約0.25 μmであると考え
られる(図2〜3参照)。Miromeritics Digisorb Analyzerでの単一点技法によ
り表面積を102 m2/gであると測定した。次の2つの二重反復実験は、Stoddard溶
媒粉砕媒体(CAS No.8052-41-3)を用いて実行した。その結果生じた平均容
積粒子サイズは、それぞれ6.835 μm及び5.654 μmと測定された。表面積は、そ
れぞれ33 m2/g及び22.6 m2/gであると測定された。SEMは、粒子がミクロン以
下でないことを確証した。
【0050】 実施例2−高アスペクト比BN粉末の生成 Carborundum Boron Nitride(ニューヨーク州アマースト)から入手可能な高
結晶性六方晶窒化ホウ素粉末であるCTF5を、この実施例のための原料BN物
質として選定した。この高度に焼成された物質は、7.97 m2/gの比表面積及び約3
.4 μmの粒子サイズD10を有する。その黒鉛化指数は0.40超である。
【0051】 約10重量%のCTF5BN粉末、約90重量%の水、約0〜2重量%の極性又は非
極性分散剤及びスチール粉砕媒体を含む粉砕混合物を、以下の表に提示した詳細
に従って配合した。
【0052】 この粉砕混合物を次に、高エネルギーSweco Vibro-Energy粉砕装置モデルNO.M
18L-5(ケンタッキー州フローレンス)中に注ぎ入れ、約4〜48時間にわたって粉砕
した。
【0053】 次に粉砕粉末の形状及び純度を分析した。B23含有量、比表面積、粒子直径
10及び粒子厚Lcを、表1及び2に提示する。
【0054】
【表1】 aMvは、容積平均直径(平均粒子サイズ)である。
【0055】
【表2】 aMvは、容積平均直径(平均粒子サイズ)である。b10は、粒子の10体積%が示されたサイズよりも小さいような値である。c50は、粒子の50体積%が示されたサイズよりも小さいような値である。d90は、粒子の90体積%が示されたサイズよりも小さいような値である。e Mnは、数平均直径である。f Maは、面積平均直径である。g 計算SAは、計算された表面積(Microtracによる球状粒子)である。h Sdは粒子サイズ分布の標準偏差である。i Lcは、厚さ(図1参照)(x線回折による)である。j Laは、直径(x線回折による)である。
【0056】 このデータの分析は、Hagioにより報告されたようなLcが、粒子サイズ、形
状及び表面積の適切な測定値でないということを示した。その代わりに、レーザ
ー散乱によりサイズを測定し、そして走査電子顕微鏡により確証することによっ
て、記載されたような粉砕が、BN小板の層剥離により高表面積粉末を生成する
ことを理解し得る。表面積の増加は、粉砕エネルギーの入力(時間)と線状に相
関する。層剥離粉砕では、レーザー散乱技法により測定したときの粒子直径の変
化が小さい。
【0057】 実施例3−押出助剤としてのBN粉末の分析 米国特許第5,688,457号(Buckmaster等)(この記載内容は、参照により本明
細書中に含まれる)は、窒化ホウ素を含むある種の発泡セル核形成剤を、熱可塑
性ポリマーに添加すると、全体的なメルトフラクチュアが開始しない最大押出速
度が大きくなることを報告している。このような粉末は、好ましくは0.001〜5重
量%の範囲であり、且つ約0.5 μm〜20 μmの粒子サイズを有することをBuckmas
terは教示する。比較的大きいBN粒子よりも、5 μm未満、通常は約2〜5 μmの
範囲のBN粒子が好ましくは選択されることもBuckmasterは教示する。Yip等の
「The Effect Of The Boron Nitride Type And Concentration On The Rheology
And Processability Of Molten Polymers」,ANTEC 1999, Tech. Papers, 45, N
ew York(1999)(「Yip」)(この記載内容は、参照により本明細書中に含まれる
)は、このような加工処理に及ぼす異なるBN型の作用を調べて、(a)集塊化
粉末は望ましくなく;(b)酸素及び/又はB23を多く有する粉末(例えば約5
重量%O2及び2重量%B23)は望ましくなく;そして(c)良好な分散性を有
する粉末が望ましいことを教示した。
【0058】 ポリマー加工のための押出助剤としてのBNの動力学を更に理解するための努
力において、Buckmaster及びYipに示されたのと実質的に同一の押出ラインで、
以下の表3に示した粉末の有用性を調べた。特に全体的なメルトフラクチュア(
「GMF」)が開始するときの最大剪断速度に及ぼすBN粉末の特性変化の影響
を試験した。
【0059】
【表3】 aAS番号は、解析試料番号である。b Mvは、容積平均直径(平均粒子サイズ)である。c10は、粒子の10体積%が示されたサイズよりも小さいような値である。d50は、粒子の50体積%が示されたサイズよりも小さいような値である。e90は、粒子の90体積%が示されたサイズよりも小さいような値である。f BETは、Micromeritics装置で測定したBET表面性である。
【0060】 表3の分析は、多数の結論を導き出した。第1に、本発明の高アスペクト比粉
末を使用すると、全体的なメルトフラクチュアが発生する剪断速度が最大であっ
た。更に、最良に作用した2つの粉末は、高温で熱処理したものであった。前記
のように、これら高焼成粉末は、高度に六方晶格子を有する。これらの物質の表
面は一般に、その上に付着した任意の官能基を有さない(即ちそれらは化学的に
清浄である)。これらの表面の清浄性は、低摩擦性をもたらすと考えられる。従
って加工助剤としてBNを用いる場合、高度に六方晶格子を有するBN粉末を用
いることが望ましい。
【0061】 最も良好に作用する粉末AS431は、高度に層剥離していた。このような薄
い粒子は側面積が小さく、これは圧力降下を低減させるための機構がダイ堆積で
ある場合に好ましい。更にこのような小さい側面壁は、ダイ壁上に堆積した場合
に、低抗が小さいためにより付着性であり得る。従って加工助剤としてBNを用
いる場合、高アスペクト比を有するBN粉末、例えば本発明の粉末を用いるのが
望ましい。
【0062】 高B23残留物含有量(約20 ppmより多い)は、溶融体内の粒子分散を強化し
得る(四ホウ酸カルシウム及び有機酸塩に関してBuckmasterが記載したのと同様
の方法で)。この知見は、O2/B23が望ましくないというYipの結論と明らか
に矛盾することに留意すべきである。従って、加工助剤としてBNを用いる場合
には、少なくとも0.5重量%のB23を含有するBN粉末を用いることが望まし
い。
【0063】 微細な粒子サイズが重要であるという従来技術の結論は、表3ではまったく支
持されない。
【0064】 高表面積粉末は最良の結果を成し遂げたが、最小の表面積を有する粉末(CF
T5)は二番目に良好な粉末であった。従って、表面積自体はBN加工助剤粉末
の有用性を決定するに際して大きな要素であるとは思われない。
【0065】 従って、高アスペクト比、そしておそらくは最小B23含有量の高度に焼成し
たBN粉末が、最も望ましいポリマー押出助剤である。
【0066】 説明のために本発明を詳細に記載してきたが、このような詳細は単に説明のた
めのものであり、以下の特許請求の範囲により定義される本発明の本質及び範囲
を逸脱しない限り、当業者によりそこに変更が成され得ることが理解される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 図1は、窒化ホウ素の構造を示す図であって、多数のこれらの単位がBN小板
を作り上げる。
【図2A〜C】 図2A〜Cは、慣用的な乾式粉砕手法により生成されたh−BNの走査型電子
顕微鏡(「SEM」)写真である。
【図3A〜C】 図3A〜Cは、慣用的な乾式粉砕手法により生成されたh−BNのSEM写真
である。
【図4】 図4は、本発明のh−BN粉末の比表面積、粒子直径及び厚み作用を示すグラ
フである。
【手続補正書】
【提出日】平成15年6月9日(2003.6.9)
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0066
