JP2003231741A - 新規ポリマーおよびそれを用いた高分子発光素子 - Google Patents

新規ポリマーおよびそれを用いた高分子発光素子

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 発光材料や電荷輸送材料等として有用な新規
なポリマーを提供する。 【解決手段】 下記式（１）で示される繰り返し単位を
含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０
8であるリマー。 〔式中、Ａ１は、-Ｚ-または-Ｚ-Ｚ-を表す。ここに、
Ｚは置換基を有していてもよい原子である。また、Ａ1
に対してα位の炭素をＣ2、Ａ1に対してβ位の炭素をＣ
1としたとき、(Ｃ2−Ａ１の結合距離)／（Ｃ2−Ｃ1の結
合距離）で定義される結合距離比は１．１０以上であ
る。Ｒ１〜Ｒ６は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル
基等を表す。〕

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光材料や電荷輸
送材料等として有用な新規なポリマーとその製造方法、
該ポリマーを用いた高分子発光素子（以下、高分子ＬＥ
Ｄということがある。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】高分子量の発光材料や電荷輸送材料は低
分子量のそれとは異なり溶媒に可溶で塗布法により発光
素子における発光層や電荷輸層を形成できることから種
々検討されており、その例としては、ポリフルオレン誘
導体が知られている（特許文献1）。
【０００３】
【特許文献１】国際公開第９９／５４３８５号パンフレ
ット
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、発光
材料や電荷輸送材料等として有用な新規なポリマーを提
供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を解決すべく鋭意検討した結果、繰り返し単位中に、ベ
ンゼン環を2個有し、これらのベンゼン環が、置換基を
有していてもよい原子１個または２個からなる結合（Ａ
1）及び直接結合の2つの結合で結合され、Ａ1のα位の
炭素（Ｃ2）とＡ1との結合距離の、Ａ1のβ位の炭素と
Ｃ２との結合距離に対する比が、特定の値以上であると
いう新規なポリマーが、発光材料、電荷輸送材料等とし
て有用であることを見出し本発明を完成した。
【０００６】すなわち本発明は、 下記式（１）で示さ
れる繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分
子量が１０３〜１０8であるポリマーに係るものであ
る。 〔式中、Ａ１は、-Ｚ-または-Ｚ-Ｚ-を表す。ここに、
Ｚは置換基を有していてもよい原子である。また、Ａ1
に対してα位の炭素をＣ2、Ａ1に対してβ位の炭素をＣ
1としたとき、(Ｃ2−Ａ１の結合距離)／（Ｃ2−Ｃ1の結
合距離）で定義される結合距離比は１．１０以上であ
る。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ ６は、それ
ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アル
ケニル基、アルキニル基、アルキルオキシ基、アルキル
チオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキ
シ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールア
ルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキ
ルチオ基、アリールアルキルアミノ基、置換シリル基、
アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、アリ
ールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素
環基またはシアノ基を表し、Ｒ２とＲ３、およびＲ４と
Ｒ５は互いに結合して環を形成していてもよい。〕
【０００７】
【発明の実施の形態】式(１)中、Ａ１は、-Ｚ-または-
Ｚ-Ｚ-を表す。ここに、Ｚは置換基を有していてもよい
原子である。また、Ａ1に対してα位の炭素をＣ2、Ａ1
に対してβ位の炭素をＣ1としたとき、(Ｃ2−Ａ１の結
合距離)／（Ｃ2−Ｃ1の結合距離）で定義される結合距
離比は１．１０以上である。Ｚに含まれる原子として
は、ヘテロ原子が好ましく、ヘテロ原子としては、Ｓ
ｉ，Ｐ、Ｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、ＳｅまたはＴｅが挙げられ
る。
【０００８】置換基を有している原子としては、 〔式中、Ｒは、それぞれ独立に水素原子、ハロゲン原
子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、
アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、ア
リールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル
基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ
基、アリールアルキルアミノ基、シリル基、アシル基、
アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、アリールアルケ
ニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基または
シアノ基を示す〕等が挙げられる。
【０００９】なお上記式（１）における結合距離比は、
量子化学計算を用いて、化合物の分子構造の最適化を行
うことによって算出することができる。結合距離比の計
算には、通常は、上記式（1）の繰り返し単位の２つの
結合手に水素原子を結合させた化合物で近似して用いる
ことができる。また、上記式（1）におけるＲ１、
Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ６が、炭化水素鎖を有
する基の場合には、該炭化水素鎖を、より炭素数が短い
ものに置き換えた化合物で近似して計算を行ってもよ
い。
【００１０】量子化学計算手法として、半経験的および
非経験的分子軌道法、密度汎関数法等を用いることがで
きる。例えば、量子化学計算プログラムGaussian 98 に
組み込まれている密度汎関数法により、基底関数を6-31
g* 、密度汎関数近似としてb3lypを用いて、化合物の
構造最適化計算を行って該結合距離比を求めることがで
きる〔参考文献、J. Chem. Phys., 98, 5648(1993)
〕。
【００１１】上記式（1）におけるＲ１、Ｒ２、Ｒ３、
Ｒ４、Ｒ５およびＲ６は、それぞれ独立に水素原子、ハ
ロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル
基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミ
ノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ
基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリール
アルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリール
アルキルアミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオ
キシ基、イミノ基、アミド基、アリールアルケニル基、
アリールアルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基
を表し、Ｒ２とＲ３、およびＲ４とＲ５は互いに結合し
て環を形成していてもよい。中でも、Ｒ２およびＲ５が
それぞれ独立にアルキルオキシ基、アルキルチオ基、ア
ルキルアミノ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、
アリールアミノ基、アリールアルキルオキシ基、アリー
ルアルキルチオ基またはアリールアルキルアミノ基であ
ることが好ましく、Ｒ２およびＲ５がそれぞれ独立にア
ルキルオキシ基、アリールオキシ基またはアリールアル
キルオキシ基であることがより好ましい。
【００１２】ここにハロゲン原子としては、フッ素、塩
素、臭素、ヨウ素が例示される。
【００１３】アルキル基としては、直鎖、分岐または環
状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素
数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、
エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、
ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル
基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−
エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメ
チルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、
ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パー
フルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが挙
げられ、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エ
チルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル
基が好ましい。
【００１４】アルケニル基としては、直鎖、分岐または
環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭
素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、エテニル
基、プロペニル基、２−プロペニル基、１−メチルプロ
ペニル基、２−メチルプロペニル基、１，２−ジメチル
プロペニル基、ブテニル基、２−メチルブテニル基、
１，３−ブタヂエニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基、シクロヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル
基、２−エチルヘキセニル基、トリフルオロエテニル
基、パーフルオロブテニル基、パーフルオロヘキセニル
基、パーフルオロオクテニル基などが挙げられる。
【００１５】アルキニル基としては直鎖、分岐または環
状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素
数は通常２〜２０程度であり、具体的には、エチニル
基、プロピニル基、２−プロピニル基、２−メチルプロ
ピニル基、ブチニル基、２−メチルブチニル基、１，３
−ブタンジイル基、ペンチニル基、ヘキチニル基、シク
ロヘキチニル基、ヘプチニル基、オクチニル基、２−エ
チルヘキチニル基、フルオロエチニル基、パーフルオロ
ブチニル基、パーフルオロヘキチニル基、パーフルオロ
オクチニル基などが挙げられる。
【００１６】アルキルオキシ基は、直鎖、分岐または環
状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素
数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ
基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキ
シ基、ブトキシ基、 ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ
基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキ
シルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、
２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシル
オキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリ
ルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロ
エトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘ
キシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオ
キシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが挙げられ、
ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ
基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、
３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
【００１７】アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状
のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数
は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ
基、エチルチオ基、プロピルチオ基、 ｉ−プロピルチ
オ基、ブチルチオ基、 ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチル
チオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキ
シルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エ
チルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、
３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、ト
リフルオロメチルチオ基などが挙げられ、ペンチルチオ
基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキ
シルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチル
チオ基が好ましい。
【００１８】アルキルアミノ基は、直鎖、分岐または環
状のいずれでもよく、モノアルキルアミノ基でもジアル
キルアミノ基でもよく、炭素数は通常１〜４０程度であ
り、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、
エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ
基、ジプロピルアミノ基、ｉ−プロピルアミノ基、ジイ
ソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｉ−ブチルアミ
ノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシ
ルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ
基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、
ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオ
クチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルア
ミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルア
ミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピ
ペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基などが挙げ
られ、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、オクチル
アミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、デシルアミノ
基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基が好ましい。
【００１９】アリール基は、置換基を有していてもよ
く、炭素数は通常６〜６０程度であり、具体的には、フ
ェニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル基（Ｃ１〜
Ｃ１２は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同
様である。）、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基、１−
ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル
基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキシフェニル
基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニル基が好ましい。
【００２０】アリールオキシ基としては、芳香環上に置
換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度で
あり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコ
キシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェノキシ
基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペ
ンタフルオロフェニルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピ
リダジニルオキシ基、ピリミジルオキシ基、ピラジルオ
キシ基、トリアジニルオキシ基などが例示され、Ｃ１〜
Ｃ１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル
フェノキシ基が好ましい。
【００２１】アリールチオ基としては、芳香環上に置換
基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度であ
り、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルコ
キシフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチ
オ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペン
タフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジ
ニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリ
アジニルチオ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルコキ
シフェニルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルフェニルチオ
基が好ましい。
【００２２】アリールアミノ基としては、芳香環上に置
換基を有していてもよく、炭素数は通常６〜６０程度で
あり、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ1〜
Ｃ12アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アル
コキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフ
ェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチ
ルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジ
ルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ
基、ピラジルアミノ基、トリアジニルアミノ基などが例
示され、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニルアミノ基、ジ（Ｃ1
〜Ｃ12アルキルフェニル）アミノ基が好ましい。
【００２３】アリールアルキル基は、置換基を有してい
てもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的に
は、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜Ｃ１２
アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜
Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ １〜Ｃ１２アルキル基、１
−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、２−ナフチル−
Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２
アルコキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基、Ｃ１〜
Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキル基が好
ましい。
