JP4639728B2

JP4639728B2 - 高分子発光材料および高分子発光素子

Info

Publication number: JP4639728B2
Application number: JP2004286813A
Authority: JP
Inventors: 智也中谷; 千津関根; 智司三上; 諭小林
Original assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Current assignee: Sumitomo Chemical Co Ltd
Priority date: 2003-10-01
Filing date: 2004-09-30
Publication date: 2011-02-23
Anticipated expiration: 2024-09-30
Also published as: JP2005126705A

Description

本発明は、三重項励起状態からの発光を示す高分子発光材料、及び高分子発光素子に関する。

発光素子の発光層に用いる発光材料として、三重項励起状態からの発光を示す高分子発光材料（以下、三重項高分子発光材料ということがある）を発光層に用いた素子が知られている。

三重項高分子発光材料としては、マトリックスの高分子化合物と低分子の三重項発光化合物とからなる組成物が知られており、その例としては、繰り返し単位として、フルオレンジイル基を有する高分子化合物に、低分子の三重項発光化合物である２，８，１２，１７−テトラエチルー３，７，１３，１８−テトラメチルポルフィリンを加えた組成物が開示されている。（非特許文献１）。
三重項高分子発光材料としては、また、高分子の分子内に三重項発光化合物の構造を有する高分子錯体化合物が知られており、その例として、繰り返し単位として、フルオレン構造を有する高分子化合物の側鎖に、下記のような低分子の三重項発光化合物の構造を有する化合物が開示されている（非特許文献２）。

また、高分子錯体化合物の例として、繰り返し単位として、フルオレン構造を有する高分子の主鎖に三重項発光化合物であるトリ（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体Ir(ppy)3の部分構造を有する化合物が知られている。（特許文献1）。

ＡＰＰＬＩＥＤＰＨＹＳＩＣＳＬＥＴＴＥＲＳ、８０，１３，２３０８（２００２）Ｊ.Ａｍ.Ｃｈｅｍ.Ｓｏｃ.,２００３,ｖｏｌ.１２５,Ｎｏ．３,６３６−６３７．特開２００３−７３４８０号

しかしながら、上記の三重項高分子発光材料を発光層に用いた素子は、その発光効率が未だ十分なものではなかった。

本発明の目的は、三重項励起状態からの発光を示す高分子発光材料であってそれを発光素子の発光層に用いた素子が発光効率にすぐれる高分子発光材料を提供することにある。

即ち本発明は、下記式（１）または（２）で示される繰り返し単位を有しポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子化合物を含有し、三重項励起状態からの発光を示す高分子発光材料を提供するものである。

［式中、Ａｒ¹およびＡｒ²は、それぞれ独立に、３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。Ｘ¹およびＸ²は、それぞれ独立に、Ｏ，Ｓ，Ｃ（＝Ｏ），Ｓ（＝Ｏ），ＳＯ₂，Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²），Ｓｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴），Ｎ（Ｒ⁵），Ｂ（Ｒ⁶），Ｐ（Ｒ⁷）またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）
（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ただし、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は、それぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。）を表す。ただし、Ｘ¹とＸ²は、ＳまたはＳｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴）である場合を除いて同一ではない。また、Ｘ¹とＡｒ²はＡｒ¹の芳香環中の隣接炭素に結合し、Ｘ²とＡｒ¹はＡｒ²の芳香環中の隣接炭素に結合している。

［式中、Ａｒ³およびＡｒ⁴は、それぞれ独立に、３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。Ｘ³およびＸ⁴は、それぞれ独立に、Ｎ，Ｂ,Ｐ，Ｃ（Ｒ⁹）またはＳｉ(Ｒ¹⁰)を表す。
（式中、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。）を表す。ただし、Ｘ³とＸ⁴が同一ではない。
また、Ｘ³とＡｒ⁴はＡｒ³の芳香環上の互いに隣接する原子に結合し、Ｘ⁴とＡｒ³はＡｒ⁴の芳香環上の互いに隣接する原子に結合している。〕

発光層に本発明の高分子発光材料を用いた発光素子は発光効率に優れる。したがって、本発明の高分子発光材料は、高分子ＬＥＤの発光材料などに好適に用いることができ、高分子発光素子とそれを用いた有機ＥＬデバイス等の材料として用いることができる。

本発明の高分子発光材料が含有する高分子化合物は、上記式（１）または（２）で示される繰り返し単位を含む。

上記式（１）中、Ａｒ¹およびＡｒ²は、それぞれ独立に、３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。

ここで３価の芳香族炭化水素基とは、芳香族炭化水素のベンゼン環または縮合環から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、通常炭素数６〜６０、好ましくは６〜２０である。

３価の芳香族炭化水素基の中で、無置換のものとしては以下のものが例示される。

なお、３価の芳香族炭化水素基は、芳香族炭化水素基上に置換基を有していてもよい。３価の芳香族炭化水素基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
３価の芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、シアノ基等があげられる。

また、３価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子３個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は、通常４〜６０、好ましくは４〜２０である。

ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

３価の複素環基の中で、無置換のものとしては、例えば以下のものが挙げられる。

上記式中、Ｒ’はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基またはシアノ基を表す。
Ｒ’’はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基、または１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基を表す。

また、３価の複素環基は、複素環基上に置換基を有していてもよく、複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。

３価の複素環基が有していてもよい置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基、が例示される。

３価の芳香族炭化水素基、３価の複素環基が有していてもよい置換基における、ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、よう素が例示される。

アルキル基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉ−プロピル基、ブチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基などが例示される。

アルキルオキシ基としては、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ｉ−プロピルオキシ基、ブトキシ基、ｉ−ブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基などが例示される。

アルキルチオ基は、直鎖、分岐または環状のいずれでもよく、置換基を有していてもよい。炭素数は通常１〜２０程度であり、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ｉ−プロピルチオ基、ブチルチオ基、ｉ−ブチルチオ基、ｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基などが例示される。

アリール基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル基（Ｃ₁〜Ｃ₁₂は、炭素数１〜１２であることを示す。以下も同様である。）、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ペンタフルオロフェニル基、ピリジル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジル基、トリアジル基などが例示される。

アリールオキシ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェノキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基、ピリジルオキシ基、ピリダジニルオキシ基、ピリミジルオキシ基、ピラジルオキシ基、トリアジルオキシ基などが例示される。

アリールチオ基としては、芳香環上に置換基を有していてもよく、炭素数は通常３〜６０程度であり、具体的には、フェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、ピリジルチオ基、ピリダジニルチオ基、ピリミジルチオ基、ピラジルチオ基、トリアジルチオ基などが例示される。

アリールアルキル基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル基などが例示される。

アリールアルキルオキシ基は、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基などが例示される。

アリールアルキルチオ基としては、置換基を有していてもよく、炭素数は通常７〜６０程度であり、具体的には、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチオ基などが例示される。

アシル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基などが例示される。

アシルオキシ基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基などが例示される。

アミド基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、具体的には、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基などが例示される。

酸イミド基としては、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を除いて得られる残基があげられ、通常炭素数２〜６０程度であり、好ましくは炭素数２〜４８である。具体的には以下に示す基が例示される。

イミン残基としては、イミン化合物（分子内に、−Ｎ＝Ｃ-を持つ有機化合物のことをいう。その例として、アルジミン、ケチミン及びこれらのＮ上の水素原子が、アルキル基等で置換された化合物があげられる）から水素原子１個を除いた残基があげられ、通常炭素数２〜２０程度であり、好ましくは炭素数２〜１８である。具体的には、以下の構造式で示される基などが例示される。

置換アミノ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基があげられ、該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
炭素数は通常１〜４０程度であり、具体的には、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルフェニル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルアミノ基などが例示される。

置換シリル基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜３０である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的にはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−プロピルシリル基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ−ｐ−キシリルシリル基、トリベンジルシリル基、ジフェニルメチルシリル基、ｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基などが例示される。

置換シリルオキシ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基（Ｈ³ＳiＯ-）があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜３０である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリ−ｎ−プロピルシリルオキシ基、トリ−ｉ−プロピルシリルオキシ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ−ｐ−キシリルシリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、ジフェニルメチルシリルオキシ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基などが例示される。

置換シリルチオ基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基（Ｈ³ＳiＳ-）
があげられ、炭素数は通常１〜６０程度であり、好ましくは炭素数３〜３０である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリ−ｎ−プロピルシリルチオ基、トリ−ｉ−プロピルシリルチオ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ−ｐ−キシリルシリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、ジフェニルメチルシリルチオ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基などが例示される。

置換シリルアミノ基としては、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、Ｓｉ原子に結合する基としては、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基で置換されたシリルアミノ基（Ｈ3ＳiＮＨ-または（（Ｈ3Ｓi）２Ｎ-）があげられ、炭素数は通常１〜１２０程度であり、好ましくは炭素数３〜６０である。なお該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
具体的には、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリ−ｎ−プロピルシリルアミノ基、トリ−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ｔ−ブチルシリルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ−ｐ−キシリルシリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔ−ブチルジフェニルシリルアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基、ジ（トリメチルシリル）アミノ基、ジ（トリエチルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｎ−プロピルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｉ−プロピルシリル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルシリルジメチルシリル）アミノ基、ジ（トリフェニルシリル）アミノ基、ジ（トリ−ｐ−キシリルシリル）アミノ基、ジ（トリベンジルシリル）アミノ基、ジ（ジフェニルメチルシリル）アミノ基、ジ（ｔ−ブチルジフェニルシリル）アミノ基、ジ（ジメチルフェニルシリル）アミノ基などが例示される。

1価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団をいい、炭素数は通常４〜６０程度であり、具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、トリアゾリル基、オキサゾリル基、チアゾール基、チアジアゾール基などが例示される。

ヘテロアリールオキシ基（Ｑ¹-Ｏ−で示される基、Ｑ¹は1価の複素環基を表す。）、ヘテロアリールチオ基（Ｑ²−Ｓ−で示される基、Ｑ²は1価の複素環基を表す。）、ヘテロアリールオキシカルボニル基（Ｑ³-Ｏ（Ｃ＝Ｏ）−で示される基、Ｑ³は1価の複素環基を表す。）における１価の複素環基としては、上記の１価の複素環基に例示の基が例示される。

アリールアルケニル基、アリールエチニル基におけるアリール基としては、上記のアリール基と同様な基が例示される。
アリールアルケニル基におけるアルケニル基は、炭素数は通常２〜２０程度であり、ビニル基、１−プロピレニル基、２−プロピレニル基、３−プロピレニル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、シクロヘキセニル基、１，３−ブタジエニル基などが例示される。

アルコキシカルボニル基におけるアルコキシ基としては、上記アルコキシ基に例示の基が挙げられる。

アリールオキシカルボニル基におけるアリールオキシ基としては、上記アリールオキシ基に例示の基が挙げられる。

アリールアルキルオキシカルボニル基におけるアルキルオキシ基としては、上記アリールアルキルオキシ基に例示の基が挙げられる。

ヘテロアリールオキシカルボニル基におけるヘテロアリールオキシ基としては、上記ヘテロアリールオキシ基に例示の基が挙げられる。

上記Ｒ’における、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシルオキシ基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、１価の複素環基、Ｒ’’におけるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、置換シリル基、アシル基、または１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基の定義、具体例等は、上記３価の芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基についてのそれぞれについての定義、具体例と同様である。