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0066】 説明のために本発明を詳細に記載してきたが、このような詳細は単に説明のた
めのものであり、特許請求の範囲により定義される本発明の本質及び範囲を逸脱
しない限り、当業者によりそこに変更が成され得ることが理解される。 従って本発明の実施形態としては下記のものを挙げることができる: (実施形態1) 約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒
子を含む粉末。 (実施形態2) 前記粒子が少なくとも約20 m2/gの表面積を有する、実施
形態1記載の粉末。 (実施形態3) 前記粒子が少なくとも約40 m2/gの表面積を有する、実施
形態2記載の粉末。 (実施形態4) 前記粒子が少なくとも約60 m2/gの表面積を有する、実施
形態3記載の粉末。 (実施形態5) 前記粒子が約1 μmより大きい特微直径を有する、実施形
態1記載の粉末。 (実施形態6) 前記粒子が約1 μm〜約2.5 μmのD10直径を有する、実施 形態1記載の粉末。 (実施形態7) 前記粒子が約50 nm以下の厚みを有する、実施形態1記載
の粉末。 (実施形態8) 粉末が少なくとも0.15の結晶化指数を有する、実施形態1 記載の粉末。 (実施形態9) 粉末が約500 ppm以下のB23を含む、実施形態1記載の
粉末。 (実施形態10) 粉末が少なくとも約0.5重量%のB23を含む、実施形
態1記載の粉末。 (実施形態11) 六方晶窒化ホウ素粉末を提供し、そして 約50〜約300のアスペクト比を有する層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末を生成
するのに効果的な条件において、粉砕混合物中で前記六方晶窒化ホウ素を粉砕す ること、 を含む、層剥離した六方晶窒化ホウ素の製造方法。 (実施形態12) 前記提供工程が原料窒化ホウ素粉末を高焼成処理するこ とを含む、実施形態11記載の方法。 (実施形態13) 前記六方晶窒化ホウ素粉末が少なくとも0.15の結晶化指 数を有する、実施形態11記載の方法。 (実施形態14) 前記六方晶窒化ホウ素粉末が、粉砕混合物の約5重量%
〜約30重量%である、実施形態11記載の方法。 (実施形態15) 前記粉砕混合物が粉砕媒体及び粉砕液体を含む、実施形 態11記載の方法。 (実施形態16) 前記粉砕媒体がジルコニア、鋼球、アルミナ、窒化ケイ 素、炭化ケイ素、炭化ホウ素、酸化カルシウム又は酸化マグネシウムである、実 施形態15記載の方法。 (実施形態17) 前記粉砕媒体が約1 mm〜約20 mmの平均直径を有する、
実施形態15記載の方法。 (実施形態18) 前記粉砕液体が、B23が可溶性である任意の液体であ る、実施形態15記載の方法。 (実施形態19) 前記粉砕液体が水、メタノール、エタノール、プロパノ ール、ブタノール、低分子量アルコールの異性体、アセトン又は超臨界CO2
ある、実施形態15記載の方法。 (実施形態20) 前記粉砕液体が、前記粉砕混合物の約70重量%〜約90重 量%である、実施形態15記載の方法。 (実施形態21) 分散剤を粉砕混合物に添加することを更に含む、実施形 態11記載の方法。 (実施形態22) 約1重量%〜20重量%アルコールを前記粉砕混合物に添
加することを更に含む、実施形態11記載の方法。 (実施形態23) 前記粉砕を約8〜約48時間にわたって行う、実施形態1
1記載の方法。 (実施形態24) 粉砕温度が約30℃以下である、実施形態11記載の方法 (実施形態25) 前記粉砕の前又は後に、六方晶窒化ホウ素粉末を乾式粉 砕することを更に含む、実施形態11記載の方法。 (実施形態26) 約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素
粒子を含む粉末を、ポリマーと配合して配合物を生成し、そして 前記窒化ホウ素粒子をポリマー全体に分散させるのに有効な条件下で、前記配 合物を押出機を通して押し出して、押出生成物を得ること、 を含む、溶融ポリマーの押出方法。 (実施形態27) 前記配合がv−配合を含む、実施形態26記載の方法。 (実施形態28) 前記配合物が約0〜5000 ppmの前記粉末を含む、実施形
態26記載の方法。 (実施形態29) 前記配合物が約100〜1000 ppmの前記粉末を含む、実施
形態28記載の方法。 (実施形態30) 前記配合物が約200〜500 ppmの前記粉末を含む、実施形 態29記載の方法。 (実施形態31) 前記粒子が少なくとも約20 m2/gの表面積を有する、実
施形態26記載の方法。 (実施形態32) 前記粒子が少なくとも約40 m2/gの表面積を有する、実
施形態31記載の方法。 (実施形態33) 前記粒子が少なくとも約60 m2/gの表面積を有する、実
施形態32記載の方法。 (実施形態34) 前記粒子が約1 μmより大きい特微直径を有する、実施
形態26記載の方法。 (実施形態35) 前記粒子が約1 μm〜約2.5 μmのD10直径を有する、実 施形態26記載の方法。 (実施形態36) 前記粒子が約50 nm以下の厚みを有する、実施形態26
記載の方法。 (実施形態37) 前記粉末が少なくとも0.15の結晶化指数を有する、実施 形態26記載の方法。 (実施形態38) 前記ポリマーが熱可塑性ポリマーである、実施形態26 記載の方法。 (実施形態39) 押出生成品中で窒化ホウ素粉末の所望の濃度を達成する のに有用な条件下で、未処理ポリマーと前記押出生成品を混合することを更に含 む、実施形態26記載の方法。 (実施形態40) フルオロエラストマーポリマー加工助剤を配合物に添加 することを更に含む、実施形態26記載の方法。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE,TR),OA(BF ,BJ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW, ML,MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,G M,KE,LS,MW,MZ,SD,SL,SZ,TZ ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ, MD,RU,TJ,TM),AE,AG,AL,AM, AT,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,B Z,CA,CH,CN,CR,CU,CZ,DE,DK ,DM,DZ,EE,ES,FI,GB,GD,GE, GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS,J P,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR ,LS,LT,LU,LV,MA,MD,MG,MK, MN,MW,MX,MZ,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ ,TM,TR,TT,TZ,UA,UG,UZ,VN, YU,ZA,ZW (72)発明者 ラボーレ,セブライン エム. アメリカ合衆国,マサチューセッツ 01760,ナティック,ウェイバン ストリ ート 18 Fターム(参考) 4J002 AA011 BB031 BB121 BD121 BD151 DK006 FD016

Claims (40)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒子
    を含む粉末。
  2. 【請求項2】 前記粒子が少なくとも約20 m2/gの表面積を有する、請求項
    1記載の粉末。
  3. 【請求項3】 前記粒子が少なくとも約40 m2/gの表面積を有する、請求項
    2記載の粉末。
  4. 【請求項4】 前記粒子が少なくとも約60 m2/gの表面積を有する、請求項
    3記載の粉末。
  5. 【請求項5】 前記粒子が約1 μmより大きい特微直径を有する、請求項1