【００２４】アリールアルキルオキシ基は、置換基を有
していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具
体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシ基、
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２ア
ルキルオキシ基、Ｃ１〜Ｃ１ ２アルキルフェニル−Ｃ１
〜Ｃ１２アルキルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ
１２アルキルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２ア
ルキルオキシ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルキル
オキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシ基、Ｃ１
〜Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキ
シ基が好ましい。
【００２５】アリールアルキルチオ基としては、置換基
を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であ
り、具体的には、フェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ
基、Ｃ １〜Ｃ１２アルキルオキシフェニル−Ｃ１〜Ｃ
１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ１ ２アルキルフェニル−
Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ
１ ２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ１〜Ｃ１２アル
キルチオ基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキ
シフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基、Ｃ１〜Ｃ
１２アルキルフェニル−Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチオ基が
好ましい。
【００２６】アリールアルキルアミノ基としては、炭素
数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−
Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルコキシフェ
ニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、Ｃ1〜Ｃ12アルキル
フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12
アルコキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基、
ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）
アミノ基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ
基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基などが
例示され、などが例示され、Ｃ1〜Ｃ12アルキルフェニ
ル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルアミノ基、ジ（Ｃ1〜Ｃ12アルキ
ルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキル）アミノ基が好まし
い。
【００２７】置換シリル基として具体的には、トリメチ
ルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル
基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ジメチル−ｉ−プロ
ピリシリル基、ジエチル−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−
ブチルシリルジメチルシリル基、ペンチルジメチルシリ
ル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシ
リル基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシ
ル−ジメチルシリル基、ノニルジメチルシリル基、デシ
ルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメ
チルシリル基、ラウリルジメチルシリル基等のトリアル
キルシリル基；、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キ
シリルシリル基等のトリアリールシリル基；、トリベン
ジルシリル基等のトリ（アリールアルキル）シリル基、
ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリ
ル基、ジメチルフェニルシリル基等の（アルキル）（ア
リール）シリル基、フェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリ
ル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキルオキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12ア
ルキルシリル基、Ｃ1〜Ｃ1 2アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ
12アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキ
ルシリル基、２−ナフチル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル
基などのモノ（アリールアルキル）シリル基、フェニル
−Ｃ1〜Ｃ12アルキルジメチルシリル基などのモノ（ア
リールアルキル）ジアルキルシリル基などが例示され、
ペンチルジメチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル
基、オクチルジメチルシリル基、２−エチルヘキシル−
ジメチルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−
ジメチルオクチルジメチルシリル基、Ｃ1〜Ｃ12アルキ
ルオキシフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基、Ｃ1〜
Ｃ12アルキルフェニル−Ｃ1〜Ｃ12アルキルシリル基が
好ましい。
【００２８】アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度で
あり、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチ
リル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル
基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイ
ル基などが例示される。
【００２９】アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０
程度であり、具体的には、アセチルオキシ基、プロピオ
ニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ
基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフ
ルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオ
キシ基などが例示される。
【００３０】イミノ基は、炭素数２〜２０程度であり、
具体的には、以下の構造式で示される基などが例示され
る。
【００３１】アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度で
あり、具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、
プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、
トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズア
ミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロ
ピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、
ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベン
ズアミド基、スクシンイミド基、フタル酸イミド基など
が例示される。
【００３２】アリールアルケニル基としては、炭素数は
通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ2
〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシフ
ェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アル
キルフェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルケニル基、１−ナフチ
ル−Ｃ2〜Ｃ１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ
１２アルケニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルキ
ルオキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルケニル基、Ｃ１〜
Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルケニル基が
好ましい。
【００３３】アリールアルキニル基としては、炭素数は
通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ2
〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルオキシフ
ェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アル
キルフェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルキニル基、１−ナフチ
ル−Ｃ2〜Ｃ１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ2〜Ｃ
１２アルキニル基などが例示され、Ｃ１〜Ｃ１２アルキ
ルオキシフェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルキニル基、Ｃ１〜
Ｃ１２アルキルフェニル−Ｃ2〜Ｃ１２アルキニル基が
好ましい。
【００３４】1価の複素環基とは、複素環化合物から水
素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常
４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ１〜
Ｃ１ ２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピ
リジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基などが例示
され、チエニル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルチエニル基、
ピリジル基、Ｃ１〜Ｃ１２アルキルピリジル基が好まし
い。
【００３５】これらの中で、上記式（1）におけるＡ1が
下記式（４）、（５）または（６）で示される２価の基
が好ましい。
【００３６】 〔式中、Ｒ７はアルキル基、アルキルオキシ基、アルキ
ルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオ
キシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリール
アルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアル
キルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、ア
シルオキシ基、アミド基または１価の複素環基を示
す。〕
【００３７】
【００３８】 〔式中、Ａ２はＳｉ、ＧｅまたはＳｎを表し、Ｒ８およ
びＲ９はそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、
アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ
基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、
アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、
アシルオキシ基、アミド基または１価の複素環基を表
す。ｌは１または２を表す。〕
【００３９】中でも、上記式（1）においてＡ１が上記
式（４）で表される２価の基であるポリマー、Ａ１が上
記式（５）で表される２価の基であるポリマー、Ａ１が
上記（６）式で表される２価の基であり、Ａ２がＳｉで
かつｌが１であるポリマー、Ａ１が（６）式で表される
２価の基であり、Ａ２がＳｉでかつｌが２であるポリマ
ーがより好ましい。
【００４０】Ａ１が上記式（４）で表される２価の基の
具体例としては以下のものがあげられる。
【００４１】
【００４２】
【００４３】
【００４４】Ａ１が上記式（５）で表される２価の基の
具体例としては以下のものがあげられる。
【００４５】
【００４６】
【００４７】Ａ１が上記（６）式で表される２価の基で
あり、Ａ２がＳｉでかつｌが１である基の具体例として
は、以下のものがあげられる。
【００４８】
【００４９】
【００５０】
【００５１】Ａ１が（６）式で表される２価の基であ
り、Ａ２がＳｉでかつｌが２である基の具体例を以下に
示す。
【００５２】
【００５３】
【００５４】
【００５５】上記式中、Ｍｅはメチル基を、Ｐｈはフェ
ニル基を、Ｂｎはベンジル基を、Ａｃはアセチル基を示
す。
【００５６】本発明のポリマーは上記式（1）で示され
る繰り返し単位を2種以上含んでいてもよい。上記式
（１）示される繰り返し単位の量は本発明のポリマーの
有する全繰り返し単位のモル数の合計に対して、通常１
〜１００モル％であり、好ましくは４０〜９０モル％で
あり、より好ましくは７０〜８５モル％である。
【００５７】本発明のポリマーは上記式（１）で示され
る繰り返し単位以外の繰り返し単位を含むことができ
る。該繰返し単位としては下記式（７）
【００５８】 −Ａｒ６−（ＣＲ１７＝ＣＲ１８）ｎ− （７） 〔式中、Ａｒ６は、アリーレン基または２価の複素環基
を表し、Ｒ１７、Ｒ１８は、それぞれ独立に水素原子、
アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシアノ
基を表す。ｎは０または１を表す。〕の繰り返し単位、
後記式（８）で示される繰返し単位などが例示され、素
子の寿命の観点から、後記式（８）で示される繰返し単
位が好ましい。
【００５９】該Ａｒ６は、アルキル基、アルキルオキシ
基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、
アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ
基、アリールアルキル基、アリールアルアルキルオキシ
基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ
基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミノ
基、アミド基、イミド基、アリールアルケニル基、アリ
ールアルキニル基、１価の複素環基、シアノ基等の置換
基を有していてもよい。これらの置換基の具体例につい
ては前記のとおりである。Ａｒ６が複数の置換基を有す
る場合、それらは同一であってもよいし、異なっていて
もよい。
【００６０】本発明におけるアリーレン基としては、ベ
ンゼン環、縮合環を持つもの、独立したベンゼン環また
は縮合環が２個直接またはビニレン等の基を介して結合
したものが含まれ、通常炭素数６〜６０、好ましくは６
〜２０であり、フェニレン基（例えば、下記式（２
６））、ナフタレンジイル基（下記式（２７））、アン
トラセニレン基（下記式（２８））、ビフェニレン基
（下記式（２９））、トリフェニレン基（下記式（３
０））、縮合環化合物基（下記式（３１））などが例示
される。
【００６１】
【００６２】
【００６３】
【００６４】
【００６５】
【００６６】
【００６７】本発明において、２価の複素環基とは、複
素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をい
い、炭素数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０であ
る。なお複素環基上に置換基を有していてもよく、複素
環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
【００６８】ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ
有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけで
なく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原
子を環内に含むものをいう。
【００６９】２価の複素環基としては、例えば以下のも
のが例示される。ヘテロ原子として、窒素を含む２価の
複素環基；ピリジンジイル基（下記式（３２））、ジア
ザフェニレン基（下記式（３３））、キノリンジイル基
（下記式（３４））、キノキサリンジイル基（下記式
（３５））、アクリジンジイル基（下記式（３６））、
ビピリジルジイル基（下記式（３７））、フェナントロ
リンジイル基（下記式（３８））、など。ヘテロ原子と
してけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン
構造を有する基（下記式（３９））。
【００７０】ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セ
レンなどを含む５員環複素環基：（下記式（４０））が
例示される。
【００７１】ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セ
レンなどを含む５員環縮合複素環基：（下記式（４
１））、ベンゾチアジアゾール-4,7-ジイル基やベンゾ
オキサジアゾール-4,7-ジイル基などが例示される。
【００７２】ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セ
レンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位
で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下記式
（４２））が例示される。
【００７３】ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セ
レンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位
でフェニル基に結合している基：（下記式（４３））が
例示される。
【００７４】
【００７５】
【００７６】
【００７７】
【００７８】
【００７９】
【００８０】
【００８１】
【００８２】
【００８３】
【００８４】
【００８５】
【００８６】上記式中、Ｒ'はそれぞれ独立に水素原
子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、ア
ルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリー
ルオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリ
ールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリール
アルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオ
キシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールア
ルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基を示す。
Ｒ''はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール
基、アリールアルキル基、シリル基、アシル基、または
１価の複素環基を示す。
【００８７】さらに、２価の複素環基としては、たとえ
ば、三重項発光錯体から誘導される基なども含まれ、そ
の例として、以下の２価の金属錯体基が例示される。
【００８８】
【００８９】
【００９０】
【００９１】
【００９２】
【００９３】
【００９４】
【００９５】アリーレン基または２価の複素環基の例と
しては、従来からＥＬ発光性材料として利用されてきた
材料に含まれるアリーレン基または２価の複素環基も挙
げられる。これらの材料は例えば、WO99/12989、 WO00/
55927、WO01/49769A1、WO01/49768A2、WO98/06773、US
5,777,070、WO99/54385、WO00/46321、US6,169,163B1に
開示されている。
【００９６】上記式（1）で示される繰り返し単位以外
の繰り返し単位としては、素子の寿命の観点から下記式