上記式（1）中、Ｘ¹およびＸ²は、それぞれ独立に、Ｏ，Ｓ，Ｃ（＝Ｏ），Ｓ（＝Ｏ），ＳＯ₂，Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²），Ｓｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴），Ｎ（Ｒ⁵），Ｂ（Ｒ⁶），Ｐ（Ｒ⁷）またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）を表す。ただし、Ｘ¹とＸ²は、ＳまたはＳｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴）である場合を除いて同一ではない。

式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基を表す。を表し、Ｒ¹とＲ²、Ｒ³とＲ⁴は、それぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。

Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²）においてＲ¹とＲ²が互いに結合して環を形成していている場合、またはＳｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴）においてＲ³とＲ⁴が互いに結合して環を形成していている場合、環構造部分としては具体的には下記が例示される。

Ｒ¹〜Ｒ⁸における、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、の定義、具体例等は、上記３価の芳香族炭化水素基が有していてもよい置換基についてのそれぞれについての定義、具体例と同様である。

中でも、式（１）のＸ¹が、Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²），Ｓｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴），Ｎ（Ｒ⁵），Ｂ（Ｒ⁶），Ｐ（Ｒ⁷）またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）
(式中、Ｒ¹〜Ｒ⁸はそれぞれ独立に、前記と同じ意味を表す。)
であることが高発光効率を得るという観点で好ましく、
Ｃ（Ｒ¹）（Ｒ²）
であることがより好ましい。

−Ｘ¹−Ｘ²-としては、下記（２６）、（２７）、（２８）に例示の基が例示される。

中でも、化合物の安定性の観点から（２７）、（２８）から選ばれる基が好ましく、より好ましくは（２８）から選ばれる基である。

式（１）で示される繰り返し単位として具体的には、以下の式（２９）〜（３３）で示される基、およびこれらの芳香族炭化水素基または複素環上にさらに置換基を有する基が例示される。

これらのうち、式（２９）〜式（３２）で示される基、およびこれらの芳香族炭化水素基または複素環上にさらに置換基を有する基が好ましく、式（２９）で示される基、およびこれらの芳香族炭化水素基または複素環上にさらに置換基を有する基がさらに好ましい。置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基が例示され、互いに結合して環を形成してもよい。

上記式（１）で示される繰返し単位のうち、発光効率の観点から好ましくは下記式（３）で示される繰返し単位

Ａｒ¹、Ａｒ²は上記と同じ意味を表す。Ｒ¹¹およびＲ¹²はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ⁵はＯ，Ｓ，Ｃ（＝Ｏ），Ｓ（＝Ｏ），ＳＯ₂，Ｓｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴），Ｎ（Ｒ⁵），Ｂ（Ｒ⁶），Ｐ（Ｒ⁷）またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）を表す。
（式中、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷およびＲ⁸は上記と同じ意味を表す。）
であり、

さらに好ましくは下記式（４）で示される繰返し単位である。

式中、Ｘ⁵、Ｒ¹¹およびＲ¹²は上記と同じ意味を表す。Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。Ｒ¹⁴とＲ¹⁵およびＲ¹⁶とＲ¹⁷は互いに結合して環を形成してもよい。
Ｒ¹⁴とＲ¹⁵およびＲ¹⁶とＲ¹⁷は互いに結合して環を形成していている場合、環構造部分としては具体的には下記が例示される。

合成の容易さ、発光効率の観点から、さらに好ましくは、上記式（４）においてＸ⁵が酸素原子の場合である。

次に上記式（２）で示される繰返し単位について説明する。
上記式（２）におけるＡｒ³およびＡｒ⁴は、それぞれ独立に、３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。
３価の芳香族炭化水素基、３価の複素環基の定義、具体例等は、式（1）におけるそれぞれについてのそれぞれについての定義、具体例等と同様である。

また、Ｘ³およびＸ⁴は、それぞれ独立に、Ｎ，Ｂ,Ｐ，Ｃ（Ｒ⁹）またはＳｉ(Ｒ¹⁰)
を表す。ただし、Ｘ³とＸ⁴が同一ではない。

式中、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。

中でも、式（２）のＸ³が、Ｃ（Ｒ⁹）またはＳｉ(Ｒ¹⁰)
（式中、Ｒ⁹およびＲ¹⁰は、それぞれ独立に、前記と同じ意味を表す。）
であることが好ましく、

Ｃ（Ｒ⁹）
であることがより好ましい。

式（２）の−Ｘ³＝Ｘ⁴−としては、例えば、下記式（３４）、（３５）、（３６）に記載の基が挙げられる。

中でも、式（２）であらわされるものの安定性の観点から（３５）、（３６）の基が好ましく、より好ましくは（３６）の基である。

式（２）で示される繰り返し単位として、具体的には、以下の式（３７）、（３８）、（３９）で示される単位、およびこれらの芳香族炭化水素基または複素環上にさらに置換基を有する単位が例示される。

上記式（２６）〜式（３３）で示される基の置換基を有する場合の置換基としては、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基が例示され、互いに結合して環を形成してもよい。

本発明に用いる高分子化合物は式（1）、式（２）で示される繰り返し単位をそれぞれ２種以上含んでいてもよい。

本発明に用いる高分子化合物は、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、式（１）、式（２）で示される繰り返し単位以外の繰り返し単位を含んでいてもよい。また、式（１）および式（２）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の１０モル％以上であることが好ましく、より好ましくは５０モル％以上であり、さらに好ましくは８０モル％以上である。

本発明に用いる高分子化合物は、発光効率を高める観点から、式(１)、(２)で示される繰り返し単位に加え、下記式（５）、式（６）、式（７）または式（８）で示される繰り返し単位を含むことが好ましい。

−Ａｒ⁵− (５)

―Ａｒ⁵−Ｘ⁶―（Ａｒ⁶−Ｘ⁷）_a―Ａｒ⁷− （６）

−Ａｒ⁵−Ｘ⁷− (７)

−Ｘ⁷− (８)

式中、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶、およびＡｒ⁷はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ｘ⁶は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ²¹）−、または−（ＳｉＲ²²Ｒ²³）_y−を示す。Ｘ⁷は、−ＣＲ¹⁹＝ＣＲ²⁰−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ²¹）−、または−（ＳｉＲ²²Ｒ²³）_y−を表す。Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ²¹、Ｒ²²およびＲ²³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはアリールアルキル基を示す。ａは０〜１の整数を表す。ｂは１〜１２の整数を表す。

ここに、アリーレン基とは、芳香族炭化水素から、水素原子２個を除いた原子団であり、環を構成する炭素数は通常６〜６０程度であり、好ましくは６〜２０である。アリーレン基にはとは、ここに芳香族炭化水素としては、縮合環をもつもの、独立したベンゼン環または縮合環２個以上が直接またはビニレン等の基を介して結合したものも含まれる。
アリーレン基としては、フェニレン基（例えば、下図の式１〜３）、ナフタレンジイル基（下図の式４〜１３）、アントラセンジイル基（下図の式１４〜１９）、ビフェニル−ジイル基（下図の式２０〜２５）、フルオレン−ジイル基（下図の式３６〜３８）、ターフェニル−ジイル基（下図の式２６〜２８）、スチルベン−ジイル（下図の式３９〜４２）、ジスチルベン−ジイル（下図の式４３，４４）、縮合環化合物基（下図の式２９〜３８）などが例示される。中でもフェニレン基、ビフェニレン基、フルオレン−ジイル基、スチルベン−ジイル基が好ましい。

また、２価の複素環基とは、複素環化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団をいい、環を構成する炭素数は通常３〜６０程度である。
ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、リン、ホウ素、ヒ素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。

２価の複素環基としては、例えば以下のものが挙げられる。
ヘテロ原子として、窒素を含む２価の複素環基；ピリジン−ジイル基（下図の式４５〜５０）、ジアザフェニレン基（下図の式５１〜５４）、キノリンジイル基（下図の式５５〜６９）、キノキサリンジイル基（下図の式７０〜７４）、アクリジンジイル基（下図の式７５〜７８）、ビピリジルジイル基（下図の式７９〜８４）、フェナントロリンジイル基（下図の式８２〜８４）、など。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含みフルオレン構造を有する基（下図の式８５〜９６）。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基：（下図の式９７〜１０１）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環縮合複素基：（下図の式１０２〜１１１）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位で結合し２量体やオリゴマーになっている基：（下図の式１１２〜１１５）が挙げられる。
ヘテロ原子としてけい素、窒素、硫黄、セレンなどを含む５員環複素環基でそのヘテロ原子のα位でフェニル基に結合している基：（下図の式１１６〜１２２）が挙げられる。
ヘテロ原子として酸素、窒素、硫黄、などを含む５員環縮合複素環基にフェニル基やフリル基、チエニル基が置換した基：（下図の式１２３〜１２８）が挙げられる。

上記式（５）で示される繰り返し単位のうち、下記式（９）、式（１０）、式（１１）、式（１２）、式（１３）、または式（１４）で示される繰り返し単位が発光強度の観点から好ましい。

式中、Ｒ²⁴は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ｃは０〜４の整数を表す。
Ｒ²⁴が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

式（９）の具体例としては、下記の繰返し単位があげられる。

式中、Ｒ²⁵およびＲ²⁶は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ｄおよびｅはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。
Ｒ²⁵およびＲ²⁶がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

式（１０）の具体例としては、下記の繰返し単位があげられる。

式中、Ｒ²⁷およびＲ³⁰はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。Ｒ²⁸およびＲ²⁹はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。
ｆおよびｇはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ²⁷およびＲ³⁰がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

式（１１）の具体例としては、下記の繰返し単位があげられる

式中、Ｒ³¹は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ｈは０〜２の整数を示す。Ａｒ⁸およびＡｒ⁹はそれぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。ｉおよびｊはそれぞれ独立に０または１を表す。Ｘ⁸は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、Ｓｅ，またはＴｅを表す。
Ｒ³¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

式（１２）の具体例としては、下記の繰返し単位があげられる。

式中、Ｒ³²およびＲ³³はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ｋおよびｌはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｘ⁹は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ³⁴、またはＳｉＲ³⁵Ｒ³⁶を表す。Ｘ¹⁰およびＸ¹¹は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ³⁷を表す。Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶およびＲ³⁷はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。
Ｒ³²、Ｒ³³およびＲ³⁷がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

式（１３）の具体例としては、下記の繰返し単位があげられる。

式中、Ｒ³⁸およびＲ⁴³はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミノ基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。Ａｒ¹⁰はアリーレン基または２価の複素環基を表す。
Ｒ³⁸およびＲ⁴³がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。

式(１４)の具体例としては、下記の繰返し単位があげられる。

式中、Ａｒ¹¹、Ａｒ¹²、Ａｒ¹³およびＡｒ¹⁴は、それぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ¹⁵、Ａｒ¹⁶およびＡｒ¹⁷は、それぞれ独立にアリール基または１価の複素環基を表す。ｏおよびｐはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ｏ＋ｐ≦１である。

上記式（１５）で示される繰り返し単位の具体例としては、以下の式１２９〜１３６の繰返し単位があげられる。

上記式１２９〜１３６においてＲは、前記式１〜１２８のそれと同じ定義である。上記の例において、１つの構造式中に複数のＲを有しているが、それらは同一であってもよいし、異なる基であってもよい。溶媒への溶解性を高めるためには、水素原子以外を１つ以上有していることが好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。
さらに、上記式においてＲがアリール基や複素環基をその一部に含む場合は、それらがさらに１つ以上の置換基を有していてもよい。
また、上記式においてＲがアルキル鎖を含む置換基においては、それらは直鎖、分岐または環状のいずれかまたはそれらの組み合わせであってもよく、直鎖でない場合、例えば、イソアミル基、２−エチルヘキシル基、３，７−ジメチルオクチル基、シクロヘキシル基、４−Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルシクロヘキシル基などが例示される。高分子化合物の溶媒への溶解性を高めるためには、１つ以上に環状または分岐のあるアルキル鎖が含まれることが好ましい。
また、複数のＲが連結して環を形成していてもよい。さらに、Ｒがアルキル鎖を含む基の場合は、該アルキル鎖は、ヘテロ原子を含む基で中断されていてもよい。ここに、ヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子、窒素原子などが例示される。