    記載の粉末。
  6. 【請求項6】 前記粒子が約1 μm〜約2.5 μmのD10直径を有する、請求項
    1記載の粉末。
  7. 【請求項7】 前記粒子が約50 nm以下の厚みを有する、請求項1記載の粉
    末。
  8. 【請求項8】 粉末が少なくとも0.15の結晶化指数を有する、請求項1記載
    の粉末。
  9. 【請求項9】 粉末が約500 ppm以下のB23を含む、請求項1記載の粉末
  10. 【請求項10】 粉末が少なくとも約0.5重量%のB23を含む、請求項1
    記載の粉末。
  11. 【請求項11】 六方晶窒化ホウ素粉末を提供し、そして 約50〜約300のアスペクト比を有する層剥離した六方晶窒化ホウ素粉末を生成
    するのに効果的な条件において、粉砕混合物中で前記六方晶窒化ホウ素を粉砕す
    ること、 を含む、層剥離した六方晶窒化ホウ素の製造方法。
  12. 【請求項12】 前記提供工程が原料窒化ホウ素粉末を高焼成処理すること
    を含む、請求項11記載の方法。
  13. 【請求項13】 前記六方晶窒化ホウ素粉末が少なくとも0.15の結晶化指数
    を有する、請求項11記載の方法。
  14. 【請求項14】 前記六方晶窒化ホウ素粉末が、粉砕混合物の約5重量%〜
    約30重量%である、請求項11記載の方法。
  15. 【請求項15】 前記粉砕混合物が粉砕媒体及び粉砕液体を含む、請求項1
    1記載の方法。
  16. 【請求項16】 前記粉砕媒体がジルコニア、鋼球、アルミナ、窒化ケイ素
    、炭化ケイ素、炭化ホウ素、酸化カルシウム又は酸化マグネシウムである、請求
    項15記載の方法。
  17. 【請求項17】 前記粉砕媒体が約1 mm〜約20 mmの平均直径を有する、請
    求項15記載の方法。
  18. 【請求項18】 前記粉砕液体が、B23が可溶性である任意の液体である
    、請求項15記載の方法。
  19. 【請求項19】 前記粉砕液体が水、メタノール、エタノール、プロパノー
    ル、ブタノール、低分子量アルコールの異性体、アセトン又は超臨界CO2であ
    る、請求項15記載の方法。
  20. 【請求項20】 前記粉砕液体が、前記粉砕混合物の約70重量%〜約90重量
    %である、請求項15記載の方法。
  21. 【請求項21】 分散剤を粉砕混合物に添加することを更に含む、請求項1
    1記載の方法。
  22. 【請求項22】 約1重量%〜20重量%アルコールを前記粉砕混合物に添加
    することを更に含む、請求項11記載の方法。
  23. 【請求項23】 前記粉砕を約8〜約48時間にわたって行う、請求項11記
    載の方法。
  24. 【請求項24】 粉砕温度が約30℃以下である、請求項11記載の方法。
  25. 【請求項25】 前記粉砕の前又は後に、六方晶窒化ホウ素粉末を乾式粉砕
    することを更に含む、請求項11記載の方法。
  26. 【請求項26】 約50〜約300のアスペクト比を有する六方晶窒化ホウ素粒
    子を含む粉末を、ポリマーと配合して配合物を生成し、そして 前記窒化ホウ素粒子をポリマー全体に分散させるのに有効な条件下で、前記配
    合物を押出機を通して押し出して、押出生成物を得ること、 を含む、溶融ポリマーの押出方法。
  27. 【請求項27】 前記配合がv−配合を含む、請求項26記載の方法。
  28. 【請求項28】 前記配合物が約0〜5000 ppmの前記粉末を含む、請求項2
    6記載の方法。
  29. 【請求項29】 前記配合物が約100〜1000 ppmの前記粉末を含む、請求項
    28記載の方法。
  30. 【請求項30】 前記配合物が約200〜500 ppmの前記粉末を含む、請求項2
    9記載の方法。
  31. 【請求項31】 前記粒子が少なくとも約20 m2/gの表面積を有する、請求
    項26記載の方法。
  32. 【請求項32】 前記粒子が少なくとも約40 m2/gの表面積を有する、請求
    項31記載の方法。
  33. 【請求項33】 前記粒子が少なくとも約60 m2/gの表面積を有する、請求
    項32記載の方法。
  34. 【請求項34】 前記粒子が約1 μmより大きい特微直径を有する、請求項
    26記載の方法。
  35. 【請求項35】 前記粒子が約1 μm〜約2.5 μmのD10直径を有する、請求
    項26記載の方法。
  36. 【請求項36】 前記粒子が約50 nm以下の厚みを有する、請求項26記載
    の方法。
  37. 【請求項37】 前記粉末が少なくとも0.15の結晶化指数を有する、請求項
    26記載の方法。
  38. 【請求項38】 前記ポリマーが熱可塑性ポリマーである、請求項26記載
    の方法。
  39. 【請求項39】 押出生成品中で窒化ホウ素粉末の所望の濃度を達成するの
    に有用な条件下で、未処理ポリマーと前記押出生成品を混合することを更に含む
    、請求項26記載の方法。
  40. 【請求項40】 フルオロエラストマーポリマー加工助剤を配合物に添加す
    ることを更に含む、請求項26記載の方法。
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Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519180A (ja) * 2003-12-09 2007-07-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ヒドロフルオロカーボンポリマー組成物
JP2007230994A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 General Electric Co <Ge> 窒化ホウ素を含む局所塗布組成物
JP2011079715A (ja) * 2009-10-08 2011-04-21 National Institute For Materials Science 超薄窒化ホウ素ナノシート及びその製造方法ならびに該シートを含有する光学用素材
JP2012056818A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 六方晶窒化ホウ素粉末及びそれを用いた高熱伝導性、高耐湿性放熱シート
JP2012528202A (ja) * 2008-03-26 2012-11-12 エコピューロ・エルエルシー 充填剤で補強された構造的に強化されたプラスチック
JP2015036361A (ja) * 2013-08-16 2015-02-23 Dic株式会社 変性窒化ホウ素、その製造方法及び組成物
JP2015140337A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 水島合金鉄株式会社 化粧料用の六方晶窒化ホウ素粉末ならびに化粧料
JP2015529280A (ja) * 2012-09-19 2015-10-05 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク 剥離した窒化ホウ素を含む組成物およびその組成物を形成する方法
JP2015537075A (ja) * 2012-10-19 2015-12-24 ラトガース,ザ ステート ユニバーシティ オブ ニュー ジャージー グラフェン補強ポリマーマトリクス複合体を製造するためのinsitu剥離方法
JP2018059064A (ja) * 2017-09-20 2018-04-12 エコピューロ・エルエルシー 充填剤で補強された構造的に強化されたプラスチック
US10253154B2 (en) 2013-04-18 2019-04-09 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ exfoliation method to fabricate a graphene-reinforced polymer matrix composite
