JP2003104753A

JP2003104753A - プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法

Info

Publication number: JP2003104753A
Application number: JP2002192643A
Authority: JP
Inventors: Masaki Aoki; 正樹青木; Hiroyuki Yonehara; 浩幸米原; Morio Fujitani; 守男藤谷
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2001-07-03
Filing date: 2002-07-01
Publication date: 2003-04-09
Anticipated expiration: 2022-07-01
Also published as: CN1311500C; WO2003005401A1; KR20040007763A; JP3389243B1; WO2003005401B1; JP2003162963A; US20040246204A1; KR100895368B1; CN1589487A; US7057342B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、誘電体層の黄変および絶縁破壊の
発生を抑制することができるプラズマディスプレイパネ
ルを提供することを目的とする。【解決手段】誘電体層１３を構成するガラスに、ガラ
ス中において３価あるいは４価のイオン配置を取ること
ができる金属酸化物ＭＯ₂を含むガラスを用いる。これ
により、Ａｇからなる電極１２ａ２，１２ｂ２からＡｇ
がイオン化して誘電体層１３に拡散したとしても、Ａｇ
が凝集してコロイド化することなくイオン化した状態を
保持することができる。したがって、Ａｇのコロイド化
に起因する黄変および絶縁破壊を抑制することができ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンピュータおよ
びテレビ等の画像表示に用いるプラズマディスプレイパ
ネルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、画像表示に用いられる、ＣＲＴデ
ィスプレイ（ＣＲＴ），液晶ディスプレイ（ＬＣＤ），
プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）に代表されるデ
ィスプレイデバイスにおいては、ハイビジョンテレビを
はじめとする高品位かつ大画面を実現することが期待さ
れている。

【０００３】これらのディスプレイデバイスの中におい
て最も普及しているＣＲＴは、解像度や画質の点におい
て優れているが、奥行きと重量の面から４０インチ以上
の大画面を実現するデバイスとしては不向きである。一
方、ＬＣＤにおいては、消費電力が少なく、駆動電圧も
低いという優れた性能を有しているが、大画面化が困難
であり、視野角にも限界がある。これに対して、ＰＤＰ
は、視野角が広いうえ、薄型化および大画面化が比較的
容易であり、すでに４０インチクラスの製品が開発され
ている（例えば、機能材料１９９６年２月号体積．１
６，Ｎｏ．２７ページ）。

【０００４】ＰＤＰは、ガス放電パネルの一種であり、
一般に前面ガラス基板と背面ガラス基板が隔壁を介して
対向配置された構成を有する。前面ガラス基板の対向面
には、ＡｇやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる導電性の金属電
極が複数対列設され、当該金属電極を絶縁被覆するよう
に誘電体層が形成され、その上にＭｇＯなどからなる保
護層が被覆される。背面ガラス基板においてもその対向
面上に金属電極が複数列設されるとともにこれを被覆す
る誘電体層が形成され、さらにその上には隔壁が列設さ
れるとともに隔壁と隔壁の間には蛍光体層が塗布されて
いる。前面ガラス基板と背面ガラス基板との間には希ガ
スなどからなる放電ガスが封入されている。ＰＤＰの駆
動時には、前面ガラス基板に形成された電極対にパルス
電圧を印加することによって封入された放電ガスから紫
外線が放射され、この紫外線が背面ガラス基板に設けら
れた蛍光体層を励起発光させる。この蛍光体層から発光
した光は、誘電体層および前面ガラス基板などを通過し
てユーザに視認される。

【０００５】ここで、前面ガラス基板に形成される誘電
体層は、一般に低融点ガラスから構成され、その特性と
しては、透明度が高いこと、焼成温度が５００〜６００
℃程度であること、十分な耐電圧を有することなどが求
められている。従来の誘電体層においては、十分な耐圧
を有するＰｂＯやＢｉ₂Ｏ₃系ガラスが用いられていた。
しかし、これらは、比誘電率が１０〜１２と大きいた
め、放電時に流れる電流量を大きくしてしまい、ＰＤＰ
における消費電力が多くなる傾向があった。

【０００６】そこで、誘電体層として、比誘電率が比較
的低いＳｉＯ₂を用いることが考えられた。しかし、Ｓ
ｉＯ₂は、蒸着法やスパッタリング法によって成膜され
るので、誘電体層として必要な厚み（２０〜３０μｍ程
度）まで形成することが困難であるうえ、形成された膜
にはクラックが生じやすく、十分な耐圧を確保すること
が困難であった。

【０００７】他方、誘電体層に用いるガラスとして、上
述のようなＰｂＯやＢｉ₂Ｏ₃を含まず、比誘電率が従来
よりも低い上、軟化点が５００〜６００℃であるＮａ₂
Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラス，Ｎａ₂Ｏ−Ｂ₂Ｏ₃−Ｚｎ
Ｏ系ガラスが開発されている（例えば、特開平９−１９
９０３７号公報，特開平９−２７８４８２号公報参
照。）。これらのガラスには、Ｎａ₂Ｏ（酸化ナトリウ
ム），Ｋ₂Ｏ（酸化カリウム），Ｌｉ₂Ｏ（酸化リチウ
ム）などのガラスの軟化点を低下させるための、アルカ
リ金属酸化物からなる軟化点低下成分が加えられてお
り、これらによってガラスの軟化点が降下するので、誘
電体層の焼成を比較的低い温度において行うことができ
る。

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
軟化点低下成分が加えられたガラスを誘電体層に用いる
場合には、誘電体層や前面ガラス基板が黄変してしまう
可能性がある。この黄変が発生するメカニズムは、次の
ように考えられる。

【０００８】前面ガラス基板に設けられる表示電極に
は、ＡｇやＣｕが用いられており、誘電体層を形成する
際に行われる焼成時において、ＡｇやＣｕがイオン化し
て誘電体層や前面ガラス基板の中に溶け出して拡散する
場合がある。この拡散したＡｇイオンやＣｕイオンは、
誘電体層中の軟化点低下成分がイオン化したＮａイオン
などのアルカリ金属のイオンや、前面ガラス基板に含ま
れるＳｎイオン（２価）によって還元されやすく、その
場合にはコロイド化してしまう。このようにＡｇやＣｕ
がコロイド化した場合、誘電体層や前面ガラス基板にお
いては黄色や褐色に変色される、いわゆる黄変が生じる
（例えばJ.E. SHELBY and J.VITKO. Jr Journal
of Non Crystalline Solides vol50 (1982) 107
−117）。このような黄変したガラスは波長４００ｎｍ
の光を吸収するため、ＰＤＰにおいては、青色の輝度が
低下したり、色度の悪化が生じたりする。また、Ａｇや
Ｃｕのコロイドは、導電性であるため、誘電体層の絶縁
耐圧を低下させたり、イオンよりもはるかに大きなコロ
イド粒子として折出するため、誘電体層を透過する光を
反射してＰＤＰの輝度を低下させたりする原因となるこ
のような誘電体層における絶縁耐圧の低下や黄変の発生
を抑制するために、誘電体層を、表示電極と直接接触す
る部分に軟化点低下成分を含まないＰｂＯ系ガラスを用
いて被膜した後、その上に、誘電率の低いＮａ₂Ｏ−Ｂ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂系ガラスを積層した二層構造の誘電体層と
する方法も考えられるが、誘電体層の製造工程数が増加
してコストが高くなるため、好ましくない。また、環境
保護の観点から鉛（Ｐｂ）を不使用にしたいという要望
もある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題に鑑
み、誘電率を低くするためにＰｂＯを含まず、かつ耐圧
が高い誘電体層を備え、前面ガラス基板や誘電体層自体
の黄変を抑制するとともに絶縁破壊のない信頼性の高い
プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法を提供
することを目的とする。