上記（９）〜（１５）で示される繰り返し単位の中では、上記式（１５）で示される繰り返し単位がさらに好ましい。中でも下記式（１５−２）で示される繰り返し単位が好ましい。

式中、Ｒ⁶⁵、Ｒ⁶⁶およびＲ⁶⁷は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアミノ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルキルアミノ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミン残基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基またはシアノ基を示す。ｑおよびｒはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。ｓは１〜２の整数を示す。ｔは０〜５の整数を示す。

なお式（５）〜（１５）におけるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、イミド基、１価の複素環基の定義、具体例は前記（２９）〜（３３）に例示の化合物等が有していてもよい置換基のそれと同じである。

また、本発明の高分子発光材料に用いる高分子化合物は、有機溶媒への溶解性や、該発光材料における他の成分との相溶性を改善するという観点で、例えば一般式（１）、（２）、（３）、または（４）であらわされる繰り返し単位で、異なる構造の単位を共重合してもよい。

また、本発明の高分子発光材料に用いる高分子化合物は、ランダム、ブロックまたはグラフト共重合体であってもよいし、それらの中間的な構造を有する高分子、例えばブロック性を帯びたランダム共重合体であってもよい。また主鎖に枝分かれがあり、末端部が３つ以上ある場合も含まれる。

また、本発明の高分子発光材料に用いる高分子化合物の末端基は、重合活性基がそのまま残っていると、素子にしたときの発光特性や寿命が低下する可能性があるので、安定な基で保護されていてよい。主鎖の共役構造と連続した共役結合を有しているものが好ましく、例えば、炭素―炭素結合を介してアリール基または複素環基と結合している構造が例示される。具体的には、特開平９−４５４７８号公報の化１０に記載の置換基等が例示される。

本発明の高分子発光材料に用いる高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は１０³〜１０⁸
であり、好ましくは１０⁴〜１０⁶である。ポリスチレン換算の重量平均分子量は１０³〜１０⁸であり、好ましくは５×１０⁴〜５×１０⁶である。

本発明の高分子発光材料に用いる高分子化合物に対する良溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン、デカリン、ｎ−ブチルベンゼンなどが例示される。高分子化合物の構造や分子量にもよるが、通常はこれらの溶媒に０．１重量％以上溶解させることができる。

次に本発明の高分子発光材料に用いる高分子化合物の製造方法について説明する。
本発明に用いる高分子化合物は下記式（１−０）または（２−０）で示される化合物を原料の一つとして縮合重合することにより製造することができる。

（式中、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ｘ¹およびＸ²は、上記と同じ。Ｙ¹およびＹ²はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、またはビニル基を示す。）

（式中、Ａｒ³、Ａｒ⁴、Ｘ³およびＸ⁴は、上記と同じ。Ｙ³およびＹ⁴はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、またはビニル基を示す。）

上記式（１−０）または（２−０）で示される化合物のうち、合成上、および官能基変換のしやすさの観点から、Ｙ¹〜Ｙ⁴がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基またはホウ酸基であることが好ましく、より好ましくはハロゲン原子である。

ここにアルキルスルホネート基としては、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基などが例示され、アリールスルホネート基としては、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基などが例示され、アリールアルキルスルホネート基としては、ベンジルスルホネート基などが例示される。

ホウ酸エステル基としては、下記式で示される基が例示される。

スルホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２ＳＭｅ₂Ｘ、−ＣＨ２ＳＰｈ₂Ｘ（Ｘはハロゲン原子を示す。）

ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２ＰＰｈ₃Ｘ（Ｘはハロゲン原子を示す。）

ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が例示される。
−ＣＨ２ＰＯ（ＯＲ’）₂
（Ｒ’はアルキル基、アリール基またはアリールアルキル基を示す。）

モノハロゲン化メチル基としては、フッ化メチル基、塩化メチル基、臭化メチル基、ヨウ化メチル基が例示される。

縮合重合の方法としては、主鎖にビニレン基を有する場合には、必要に応じてその他の単量体を用いて、例えば特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法により製造し得る。
すなわち、〔１〕アルデヒド基を有する化合物とホスホニウム塩基を有する化合物とのＷｉｔｔｉｇ反応による重合、〔２〕アルデヒド基とホスホニウム塩基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、〔３〕ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合〔４〕ビニル基とハロゲン原子とを有する化合物のＨｅｃｋ反応による重合、〔５〕ルデヒド基を有する化合物とアルキルホスホネート基を有する化合物とのＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合〔６〕アルデヒド基とアルキルホスホネート基とを有する化合物のＨｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、〔７〕ハロゲン化メチル基を２つ以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、〔８〕スルホニウム塩基を２つ以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、〔９〕アルデヒド基を有する化合物とアセトニトリル基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合〔１０〕アルデヒド基とアセトニトリル基とを有する化合物のＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合などの方法、〔１１〕アルデヒド基を２つ以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合などの方法が例示される。
上記〔１〕〜〔１１〕の重合について以下に式で示す。

〔１〕

〔２〕

〔３〕

〔４〕

〔５〕

〔６〕

〔７〕

〔８〕

〔９〕

〔１０〕

〔１１〕

また、本発明に用いる高分子化合物の製造方法として、主鎖にビニレン基を有しない場合には、必要に応じてその他の単量体を用いて、例えば〔１２〕Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、〔１３〕Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、〔１４〕Ｎｉ（０）触媒により重合する方法、〔１５〕ＦｅＣｌ₃等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、あるいは〔１６〕適当な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法などが例示される。
上記〔１２〕〜〔１６〕までの重合法について、以下に式で示す。

〔１２〕

〔１３〕

〔１４〕

〔１５〕

〔１６〕

これらのうち、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｈｏｒｎｅｒ−Ｗａｄｓｗｏｒｔｈ−Ｅｍｍｏｎｓ法による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、およびＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が、構造制御がしやすいので好ましい。さらにＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）触媒により重合する方法が原料の入手しやすさと重合反応操作の簡便さから好ましい。

単量体を、必要に応じ、有機溶媒に溶解し、例えばアルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で、反応させることができる。例えば、“オルガニックリアクションズ（ＯｒｇａｎｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０−４９０頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニックリアクションズ（ＯｒｇａｎｉｃＲｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第２７巻，３４５−３９０頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８２年、“オルガニックシンセシス（ＯｒｇａｎｉｃＳｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（ＣｏｌｌｅｃｔｉｖｅＶｏｌｕｍｅＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリーアンドサンズ（ＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナルオブオルガノメタリックケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、ジャーナルオブプラクティカルケミストリー（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．），第３３６巻，２４７頁（１９９４年）、マクロモレキュラーケミストリーマクロモレキュラーシンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）などに記載の公知の方法を用いることができる。

有機溶媒としては、用いる化合物や反応によっても異なるが、一般に副反応を抑制するために、用いる溶媒は十分に脱酸素処理を施し、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。また、同様に脱水処理を行うことが好ましい。（但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。）

反応させるために適宜アルカリや適当な触媒を添加する。これらは用いる反応に応じて選択すればよい。該アルカリまたは触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリまたは触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素などの不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリまたは触媒の溶液を添加するか、逆にアルカリまたは触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が例示される。

本発明に用いる（１）または（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物（分子内に三重項励起状態からの発光を示す構造を有するものを含む）を高分子ＬＥＤの発光材料として用いる場合、その純度が発光特性に影響を与えるため、重合前の単量体を蒸留、昇華精製、再結晶等の方法で精製したのちに重合することが好ましく、また合成後、再沈精製、クロマトグラフィーによる分別等の純化処理をすることが好ましい。

本発明に用いる高分子化合物の製造方法において、それぞれの単量体は、一括混合して反応させてもよいし、必要に応じ、分割して混合してもよい。
より具体的に、反応条件について述べると、Ｗｉｔｔｉｇ反応、Ｈｏｒｎｅｒ反応、Ｋｎｏｅｖｅｎｇｅｌ反応などの場合は、単量体の官能基に対して当量以上、好ましくは１〜３当量のアルカリを用いて反応させる。アルカリとしては、特に限定されないが、例えば、カリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウム−ｔ−ブトキシド、ナトリウムエチラート、リチウムメチラートなどの金属アルコラートや、水素化ナトリウムなどのハイドライド試薬、ナトリウムアミド等のアミド類等を用いることができる。溶媒としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、ジオキサン、トルエン等が用いられる。反応の温度は、通常は室温から１５０℃程度で反応を進行させることができる。反応時間は、例えば、５分間〜４０時間であるが、十分に重合が進行する時間であればよく、また反応が終了した後に長時間放置する必要はないので、好ましくは１０分間〜２４時間である。反応の際の濃度は、希薄すぎると反応の効率が悪く、濃すぎると反応の制御が難しくなるので、約０．０１ｗｔ％〜溶解する最大濃度の範囲で適宜選択すればよく、通常は、０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％の範囲である。Ｈｅｃｋ反応の場合は、パラジウム触媒を用い、トリエチルアミンなどの塩基の存在下で、単量体を反応させる。Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドやＮ−メチルピロリドンなどの比較的沸点の高い溶媒を用い、反応温度は、８０〜１６０℃程度、反応時間は、１時間から１００時間程度である。

Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応の場合は、触媒として、例えばパラジウム［テトラキス（トリフェニルホスフィン）］、パラジウムアセテート類などを用い、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化バリウム等の無機塩基、トリエチルアミン等の有機塩基、フッ化セシウムなどの無機塩を単量体に対して当量以上、好ましくは１〜１０当量加えて反応させる。無機塩を水溶液として、２相系で反応させてもよい。溶媒としては、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、トルエン、ジメトキシエタン、テトラヒドロフランなどが例示される。溶媒にもよるが５０〜１６０℃程度の温度が好適に用いられる。溶媒の沸点近くまで昇温し、環流させてもよい。反応時間は１時間から２００時間程度である。

Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応の場合は、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジメトキシエタンなどのエーテル系溶媒中でハロゲン化物と金属Ｍｇとを反応させてＧｒｉｇｎａｒｄ試薬溶液とし、これと別に用意した単量体溶液とを混合し、ニッケルまたはパラジウム触媒を過剰反応に注意しながら添加した後に昇温して環流させながら反応させる方法が例示される。Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬は単量体に対して当量以上、好ましくは１〜１．５当量、より好ましくは１〜１．２当量用いる。これら以外の方法で重合する場合も、公知の方法に従って反応させることができる。

例えば、上記式（１）で示される繰返し単位を含む高分子化合物のうち、下記式（３）および（４）で示される繰返し単位を含む高分子化合物はそれぞれ下記式（１７）および（１８）で示される化合物を原料の一つとして縮重合することにより製造することができる。