US10329391B2 (en) 2014-07-30 2019-06-25 Rutgers, The State University Of New Jersey Graphene-reinforced polymer matrix composites
JPWO2018066277A1 (ja) * 2016-10-07 2019-07-25 デンカ株式会社 窒化ホウ素塊状粒子、その製造方法及びそれを用いた熱伝導樹脂組成物
US11059945B2 (en) 2016-07-22 2021-07-13 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ bonding of carbon fibers and nanotubes to polymer matrices
JP2021102539A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 デンカ株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法、並びに化粧料及びその製造方法
WO2022085517A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 株式会社Adeka 窒化ホウ素材料、該窒化ホウ素材料を含有する樹脂組成物及び絶縁材料
KR20220138183A (ko) * 2021-04-05 2022-10-12 한국과학기술원 바인더 무첨가 질화붕소 필름의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 질화붕소 필름을 포함하는 방열 재료
US11479653B2 (en) 2018-01-16 2022-10-25 Rutgers, The State University Of New Jersey Use of graphene-polymer composites to improve barrier resistance of polymers to liquid and gas permeants
US11479652B2 (en) 2012-10-19 2022-10-25 Rutgers, The State University Of New Jersey Covalent conjugates of graphene nanoparticles and polymer chains and composite materials formed therefrom
US11702518B2 (en) 2016-07-22 2023-07-18 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ bonding of carbon fibers and nanotubes to polymer matrices
US11760640B2 (en) 2018-10-15 2023-09-19 Rutgers, The State University Of New Jersey Nano-graphitic sponges and methods for fabricating the same
US11807757B2 (en) 2019-05-07 2023-11-07 Rutgers, The State University Of New Jersey Economical multi-scale reinforced composites

Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7976941B2 (en) 1999-08-31 2011-07-12 Momentive Performance Materials Inc. Boron nitride particles of spherical geometry and process for making thereof
US6660241B2 (en) * 2000-05-01 2003-12-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof
US6764975B1 (en) * 2000-11-28 2004-07-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method for making high thermal diffusivity boron nitride powders
EP1397421B1 (en) * 2001-04-30 2019-09-04 Saint-Gobain Ceramics and Plastics, Inc. Polymer processing aid and method for processing polymers
US6645612B2 (en) 2001-08-07 2003-11-11 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. High solids hBN slurry, hBN paste, spherical hBN powder, and methods of making and using them
CA2430861A1 (en) * 2002-06-03 2003-12-03 The University Of British Columiba Extrusion aid combination
US7157517B2 (en) * 2003-07-16 2007-01-02 Wayne State University Method of delaminating a graphite structure with a coating agent in a supercritical fluid
US7494635B2 (en) 2003-08-21 2009-02-24 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Boron nitride agglomerated powder
DE602004031971D1 (de) * 2003-11-18 2011-05-05 Nat Inst For Materials Science Einkristall aus hochgereinigtem hexagonalem bornitrid, der zur lichtemission im tiefen ultraviolett mit hoher leuchtdichte befähigt ist, herstellungsverfahren dafür, licht im tiefen ultraviolett mit hoher leuchtdichte emittierende vorrichtung und verofflichtemissionseinheit
JP4859173B2 (ja) * 2005-07-01 2012-01-25 独立行政法人物質・材料研究機構 遠紫外高輝度発光する高純度六方晶窒化ホウ素単結晶粉末とその製造方法
CN101379168A (zh) 2006-01-12 2009-03-04 阿肯色大学评议会 纳米颗粒组合物、其制备方法及用途
US10100266B2 (en) 2006-01-12 2018-10-16 The Board Of Trustees Of The University Of Arkansas Dielectric nanolubricant compositions
US20070205706A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 General Electric Company Optical Substrate Comprising Boron Nitride Particles
US8663665B2 (en) * 2006-03-02 2014-03-04 Momentive Performance Materials Inc. Anti-chafing compositions comprising boron nitride