【００１０】上記目的を達成するために、本発明に係る
プラズマディスプレイパネルは、金属電極と、当該金属
電極を被覆する誘電体層を備えるプラズマディスプレイ
パネルであって、誘電体層が、酸化亜鉛と、酸化硼素
と、Ｒ₂Ｏと、ＭＯ₂とからなるガラスによって構成され
ていることを特徴とする。ただし、Ｒ₂Ｏは、酸化リチ
ウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化ルビジウ
ム、酸化セシウム、酸化銅、酸化銀の群から選択される
一つの物質であり、ＭＯ₂は、酸化マンガン（ＩＶ）、
酸化セリウム（ＩＶ）、酸化スズ（ＩＶ）、酸化アンチ
モン（ＩＶ）の群から選択される一または二以上の物質
である。

【００１１】これによれば、金属電極に一般的に使用さ
れる銀や銅がイオンして誘電体層や前面ガラス基板に拡
散したとしても、これらの金属をイオン化した状態に保
持することができる。したがって、銀や銅が凝集してコ
ロイド化することを抑制できるので、コロイド化に起因
する誘電体層や前面ガラス基板の黄変や絶縁破壊を抑制
することができる。

【００１２】ここで、アルカリ金属酸化物Ｒ₂Ｏは、ガ
ラスの軟化点を低下させるとともに誘電体層の耐圧を向
上することができる。このアルカリ金属酸化物Ｒ₂Ｏの
添加によって、ガラスを溶融したときの表面張力が下が
って流動性が向上するので、誘電体層中にピンホールや
クラックが形成されることが抑制され、誘電体層の耐圧
が向上するからである。ただし、軟化点低下成分である
アルカリ金属酸化物Ｒ ₂Ｏは、黄変を促進する物質であ
り、その添加量が１０重量％を超えると誘電体層などを
激しく黄変させるため１０重量％以下に制限することが
好ましい。

【００１３】しかしながら、このような組成を有するガ
ラスを誘電体層に用いたとしても、もしその組成にＭＯ
₂が含まれていなければ、誘電体層においては、目視に
おいては黄変が目立たない（ガラスの黄変を示すｂ＊値
は、５前後を示す。）ものの、実際には黄変が発生する
ため、ＰＤＰにおいては、色温度が大きく低下し、表示
画像の画質低下を招く。

【００１４】そこで、さらに上記ＭＯ₂を含むガラスを
誘電体層に用いることによって、誘電体層や前面ガラス
基板においては、耐圧を高く保持して絶縁破壊を抑制し
つつ、黄変の発生を抑制することができる。これによ
り、誘電率を低くするためにＰｂＯやＢｉ₂Ｏ₃を含ま
ず、かつ耐圧を高くするためにアルカリ金属酸化物（Ｒ
₂Ｏ）を含んでいる、Ｐ₂Ｏ₅系ガラスあるいはＺｎＯ系
ガラスからなり、前面ガラス基板や誘電体層自体の黄変
を抑制するとともに絶縁破壊のない信頼性の高い誘電体
層を備えたプラズマディスプレイパネルおよびその製造
方法を提供することができる。

【００１５】また、具体的には、誘電体層を構成するガ
ラスの組成比が、酸化亜鉛：３５〜４４重量％、酸化硼
素：３５〜５５重量％、酸化ケイ素：５〜１５重量％、
Ｒ₂Ｏ：１〜５重量％、ＭＯ₂：０．５〜１０重量％のも
のにおいて、ＰＤＰの黄変および絶縁破壊の発生を抑制
できることを確認している。また、誘電体層を構成する
ガラスには、さらに、酸化アルミニウムが加えられてい
るものについても適用することができる。この酸化アル
ミニウムは、誘電体層の分相を抑制する働きがある。

【００１６】具体的には、誘電体層を構成するガラスの
組成比が、酸化亜鉛：２０〜４３重量％、酸化硼素：３
８〜５５重量％、酸化ケイ素：５〜１７重量％、酸化ア
ルミニウム：１〜１０重量％、Ｒ₂Ｏ：１〜５重量％、
ＭＯ₂：０．２〜５重量％であるものにおいて、ＰＤＰ
の黄変および絶縁破壊を抑制することができることを確
認している。

【００１７】また、誘電体層を構成するガラスには、さ
らに、酸化燐（Ｖ）が加えられているものについても適
用することができる。具体的には、誘電体層を構成する
ガラスは、その組成比が、酸化亜鉛：２０〜３５重量
％、酸化硼素：３０〜５５重量％、酸化ケイ素：５〜１
２重量％、酸化燐（Ｖ）：１５〜２５重量％、Ｒ₂Ｏ：
０．１〜５重量％、ＭＯ₂：０．５〜１０重量％である
ものにおいて、ＰＤＰの黄変および絶縁破壊を抑制する
ことができる。

【００１８】また、Ｒ₂Ｏが、酸化カリウムであり、誘
電体層を構成するガラスの組成比が、酸化亜鉛：１０〜
２５．５重量％、酸化硼素：２０〜４０重量％、酸化ケ
イ素：１０〜３０重量％、酸化アルミニウム：５〜２５
重量％、酸化カリウム：３〜１０重量％、ＭＯ₂：０．
５〜５重量％であるものにおいて、ＰＤＰの黄変および
絶縁破壊を抑制することができることを確認している。

【００１９】また、Ｒ₂Ｏが、酸化リチウムであり、誘
電体層を構成するガラスの組成比が、酸化亜鉛：１０〜
１９重量％、酸化硼素：２０〜４０重量％、酸化ケイ
素：１０〜３０重量％、酸化アルミニウム：５〜２５重
量％、酸化リチウム：３〜１０重量％、ＭＯ₂：１〜５
重量％であるものにおいてもＰＤＰの黄変および絶縁破
壊を抑制することができる。

【００２０】また、誘電体層は、ＰｂＯおよびＢｉ₂Ｏ₃
を含まず、アルカリ金属の酸化物（Ｒ₂Ｏ：Ｒは、Ｌ
ｉ，Ｋ，Ｎａ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｃｓ，Ｒｂの群から選択さ
れる一つの物質。）の含有量が１０重量％以下である、
ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｒ₂Ｏ系ガラス，
Ｐ₂Ｏ₅−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラス、あ
るいはＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＭＯ−Ｒ₂Ｏ系ガラス
（ただし、Ｍは、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの群から選択
される一または二以上の物質）に対して、ガラス中で３
価あるいは４価のイオン配置を取ることができる金属酸
化物ＭＯ₂を０．５〜５重量％加えたガラスによって構
成されているものについても適用することができる。

【００２１】特に、金属電極としては、銀電極あるいは
クロム／銅／クロム電極を用いたものにおいて、黄変防
止および絶縁破壊の抑制効果が高い。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＰＤＰの一実
施の形態について図面を参照しながら説明する。本願発
明の以下に示す実施の形態および各図面は例示を目的と
し、本発明は、これらに限定されるものではない。（ＰＤＰの構成）まず、ＰＤＰの構成について説明す
る。