式中、Ａｒ¹およびＡｒ²は、それぞれ独立に、３価の芳香族炭化水素基または３価の複素環基を表す。Ｒ¹¹およびＲ¹²はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。Ｘ⁵はＯ，Ｓ，Ｃ（＝Ｏ），Ｓ（＝Ｏ），ＳＯ₂，Ｓｉ（Ｒ³）（Ｒ⁴），Ｎ（Ｒ⁵），Ｂ（Ｒ⁶），Ｐ（Ｒ⁷）またはＰ（＝Ｏ）（Ｒ⁸）を表す。Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷およびＲ¹⁸はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ¹⁴とＲ¹⁵およびＲ¹⁶とＲ¹⁷は互いに結合して環を形成してもよい。Ｙ¹およびＹ²はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、またはビニル基を表す。

上記式（１７）および（１８）で示される化合物のうち、合成上、および官能基変換のしやすさの観点から、Ｙ¹およびＹ²がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基またはホウ酸基であることが好ましい。

上記式（１８）で示される化合物のうち、下記式（１８−１）で示される化合物は下記式（１９）で示される化合物を酸の存在下、反応させることにより製造することができる。

（式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸、Ｙ¹およびＹ²は上記と同じ。）

（式中、Ｒ¹¹〜Ｒ¹⁸、Ｙ¹およびＹ²は上記と同じ。Ｒ⁴⁴は水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。）

上記（１８−１）の合成に用いられる酸としては、Ｌｅｗｉｓ酸、Ｂｒｏｎｓｔｅｄ酸のいずれでもよく、塩酸、臭素酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、安息香酸、フッ化ホウ素、塩化アルミニウム、塩化スズ（IV）、塩化鉄（II）、四塩化チタンまたはこれらの混合物が例示される。

反応の方法は特に限定されないが、溶媒の存在下に実施することができる。反応温度は-80℃〜溶媒の沸点が好ましい。

反応に用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサンなどのハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼンなどのハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸などのカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、塩酸、臭素酸、フッ化水素酸、硫酸、硝酸などの無機酸などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。

反応後は、例えば水でクエンチした後に有機溶媒で抽出し、溶媒を留去するなどの通常の後処理で得ることができる。生成物の単離後および精製はクロマトグラフィーによる分取や再結晶などの方法によりおこなうことができる。

上記式（１９）で示される化合物のうち、合成上、および官能基変換のしやすさの観点から、Ｘ¹、Ｘ²がそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基またはホウ酸基であることが好ましい。

上記式（１９）で示される化合物は、下記式（２０）で示される化合物とGrignard試薬または有機Li化合物とを反応させることにより合成することができる。

（式中、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁸、Ｙ¹およびＹ²は上記と同じ意味を表す。）

上記反応に用いられるGrignard試薬としては、メチルマグネシウムクロライド、メチルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロライド、エチルマグネシウムブロマイド、プロピルマグネシウムクロライド、プロピルマグネシウムブロマイド、ブチルマグネシウムクロライド、ブチルマグネシウムブロマイド、ヘキシルマグネシウムブロマイド、オクチルマグネシウムブロマイド、デシルマグネシウムブロマイド、アリルマグネシウムクロライド、アリルマグネシウムブロマイド、ベンジルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウムブロマイド、ナフチルマグネシウムブロマイド、トリルマグネシウムブロマイドなどが例示される。

有機Li化合物としては、メチルリチウム、エチルリチウム、プロピルリチウム、ブチルリチウム、フェニルリチウム、ナフチルリチウム、ベンジルリチウム、トリルリチウムなどが例示される。

反応の方法は特に限定されないが、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、溶媒の存在下に実施することができる。反応温度は-80℃〜溶媒の沸点が好ましい。

反応に用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。

また、本発明は、上記式（２０）で示される化合物のうち、下記式（２２）で示される化合物は下記式（２１）で示される化合物と過ホウ酸ナトリウムと反応させることにより製造することができる。

反応の方法は、酢酸、トリフルオロ酢酸、プロピオン酸、酪酸などのカルボン酸溶媒の存在下に実施することができる。溶解性を上げるため、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、ベンゼン、トルエンなどとの混合溶媒系でおこなうことが好ましい。反応温度は0℃〜溶媒の沸点が好ましい。

また、下記式（２０−１）、（２３−１）、（２４−１）および（２５−１）で示される繰返し単位を含む高分子化合物は、それぞれ上記式（２０）、下記式（２３）、（２４）および（２５）で示される化合物を原料の一つとして縮重合することにより製造することができる。

式中、Ｘ¹³はホウ素原子、窒素原子またはリン原子を示す。Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶、Ｒ⁴⁷、Ｒ⁴⁸、Ｒ⁴⁹、Ｒ⁵⁰、はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基を表す。Ｒ⁴⁶とＲ⁴⁷、Ｒ⁴⁸とＲ⁴⁹は互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ⁵¹はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、または１価の複素環基を表す。

式中、Ｘ¹⁴は、ホウ素原子、窒素原子またはリン原子を表す。Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶、およびＲ⁵⁷はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ⁵³とＲ⁵⁴、Ｒ⁵⁵とＲ⁵⁶は互いに連結して環を形成してもよい。Ｒ⁵⁸はアルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を示す。

式中、Ｒ⁵⁹、Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³およびＲ⁶⁴はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基またはシアノ基を示す。Ｒ⁶⁰とＲ⁶¹、Ｒ⁶²とＲ⁶³は互いに連結して環を形成してもよい。

式中、Ｘ¹³、Ｒ⁴⁵、Ｒ⁴⁶、Ｒ⁴⁷、Ｒ⁴⁸、Ｒ⁴⁹、Ｒ⁵⁰およびＲ⁵¹は上記と同じ。Ｙ³およびＹ⁴はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、またはビニル基を示す。

式中、Ｘ¹⁴、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³、Ｒ⁵⁴、Ｒ⁵⁵、Ｒ⁵⁶、Ｒ⁵⁷およびＲ⁵⁸は上記と同じ。Ｙ⁵およびＹ⁶はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、またはビニル基を示す。

式中、Ｒ⁵⁹、Ｒ⁶⁰、Ｒ⁶¹、Ｒ⁶²、Ｒ⁶³およびＲ⁶⁴は上記と同じ。Ｙ⁷およびＹ⁸はそれぞれ独立にハロゲン原子、アルキルスルホネート基、アリールスルホネート基、アリールアルキルスルホネート基、ホウ酸エステル基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化メチル基、ホウ酸基、ホルミル基、またはビニル基を表す。

上記式（２３）および（２４）で示される化合物は、上記式（２５）で示される化合物と塩基の存在下、ハロゲン化物と反応させることにより製造することができる。

用いられる塩基としては、水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの金属ヒドリド、メチルリチウム、ｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔ−ブチルリチウム、フェニルリチウムなどの有機リチウム試薬、メチルマグネシウムブロマイド、メチルマグネシウムクロライド、エチルマグネシウムブロマイド、エチルマグネシウムクロライド、アリルマグネシウムブロマイド、アリルマグネシウムクロライド、フェニルマグネシウムブロマイド、ベンジルマグネシウムクロライドなどのGrignard試薬、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラジド、ナトリウムヘキサメチルジシラジド、カリウムヘキサメチルジシラジドなどのアルカリ金属アミド、水酸化リチウム、水酸化ナトリム、水酸化カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基、またはこれらの混合物が例示される。

ハロゲン化物としては、塩化メチル、臭化メチル、ヨウ化メチル、塩化エチル、臭化エチル、ヨウ化エチル、塩化プロピル、臭化プロピル、ヨウ化プロピル、塩化ブチル、臭化ブチル、ヨウ化ブチル、塩化へキシル、臭化へキシル、塩化オクチル、臭化オクチル、塩化デシル、塩化アリル、臭化アリル、塩化ベンジル、臭化ベンジル、塩化ベンジル、臭化ベンジル、塩化トリル、臭化トリル、ヨウ化トリル、塩化アニシル、臭化アニシル、ヨウ化アニシルなどが例示される。

反応は、窒素やアルゴンなどの不活性ガス雰囲気下、溶媒の存在下に実施することができる。反応温度は-80℃〜溶媒の沸点が好ましい。

反応に用いられる溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサンなどの飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレンなどの不飽和炭化水素、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサンなどのエーテル類、などが例示され、単一溶媒、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジンなどのアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどのアミド類などが例示され、単一溶媒、またはこれらの混合溶媒を用いてもよい。

本発明の三重項励起状態からの発光を示す高分子発光材料（三重項高分子発光材料）について説明する。ここに三重項励起状態からの発光を示す高分子発光材料としては、例えば、燐光発光や、この燐光発光に加えて蛍光発光が観測される材料も含まれる。

本発明の高分子発光材料は、上記式（１）または（２）で示される繰り返し単位を有し、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子化合物を含有し、三重項励起状態からの発光を示すものでありその態様としては、
（I）三重項励起状態からの発光を示す化合物を式（１）または（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物との組成物として含む高分子発光材料。
（II）三重項励起状態からの発光を示す構造を式（１）または（２）で示される繰り返し単位からなる高分子化合物の側鎖、主鎖または末端に有する高分子発光材料。
があげられる。なお、（II）は、マトリックスの高分子化合物との組成物としても用いることができる。

（I）、（II）の中では、三重項励起状態からの発光を示す化合物または構造が金属錯体であることが好ましい。

上記（I）の態様、即ち、高分子発光材料が、式（１）または（２）で示される繰り返し単位を有する高分子化合物と三重項励起状態からの発光を示す化合物（三重項発光化合物）との組成物である場合、用いる三重項発光化合物としては、例えば、従来から低分子系のＥＬ発光性材料として利用されてきた金属錯体化合物（三重項発光錯体化合物）があげられる。これらは、例えば、Nature, (1998), 395, 151、Appl. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4、Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng. (2001), 4105(Organic Light-Emitting Materials and DevicesＩＶ), 119、J. Am. Chem. Soc., (2001), 123, 4304、Appl. Phys. Lett., (1997), 71(18), 2596、Syn. Met., (1998), 94(1), 103、Syn. Met., (1999), 99(2), 1361、Adv. Mater., (1999), 11(10), 852等に開示されている。

三重項発光錯体化合物の中心金属としては、通常、原子番号５０以上の原子で、該錯体にスピン−軌道相互作用があり、一重項状態と三重項状態間の項間交差を起こしうる金属である。

三重項発光錯体化合物の中心金属としては、例えば、レニウム、イリジウム、オスミウム、スカンジウム、イットリウム、白金、金、およびランタノイド類のユーロピウム、テルビウム、ツリウム、ディスプロシウム、サマリウム、プラセオジウム、ガドリニウムなどが挙げられ、レニウム、イリジウム、白金、金、ユーロピウムが好ましく、レニウム、イリジウム、白金、金が特に好ましい。

三重項発光錯体化合物の配位子としては、例えば、８−キノリノールおよびその誘導体、ベンゾキノリノールおよびその誘導体、２−フェニル−ピリジンおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾチアゾールおよびその誘導体、２−フェニル−ベンゾオキサゾールおよびその誘導体、ポルフィリンおよびその誘導体などが挙げられる。
三重項発光錯体化合物としては、例えば、以下のもの（ＰＬ−１〜ＰＬ−３７）があげられる。

ここで、Ｒは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アリールアミノ基、１価の複素環基、およびシアノ基からなる群から選ばれる基を示す。溶媒への溶解性を高めるためには、アルキル基、アルコキシ基が好ましく、また置換基を含めた繰り返し単位の形状の対称性が少ないことが好ましい。