US8206729B2 (en) * 2006-03-02 2012-06-26 Momentive Performance Materials Inc. Compositions for topical applications comprising boron nitride
US20100093922A1 (en) 2008-03-26 2010-04-15 Johnson Sr William L Structurally enhanced plastics with filler reinforcements
US8250477B1 (en) * 2008-11-04 2012-08-21 Sensei, Inc. Mobile client application for managing user interface components
WO2011014641A1 (en) 2009-07-30 2011-02-03 The Procter & Gamble Company Fabric conditioning fabric care articles comprising a particulate lubricant agent
US9782542B2 (en) * 2009-10-01 2017-10-10 Momentive Performance Materials Inc. Self-lubricating pharmaceutical syringe stoppers
JP2011128406A (ja) * 2009-12-18 2011-06-30 Konica Minolta Business Technologies Inc 静電潜像現像用トナー及び画像形成方法
AU2011293382B2 (en) * 2010-08-24 2016-07-07 Ecopuro, Llc Cellular foam additive
JP5722016B2 (ja) * 2010-12-07 2015-05-20 国立大学法人東北大学 窒化ホウ素粉末の表面処理方法
JP2013040062A (ja) * 2011-08-12 2013-02-28 Mitsubishi Chemicals Corp 六方晶窒化ホウ素粉末、それを含有する熱伝導性樹脂組成物及びそれによる成形体
KR101310072B1 (ko) * 2011-10-14 2013-09-24 한양대학교 에리카산학협력단 전기절연성과 열전도성을 갖는 세라믹/고분자 복합분말 및 그 제조방법
US8834739B1 (en) 2011-10-19 2014-09-16 The Boeing Company Boron nitride nano-platelete based materials
KR20140102217A (ko) 2011-12-16 2014-08-21 티코나 엘엘씨 폴리아릴렌 설파이드 조성물용 핵 형성 시스템
WO2013090163A1 (en) 2011-12-16 2013-06-20 Ticona Llc Boron-containing nucleating agent for polyphenylene sulfide
US8852487B2 (en) 2011-12-16 2014-10-07 Ticona Llc Injection molding of polyarylene sulfide compositions
US8796392B2 (en) 2011-12-16 2014-08-05 Ticona Llc Low temperature injection molding of polyarylene sulfide compositions
US8486870B1 (en) 2012-07-02 2013-07-16 Ajay P. Malshe Textured surfaces to enhance nano-lubrication
US8476206B1 (en) 2012-07-02 2013-07-02 Ajay P. Malshe Nanoparticle macro-compositions
US20140080951A1 (en) 2012-09-19 2014-03-20 Chandrashekar Raman Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
US9434870B2 (en) 2012-09-19 2016-09-06 Momentive Performance Materials Inc. Thermally conductive plastic compositions, extrusion apparatus and methods for making thermally conductive plastics
WO2014047274A1 (en) 2012-09-19 2014-03-27 Momentive Performance Materials Inc. Masterbatch comprising boron nitride, composite powders thereof, and compositions and articles comprising such materials
EP3092207A4 (en) * 2014-01-06 2017-06-14 Momentive Performance Materials Inc. High aspect boron nitride, methods, and composition containing the same
JP6284019B2 (ja) * 2014-04-03 2018-02-28 株式会社豊田中央研究所 窒化ホウ素ナノシート含有分散液及びその製造方法、窒化ホウ素ナノシート複合体及びその製造方法
EP3115404B1 (de) 2015-07-08 2018-01-31 Covestro Deutschland AG Bornitrid-hybridmaterial-haltige thermoplastische zusammensetzung
EP3115405B1 (de) 2015-07-08 2017-12-27 Covestro Deutschland AG Bornitrid-haltige thermoplastische zusammensetzung
JP2019500221A (ja) 2015-12-29 2019-01-10 モメンティブ パフォーマンス マテリアルズ インコーポレイテッド 金属処理のための窒化ホウ素コーティングおよびその使用方法
CN107814363A (zh) * 2016-09-13 2018-03-20 罗杰斯公司 一种模板法制备膨胀六方氮化硼的方法
WO2018093987A1 (en) 2016-11-16 2018-05-24 Rogers Corporation Method for the manufacture of thermally conductive composite materials and articles comprising the same
JP6822836B2 (ja) * 2016-12-28 2021-01-27 昭和電工株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末、その製造方法、樹脂組成物及び樹脂シート
US20180230290A1 (en) * 2017-02-10 2018-08-16 E I Du Pont De Nemours And Company Thermally conductive polymer composition
US10834854B2 (en) 2017-02-28 2020-11-10 Northeastern University Methods for the manufacture of thermal interfaces, thermal interfaces, and articles comprising the same
