TWI268941B - New polymer and polymer light-emitting device using the same - Google Patents

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五、發明說明（1 ) [發明所屬之技術領域] 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 一本务明乃有關一種新穎聚合物、其製法、其聚合物型 螢光物為、及使用該聚合物之聚合物型發光裝置(下文 稱為「聚合物型LED」）。 [先前技術] 同刀子發光材質及高分子電荷傳遞材質由於可溶於溶 劑中（與低分子物f不同），且可利用塗覆法形成發光層或 =荷傳遞層，因此被廣泛地研究。舉例而言，已知者為聚 芴衍生物。 [發明内容] —本發明之目的在於提供可作為發光材質、電荷傳遞材 質寺用途之新穎聚合物、該聚合物之製法、及使用該聚合 物之聚合物型發光裝置。 亦即，本發明係有關一種聚合物，其聚笨乙烯折合數 量平均分子量為至108，該聚合物包括下式⑴所示之 重複單元：

(1) 式中，AW系由-Z-或-Z-Z-所示之二價基（其+ Z為可且有卑 代基之原子錢）；Αι代表二價基，其巾鍵長比（CW叙 長/C2-C1鍵長）為1·10或更大，其中C2為相料 脅相對於Α1的ύ 位置之碳，C1為相對於Α1的召位置之碳· 1 ____ 火，K、R2、R3、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1 314214 — — — — — — — — I I — /«Λ^ - — — — — IIIlT*eJ*||| — ||通*^^|~<— — — — — — — — — — · — — — — — — — — — — — - A跨I閲璜資面之生t事項弄填寫衣頁) 268941

-s- -Se- 五、發明說明（2 ) R、R5、與R6各自獨立地代表氫原子、鹵原子、烧基、烯 基、炔基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳胺基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烧胺基、 經取代之矽烷基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳稀 基、芳炔基、單價雜環基、或氰基；R2與R3可連接形成 環；及R4與R5可連接形成環。 上式中，Z所含之原子以雜原子較佳，雜原子之實例 為 Si、P、S、Ge、Sn、Se 與 Te。 具有取代基之原子基團Z之實例如下：

—Si~ RR —Ge一 —Sn- /\ /\

RR RR

O

T T » . 式中，R各自獨立地代表氫原子、鹵原子、烷基、大 氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基 芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烷胺基、經取代之矽犬 基、醯基、醯氧基、亞胺基、醯胺基、芳烯基、芳炔基 單價雜環基、或氰基。 上式（1)中之鍵長比係使用量子化學計算法將化合身 之分子結構最適化而計算。至於量子化學計算法，可使戶 半經驗（semi-empiricai)與無經驗（non-empiricai)分子軌支 ^氏張尺度適用中準（CNS)A4規‘⑽χ 297公爱） 2 314214 I !* t ·1!! til — ！— (請先閱讀背面之庄意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941

五、發明說明（4 ) 稀基可為直鏈、分支鏈或環狀任一者，通常具有約2 至20個碳原子，及可具有取代基。詳言之，其實例為：乙 烯基、丙烯基、2-丙烯基、1-甲基丙烯基、2_甲基丙烯基、 込2-二甲基丙烯基、丁烯基、曱基丁烯基、1，3-丁二烯基、 戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、辛烯基、2_乙基己 烯基、三氤乙烯基、全氟丁烯基、全氟己烯基、全氟辛 基等。 块基可為直鏈、分支鏈或環狀任一者，通常具有約2 至20個碳原子，及可具有取代基。詳言之，其實例為：乙 炔基、丙炔基、2-丙炔基、2-甲基丙炔基、丁炔基、2_甲 基丁炔基、1，3·丁二炔基、戊炔基、己炔基、環己炔基、 庚炔基、辛炔基、2-乙基己炔基、氟乙炔基、全氟丁炔基、 全氟己炔基、全氟辛炔基等。 燒氧基可為直鏈、分支鏈或環狀任一者，通常耳有約 1至20個碳原子，及可具有取代基。詳言之，其實例為· 曱氧基、乙氧基、丙氧基、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基、 第二丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧 基、2-乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3,7_二甲基辛氧基、 月桂基氧基、三氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全 氟己氧基、全氟辛氧基、曱氧甲氧基、2_甲氧乙氧基等； 較佳為戊氧基、己氧基、辛氧基、2 -乙基己氧基、癸氧基、 及3,7-二甲基辛氧基。 烧硫基可為直鏈、分支鏈或環狀任一者，通常具有約 1至20個碳原子，及可具有取代基。詳言之，其實例為 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 4 314214 ίί!! — — · t ! tl — — — 雜 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 A7 B7 1268941 五、發明說明（7 ) 芳院硫基可具取代基，通常具有約7至60個碳原子。 詳言之，其實例為：苯基-C^C】2烷硫基、（^-(：12烷氧苯基 <vc12烷硫基、CVC12烷基苯基-CVC12烷硫基、1-萘基-Ci_C12院硫基、2 -奈基- Ci-Ci]烧硫基等；較佳為 氣笨基- CrC!2院硫基、及Ci-C】2烧基笨基- C「C12燒硫基。 方烧胺基通常具有約7至60個碳原子。詳言之，其實 例為：苯基-eve。烷胺基、eve。烷氧苯基-c〗-c12烷胺 基、cvc12烷基苯基-cvc"烷胺基、二（c「c12烷氧苯基_ 烷基）胺基、二（c「c12^基苯基-CVCu烷基）胺基、 1-萘基-C「C12烧胺基、2-萘基-CrC^烧胺基等；較佳為 Ci-C12烧基苯基- C^-Cu烧胺基、及二烧基苯基-cvc12烷基）胺基。 至於經取代之矽烷基，其詳細實例為：三烷基矽烷基， 例如三甲基矽烷基、三乙基矽烷基、三丙基矽烷基、三異 丙基矽烷基、二甲基異丙基矽烷基、二乙基異丙基矽烷基、 第三丁基二甲基矽烷基、戊基二曱基矽烷基、己基二甲基 矽烧基、庚基二甲基矽烧基、辛基二甲基石夕烧基、2-乙基 己基-二甲基石夕烧基、壬基二甲基石夕烧基、癸基二甲基石夕烧 基、3,7-二曱基辛基-二甲基矽烷基、及月桂基二曱基矽烷 基等；三芳基石夕烧基，例如三苯基石夕烧基、三-對二甲苯基 矽烷基等；三（芳烷基）矽烷基，例如三苄基矽烷基等；（烷 基）（芳基）矽烷基，例如二苯基曱基矽烷基、第三丁基二苯 基矽烷基、二曱基苯基矽烷基等；單（芳烷基）矽烷基，例 如苯基-CrC12烷基矽烷基、（^-(：12烷氧苯基-Ci-Cu烷基矽 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----------------!丨訂---I I -----線丨 P <清先閲讚資面之玍意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 7 314214 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941 A7 B7 五、發明說明（8 ) 烷基、（^-(:^烷基苯基-cvc12烷基矽烷基、1-萘基-even 烷基矽烧基、2-萘基-C「C12烷基矽烷基等；及單（芳烷基） 二烷基矽烷基，例如苯基弋「〇12烷基二甲基矽烷基等。 較佳為戊基二甲基矽烷基、己基二甲基矽烷基、辛基 二曱基矽烷基、2-乙基己基-二甲基矽烷基、癸基二甲基矽 烷基、3,7-二甲基辛基-二甲基矽烷基、烷氧苯基-烷基矽烷基、CrC12烷基苯基-CfCu烷基矽烷基。 醯基通常具有2至20個碳原子，其詳細實例為：乙醯 基、丙醯基、丁醯基、異丁醯基、三甲基乙醯基、苯曱醯 基、三氟乙醯基、五氟苯曱醯基等。 醯氧基通常具有2至20個碳原子，其詳細實例為：乙 酿氧基、丙酷氧基、丁酷氧基、異丁酸氧基、三曱基乙酿 氧基、苯甲醯氧基、三氟乙醯氧基、五氟苯甲醯氧基等。 亞胺基通常具有2至20個碳原子。詳言之，其實例為 下文結構式所示之基團：

醯胺基通常具有2至20個碳原子，其詳細實例為：曱 醯胺基、乙醯胺基、丙醯胺基、丁醯胺基、苯甲醯胺基、 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 8 314214 — — — — — — — — — — — I· 一 I I I I I I I t ·11111 — — .^ (諝先閲讚背面之注意事項再填寫本頁) (4) 10 1268941 五、發明說明（ [Λ中其R:代表烧基、烷氧基、炫硫基、燒胺基、芳基 基、芳炫基、芳燒氧基、芳烧硫基 ή Ί基' 4基、醒胺基、或單價雜環基。] (5) (6) =二Τ &、或Sn ; R8與R9各自獨立地代表 疋羊土、说硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳胺基、芳烷基、芳烷氧基、 — ；， 基、醯胺Α , 方烷石爪基、方烷胺基、醯氧 女基、或早價雜環基；1代表1或2。] ，、中，較佳者為上式⑴中：其Al為上 基之聚合物1 Α1 Α 、⑴所不一4貝 ，、為上式（5)所示二價基之聚合物；其Αι Γ不二價基，a2為Si，1為1，之聚合物；及其 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ‘ 1 :1(6)所不二價基’ a2為Si’丨為2，之聚合物。 基團 '、為上式（4)所示二價基之詳細實例包括下文所示 本紙張尺細 X 297公釐） 10 314214 A7 1268941 _ B7 五、發明說明（11 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

{清先閲璜背面之生意事項再填寫夂頁)

-一 一-eJ_ ·1 emam n n n n n I ϋ 1 n n n I n Bn n n I n n 1 n ϋ n ·1 1 1 1 n n I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 11 314214 1268941 Λ7 B7 五、發明說明（ 12 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

AcO> Ac2N, C5Hu

OCsHn sc5hu PCsHu CgH”。、 pCsHu

CsHnO^11/0 ^^OCsHn C10H21 C5H110 OQ5H11 C5H110'

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 12 314214 1268941 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明（b

其A1為上式（5)所示二價基之詳細實例包括下文所示 基團： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 13 314214 (清先閲璜背面之主意事項再填寫表頁) ,k • ϋ n n — II 丨訂·！1111·線一 1268941 A7 B7 五、發明說明（ 14

S—S S—S

C10H21O ,〇Ci〇H21

S—S

S—S

PhzN

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

ph — — 111 — — — — — — —— _ I I — I I I I t — I — 11111 *^ (清先閲璜背面之主意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 14 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（15 )

S一S

CsHnO OCsHn

CsHnOGsHnO OAHnpCgHn

(清先閲璜t·面之王意事項再填寫木頁)

S一S

經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其A1為上式（6)所示二價基，A2為Si，1為1，之詳細 實例包括下文所示基團： < I .μ I w* MO* I I 1. I I I —·· I I I I I I ·— I I ········ I . — 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 15 314214 A7 1268941 B7 五、發明說明（16 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

-------------裝--------訂---------線 (請先閲璜背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 16 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（ 17

(清先閲璜背面之生意事項再填寫本頁) --,k 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

PCsHn PCgHn

· i n n 1 ϋ 1 ϋ I ^ I. n n I I I n ϋ ϋ ϋ n n ϋ n n —i n ϋ ϋ ϋ I n n 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） 17 314214 1268941 Λ7 B7 五、發明說明（

--------------^ --------^---------^ (諝先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其A1為上式（6)所示二價基，A2為Si，1為2，之詳細 實例包括下文所示基團： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 18 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

(清先閲璜背面t生意事項再填寫衣I) -. ----訂---------線丨. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 19 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（2G )

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— — — — — — — — — — — — — - I I I--I I 11 — — — — — — — —(請先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 20 314214 1268941

五、發明說明（

MeO

^ΠμΙμ〇

ί讀先閱墳背面之注急事項再填寫本頁)

CsHnO

CsH^o

Me^ I I、ph ;上文諸式中，Me代表甲基；Ph代表笨基；Μ 摹、及Ac代表乙酿基。 苄 4-------- 單元 本發明之聚合物可含兩種或多種上式⑴所示之重 複 訂---------線！ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 t 合 作 社 印 製 以本發明聚合物中所含所有重複單元之總莫耳數古十， 上式⑴所示重複單元之量通常為！至100莫耳％，較佳為 40至90莫耳％’更佳為70至85莫耳％。 本發明之聚合物可含上式（1)所示重複單元以外之重 複單元。至於式（1)以外之重複單元，其實例為下式（7)所示 之重複單元，及敘述於下文之式（8)所示之重複單元。 -Ar6- (CR17 = CR18)n- (7) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐）— 21 314214 1268941 Λ7 _B7_五、發明說明（22 ) [式中，Ar6代表伸芳基或二價雜環基，R17與R18各自獨立 地代表氫原子、烷基、芳基、單價雜環基、或氰基；及η 代表0或1。] 就裝置使用壽命之觀點而言，以前述式（8)所示之重複 單元較佳。 Ar6可具有取代基，例如烷基、烷氧基、烷硫基、烷 胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳烧基、芳烧氧 ) 基、芳烧硫基、芳烧胺基、經取代之碎烧基、S&基、酸氧 基、亞胺基、醯胺基、亞醯胺基、芳烯基、芳炔基、單價 雜環基、或氰基。彼等取代基之詳細實例如前述。當Ar6 具有多個取代基時，該等取代基可相同或互異。 本發明之伸芳基包含含有苯環、稠環、及經由基團（例 直接鍵、伸乙烯基等）結合之二或多個單獨苯環或稠環者。 伸芳基通常具有6至60個碳原子，較佳為6至20個碳原 子，其實例為伸苯基（例如，下文式（26))、伸萘基（下文式 1 (27))、伸蒽基（下文式（28))、伸聯苯基（下文式（29))、伸三 苯基（下文式（30))、稠環化合物基團（下文式（31))等。 I---— — — — — — —I· — I I I I I I t (請先閱蹟背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 22 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（23 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