三重項発光錯体として、さらに詳しく例を挙げると、下記式（２６）で示される構造が挙げられる。

（Ｈ）_h−Ｍ−（Ｋ）_k （２６）

式中、Ｋは、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上のＭと結合する原子を含む配位子、ハロゲン原子または水素原子を表す。またｈは０〜５の整数、ｋは１〜５の整数、ｈ＋ｋは１〜５の整数を表す。

ここに、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上のＭと結合する原子を含む配位子としては、アルキル基、アルコキルオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、スルホネート基、シアノ基、１価の複素環基、カルボニル化合物、エーテル、アミン、イミン、ホスフィン、亜リン酸エステル、スルフィド、アルケン配位子、アルキン配位子、イソニトリル配位子、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル、スルホン配位子、スルホキシド配位子およびカルボキシル基が挙げられる。この配位子のＭとの結合は、配位結合でも、共有結合でもよい。また、これらを組合わせた多座配位子であってもよい。

アルキル基、アルキルオキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、１価の複素環基はＲ¹〜Ｒ⁸における説明と同様である。

スルホネート基としては、炭素数が２〜２０が好ましく、ベンゼンスルホネート基、ｐ−トルエンスルホネート基、メタンスルホネート基、エタンスルホネート基、トリフルオロメタンスルホネート基が例示される。

カルボニル化合物としては、酸素原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜２０が好ましく、例えば一酸化炭素やアセトン、ベンゾフェノンなどのケトン類、アセチルアセトン、アセナフトキノンなどのジケトン類が例示される。

エーテルとしては酸素原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜４０が好ましく、例えばジメチルエーテル、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、１，２−ジメトキシエタンなどが例示される。

アミンとしては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜６０が好ましく、例えばトリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリベンジルアミン、トリフェニルアミン、ジメチルフェニルアミン、メチルジフェニルアミンなどのモノアミン、１，１，２，２−テトラメチルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラフェニルエチレンジアミン、１，１，２，２−テトラメチル−ｏ−フェニレンジアミンなどのジアミンが例示される。

イミンとしては、窒素原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜３０が好ましく、例えばベンジリデンアニリン、ベンジリデンベンジルアミン、ベンジリデンメチルアミンなどのモノイミン、ジベンジリデンエチレンジアミン、ジベンジリデン−ｏ−フェニレンジアミン、２，３−ビス（アニリノ）ブタンなどのジイミンが例示される。

ホスフィンとしては、リン原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜６０が好ましく、例えばトリフェニルホスフィン、ジフェニルホスフィノエタン、ジフェニルホスフィノプロパンが例示される。

ホスファイトとしては、リン原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜６０が好ましく、例えばトリメチルホスファイト、トリエチルホスフェイント、トリフェニルフォスファイトが例示される。

スルフィドとしては、硫黄原子でＭと配位結合するものであり、炭素数が２〜４０が好ましく、例えばジメチルスルフィド、ジエチルスルフィド、ジフェニルスルフィド、チオアニソールが例示される。

アルケン配位子としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜２０が好ましく、例えば、エチレン、プロピレン、ブテン、ヘキセンまたはデセン等が挙げられる。

アルキン配位子としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜２０が好ましく、例えば、アセチレン、フェニルアセチレンまたはジフェニルアセチレン等が挙げられる。

イソニトリル配位子としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜３０が好ましく、例えば、ｔ−ブチルイソニトリルまたはフェニルイソニトリル等が挙げられる。

ホスフィンオキシド配位子としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜３０が好ましく例えば、トリブチルホスフィンオキシドまたはトリフェニルホスフィンオキシド等が挙げられる。

亜リン酸エステルとしては、Ｍとリン原子で配位結合するものであって、炭素数が２〜６０が好ましく、トリメチルホスファイト、トリエチルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリベンジルホスファイトが例示される。

スルホン配位子としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜４０が好ましく、例えば、ジメチルスルホンまたはジブチルスルホン等が挙げられる。

スルホキシド配位子としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜４０が好ましく、例えば、ジメチルスルホキシドまたはジブチルスルホキシド等が挙げられる。

カルボキシル基としては特に限定されるものではないが、炭素数が２〜２０が好ましく、例えば、アセトキシ基、ナフテネート基または２−エチルヘキサノエート基等が挙げられる。

これらが結合した多座の配位子（２座以上の基）としては、炭素数が２〜６０が好ましく、フェニルピリジン、２-(パラフェニルフェニル)ピリジン、２−フェニルベンゾオキサゾール、２-(パラフェニルフェニル)ベンゾオキサゾール、２−フェニルベンゾチアゾール、２−(パラフェニルフェニル)ベンゾチアゾールなど、複素環とベンゼン環が結合した基、２−(４−チオフェン−２−イル)ピリジン、２−(４−フェニルチオフェン−２−イル)ピリジン、２−(ベンゾチオフェン−２−イル)ピリジン、2,3,７,8,12,13,17,18-オクタエチル-21H,23H-ポルフィリンなど、２つ以上の複素環が結合した基、アセチルアセトナート、ジベンゾメチラート、テノイルトリフルオロアセトナートなどのアセトナート類が例示される。

Ｍは、原子番号５０以上で、スピン−軌道相互作用により本化合物において１重項状態と３重項状態間の項間交差を起こしうる金属原子を表す。

Ｍで示される原子としては、レニウム原子、イリジウム原子、オスミウム原子、スカンジウム原子、イットリウム原子、白金原子、金原子、およびランタノイド類のユーロピウム原子、テルビウム原子、ツリウム原子、ディスプロシウム原子、サマリウム原子、プラセオジウム原子、ガドリニウム原子などが例示され、好ましくはレニウム原子、イリジウム原子、白金原子、金原子、ユーロピウム原子であり、発光効率の点でより好ましくは、レニウム原子、イリジウム原子、白金原子、金原子である。

ＨはＭと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子を表す。
Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子はＫについて例示のものと同じである。

Ｈとしては、以下のものが例示される。式中、＊はＭと結合する原子を表す。

ここに、Ｒ’は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、シアノ基、または１価の複素環基を示す。Ｒ’は互いに結合して環を形成してもよい。溶媒への溶解性を高めるために、Ｒ’の少なくとも１つが長鎖のアルキル基を含むことが好ましい。

ここに、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、置換アミノ基、置換シリル基、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基または１価の複素環基の具体例は上記Ｒ¹〜Ｒ⁸における例示と同じである。

化合物の安定性の面でＨが、少なくとも１つの窒素原子または炭素原子でＭと結合することが好ましく、ＨがＭと多座で結合することがより好ましい。

Ｈが、下式（Ｈ−３）〜（Ｈ−８）で示されることが化合物の安定性の面でさらに好ましい。

（式中、Ｒ’は上記と同様の基を示し、＊はＭと結合する部位を表す。）

態様（II）即ち、高分子発光材料が、三重項励起状態からの発光を示す構造を分子内に含む高分子化合物である場合、その例としては、高分子錯体化合物である、下記式（２７）、（２８）、（２９）または（３０）で示される繰り返し単位を含み、ポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸であり、その側鎖、主鎖または末端に三重項励起状態からの発光を示す構造を有するものがあげられる。

高分子化合物の側鎖に低分子の三重項発光錯体の構造をもつ場合、その構造は、例えば、下式（２７）で示される。

〔式中Ａｒ¹⁸は、二価の芳香族炭化水素基または酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する二価の複素環基を表し、該Ａｒ¹⁸は、−Ｌ−Ｘで示される基１個以上４個以下を有し、Ｘは三重項励起状態からの発光を示す金属錯体を含む一価の基を表し、Ｌは、単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁶⁸Ｒ⁶⁹−，ＮＲ⁷⁰−，−ＢＲ⁷¹−，−ＰＲ⁷²−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁷³）―、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基、該アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上がそれぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、―ＣＯ−、−ＣＯ₂−、−ＳＯ−、―ＳＯ₂―、−ＳｉＲ⁷⁴Ｒ⁷⁵−、ＮＲ⁷⁶−、−ＢＲ⁷⁷−、−ＰＲ⁷⁸−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁷⁹）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよい。Ｒ⁶⁸、Ｒ⁶⁹、Ｒ⁷⁰、Ｒ⁷¹、Ｒ⁷²、Ｒ⁷³、Ｒ⁷⁴、Ｒ⁷⁵、Ｒ⁷⁶、Ｒ⁷⁷、Ｒ⁷⁸、Ｒ⁷⁹は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基およびシアノ基からなる群より選ばれる基を示す。Ａｒ¹⁸は、―Ｌ−Ｘで示される基以外にさらにアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ¹⁸が複数の置換基を有する場合、それらは同一であってもよいし、それぞれ異なっていてもよい。〕

高分子化合物の主鎖に低分子の三重項発光錯体化合物の部分構造をもつ場合、その構造は、例えば、下式（２８）および（２９）で示される。

〔式中、Ｍ、Ｈ、Ｋは上記式（２６）における記載と同様の原子または基を表す。Ｌ₁は、Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子から２個の水素原子を取り除いた残基を表す。ｈ₁は０〜５の整数を示し、ｋ₁は１〜５の整数を示し、ｈ₁＋ｋ₁は１〜５の整数である。〕

〔式中、Ｍ、Ｈ、Ｋは上記式（２６）における記載と同様の原子または基を表す。Ｌ₂およびＬ₃は、それぞれ独立に、Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子から１個の水素原子を取り除いた残基を表す。ｈ₂は０〜５の整数、ｋ₂は１〜５の整数を示し、ｈ₂＋ｋ₂は１〜５の整数である。〕

高分子化合物の末端に低分子の三重項発光錯体化合物の部分構造をもつ場合、その構造は、例えば、下式（３０）で示される。

〔式中、Ｍ、Ｈ、Ｋは上記式（２６）における記載と同様の原子または基を表す。Ｌ₄は、Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子から１個の水素原子を取り除いた残基を表す。ｈ₃は、０〜５の整数、ｋ₃は、１〜５の整数を表し、ｈ₃＋ｋ₃は１〜５の整数である。〕

上記式（２７）中、Ａｒ¹⁸は、二価の芳香族炭化水素基または酸素原子、ケイ素原子、ゲルマニウム原子、スズ原子、リン原子、ホウ素原子、硫黄原子、セレン原子およびテルル原子からなる群から選ばれる原子を一つ以上有する２価の複素環基を表し、−Ｌ―Ｘで示される基１個以上４個以下を有する。

−Ｌ−ＸにおけるＸは、低分子の三重項発光錯体化合物の部分構造を含む１価の基を表す。

Ｘとしては、下記式（Ｘ−１）で示されるものがあげられる。

〔式中、Ｍ、Ｈ、Ｋは（２６）における記載と同様の原子または基を表す。Ｌ₅は、Ｍと結合する原子として、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上の原子を含む配位子から１個の水素原子を取り除いた残基であり、ｈ₄は、０〜５の整数、ｋ₄は、１〜５の整数を表し、ｈ₄＋ｋ₄は１〜５の整数である。〕

上記式（Ｘ−１）中、Ｌ₅としては、Ｌとの結合手をもち、上記Ｈに記載の一個のＲまたはＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられ、具体的には、前記構造式で示した具体例から、一個のＲまたはＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられる。