【００２３】図１は、本実施の形態に係るＰＤＰ（ＡＣ
型）の部分斜視図であり、図２は、図１におけるＰＤＰ
をｘ軸方向に沿って見た断面図であり、図３は、図１に
おけるＰＤＰをｙ軸方向に沿って見た断面図である。図
１に示すように、ＰＤＰは、前面パネル１０と背面パネ
ル２０とを備え、前面パネル１０における前面ガラス基
板１１と背面パネル２０における背面ガラス基板２１と
が、隔壁２４などを介して互いに平行に配され、各基板
１１，２１における外周部がフリットガラス（不図示）
などにより封止された構成を有する。

【００２４】前面パネル１０は、図１および図３に示す
ように、前面ガラス基板１１の対向面上に、ストライプ
状の走査電極１２ａ及び維持電極１２ｂが互いに平行に
形成され、各電極１２ａ，１２ｂを被覆する誘電体層１
３が設けられるとともに、誘電体層１３に保護層１４が
被覆されている。図１および図３においては、走査電極
１２ａと維持電極１２ｂとを１対しか図示していない
が、実際には走査電極１２ａと維持電極１２ｂとが対に
なった電極対が複数設けられている。

【００２５】前面ガラス基板１１は、フロート法により
形成された硼珪酸ナトリウム系ガラスからなる。走査電
極１２ａおよび維持電極１２ｂは、図３に示すように、
ＩＴＯやＳｎＯ２からなる透明電極１２ａ１，１２ｂ１
と、その一部に積層された、バスラインとして機能する
ＡｇやＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒからなる金属電極１２ａ２，１
２ｂ２とから構成される。なお、ここでは、走査電極１
２ａおよび維持電極１２ｂが透明電極１２ａ１，１２ｂ
１を備えているが、各電極１２ａ，１２ｂは、透明電極
のない金属電極１２ａ２，１２ｂ２のみからなる構成と
してもよい。

【００２６】誘電体層１３は、誘電体ガラスからなる膜
厚が１５〜４０μｍの層であり、走査電極１２ａおよび
維持電極１２ｂを絶縁する働きを有する。保護層１４
は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる層であり、Ｐ
ＤＰの駆動時における放電によるスパッタリングから誘
電体層１３を保護する働きを有する。

【００２７】背面パネル２０は、図１および図２に示す
ように、背面ガラス基板２１と、背面ガラス基板２１上
にストライプ状に列設されたアドレス電極２２と、アド
レス電極２２を被覆する誘電体層２３と、誘電体層２３
の上にアドレス電極２２と並行に列設された隔壁２４
と、隔壁２４と隔壁２４との間に被覆されたＲＧＢ各色
の蛍光体層２５を備える。

【００２８】前面ガラス基板１１と背面ガラス基板２１
との間隙には、隔壁２４によって１００〜２００μｍ程
度の間隔に仕切られた放電空間３０が形成されており、
ここにはＮｅ−Ｘｅなどからなる放電ガスが封入されて
いる。ＰＤＰの駆動時においては、前面パネル１０にお
ける走査電極１２ａと背面パネル２０におけるアドレス
電極２２とに、放電ガスの放電開始電圧以上となる電圧
を印加することにより、前面パネル１０における保護層
１４の表面近傍において放電を生じさせる。ここで、放
電ガスの放電開始電圧は、走査電極１２ａとアドレス電
極２２との距離、放電ガスの種類と封入圧力、誘電体層
１３，２３および保護層１４の厚みなどによって異な
る。保護層１４の表面近傍において放電が生じると、電
離によって陽イオンや電子が発生し、これらがその極性
と反対極性を有する走査電極１２ａおよび維持電極１２
ｂに向けて移動する。これにより、抵抗値の高いＭｇＯ
からなる保護層１４表面が帯電するのであるが、その抵
抗値が高いために帯電は減衰せず、保護層１４にはいわ
ゆる壁電荷が形成される。この壁電荷によって、放電空
間内には、走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂに印加
される電圧とは逆極性の電界が形成されるので、放電空
間における電界が弱められて上記放電は直ちに停止す
る。

【００２９】次に、走査電極１２ａと維持電極１２ｂと
に放電維持パルスを印加することによって放電が開始・
維持される。ここで放電空間においては上記壁電荷によ
って放電が起こりやすい状態となっており、放電維持パ
ルスの電圧は、放電開始電圧以下の電圧でよい。このよ
うに放電維持パルスが印加されることにより、間欠的に
放電が維持され、この放電によって放電ガスから紫外線
が発生する。この紫外線が背面パネル２０における蛍光
体層２５を励起発光させ、この発光された光が前面パネ
ル１０を透過し、ＰＤＰにおいては画像表示が行われ
る。

【００３０】（誘電体層１３の組成）本発明において
は、前面ガラス基板１１および誘電体層１３の黄変を抑
制することができる誘電体層１３の組成を見いだした点
に特徴を有している。たとえば、誘電体層１３の形成に
使用する誘電体ガラスとしては、ＺｎＯ−Ｂ ₂Ｏ₃−Ｓｉ
Ｏ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｒ₂Ｏ−ＭＯ₂系誘電体ガラス、ＺｎＯ
−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ−ＭＯ₂系誘電体ガラス、Ｐ₂
Ｏ₅−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ−ＭＯ₂系誘電体
ガラス、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣｕＯ−Ｒ₂Ｏ−Ｍ
Ｏ₂系誘電体ガラスを挙げることができる。なお、上記
各ガラスに含まれるＭＯ₂は、ＭｎＯ₂，ＣｅＯ₂，Ｓｎ
Ｏ₂，ＳｂＯ₂の群から選択される一または二以上の物質
であり、Ｒ₂Ｏは、Ｌｉ₂Ｏ，Ｎａ₂Ｏ，Ｋ₂Ｏ，Ｒｂ
₂Ｏ，Ｃｓ₂Ｏ，Ｃｕ₂Ｏ，Ａｇ₂Ｏの群から選択される一
つの物質である。

【００３１】これらの誘電体ガラスには、ガラス中にお
いて３価あるいは４価のイオン配置を取ることができる
金属Ｍ（Ｍは、Ｍｎ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｓｂの群から選択さ
れる一または二以上の物質）の酸化物ＭＯ₂が含まれて
いる。ここで、３価あるいは４価のイオン配置を取るこ
とができる金属酸化物ＭＯ₂が誘電体ガラスに含まれて
いれば、走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂから溶け
だしたＡｇイオンやＣｕイオンが誘電体層１３に拡散し
て一旦はＡｇやＣｕに還元されたとしても、３価や４価
の金属イオンがＡｇやＣｕの電子を引き抜きつつ、自身
が２価の金属イオンに還元されることにより、Ａｇ⁺や
Ｃｕ²⁺イオンの状態に戻すことができる。そのため、誘
電体層１３の中においては、ＡｇやＣｕは、イオン化し
た状態に保持されると考えられ、各電極１２ａ，１２ｂ
から拡散してきたＡｇやＣｕは、凝集してコロイド化す
ることが抑制される。これによって、誘電体層１３にお
いては黄変が抑制されるとともに、絶縁破壊も発生しな
い。さらに、誘電体層１３に含まれた金属酸化物ＭＯ₂
は、これと接触する前面ガラス基板１１にも拡散すると
考えられるので、前面ガラス基板１１においても黄変の
発生が抑制される。