— — — — — — — — — — — — — · I I I I I I I ^ ·1111111· I Γ(清先閲璜背面之生意事項再填寫衣頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 23 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（25 ) 環化合物基團（下文式（41));笨并噻 -4,7-二基、苯并 噚二唑-4,7-二基等；. 含有雜原子矽、氮、硫、硒等，於 人山- _原子之α _位置結 口 >成二聚體或低聚體之5員環雜環化合物基團（下文式 (42));及 含有雜原子矽、氮、硫、硒等，於雜原子之α -位置與 苯基結合之5員環雜環化合物基團（下文式（43))。 (32) 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印1

3) (34 (35) 8 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐）

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25 314214 L-------—訂---— II---線 — (清先闼璜背面之生意事項再填寫本頁) 1268941 A7 _ B7 五、發明說明（26 )

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ΧΛ. ά Λ ---------------裝----I---訂. (清先閲璜背面之注意事項再填寫本頁) ;線-

I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 26 314214 A7

!268941 (清先83漬t-面之生意事項再填寫衣頁)

經濟邹智慧財產局員X消費合作社印製 (43) 上文諸式中，R’各自獨立地代表氫原子、鹵原子、烷 基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、 芳胺基、芳烧基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烷胺基、醯氧 基、Sf胺基、芳烯基、芳炔基、單價雜環基、或氰基。R，， 代表氫原子、烷基、芳基、芳烷基、矽烷基、醯基、或單 27 314214 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 1268941 A7 B7__五、發明說明（28 )價雜環基。二價雜環基包含，例如，三重態發光錯合物等，其實 例為下文之二價金屬錯合物基團： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

— — — — — — — — — — — — — · I I I I I I I ^ ·11111111 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 28 314214 1268941

— — — — — — — — — — — — — · I I I I 疆 — — — — — — — — · I I 、I I (清先閲璜資面之生意事項再填寫衣頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣 、，……二價雜環基之實例，亦可舉習知作為E 發光^用的材質中所含伸芳基或二價雜環基之例。該i 材質揭不於，例如，W0 99/l2989、W〇 〇〇/55927、w 01/49769A1、WO 01/49768A2、WO 98/06773、U 5,777,070、WO 99/54385 、WO 00/46321 及 U 6，169，163B 卜 上式（1)所示重複單元以外之重複單元，就裝置使用4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 29 314214 A7 1268941 B7___ 五、發明說明（μ ) 硫基、芳胺基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烷胺基、 酸基、酸氧基、酸胺基、亞胺基、碎院基、碎炫氧基、石夕 烷硫基、矽烷胺基、單價雜環基、芳烯基、芳乙炔基、及 氰基。

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x297公釐） {清先«璜fsW生意事項再填寫表頁) 訂---------線！ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -I H ϋ n ϋ n -ϋ t— ·1 ϋ ϋ · 31 314214 1268941

五、發明說明（32

-—,

5¾°^ ) 本毛月永°物所含之重複單元可利用非共輛單元相連 接，及重複單元本身可具有非共概部分。 至於非共辆單元，直每/ x “具例為下示基團、下示基團與伸 烯土、° 口者或—或多種下示基團結合者。R係選自包 :氫原子、具有i至2〇個碳原子之烷基、具有6至⑼個 反原子之芳基&具有4至6()個碳原子之雜環基之基團， Ar代表具有6至60個碳原子之烴基。 I —I!—* t illllt·!---^ 5清先閱璜資¾之生*事項再填寫衣頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

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32 314214 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） A7 1268941 B7 _·_ 五、發明說明（33 ) 聚合物亦可為無規、嵌段或接枝共聚物，或具有其中 間結構之聚合物，例如，具有嵌段性質之無規共聚物。從 獲得具有高發光量子產率之聚合物觀點而言，具有嵌段性 質之無規共聚物及嵌段或接枝共聚物比完全無規共聚物更 佳。再者’聚合物具有分支主鏈及三個以上末端，及樹枝 狀聚體。 聚合物之末端基團亦可使用穩定基團予以保護，因為 若聚合反應活性基保持原封不動，則該發光物質製造成為 裝置時，會有降低發光性質及使用壽命之可能性。較佳者 為延續主鏈共軛結構之具共輛鍵之基團，其實例為經由碳_ 碳鍵連接於芳基或雜環化合物基團之結構。詳言之，為 JP-A No. 9-45478，化學式10所述之取代基。 聚合物具有103至1〇8之聚苯乙烯折合數量平均分子 量，其聚合程度隨重複單元之結構或其比率而異。從膜形 成性質觀點而言，通常，重複結構之總數較佳為2〇至1〇〇〇〇 個’又較佳為30至loooo個，更佳為50至50〇〇個。 至於聚合物之良好溶劑，其實例為氣仿、二氣甲烷、 二氯乙烷、四氫呋喃、甲苯、二甲苯、均三甲笨、:四气化 萘、十氫萘、正丁基笨等。聚合物通常可以〇1 旦 至里％或 更多量溶於彼等溶劑中，惟其量視聚合物之結構與分子旦 而定。 本發明之聚合物可藉由縮聚反應，使用下式（1〇所厂、 化合物予以製造。 / — — — — — — — — — — — — $ — — — — — — I— 一al·1111111· I {清先閲璜背面之生意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公釐） 33 314214 1268941 )· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

χ2 (11) R1 R6 (式中’ Ri、R2、R3、R4、R5、r6 '及Al與式（1)中所示相 同；xi與x2各自獨立地代表能進行縮聚反應之取代基。） 至於能進行縮聚反應之取代基，其實例為：_原子、 烷基磺酸根基團、芳基磺酸根基團、芳烷基磺酸根基團、 硼酸酯基團、毓甲基、鱗曱基、膦酸酯甲基、早鹵基化甲 基、硼酸基、曱醯基、氰基、乙烯基等；較佳為鹵原子、 烧基磺酸根基團、芳基磺酸根基團、芳烷基磺酸根基團。 本文中，烧基磺酸根基團之實例為曱烷磺酸根基團、 乙烷磺酸根基團、三氟曱烷磺酸根基團等。芳基磺酸根基 團之實例為苯磺酸根基團、對甲苯磺酸根基團等。芳烷基 磺酸根基團之實例為苄磺酸根基團。 硼酸酯基之實例為下式所示之基團： /OMe 〇Et —' —B OMe 、〇Et 式中，Me表示曱基，Et表示乙基。 毓曱基之實例為下式所示之基團：-CH2S+Me2X·、-CH2S+Ph2X

本紙張尺度適用中國國豕標準（CNS)A4規格（21〇 X 297公髮） 34 314214 — — — — — — — — — — — I· 111111 — 11 — — — — I —I- (請先閲讀背面之迮意事項再填寫本頁) 1268941 五、發明說明（35 ) 1 (X表示處原子，Ph表示苯基卜 鑄甲基之實例為下式所示之基團： _CH2”h3X- (x表示齒原子）。 膦酸醋甲基之實例為下式所示之基圓 CH2P〇(〇R )2 (R’表示烧基、芳基 單画基化甲基之實例為氣甲 „基上。 碘甲基。 軋r基、溴甲基、及 舉例而言，一聚合物，並於 所干-俨其本_ 式（）中之為上式（4)

所不一^貝基者，可使用上式G 1 A 價基之化合物予以製造。 /、為上式（4)所示二 此外，-聚合物，其於上式⑴中之） 二價基者’可使用上式⑴）中，其A1為上 式⑺戶^ 之化合物予以製造。 不一價基 -聚合物，其於上式⑴中之A1為上式(6)所 基，八2為Sl ’及1為i者’可使用上式⑴）中其: 式⑷所示二價基，八2為Si’及1為1之化合物予以製1 再者，一聚合物，其於上式⑴中之A1為上式（:_ 二價基’ A2為Si，及4 2者，可使用上式⑴）中，复^ ^式(6)所示二價基，A2為Si’及1為2之化合物予:: 此外Μ本發明聚合物具有式（1)重複單元以外之重一 單元％，/、可一併使用式（i)重複單元以外之重複_ 7 單體進行縮聚反應。 為 |__至於作為式(1)重複單元以外之重複單元用的單體，复 張尺度適用(CNS)A4規格⑽x 297公釐）--其 35 314214 1268941

五、發明說明（36 ) 灵例為下式（7-2)與（8_2)之化合物，以下式（8_2)較佳 X1«Ar6-(CR17 = CR,8)n-X2 (7-2) (式中，Ar6、R17及Rl8與式（7)中所示相同；y及y與式οι) 中所示相同；η代表〇至丨之整數。） X1 一崎P 气X2 (8-2) (式中，Ar、Ar2、及R11與式（8)中所示相同；χ1及χ2與 式（Π )中所示相同；m代表0至4之整數。） 於本發明聚合物之製造方法中，有關施行上式（11)所 示化合物原料與作為式（1)重複單.元以外之重複單元用單 體的縮聚反應之方法，可依需求根據各單體中供縮聚反應 所用取代基的種類而使用已知之縮聚反應。 當本發明化合物之主鏈中含伸乙稀基時，其製法之實 例為，例如JP-A No· 5-202355中所述之方法。亦即，該等 製法之實例為，例如，根據威提格反應（Wittig reaction)， 具甲醯基的化合物與具鱗甲基的化合物，或具甲醯基與鱗 甲基的化合物，之聚合作用；根據黑克反應（Heck reaction)，具乙烯基的化合物與具鹵原子的化合物之聚合 作用；根據脫鹵化氫方法，具二或多個鹵基化甲基的化合 物之縮聚作用；根據锍鹽分解方法，具二或多個銃鹽基的 化合物之縮聚作用；根據諾溫那捷反應（Knoevenagel reaction)，具曱醯基的化合物與具氰基的化合物之聚合作 用；根據麥莫利反應（McMurry reaction)，具二或多個曱醯 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ----I I I II---· i — — — — — — ---I I I (清先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 36 314214 A7 1268941 ---------______— ___ 五、發明說明（37 ) 基的化合物之聚合作用等。 當主鏈不含伸乙烯基時，其製法之實例為，例如，利 用铃木偶聯反應之對應單體聚合法；利用格利雅反應 (Grignard reaction)之聚合法；使用Ni(O)觸媒之聚合法； 使用氧化劑例如FeCh等之聚合法；電化學氧化聚合法; 分解具有適當釋離基的中間體聚合物之方法等。 其中’以利用威提格反應之聚合法、利用黑克反應之 聚合法、利用諾溫那捷反應之聚合法、利用鈴木偶聯反應 之聚合法、利用格利雅反應之聚合法，及使用Ni(〇)觸媒之 聚合法由於容易控制結構，因而較佳。 於本發明之製法中，可適當地使用鈀觸媒或鎳觸媒進 行由上式（11)(其中χι與x2各自獨立地為函原子、烷基績 酸根基團、芳基磺酸根基團或芳烷基磺酸根基團，較佳為 鹵原子）所示化合物為單體之縮聚反應。 於本發明之製法中，可將作為原料單體之上式（11)所 示之化合物，與若需要時之單體[例如上式或式（8_ 2)]，溶於有機溶劑中，如果需要，則使用鹼或適當觸媒， 於有機溶劑沸點以下及熔點以上之溫度進行反應。舉例而 吕’可使用之已知方法見述於：’’Organic Reactions”，vol. 1 4, ρρ· 270 to 490，John Wiley & Sons，Inc·，1965 ; ’’Organic Reactions’’，vol· 27, pp. 345 to 390, John Wiley & Sons，Inc·， 1982，”Organic Synthesis”，Collective Volume VI，pp. 407 to 411 John Wiley & Sons, Inc., 1988； Chemical Review, vol. 95，p· 2457 (1995) ; Journal of Organometallic Chemistry， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ,)- - * .!系--- (清先B3讚穿面之生意事項再填寫本頁) 訂· -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 37 314214 A7 1268941 _____ B7 五、發明說明（38 ) v〇l. 576, p. 147 (1999)» Journal of Praktical Chemistry, vol. 336， p. 247 (1994) Markromolecular Chemistry

Macromolecular Symposium, vol. 1 2，p· 229 (1 987)等。 較佳為使所用之有機溶劑充分進行脫氧處理，及於惰 性氣圍下進行反應’以麼制副作用，惟該處理隨所用之化 合物及反應而異。又，較佳為同樣進行脫水處理（但是，於 使用水之兩相系反應情形下，例如鈐木偶聯反應，則不可 施用脫水處理）。 為了促進反應，可適當地添加鹼或觸媒。該等鹼及觸 媒可根據反應予以選定。較佳為使鹼或觸媒充分溶解於反 應所用之溶劑中。至於混合鹼或觸媒之方法，可使用例如， 於氬氣與氮氣等惰性氛圍、攪拌下，緩緩添加鹼或觸媒之 溶液之方法，或相反地，將反應液緩緩添加於鹼或觸媒之 溶液中之方法。 使用本發明聚合物供聚合物型LED用途時，由於純度 對於裝置性能（例如發光性質）有所影響，因此較佳為於^ 合之前，以例如蒸餾、昇華純化、及再結晶等方法，進行 單體純化後，才進行聚合反應。此外’較佳為於聚合之後^ 進行純化處理，例如再沉澱純化、層析分級等。 下式（12)所示化合物[式（11)中，A1為上式（4)所示之二 價基者] _ 38 314214 -----------裝 i — il — 訂 -----線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941