EP3502306B1 (de) 2017-12-19 2022-03-02 Covestro Deutschland AG Mehrschichtkörper, umfassend eine substratschicht enthaltend polycarbonat, talk und wachs
KR20200090827A (ko) 2017-12-20 2020-07-29 코베스트로 도이칠란트 아게 우수한 난연성 수준을 갖는 폴리카르보네이트 조성물
CN110240130A (zh) * 2018-03-07 2019-09-17 罗杰斯公司 通过模板化制备六方氮化硼的方法
CN112806103A (zh) 2018-10-02 2021-05-14 罗杰斯公司 包含经涂覆的氮化硼的印刷电路板基板
CA3110834C (en) * 2018-10-29 2023-02-21 Hitachi Metals, Ltd. Manufacturing method of boron nitride nanomaterial and boron nitride nanomaterial, manufacturing method of composite material and composite material, and method of purifying boron nitride nanomaterial
JP6955127B1 (ja) 2019-12-19 2021-10-27 株式会社トクヤマ 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法
KR20220124724A (ko) 2020-01-08 2022-09-14 로저스코포레이션 높은 열전도도의 층상 상 변화 복합재
EP4105253A1 (de) 2021-06-17 2022-12-21 Covestro Deutschland AG Thermoplastische formmasse mit verbesserter thermischer und elektrischer leitfähigkeit

Family Cites Families (80)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4107276A (en) * 1974-12-30 1978-08-15 Elektroschmelzwerk Kempten Gmbh Manufacture of hexagonal boron nitride
US4188194A (en) 1976-10-29 1980-02-12 General Electric Company Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride
US4195002A (en) 1978-07-27 1980-03-25 International Lead Zinc Research Organization, Inc. Water-dispersible coatings containing boron nitride for steel casting dies
JPS5891005A (ja) 1981-11-25 1983-05-30 Toshiba Corp 窒化ケイ素粉末の製造方法
DE3201563A1 (de) * 1982-01-20 1983-07-28 Elektroschmelzwerk Kempten GmbH, 8000 München Dichte formkoerper aus polykristallinem, hexagonalem bornitrid und verfahren zu ihrer herstellung durch isostatisches heisspressen
US4801445A (en) 1985-07-29 1989-01-31 Shiseido Company Ltd. Cosmetic compositions containing modified powder or particulate material
EP0212870B1 (en) 1985-07-29 1992-04-15 Shiseido Company Limited Silicone polymer-coated powder or particulate material
CA1306904C (en) 1985-10-09 1992-09-01 Tetsumi Suzuki Electrically conductive material and secondary battery using the electrically conductive material
JPS6291409A (ja) * 1985-10-17 1987-04-25 Kawasaki Steel Corp 易焼結性窒化硼素粉末の製造方法
US4997633A (en) 1986-01-30 1991-03-05 Kawasaki Steel Corporation Water-soluble boron containing impurity reduced hexagonally crystalline boron nitride
US4849284A (en) 1987-02-17 1989-07-18 Rogers Corporation Electrical substrate material
US4869954A (en) 1987-09-10 1989-09-26 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials
US5001091A (en) 1987-11-02 1991-03-19 Norton Company Readily moldable or castable ceramic powders
JPH01221454A (ja) 1988-02-29 1989-09-04 Shin Etsu Chem Co Ltd 押出成形用シリコーンゴム組成物
FR2633279A1 (fr) * 1988-06-27 1989-12-29 Rhone Poulenc Chimie Nouveau materiau a base de nitrure de bore, son procede de preparation et son utilisation comme agent de renforcement
US4863881A (en) 1988-09-15 1989-09-05 California Institute Of Technology Shock consolidation of cubic boron nitride with whiskers of silicon compounds
JPH069730B2 (ja) 1989-01-13 1994-02-09 花野商事株式会社 ダイカスト用粉末離型剤
US5011870A (en) 1989-02-08 1991-04-30 Dow Corning Corporation Thermally conductive organosiloxane compositions
JPH0312316A (ja) * 1989-06-12 1991-01-21 Shin Etsu Chem Co Ltd 窒化ホウ素粉末及びその焼結体
US5098609A (en) 1989-11-03 1992-03-24 The Research Foundation Of State Univ. Of N.Y. Stable high solids, high thermal conductivity pastes
FR2655638A1 (fr) 1989-12-08 1991-06-14 Rhone Poulenc Chimie Nitrure de bore hexagonal monodisperse de haute purete vis-a-vis des metaux et de l'oxygene et son procede de preparation.