【００３２】具体的な組成としては、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−
ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｒ₂Ｏ−ＭＯ₂系誘電体ガラスにお
いては、ＺｎＯが２０〜４３重量％、Ｂ₂Ｏ₃が３８〜５
５重量％、ＳｉＯ₂が５〜１７重量％、Ａｌ₂Ｏ₃が１〜
１０重量％、Ｒ₂Ｏが１〜５重量％、ＭＯ₂が０．５〜５
重量％のものを使用することができる。また、ＺｎＯ−
Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ−ＭＯ₂系誘電体ガラスにおい
ては、ＺｎＯが３５〜４４重量％、Ｂ₂Ｏ₃が３５〜５５
重量％、ＳｉＯ₂が５〜１５重量％、Ｒ₂Ｏが１〜５重量
％、ＭＯ₂が０．５〜１０重量％のものを使用すること
ができる。

【００３３】Ｐ₂Ｏ₅−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ
−ＭＯ₂系誘電体ガラスにおいては、Ｐ₂Ｏ₅が１５〜２
５重量％、ＺｎＯが２０〜３５重量％、Ｂ₂Ｏ₃が３０〜
５５重量％、ＳｉＯ₂が５〜１２重量％、Ｒ₂Ｏが０．１
〜５重量％、ＭＯ₂が０．５〜１０重量％のものを使用
することができる。ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＣｕＯ
−Ｒ₂Ｏ−ＭＯ₂系誘電体ガラスにおいては、ＺｎＯが３
５〜４５重量％、Ｂ₂Ｏ₃が２０〜３５重量％、ＳｉＯ₂
が５〜２０重量％、ＣｕＯが０．１〜５重量％、Ｒ₂Ｏ
が０．１〜５重量％、ＭＯ₂が０．５〜１０重量％のも
のを使用することができる。

【００３４】ここで、ＺｎＯは、ガラスの軟化点を大き
く上げることなく熱膨張係数を下げる作用を有する。ま
た、Ｂ₂Ｏ₃はガラスの主成分であり、軟化点を下げる作
用を有し、その含有量が５５重量％を超えるとガラスが
分相し透過率が低下しやすくなる。ＳｉＯ₂は、ガラス
構造体として不可欠であり、その含有量が５重量％を下
回るとガラス化しにくく、２０重量％を越えるとガラス
の軟化点が高くなりすぎる。Ａｌ₂Ｏ₃は、ガラスの分相
を抑制する作用を有し、その含有量が１０重量％を超え
ると、ガラス中に結晶が生じて透過率が低下する。Ｒ₂
Ｏは、ガラスの軟化点を低下させ、ガラスの溶融時にお
ける流動性を向上させる作用を有し、１０重量％を超え
る含有量となると、熱膨張係数が増加するとともに、ガ
ラスの耐圧も低下するため、１〜５重量％の範囲が好ま
しい。ＭＯ₂は、パネルの黄変を防止する作用を有し、
その含有量は０．５重量％以上、１０重量％以下が好ま
しい。０．５重量％未満であると黄変を防止できず、１
０重量％を超えると、ガラスを着色してしまうからであ
る。

【００３５】上記各組成を有する誘電体ガラスは、その
誘電率が６〜７程度と酸化鉛（ＰｂＯ）系ガラスや酸化
ビスマス（Ｂｉ₂Ｏ₃）系ガラス（誘電率が１０〜１３程
度）に比べて低い値をとる。そのため、これらの誘電体
ガラスをＰＤＰの誘電体層に用いることによって、その
駆動時に流れる電流量を小さくすることができるので、
消費電力を抑制することができる。また、誘電体層に３
価あるいは４価のイオン配置を取る金属酸化物ＭＯ₂が
含まれているので、パネルの黄変を抑制することができ
る。さらに、誘電体層中にピンホールやクラックの発生
を抑制するＲ₂Ｏを含むとともに、誘電体層中の導電性
を有する銀や銅のコロイド発生を抑制できるＭＯ₂を含
むので、絶縁破壊が起こらない。この絶縁破壊について
は、背面パネル２０における誘電体層２３においても同
様の組成の誘電体ガラスを用いているので、前面パネル
１０と同様に背面パネル２０においても起こらないと考
えられる。なお、Ｒ₂Ｏは、従来のＰｂＯ系ガラスに添
加するよりも本願のＺｎＯ系ガラスに添加するほうが、
誘電体層の耐圧向上性において著しい効果を有すること
を確認している。

【００３６】さらに、ＰｂＯやＢｉ₂Ｏ₃を含まず、アル
カリ金属の酸化物（Ｒ₂Ｏ：Ｒは、Ｌｉ，Ｋ，Ｎａ，Ｃ
ｕ，Ａｇ，Ｃｓ，Ｒｂの群から選択される一つの物質で
ある。）含有量が１０重量％以下である、ＺｎＯ−Ｂ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−Ｒ₂Ｏ系ガラス，Ｐ₂Ｏ₅−Ｚ
ｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラスやＺｎＯ−Ｂ₂
Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＭＯ−Ｒ₂Ｏ系ガラス（ただし、Ｍは、
Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの群から選択される一または二
以上の物質である。）に対して、３価あるいは４価のイ
オン配置を取ることができる金属酸化物ＭＯ₂を加える
ようにしても、上記と同様の理由により、本実施の形態
と同様の効果を得ることができると考えられる。この場
合には、ガラスに金属酸化物ＭＯ₂を加える量が０．５
〜５重量％の範囲が好ましい。その含有量が０．５重量
％を下回ると、黄変を抑制する効果がなく、５重量％を
超えると、ガラスがＭＯ₂によって着色してしまうから
である。

【００３７】（ＰＤＰの製造方法）〈前面パネル１０の作成〉前面パネル１０は、前面ガラ
ス基板１１に走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂを形
成した後、上記組成を有する誘電体ガラス粉末を使用し
て誘電体層１３を被覆し、この上に保護層１４を被覆す
ることによって形成される。

【００３８】（１）走査電極１２ａおよび維持電極１２
ｂの形成走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂの形成方法を、図
４を用いて説明する。図４（ａ）〜図４（ｈ）は、前面
ガラス基板１１上に走査電極１２ａおよび維持電極１２
ｂを形成する際の各工程における前面ガラス基板１１の
側面図である。

【００３９】まず、図４（ａ）に示すように、前面ガラ
ス基板１１を用意する。次に、図４（ｂ）に示すよう
に、前面ガラス基板１１の一方の表面に対してＩＴＯ
（酸化インジウムと酸化スズとからなる透明導体）を
０．１２μｍの厚みとなるまでスパッタリング法を用い
て被膜する。次に、図４（ｃ）に示すように、ＩＴＯ膜
の上にフォトレジスト層を形成する。そして、図４
（ｄ）に示すように、電極形状の孔１２２ａが開けられ
たマスク１２２を用いてフォトレジスト層１２１を覆
い、光を露光させる。これにより、マスク１２２におけ
る孔１２２ａと対応するフォトレジスト層１２１は硬化
するとともに、それ以外のところは未硬化のままとな
る。そしてこのフォトレジスト層１２１を現像液を用い
て現像することによって、未硬化のフォトレジスト層１
２１が洗い流される。その後、サンドブラストやエッチ
ングを行うことによって、図４（ｅ）に示すように、フ
ォトレジスト層１２１が洗い流された部分のＩＴＯ膜が
取り除かれ、走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂにお
ける各透明電極１２ａ２，１２ｂ２が形成される。な
お、透明電極１２ａと透明電極１２ｂとの距離は、４０
インチクラスのＰＤＰに適合するように０．０８ｍｍと
している。また、フォトリソグラフ法を用いて透明電極
を形成する以外にも、レーザ加工法を用いて形成するこ
ともできる。