（８）で示される繰り返し単位を含むことが望ましい。 〔式中、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立にアリーレ
ン基または２価の複素環基を表す。また、Ｒ１１は、ア
ルキル基、アリール基、１価の複素環基、下記式（９）
または（１０）で示される基を表す。ｍは１〜４の整数
を表す。Ａｒ２およびＲ１１がそれぞれ複数存在する場
合、それらは同一でも異なっていてもよい。 （式中、Ａｒ３はアリーレン基または２価の複素環基を
表す。Ｒ１２は、水素原子、アルキル基、アリール基、
１価の複素環基または下記式（１０）で示される基を表
す。Ｙ１は、 −ＣＲ１３＝ＣＲ１４−または−Ｃ≡Ｃ
−を表す。Ｒ１３およびＲ１４はそれぞれ独立に水素原
子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシ
アノ基を表す。ｐは０〜２の整数を表す。Ｙ１が複数存
在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。） （式中、Ａｒ４およびＡｒ５はそれぞれ独立にアリーレ
ン基または２価の複素環基を表す。また、Ｒ１５はアル
キル基、アリール基または１価の複素環基を表す。Ｒ
１６は水素原子、アルキル基、アリール基または１価の
複素環基を表す。ｑは１〜４の整数を表す。Ａｒ5およ
びＲ１５がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一で
も異なっていてもよい。）
【００９７】上記式（８）、（9）および（１０）にお
けるＡｒ１〜Ａｒ５のアリーレン基または２価の複素環
基の具体例は前記の通りである。また、Ｒ１１〜Ｒ１６
のアルキル基、アリール基または１価の複素環基の具体
例も前記の通りである。
【００９８】上記式（８）で示される繰り返し単位の好
ましい具体例としては、下図のものが例示される。なお
ベンゼン環上または複素環基上に置換基を有していても
よい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、ア
ルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、
アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリ
ールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキル
オキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキル
アミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミ
ノ基、シリル基、シリルオキシ基、シリルチオ基、シリ
ルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、
アリールエチニル基またはシアノ基が例示される。
【００９９】
【０１００】
【０１０１】本発明のポリマーが含む繰り返し単位は、
非共役の単位で連結されていてもよいし、繰り返し単位
にそれらの非共役部分が含まれていてもよい。非共役の
単位としては、以下に示すもの、以下に示すものとビニ
レン基を組み合わせたもの、および以下に示すもののう
ち２つ以上を組み合わせたものなどが例示される。ここ
で、Ｒは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素
数６〜６０のアリール基および炭素数４〜６０の複素環
基からなる群から選ばれる基であり、Ａｒは炭素数６〜
６０個の炭化水素基を示す。
【０１０２】
【０１０３】本発明のポリマーは、ランダム、ブロック
またはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中
間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びた
ランダム共重合体であってもよい。蛍光の量子収率の高
い高分子蛍光体を得る観点からは完全なランダム共重合
体よりブロック性を帯びたランダム共重合体やブロック
またはグラフト共重合体が好ましい。主鎖に枝分かれが
あり、末端部が３つ以上ある場合やデンドリマーも含ま
れる。
【０１０４】本発明のポリマーの末端基は、重合活性基
がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や
寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護され
ていても良い。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有
しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介
してアリール基または複素環基と結合している構造が例
示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の
化１０に記載の置換基等が例示される。
【０１０５】本発明のポリマーは、数平均分子量がポリ
スチレン換算で１０3〜１０8である。繰り返し構造の合
計数は、繰り返し構造やその割合によっても変わるが成
膜性の点から一般には繰り返し構造の合計数が、好まし
くは２０〜１００００、さらに好ましくは３０〜１００
００、特に好ましくは５０〜５０００である。
【０１０６】本発明のポリマーに対する良溶媒として
は、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テ
トラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、
テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示
される。ポリマーの構造や分子量にもよるが、通常はこ
れらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができ
る。
【０１０７】本発明のポリマーは、例えば、下記式（１
１）で示される化合物を原料の一つとして用いて縮合重
合することにより製造することができる。 （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＡ
１は上記式（１）と同じ意味を表す。Ｘ１およびＸ２は
それぞれ独立に縮合重合可能な置換基を表す。）
【０１０８】縮合重合可能な置換基としては、ハロゲン
原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート
基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル
基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホ
スホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸
基、ホルミル基、シアノ基、ビニル基等があげられ、好
ましくはハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリ
ールスルホネート基またはアリールアルキルスルホネー
ト基である。
【０１０９】ここでアルキルスルホネート基としては、
メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフ
ルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリール
スルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ
−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールス
ルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが
例示される。
【０１１０】ホウ酸エステル基としては、下記式で示さ
れる基が例示される。 式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を示す。
【０１１１】スルホニウムメチル基としては、下記式で
示される基が例示される。 −ＣＨ２Ｓ＋Ｍｅ２Ｘ−、−ＣＨ２Ｓ＋Ｐｈ２Ｘ （Ｘはハロゲン原子を示し、Ｐｈはフェニル基を示
す。）
【０１１２】ホスホニウムメチル基としては、下記式で
示される基が例示される。 −ＣＨ２Ｐ＋Ｐｈ３Ｘ− （Ｘはハロゲン原子を示
す。）
【０１１３】ホスホネートメチル基としては、下記式で
示される基が例示される。 −ＣＨ２ＰＯ（ＯＲ’）２ （Ｒ’はアルキル基、アリ
ール基、アリールアルキル基を示す。）
【０１１４】モノハロゲン化メチル基としては、フッ化
メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル
基が例示される。
【０１１５】例えば、上記式（11）においてＡ１が上記
（４）式で表される２価の基である化合物を用いること
により、上記式（1）においてＡ１が上記（４）式で表
される２価の基であるポリマーを製造することができ
る。また、上記式（１１）においてＡ１が上記（５）式
で表される２価の基である化合物を用いることにより、
上記式（1）においてＡ１が上記（５）式で表される２
価の基であるであるポリマーを製造することができる。
また、上記式（１１）においてＡ１が上記（６）式で表
される２価の基であり、Ａ２がSiでかつｌが１である化
合物を用いるとにより、上記式（1）においてＡ１が上
記（６）式で表される２価の基であり、Ａ２がSiでかつ
ｌが１であるポリマーを製造することができる。また上
記式（１１）においてＡ１が上記（６）式で表される２
価の基であり、Ａ２がＳｉでかつｌが２である化合物上
記式（1）においてＡ１が上記（６）式で表される２価
の基であり、Ａ２がＳｉでかつｌが２であるポリマーを
製造することができる。
【０１１６】また、本発明のポリマーが、式（１）の繰
り返し単位以外の繰り返し単位を有する場合には、該式
（１）の繰り返し単位以外の繰り返し単位となる単量体
を共存させて縮合重合させればよい。
【０１１７】式（１）の繰り返し単位以外の繰り返し単
位となる単量体としては、下記式（７−２）、（８−
２）の化合物が例示され、好ましくは下記式（８−２）
である。
【０１１８】 Ｘ１−Ａｒ６−（ＣＲ１７＝ＣＲ１８）ｎ−Ｘ２ （７−２） （式中、Ａｒ６、Ｒ１７、Ｒ１８は上記式（７）と、Ｘ
１、Ｘ２は上記式（１１）と同じである。ｎは０〜１の
整数を表す。）
【０１１９】 （式中、Ａｒ１、Ａｒ２、Ｒ１１は上記式（８）と、Ｘ
１、Ｘ２は上記式（１１）と同じである。ｍは０〜４の
整数を表す。）
【０１２０】本発明のポリマーの製造方法において、原
料である上記式（１１）で表される化合物および必要に
応じて該式（１）の繰り返し単位以外の繰り返し単位と
なる単量体を縮合重合させる方法としては、各単量体が
有する縮合重合可能な置換基の種類に応じて、既知の縮
合反応を用いることにより製造できる。
【０１２１】本発明のポリマーが主鎖にビニレン基を有
する場合には、例えば特開平５−２０２３５５号公報に
記載の方法が挙げられる。すなわち、ホルミル基を有す
る化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物との、
もしくはホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する
化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有す
る化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反
応による重合、モノハロゲン化メチル基を２つあるいは
２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮
合、スルホニウムメチル基を２つあるいは２つ以上有す
る化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミ
ル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎ
ｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、ホルミ
ル基を２つあるいは２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒ
ｒｙ反応による重合などの方法が例示される。本発明の
ポリマーが主鎖に三重結合を有する場合には、例えば、
Ｈｅｃｋ反応が利用できる。
【０１２２】また、主鎖にビニレン基や三重結合を有し
ない場合には、例えば該当するモノマーからＳｕｚｕｋ
ｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａ
ｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重
合する方法、ＦｅＣｌ3等の酸化剤により重合する方
法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは適当な脱
離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示
される。
【０１２３】これらのうち、 Ｗｉｔｔｉｇ反応による
重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅ
ｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反
応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重
合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、構
造制御がしやすいので好ましい。
【０１２４】さらに本発明のポリマーの製造方法の中
で、モノマーとして上記式（１１）の化合物のうち、Ｘ
１およびＸ２がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキル
スルホネート基、アリールスルホネート基またはアリー
ルアルキルスルホネート基、好ましくは、ハロゲン原子
である化合物を、パラジウム触媒またはニッケル触媒を
用いて縮合重合することが特に好ましい。
【０１２５】本発明の製造方法においては、原料モノマ
ーとなる、上記式（１1）の化合物と、必要に応じ上記
式（７−２）、式（８−２）等の単量体を、必要に応
じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を
用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で、反応させること
ができる。例えば、“オルガニック リアクションズ
（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４
巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリー アンド サン
ズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１
９６５年、“オルガニック リアクションズ（Ｏｒｇａ
ｎｉｃ Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第２７巻，３４５−
３９０頁，ジョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ
Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８２年、
“オルガニックシンセシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔ
ｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔ
ｉｖｅ Ｖｏｌｕｍｅ ＶＩ），４０７−４１１頁，ジ
ョンワイリー アンド サンズ（Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ
＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル レビ
ュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁
（１９９５年）、ジャーナル オブ オルガノメタリッ
ク ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅ
ｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、ジャー
ナル オブ プラクティカル ケミストリー（Ｊ．Ｐｒ
ａｋｔ．Ｃｈｅｍ．），第３３６巻，２４７頁（１９９
４年）、マクロモレキュラー ケミストリー マクロモ
レキュラー シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅ
ｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２
２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いる
ことができる。
【０１２６】有機溶媒としては、用いる化合物や反応に
よっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用
いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で
反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処
理を行うことが好ましい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリ
ング反応のような水との２相系での反応の場合にはその
限りではない。
【０１２７】反応させるために適宜アルカリや適当な触
媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すれば
よい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十
分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混
合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不
活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは
触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶
液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。
【０１２８】本発明のポリマーを高分子ＬＥＤに用いる
場合、その純度が発光特性等の素子の性能に影響を与え
るため、重合前のモノマーを蒸留、昇華精製、再結晶等
の方法で精製したのちに重合することが好ましい。また
重合後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の
純化処理をすることが好ましい。
【０１２９】上記式（11）においてＡ１が上記（４）式
で表される２価の基である化合物である下記式（１２） で示される化合物は、 下記式（１３） 〔式中、Ｒ１、Ｒ2、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１お
よびＸ２は前記と同じ意味を表す。〕で示される化合物
の２つのヨウ素原子を選択的にメタル化した後に下記式
（１４） 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を表す。Ｘ５およびＸ６
はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子
を示す。〕で示されるジハロゲン化リン化合物と反応さ
せることにより製造することができる。
【０１３０】反応は窒素、アルゴンなどの不活性雰囲気
下、溶媒の存在下に実施することができる。反応に用い
られる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、エチルベンゼンなどの不飽和
炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチ
ル−ｔ−ブチルエーテル、ジ−ｔ−ブチルエーテル、テ
トラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンな
どのエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミ
ン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミ
ン、ピリジンなどのアミン類が例示され、単一溶媒、ま
たはこれらの混合物でもよい。
【０１３１】メタル化剤としては、メチルリチウム、ｎ
−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチ
ルリチウム、フェニルリチウムなどが例示される。反応
温度は通常−３０℃以下であり、選択的によう素をメタ
ル化するためには、−８０℃以下であることが望まし
い。
【０１３２】また、上記の方法でメタル化された化合物
のメタルを交換した後に上記式（１４）で示されるジハ
ロゲン化リン化合物を反応させてもよい。
【０１３３】メタル交換させる金属試薬としては、塩化
マグネシウム、臭化マグネシウムなどのマグネシウム
塩、塩化銅（Ｉ）、塩化銅（ＩＩ）、臭化銅（Ｉ）、臭
化銅（ＩＩ）、ヨウ化銅（Ｉ）などの銅塩、塩化亜鉛、
臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛などの亜鉛塩が例示されるが、収
率の面でマグネシウム塩が好ましい。
【０１３４】上記式（１４）で示されるジハロゲン化リ
ン化合物との反応は、−１００℃〜溶媒の沸点でおこな
うことが好ましい。
【０１３５】反応後は、例えば、水でクエンチした後に
有機溶媒で抽出し、溶媒を留去するなど、通常の後処理
で得ることができる。水に不安定な生成物の場合は、ろ
過により無機塩を除いた後、溶媒を留去する方法などに