US5064589A (en) 1989-12-29 1991-11-12 Showa Denko K.K. Method for producing high density hexagonal boron nitride sintered article
US5116589A (en) * 1990-06-18 1992-05-26 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy High density hexagonal boron nitride prepared by hot isostatic pressing in refractory metal containers
JPH04164805A (ja) * 1990-10-30 1992-06-10 Kawasaki Steel Corp 高純度六方晶窒化硼素粉末の製造方法
JP2981002B2 (ja) 1991-04-23 1999-11-22 松下電工株式会社 窒化アルミニウム粉末
US5194480A (en) 1991-05-24 1993-03-16 W. R. Grace & Co.-Conn. Thermally conductive elastomer
EP0519644B1 (en) * 1991-06-17 1996-12-11 General Electric Company Silicon carbide composite with metal nitride coated fiber reinforcement
US5285108A (en) 1991-06-21 1994-02-08 Compaq Computer Corporation Cooling system for integrated circuits
US5194071A (en) * 1991-07-25 1993-03-16 General Electric Company Inc. Cubic boron nitride abrasive and process for preparing same
US5213868A (en) 1991-08-13 1993-05-25 Chomerics, Inc. Thermally conductive interface materials and methods of using the same
JP2925402B2 (ja) 1991-09-11 1999-07-28 三菱電機株式会社 高熱伝導性低収縮湿式不飽和ポリエステル系樹脂組成物を成形してなる筐体を有する回路遮断器
US5229339A (en) 1991-11-12 1993-07-20 Norton Company Pressure casting ceramic slurries
JP3316590B2 (ja) * 1992-01-08 2002-08-19 川崎製鉄株式会社 六方晶窒化ほう素粉末およびその製造方法
US5234712A (en) 1992-06-08 1993-08-10 The Dow Chemical Company Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby
ATE146509T1 (de) * 1992-07-23 1997-01-15 Silberline Ltd Metallpulverpigment
GB9222548D0 (en) 1992-10-27 1992-12-09 Foseco Int Metallurgical pouring vessels
US5985228A (en) 1992-12-22 1999-11-16 General Electric Company Method for controlling the particle size distribution in the production of multicrystalline cubic boron nitride
US5312571A (en) 1993-01-07 1994-05-17 Norton Company Shaped bodies and the production thereof
DE69328687D1 (de) 1993-07-06 2000-06-21 Toshiba Kawasaki Kk Wärmeleitende platte
US5510174A (en) 1993-07-14 1996-04-23 Chomerics, Inc. Thermally conductive materials containing titanium diboride filler
US5571760A (en) 1993-08-27 1996-11-05 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation Silicon nitride having a high tensile strength
JPH07157369A (ja) 1993-12-10 1995-06-20 Hitachi Ltd セラミックス造粒粉
US5591034A (en) 1994-02-14 1997-01-07 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive adhesive interface
US5545473A (en) 1994-02-14 1996-08-13 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive interface
US5528462A (en) 1994-06-29 1996-06-18 Pendse; Rajendra D. Direct chip connection using demountable flip chip package
FR2725129B1 (fr) 1994-09-30 1997-06-13 Oreal Composition cosmetique anhydre resistante a l'eau
US5759481A (en) 1994-10-18 1998-06-02 Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corp. Silicon nitride having a high tensile strength
US5601874A (en) 1994-12-08 1997-02-11 The Dow Chemical Company Method of making moisture resistant aluminum nitride powder and powder produced thereby
US5567353A (en) 1995-04-13 1996-10-22 Rohm And Haas Company Method for dispersing ceramic material in an aqueous medium
WO1996035651A1 (en) 1995-05-10 1996-11-14 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. High solids silicon nitride slurries
DE19620942A1 (de) 1995-06-05 1996-12-12 Gen Electric Effizientes Verfahren zum Hydrophobieren von anorganischem Pulver
JPH09151324A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Fuji Kobunshi Kogyo Kk 難燃性・高熱伝導性シリコーンゴム組成物
JP3461651B2 (ja) 1996-01-24 2003-10-27 電気化学工業株式会社 六方晶窒化ほう素粉末及びその用途
US5681883A (en) 1996-03-05 1997-10-28 Advanced Ceramics Corporation Enhanced boron nitride composition and polymer based high thermal conductivity molding compound
US5898009A (en) 1996-03-19 1999-04-27 Advanced Ceramics Corporation High density agglomerated boron nitride particles
US5688457A (en) * 1996-04-10 1997-11-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company High speed extrusion
US5950066A (en) 1996-06-14 1999-09-07 The Bergquist Company Semisolid thermal interface with low flow resistance
US5738936A (en) 1996-06-27 1998-04-14 W. L. Gore & Associates, Inc. Thermally conductive polytetrafluoroethylene article
US6319602B1 (en) * 1996-08-06 2001-11-20 Otsuka Kagaku Kabushiki Kaisha Boron nitride and process for preparing the same
JPH1072205A (ja) * 1996-08-29 1998-03-17 Otsuka Chem Co Ltd 微細な盤状六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法
JP3142800B2 (ja) 1996-08-09 2001-03-07 信越化学工業株式会社 熱伝導性シリコーン組成物、熱伝導性材料及び熱伝導性シリコーングリース
TW398163B (en) 1996-10-09 2000-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd The plate for heat transfer substrate and manufacturing method thereof, the heat-transfer substrate using such plate and manufacturing method thereof
US5781412A (en) 1996-11-22 1998-07-14 Parker-Hannifin Corporation Conductive cooling of a heat-generating electronic component using a cured-in-place, thermally-conductive interlayer having a filler of controlled particle size
JPH10194711A (ja) * 1997-01-13 1998-07-28 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末及びその製造方法
JP3714502B2 (ja) 1997-01-24 2005-11-09 三井化学株式会社 高熱伝導性樹脂組成物
JP2001503471A (ja) 1997-02-07 2001-03-13 ロックタイト コーポレーション 伝導性樹脂組成物
US5907474A (en) 1997-04-25 1999-05-25 Advanced Micro Devices, Inc. Low-profile heat transfer apparatus for a surface-mounted semiconductor device employing a ball grid array (BGA) device package
US5926371A (en) 1997-04-25 1999-07-20 Advanced Micro Devices, Inc. Heat transfer apparatus which accommodates elevational disparity across an upper surface of a surface-mounted semiconductor device