【００４０】そして、この上に感光性の銀ペーストを前
面に塗布した後、上記と同様にフォトリソグラフ法を用
いて幅４０μｍのＡｇバスライン電極を形成する。その
後、５５０℃程度の温度に加熱して焼成を行うことによ
って、図４（ｆ）に示すように走査電極１２ａ，維持電
極１２ｂが形成される。（２）誘電体層１３および保護層１４の形成次に、図４（ｇ）に示すように、各電極１２ａ、１２ｂ
が形成された前面ガラス基板１１上に、誘電体ガラスペ
ーストを塗布する。

【００４１】この誘電体ガラスペーストは、次にように
して作成される。まず、上記のような組成を有する誘電
体ガラスをジェットミルを用いて平均粒径が０．５〜
２．５μｍとなるように粉砕し、誘電体ガラス粉末を作
成する。次に、この誘電体ガラス粉末を３５〜７０重量
％と、エチルセルローズ、エチレンオキサイド樹脂、あ
るいはアクリル樹脂を１〜２０重量％と、バインダー成
分としてターピネオール、ブチルカルビトールアセテー
ト、あるいはペンタンジオールを３０〜６５重量％含む
溶液を作成し、３本ロールあるいはホモナイザーを用い
て混練する。これに、可塑剤として、たとえばフタル酸
ジオクチル、フタル酸ジブチル、およびグリセリン、分
散剤として、グリセロールモノオレート、ソルビタンセ
スキオレート、ホモゲノール（Ｋａｏコーポレーション
社製）等をバインダー成分に対して０．１〜１０重量％
添加させることにより、誘電体ガラス粉末がペースト内
で沈降することを防止することができる。

【００４２】このようにして塗布された誘電体ガラスペ
ーストを乾燥後、５００〜６００℃の温度において焼成
を行うことにより、バインダー成分などの有機成分が分
解されるとともに、誘電体ガラス粉末が軟化・溶融す
る。これを徐冷することによって、誘電体層１３が形成
される。次に、誘電体層１３の表面上に酸化マグネシウ
ム（ＭｇＯ）からなる保護層１４を形成する。本実施の
形態においては、ＣＶＤ法（熱ＣＶＤ法やプラズマＣＶ
Ｄ法）を用いることにより、耐スパッタ性に優れる（１
００）面あるいは（１１０）面配向したＭｇＯからなる
保護層１４（厚み１．０μｍ）を形成している。また、
ＣＶＤ法の他に、イオンプレーティング法や真空蒸着法
を用いることもできる。

【００４３】〈背面パネル２０の作製〉まず、背面ガラ
ス基板２１にリフトオフ法を用いてアドレス電極２２を
形成する。具体的には、背面ガラス基板２１の表面上に
フォトレジスト層を被覆した後、アドレス電極２２とな
る部分をカバーするマスクを用いてフォトレジスト層を
硬化させたのち、現像することにより、フォトレジスト
層におけるアドレス電極２２となる部分に凹部を形成す
る。このフォトレジスト層の上に銀ペーストを前面に塗
布し、銀ペーストを硬化させた後、フォトレジスト層を
剥離させる。これにより、背面ガラス基板２１の上に
は、フォトレジスト層の凹部と対応する部分にアドレス
電極２２が形成される。

【００４４】このアドレス電極２２が形成された背面ガ
ラス基板２１上に、前面パネル１０における誘電体層１
３の形成方法と同様の方法（焼成温度５４０〜６００
℃）を用いて誘電体層２３を形成する。この誘電体層２
３の形成に用いる誘電体ガラスペーストは、前面パネル
１０の誘電体層１３の形成に使用した誘電体ガラスペー
ストと同様の組成（ただし、誘電体ガラス粉末の平均粒
径が０．２〜２．５μｍ）と同じものに、平均粒径が
０．１〜０．５μｍの酸化チタンＴｉＯ₂を１０重量％
添加した白色のものを使用した。

【００４５】そして、この誘電体層２３の上に、スクリ
ーン印刷法やプラズマ溶射法を用いて隔壁２４を所定の
ピッチ（たとえば４０インチクラスのＰＤＰに適合する
ピッチとして０．２ｍｍ）を有するように形成する。そ
して、隔壁２４と隔壁２４との間に、たとえばインクジ
ェット法を用いて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色
蛍光体インクを順に塗布する。

【００４６】蛍光体インクに使用される蛍光体として
は、たとえば、赤色蛍光体としては、Ｙ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺，
緑色蛍光体としては、Ｚｎ₂ＳｉＯ₄：Ｍｎ、青色蛍光体
としては、ＢａＭｇＡｌ₁₀Ｏ₁₇：Ｅｕ²⁺など、一般的に
ＰＤＰに用いられている蛍光体を使用することができ
る。図５は、インクジェット装置７０の概略図である。

【００４７】同図に示すように、蛍光体インクペースト
を貯留するサーバー７１と、サーバー７１から供給され
る蛍光体インクペーストを加圧してノズル７３に送出す
る加圧ポンプ７２と、加圧ポンプ７２から送られてきた
蛍光体インクペーストを噴射させるノズル部７３とを備
える。蛍光体インクペーストを背面パネル２０における
隔壁２４と隔壁２４との間にたとえば、赤色蛍光体イン
クペーストを塗布する際には、まず、サーバー７１の中
に赤色蛍光体であるＹ₂Ｏ₃：Ｅｕ³⁺の粉末（平均粒径
２．０μｍ）を５０重量％と、エチルセルローズを１．
０重量％と、α―ターピネオールとブチルカルビトール
の混合液からなる溶剤を４９重量％となるように投入
し、サンドミルを用いて混合撹拌する。これにより、５
５センチポアズ（ＣＰ）の粘度を有する蛍光体インクペ
ーストが形成される。この蛍光体インクペーストをポン
プ７２を用いてサーバー７１からノズル部７３に加圧送
出する。ノズル部７３に送られた蛍光体インクペースト
は、ノズル孔７３ａ（ノズル径６０μｍ）から噴出され
る。この吐出された赤色蛍光体インクペースト７４は、
背面パネル２０の隔壁２４と隔壁２４との間に塗布され
る。このときに、背面パネル２０を隔壁２４の長手方向
に沿って移動させることにより、赤色蛍光体インクペー
スト７４は、隣接する二つの隔壁２４の間に直線状に塗
布される。緑色、青色についても赤色と同様の方法を用
い、蛍光体の種類を変更することによって蛍光体インク
ペーストを塗布することができる。すべての色について
蛍光体インクペーストを塗布した後、背面パネル２０を
５００℃の温度で１０分間焼成することによって背面パ
ネル２０が形成される。