−Ｌ-ＸにおけるＬは、単結合、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁸⁰Ｒ⁸¹−，ＮＲ⁸²−，−ＢＲ⁸³−，−ＰＲ⁸⁴−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁸⁵）―、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、または置換されていてもよい２価の複素環基を表し、該アルキレン基、該アルケニレン基、該アルキニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、または該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上、または該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁸⁶Ｒ⁸⁷−，ＮＲ⁸⁸−，−ＢＲ⁸⁹−，−ＰＲ⁹⁰−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁹¹）―からなる群から選ばれる基と置き換えられていてもよい。Ｒ⁸⁰、Ｒ⁸¹、Ｒ⁸²、Ｒ⁸³、Ｒ⁸⁴、Ｒ⁸⁵、Ｒ⁸⁶、Ｒ⁸⁷、Ｒ⁸⁸、Ｒ⁸⁹、Ｒ⁹⁰、Ｒ⁹¹は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基およびシアノ基からなる群より選ばれる基を示す。
ここでＲ⁸⁰〜Ｒ⁹¹の具体例としては、上記Ｒ¹〜Ｒ⁸で示したものと同じものが例示される。

Ｌが置換されていてもよいアルキレン基の場合、その炭素数は通常１〜１２程度であり、その置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基等があげられる。
また、該アルキレン基が−ＣＨ₂−基を２個以上含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁸⁶Ｒ⁸⁷−，ＮＲ⁸⁸−，−ＢＲ⁸⁹−，−ＰＲ⁹⁰−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁹¹）―からなる群から選ばれる基と置換されていてもよい。アルキレン基の好ましい例としては、−Ｃ₃Ｈ₆−、−Ｃ₄Ｈ₈−、−Ｃ₅Ｈ₁₀−、−Ｃ₆Ｈ₁₂−、−Ｃ₈Ｈ₁₆−、−Ｃ₁₀Ｈ₂₀−等が挙げられる。

Ｌが置換されていてもよいアルケニレン基の場合、その炭素数は通常１〜１２程度であり、その置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基等があげられる。
該アルキケニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁸⁶Ｒ⁸⁷−，ＮＲ⁸⁸−，−ＢＲ⁸⁹−，−ＰＲ⁹⁰−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁹¹）―からなる群から選ばれる基と置換すされていてもよい。アルケニレン基の好ましい例としては、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ₂−等が挙げられる。

Ｌがアルキニレン基の場合、その炭素数は通常１〜１２程度であり、その置換基としてはアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミノ基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基およびシアノ基等があげられる。
該アルキケニレン基が−ＣＨ₂−基を含む場合、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ₂−基の一つ以上が、−Ｏ−，−Ｓ−，―ＣＯ−，−ＣＯ₂−、−ＳＯ−，―ＳＯ₂―，−ＳｉＲ⁸⁶Ｒ⁸⁷−，ＮＲ⁸⁸−，−ＢＲ⁸⁹−，−ＰＲ⁹⁰−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ⁹¹）―からなる群から選ばれる基と置換していてもよい。アルキニレン基の好ましい例としては、−Ｃ≡Ｃ−、‐ＣＨ₂−Ｃ≡Ｃ−ＣＨ₂−等が挙げられる。

Ｌが置換されていてもよいアリーレン基の場合、この、アリーレン基の具体例としては、炭素数６〜６０の芳香族炭化水素の芳香環から水素原子２個を除いた原子団があげられ、好ましくはベンゼン環から水素原子２個を除いた原子団が例示され、該芳香環に置換されていてもよい置換基としてはＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。

Ｌが置換されていてもよい２価の複素環基の場合、該複素環基に置換されていてもよい置換基としてはＣ₁〜Ｃ₁₂アルキル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルコキシ基が好ましい。炭素数は通常４〜６０程度であり、好ましくは４〜２０である。なお、複素環化合物基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。ここに複素環化合物とは、環式構造をもつ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素、硫黄、窒素、燐、硼素などのヘテロ原子を環内に含むものをいう。具体的には、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基などが例示され、チエニル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ₁〜Ｃ₁₂アルキルピリジル基が好ましい。

また、Ｌの中では、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましい。

−Ｌ―Ｘで示される基の具体例としては、上記の低分子系のＥＬ発光材料として利用されてきた金属錯体化合物の配位子から１個の水素原子を除いた残基または配位子上の置換基から１個の水素原子を除いた残基が、Ｘであるものがあげられる。

また、上記式（Ｘ-１）の具体的な構造としては、上記構造式で示す三重項発光錯体の具体例（ＰＬ−１〜ＰＬ−３７）のそれぞれから、１つのＲまたは、Ｒ中の１つの水素を除いた残基があげられる。

上記式（２８）〜（３０）において、窒素原子、酸素原子、炭素原子、硫黄原子および燐原子から選ばれる１つ以上のＭと結合する原子を含む配位子としては、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アミノ基、置換アミノ基、アルケン、アルキン、アミン、イミン、アミド基、酸イミド基、イソニトリル配位子、シアノ基、ホスフィン、ホスフィンオキシド配位子、亜リン酸エステル、スルホン配位子、スルホキシド配位子、スルホネート基、スルフィド、複素環配位子、カルボキシル基、カルボニル化合物およびエーテルが挙げられ、これらを組合わせた多座の配位子であってもよい。

Ｍは上記と同様の原子を表す。

Ｈ、Ｋは上記と同様の基を表す。

Ｌ₁、Ｌ₂、Ｌ₃またはＬ₄としては、上記（Ｈ−１），（Ｈ−２）に記載の基から高分子鎖への結合数に応じた数のＲまたはＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられ、具体的には、前記構造式で示した具体例のそれぞれから、高分子鎖への結合数に応じた数のＲまたはＲ上の水素原子を除いた残基が挙げられる。

Ｌ₁の場合、高分子鎖への結合数は２であり、Ｌ₂、Ｌ₃、Ｌ₄の場合、高分子鎖への結合数は１である。

態様（II）の三重項励起状態からの発光を示す構造を側鎖、主鎖、末端に有する高分子化合物は、例えば、三重項励起状態からの発光を示す構造を有する単量体を、原料の一つとして用いて、前記〔１〕〜〔１６〕の方法を用いて製造することができる。

本発明における高分子錯体化合物中における三重項励起状態からの発光を示す金属錯体構造の部分の量は特に限定されないが、高分子錯体化合物の量を１００重量部としたとき、通常０．０１〜８０重量部、好ましくは０．０５〜６０重量部である。
本発明における高分子発光材料に用いる組成物中の三重項発光化合物の量は、組み合わせる高分子化合物の種類や、最適化したい特性により異なるので、特に限定されないが、高分子化合物の量を１００重量部としたとき、通常０．０１〜８０重量部、好ましくは０．１〜６０重量部である。

なお、本発明に用いる高分子化合物は、発光材料として用いることができるだけでなく、有機半導体材料、光学材料、あるいはドーピングにより導電性材料として用いることもできる。

次に、本発明の高分子発光素子（高分子ＬＥＤ）について説明する。陽極および陰極からなる電極間に、本発明の錯体組成物を含む層を有することを特徴とする。
本発明の組成物を含む層が、発光層であることが好ましい。

また、本発明の高分子ＬＥＤとしては、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ、陰極と発光層との間に、電子輸送層を設け、かつ陽極と発光層との間に、正孔輸送層を設けた高分子ＬＥＤ等が挙げられる。
また、上記少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して導電性高分子を含む層を設けた高分子ＬＥＤ；少なくとも一方の電極と発光層との間に該電極に隣接して平均膜厚２ｎｍ以下のバッファー層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、以下のａ）〜ｄ）の構造が例示される。
ａ）陽極／発光層／陰極
ｂ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
ｄ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ここで、／は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。）

ここで、発光層とは、発光する機能を有する層であり、正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層である。なお、電子輸送層と正孔輸送層を総称して電荷輸送層と呼ぶ。
発光層、正孔輸送層、電子輸送層は、それぞれ独立に２層以上用いてもよい。

また、電極に隣接して設けた電荷輸送層のうち、電極からの電荷注入効率を改善する機能を有し、素子の駆動電圧を下げる効果を有するものは、特に電荷注入層（正孔注入層、電子注入層）と一般に呼ばれることがある。

また、電極との密着性向上や電極からの電荷注入の改善のために、電極に隣接して前記の電荷注入層又は膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けてもよく、また、界面の密着性向上や混合の防止等のために電荷輸送層や発光層の界面に薄いバッファー層を挿入してもよい。

さらに、電子を輸送し、かつ正孔を閉じ込めるために発光層との界面に正孔阻止層を挿入してもよい。

積層する層の順番や数、および各層の厚さについては、発光効率や素子寿命を勘案して適宜用いることができる。

本発明において、電荷注入層（電子注入層、正孔注入層）を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して電荷注入層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

例えば、具体的には、以下のｅ）〜ｐ）の構造が挙げられる。
ｅ）陽極／電荷注入層／発光層／陰極
ｆ）陽極／発光層／電荷注入層／陰極
ｇ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷注入層／陰極
ｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｉ）陽極／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｊ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷注入層／陰極
ｋ）陽極／電荷注入層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｌ）陽極／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｍ）陽極／電荷注入層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電荷輸送層／陰極
ｏ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ｐ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

電荷注入層の具体的な例としては、導電性高分子を含む層、陽極と正孔輸送層との間に設けられ、陽極材料と正孔輸送層に含まれる正孔輸送材料との中間の値のイオン化ポテンシャルを有する材料を含む層、陰極と電子輸送層との間に設けられ、陰極材料と電子輸送層に含まれる電子輸送材料との中間の値の電子親和力を有する材料を含む層などが例示される。

上記電荷注入層が導電性高分子を含む層の場合、該導電性高分子の電気伝導度は、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下であることが好ましく、発光画素間のリーク電流を小さくするためには、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０²Ｓ／ｃｍ以下がより好ましく、１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０¹Ｓ／ｃｍ以下がさらに好ましい。

通常は該導電性高分子の電気伝導度を１０^-5Ｓ／ｃｍ以上１０³Ｓ／ｃｍ以下とするために、該導電性高分子に適量のイオンをドープする。

ドープするイオンの種類は、正孔注入層であればアニオン、電子注入層であればカチオンである。アニオンの例としては、ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、樟脳スルホン酸イオンなどが例示され、カチオンの例としては、リチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、テトラブチルアンモニウムイオンなどが例示される。

電荷注入層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

電荷注入層に用いる材料は、電極や隣接する層の材料との関係で適宜選択すればよく、ポリアニリンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、ポリピロールおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリチエニレンビニレンおよびその誘導体、ポリキノリンおよびその誘導体、ポリキノキサリンおよびその誘導体、芳香族アミン構造を主鎖または側鎖に含む重合体などの導電性高分子、金属フタロシアニン（銅フタロシアニンなど）、カーボンなどが例示される。

膜厚２ｎｍ以下の絶縁層は電荷注入を容易にする機能を有するものである。上記絶縁層の材料としては、金属フッ化物、金属酸化物、有機絶縁材料等が挙げられる。膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤとしては、陰極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤ、陽極に隣接して膜厚２ｎｍ以下の絶縁層を設けた高分子ＬＥＤが挙げられる。

具体的には、例えば、以下のｑ）〜ａｂ）の構造が挙げられる。
ｑ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／陰極
ｒ）陽極／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｓ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｔ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／陰極
ｕ）陽極／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｖ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｗ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／陰極
ｘ）陽極／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｙ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ｚ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
ａａ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極
ａｂ）陽極／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／膜厚２ｎｍ以下の絶縁層／陰極

正孔阻止層は、電子を輸送しかつ、陽極から輸送された正孔を閉じ込める働きを有するものであり、発光層の陰極側の界面に設けられ、発光層のイオン化ポテンシャルよりも大きなイオン化ポテンシャルを有する材料、例えば、バソクプロイン、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体などから構成される。