JP3714506B2 (ja) 1997-06-17 2005-11-09 三井化学株式会社 優れた耐水性を有する高熱伝導性樹脂組成物
JPH1145965A (ja) 1997-07-28 1999-02-16 Kyocera Corp 伝熱性化合物およびこれを用いた半導体装置
JPH1160215A (ja) * 1997-08-04 1999-03-02 Shin Etsu Chem Co Ltd 高充填性窒化ホウ素粉末造粒物及びその製造方法並びに等方性窒化ホウ素成形体の製造方法
JPH11134944A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Fujikura Ltd 高熱伝導性絶縁材料及び超電導ケーブル
US6168859B1 (en) 1998-01-29 2001-01-02 The Dow Chemical Company Filler powder comprising a partially coated alumina powder and process to make the filler powder
EP0939066B1 (en) 1998-02-16 2002-08-07 Advanced Ceramics Corporation Method for forming high density boron nitride and high density agglomerated boron nitride particles
US5908796A (en) 1998-05-01 1999-06-01 Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. Dense silicon nitride ceramic having fine grained titanium carbide
US6136758A (en) 1998-08-17 2000-10-24 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Aluminum nitride powder and thermally conductive grease composition using the same
US6162849A (en) 1999-01-11 2000-12-19 Ferro Corporation Thermally conductive thermoplastic
US6158894A (en) 1999-07-28 2000-12-12 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. All ceramic bearing
US6660241B2 (en) * 2000-05-01 2003-12-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Highly delaminated hexagonal boron nitride powders, process for making, and uses thereof
US6764975B1 (en) * 2000-11-28 2004-07-20 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Method for making high thermal diffusivity boron nitride powders

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007519180A (ja) * 2003-12-09 2007-07-12 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ヒドロフルオロカーボンポリマー組成物
JP2007230994A (ja) * 2006-03-02 2007-09-13 General Electric Co <Ge> 窒化ホウ素を含む局所塗布組成物
JP2012528202A (ja) * 2008-03-26 2012-11-12 エコピューロ・エルエルシー 充填剤で補強された構造的に強化されたプラスチック
JP2011079715A (ja) * 2009-10-08 2011-04-21 National Institute For Materials Science 超薄窒化ホウ素ナノシート及びその製造方法ならびに該シートを含有する光学用素材
JP2012056818A (ja) * 2010-09-10 2012-03-22 Denki Kagaku Kogyo Kk 六方晶窒化ホウ素粉末及びそれを用いた高熱伝導性、高耐湿性放熱シート
JP2015529280A (ja) * 2012-09-19 2015-10-05 モーメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・インク 剥離した窒化ホウ素を含む組成物およびその組成物を形成する方法
JP2015537075A (ja) * 2012-10-19 2015-12-24 ラトガース,ザ ステート ユニバーシティ オブ ニュー ジャージー グラフェン補強ポリマーマトリクス複合体を製造するためのinsitu剥離方法
US11098175B2 (en) 2012-10-19 2021-08-24 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ exfoliation method to fabricate a graphene-reinforced polymer matrix composite
US9896565B2 (en) 2012-10-19 2018-02-20 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ exfoliation method to fabricate a graphene-reinforced polymer matrix composite (G-PMC)
US11479652B2 (en) 2012-10-19 2022-10-25 Rutgers, The State University Of New Jersey Covalent conjugates of graphene nanoparticles and polymer chains and composite materials formed therefrom
US10253154B2 (en) 2013-04-18 2019-04-09 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ exfoliation method to fabricate a graphene-reinforced polymer matrix composite
US11174366B2 (en) 2013-04-18 2021-11-16 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ exfoliation method to fabricate a graphene-reinforced polymer matrix composite
JP2015036361A (ja) * 2013-08-16 2015-02-23 Dic株式会社 変性窒化ホウ素、その製造方法及び組成物
JP2015140337A (ja) * 2014-01-30 2015-08-03 水島合金鉄株式会社 化粧料用の六方晶窒化ホウ素粉末ならびに化粧料
US10329391B2 (en) 2014-07-30 2019-06-25 Rutgers, The State University Of New Jersey Graphene-reinforced polymer matrix composites
US11225558B2 (en) 2014-07-30 2022-01-18 Rutgers, The State University Of New Jersey Graphene-reinforced polymer matrix composites
US11059945B2 (en) 2016-07-22 2021-07-13 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ bonding of carbon fibers and nanotubes to polymer matrices
US11702518B2 (en) 2016-07-22 2023-07-18 Rutgers, The State University Of New Jersey In situ bonding of carbon fibers and nanotubes to polymer matrices
JPWO2018066277A1 (ja) * 2016-10-07 2019-07-25 デンカ株式会社 窒化ホウ素塊状粒子、その製造方法及びそれを用いた熱伝導樹脂組成物
US11268004B2 (en) 2016-10-07 2022-03-08 Denka Company Limited Boron nitride aggregated grain
US11732173B2 (en) 2016-10-07 2023-08-22 Denka Company Limited Surface-treated aggregated boron nitride powder, aggregated boron nitride powder, and thermally conductive resin composition
JP2018059064A (ja) * 2017-09-20 2018-04-12 エコピューロ・エルエルシー 充填剤で補強された構造的に強化されたプラスチック
US11479653B2 (en) 2018-01-16 2022-10-25 Rutgers, The State University Of New Jersey Use of graphene-polymer composites to improve barrier resistance of polymers to liquid and gas permeants
US11760640B2 (en) 2018-10-15 2023-09-19 Rutgers, The State University Of New Jersey Nano-graphitic sponges and methods for fabricating the same
US11807757B2 (en) 2019-05-07 2023-11-07 Rutgers, The State University Of New Jersey Economical multi-scale reinforced composites
JP2021102539A (ja) * 2019-12-25 2021-07-15 デンカ株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法、並びに化粧料及びその製造方法
JP7372141B2 (ja) 2019-12-25 2023-10-31 デンカ株式会社 六方晶窒化ホウ素粉末及びその製造方法、並びに化粧料及びその製造方法
WO2022085517A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 株式会社Adeka 窒化ホウ素材料、該窒化ホウ素材料を含有する樹脂組成物及び絶縁材料
KR20220138183A (ko) * 2021-04-05 2022-10-12 한국과학기술원 바인더 무첨가 질화붕소 필름의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 질화붕소 필름을 포함하는 방열 재료
KR102599946B1 (ko) * 2021-04-05 2023-11-09 한국과학기술원 바인더 무첨가 질화붕소 필름의 제조 방법 및 이에 따라 제조되는 질화붕소 필름을 포함하는 방열 재료

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