【００４８】〈前面パネル１０と背面パネル２０の張り
合わせ〉上記のようにして形成された前面パネル１０と
背面パネル２０と対向させて配置した後、両パネルの周
囲を封着用ガラスを用いて封着させる。このとき、隔壁
２４と隔壁２４との間の放電空間を真空排気（１×１０
^-4Ｐａ）した後、放電ガスを所定の圧力で封入すること
により、ＰＤＰが形成される。ここで、放電ガスとして
は、従来から用いられているＮｅ−Ｘｅ系ではあるが、
Ｘｅの含有率を５体積％以上、放電ガスの封入圧力を６
６．５〜１００ｋＰａとすることにより、ＰＤＰの輝度
を向上させることができる。

【００４９】（実施例）次に、上記実施の形態に係るＰ
ＤＰの実施例サンプル１〜３６、比較例サンプル３７〜
４０を作製し、前面パネルの色度、輝度、色温度などに
ついて比較検討を行った。各実施例サンプルおよび比較
例サンプルのＰＤＰとしては、４２インチのＶＧＡタイ
プ（走査電極と維持電極が４８０対、アドレス電極が２
５５６本）のものを作製した。ＰＤＰのセルサイズとし
ては、隔壁の高さが０．１５ｍｍ、隔壁同士の間隔（セ
ルピッチ）が０．３６ｍｍ、表示電極と維持電極との間
の電極間距離が０．０８ｍｍとした。ここで、表示電
極、および維持電極には、透明電極の上にバス電極とし
て銀電極を配したものを用い、アドレス電極には、銀電
極を用いた。

【００５０】前面パネルおよび背面パネルの誘電体層
は、上記実施の形態において説明した、４価のイオン配
置を取ることができる金属酸化物を含む誘電体ガラスか
らなるように形成した。誘電体層を形成する際に用いる
誘電体ガラス粉末としては、平均粒径：０．５〜２．５
μｍのものを用い、これに溶剤と、可塑剤と、分散剤と
を混在させた誘電体ガラスペースト（２００００〜５０
０００センチポアズ）を、ダイコート法を用いて塗布
し、焼成して誘電体層を形成した。誘電体層の厚みは、
２５〜３０μｍに形成した。なお、背面パネルの誘電体
層形成に用いる誘電体ガラスペーストとしては、前面パ
ネルの誘電体層形成に用いるペーストと同じ組成のもの
に酸化チタンを加えたものを使用した。

【００５１】放電ガスとしては、Ｎｅ−Ｘｅ系の混合ガ
ス（Ｘｅの含有量が５体積％）を用い、７９．８ｋＰａ
（６００ｔｏｒｒ）の圧力となるように封入した。前面
パネルにおける保護層は、ＭａｇｎｅｓｉｕｍＡｃｅ
ｔｙｌａｃｅｔｏｎｅ〔Ｍｇ（Ｃ₅Ｈ₇Ｏ₂）₂〕あるいは
ＭａｇｎｅｓｉｕｍＤｉｐｉｖａｌｏｙｌＭｅｔｈ
ａｎｅ〔Ｍｇ（Ｃ₁₁Ｈ₁₉Ｏ₂）₂〕をソースとして、プラ
ズマＣＶＤ法を用いて形成した。プラズマＣＶＤ法にお
ける保護層形成方法としては、気化器の温度を１２５
℃、前面パネルの加熱温度を２５０℃とし、Ａｒガスお
よび酸素をそれぞれ１Ｌ／分、２Ｌ／分の供給量で前面
パネル上に供給しながら１．３３ｋＰａ（１０ｔｏｒ
ｒ）に減圧し、高周波電源から１３．５６ＭＨｚの高周
波電界を３００Ｗ、２０秒間印加する方法を用いた。こ
れにより、厚み：１．０μｍのＭｇＯからなる保護層を
膜形成速度１．０μｍ／分で形成した。このようにして
形成された保護層は、いずれのソースを用いた場合にお
いてもＸ線回折による解析によって（１００）面に配向
していることが確認された。

【００５２】（１）実施例サンプル１〜８誘電体層を形成するガラス粉末として、上記実施の形態
で説明した４価のイオン配置を取る金属酸化物を含むＰ
₂Ｏ₅−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＭＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラ
ス粉末を用いた。各サンプルにおけるガラスの組成、お
よび誘電体ガラスペーストに用いたバインダー等の種
類、誘電体層の焼成温度などについて、表１に示す。

【００５３】

【表１】（２）実施例サンプル９〜１６誘電体層を形成するガラス粉末として、上記実施の形態
で説明した４価のイオン配置を取る金属酸化物を含むＺ
ｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−ＭＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラス粉末を
用いた。各サンプルにおけるガラスの組成、および誘電
体ガラスペーストに用いたバインダー等の種類、誘電体
層の焼成温度などについて、表２に示す。

【００５４】

【表２】（３）実施例サンプル１７〜２４誘電体層を形成するガラス粉末として、上記実施の形態
で説明した４価のイオン配置を取る金属酸化物を含むＺ
ｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ₂−Ｒ ₂Ｏ系ガ
ラス粉末を用いた。各サンプルにおけるガラスの組成、
および誘電体ガラスペーストに用いたバインダー等の種
類、誘電体層の焼成温度などについて、表３に示す。

【００５５】

【表３】（４）実施例サンプル２５〜３２誘電体層を形成するガラス粉末として、上記実施の形態
で説明した４価のイオン配置を取る金属酸化物を含むＺ
ｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ₂−Ｋ ₂Ｏ系ガ
ラス粉末を用いた。各サンプルにおけるガラスの組成、
および誘電体ガラスペーストに用いたバインダー等の種
類、誘電体層の焼成温度などについて、表４に示す。

【００５６】

【表４】（５）実施例サンプル３３〜３６誘電体層を形成するガラス粉末として、上記実施の形態
で説明した４価のイオン配置を取る金属酸化物を含むＺ
ｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ₂−Ｌｉ₂Ｏ系
ガラス粉末を用いた。各サンプルにおけるガラスの組
成、および誘電体ガラスペーストに用いたバインダー等
の種類、誘電体層の焼成温度などについて、表５に示
す。

【００５７】

【表５】（６）比較例サンプル３７〜４０誘電体層を形成するガラス粉末として、上記実施の形態
で説明した４価のイオン配置を取る金属酸化物ＭＯ
₂（Ｍ＝Ｍｎ，Ｃｅ，Ｓｎ，Ｓｂ）含まない、ＺｎＯ系
およびＰ₂Ｏ₅系ガラス粉末を用いた。各サンプルにおけ
るガラスの組成、および誘電体ガラスペーストに用いた
バインダー等の種類、誘電体層の焼成温度などについ
て、表６に示す。

【００５８】

【表６】（７）実験実験方法上記実施例サンプル１〜３６および比較例サンプル３７
〜４０について、前面パネルにおける一対の走査電極お
よび維持電極の間の着色具合を色差計（日本電色工業
（株）ＮＦ７７７）を用いて測定した。測定項目として
は、ガラスの着色具合を示すａ＊値およびｂ*値をＪＩ
ＳＺ８７３０に規定された色差表示方法に基づいて測定
した。