正孔阻止層の膜厚としては、例えば１ｎｍ〜１００ｎｍであり、２ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。

具体的には、例えば、以下のａｃ）〜ａｎ）の構造が挙げられる。
ａｃ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｄ）陽極／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｅ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｆ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／陰極
ａｇ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｈ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷注入層／陰極
ａｉ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｊ）陽極／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｋ）陽極／電荷注入層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｌ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電荷輸送層／陰極
ａｍ）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極
ａｎ）陽極／電荷注入層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／電荷注入層／陰極

高分子ＬＥＤ作製の際に、本発明の高分子発光材料を用いることにより、溶液から成膜する場合、この溶液を塗布後乾燥により溶媒を除去するだけでよく、また電荷輸送材料や発光材料を混合した場合においても同様な手法が適用でき、製造上非常に有利である。溶液からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

発光層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤにおいては、発光層に本発明の高分子発光材料以外の発光材料を混合して使用してもよい。また、本発明の高分子ＬＥＤにおいては、本発明以外の発光材料を含む発光層が、本発明の高分子発光材料を含む発光層と積層されていてもよい。

該発光材料としては、公知のものが使用できる。低分子化合物では、例えば、ナフタレン誘導体、アントラセンもしくはその誘導体、ペリレンもしくはその誘導体、ポリメチン系、キサンテン系、クマリン系、シアニン系などの色素類、８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエンもしくはその誘導体、またはテトラフェニルブタジエンもしくはその誘導体などを用いることができる。

具体的には、例えば特開昭５７−５１７８１号、同５９−１９４３９３号公報に記載されているもの等、公知のものが使用可能である。

本発明の高分子ＬＥＤが正孔輸送層を有する場合、使用される正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリピロールもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体などが例示される。

具体的には、該正孔輸送材料として、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらの中で、正孔輸送層に用いる正孔輸送材料として、ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミン化合物基を有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、またはポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体等の高分子正孔輸送材料が好ましく、さらに好ましくはポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体、ポリシランもしくはその誘導体、側鎖もしくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体である。低分子の正孔輸送材料の場合には、高分子バインダーに分散させて用いることが好ましい。

ポリビニルカルバゾールもしくはその誘導体は、例えばビニルモノマーからカチオン重合またはラジカル重合によって得られる。

ポリシランもしくはその誘導体としては、ケミカル・レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）第８９巻、１３５９頁（１９８９年）、英国特許ＧＢ２３００１９６号公開明細書に記載の化合物等が例示される。合成方法もこれらに記載の方法を用いることができるが、特にキッピング法が好適に用いられる。

ポリシロキサンもしくはその誘導体は、シロキサン骨格構造には正孔輸送性がほとんどないので、側鎖または主鎖に上記低分子正孔輸送材料の構造を有するものが好適に用いられる。特に正孔輸送性の芳香族アミンを側鎖または主鎖に有するものが例示される。

正孔輸送層の成膜の方法に制限はないが、低分子正孔輸送材料では、高分子バインダーとの混合溶液からの成膜による方法が例示される。また、高分子正孔輸送材料では、溶液からの成膜による方法が例示される。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送材料を溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液からの成膜方法としては、溶液からのスピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリシロキサン等が例示される。

正孔輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該正孔輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤが電子輸送層を有する場合、使用される電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタンもしくはその誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、ナフトキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタンもしくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレンもしくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体等が例示される。

具体的には、特開昭６３−７０２５７号公報、同６３−１７５８６０号公報、特開平２−１３５３５９号公報、同２−１３５３６１号公報、同２−２０９９８８号公報、同３−３７９９２号公報、同３−１５２１８４号公報に記載されているもの等が例示される。

これらのうち、オキサジアゾール誘導体、ベンゾキノンもしくはその誘導体、アントラキノンもしくはその誘導体、または８−ヒドロキシキノリンもしくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリンもしくはその誘導体、ポリキノキサリンもしくはその誘導体、ポリフルオレンもしくはその誘導体が好ましく、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、ベンゾキノン、アントラキノン、トリス（８−キノリノール）アルミニウム、ポリキノリンがさらに好ましい。

電子輸送層の成膜法としては特に制限はないが、低分子電子輸送材料では、粉末からの真空蒸着法、または溶液もしくは溶融状態からの成膜による方法が、高分子電子輸送材料では溶液または溶融状態からの成膜による方法がそれぞれ例示される。溶液または溶融状態からの成膜時には、高分子バインダーを併用してもよい。

溶液からの成膜に用いる溶媒としては、電子輸送材料および／または高分子バインダーを溶解させるものであれば特に制限はない。該溶媒として、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒が例示される。

溶液または溶融状態からの成膜方法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法等の塗布法を用いることができる。

混合する高分子バインダーとしては、電荷輸送を極度に阻害しないものが好ましく、また、可視光に対する吸収が強くないものが好適に用いられる。該高分子バインダーとして、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリ（２，５−チエニレンビニレン）もしくはその誘導体、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、またはポリシロキサンなどが例示される。

電子輸送層の膜厚としては、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよいが、少なくともピンホールが発生しないような厚さが必要であり、あまり厚いと、素子の駆動電圧が高くなり好ましくない。従って、該電子輸送層の膜厚としては、例えば１ｎｍから１μｍであり、好ましくは２ｎｍ〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５ｎｍ〜２００ｎｍである。

本発明の高分子ＬＥＤを形成する基板は、電極を形成し、該高分子ＬＥＤの各層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板などが例示される。不透明な基板の場合には、反対の電極が透明または半透明であることが好ましい。

通常、陽極および陰極からなる電極のうち少なくとも一方が透明または半透明であり、陽極側が透明または半透明であることが好ましい。
該陽極の材料としては、導電性の金属酸化物膜、半透明の金属薄膜等が用いられる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作成された膜（ＮＥＳＡなど）や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ＩＴＯ、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。

陽極の膜厚は、光の透過性と電気伝導度とを考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

また、陽極上に、電荷注入を容易にするために、フタロシアニン誘導体、導電性高分子、カーボンなどからなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けてもよい。

本発明の高分子ＬＥＤで用いる陰極の材料としては、仕事関数の小さい材料が好ましい。例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム、ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウムなどの金属、およびそれらのうち２つ以上の合金、あるいはそれらのうち１つ以上と、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン、錫のうち１つ以上との合金、グラファイトまたはグラファイト層間化合物等が用いられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。陰極を２層以上の積層構造としてもよい。

陰極の膜厚は、電気伝導度や耐久性を考慮して、適宜選択することができるが、例えば１０ｎｍから１０μｍであり、好ましくは２０ｎｍ〜１μｍであり、さらに好ましくは５０ｎｍ〜５００ｎｍである。

陰極の作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、また金属薄膜を熱圧着するラミネート法等が用いられる。また、陰極と有機物層との間に、導電性高分子からなる層、あるいは金属酸化物や金属フッ化物、有機絶縁材料等からなる平均膜厚２ｎｍ以下の層を設けても良く、陰極作製後、該高分子ＬＥＤを保護する保護層を装着していてもよい。該高分子ＬＥＤを長期安定的に用いるためには、素子を外部から保護するために、保護層および／または保護カバーを装着することが好ましい。

該保護層としては、高分子化合物、金属酸化物、金属フッ化物、金属ホウ化物などを用いることができる。また、保護カバーとしては、ガラス板、表面に低透水率処理を施したプラスチック板などを用いることができ、該カバーを熱効果樹脂や光硬化樹脂で素子基板と貼り合わせて密閉する方法が好適に用いられる。スペーサーを用いて空間を維持すれば、素子がキズつくのを防ぐことが容易である。該空間に窒素やアルゴンのような不活性なガスを封入すれば、陰極の酸化を防止することができ、さらに酸化バリウム等の乾燥剤を該空間内に設置することにより製造工程で吸着した水分が素子にタメージを与えるのを抑制することが容易となる。これらのうち、いずれか１つ以上の方策をとることが好ましい。

本発明の高分子発光素子は、面状光源、セグメント表示装置、ドットマトリックス表示装置または液晶表示装置のバックライトに用いることができる。

本発明の高分子ＬＥＤを用いて面状の発光を得るためには、面状の陽極と陰極が重なり合うように配置すればよい。また、パターン状の発光を得るためには、前記面状の発光素子の表面にパターン状の窓を設けたマスクを設置する方法、非発光部の有機物層を極端に厚く形成し実質的に非発光とする方法、陽極または陰極のいずれか一方、または両方の電極をパターン状に形成する方法がある。これらのいずれかの方法でパターンを形成し、いくつかの電極を独立にＯｎ／ＯＦＦできるように配置することにより、数字や文字、簡単な記号などを表示できるセグメントタイプの表示素子が得られる。更に、ドットマトリックス素子とするためには、陽極と陰極をともにストライプ状に形成して直交するように配置すればよい。複数の種類の発光色の異なる発光材料を塗り分ける方法や、カラーフィルターまたは発光変換フィルターを用いる方法により、部分カラー表示、マルチカラー表示が可能となる。ドットマトリックス素子は、パッシブ駆動も可能であるし、ＴＦＴなどと組み合わせてアクティブ駆動しても良い。これらの表示素子は、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダーなどの表示装置として用いることができる。

さらに、前記面状の発光素子は、自発光薄型であり、液晶表示装置のバックライト用の面状光源、あるいは面状の照明用光源として好適に用いることができる。また、フレキシブルな基板を用いれば、曲面状の光源や表示装置としても使用できる。

以下、本発明をさらに詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。

実施例１
下記高分子化合物１にイリジウム錯体Ａ（アメリカンダイソース社製）を５ｗｔ％添加した混合物の、０．８ｗｔ％クロロホルム溶液を調製した。
スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いてスピンコートにより５０ｎｍの厚みで成膜し、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥した。次に、上記調製したクロロホルム溶液を用いてスピンコートにより２５００ｒｐｍの回転速度で成膜した。膜厚は約１００ｎｍであった。さらに、これを減圧下８０℃で１時間乾燥した後、陰極バッファー層として、ＬｉＦを約４ｎｍ、陰極として、カルシウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、ＥＬ素子を作製した。なお真空度が、１×１０^-4Ｐａ以下に到達したのち、金属の蒸着を開始した。得られた素子に電圧を引加することにより、６２０ｎｍにピークを有するＥＬ発光が得られた。

高分子化合物１下記の繰り返し単位から実質的になるポリマー

イリジウム錯体Ａ

なお、高分子化合物１は、下記のようにして合成した。
ここで、数平均分子量については、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によりポリスチレン換算の数平均分子量を求めた。移動相はクロロホルムまたはテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）を用いた。

合成例１高分子化合物１の合成

化合物１の合成

窒素置換した500ml 3口フラスコに2,7-Dibromo-9-fluorenone 6.65g（19.9mmol）を取り、トリフルオロ酢酸：クロロホルム＝1：1の混合溶媒140mlに溶解した。この溶液に過ホウ酸ナトリウム1水和物を加え、20時間攪拌した。反応液をセライト濾過し、トルエンで洗浄した。ろ液を水、亜硫酸水素ナトリウム、飽和食塩水で洗浄した後、硫酸ナトリウムで乾燥した。溶媒留去後、6.11gの粗生成物を得た。
この粗生成物をトルエン（33ml）から再結晶し、4.99gの化合物１を得た。さらに、クロロホルム（50ml）から再結晶し、1.19gの化合物１を得た