五、發明說明（39 m3 r>4

(12) 可利用下述方法製備：於選擇性地將下式（1 的兩個碘原子金屬化後， 斤 示化合物

(13) .) -·· ---I---- ----/Λ i ! t清先sal*背\s t漆意事頊存填寫冬ί) [式中，R1、R2、R3、r4、r5、r6、χ1 及父‘ PI 1 & # Α 铃别文所述相 同]，使其與下式（14)所示二鹵基化磷化合物反應· X5、p/X6 R7 (14) .線- [式中，R7與前文所述相同；^及x6各自獨立地代表氯原 子、溴原子、或碘原子。] ' 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 t 合 作 社 印 製 前述反應可於惰性氛圍（例如氮氣及氬氣）中，溶劑存 在下，予以進行。反應所用溶劑之實例為：飽和烴，例如 戊烷、己烷、庚烷、辛烷、與環己烷；不飽和烴，例如笨、 曱苯、二甲苯、與乙基苯；醚，例如甲醚、乙醚、甲基第 一丁基鍵弟二丁基&1、四氫咬喃、四氮°比嚼、與二曙斤· 及胺，例如三曱胺、三乙胺、N，N，N，，N，-四曱基伸乙二胺、

I與吡啶。該等溶劑可單獨或混合使用。 本紙張尺度—適用中巧家標準（CNS)A4規格⑽χ 297公爱 A7 1268941 五、發明說明（40 ) 至於金屬化劑，其實例為甲基鋰、正丁基鋰、第二丁 基鋰、第三丁基鋰、苯基鋰等。反應溫度通常為_3〇<>c或更 低，較佳為-80°C或更低，以選擇性地進行金屬化反應。 此外，可於針對利用上述方法金屬化的 化合物進行金 屬父換後，方使其與上式（14)所示二鹵基化磷化合物反 應。 至於金屬交換試劑，其實例為鎂鹽，例如氣化鎂與溴 化鎮；銅鹽’例如氯化銅⑴、氣化銅（II)、溴化銅⑴、溴 化銅（II)、與碘化鋼（1);及鋅鹽，例如氣化辞、溴化辞、 與碘化鋅。就產率觀點而言，以鎂鹽較佳。 至於與上式（14)所示二鹵基化磷化合物之反應，較好 於-1 0 0 c至溶劑之沸點溫度下進行。 反應之後，可利用一般後處理，例如，以水終止反應， 然後利用有機溶劑予以萃取，蒸餾溶劑以獲得產物。若產 物於水中不穩丈，則可於過滤去除無機鹽後，利用溶劑蒸 顧法獲得產物。 產物之分離與純化可利用例如再結晶、蒸餾、或層析 分級等方法進行。 此外，下式（I5)所示化合物[式（11)中，A〗為上式 所示之二價基者] (15) 本紙張尺度適用中関家標準（CNS)A4規格⑵Q χ 297公髮 I 裝---!|訂·! •線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印制衣

40 314214 A7 B7 1268941 五、發明說明（41 ^ 可利用將上式（13)所示化合物的兩個蛾原子金屬化後，使 其與硫反應而製得。 其反應方法與上式（12)所示化合物之合成過程相同， 至於與硫之反應，可將其呈任何固體形式、或溶解或懸浮 於溶劑中加入。反應溫度為-1〇0。(：至3(rc，較佳為_8〇。〇至 〇°c。關於反應之後處理及純化方法，亦與上式（12)所示化 合物相同。 下式（20)所示化合物[式（11)中，Al為上式（6)所示之二 價基，A2為Si，及1為2者]

可利用下述方法製備：將上式（13)所示化合物的兩個碘原 子金屬化後，使其與下式（22)所示丨，2_二_基化二矽烷基 化合物反應： X11\ /Χ12 Si-Si r8 h ^r9 [式中，R8及R9與前文所述相同，· χ"及各自獨立地 代表氣原子、溴原子、或碘原子。] 其反應方法、後處理、及純化方法，與上式（1 2 )所 化合物相同。 此外，與上式（12)所示化合物相同地，下式（3-2)所示 t ϋ國家標準（CNS)A4規格⑽X 297公爱） 41 314214 — — — — — — I — 11111 - — — ml— ^ ·11111111 (清先閲璜資面W生t事項再填寫表I) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 (22) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941 Λ7 _ B7 五、發明說明（42 ) 化合物可於選擇性地將上式（13)所示化合物的兩個碘原子 金屬化後’使其與二鹵基化化合物反應而製得。至於其反 應方法、後處理、及純化方法，則與上式（12)所示化合物 相同。

X1及X2與式（11)中所述相同；A3代表選自於下之二價基 團： —Γ 十-Γ ^—Pr - fr it -- rnr

0 〇 0 0 RR RR RRRR RRRR RRRR 式中，R與前文所述相同。） 下式（18)所示之二苯并石夕u各（dibenzosilole)衍生物[式 (11)中，A1為上式（6)所示之二價基，a2為Si,及1為1者]

可利用下式（19)所示化合物（二苯并矽咯衍生物）與鹵化試 劑（較佳為N-鹵基化合物）之反應予以製備： 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公爱） 42 314214 一 II--------------------^ (請先閲璜背面之注意事項再填寫本頁) (19)1268941 A7 五、發明說明（43

述相同 R9與式(11)中所 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 前述反應可於惰性氛圍(例如氮氣及氬氣)中，溶劑存 在下，+以進行。反冑溫度較佳為溶劑之彿點溫 度。 此外，也可於使式（19)所示化.合物與鹼反應後，才與 鹵化試劑反應進行製備。 關於N-_基化合物，其實例為白酿亞胺、ν· 氯酞醯亞胺'Ν-氯二乙胺、Ν_氣二丁胺、Ν_氣環己胺、ν_ 漠琥拍醯亞胺、Ν_漠酞醯亞胺、Ν_溴二三氣單甲胺、^碘 琥珀醯亞胺、Ν-碘酞醯亞胺等。至於另一鹵化試劑，其實 例為氟、氟氧基三氟甲院、二敦化氧、全氯基氟、氧化始 (III)、氟化銀（Π)、氟化硒（IV)、氟化鎂（ΠΙ)、氣、三氯化 峨一氣化銘、氣化蹄（ιν)、氯化翻、氣化録、氯化鐵（in)、 四氣化欽、五氣化鱗、亞硫酿氯、漠、1，2 -二淳乙烧、二 溴化硼、溴化銅、溴化銀、第三丁基溴、氧化溴、碘、一 氣化碘等。

43 314214 {清先sa璜背面之生¾事項再填寫衣頁} I I ! ! I 訂· —— 丨 — — — — — 線一· A7 1268941 五、發明說明（糾） 乙基苯、二甲笨；鹵化之飽和烴類，例如四氯化碳、氯仿、 二氣甲院、氣丁烧、漠丁烧、氯戊燒、演戊烧、氯己烧、 漠=、氣環己烧、與漠環己炫；ή化之不飽和煙類，例 士氣苯—氯笨、與三氯苯；醇類，例如甲醇、乙醇、丙 醇、異丙醇、丁醇、第三丁醇；缓酸類，例如甲酸、乙酸、 與丙酸；鰱’例如甲醚、乙醚、甲基第三丁基醚、四氫呋 喃、四氫。比喃、與二嗜烧；胺類，例如三甲胺、三乙胺、 Ν，Ν，Ν，，Ν，_四甲基伸乙二胺、與η比咬；酿胺類，例如ΝΝ- ，甲基甲酿胺、Ν，Ν-二甲基乙酿胺，二乙基乙酿胺、 乳化Ν-甲基嗎琳、盘甲| ? ^ ，、 Τ丞2比咯烷S同。該等溶劑可單 獨或混合使用。 至於反應所用之驗，其實例為：氫化經、氣化納、氮 化卸、甲基鐘、正丁基鋰、第三丁基鐘、苯基經、二里丙 基胺化鐘、六甲基二㈣化鐘、&甲基二_胺化鈉、六甲 基二矽胺化鉀等。 反應之後，可利用一般後處理，例如，以水終止反應， 然後利用有機溶劑予以萃取，蒸鶴溶劑以獲得產物。 產物之分離與純化可利用例如再結晶、蒸館、或層析 分級等方法進行。 下文接著說明本發明聚合物之用途。 本發明聚合物具有很強的螢光而可作為高分子發光物 質。此外，由於係使用得自薄膜之發光，因此較佳為使用 於固體狀態具有螢光之高分子螢光物質。再者，該聚合物 具有極佳之電子傳遞性質，可適當地作為聚合物型^ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 44 314214 -------------裝--------訂---------線 (請先閲讀背面之生意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941 五、發明說明（45 ) 或包荷傳遞材I之用。本發明聚合物亦可作為電子 置材質，且亦可作為雷射$ $ A_ 下馮田射之者色物質、太陽能電池材質、 用於有機電晶體之有機半導體、及導電性薄膜材質等用 ,接著，說明本發明之聚合物型LED。本發明之聚合物 型LED於陽極及陰極之間具有發光層，該發光層含有本 明之聚合物。 、，至於本發明之聚合物型LED，可列舉者為於陰極與發 光層間配置有電子傳遞層之聚合物型LED、於陽極與發光 層間配置電洞傳遞層（h(>le transparting layer)之聚:物型 led、於陰極與發光層間配置電子傳遞層及於陽極與發光 層間配置電洞傳遞層之聚合物型LED。 此外，本發明聚合物型LED之實例為：於至少一個電 極和與該電極鄰接之發光層間配置含導電性聚合物層之裝 置，及於至少一個電極和與該電極鄰接之發光層間配置平 均厚度2奈米或2奈米以下的絕緣層之裝置。 例如，下文之結構a)至d)為詳細實例： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞傳遞層/發光層/陰極 0陽極/發光層/電子傳遞層/陰極 d)陽極/電洞傳遞層/發光層/電子傳遞層/陰極 (其中’「/」代表各層間之相鄰薄片）。 本文中，發光層為具發光功能之層，電洞傳遞層為具 傳遞電洞功能之層，及電子傳遞層為具傳遞電子功能之 45 314214 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 製 46 314214 1268941 五、發明說明（46 層。其中，電子傳遞層及電洞傳遞層通稱為電荷傳遞層。 發光層、電洞傳遞層及電子傳遞層亦可各自獨立地使用二 或多層。 於配置於緊鄰電極之電荷傳遞層中，具有增進自電極 之電荷注入效率功能’及具有降低裝置之驅動電壓 者，有時通常特稱為電荷注入層（電洞注人層1 + / 層）。 Λ入 為了加強與電極之黏附力及增進自電極之電荷、、主 亦可緊鄰電極提供上述電荷注入層或厚度2奈：二：半 以下之絕緣層，及進一步地，為了加強界面之勒附力= 止混合等，亦可於電荷遞傳層與發光層之界面中插一 衝層。 缚緩 於慮及裝置之發光效率及使用壽命下，可適當施 壓層之順序與層數，及各層厚度。 田&用層 本毛明中，所提供具有電荷注入層（電子注入層、兩、 注入層）之聚合物型LED，可列舉的為緊鄰陰極備有電= 入層之聚合物型LED，及緊鄰陽極備有電荷注入層：：’主 物型LED。 曰 +合 例如，下文之結構e)至p)為詳細實例·· e) 陽極/電荷注入層/發光層/陰極 f) 陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層/陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞傳遞層/發光層/陰極 1)陽極/電洞傳遞層/發光層/電荷注入層/陰極 氏張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規1各（21〇 X 297公爱了 Μ------- - 訂---------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1268941