より得ることができる。生成物の単離及び精製はクロマ
トグラフィーによる分取や再結晶、蒸留などの方法によ
っておこなうことができる。
【０１３６】また、上記式（１１）においてＡ１が上記
（５）式で表される２価の基である下記式（１５） で示される化合物は、上記式（１３）で示される化合物
の２つのヨウ素原子を選択的にメタル化した後に硫黄と
反応させることにより製造することができる。
【０１３７】反応の方法については、上記式（１２）で
示される化合物の合成法と同様である。硫黄との反応に
ついては、個体のまま加えてもよいし、溶媒に溶解また
は懸濁させた状態で加えてもよい。反応の温度は−１０
０℃から３０℃程度であり、好ましくは−８０℃から０
℃である。反応の後処理、精製法についても、上記式
（１２）で示される化合物と同様である。
【０１３８】また上記式（１１）においてＡ１が上記
（６）式で表される２価の基であり、Ａ２がＳｉでかつ
ｌが２である下記式（２０） で示される化合物は 上記式（１３）で示される化合物
の２つのヨウ素原子を選択的にメタル化した後に下記式
（２２） 〔式中、Ｒ８およびＲ９は前記と同じ意味を表す。Ｘ
１１およびＸ１２はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子
またはヨウ素原子を示す。〕で示される１，２−ジハロ
ゲン化ジシリル化合物と反応させることにより製造する
ことができる。
【０１３９】反応の方法、後処理、精製法については、
上記式（１２）で示される化合物と同様である。
【０１４０】また、上記式（１２）で示される化合物と
同様に、下記式（３−２）で示される化合物は、上記式
（１３）で示される化合物の２つのヨウ素原子を選択的
にメタル化した後に対応するジハロゲン化物と反応させ
ることにより製造することができる。反応の方法、後処
理、精製法については、上記式（１２）で示される化合
物と同様である。 （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１お
よびＸ２は上記式（１１）と同じである。Ａ３は から選択される２価の基を表す。式中、Ｒは前記と同じ
意味を表す。）反応の方法、後処理、精製法について
は、上記式（１２）で示される化合物と同様である。
【０１４１】上記式（１１）においてＡ１が上記（６）
式で表される２価の基であり、Ａ２がSiでかつｌが１で
ある化合物下記式（１８）で示されるジベンゾシロール
誘導体 は下記式（１９） （式中、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ4、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８およ
びＲ９は上記式（１１）と同じである。）で示される化
合物（ジベンゾシロール誘導体）とハロゲン化試剤、好
ましくはＮ−ハロゲノ化合物とを反応させることにより
製造することができる。
【０１４２】上記式（１９）においてＲ1、Ｒ３、Ｒ4お
よびＲ6がいずれも水素原子であることが好ましい。
【０１４３】反応は、窒素、アルゴンなどの不活性雰囲
気下、溶媒の存在下に実施することができる。反応の温
度は、−８０℃から溶媒の沸点が望ましい。
【０１４４】また、反応は、式（１９）で示される化合
物と塩基を反応させた後に、ハロゲン化試剤を反応させ
る方法によっても製造することができる。
【０１４５】Ｎ−ハロゲノ化合物としては、Ｎ−クロロ
スクシンイミド、Ｎ−クロロフタル酸イミド、Ｎ−クロ
ロジエチルアミン、Ｎ−クロロジブチルアミン、Ｎ−ク
ロロシクロへキシルアミン、Ｎ−ブロモスクシンイミ
ド、Ｎ−ブロモフタル酸イミドＮ−ブロモジトリフルオ
ロメチルアミン、Ｎ−ヨウドスクシンイミド、Ｎ−ヨウ
ドフタル酸イミドなどが例示され、その他のハロゲン化
試剤としては、フッ素、フルオロキシトリフルオロメタ
ン、二フッ化酸素、フッ化パークロリル、フッ化コバル
ト（III）、フッ化銀（II）、フッ化セレン（IV）、フ
ッ化マンガン（III）、塩素、ヨウドトリクロライド、
三塩化アルミ、塩化テルル（IV）、塩化モリブデン、塩
化アンチモン、塩化鉄（III）、四塩化チタン、五塩化
リン、塩化チオニル、臭素、１，２−ジブロモエタン、
三臭化ホウ素、臭化銅、臭化銀、臭化−ｔ−ブチル、酸
化臭素、ヨウ素、ヨウドモノクロライドなどが例示され
る。
【０１４６】反応に用いられる溶媒としては、ペンタ
ン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンな
どの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼ
ン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロ
ロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタ
ン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサ
ン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシ
クロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベ
ンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどの
ハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、
プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブ
チルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロ
ピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエ
チルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒ
ドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエ
ーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，
Ｎ，Ｎ‘，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリ
ジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセ
トアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド、Ｎ−メチル
−２−ピロリドンなどのアミド類などが例示され、単一
溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。
【０１４７】反応に用いられる塩基としては、リチウム
ヒドリド、ナトリウムヒドリド、カリウムヒドリド、メ
チルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウ
ム、フェニルリチウム、リチウムジイソプロピルアミ
ド、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキ
サメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジド
などが例示される。
【０１４８】反応後は、例えば、水でクエンチした後に
有機溶媒で抽出した後に、溶媒を留去するなど、通常の
後処理で得ることができる。生成物の単離及び精製はク
ロマトグラフィーによる分取や再結晶などの方法によっ
ておこなうことができる。
【０１４９】次に本発明のポリマーの用途について説明
する。本発明のポリマーは、強い蛍光を有し、高分子蛍
光体として用いることができる。 また、薄膜からの発
光を利用するので該高分子蛍光体は、固体状態で蛍光を
有するものが好適に用いられる。また、該ポリマーは優
れた電子輸送能を有しており、高分子ＬＥＤ用材料や電
荷輸送材料として好適に用いることができる。また、本
発明のポリマーは電子素子用の材料としても用いること
ができ、レーザー用色素、有機太陽電池用材料、有機ト
ランジスタ用の有機半導体、伝導性薄膜用材料としても
用いることができる。
【０１５０】次に、本発明の高分子ＬＥＤについて説明
する。本発明の高分子ＬＥＤは陽極および陰極からなる
電極間に、発光層を有し、該発光層が本発明のポリマー
を含むことを特徴とする。
【０１５１】また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰
極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥ
Ｄ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子
ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、か
つ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子Ｌ
ＥＤ等が挙げられる。
【０１５２】また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、少
なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して
導電性高分子を含む層を設けた素子；少なくとも一方の
電極と発光層との間に該電極に隣接して膜厚２ｎｍ以下
の絶縁層を設けた素子があげられる。
【０１５３】例えば、具体的には、以下のａ）〜ｄ）の
構造が例示される。 ａ）陽極／発光層／陰極 ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極 ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極 ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極 （ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示
す。以下同じ。）
【０１５４】ここで、発光層とは、発光する機能を有す
る層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有
する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を
有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称
して電荷輸送層と呼ぶ。発光層、正孔輸送層、電子輸送
層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。
【０１５５】また、電極に隣接して設けた電荷輸送層の
うち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、
素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷
注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれるこ
とがある。
【０１５６】さらに電極との密着性向上や電極からの電
荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入
層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、
界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や
発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。積
層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発
光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。
【０１５７】本発明において、電荷注入層（電子注入
層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極
に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣
接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
例えば、具体的には、以下のe)〜p）の構造が挙げられ
る。 e）陽極／電荷注入層／発光層／陰極 f）陽極／発光層／電荷注入層／陰極 g）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極 h）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極 i）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極 j）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入
層／陰極 k）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／陰極 l）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極 m）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入
層／陰極 n）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／陰極 ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入
層／陰極 ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送
層／電荷注入層／陰極
【０１５８】電荷注入層の具体的な例としては、導電性
高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、
陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間
の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰
極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送
層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を
有する材料を含む層などが例示される。
【０１５９】上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の
場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ
以上１０3以下であることが好ましく、発光画素間のリ
ーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１
０2以下がより好ましく、１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０1以下
がさらに好ましい。
【０１６０】上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の
場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０-5Ｓ／ｃｍ
以上１０3Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画
素間のリーク電流を小さくするためには、１０-5Ｓ／ｃ
ｍ以上１０2Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０-5Ｓ／
ｃｍ以上１０1Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。通常は
該導電性高分子の電気伝導度を１０-5Ｓ／ｃｍ以上１０
3以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンを
ドープする。
【０１６１】ドープするイオンの種類は、正孔注入層で
あればアニオン、電子注入層であればカチオンである。
アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオ
ン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン
酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチ
ウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テト
ラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。電荷注
入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであ
り、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。
【０１６２】電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接す
る層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリ
ンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導
体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビ
ニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよ
びその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキ
ノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖
または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタ
ロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが
例示される。
【０１６３】膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易
にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料とし
ては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙
げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥ
Ｄとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を
設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の
絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。
【０１６４】具体的には、例えば、以下のｑ)〜ab）の
構造が挙げられる。 ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極 ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎ
ｍ以下の絶縁層／陰極 ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／陰極 u）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁
層／陰極 v）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 w）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送
層／陰極 x）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁
層／陰極 y）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送
層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極 z）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／陰極 aa）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎ
ｍ以下の絶縁層／陰極 ab）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光
層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
【０１６５】高分子ＬＥＤ作成の際に、これらの有機溶
媒可溶性の高分子蛍光体を用いることにより、溶液から
成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去
するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合し
た場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に
有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコー
ト法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、
グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワ
イアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコー
ト法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット
印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いる
ことができる。
【０１６６】発光層の膜厚としては、用いる材料によっ