【００５９】また、各ＰＤＰサンプルを全白表示させ
て、そのときの輝度を測定するとともに、色温度をマル
チチャンネル分光計（大塚電子（株）ＭＣＰＤ−７００
０）を用いて測定した。このＰＤＰを全白表示させると
きには、絶縁破壊を起こしにくい、電圧が１８０Ｖ，周
波数５０ｋＨｚの放電維持パルスを印加させている。な
お、各サンプル１〜４０においては、パネルを封着する
前に、前面パネルにおける誘電体層の誘電率を測定し
た。この誘電率の測定方法としては、前面パネルの誘電
体層に銀ペーストを塗布して乾燥させることにより、こ
れを一方の電極とし、他方の電極としてアドレス電極を
利用し、これらの電極間における誘電率をＬ，Ｃ，Ｒメ
ータを用いて測定した。この誘電率の測定結果について
は、表１〜表６に記載している（８）結果と考察実施例サンプル１〜８についての各測定結果を表７に、
実施例サンプル９〜１６についての各測定結果を表８
に、実施例サンプル１７〜２４についての各測定結果を
表９に、実施例サンプル２５〜３２についての各測定結
果を表１０に、実施例サンプル３３〜３６についての各
測定結果を表１１に、比較例サンプル３７〜４０につい
ての各測定結果を表１２に示す。なお、各表におけるａ
*値は、プラス方向に大きくなると赤色が強まり、マイ
ナス方向に大きくなると緑色が強まることを示す。ｂ*
値は、プラス方向に大きくなると黄色が強まり、マイナ
ス方向に大きくなると青色が強まることを示す。一般
に、ａ*値が−５〜+５の範囲であり、かつｂ*値が−５
〜+５の範囲であれば、前面パネルの着色は観察されな
い。特に、黄変については、ｂ*値の大きさが影響する
ため、ｂ*値が−５〜+５の範囲であれば観察されない
が、ｂ*値が+１０を超えると目立ち始めてくる。

【００６０】

【表７】

【００６１】

【表８】

【００６２】

【表９】

【００６３】

【表１０】

【００６４】

【表１１】

【００６５】

【表１２】表７に示すように、３価あるいは４価のイオン配置を取
る金属酸化物ＭＯ₂が含まれるＰ₂Ｏ₅−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃
−ＳｉＯ₂−ＭＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラスからなる誘電体層を
備えるＰＤＰにおいては、黄変を示すｂ*値が０．８〜
２．０となる。これは、表１２に示す比較例サンプル３
７〜４０のｂ*値（５．１〜７．０）と比べて低く押さ
えられていることがわかる。特に、誘電体層において、
ＭｎＯ₂の有無を除けば同じ組成である実施例サンプル
１と比較例サンプル３８とを比較しても、明らかに黄変
が改善していることが確認される。

【００６６】また、ＰＤＰにおける輝度においても、比
較例サンプル３７〜４０は５００ｃｄ／ｍ²以下である
のに対し、実施例サンプル１〜８は、５３７ｃｄ／ｍ²
以上と高い値を示す。これは、実施例サンプル１〜８に
おいては、銀が誘電体層中に拡散したとしても、光を反
射するコロイドの発生が抑制されているためであると考
えられる。加えて、本実施例サンプル１〜８において
は、黄変が発生しないため、パネルの色温度も良好であ
る。

【００６７】表８に示す、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−
ＭＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラスからなる誘電体層を備えるＰＤＰ
においても、黄変を示すｂ*値が０．５〜２．０とな
り、上記と同様、比較例サンプル３７〜４０と比べて低
く押さえられていることがわかる。特に、誘電体層にお
いて、ＭｎＯ₂の有無を除けば同じ組成である実施例サ
ンプル９（ｂ*値：０．５）と比較例サンプル３９（ｂ*
値：６．５）とを比較しても、明らかに黄変が改善して
いることが確認される。

【００６８】また、ＰＤＰにおける輝度においても、比
較例サンプル３７〜４０は５００ｃｄ／ｍ²以下である
のに対し、実施例サンプル９〜１６は、５３８ｃｄ／ｍ
²以上と高い値を示す。加えて、本実施例サンプル９〜
１６におけるパネルの色温度も比較例サンプル３７〜４
０に比べて良好である。表９に示す、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−
ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラスからなる誘
電体層を備えるＰＤＰにおいても、黄変を示すｂ*値が
０．９〜１．９となり、上記と同様、比較例サンプル３
７〜４０と比べて低く押さえられていることがわかる。
特に、誘電体層において、ＭｎＯ₂の有無を除けば同じ
組成である実施例サンプル１７（ｂ*値：０．９）およ
び実施例サンプル２４（ｂ*値：１．２）と、比較例サ
ンプル３７（ｂ*値：７．０）とを比較すれば、明らか
に黄変が改善していることが確認される。

【００６９】また、ＰＤＰにおける輝度においても、比
較例サンプル３７〜４０は５００ｃｄ／ｍ²以下である
のに対し、実施例サンプル１７〜２４は、５１０ｃｄ／
ｍ²以上と高い値を示す。加えて、本実施例サンプル１
７〜２４におけるパネルの色温度も比較例サンプル３７
〜４０に比べて良好である。表１０に示す、ＺｎＯ−Ｂ
₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ₂−Ｋ₂Ｏ系ガラスから
なる誘電体層を備えるＰＤＰにおいても、黄変を示すｂ
*値が０．６〜２．０となり、上記と同様、比較例サン
プル３７〜４０と比べて低く押さえられていることがわ
かる。特に、誘電体層において、ＭｎＯ₂の有無を除け
ば同じ組成である比較例サンプル４０（ｂ*値：７．
０）とを比較すれば、明らかに黄変が改善していること
が確認される。

【００７０】また、ＰＤＰにおける輝度においても、比
較例サンプル３７〜４０は５００ｃｄ／ｍ²以下である
のに対し、実施例サンプル２５〜３２は、５２７ｃｄ／
ｍ²以上と高い値を示す。加えて、本実施例サンプル２
５〜３２におけるパネルの色温度も比較例サンプル３７
〜４０に比べて良好である。表１１に示す、ＺｎＯ−Ｂ
₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａｌ₂Ｏ₃−ＭＯ₂−Ｌｉ₂Ｏ系ガラスか
らなる誘電体層を備えるＰＤＰにおいても、黄変を示す
ｂ*値が１．２〜１．６となり、上記と同様、比較例サ
ンプル３７〜４０と比べて黄変が低く押さえられている
ことがわかる。

【００７１】また、ＰＤＰにおける輝度においても、比
較例サンプル３７〜４０は５００ｃｄ／ｍ²以下である
のに対し、実施例サンプル３３〜３６は、５４６ｃｄ／
ｍ²以上と高い値を示す。加えて、本実施例サンプル２
５〜３２におけるパネルの色温度も比較例サンプル３７
〜４０に比べて良好である。

【００７２】

【発明の効果】以上述べてきたように、金属電極を被覆
する誘電体層に、３価あるいは４価のイオン配置をとる
ことができる金属酸化物が含まれるようにすることによ
り、ＰＤＰの黄変発生を抑制し、絶縁破壊のない信頼性
の高いＰＤＰを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＰＤＰの要部斜視図である。

【図２】図１におけるＰＤＰをｘ軸方向に沿って見た側
面図である。

【図３】図１におけるＰＤＰをｙ軸方向に沿って見た側
面図である。

【図４】各製造工程における前面パネルの側面図であ
る。

【図５】インクジェット装置の概略図である。

【符号の説明】

１０前面パネル１１前面ガラス基板１２ａ走査電極１２ｂ維持電極１２ａ１，１２ｂ１透明電極１２ａ２，１２ｂ２金属電極１３，２３誘電体層１４保護層２０背面パネル２１背面ガラス基板２２アドレス電極２４隔壁