五、發明說明（47 ) 陽極/電荷注入層/電㈣遞 k)陽極/電荷注入層 知 I仃玉入桃極 n 層^先層/電子傳遞層/陰極 二? /電子傳遞層/電荷注入層/陰極 m) %極/電荷注入層/ 背 η)陽極/電荷注入層/電曰1子傳遞層/電荷注入層/陰極 _/電荷…/電t;遞7= 注入層/陰極。 曰心先層/¾子傳遞層/電荷 …電荷二入層之詳細實例為:含導電…物 位於陽極與電…層之間、且含有 声所含雷rwA 電離電位與電洞傳遞 諸層等。 €雒毛位之間的材質之 «上述電荷注入層為含導電性聚合物 性聚合物之導雷极& I t μ 曰时及¥電 者1〇3: m〇〜以上，或 者 1〇 s/cm 或 1〇3 s/cm 以下， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 電流’更佳為…/⑽或1〇•:以丄：素間之茂漏 或 1〇2s/r 、， S/cmU上，或者 1〇2s/cm 咬老m 1下，又更佳為10·5 s/cm或1〇-5 s/cm以上， 或者10 S/Cm或101 s/cm以下。 sJTu； MB聚合物中摻雜適量離子，以提供… m或10 S/cm以上，或者1〇3 電性聚合物之導電性。 $1。—以下導 至於所摻雜離子之種類，電洞注入層係使用陰離子， 電子注入層則使用陽離子。陰離子之實 47 314214 1268941 —B7 五、發明說明（49 ) 光層/陰極 U)陽極/電洞傳遞層/發先 緣層/陰極 ^度2奈米或2奈米以下之絕 v)陽極/厚度2奈米或2夺 光層/厚度2奈米或2太乎、下之絕緣層/電洞傳遞層/發 厚度2奈米或2 = ^之絕緣層7陰極 遞層/陰極 下之絕緣層/發光層/電子傳 X)陽極/發光層/電子傳遞層/ 緣層/陰極 X 2不米或2奈米以下之絕 y)陽極/厚度2奈米或2奈米 ^ β / m 、下之絕緣層/發光層/電子傳 遞層/厚度2奈米或2奉半 ^ 7\ iTT / m ώ： ,、 之絕緣層/陰極 Z) 1%極/厗度2奈米或2奈米 奋β /_ U电备 下之絕緣層/電洞傳遞層/發 光層/电子傳遞層/陰極 aa) 陽極/電洞傳遞層/發光層/ 千傳遞層/厚度2奈米或2 不水以下之絕緣層/陰極 ab) 陽極/厚度2奈米哎2太丰以了 丁…卡以下之絕緣層/電洞傳遞層， 餐光層/電子傳遞層/厚度2太半十 1 子& 2不未或2奈米以下之絕緣層/陰 極。 於製造聚合物型LED中，當薄膜係使用該等聚合物溶 於有機溶劑之溶液形成時，僅需於塗覆此溶液後，乾燥去 除/合月1即可，即使在混合電荷傳遞材質與發光材質之情形 下亦可方&用相同方法，就製造上而言極為方便。至於以 /合液t/成4膜之方法，可使用塗覆法例如旋轉塗覆法、鑄 I造法、微凹版印刷塗覆法、凹版印刷塗覆法、棒式塗覆法、 t (CN§U4' ^ (210^7 ^¾ I! — — — ! — — — · t _ I I (請先閱讀背面之注音心事項再填寫本頁) · --線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

五、發明說明（％ ) 親式塗覆法、線纜棒舜 令f西 1268941 網版印刷法、柔版£、覆法、噴霧塗覆法、 卞P刷法、平版印刷法、喷墨印刷法等。 、：於發光層厚度，其最適值視所用材質而異，可適當 予以廷擇，俾使驅動電壓與發光效率成為最適值，例如， 此厚度可為1奈米至1微米，較佳2奈米至500夺米，更 佳5奈米至2〇〇奈米。 古於本發明之聚合物型LED中，可於發光層中混合上述 向分子發光物質以外之發光材質。進一步地，於本發明之 :口物型LED中’可將含有上述高分子發光物質以外的發 光材質之發光層，與含有上述高分子發光物質之發光層一 起層壓。 至於發光材質，可使用已知材質。於具低分子量之化 合物中，可使用例如，萘衍生物、蒽或其衍生物、茈或其 衍生物；染料例如聚甲川染料、咕噸（xanthene)染料、香豆 素染料、花青苷染料；8-羥基啉之金屬錯合物或其衍生 物、芳族胺、四苯基環戊烷或其衍生物、或四笨基丁二烯 或其衍生物等。 一 洋e之’可使用之已知化合物例如JP-A Nos· 57·^ 51781、59-195393 等所敘述者。 當本發明之聚合物型LED具有電洞傳遞層時，所用電 洞傳遞材質之貫例為聚乙稀基味ϋ坐或其衍生物、聚石夕燒咬 其衍生物、於側鏈或主鏈具有芳族胺之聚矽氧烷衍生物、 吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基 胺衍生物、聚苯胺或其衍生物，聚售吩或其衍生物、聚 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — — —----I I I · - — 111 — — — ^ ·111111! (請先閲讀背面之注音心事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 50 314214 I1268941 A7

訂 » 51 314214 1268941 五、發明說明（52 形成電洞傳遞層之方法並龛 洞傳遞層之情形下，其實例‘，，、特疋限制，於低分子量電 溶液中形成該層之方法。妖；八有♦合物黏合劑之混合 / 於聚合物電洞值、]ί 44*所 下，其實例為以溶液形成該層之方法。傳遞材貝之情形 以溶液形成薄膜所用六、 質，並盔特定限制，並^ '合4 要可溶解電洞傳遞材 艾…特疋限制，其貫例為氯溶_ ^ 二氯乙烧等，•轉溶劑例如 Ί、—乳甲炫、 苯、二甲苯等. 夫喃寺，芳族烴溶劑例如甲

+ f本寺，酮溶劑例如 T 劑例如乙酸乙醋、乙酸丁斤 甲基乙基酮等，·及醋溶 …,一 夂丁知、乙酸乙基溶纖素醋等。 至於以洛液形成薄膜之方 ^ ^ ^ L 』彳定用堂覆法例如旋鐘 塗覆法、鑄造法、微凹版印舜 ,.主復法、凹版印刷塗覆法、 、、表繞棒式塗覆法、浸潰塗覆法、 墨印刷法等。 木版印刷法、平版印刷法、噴 所此合之聚合物黏合劑較佳者為不致於非常干預電荷 傳遞，及適當使用時不會強列 ° 叮+ «強烈吸收可見光者。此等聚合 黏合劑之實例為聚碳酸醋、聚丙稀酸醋、聚（丙婦酸甲醋）、 聚（甲基丙浠酸甲醋）、聚笨乙稀、聚（乙稀聚燒曰 至於電洞傳遞層之厚度，其最適值視所用材質而凡異寺 可適當選擇俾使驅動電壓與發光效率成為最適值，及至少 需要疋不會產生針孔之厚度，厚度太大並不適宜，因為會 增加裝置的驅動電壓。因此，電㈣遞層的厚度為，例如 1奈米至1微米，較佳2奈米至5〇〇奈米，更佳5奈米至 200奈米。 本紙張又度適斤國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公爱_) 注 f 吕丁 線 52 314214 1268941 B7 五、發明說明（54 )

及/或聚合物黏合劑，並I 氯仿、二氣甲烷、二&…、一广制，其實例為氯溶劑例如 芳族烴溶劑例如甲苯乳：烷：二醚溶劑例如四氫呋喃等’· 乙基酮等；及㈣劍例：二例如丙綱、甲基 溶纖㈣等。 Ή日、乙酸丁醋、乙酸乙基 至於以溶液或炫融 p 〜、形成薄膜之方法，可使 法例如旋轉塗覆法、鏟！ J便用塗覆 、 ^ ^法、微凹版印刷塗覆法、凹肱广 刷塗覆法、棒式塗覆法、^ 版印 I比式义覆法、線缓棒式塗 浸潰塗覆法、噴霧塗霜法,Γ1ϋ 見伴八土復法、 復法、網版印刷法、柔版印刷法、丰 版印刷法、喷墨印刷法等。 凌 + 訂 机一之水口物黏合劑較佳者為不致於非常“ 傳遞性質，及適當使用時不會強烈吸收可見光者。此；:： 合物黏合劑之實例為聚（Ν_乙稀基^)、聚苯胺或其^ 線 物、聚°塞吩或其衍生物、聚（對伸苯基伸乙烯基）或其衍生 物、聚（2,5-伸嗟吩基伸乙稀基）或其衍生物、聚碳酸酿、聚 丙烯酸酯、聚（丙烯酸甲酯）、聚（甲基丙烯酸甲酯卜聚苯乙 烯、聚（乙細氯）、聚石夕氧烧等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 至於電子傳遞層之厚度，其最適值視所用材質而異， 可適當選擇使驅動電壓與發光效率成為最適值，及至少需 要是不會產生針孔之厚度，厚度太大並不適宜，因為裝2 的驅動電壓會增加。因此，電子傳遞層的厚度為，例如L 奈米至1微米，較佳2奈米至500奈米，更佳5奈米至2〇〇 奈米。 形成本發明聚合物型LED之基板較佳為於形成電極 度綱巾賴家標準（CNS)A4祕（21G >c 297公g ) — 54 1268941 A7 --------B7_____ 五、發明說明（55 ) 及含有機材質之各層時不會變化者，其實例為玻璃、塑料、 聚合物膜、矽基板等。於不透明基板情形下，較好對側電 極為透明或半透明。 本發明中，陽極或陰極至少有一者為透明或半透明， 較好％極為透明或半透明。此陽極之材質係使用電子傳導 性金屬氧化物膜、半透明金屬薄膜等。詳言之，係使用氧 化銦、氧化鋅、氧化錫、及使用由氧化銦錫（IT〇)、氧化銦 鋅等金屬氧化物錯合物組成之電子傳導性球璃製造之薄膜 (NESA等）’及使用金、鉑、銀、銅等，其中，以叮〇、氧 化銦鋅、氧化錫較佳。至於製造方法，係使用真空蒸汽沉 f法、濺錢法、離子鍍法、電鑛法等。也可使用有機透明 導電膜例如聚苯胺或其衍生物、聚售吩或其衍生物等作為 陽極。 # 可於慮及光之傳送與導電性下，適當選定陽極之厚 度’例如’其厚度可為10奈米至10微米較佳20奈米至 1微米’更佳50奈米至500奈米。 進一步，為了容易注入電荷，可於陽極上提供 氛^生物導電性聚合物、碳等之層，或平均膜厚2奈来或 了、包含金屬氧化物、金屬氟化物、有機絕緣材 至於本發明聚合物型㈣所用陰極之材質，以具有較 數者為佳。例如，可使用金屬例如經、納、鉀、给、 製 --------------震--------訂. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) :;::、=、鋇、'、銳、飢、辞、"、-、鈽、 _^ 鉍等，或含有二或多種上述金屬之合金. 本纸張尺度邮，或 55 314214 1268941

五、發明說明（56 ; 含有-或多種上述金屬及金、銀、鉑、銅、錳、鈦、鈷、 錄、鎢與錫之-或多種之合金m墨夾雜化合物等。 合金之實例包含鎮-銀合金、鎂·銦合金、鎮_紹合金、銦_ 銀合金、鐘-紹合金、經-鎮合金、經-銦合金、約·紹合金等。 陰極可形成含二或多層之層壓結構。 陰極之膜厚可於慮及光之傳送與導電性下適當選定， 其厚度可為，例如’ 10奈米至1〇微米，較佳為2〇奈米至 1微米，更佳為50 ,奈米至500奈米。 、至於製造陰極之方法，可使用真空蒸汽沉積法、滅鑛 法、層壓法（於加熱與加壓下，使金屬薄膜黏合）等。進一 步，可於陰極與有機層之間提供包含導電性聚合物之層， ^平均膜厚2奈米或2奈米以下、包含金屬氧化物、金屬 氟化物、有機絕緣材質等之層，及於製造陰㈣，亦可提 供保護聚合物型LED之保護層。為了長期穩定使用聚合物 尘LED較好提供保護裝置用之保護層及/或保護蓋，以避 免外來之傷害。 保護層可使用聚合物、金屬氧化物、金屬I化物、金 屬硼酸鹽等。至於保護蓋，可使用表面已進行低透水處理 之玻璃板、塑膠板等，及適當使用以密封用熱固性樹脂或 光固化樹脂將保護蓋與裝置基板黏貼在一起之方法。若使 用隔距物保持空間，則易於防止裝置受傷害。若將此空間 以惰性氣體例如氮氣及氬氣密封，則可防止陰極氧化，及 進一步地，於上述空間放置乾燥劑例如氧化鎮等，則易於 ^裝置叉製造過程中黏附的水分所傷害。其中，較佳為 W尺度適用中國國家標準(CNS)A4規‘ (21 ^公餐) 56 314214 I I II —--III— — — — — — —— ^* — — — — — 1 — (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 A7 1268941 五、發明說明（57 ) 採用任何一或多種方式。 本發明之聚合物型LED可適當地作為平面光源、分段 式頒不（segment display)裝置、點陣顯示裂置、及液晶顯示 器之背光等用途。 為了以本發明之聚合物型咖獲得平面形式之發 光’可適當放置呈平面形式陪 十形式之^極與陰極，俾使其互相層 壓。又，為了獲得圖案形式之發光， 4、a处 ^ ^尤有一種將具有圖案形 式^之遮罩置於上述平面發光裝置上之方法、一種形成 不！，光部分之有機層以獲得提供實質上不發光之極大厚度 =、及-種使陽極或陰極任何一者，或二者形成圖案 之方法。利用任何該等方法及利用.放置_些電極，使自主 二關成B為可行’而獲得可顯示數字、字母、簡單標記等 陽不裝置。又’為了形成點陣設計，可便利地將 T極與陰極製成條紋形式，並使其呈直角正交放置。利用 =放置發出不同顏色的光之多種聚合物之方法，或使用 =片或發光轉換渡片之方法，可獲得區域顏色顯示及多 '不、點陣頦不可利用被動式驅動，或利用與TFT等組 合之主動式驅動。這些顯示裝置可作為電腦、 提 式終端機、手機、汽車導航、攝影機觀景窗等之顯示器用。 晉進=:，上述平面形式之發光裝置為薄的自動發光 裝置’可適备地作為液晶顯示器背光之 明之平面光源用。又，若係使用撓性板，广原’或供知、 光源或顯示HM。 幻生板，其亦可作為曲面 [實例]. 本尺度適用中關家標準（CNS_)A4規格⑽χ 公楚 314214 -----II---1 — ^----------------^ I (請先閲讀背面之注音心事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 57 268941