化合物３の合成

100ml 3口フラスコを窒素置換し、マグネシウム3.1g、THF33ml、化合物2 8.23gを加えた。1,2-ジブロモエタンを数滴加え、ヒートガンで加熱し反応を開始させた。還流下5時間攪拌した後放冷し、デカンテーションで過剰のマグネシウムを除き、100mlのTHFで洗浄した。この溶液に化合物2を5.00g懸濁させたTHF溶液（50ml）を滴下し、1.5時間攪拌した。水100ml加え、分液抽出した。水相を酢酸エチル100mlで2回抽出し、有機相を合わせ水、飽和食塩水で洗浄した。濃縮後、11.07gの粗生成物を得た。精製は特におこなわず、次の工程に用いた。
MS（ESI（Negative、KCl添加））ｍ／ｚ：７６５、７６３、７６１（Ｍ−Ｈ）
なお、化合物２はＷＯ２００３０６２４４３記載の方法で合成した。

化合物４の合成

100mlナス型フラスコに化合物3 11.0g、トルエン22ml、pトルエンスルホン酸一水和物1.27gを加え、還流下2.5時間攪拌した。放冷後、トルエン100ml加え、水50mlで洗浄した。シリカゲルのショートカラムを通し、濃縮後、粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製(ヘキサン：トルエン＝5：1)後、6.81gの化合物4を得た。

¹Ｈ−ＮＭＲ（３００ＭＨｚ／CDCｌ₃）：
δ７．６７（ｄ、２Ｈ）、７．４５（ｄｄ、１Ｈ）、７．２６〜７．０６（ｍ、６Ｈ）、６．７７（ｂｒ、１Ｈ）、６．６９（ｄｄ、２Ｈ）、４．０１（ｔ、４Ｈ）、１．８１（ｍ、４Ｈ）、１．４８〜１．３０（ｍ、２０Ｈ）、０．８９（ｔ、６Ｈ）
MS（ESI（Negative、KCl添加））ｍ／ｚ：７４７、７４５、７４３（Ｍ−Ｈ）

化合物５の合成

・C8H17MgBrの調製
100ml 3口フラスコにマグネシウム 1.33g（54.2mmol）を取り、フレームドライ、アルゴン置換した。これにTHF10ml、1-ブロモオクタン2.3ml（13.6mmol）を加え、加熱し、反応を開始させた。2.5時間還流した後に室温まで放冷した。

・Grignard反応
窒素置換した300ml 3口フラスコに1 1.00g（p.96%、2.7mmol）をとり、10mlのTHFに懸濁させた。0℃に冷却し、上記で調製したC8H17MgBr溶液を加えた。冷浴をはずし、還流下、5時間攪拌した。反応液を放冷後、水10ml、塩酸を加えた。塩酸を加える前は懸濁液であったが、添加後は2相の溶液となった。分液後、有機相を水、飽和食塩水で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を留去したところ、1.65gの粗生成物を得た。シリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製（ヘキサン：酢酸エチル＝20：1）したところ、1.30gの化合物５を得た。
¹H-NMR(CDCl₃, 300MHz)：7.66(br, 1H), 7.42(dd, 1H), 7.10〜7.06(m, 2H), 6.91〜6.85(m, 2H), 5.55(br, 1H), 1.90〜0.86(m, 34H)
MS(APCI, Negative, m/z)：583、581、579

化合物６の合成

窒素置換した25ml 2口フラスコに化合物５ 0.20ｇ（0.32mmol）を取り、4mlのトルエンに溶解した。この溶液にp-トルエンスルホン酸・１水和物0.02g（0.06mmol）を加え、100℃で11時間攪拌した。反応液を放冷後、水、4N NaOH水溶液、水、飽和食塩水の順に洗浄し、溶媒を留去したところ、0.14gの化合物６を得た。
¹H-NMR(CDCl₃, 300MHz)：7.59(d, 1H), 7.53(d, 1H), 7.47(d, 1H), 7.29(br, 1H), 7.15(s, 1H), 7.13(d, 1H), 1.92（br,4H）,1.28(m,24H),0.93(t,6H)
FD-MS(m/z)：566、564、562

高分子化合物１の合成
化合物４を０．３７ｇと、化合物６を０．２８ｇと、２，２‘−ビピリジル０．３１ｇとを反応容器に仕込んだ後、反応系内を窒素ガスで置換した。これに、あらかじめアルゴンガスでバブリングして、脱気したテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）（脱水溶媒）４０ｇを加えた。次に、この混合溶液に、ビス（１，５−シクロオクタジエン）ニッケル（０）｛Ｎｉ（ＣＯＤ）₂｝を０．５５ｇ加え、室温で１０分間攪拌した後、引き続いて、室温で２０時間反応した。なお、反応は、窒素ガス雰囲気中で行った。
反応後、この溶液に、メタノール５０ｍｌ／イオン交換水５０ｍｌ混合溶液をそそぎ込み、約１時間攪拌した。次に、生成した沈殿物を、ろ過することにより回収した。この沈殿物を減圧乾燥した後、トルエンに溶解した。この溶液を濾過し、不溶物を除去した後、この溶液を、アルミナを充填したカラムを通した。次に、この溶液を、約１規定の塩酸で洗浄した。この溶液を静置し、トルエン層を回収した。この溶液を、約２．５％のアンモニア水で洗浄した。この溶液を静置し、トルエン層を回収した。この溶液を、イオン交換水で洗浄した後、トルエン層を回収した。次に、この溶液を、メタノール中にそそぎ込み、再沈して、生成した沈殿を回収した。この沈殿を減圧乾燥して、高分子化合物１を０．１７ｇを得た。
高分子化合物１のポリスチレン換算数平均分子量は、２．８ｘ１０⁴であり、ポリスチレン換算重量平均分子量は１．４ｘ１０⁵であった。

Claims

下記式（４）で示される繰り返し単位を有しポリスチレン換算の数平均分子量が１０³〜１０⁸である高分子化合物と三重項励起状態からの発光を示す金属錯体とを含有する組成物である高分子発光材料。

〔式中、Ｘ ⁵ はＯを表す。Ｒ ¹¹ およびＲ ¹² はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表し、Ｒ ¹¹ とＲ ¹² が互いに結合して環を形成してもよい。Ｒ ¹³ 、Ｒ ¹⁴ 、Ｒ ¹⁵ 、Ｒ ¹⁶ 、Ｒ ¹⁷ およびＲ ¹⁸ はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。Ｒ ¹⁴ とＲ ¹⁵ およびＲ ¹⁶ とＲ ¹⁷ は互いに結合して環を形成してもよい。〕
金属錯体が、中心金属としてレニウム、イリジウム、白金又は金を有する金属錯体である請求項1に記載の高分子発光材料。
金属錯体が、中心金属としてイリジウムを有する金属錯体である請求項２に記載の高分子発光材料。
高分子化合物が、さらに下記式（５）、式（６）、式（７）または式（８）で示される繰り返し単位を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の高分子発光材料。

−Ａｒ⁵− (５)

―Ａｒ⁵−Ｘ⁶―（Ａｒ⁶−Ｘ⁷）_a―Ａｒ⁷− （６）

−Ａｒ⁵−Ｘ⁷− (７)

−Ｘ⁷− (８)

〔式中、Ａｒ⁵、Ａｒ⁶、およびＡｒ⁷はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｘ⁶は、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ²¹）−、または−（ＳｉＲ²²Ｒ²³）_y−を示す。Ｘ⁷は、−ＣＲ¹⁹＝ＣＲ²⁰−、−Ｃ≡Ｃ−、−Ｎ（Ｒ²¹）−、または−（ＳｉＲ²²Ｒ²³）_y−を表す。Ｒ¹⁹およびＲ²⁰は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。Ｒ²¹、Ｒ²²およびＲ²³は、それぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基またはアリールアルキル基を示す。
ａは０〜１の整数を表す。ｂは１〜１２の整数を表す。〕
式（５）が、下記式（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１３）または（１４）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項４に記載の高分子発光材料。

〔式中、Ｒ²⁴は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。ｃは０〜４の整数を表す。Ｒ²⁴が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ²⁵およびＲ²⁶は、それぞれ独立にハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。ｄおよびｅはそれぞれ独立に０〜３の整数を表す。Ｒ²⁵およびＲ²⁶がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ²⁷およびＲ³⁰はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。Ｒ²⁸およびＲ²⁹はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。ｆおよびｇはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｒ²⁷およびＲ³⁰がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ³¹は、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。ｈは０〜２の整数を示す。Ａｒ⁸およびＡｒ⁹はそれぞれ独立にアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。ｉおよびｊはそれぞれ独立に０または１を表す。Ｘ⁸は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、Ｓｅ，またはＴｅを表す。Ｒ³¹が複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ³²およびＲ³³はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。ｋおよびｌはそれぞれ独立に０〜４の整数を表す。Ｘ⁹は、Ｏ、Ｓ、ＳＯ、ＳＯ₂、Ｓｅ，Ｔｅ、Ｎ−Ｒ³⁴、またはＳｉＲ³⁵Ｒ³⁶を表す。Ｘ¹⁰およびＸ¹¹は、それぞれ独立にＮまたはＣ−Ｒ³⁷を表す。Ｒ³⁴、Ｒ³⁵、Ｒ³⁶およびＲ³⁷はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基を表す。Ｒ³²、Ｒ³³およびＲ³⁷がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕

〔式中、Ｒ³⁸およびＲ⁴³はそれぞれ独立に、ハロゲン原子、アルキル基、アルキルオキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルキルオキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、アミノ基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールエチニル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１または２個の基で置換されたアミノ基を表す。置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリル基を表す。置換シリルオキシ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルオキシ基を表す。置換シリルチオ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１、２または３個の基で置換されたシリルチオ基を表す。置換シリルアミノ基は、Ｎに結合したＳｉ原子が１つまたは２つであり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基または１価の複素環基から選ばれる１〜６個の基がＳｉ原子したシリルアミノ基を表す。ｍおよびｎはそれぞれ独立に０〜４の整数を示す。Ｒ³⁹、Ｒ⁴⁰、Ｒ⁴¹およびＲ⁴²はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アリールアルキルオキシカルボニル基、ヘテロアリールオキシカルボニル基またはシアノ基を表す。Ａｒ¹⁰はアリーレン基、２価の複素環基または金属錯体構造を有する２価の基を表す。Ｒ³⁸およびＲ⁴³がそれぞれ複数個存在する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。〕
上記式（５）で示される繰返し単位が、下記式（１５）で示される繰り返し単位であることを特徴とする請求項４に記載の高分子発光材料。

〔式中、Ａｒ¹¹、Ａｒ¹²、Ａｒ¹³およびＡｒ¹⁴は、それぞれ独立にアリーレン基または２価の複素環基を表す。Ａｒ¹⁵、Ａｒ¹⁶およびＡｒ¹⁷は、それぞれ独立にアリール基または１価の複素環基を表す。ｏおよびｐはそれぞれ独立に０または１を表し、０≦ｏ＋ｐ≦１である。〕
式（４）で示される繰り返し単位の合計が全繰り返し単位の１０モル％以上であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の高分子発光材料。
さらに正孔輸送材料、電子輸送材料および発光材料から選ばれる少なくとも１種類の材料を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の高分子発光材料。
請求項１〜８のいずれか一項に記載の高分子発光材料を含有し、粘度が２５℃において１〜１００ｍＰａ・ｓであることを特徴とするインク組成物。