て最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値とな
るように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍで
あり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好
ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１６７】本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層
に上記ポリマー以外に発光材料を混合して使用してもよ
い。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、上記高分
子蛍光体以外の発光材料を含む発光層が、上記高分子蛍
光体を含む発光層と積層されていてもよい。該発光材料
としては、公知のものが使用できる。低分子化合物で
は、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくは
その誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン
系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素
類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属
錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエ
ンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエ
ンもしくはその誘導体などを用いることができる。具体
的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１
９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のもの
が使用可能である。
【０１６８】本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有す
る場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニル
カルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくは
その誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有する
ポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールア
ミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン
誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフ
ェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘
導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘
導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もし
くはその誘導体などが例示される。
【０１６９】具体的には、該正孔輸送材料として、特開
昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公
報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６
１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９
２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されている
もの等が例示される。
【０１７０】これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸
送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘
導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主
鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導
体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェン
もしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）
もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレン
ビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料
が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾール
もしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、
側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサ
ン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高
分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。
【０１７１】ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導
体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラ
ジカル重合によって得られる。
【０１７２】ポリシランもしくはその誘導体としては、
ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、
１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９
６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方
法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特に
キッピング法が好適に用いられる。
【０１７３】ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シ
ロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、
側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有す
るものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族ア
ミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。
【０１７４】正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、
低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶
液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正
孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示され
る。
【０１７５】溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正
孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。
該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロ
エタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテ
ル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶
媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、
酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート
等のエステル系溶媒が例示される。
【０１７６】溶液からの成膜方法としては、溶液からの
スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビア
コート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコ
ート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、ス
プレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、
オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布
法を用いることができる。
【０１７７】混合する高分子バインダーとしては、電荷
輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に
対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分
子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレ
ート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレ
ート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン
等が例示される。
【０１７８】正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料に
よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値
となるように選択すればよいが、少なくともピンホール
が発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、
素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正
孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであ
り、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ま
しくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１７９】本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有す
る場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが
使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメ
タンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘
導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノ
ンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメ
タンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェ
ニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキ
ノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはそ
の誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導
体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオ
レンもしくはその誘導体等が例示される。
【０１８０】具体的には、特開昭６３−７０２５７号公
報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３
５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９
９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２
１８４号公報に記載されているもの等が例示される。
【０１８１】これらのうち、オキサジアゾール誘導体、
ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもし
くはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしく
はその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘
導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフル
オレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフ
ェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，
３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキ
ノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリ
キノリンがさらに好ましい。
【０１８２】電子輸送層の成膜法としては特に制限はな
いが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着
法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法
が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの
成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融
状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用しても
よい。
【０１８３】溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電
子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させ
るものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロ
ホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶
媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メ
チルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸
ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶
媒が例示される。
【０１８４】溶液または溶融状態からの成膜方法として
は、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラ
ビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロー
ルコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート
法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印
刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等
の塗布法を用いることができる。
【０１８５】混合する高分子バインダーとしては、電荷
輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光
に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高
分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェ
ンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレ
ン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビ
ニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリ
アクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメ
タクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、または
ポリシロキサンなどが例示される。
【０１８６】電子輸送層の膜厚としては、用いる材料に
よって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値
となるように選択すればよいが、少なくともピンホール
が発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、
素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電
子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであ
り、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ま
しくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。
【０１８７】本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、
電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないも
のであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子
フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基
板の場合には、反対の電極が透明または半透明であるこ
とが好ましい。
【０１８８】本発明において、通常は、陽極または陰極
の少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が
透明または半透明であることが好ましい。該陽極の材料
としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等
が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜
鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム
・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オ
キサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜
（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、
ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好
ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリン
グ法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられ
る。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘
導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の
透明導電膜を用いてもよい。陽極の膜厚は、光の透過性
と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができる
が、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２
０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５
００ｎｍである。また、陽極上に、電荷注入を容易にす
るために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カー
ボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化
物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を
設けてもよい。
【０１８９】本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料
としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、
リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウ
ム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロン
チウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナ
ジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、
サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウ
ムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あ
るいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マ
ンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、
錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラフ
ァイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、
マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合
金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀
合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネ
シウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−
アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の
積層構造としてもよい。陰極の膜厚は、電気伝導度や耐
久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば
１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１
μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍで
ある。
【０１９０】陰極の作製方法としては、真空蒸着法、ス
パッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート
法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導
電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ
化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層
を設けてもよく、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護す
る保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期
安定的に用いるためには、素子を外部から保護するため
に、保護層および／または保護カバーを装着することが
好ましい。
【０１９１】該保護層としては、高分子化合物、金属酸
化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることが
できる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に
低透水率処理を施したプラスチック板などを用いること
ができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板
と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペ
ーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを
防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのよう
な不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止するこ
とができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に
設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタ
メージを与えるのを抑制することが容易となる。これら
のうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好まし
い。
【０１９２】本発明の高分子LEDは、面状光源、セグメ
ント表示装置、ドットマトリックス表示装置、液晶表示
装置のバックライトとして用いることができる。
【０１９３】本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光
を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように
配置すればよい。また、パターン状の発光を得るために
は、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設け
たマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に
厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極
のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成
する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを
形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるよ
うに配置することにより、数字や文字、簡単な記号など
を表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。
更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と
陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配
置すればよい。複数の種類の発光色の異なる高分子蛍光
体を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは蛍光変
換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マ
ルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子
は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合
わせてアクティブ駆動してもよい。これらの表示素子
は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カー
ナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーな
どの表示装置として用いることができる。
【０１９４】さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄
型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、
あるいは面状の照明用光源として好適に用いることがで
きる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の
光源や表示装置としても使用できる。
【０１９５】
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明するために
実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものでは
ない。ここで、数平均分子量、重量平均分子量について
は、クロロホルムを溶媒として、ゲルパーミエーション
クロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算
の数平均分子量、重量平均分子量を求めた。
【０１９６】合成例１ ＜２、２’−ジブロモ−５，５’−ジオクチルオキシ−
１，１’−ビフェニルの合成＞
【０１９７】原料である３、３’−ジオクチルオキシ−
１，１’ −ビフェニルは３−ブロモフェノールをエタ
ノール中でジオクチル化した後、山本カップリングを用
いて合成した。上記３、３’−ジオクチルオキシ−１，
１’ビフェニル１３３ｇを乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルム
アミド１８２０ｍｌに溶解した。０℃（ドライアイス−
メタノール浴）でＮ−ブロモスクシンイミド１１７．５
ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド９１０ｍｌ溶液を滴
下した。６０分かけて滴下した。滴下終了後、室温に戻
して一夜攪拌した。反応液を水にあけてｎ−ヘキサンで
抽出した後、溶媒を留去し粗生成物１７９ｇを得た。２
−プロパノールで再結晶を繰り返し、２，２’−ジブロ
モ−５，５’−ジオクチルオキシ−１，１’ビフェニル
１２２ｇを得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）： δ(ｐｐｍ) ＝ ０．８８〔ｔ、６Ｈ〕、１．２〜１．
８〔ｍ、２４Ｈ〕、３．９５〔ｔ、４Ｈ〕、６．７〜
６．８〔ｍ、４Ｈ〕、７．５２〔ｄ、２Ｈ〕
【０１９８】合成例２ ＜２、２’−ジヨード−５、５’−ジオクチルオキシ−
１，１’ −ビフェニルの合成＞ 窒素雰囲気下で５００ｍｌの３つ口フラスコに削りマグ
ネシウム４．０５ｇを仕込んだ。別のフラスコに上記
２，２’−ジブロモ−５，５’−ジオクチルオキシ−
１，１’−ビフェニル４５ｇのテトラヒドロフラン２０
０ｍｌ溶液を調整し、そのうち２０ｍｌをマグネシウム
の入ったフラスコに加えた。開始剤として１，２−ジブ
ロモエタンを５滴加えて加熱した。発熱反応が始まった
ら上記の残りの溶液を３０分かけて滴下した。滴下終了
後、還流下で１時間反応させた。その後０℃に冷却し
て、ヨウ素４４．２ｇのテトラヒドロフラン１５０ｍｌ
溶液を滴下した。滴下終了後、室温で一夜攪拌した。反
応液を水にあけてクロロホルムで抽出した後、チオ硫酸
ナトリウム水溶液および飽和食塩水で洗浄した。硫酸ナ
トリウムで乾燥後、溶媒を留去して粗生成物５３ｇを得
た。２−プロパノールで再結晶し、２，２’−ジヨード
−５，５’−ジオクチルオキシ−１，１’−ビフェニル
４３ｇを得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：δ(ｐｐｍ)
＝ ０．９０〔ｔ、６Ｈ〕、１．２〜１．８〔ｍ、２
４Ｈ〕、３．９３〔ｔ、４Ｈ〕、６．６〜６．８〔ｍ、
４Ｈ〕、７．７４〔ｄ、２Ｈ〕 ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ+ ６６２
【０１９９】合成例３ ＜４，４’−ジブロモ−２，２’−ジヨード−５，５’
−ジオクチルオキシ−１，１’ −ビフェニルの合成＞ 窒素雰囲気下で１Ｌフラスコに上記に２，２’−ジヨー
ド−５，５’−ジオクチルオキシ−１，１’ −ビフェ
ニル３７ｇを仕込み、リン酸トリメチル８００ｍｌを加
えて溶解した。さらにヨウ素１０．６ｇを加えた後、臭
素１９ｇのリン酸トリメチル７０ｍｌを滴下した。４時
間攪拌した後、臭素９．５ｇのリン酸トリメチル３５ｍ
ｌを滴下した。滴下終了後一夜攪拌した。反応液を水に
あけてクロロホルムで抽出した後、チオ硫酸ナトリウム
および飽和食塩水で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥
後、溶媒を留去して粗生成物４６ｇを得た。シリカゲル
クロマトグラフィ（シクロヘキサン：トルエン＝２０：
１）で精製し、４，４’−ジブロモ−２，２’−ジヨー
ド−５，５’−ジオクチルオキシ−１，１’ −ビフェ
ニル２０．５ｇを得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ3）：δ(ｐｐｍ)
＝ ０．８８〔ｔ、６Ｈ〕、１．２〜１．９〔ｍ、２
４Ｈ〕、３．９９〔ｍ、４Ｈ〕、６．７０〔ｓ、２
Ｈ〕、８．０３〔ｓ、２Ｈ〕 ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ+ ８２０
【０２００】合成例４ 化合物Ａの合成 化合物Ａフレームドライ、アルゴン置換した100ml 3口
フラスコに上記の４，４’−ジブロモ−２，２’−ジヨ
ード−５，５’−ジオクチルオキシ−１，１’ −ビフ
ェニル 1.00g（見掛モル数1.22mmol）を取り、脱水ジエ
チルエーテル 10mlに溶解した。この溶液をメタノール
/液体窒素で-90℃に冷却し、1.7mlのn-BuLi（1.6M n-
ヘキサン溶液、2.7mmol）を滴下した。1時間保温した
後、ジクロロフェニルホスフィン（0.22g、1.22mmol）
のジエチルエーテル溶液（5ml）を滴下した。室温に昇
温して15時間攪拌した後に、0℃に冷却し、5%NaHCO3水
溶液を滴下した。水相をトルエンで抽出し、有機層を合
わせ、水、飽和食塩水の順に洗浄した。溶媒を留去し、
1.11gの粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製（展開溶媒 ヘキサン：酢酸エチル＝10
0：1（0.1%トリエチルアミン））し、0.52g（p.96.1%、
y.68.5%）の化合物Ａを得た。1 H-NMR（CDCl3、300MHz）：δ7.77(d, 2H)、7.31-7.13
(m, 7H)、4.198t, 4H)、1.96-1.87(m, 4H)、1.69-1.52
(m, 4H)、1.35-1.26(m, 16H)、0.90(t, 6H)
【０２０１】合成例５ 化合物Ｂの合成 化合物Ｂ フレームドライ、アルゴン置換した300ml 3口フラスコ
に上記の４，４’−ジブロモ−２，２’−ジヨード−
５，５’−ジオクチルオキシ−１，１’ −ビフェニル
5.00g（見掛モル数6.1mmol）を取り、脱水ジエチルエーテ
ル 50mlに溶解した。この溶液をメタノール/液体窒素
で-90℃に冷却し、8.4mlのn-BuLi（1.6M n-ヘキサン溶
液、13.4mmol）を滴下した。1時間保温した後、0.20gの
硫黄（6.1mmol）を加えた。室温に昇温して3.5時間攪拌
した後に、2.00gの硫黄（61mmol）を加え、さらに4時間
攪拌した。0℃に冷却し、1N塩酸15mlを滴下した。水相
をジエチルエーテルで抽出し、有機層を合わせ、水、飽
和食塩水の順に洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥後、溶
媒を留去し、6.26gの粗生成物を得た。シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーで精製（展開溶媒 ヘキサン：ト
ルエン＝20：1）し、0.91g（p.87.3%、y.20.7%）の化合
物Ｂを得た。1 H-NMR（CDCl3、300MHz）： δ7.69(s, 2H)、7.08(s, 2H)、4.09(t, 4H)、1.92-1.81
(m, 4H)、1.58-1.26(m,20H)、0.88(t, 6H)
【０２０２】合成例６ 化合物Ｃの合成 化合物Ｃ 窒素雰囲気下で１００ｍｌフラスコに上記の４，４’−
ジブロモ−２，２’−ジヨード−５，５’−ジオクチル
オキシ−１，１’ −ビフェニル５．０ｇを仕込み、テ
トラヒドロフラン５０ｍｌを加えて溶解した。−９０℃
に冷却しｎ−ブチルリチウム／１．６Ｍ―ヘキサン溶液
８．４ｍｌを滴下した。１．５時間攪拌後、臭化マグネ
シウム３．３８ｇのテトラヒドフラン６１ｇ溶液を加え
て、室温まで昇温し１．５時間攪拌した。再度−９０℃
に冷却して１，２−ジクロロテトラメチルジシラン１．
６０ｇを加えた後、昇温し還流下で８．５時間反応させ
た。溶媒を留去してトルエン１００ｍｌを仕込み撹拌
し、不溶解物をろ過した後、再度溶媒を留去し、粗製物
を得た。シリカゲルクロマトグラフィ（展開溶媒 ヘキ
サン：トリエチルアミントルエン＝８００：５）で粗製
物を精製し、化合物Ｃを０．２４ｇを得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）： δ(ｐｐｍ) ＝ ０．２０〔ｓ、１２Ｈ〕、 ０．８９
〔ｔ、６Ｈ〕、１．１〜１．６〔ｍ、２０Ｈ〕、１．８
９〔ｍ、４Ｈ〕、４．０８〔ｔ、４Ｈ〕、６．９２
〔ｓ、２Ｈ〕、７．５７〔ｓ、２Ｈ〕
【０２０３】合成例７ 化合物Ｄの合成 化合物Ｄ 不活性雰囲気下３−ブロモフェノール９０ｇをエタノー
ル６００ｍｌに溶解した。さらに水酸化カリウム３９ｇ
を加えて７０℃に昇温して溶解した。滴下ロートから１
−ブロモ−３，７−ジメチルオクタン１２６ｇを１５分
で滴下した。滴下終了後、８４℃に昇温して約２２時間
加熱攪拌した。加熱終了後室温まで放冷却した。反応液
を２分割し、それぞれ水５００ｍｌに加えてた後、エバ
ポレータにてエタノールを留去した。エタノールを留去
後の溶液を合わせて３分割し、それぞれ酢酸エチル３０
０ｍｌを加えて分液し、有機層を水２００ｍｌで２回洗
浄した。有機層を合わせてエバポレータで溶媒を留去し
た後、ロータリーポンプを用いて減圧下、９０℃で５時
間加熱乾燥した。オイル状の生成物として３−（３，７
−ジメチルオクチルオキシ）−ブロモベンゼン約１５０
ｇを得た。不活性雰囲気下、３つ口フラスコに乾燥テト
ラヒドロフラン１００ｍｌにマグネシウム７．５ｇ、ヨ
ウ素少量を仕込んだ。滴下ロートを用いて上記３−
（３，７−ジメチルオクチルオキシ）−ブロモベンゼン
９０ｇを５０分かけて滴下した。滴下終了後、乾燥テト
ラヒドフラン２００ｍｌを加えて還流下２時間加熱攪拌
しＧｒｉｇｎａｒｄ試薬を調整した。加熱終了後、室温
まで放冷した。上記とは別の３つ口フラスコにホウ酸ト
リメチル３８ｇと乾燥テトラヒドロフラン３００ｍｌを
仕込み、フラスコをドライアイス−アセトン浴で冷却し
た。滴下ロートを用いて上記Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液
を３５分かけて滴下した。滴下終了後反応液を室温まで
昇温した。反応液を希硫酸（１２ｍｌ硫酸／水３６０ｍ
ｌ）に加えて攪拌した後２分割して、それぞれ酢酸エチ
ル１５０ｍｌ、１００ｍｌで抽出した。有機層を合わせ
たものを３分割して、それぞれ水１００ｍｌで洗浄し
た。洗浄後の有機層を合わせてエバポレータ−にて溶媒
を留去した後、ヘキサン１００ｍｌを加えて固形分を懸
濁させた状態でろ過した。さらに１００ｍｌのヘキサン
で洗浄した。白色の固体の３−（３，７−ジメチルオク
チルオキシ）−フェニルホウ酸６３ｇを得た。不活性雰
囲気下３つ口フラスコに上記３−（３，７−ジメチルオ
クチルオキシ）−ブロモベンゼン６０ｇ、トルエン２５
０ｍｌ、水２５０ｍｌ、炭酸カリウム６２ｇとテトラキ
ス（トリフェニルホスフィン）パラジウム錯体１．２ｇ
を仕込んだ。２０分アルゴンで溶液をバブリングし酸素
を脱気した後、上記３−（３，７−ジメチルオクチルオ
キシ）−フェニルホウ酸６３ｇを加えて９０℃に昇温
し、そのまま８時間加熱攪拌した。加熱終了後室温まで
放冷した。トルエン層を分液した後、シリカゲルクロマ
トグラフィーにて着色成分を除いた。溶媒を留去してオ
イル状の生成物として化合物Ｄを９８ｇ得た。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）： δ(ｐｐｍ) ＝ ０．８７〔ｄ、１２Ｈ〕、０．９４
〔ｄ、６Ｈ〕、１．１〜１．８〔ｍ、２０Ｈ〕、４．０
４〔ｔ、４Ｈ〕、６．８８〔ｄ、２Ｈ〕、７．１〜７．
３〔ｍ、４Ｈ〕、７．３２〔ｔ、２Ｈ〕
【０２０４】合成例８ 化合物Ｅの合成 化合物Ｅ 上記化合物Ｄ ２０ｇを乾燥Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムア
ミド４００ｍｌに溶解した。氷冷下でＮ−ブロモスクシ
ンイミド１５．５ｇ／Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３
００ｍｌ溶液を滴下した。９０分かけて滴下した。滴下
終了後、氷浴を外して一夜攪拌した。溶媒を留去した後
トルエン２００ｍｌに溶解し、水２００ｍｌで３回洗浄
した後溶媒を留去し、オイル状生成物２６ｇを得た。Ｌ
Ｃ−ＭＳスペクトルの測定結果より、ブロモの置換位置
の異なる異性体も生成しており化合物Ｅの純度は約６５
％（ＬＣ面百）であった。1 Ｈ−ＮＭＲ（２００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）： δ(ｐｐｍ) ＝ ０．８６〔ｄ、１２Ｈ〕、０．９３
〔ｄ、６Ｈ〕、１．１〜１．８〔ｍ、２０Ｈ〕、３．９
７〔ｔ、４Ｈ〕、６．７９〔ｄ、２Ｈ〕、６．８２
〔ｄ、２Ｈ〕、７．５２〔ｄ、２Ｈ〕 ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ＋ ６２４
【０２０５】合成例９ 化合物Ｆの合成 化合物Ｆ 200ml ４口フラスコをアルゴン置換し、化合物Ｅ 5.0
0g（8.0mmol）を80mlの脱水エーテルに溶解し、-78℃に
冷却した。この溶液にn-ブチルリチウム11ml（17.6mmo
l、1.6Mへキサン溶液）を滴下し、3.5時間攪拌した。こ
の溶液を-78℃に冷却した四塩化ケイ素25.8g（152mmo
l）のエーテル溶液500mlに滴下した。1時間攪拌した
後、室温まで昇温し、15時間攪拌した。反応液をアルゴ
ン下でろ過し、ろ液を濃縮したところ、4.52gの粗生成
物を得た。上記で得られた粗生成物をアルゴン置換した
500ml ３口フラスコに取り、90mlの脱水エーテルに溶
解し、-78℃に冷却した。この溶液にフェニルリチウム2
3ml（24mmol、1.06Mシクロペンタン/エーテル溶液）を
滴下した。20分間攪拌後、室温に昇温し、4時間攪拌し
た。水を加え、分液し、水層をジエチルエーテルで抽出
した。有機層を合わせ、飽和炭酸水素ナトリウム水溶
液、飽和食塩水で洗浄した。硫酸水素ナトリウムで乾燥
し、溶媒を留去したところ、化合物Ｆの粗生成物を6.66
g得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／ＣＤＣｌ３）： δ０．８６（ｄ、１２Ｈ）、０．９７（ｄ、６Ｈ）、
１．１６〜１．９０（ｍ、２０Ｈ）、４．０９（ｂｒ、
４Ｈ）、６．８４〜６．８８（ｍ、２Ｈ）、７．２９〜
７．６６（ｍ、２８Ｈ） ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ＋ ６４７．４
【０２０６】合成例１０ 化合物Ｇの合成 化合物Ｇ アルゴン置換した300ml三口フラスコに化合物Ｆ 5.00g
（純度85.1%、6.6mmol）を取り、脱水DMF65mlに溶解し
た。この溶液にＮ−ブロモスクシンイミド 2.45g（13.