五、發明說明（58 J 下文將以實例更詳細說明本發明，惟該等實例不擬對 本發明範圍構成侷限。 本文中’數量平均分子量與重量平均分子量係使用氣 仿為溶劑，利用凝膠滲透色譜法（GPC)，呈聚苯乙烯折合 數量平均分子量與重量平均分子量予以測定。 [合成實例1] <2,2、二溴_5,5’-二辛氧基_1，1，_聯苯基之合成>

於乙醇中，使3-溴苯酚進行二辛基化後，利用山本偶 聯反應合成作為原料用之3,3、二辛氧基_1，1、聯苯基。 使13j克上述3,3 - 一辛氧基_1，1、聯苯基溶於ig2〇毫 升無水N，N-二曱基甲醯胺中。於οι (乾冰-甲醇浴），逐滴 添加含117·5克N-溴琥珀醯亞胺/910毫升N，N_二曱基甲醯 胺之溶液60分鐘。滴加完後，令反應液回升至室溫，攪拌 隔夜。將反應液倒入水中，以正己烷予以萃取，然後蒸除 溶劑，獲得179克粗產物。以2-丙醇重複進行再結晶，獲 得122克2,2、二溴-5,5，-二辛氧基-ΐ，ι，·聯笨基。°日日 又 -------I I----^-----I--^ - I-------^ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1H-NMR(300MHz/CDC13): ό(ρριη) = 0·88 [t, 6H], 1·2〜1·8 [m, 24H]· 3·# r‘ ^ it, 4H]#

314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（59 ;<2,2、二埃-5,5’-二辛氧基]，Γ_聯苯基之合成〉

基-1，1 ’ ·》聯苯基之2 〇 〇臺弁m土、〜 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 毛升四虱呋喃洛液，添加20毫升此 溶液至含鎂之燒瓶中。添加5滴m甲燒作為引發 劑’並予以加熱。當放熱反應開始時，以％分鐘逐滴添加 其餘溶液。滴加完後，於回流下使反應進行i小時。然後， 冷卻至0C ’逐滴添加含442克碰之 兄碘之15〇毫升四氫呋喃溶 液。滴加完後，攪拌該反應液隔夜。 、將反應液倒入水中’以氣仿萃取，並以硫代硫酸納水 溶液及飽# NaCl水溶液洗務。以硫酸納脫水後，蒸除溶 劑，獲得53克粗產物。以2_丙醇再結 二碘-5,5’-二辛氧基-13，·聯苯基。 ^-NMRi 300MHz/CDC13)： δ(ΡΡπ〇 = 0.90 [t, 6H], i.n.8【m· 24H], 3 93 [t, 4H】， 6.6〜6·8 [m, 4H], 7·74 [d, 2H] MS(APCI(+)):M+ 662 [合成實例3] <4,4 -一漢…2,2’-二埃-5,5’-二辛氧基]j，·聯苯基之合成〉 /曰’獲得43克2,2’- ^ · I I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) "-a. •線--fl· 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)Ai規格（2】0 X 297公釐） 59 314214 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941 A7 ___ B7 五、發明說明（

氮氬氛圍下，將37克上述2,2、二碘-5,5，-二辛氧基_ 1，1 聯苯基倒入1升燒瓶中，添加80〇毫升磷酸三甲醋， 使其溶解。進一步添加1 〇·6克碘，並逐滴添加含1 9克漠 之70毫升磷酸三曱酯。攪拌4小時後，再逐滴添加含9.5 克漠之35毫升磷酸三甲醋。然後，攪拌隔夜。將反應液倒 入水中，以氣仿萃取，並以硫代硫酸鈉水溶液及飽和NaC1 水溶液洗滌。以硫酸鈉脫水後，蒸除溶劑，獲得46克粗產 物。利用矽膠層析法（環己烷··曱苯=20: :^進行純化，獲得 20.5 克 4,4 -一>臭-2,2 - 一蛾-5,5、二辛氧基-1，1’_聯苯基。 ^-NMR (3〇〇MH2/CDCl3)： δ(ρριη) = 0·88 [t, 6H], 1.2〜1·9 [m, 24Η】# 3·99 [m· 4H], 6.70 [s# 2H]# 8.03 [s# 2H] MS(APCI(+)):M+ 820 [合成實例4] 化合物A之合成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 60 314214 — — — — — — — — — — — — — ·1111111 ^ · 11 «I I n · (请先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 1268941 _B7 五、發明說明（61 )

將 1.00 克（表觀莫耳數（appearance mole number)1.22 毫莫耳）上述4,4’-二溴-2,2’-二碘-5,5、二辛氧基-1，1’-聯苯 基置於以火焰烘乾及以氬氣置換的1 00毫升三頸燒瓶中， 並使其溶於1 〇毫升脫水乙醚中。以曱醇/液態氮冷卻此溶 液至-90°C，逐滴添加1.7毫升（1.6M正己烷溶液，2.7毫莫 耳）n-BuLi。維持該溫度1小時後，逐滴添加二氯苯基膦 (0·22克，1.22毫莫耳）之乙醚溶液（5毫升）。令溫度回升至 室溫並攪拌15小時後，冷卻至0°C，逐滴添加5% NaHC03 水溶液。以曱苯萃取水相，收集有機層，以水然後以飽和 NaCl水溶液洗滌。蒸除溶劑，獲得1.11克粗產物。利用 矽膠管柱層析法（溶洗液己烷：乙酸乙酯=100:1(0.1 %三乙 胺））進行純化，獲得〇·52克化合物A(純度96.1%，產率 68.5%)。 ^-NMR (CDC13,300MHz): 07.77 (d, 2H), 7·31 - 7·13 (m, 7H), 4.198t, 4H), 1·96-1·87 (m, 4Η), 1·69-1·52 (m, 4Η), and 1·35 - 1·26 (m, 16Η) and 〇·90 (t, 6H) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -------------^--------^---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 61 314214 A7 1268941 五、發明說明（62 [合成實例5 ] 化合物B之合成

'八切亞L米L 置換的30()毫升三頸燒瓶中，並使其溶於5Q毫升脫水乙鍵 中。以曱醇/液態氮冷卻此溶液至_9〇〇c，逐滴添加8·4毫 升（1·6Μ正己烷溶液，13·4毫莫耳·）心BuLi。維持該溫度"j 小時後，添加0·20克硫（6·1毫莫耳）。令溫度回升至室溫 後，攪拌3.5小時，添加2·〇〇克硫（61毫莫耳），再攪拌4 小時。接著，冷卻至〇。(：，逐滴添加】5毫升1Ν鹽酸。以 乙醚萃取水相，收集有機層，以水然後以飽和NaC卜水溶 液洗滌。以硫酸鈉脫水後，蒸除溶劑，獲得6·26克粗產物。 利用矽膠管柱層析法（溶洗液己烷：乙酸乙酯m)進行純 化，獲得0.91克化合物B(純度87.3%，產率2〇·7%)。 ^-NMR (CDC13,300MHz): (5 7.69 (s, 2H)# 7.08 (s# 2H), 4.09 (t# 4H)# 1.92-l.ei (m 4H), 1·58 · 1.26 (m, 20H)# 0.88 (t, 6H) [合成實例6] ~ 化合物C之合成 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗〇χ 297公釐） !11111 t _111! — —-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 62 314214 1268941 A7 B7

.二 鐵-5，5 五、發明說明（63 氮氣氛圍下，將5.0克上述4,4，-二溴-2,2 /、_ 二辛氧基-151、聯苯基饋入100毫升燒瓶中，添加5〇毫升 四氩°夫喃使其溶解。冷卻此溶液至-90°C，逐滴添加8.4毫 升正丁基鋰/1·6Μ己烷溶液。攪拌1·5小時後，添加含3.38 克漠化鎮之61克四氫ϋ夫喃溶液，令溫度回升至室溫，進一 步攪拌1.5小時。再將其冷卻至_90。(：，並添加L6〇克 一氣四甲基二矽烷。然後，提升溫度，於回流下進行反應 8 · 5小時。 蒸除溶劑後，饋入100毫升甲苯並攪拌，接著將不溶 物質濾、除。再蒸除溶劑’獲得粗產物1时膠f柱層析 法（溶洗液己烧：三乙胺甲苯=800:5)進行純化，獲得〇24克 化合物C。 1H-NMR(300MHz/CDC13): 6(PPm) : 0.20 [S, 12Η], 0.896H], :^ 6【m, 2〇H], [m· 4H], 4.08 【t, 4H】， 6·92 【s, 2H], 7 57 【s, 2H】 [合成實例7] 化合物D之合成 63 314214 — — — — — — — — — — — — — _ I I I I I I I e — — — — — 111 - I I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941

五、發明說明（64 )

於惰性氛圍中，使90克3-溴苯酚溶於6〇〇毫升乙醇 中。再添加39克氫氧化鉀，於70t使其溶解。以15分鐘 自滴液漏斗滴加126克1-溴-3,7-二甲基辛烷。滴加完後， 將溫度提升至84°C，於加熱下進行攪拌22小時。 然後，令其靜置冷卻至室溫。將反應液分成兩份，每 份各加至500毫升水中，以及使用蒸餾器蒸除乙醇。蒸除 乙醇之後，將殘留溶液收集在一起，並分成三份。每:各 添加300毫升乙酸乙酯並分別進行層，其有機層分別以2〇〇 毫升水洗滌兩次。將有機層收集在一起，以蒸發器蒸除溶 劑後，使用旋轉泵，於9(rc進行減壓乾燥5小時。得到約 150克呈油狀產物之3·(3,7_二甲基辛氧基）_溴苯。惰性氛 圍下，於三頸燒瓶中饋入1〇〇毫升無水四氫呋喃、7·5克 鎂及少量碘。以50分鐘自滴液漏斗滴加9〇克上述3_(3,7_ 一甲基辛氧基溴苯。滴加完後，添加2〇〇毫升無水四氫 呋喃，於攪拌下回流加熱2小時，以製備格利雅試劑。加 熱之後，令其靜置冷卻至室溫。於另一三頸燒瓶中饋入38 克硼酸三甲醋及300毫升無水四氫咬喃，以乾冰_丙酮浴冷 卻該燒瓶。以35分鐘自滴液漏斗滴加上述格利雅試劑。$ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格⑵G X 297公f (請先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製

五、發明說明（ 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1268941 加完後’將反應液加熱至室溫。於添加反應液至稀硫酸G2 宅升硫酸/360毫升水）中並攪拌後，將其分成兩份，每份分 別以150毫升及1〇〇毫升乙酸乙酯予以萃取。將有機層收 集在一起’並分成三份，每份各以丨〇〇毫升水洗滌。將洗 滌後之有機層收集在一起，使用蒸發器蒸除溶劑。藉添加 1 00宅升己烧產生該固體内容物之懸浮液，並予以過遽。 再進一步以1〇〇毫升己烷洗滌。獲得63克3-(3,7_二曱基 辛氧基）苯基硼酸白色固體。惰性氛圍下，於三頸燒瓶中饋 入60克上述3-(3,7-二甲基辛氧基）溴苯、25〇毫升甲苯、 250毫升水、62克碳酸鉀及12克肆（三苯鱗）鈀錯合物。 於此溶液中通入氬氣20分鐘脫氧後，添加63.克上述％ (3,7-二曱基辛氧基）苯基硼酸，提升溫度至，並於加 熱下攪拌8小日寺。加熱之後，令其靜置冷卻至室溫。將甲 苯層分開後1用㈣層析法除去著色成分。蒸除溶劑， 獲得9 8克呈油狀產物之化合物d。 ^-NMROOOMHz/CDCla)： a(卿）=0.87 12H], 0.94【d, 6H], i 卜丄 8【m, 2〇H]· 4 4 [t. 4H], 6.88 [d. 2H]. 7.1^7.3 Im, 4H] . 7.32 [t. 2H] [合成實例8] 化合物E之合成 — III — — — — — — — — — — — — — — — I— ^ ·111111!1 (請先開讀背面之注意事項再填寫本頁)

65 314214 1268941 A7 B7 五、發明說明（

(請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使上述20克化合物D溶於400毫升無水N，N-二曱基 曱醯胺中。以冰冷卻下，以90分鐘逐滴添加含15.5克N-溴琥珀醯亞胺之300毫升N，N-二甲基甲醯胺。滴加完後， 移去冰浴，攪拌隔夜。蒸除溶劑後，使其溶於200毫升曱 苯中，以200毫升水洗滌3次，再蒸除溶劑，獲得26克油 狀產物。由LC-MS光譜測量結果，觀察到具有不同溴取代 位置之異構物，化合物E的純度約為65%(LC面積百分 比）。 ^-NMRi 300MHz/CDC13): (5(ppm>*0.86[d, 12H], 0.93[d, 6H], 1·卜1.8[m, 20H], 3.97[t, 4 H], 6.79[d, 2H], 6·82[ά, 2H], 7.52[d, 2H] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 MS(APCI (+))：M+ 624 [合成實例9] 化合物F之合成 66 314214 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210x 297公釐） 1268941 A7 B7 五、發明說明（67