8mmol）を仕込んだ。室温にて5時間攪拌した後、グロー
ブボックス中で80ml×5のヘキサンで抽出した。溶媒を
留去したところ、14.02g（LC面百19.9%、DMF含む）の粗
生成物を得た。逆相シリカゲルカラムクロマトグラフィ
ー（アセトニトリル：トルエン＝20：1）で分離後、フ
ラクションをヘキサンで抽出し（アセトニトリル中の微
量の酢酸を除くため）、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、
飽和食塩水で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を
留去したところ、0.30g（LC面百58%、収率3.3%）の化合
物Ｇを得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／アセトン−ｄ６）： δ０．８６（ｄ、１２Ｈ）、０．９９（ｄ、６Ｈ）、
１．１７〜１．９５（ｍ、２０Ｈ）、４．３１（ｂｒ、
４Ｈ）、７．３７〜７．５０（ｍ、２Ｈ）、７．６８〜
７．７１（ｍ、２８Ｈ）、７．８１（ｓ、２Ｈ）、８．
００（ｓ、２Ｈ） ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ＋ ８０４．９
【０２０７】合成例１１ 化合物Ｈの合成） 化合物Ｈ アルゴン置換した200ml三口フラスコに化合物Ｆ 3.91g
（純度85.1%、5.1mmol）を取り、脱水DMF50mlに溶解し
た。この溶液にNCS 1.47g（10.8mmol）を仕込んだ。LC
で反応を追跡しながらNCSを追加した。（total2.62g）
室温にて60時間攪拌した後、グローブボックス中で100m
l×5のヘキサンで抽出した。溶媒を留去したところ、1
2.73g（LC面百34.1%、DMF含む）の粗生成物を得た。逆
相シリカゲルカラムクロマトグラフィー（アセトニトリ
ル：トルエン＝20：1）で分離後、フラクションをヘキ
サンで抽出し（アセトニトリル中の微量の酢酸を除くた
め）、5%炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水で洗浄
し、硫酸ナトリウムで乾燥後、溶媒を留去したところ、
0.18g（LC面百82.5%、収率3.6%）の化合物Ｈを得た。１ Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／アセトン−ｄ６）： δ０．８７（ｄ、１２Ｈ）、０．９９（ｄ、６Ｈ）、
１．１０〜１．９４（ｍ、２０Ｈ）、４．２８（ｂｒ、
４Ｈ）、７．３０〜７．７１（ｍ、１０Ｈ）、７．８３
（ｂｒ、４Ｈ） ＭＳ（ＡＰＣＩ（＋））：Ｍ＋ ７１５．３
【０２０８】実施例１（化合物Ａの縮合重合） ＜ポリマー１の合成＞化合物Ａ ０．５９ｇとＮ、Ｎ
‘−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン
０．２６ｇと２，２’―ビピリジル０．４８ｇとを反応
容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。こ
れに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気
したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）３５ｍｌを加え
た。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオク
タジエン）ニッケル（０）を０．８５ｇ加え、６０℃で
３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行
った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニ
ア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５
０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次
に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。こ
の沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥し
た。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ
塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有
機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、1時間攪拌し
た後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬ
に滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時
間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その
後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製
を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬ
に滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時
間減圧乾燥させた。得られたポリマーの収量は０．０６
ｇを得た。このポリマーをポリマー１と呼ぶ。このポリ
マー１のポリスチレン換算数平均分子量は、５．０ｘ１
０２であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は、６．
２ｘ１０３であった。
【０２０９】実施例２（化合物Ｂの縮合重合） ＜ポリマー２の合成＞化合物Ｂ ０．３５ｇとＮ、Ｎ
‘−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン
０．１６ｇと２，２’―ビピリジル０．３７ｇとを反応
容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。こ
れに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気
したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）２８ｍｌを加え
た。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオク
タジエン）ニッケル（０）を０．７０ｇ加え、６０℃で
３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行
った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニ
ア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５
０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次
に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。こ
の沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥し
た。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ
塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有
機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、1時間攪拌し
た後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬ
に滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時
間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その
後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製
を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬ
に滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時
間減圧乾燥させた。得られたポリマーの収量は０．１３
ｇを得た。このポリマーをポリマー２と呼ぶ。このポリ
マー２のポリスチレン換算数平均分子量は、６．２ｘ１
０３であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は、５．
１ｘ１０４であった。 実施例３（化合物Ｃの縮合重合） ＜ポリマー３の合成＞化合物Ｃ ０．３０ｇとＮ、Ｎ
‘−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン
０．１３ｇと２，２’―ビピリジル０．３０ｇとを反応
容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。こ
れに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気
したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）２０ｍｌを加え
た。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオク
タジエン）ニッケル（０）を０．５２ｇ加え、６０℃で
３時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行
った。反応後、この溶液を冷却した後、２５％アンモニ
ア水１０ｍｌ／メタノール１２０ｍｌ／イオン交換水５
０ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌した。次
に、生成した沈殿を、ろ過することにより回収した。こ
の沈殿をエタノールで洗浄した後、２時間減圧乾燥し
た。次に、この沈殿をトルエン３０ｍＬに溶解し、１Ｎ
塩酸３０ｍＬを加えて１時間攪拌し、水層の除去して有
機層に４％アンモニア水３０ｍＬを加え、1時間攪拌し
た後に水層を除去した。有機層はメタノール２００ｍＬ
に滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時
間減圧乾燥し、トルエン３０ｍＬに溶解させた。その
後、アルミナカラム（アルミナ量２０ｇ）を通して精製
を行い、回収したトルエン溶液をメタノール２５０ｍＬ
に滴下して１時間攪拌し、析出した沈殿をろ過して２時
間減圧乾燥させた。得られたポリマーの収量は０．１１
ｇを得た。このポリマーをポリマー３と呼ぶ。このポリ
マー３のポリスチレン換算数平均分子量は、１．４ｘ１
０４であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は、４．
９ｘ１０４であった。
【０２１０】実施例４（化合物Ｇの縮合重合） ＜ポリマー４の合成＞化合物Ｇ ０．２０ｇとＮ、Ｎ
‘−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン
０．０７ｇと２，２’―ビピリジル０．１７ｇとを反応
容器に仕込んだ後、反応系内をアルゴンガスで置換し
た。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングし
て、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）２０ｍｌ
を加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シク
ロオクタジエン）ニッケル（０）を０．３ｇ加え、室温
で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。な
お、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この
溶液を冷却した後、メタノール１００ｍｌ／イオン交換
水２００ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌し
た。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿
を乾燥した後、クロロホルムに溶解した。次に、この溶
液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液からクロロ
ホルムを留去し、固形物を得た。この固形物をメタノー
ルで洗浄した後、減圧乾燥して、ポリマー０．０８ｇを
得た。このポリマーをポリマー４と呼ぶ。このポリマー
４のポリスチレン換算数平均分子量は、１．５ｘ１０３
であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は、５．０ｘ
１０３であった。
【０２１１】実施例５（化合物Ｈの重合） ＜ポリマー５の合成＞化合物Ｈ ０．２１ｇとＮ、Ｎ
‘−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ、Ｎ’−ビス（４
−ｎ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン
０．１０ｇと２，２’―ビピリジル０．２７ｇとを反応
容器に仕込んだ後、反応系内をアルゴンガスで置換し
た。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングし
て、脱気したテトラヒドロフラン（脱水溶媒）２０ｍｌ
を加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シク
ロオクタジエン）ニッケル（０）を０．５ｇ加え、室温
で１０分間攪拌した後、６０℃で３時間反応した。な
お、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。反応後、この
溶液を冷却した後、メタノール１００ｍｌ／イオン交換
水２００ｍｌ混合溶液中にそそぎ込み、約１時間攪拌し
た。次に、生成した沈殿を濾過し、回収した。この沈殿
を乾燥した後、トルエンに溶解した。次に、この溶液を
濾過し、不溶物を除去した後、この溶液からトルエンを
留去し、固形物を得た。この固形物をエタノールで洗浄
した後、減圧乾燥して、ポリマー０．０９ｇを得た。こ
の重合体をポリマー５と呼ぶ。このポリマー５のポリス
チレン換算数平均分子量は、１．６ｘ１０３であり、ポ
リスチレン換算重量平均分子量は、５．４ｘ１０３であ
った。
【０２１２】実施例５ ＜蛍光特性＞ポリマー１から５のそれぞれの０．２ｗｔ
％クロロホルム溶液を石英上にスピンコートして高分子
蛍光体の薄膜をそれぞれ作成した。これらの薄膜の蛍光
スペクトルとを、蛍光分光光度計（日立製作所８５０）
を用いて測定した。いずれも強い蛍光を有しており、そ
れぞれ以下の表１に示す蛍光ピーク波長を示した。
【表１】