Q ΩΤ .Si

化合物F 毫升四頸燒瓶中，使 於其内部氛圍以氬氣置換之200 ™毫莫耳一溶於8。毫：：=二 冷卻至-78°C。於此溶液中，逐， 一 〒逐滴添加11耄升正丁基鋰（17.6 毫莫耳’⑽己院溶液），並㈣3 5小時。逐滴添加此 訂 溶液古至冷卻到㈣之含25.8克⑽毫莫耳）四氯石夕燒之 5 0 0毫升乙鱗溶液中。播姐j t 士 、 撹拌1小時後，使溫度回升至室溫， 進步授拌15小時。氫氣氛圍下，過渡反應液，濃縮遽液， 線 得到4·52克粗產物。再將所得粗產物置於其内部以氯氣置 換之500毫升三頸燒瓶中，使其溶於9〇毫升脫水乙轉中， 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 並冷卻至-78t。於此溶液中，逐滴添加23毫升笨基經(24 毫莫耳，1.06M環戊烷/乙醚溶液）。攪拌2〇分鐘後，令其 回升至室溫’並攪拌4小時。添加水並予以分層，其水層 以乙喊萃取。將有機層收集在_#，以飽和碳酸氫納水溶 液及飽和NaCl水溶液洗滌。以硫酸氫鈉脫水後，蒸除溶 劑’獲得6.66克化合物F之粗產物。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 67 314214 A7 1268941 ---------_- —_ 五、發明說明（68 ) ^^H-NMRt 300MHz / CDCI3) · 0 0·86 (d· 12H)，〇·97 (d, 6Η), 1β1㈠·9〇 (m, 2〇⑴，4 〇9 如 4H), 6.84-6.88 (m# 2H) # 7.29-7.66 (m, 28H) MS(APCI(-k))：M+ 647· 4 [合成實例10] 化合物G之合成

化合物G 於其内部氛圍以氬氣置換之300毫升三頸燒瓶中，置 入5·00克化合物以純度851%，6·6毫莫耳），使其溶於砧 毫升脫水DMF中。於此溶液中饋入2·45克〇38毫莫耳州-溴琥珀醯亞胺，於室溫攪拌5小時後，於手套箱中以己烷 (80毫升X 5次）進行萃取。蒸除溶劑，獲得14 〇2克粗產 物（包含DMF之LC面積百分比19.9%)。以逆相矽膠管柱 層析法（乙腈：曱笨=20:1)分離後，其溶離份（fracti〇n)以己 烧萃取（以去除乙腈中之微量乙酸），並以5%碳谴氫鈉水溶 液及飽和NaCl水溶液洗務。以硫酸納脫水後，蒸除溶劑， 獲得〇·30克化合物G (LC面積百分比58%，產率3.3%)。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格（210 X 297公釐) ：----- 68 314214 HI — — — — — — — — — — i — — — — — — ^-·1!11111» ^ (請先閱讀背面之沒音？^項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941 Α7 ____ Β7 五、發明說明（69 ) iH-NMR (300MHz/ 丙酮-d6}: (5 0.86 (d，12H)，0·99 (d，6H), 1·17~1·95 (m, 20H), 4·3ί (t 4H) # 7.37^*7.50 (xa, 2H) # 7.68—7.71 (m# 28H)# 7.81 (s 2H) • 00 (s, 2H) MS(APCI( + )) ：M+ 804.9 [合成實例11] 化合物H之合成

於其内部氛圍以氬氣置換之200毫升三頸燒甑中，置 入3.91克化合物F(純度85·1%，5.1毫莫耳），使其溶於5〇 t升脫水DMF中。於此溶液中饋入ι·47克（ι〇·8毫莫 耳）NCS。添加NCS，並以LC追蹤反應（共計2·62克）。於 室溫攪拌60小時後，於手套箱中以己烧（丨〇〇毫升X 5次） 進行卒取。蒸除溶劑，獲得12 ·73克粗產物（包含DMF之 LC面積百分比34.1%)。以逆相矽膠管柱層析法（乙腈：曱苯 =20:1)分離後，其溶離份以己烷萃取，並以5%碳酸氫鈉水 溶液及飽和NaCl水溶液洗滌（以去除乙腈中之微量乙 酸）。以硫酸鈉脫水後，蒸除溶劑，獲得〇· 1 8克化合物H (LC 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2]〇χ 297公釐） 69 314214 --------— — — — — I! I ------^ · I--— II--^ r#db請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 1268941 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 B7 五、發明說明（70 ) 面積百分比82.5%，產率3.6%)。 h-NMR (300MHz / 丙酮-d6}: δ 〇·87 (d, 12H), 〇·99 (d, 6H), 1·1〇〜ι·94 (m, 20H), 4·28 (b r, 4H), 7·30〜7·71 (m, 10H), 7·83 (br, 4H) MS(APCI(+)):M^ 715.3 [實例1(化合物A之縮聚作用）] <聚合物1之合成> 於反應容器中，饋入〇·59克化合物a、0.26克N，N，-雙（4-溴苯基）·Ν，Ν，-雙（4-正丁基苯基伸苯基二胺、 0.4 8克2,2、聯二咣啶，並以氮氣置換反應系統氛圍。於其 中，添加先行通入氬氣進行脫氣處，理之35毫升四氫吱喃 (脫水溶劑）。接著，於此混合溶液中添加〇·85克雙（丨，5_環 辛二烯）錄（0)，於60。(：反應3小時。此反應於氮氣氛圍下 進行。反應後，冷卻此溶液，再將其傾入含丨〇毫升25% 氨水/120毫升甲醇/50毫升離子交換水之混合溶液中，攪 拌約1小時。接著，過濾收集生成之沉澱。以乙醇洗滌此 >儿澱，並減壓乾燥2小時。然後，使此沉澱溶於3 〇毫升甲 苯中，於添加30毫升in鹽酸後，將其攪拌丨小時。去除 水層，添加30毫升4❹/。氨水於有機層，攪拌丨小時後，去 除水層。逐滴添加有機層於2〇〇毫升曱醇中，再攪拌工小 時。過濾沉積之沉澱，減壓乾燥2小時，然後使其溶於Μ 毫升曱苯中。然後，通過氧化紹管柱（20克氧化紹)進行純 化。逐滴添加收集之甲苯溶液至250毫升甲醇中，攪拌工 小時’過濾沉積之沉澱，減壓乾燥2小時。所得聚： 本紙張尺度適用中關家標準（CNS)A4規格（21() χ 297公爱）------- 70 314214 -----1 — — — — — — ^ ·I----1 — til —--11 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 1268941 五、發明說明（71 ) 量為0.0 6克。此聚合物稱為聚合物1。 聚合物1之聚苯乙烯折合數量平均分子量為5·〇χ 1 〇2 ’聚苯乙烯折合重量平均分子量為6·2χ 1 〇3。 [實例2(化合物Β之縮聚作用）] <聚合物2之合成> 於反應容器中，饋入〇·35克化合物β、〇16克Ν，Ν，_ 雙（4-溴苯基）-Ν，Ν，-雙（4-正丁基笨基Μ，4-伸笨基二胺、 〇·37克2,2 _聯二咣啶，並以氮氣置換反應系統氛圍。於其 中，添加先行通入氬氣進行脫氣處理之28毫升四氫呋喃 (脫水溶劑）。接著，於此混合溶液中添加0.70克雙（1，5_環 辛一烯）鎳（0) ’於60 C反應3小時。此反應於氮氣氛圍下 進仃。反應後，冷卻此溶液，再將其傾入含i〇毫升25% 氨水/120笔升曱醇/5〇毫升離子交換水之混合溶液中，攪 拌約1小時。接著，過濾收集生成之沉澱。以乙醇洗滌此 沉澱，並減壓乾燥2小時。然後，使此沉澱溶於3q毫升甲 苯中，於添加30毫升1N鹽酸後，將其擻拌i小時。去除 水層，添加30毫升4%氨水於有機層，攪拌丨小時後，去 除水層。逐滴添加有機層於2〇〇毫升曱醇中，再攪拌i小 時。過遽:沉積之沉澱，減壓乾燥2小時，然後使其溶於3〇 么升甲本中。然後，通過氧化鋁管柱（20克氧化鋁）進行純 化γ逐滴添加收集之曱苯溶液至25〇毫升甲醇中，攪拌玉 I 過濾〉儿積之沉澱，減壓乾燥2小時。所得聚合物產 量為〇·13克。此聚合物稱為聚合物2。 聚苯乙烯折合數量平均分子量為6·2χ $張尺度適 iTiiiii7cNS)A4 71 3142J4 --------------裝— (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. •線· 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1268941 A7 B7

五、發明說明（72 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 ，聚笨乙烯折合重量平均分子量 [實例3(化合物C之縮聚作用)] 〈聚合物3之合成> 於反應容器中，饋入〇.3〇克化合物c、〇 13克n，n，_ 0又ST溴笨基卜❹、雙(4-正丁基苯基伸$基二胺、 〇克2,2 _聯二吡啶，並以氮氣置換反應系統氛圍。於其 、乂加先行通入氬氣進行脫氣處理之20毫升四氫呋喃 、反岭d )。接著，於此混合溶液中添加〇 克雙（1，5_環 辛=烯）鎳⑼，於6(rc反應3小時。此反應於氣氣氛圍下 進行。反應後，冷卻此溶液，再將其傾入含1〇毫升25% 氨水/120 ^升甲醇/50毫升離子交換水之混合溶液中搜 2約1小時。接著，過濾收集生成之沉澱。以乙醇洗滌此 /儿焱，並減壓乾燥2小時。然後，使此沉澱溶於3〇毫升曱 苯中，於添加30毫升1Ν鹽酸後，將其攪拌丨小時α去除 水層，添加30毫升4%氨水於有機層，攪拌i小時後，去 除水層。逐滴添加有機層於200毫升甲醇中，再攪拌！小 時。過遽沉積之沉殿，減壓乾燥2小時，然後使其溶於％ 毫升曱苯中。然後，通過氧化鋁管柱（2〇克氧化鋁）進行純 化。逐滴添加收集之甲苯溶液至250毫升甲醇中， τ 復祥1 小時，過濾沉積之沉澱，減壓乾燥2小時。所得聚人物產 量為〇· 11克。此聚合物稱為聚合物3。 聚合物3之聚苯乙稀折合數量平均分早旦· & 丁里马1 ·4χ 1〇3，聚苯乙烯折合重量平均分子量為4.9χ ι〇4。 [實例4(化合物G之縮聚作用）] — 丨 — I!丨 — ! I -裝 ilil — 訂·！ — II !線 (諳先閱讀背面之沒意事項再填寫本頁) A7 1268941 五、發明說明（73 ) <聚合物4之合成> 於反應容器中，饋入〇·2〇克化合物G、0 07克n，n，_ 雙（4-溴苯基）-N，N，-雙（4-正丁基苯基）_!，心伸苯基二胺、 〇·17克2,2’-聯二吡啶，並以氮氣置換反應系統氛圍。於其 中’添加先行通入氬氣進行脫氣處理之2〇毫升四氫呋喃 (脫水溶劑）。接著，於此混合溶液中添加〇·3克雙（1，5_環 辛一烯）鎳（〇)’於室溫授拌丨〇分鐘，並於6〇。〇反應3小時。 此反應於氮氣氛圍下進行。反應後，冷卻此溶液，再將其 傾入含120耄升甲酵/200毫升離子交換水之混合溶液中， 攪拌約1小時。接著，過濾收集生成之沉澱，乾燥此沉趨， 使其溶於氣仿中。過濾此溶液去除不溶物質，蒸除氣仿， 得到固體產物。此固體產物以甲醇洗滌，並予以減壓乾燥， 知到0.08克聚合物。此聚合物稱為聚合物4。 聚合物4之聚笨乙烯折合數量平均分子量為ΐ 5χ 1〇3 ’聚苯乙烯折合重量平均分子量為5 〇>< 1〇3。 [實例5(化合物Η之縮聚作用）] <聚合物5之合成> 於反應容器中，饋入m克化合物Η、〇1〇克 雙溴苯基）-Ν，Ν，-雙（4_正丁基苯基）_1?心伸苯基二胺、 0.27克2,2、聯二咣啶，並以氮氣置換反應系統氛圍。於其 中，添加先行通入氬氣進行脫氣處理之2〇毫升四氫呋喃 (脫水溶劑）。接著，於此混合溶液中添加〇·5克雙環 辛一烯）鎳（0)，於室溫攪拌10分鐘，並於6〇〇c反應3小時。 此反應於氮氣氛圍下進行。反應後，冷卻此溶液，再將其 本紙張尺度適用中國國家標準（qsjs)A4規格（2iQx297公爱)'""""' --一 — 73 314214 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂* 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 1268941 五、發明說明（74 ) 傾入含100毫升甲醇/200毫升離子交換水之混合溶液中， 授拌約1小時。接著，過濾收集生成之沉殿，乾燥此沉殿， 使其溶於甲苯中。過濾此溶液去除不溶物質，蒸除甲苯， 得到固體產物。此固體產物以乙醇洗滌，並予以減壓乾燥， 得到0·09克聚合物。此聚合物稱為聚合物5。 聚合物5之聚苯乙烯折合數量平均分子量為 10 ’聚苯乙細折合重量平均分子量為5.4χ 1〇3。 [實例6] <螢光性質> 將聚合物1 i 5之2重量％氣仿溶液分別旋轉塗覆於 石英上’產生聚合物型螢光物質薄膜。使用分光光度計 (Hitachi 850)測量該等薄膜之螢光光譜。所有該等薄媒均 具有強螢光，並分別顯示表1所示之螢光峰波長。 下文顯示鍵長比之計算實例

Gaussian 98 (b31yp/6-31g*)進行。 [計算實例1] 單體與三聚體之比較 比較在聚合反應鍵結位置具有氫. _____ 从屌于之早體與三聚 本紙張尺度適用中國國家標準（α«)ϋ格（210 X 297公餐Τ' 74 314214 11! -裝i —丨丨—丨丨訂-!·線 {清先閲讀背面之注音？事項再填寫本頁) 表1 、 聚合物 螢光峰 聚合物1 ~5Ϊ6~ 聚合物2 468 聚合物3 458 聚合物4 466 聚合物5 458 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中計算係使用

1268941 A7 B7 五、發明說明（75 ) 之鍵長比。 OC3H7

計算化合物 鍵長比 計算化合物1 1.254 計算化合物2 (中心） 1.256 計算化合物2 (末端） 1.254 鍵長比的差異很小，聚合物的鍵長比與在聚合反應鍵 結位置具有氫原子的單體之鍵長比接近。 [計算實例2] 側鏈之比較 比較以甲氧基為烷氧基側鏈的化合物與具有正辛氧基 的化合物之鍵長比。 --------I----裝 -------- 訂---------線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) h3co 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製

j3CH3 〇8^·|7〇χ 計算化合物3

pc8h17 計算化合物4 計算化合物 鍵長比 計算化合物3 計算化合物4 1.254 1.254 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2〗0 X 297公釐） 75 314214 A7 1268941 五、發明說明（76 ) 鍵長比的差異很小，呈右正妾_ ”,止辛乳基的化合物之鍵長比 與具有甲氧基的化合物之鐽長比接近。 [計算實例3] 諸實例製造的化合物之計算 h3co

Ph， 、Ph 計算化合物5 PCH, h3co

och3

Ph 計算化合物6 h3co

PCH,

H3CO 計算化合物

OGHa 計算化合物8

h3c ch3 比較例1 比較例2 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 式中，Ph代表苯基 計算化合物 鍵長比 計算化合物5 1.329 計算化合物6 1.304 計算化合物7 1.338 計算化合物8 1.268 比較例1 1.085 比較例2 1.071 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） 76 314214 1268941 A7 _._ B7__ 五、發明說明（77 ) 本發明聚合物為新穎之聚合物，可用於發光 材質、電荷傳遞材質等用途。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) - -線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 77 314214 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A8 B8 C8 D8

   Z為可具 1268941 六、申請專利範圍 ι· -種聚合物’其聚苯乙烯折合數量平均分子量為ι〇3至 108，該聚合物包括下式（1)所示之重複單元：

   (1) 式中，A係由或所示之二價基（其中 有取代基之原子基團）；Αι代表二價基，其中鍵長比 (C2-A1鍵長/C2-C1鍵長）為ΐ·10或更大，其$ C2為相 對於A1的α位置之碳，C1為相對於…的点位置之碳； R1、R2、R3、R、W、與R6各自獨立地代表氫原子、 鹵原子、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、 芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳烷基、芳烷氧基、 芳烷硫基、芳烷胺基、經取代之矽烷基、醯基、醯氧基、 亞胺基、醯胺基、芳稀基、芳炔基、單價雜環基、或氰 基；R2與R3可連接形成環；及R4與R5可連接形成環。 2·如申請專利範圍第1項之聚合物，其中該原子基團Z中 之原子包含 Si、P、S、Ge、Sn、Se、或 Te。 3.如申請專利範圍第1項之聚合物，其中A1為下式（4)、 (5)、或（6)所示之二價基團： (4) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — — — 11— — — !— · ill — — — — ^- — — — 1 — — — (請先閱讀背面之注意事碩再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1268941 A8 B8 C8 D8 六 申請專利範圍 式中’ R代表烧基、烧氧基、烧硫基、烧胺基、芳基、 芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫 基、芳烷胺基、醯基、醯氧基、醯胺基、或單價雜環基； S- S (5) ⑹ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 式中’ A2代表Si、Ge、或Sn ; R8與R9各自獨立地代 表烷基、烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳基、芳氧基、芳 硫基、芳胺基、芳烷基、芳烷氧基、芳烷硫基、芳烷胺 基、醯氧基、醯胺基、或單價雜環基；及1代表1或2。 4·如申請專利範圍第3項之聚合物，其中Αι為上式（4)所 示之二價基團。 5·如申請專利範圍第3項之聚合物，其中A】為上式〇戶 示之二價基團。 6·如申請專利範圍第3項之聚合物，其中^為上式（6)所 示之二價基團，式中A2為Si，以及i為1。 7·如申請專利範圍第3項之聚合物，其中Αι為上式（ 示之二價基團，式中A2為Si，以及1為2。 所 8·如申請專利範圍第1項之聚合物，其中R2與cj 目 立地代表烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳氧基、芳硫武 芳胺基、芳烷氧基、芳烷硫基、或芳烷胺基。 土9·如申請專利範圍第8項之聚合物，其中R2盥R5夂： __ 合自獨 本紙張尺度咖_家標準（CN^4_規格⑽ X 297 公fT 79 314214 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

   1268941 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 i “立：代表烧氧基、芳氧基、或芳烧氧基。 ι〇·如申請專利範圍第}項之聚合下式（7)所示之重複單元： ’、Μ來合物復包括 -Ar6'(CRn = CR 丨 1 式中，V代表伸芳基或二價雜環基；π血 立地代表氫原子、烷基、芳 ^ 8各自镯 及η代表〇或1。 …方基、單價雜環基、或氰基’ 如申請專利範圍第丨項之聚合物下式（8)所示之重複單元： ，、來合物復包括 ’中’ Ar * A2各自獨立地代表伸 R11代表烷基、芳基、單價雜環“ 一賈雜壤基； 之基團·，及m代表i至4之土、下式（9)或U〇)所斥

   經 濟 部 智 慧 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 〇)式中，Ar3代表伸芳基或二 只滩J長基；r 1 2烷基、芳基、單價雜環基、或 &虱原子、 代表-CR” = CR丨、、或_CsC : 〇〇)所示之基團；Y1丰筍历羊、p A 與尺14各自獨立地代表風原子、说基、芳基、單價雜環表0至2之整數； A亂暴，及p代 -Ar4+|ji_Ar5+-R16 (10) 式中Ar與Ar5各自獨立地 ___ '表伸芳基或二價雜環 本紙張尺度刺中國國冢標準（CNS)A_4規格（21〇 x 297公髮〉一 314214 I I Γ-----I 義袭--------^--------•線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1268941 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 基；R15代表烷基、芳基、或單價雜環基；Ru代表氫原 子、烧基、芳基、或單價雜環基；及q代表1至4之整 數。 12·一種製造如申請專利範圍第1至11項中任一項聚合物 之方法’該方法包括使用下式（11)所示化合物進行縮聚 反應：

   (11) 式中，R1、R2、R3、r4、r5、r6、及Al分別代表式⑴ 中之相同基團；X】與χ2各自獨立地代表能進行縮聚反 應之取代基。 1 3 . —種由下式（1丨）所示之化合物：

   (11) 式中，R1、R2、R3、R4、R5、R6、及A1分別代表式⑴ 中之相同基團；X】與X2各自獨立地代表能進行縮聚反 應之取代基。 14·如申請專利範圍第13項之化合物，其中a】為上式（4) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格（21Q x 297公楚) "!—" 8丨 314214 \ i \)' — — — — — —— — — — — — — r - 1 I I I I I I ·!1!1111» l {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) A8iD8 1268941 六、申請專利範圍 所示之二價基團。 1 5·如申請專利範圍第13項之化合物，其中A1為上式（5) 所示之二價基團。 I6·如申请專利範圍第13項之化合物，其中A1為上式（6) 所示之二價基團，式中A2為Si，以及1為1。 17·如申請專利範圍第13項之化合物，其中Al為上式（6) 所不之二價基團，式中A2為Si，以及1為2。 1 8 ·如申晴專利範圍第13項之化合物，其中R2與R5各自 獨立地代表烷氧基、烷硫基、烷胺基、芳氧基、芳硫基、 芳胺基、芳烷氧基、芳烷硫基、或芳烷胺基。 1 9.如申请專利範圍第1 8項之化合物，其中R2與R5各自 獨立地代表燒氧基、芳氧基、或芳院氧基。 2〇·如申請專利範圍第13項之化合物，其中χι與ΧΛ各自獨 立地代表鹵原子、烧基石黃酸根基團、芳基績酸根基團、 或芳烷基磺酸根基團。 2 1 ·如申印專利範圍第13項之化合物，其中X1與X2各自獨 立地代表鹵原子。 22·—種如申請專利範圍第12項之製造聚合物之方法，其 中係使用1巴觸媒或鎳觸媒進行申請專利範圍第20或2 1 項所揭示化合物之縮聚反應。 23 · —種製造如申請專利範圍第14及1 8至2 1項中任一項 化合物之方法，其中係選擇性地將下式（1 3)所示化合物 的兩個碘原子金屬化，然後與下式（14)所示二鹵基化碟 化合物反應： 本紙張尺度適財關家標準（CNS)A4規格（21Q—χ 297公楚〉 -— 314214 — — — — — — 11 — — — —— - IHIIII — (請先fls讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Ϊ268941 六、 申請專利範圍 R3 R4 R5 (13) X1- :二I: Γ、二、R 4、R 5及R 6分別代表式(1)中之相 ^ ， v、x分別代表式（11)中之相同基團； XY (U) R7代表式(4)中之相同基團；χ5及X6各自獨立地 2表I原子、溴原子、或蛾原子。 製造如申請專利範圍第15及18至21項中任一項 的二/之方法，其中係選擇性地將上式(13)所示化合物 兩個碘原子金屬化，然後與硫反應。 線 ，衣&如申請專利範圍第1 6項之化合物之方法，其 了將下式（1 9)所示化合物與函化試劑反應： R2 R3 R4 R5 (19) Siy R8 \9 二中，…、"、，、“分別代表式⑴中之相 、團，R8與R9分別代表式（6)中之相同基團。 製 26·-種申請專利範圍第25項之二苯并石夕嘻 本紙張尺度適財國規袼⑽X 297公釐） 314214 A8B8C8D8 1268941 六、申請專利範圍 Cdibenz〇sllole)衍生物之方法，其中係使用基北合 物作為自化試劑。 27·種由上式（19)所示之二苯并矽咯衍生物。 28.如申請專利範圍第27項之二苯并矽咯衍生物，其中於 上式（19)中之所有Rl、R3、R4、與R0均為氫原子。 29·一種製造如申請專利範圍第17至21項中任一項二矽烷 基化合物之方法，其中係選擇性地將上式（13)所示化合 物的兩個碘原子金屬化，然後與下式(22)所示二鹵基化 二矽烷基化备物反應： 4知9 (22) 式中’ R與R9分別代表式⑷中之相同基團；Xll與x12 各自獨立地代表氣原子、溪原子、或蛾原子。 J〇·種承口物型電子裝置，其包含如申請專利範圍第！至 11項中任一項之聚合物。 種K CT物型螢光物質，其係由如申請專利範圍第1至 11項中任一項之聚合物所組成。 32· 一種聚合物型發光裝置’其於由陽極及陰極組成的電極 間具有發光層’其中該發光層含有如申請專利範圍第i 至11項中任一項之聚合物。 3 3 · —種平面光源，立句杯 八匕祜如申清專利範圍第3 2項之 物型發光裝置。 、" 34·—種分段式顯示器裝置， 不1 /、已栝如申清專利範圍第W 項之聚合物型發光裝置。 尽紙诋尺細中酬家標準（ds)A4規袼(2^7i¥ 料 314214 — — — III — — — — — ^ - II1IIII ^«— — ϋιιιι (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 1268941 儲 C8 D8 六、申請專利範圍 35.—種點陣式顯示器裝置，其包括如申請專利範圍第32 項之聚合物型發光裝置。 36·—種液晶顯示器，其包括如申請專利範圍第32項之聚 合物型發光裝置作為背光。 — — — — — — — — — — — — — — — — — — II ·1111111» I (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 314214 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 1268941 11W A7 B7 ；r-] 經 濟 部 智 慧. 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（3 ) 去、及岔度泛函法。例如，利用涵蓋於量子化學計算程式 Gaussian 98之密度泛函法，以6-31g*為基本函數及以 b 3 1 yp為也、度泛函近似值，可進行結構最適化之計算，而 測定鍵長比（參照，J· Chem. Phys·，98,5648 (1993))。 C2-A1鍵長係自C2至基團A]之該原子的距離，其中 C2係直接與基團A]之該原子鍵結。當式（1)之重覆單元係 非對稱時，兩者之鍵長比係1 ·丨〇或更大。 上式（1)中之R1、R2、R3、R4、R5與R6各自獨立地代 表氫原子、鹵原子、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烷硫基、 燒胺基、芳基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳烧基、芳院 氧基、芳烷硫基、芳烷胺基、經取代之矽烷基、醯基、酿 氧基、亞胺基、醯胺基、芳烯基、芳炔基、單價雜環基、 或氰基。R2與R3可連接形成環；及…與y可連接形成環。 較佳為，R2與R5各自獨立地為烷氧基、烷硫基、烷 胺基、芳氧基、芳硫基、芳胺基、芳院氧基、芳烧硫基、 或芳烧胺基，其中，以絲基、芳氧基、或芳烧氧基更佳。 至於鹵原子’其實例為氟、氣、溴、及蛾。 烧基可為直鏈、分支鏈或環狀任一者，通常具有約^ 至20個碳原子，及可具有取代基。詳言之，其實例為：甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基基、己基、環己基、庚基、辛基〜美己二-=Λ U I己基、壬基、癸基、3,7-二甲基辛基、月桂基、三氟甲基、五敦乙基 '全 既丁基、全氣己基、全氣辛基等；較佳為戊基、己基、辛 基、2-乙基己基、癸基、及二甲基辛美 〒 本紙張尺度適用中國國家標準（CNSM4規格（2丨ϋ X 29?Ti^-〜 3]42M(修正頁 ϋ-i n n n n I · n n (請先閱讀背面之注意事^^填寫本頁) 訂-