【０２１３】計算例 以下に結合距離比の計算例を示す。計算はGaussian98
（ｂ３ｌｙｐ／６−３１ｇ ＊）を用いておこなった。
【０２１４】参考計算例１ 単量体と３量体との比較 重合の結合位が水素原子である単量体と３量体との結合
距離比の比較をおこなった。
【表２】 両者の間で実質的に同じであり、ポリマーにおける結合
距離比は、重合の結合位が水素原子である単量体で近似
できることが示された。
【０２１５】参考計算例２ 側鎖の比較 側鎖のアルキルオキシ基がメトキシ基、ｎ−オクチルオ
キシ基であるものとの結合距離比の比較をおこなった。
【表３】 両者の間で差は見られず、ｎ−オクチルオキシ基におけ
る結合距離比は、メトキシ基で近似できることが示され
た。
【０２１６】計算例１ 実施例のポリマー1〜5の結合距離比の計算 ポリマー1、2、3、4、5の結合距離比を、それぞれ、以
下の計算化合物6、8、7、5、5を用いて求めた。 式中、Ｐｈはフェニル基を表す。
【表４】
【０２１７】
【発明の効果】本発明のポリマーは発光材料や電荷輸送
材料等として有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ０９Ｋ 11/06 ６８０ Ｃ０９Ｋ 11/06 ６８０ (72)発明者 津幡 義昭 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 北野 真 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 土居 秀二 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 上岡 隆宏 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 (72)発明者 中園 明子 茨城県つくば市北原６ 住友化学工業株式 会社内 Ｆターム(参考） 4C023 PA01 4H049 VN01 VP01 VP02 VQ19 VQ76 VR23 VR24 VS07 VS12 VS84 VU20 VU36 4H050 AA01 AA02 AA03 AB46 WA15 WA23 4J032 BA02 BA17 BA18 BB01 BB09 BC03

Claims (32)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】下記式（１）で示される繰り返し単位を含
    み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０３〜１０8
    であることを特徴とするポリマー。 〔式中、Ａ１は、-Ｚ-または-Ｚ-Ｚ-を表す。ここに、
    Ｚは置換基を有していてもよい原子である。また、Ａ1
    に対してα位の炭素をＣ2、Ａ1に対してβ位の炭素をＣ
    1としたとき、(Ｃ2−Ａ１の結合距離)／（Ｃ2−Ｃ1の結
    合距離）で定義される結合距離比は１．１０以上であ
    る。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５およびＲ ６は、それ
    ぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アル
    ケニル基、アルキニル基、アルキルオキシ基、アルキル
    チオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキ
    シ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールア
    ルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキ
    ルチオ基、アリールアルキルアミノ基、置換シリル基、
    アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、アリ
    ールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素
    環基またはシアノ基を表し、Ｒ２とＲ３、およびＲ４と
    Ｒ５は互いに結合して環を形成していてもよい。〕
  2. 【請求項２】Ｚの原子がＳｉ，Ｐ、Ｓ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓ
    ｅまたはＴｅであることを特徴とする請求項１記載のポ
    リマー。
  3. 【請求項３】Ａ1が下記式（４）、（５）または（６）
    で示される２価の基であることを特徴とする請求項１記
    載のポリマー。 〔式中、Ｒ７はアルキル基、アルキルオキシ基、アルキ
    ルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオ
    キシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリール
    アルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアル
    キルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、ア
    シルオキシ基、アミド基または１価の複素環基を示
    す。〕 〔式中、Ａ２はＳｉ、ＧｅまたはＳｎを表し、Ｒ８およ
    びＲ９はそれぞれ独立にアルキル基、アルキルオキシ
    基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、
    アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ
    基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、
    アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、
    アシルオキシ基、アミド基または１価の複素環基を表
    す。ｌは１または２を表す。〕
  4. 【請求項４】上記式（1）においてＡ１が上記式（４）
    で表される２価の基であることを特徴とする請求項３に
    記載のポリマー。
  5. 【請求項５】上記式（1）においてＡ１が上記式（５）
    で表される２価の基であることを特徴とする請求項３に
    記載のポリマー。
  6. 【請求項６】上記式（1）においてＡ１が上記（６）式
    で表される２価の基であり、Ａ２がＳｉでかつｌが１で
    あることを特徴とする請求項３に記載のポリマー。
  7. 【請求項７】上記式（１）においてＡ１が（６）式で表
    される２価の基であり、Ａ２がＳｉでかつｌが２である
    ことを特徴とする請求項３に記載のポリマー。
  8. 【請求項８】上記式（１）においてＲ２およびＲ５がそ
    れぞれ独立にアルキルオキシ基、アルキルチオ基、アル
    キルアミノ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、ア
    リールアミノ基、アリールアルキルオキシ基、アリール
    アルキルチオ基またはアリールアルキルアミノ基である
    ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポリ
    マー。
  9. 【請求項９】さらに下記式（７）で示される繰り返し単
    位を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記
    載のポリマー。 −Ａｒ６−（ＣＲ１７＝ＣＲ１８）ｎ− （７） 〔式中、Ａｒ６は、アリーレン基または２価の複素環基
    を表し、Ｒ１７およびＲ １８は、それぞれ独立に水素原
    子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシ
    アノ基を表す。ｎは０または１を表す。〕
  10. 【請求項１０】さらに下記式（８）で示される繰り返し
    単位を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに
    記載のポリマー。 〔式中、Ａｒ１およびＡｒ２はそれぞれ独立にアリーレ
    ン基または２価の複素環基を表す。また、Ｒ１１は、ア
    ルキル基、アリール基、１価の複素環基、下記式（９）
    または（１０）で示される基を表す。ｍは１〜４の整数
    を表す。Ａｒ２およびＲ１１がそれぞれ複数存在する場
    合、それらは同一でも異なっていてもよい。 （式中、Ａｒ３はアリーレン基または２価の複素環基を
    表す。Ｒ１２は、水素原子、アルキル基、アリール基、
    １価の複素環基または下記式（１０）で示される基を表
    す。Ｙ１は、 −ＣＲ１３＝ＣＲ１４−または−Ｃ≡Ｃ
    −を表す。Ｒ１３およびＲ１４はそれぞれ独立に水素原
    子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはシ
    アノ基を表す。ｐは０〜２の整数を表す。Ｙ１が複数存
    在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。 （式中、Ａｒ４およびＡｒ５はそれぞれ独立にアリーレ
    ン基または２価の複素環基を表す。また、Ｒ１５はアル
    キル基、アリール基または１価の複素環基を表す。Ｒ
    １６は水素原子、アルキル基、アリール基または１価の
    複素環基を表す。ｑは１〜４の整数を表す。Ａｒ5およ
    びＲ１５がそれぞれ複数存在する場合、それらは同一で
    も異なっていてもよい。）〕
  11. 【請求項１１】下記式（１１）で示される化合物を原料
    の一つとして用いて縮合重合することを特徴とする請求
    項１〜1０のいずれかに記載のポリマーの製造方法。 （式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６およびＡ
    １は前記と同じ意味を表す。Ｘ１およびＸ２はそれぞれ
    独立に縮合重合可能な置換基を表す。）
  12. 【請求項１２】上記式（11）で示される化合物。
  13. 【請求項１３】上記式（11）においてＡ１が上記（４）
    式で表される２価の基であることを特徴とする請求項１
    ２記載の化合物。
  14. 【請求項１４】上記式（１１）においてＡ１が上記
    （５）式で表される２価の基であることを特徴とする請
    求項１２記載の化合物。
  15. 【請求項１５】上記式（１１）においてＡ１が上記
    （６）式で表される２価の基であり、Ａ２がSiでかつｌ
    が１であることを特徴とする請求項１２記載の化合物。
  16. 【請求項１６】上記式（１１）においてＡ１が上記
    （６）式で表される２価の基であり、Ａ２がＳｉでかつ
    ｌが２であることを特徴とする請求項１２記載の化合
    物。
  17. 【請求項１７】上記式（１１）においてＲ２およびＲ５
    がそれぞれ独立にアルキルオキシ基、アルキルチオ基、
    アルキルアミノ基、アリールオキシ基、アリールチオ
    基、アリールアミノ基、アリールアルキルオキシ基、ア
    リールアルキルチオ基またはアリールアルキルアミノ基
    であることを特徴とする請求項１２〜１６のいずれかに
    記載の化合物。
  18. 【請求項１８】上記式（１１）の化合物において、Ｘ１
    およびＸ２がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルス
    ルホネート基、アリールスルホネート基またはアリール
    アルキルスルホネート基である請求項１２〜１７のいず
    れかに記載の化合物。
  19. 【請求項１９】請求項１８記載の化合物を、パラジウム
    触媒またはニッケル触媒を用いて縮合重合することを特
    徴とする請求項１1に記載のポリマーの製造方法。
  20. 【請求項２０】下記式（１３）で示される化合物の２つ
    のヨウ素原子を選択的にメタル化した後に下記式（１
    ４）で示されるジハロゲン化リン化合物と反応させるこ
    とを特徴とする請求項１３、１７または１８に記載の化
    合物の製造方法。 〔式中、Ｒ１、Ｒ2、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｘ１お
    よびＸ２は前記と同じ意味を表す。〕 〔式中、Ｒ７は前記と同じ意味を表す。Ｘ５およびＸ６
    はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子
    を示す。〕
  21. 【請求項２１】上記式（１３）で示される化合物の２つ
    のヨウ素原子を選択的にメタル化した後に硫黄と反応さ
    せることを特徴とする請求項１４、１７または１８に記
    載の化合物の製造方法。
  22. 【請求項２２】下記式（１９）で示される化合物とハロ
    ゲン化試剤とを反応させることを特徴とする請求項１５
    に記載の化合物の製造方法。 （式中、Ｒ1、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ4、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８およ
    びＲ９は前記と同じ意味を表す。）
  23. 【請求項２３】ハロゲン化試剤としてＮ−ハロゲノ化合
    物を用いることを特徴とする請求項２２に記載のジベン
    ゾシロール誘導体の製造方法。
  24. 【請求項２４】上記式（１９）で示されるジベンゾシロ
    ール誘導体。
  25. 【請求項２５】上記式（１３）で示される化合物の２つ
    のヨウ素原子を選択的にメタル化した後に下記式（２
    ２）で示される１，２−ジハロゲン化ジシリル化合物と
    反応させることを特徴とする請求項１６、１７または１
    ８に記載のジシリル化合物の製造方法。 〔式中、Ｒ８およびＲ９は前記と同じ意味を表す。Ｘ
    １１およびＸ１２はそれぞれ独立に塩素原子、臭素原子
    またはヨウ素原子を示す。〕
  26. 【請求項２６】請求項１〜１０に記載のポリマーを含む
    ことを特徴とする高分子電子素子。
  27. 【請求項２７】請求項１〜１０に記載のポリマーからな
    る高分子蛍光体。
  28. 【請求項２８】陽極および陰極からなる電極間に、発光
    層を有し、該発光層が請求項１〜１０のいずれかに記載
    のポリマーを含むことを特徴とする高分子発光素子。
  29. 【請求項２９】請求項２８に記載の高分子発光素子を含
    むことを特徴とする面状光源。
  30. 【請求項３０】請求項２８に記載の高分子発光素子を含
    むことを特徴とするセグメント表示装置。
  31. 【請求項３１】請求項２８に記載の高分子発光素子を含
    むことを特徴とするドットマトリックス表示装置。
  32. 【請求項３２】請求項２８に記載の高分子発光素子をバ
    ックライトとして用いたことを特徴とする液晶表示装
    置。
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