   A7 B7 經 濟 部 智 慧· 財 產 局 消 費 合 作 社 印 製 五、發明說明（5 ) 曱硫基、乙硫基、丙硫基、異丙硫基、丁硫基、異丁硫基、 第三丁硫基、戊硫基、己硫基、環己硫基、庚硫基、辛硫 基、2-.乙基己硫基、壬硫基、癸硫基、3,7-二曱基辛硫基、 月桂基硫基、三敗曱硫基等；較佳為戊硫基、己硫基、辛 硫基、2 -乙基己硫基、癸硫基、及3，7 -二曱基辛硫基。 烧胺基可為直鏈、分支鏈或環狀任一者，通常具有約 1至40個碳原子，及可為單烷胺基或二烷胺基。詳言之， 其實例為：曱胺基、二曱胺基、乙胺基、二乙胺基、丙胺 基、二丙胺基、異丙胺基、二異丙胺基、丁胺基、異丁胺 基、第三丁胺基、戊胺基、己胺基、庚胺基、辛胺基、I 乙基己胺基、壬胺基、癸胺基、3,7_二曱基辛胺基、月桂 基胺基、環戊胺基、二環戊胺基、環己胺基、二環己胺基、 吡咯烷基、哌啶基、二三氟曱胺基等；較佳為戊胺基、己 胺基、辛胺基、2·乙基己胺基、癸胺基、及3,7_二甲基辛 胺基。 芳基可具取代基，通常具有約6至60個碳原子。詳言 之，其實例為：苯基、Cl-Cl2烷氧苯基（Ci_Ci2意指】至12 :碳原子）、c]-c]2烷基苯基、^蔡基、2_萘基、全氟苯基 等，較佳為cvc】2烷氧苯基、及Ci_Ci2烷基苯基。 方氧基可於芳環上具有取代基，通常具有約6至 個碳原子。詳言之，其實例為：苯氧基、CVC】』氧笨氧 基、c]-c】2烷基苯氧基、〗·萘氧基、2·萘氧基、五氟笨氧 基吼义基氧基、塔哄基氧基、，咬基氧基、吼哄基氧基、 三哄基氧基等；較佳為CrC】2烧氧笨氧基、及— 垸基 本紙張尺度(CNS)/V1 3]42]4 (修正頁〕 (請先閱讀背面之注填寫本頁) 裝

   五、發明說明（6 ) 本氧基。 山芳硫基可於芳環上具有取代基，通常具有約6至60 個石厌原子。詳言之，1每 · 其戶、例為·本硫基、C】-CI2烷氧苯硫 t二基苯硫基、b萘硫基4萘硫基、五氣苯硫 "A基、基、嗒哄基硫基、嘧啶基硫基、吡哄基硫基、 =硫基等；較佳為c]_Ci2烧氧苯硫基、及CA燒基 本硫基。 /胺基可於芳環上具有取代基，通常具有約6至60 個奴原子。砰言之’其實例為：苯胺基、二苯胺基、 烧氧苯胺基、Cl-Cl2烧基苯胺基、二（Μ。烧氧苯基）胺 基、一（c^c〗2烷基苯基）胺基、卜萘胺基、2_萘胺基、五氟 苯胺基、口比咬基胺基…答哄基胺基…密咬基胺基、口比口井基 胺基、三啡基胺基等；較佳為C广Ci2燒基苯胺基、及二 (C^c12烷基苯基）胺基。 芳烧基可具取代基，通常具有約7至60個碳原子。詳 言之，其實例為：苯基-Cl-C]2烧基、Ci_c]2燒氧苯基夂^2 烧一基、^]2烧基苯基·C]_c]2烧基、l蔡基_c]_c]2燒基、 2-奈基-Cl-C】2烧基等K圭為c]_c]2燒氧苯基_c】_c”烷 基、及匚]-(：12烷基苯基-cvc】2烷基。 芳烧氧基可具取代基，通常具有約7至6〇個碳原子。 詳言之，其實例為··苯基夂戈2坑氧基、c]_c]2^氧苯基 _C〗-C12烷氧基、Cl_Cl2烷基苯基·Ci_Ci2烷氧基、丨·萘基 :C::C12烷氧基、2·萘基-C]_Cl2烷氧基等；較佳為c】_c二 氧苯基-C,-Cl2烷氧基、及c]-c】2烷基笨基烷氧基。 3142]4 (修正頁 --------.--------裝--- (請先閱讀背面之注意事|1|填寫本頁) 訂· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公发）

   I正替換頁

   發明說明（9 ) :氟乙酸胺基、i氧笨甲醯胺基 丙醯胺基、二丁醯胺基 基 曱醯胺基 苯曱醯胺基 乙醯胺 氟乙 醯胺基、二五蠢贫田 ·-，…一一二弗L G 等。、 曱醯胺基、琥珀醯亞胺基、酞醯亞胺基 經濟部智·慧財產局員工消費合作社印製 方細基通常具有7至60個碳原子，其詳細實例為苯邊 二C:2稀基、C，氧苯基純 2 12坤基、1-奈基-C2-C】2稀基、2-萘基-C2_Ci2烯遷 寺，車父佳為C1-C〗9浐今μ姑 ^ ^ 笨基-c C：烯芙凡本基2 12烯基、及c]-c】2烷邊 芳炔基通常具有7至60個碳原子，其詳細實例為苯差 -C2-C12炔基、c】‘c】2燒氧苯基-CrC"快基、燒基為 C2-C12炔基、丨·萘基-CrC】：炔基、萘基<2^】2炔連 =，較佳為c】-cu烷氧笨基弋2_c]2炔基、及c】_c]2烷著 本基- C2-C】2快基。 單價雜環基團意指自雜環化合物移去一氫原子之原3 基團，通常具有約4至60個碳原子。詳言之，其實例為 噻吩基、C^C]2烷基噻吩基、咯基、呋喃基、啶基、 烷基啶基等；較佳為噻吩基、Cl_c]2烷基噻吩基 吡啶基、及Cl-C】2烷基吡啶基。 其中’上式（1)之A]較佳為下式（4)、（5)、或（6)所示戈 二價基團： (請先閱讀背面之注¾事填寫本頁) -裝·--- 訂 i!._ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A.1規格（ΙΜΟχ^Γ^Ρ 3142]4(修正頁）

   五、發明說明（24

   Λ>-

   Oga (31)

   本發明中 經濟部智·慧財產局員工消費合作社印製 二價雜環基團為白 肪 原子之原子基團，通常且有”$ %化合物移去兩個氫 〜中〆、有4至6〇徊妒店1 至20個碳原子，其可於雜環上具 ：:、：較佳為4 子不計為雜環基之碳原子。 ^取代基之碳原 雜環化合物意指具有環狀結構之有機化合物，盆中产 狀結構含有至少-個雜原子（例如氧、硫、氮、碟、衣 為碳原子以外之元素。 ' 一 ^雜環化合物基團之實例如下文所述。 含有雜原子氮之二價雜環化合物基團例如：吡啶-二基 (下文式（32))、二氮雜伸苯基（下文式（33))、喹啉二基（下文 式（34))、喹喏啉二基（下文式（35))、吖啶二基（下文式 (36))、聯一D比。定二基（下文式（37))、菲啉二基（下文式（38)) 等，含有雜原子（例如矽、氮、硫、硒等）及具有芴結構之 基團（下文式（39)); 含有雜原子（例如石夕、氮、硫、碰等）之5員環雜環化 合物基團（下文式（40)); 含有雜原子（例如矽、氮、硫、硒等）之5員環稠合雜 I--------------^ ·11 (請先β3讀背面之注意事填寫本頁) 訂: 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS〉A4規格（210 X 297公釐） 24 3】42】4(修正頁）

   五、發明說明（命之觀點而言，“ ~ '〜〜"·車父佳為含有 有下式⑻所示 ^早元 B7 R11 m (8)[式中，Ar1與Αι·2各 Rn代表烷基、芳。自獨立地代表伸芳其 ,.^ ^ 基、單價雜環A 方基或二價雜環j j，m代表1至4 丞、下式4之整數， 飞（9)或（〗〇)所示戈 團 -Ar3fY^Ri2 (式中’ Μ代表伸 一基、芳基、單價雜環基基；R】2代表氫原子子、烷基、芳基、單價雜環基？ ：.4各自獨立地代表』 整數）， 或氦基；P代表0至: 裝--- (請先閱讀背面之注意事填寫本頁) -IT n n ij · 訂-· (10) (式中，Ar4與Ar5 R】5代表烷基、芳Α自1立地代表伸芳基或二價雜環基； 基、芳基'或單價ΥΛ早價雜環基；RI6代表氨原子、貌 卞肩才准裱基；q代矣， 上式⑻至(】〇)中，整數)]。 之詳細實例與前 7不伸芳基及二償雜環基 又所述相同；r】】 及單價雜環基之1 4 一 R所示烷基、芳基、 至於上切：㈤貫例與前文所述相同。 主万、上式（8)所示重複單元 於苯環或雜環上具有土η土霄例為下文例示之 子、炫基、貌氣λ ’其取代基之實例為齒原 ί_烷硫基、烷胺基、芳A、芳氧其、关 30 3J42丨4 (修正頁） 1 東)正替換頁

   .發明說明（48 ) 根離子、烧基苯續酸根離子、韓腦項酸根離 之貫例為鋰離子、鈉離子、鉀離 “隹子 ^ „ .± ^ 四丁基銨離子等。 為2奈米至50奈米。 ^至1〇〇奈米，較佳 電荷注入層所用材質可根據與 關聯性適當地予以選擇，1 貝及才'nMf層之 胺及其衍生物、聚嗟吩及其:::vr::r如聚苯 聚（伸笨基伸乙烯基）及其衍生物、聚（伸售了生物' 及其衍生物、聚嘆啉及其衍生物、聚眩：：申乙細基) 於主鏈或側鏈含芳族胺結構之聚合物何生物、 菁等）、碳等。 及金屬酞菁（銅酞 厚度2奈米或2奈米以下之 之功能。至於卜、+、 巴家層具有谷易注入電荷 金屬氧化:右 層之材質，可列… =化物、有機絕緣物質等。至於具有厚度 不只以下之絕緣層之聚合物型lEd， /、5 備有厚度2夺来為91 了列舉的為緊鄰陰極 、或2示米以下的絕緣層 ^ 及緊鄰陽極備有厚产2太半、… I物型led、 物型LEd。 …未或2示米以下的絕緣層之聚合 砰舌之，可列舉下列結構幻至ab) ·· q)陽極/厚度2太伞々 。陽極/發光^不^下H緣層/發光層/陰極 ㈣極/厚奈米或2奈米以下之絕緣層/陰極 太平^又大*来或2奈来以下之絕緣層/發光層/厚度2 e 不木以下之絕緣層/陰極 0陽極/厚度？太 二、 2奈米以下之絕緣層/電洞傳遞層/發 1 格⑵()χ 297 公发) --~~— --- 3M2]4 (修正頁） • 1 - 裝·— (請先閱讀背面之注意事HI填寫本頁) 訂. 經 濟 部 智 慧' 財 產 局 消 費 合 社 印 製 48 η 辦&條吏)正替換頁丨 Α7 Β7 五、發明說明（53 ) (請先閲讀背面之注意事！^填寫本頁) 當本發明之聚合物型led具有電子傳遞層 時，可使用已知化合物作為電子傳遞材質，其實 例為嚀二咬衍生物、蒽醌二曱烷或其衍生物、苯 酉昆或其衍生物、萘目昆或其衍生物、蒽醌或其衍生 物、四氰基蒽醌二曱烷或其衍生物、芴册衍生 物、二苯基二氰基乙烯或其衍生物、聯對苯醌或 其衍生物、或8 -羥基喹啉之金屬錯合物或其衍生 物、聚喹啉及其衍生物、聚喹喏啉及其衍生物、 聚芴或其衍生物等。 詳言之’其實例如 JP-A Nos· 63-70257、63-175860、 2-135359 、 2-135361 、 2-209988 、 3-37992 及 3-152184 所 敘述者。 其中’以卩萼二哇衍生物、苯醌或其衍生物、蒽醌或其 衍生物、8-經基喹啉之金屬錯合物或其衍生物、聚喹啉及 其衍生物、聚喹喏啉及其衍生物、聚芴或其衍生物較佳， 以2-(4-聯苯基）-5-(4-第三丁基笨基）-1,3,4-卩等二唑、苯醌、 蒽醌、參（8-喹啉醇）鋁及聚喹啉更佳。 經濟部智.€'財產局員工消費合作社印製 形成電子傳遞層之方法並無特定限制，於低分子量電 子傳遞材質之情形下，其實例為粉末之蒸汽殿積法、溶液 或熔融狀態形成薄膜之方法；以及於聚合物電子傳遞材質 =情形下’其實例為溶液线融狀態形成薄膜之方法。進 行以溶液或炫融狀態形成薄膜之方法時，可一起使用聚合 物點合，劑。 _〜一合/夜形成4朕所用之溶劑只要可溶解電子傳遞材皙 本紙張尺度、 53 3I42】4 (修正頁)