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年１１月１８日（２００２．１１．
１８）

【手続補正１】

【補正対象書類名】明細書

【補正対象項目名】特許請求の範囲

【補正方法】変更

【補正内容】

【特許請求の範囲】

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者藤谷守男大阪府門真市大字門真1006番地松下電器産業株式会社内Ｆターム(参考） 4G062 AA09 BB05 BB08 CC08 DA03 DA04 DB01 DB02 DB03 DB04 DC04 DC05 DC06 DD01 DD02 DD03 DD04 DE04 DE05 DF01 EA01 EA02 EA03 EA04 EB01 EB02 EB03 EC01 EC02 EC03 EC04 ED01 EE01 EF01 EG01 FA01 FB01 FC01 FD01 FE01 FE02 FE03 FF01 FG01 FH01 FJ01 FK01 FL01 FL02 FL03 GA01 GB01 GC01 GD01 GE01 HH01 HH02 HH03 HH04 HH05 HH07 HH09 HH11 HH13 HH15 HH17 HH20 JJ01 JJ03 JJ04 JJ05 JJ07 JJ10 KK01 KK03 KK05 KK07 KK10 MM05 MM08 MM13 MM27 MM40 NN26 NN32 NN34 5C027 AA06 5C040 FA01 FA04 GB03 GB14 GC18 GD07 GD09 JA02 KA10 KB03 KB13 KB19 KB28 MA03 MA05 MA09 MA30

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】金属電極と、当該金属電極を被覆する誘
電体層を備えるプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層は、酸化亜鉛と、酸化硼素と、酸化ケイ素と、Ｒ₂Ｏと、ＭＯ₂とからなるガラスによって構成されていることを
特徴とするプラズマディスプレイパネル。ただし、Ｒ₂
Ｏは、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウム、
酸化ルビジウム、酸化セシウム、酸化銅、酸化銀の群か
ら選択される一つの物質であり、ＭＯ₂は、酸化マンガ
ン（ＩＶ）、酸化セリウム（ＩＶ）、酸化スズ（Ｉ
Ｖ）、酸化アンチモン（ＩＶ）の群から選択される一ま
たは二以上の物質である。
【請求項２】前記誘電体層を構成するガラスは、その
組成比が、酸化亜鉛：２５〜４４重量％、酸化硼素：３
５〜５５重量％、酸化ケイ素：５〜１５重量％、Ｒ
₂Ｏ：１〜５重量％、ＭＯ₂：０．５〜１０重量％である
ことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレ
イパネル。
【請求項３】前記誘電体層を構成するガラスには、そ
の組成にさらに酸化アルミニウムが加えられていること
を特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパ
ネル。
【請求項４】前記誘電体層を構成するガラスは、その
組成比が、酸化亜鉛：２０〜４３重量％、酸化硼素：３
８〜５５重量％、酸化ケイ素：５〜１７重量％、酸化ア
ルミニウム：１〜１０重量％、Ｒ₂Ｏ：１〜５重量％、
ＭＯ₂：０．５〜５重量％であることを特徴とする請求
項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項５】前記誘電体層を構成するガラスには、そ
の組成にさらに酸化燐（Ｖ）が加えられていることを特
徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネ
ル。
【請求項６】前記誘電体層を構成するガラスは、その
組成比が、酸化亜鉛：２０〜３５重量％、酸化硼素：３
０〜５５重量％、酸化ケイ素：５〜１２重量％、酸化燐
（Ｖ）：１５〜２５重量％、Ｒ₂Ｏ：０．１〜５重量
％、ＭＯ₂：０．５〜１０重量％であることを特徴とす
る請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項７】前記Ｒ₂Ｏは、酸化カリウムであり、前
記誘電体層を構成するガラスの組成比が、酸化亜鉛：１
０〜２５．５重量％、酸化硼素：２０〜４０重量％、酸
化ケイ素：１０〜３０重量％、酸化アルミニウム：５〜
２５重量％、酸化カリウム：３〜１０重量％、ＭＯ₂：
０．５〜５重量％であることを特徴とする請求項３に記
載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項８】前記Ｒ₂Ｏは、酸化リチウムであり、前
記誘電体層を構成するガラスの組成比が、酸化亜鉛：１
０〜１９重量％、酸化硼素：２０〜４０重量％、酸化ケ
イ素：１０〜３０重量％、酸化アルミニウム：５〜２５
重量％、酸化リチウム：３〜１０重量％、ＭＯ₂：１〜
５重量％であることを特徴とする請求項３に記載のプラ
ズマディスプレイパネル。
【請求項９】金属電極と、当該金属電極を被覆する誘
電体層を備えるプラズマディスプレイパネルであって、前記誘電体層は、ＰｂＯおよびＢｉ₂Ｏ₃を含まず、かつＲ₂Ｏの含有量が
１０重量％以下である、ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂−Ａ
ｌ₂Ｏ₃−Ｒ₂Ｏ系ガラス，Ｐ₂Ｏ₅−ＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−Ｓ
ｉＯ₂−Ｒ₂Ｏ系ガラス、あるいはＺｎＯ−Ｂ₂Ｏ₃−Ｓｉ
Ｏ₂−ＭＯ−Ｒ₂Ｏ系ガラスに対して、ガラス中で３価あ
るいは４価のイオン配置を取ることができる金属酸化物
ＭＯ₂を０．５〜５重量％加えたガラスによって構成さ
れていることを特徴とするプラズマディスプレイパネ
ル。ただし、Ｒ₂Ｏは、酸化リチウム、酸化ナトリウ
ム、酸化カリウム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、酸
化銅、酸化銀の群から選択される一つの物質であり、Ｍ
Ｏ₂は、酸化マンガン（ＩＶ）、酸化セリウム（Ｉ
Ｖ）、酸化スズ（ＩＶ）、酸化アンチモン（ＩＶ）の群
から選択される一または二以上の物質である。
【請求項１０】前記金属電極は、銀電極あるいはクロ
ム／銅／クロム電極であることを特徴とする請求項１〜
９のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項１１】金属電極上に誘電体ガラス粉末を配し
て焼成することにより、誘電体ガラスからなる誘電体層
を金属電極に被覆する工程を有するプラズマディスプレ
イパネルの製造方法であって、前記誘電体ガラス粉末は、酸化亜鉛と、酸化硼素と、酸
化ケイ素と、Ｒ₂Ｏと、ＭＯ₂とからなることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネルの製造方法。ただし、Ｒ
₂Ｏは、酸化リチウム、酸化ナトリウム、酸化カリウ
ム、酸化ルビジウム、酸化セシウム、酸化銅、酸化銀の
群から選択される一つの物質であり、ＭＯ₂は、酸化マ
ンガン（ＩＶ）、酸化セリウム（ＩＶ）、酸化スズ（Ｉ
Ｖ）、酸化アンチモン（ＩＶ）の群から選択される一ま
たは二以上の物質である。
【請求項１２】前記誘電体ガラス粉末の組成は、酸化
亜鉛：２５〜４４重量％、酸化硼素：３５〜５５重量
％、酸化ケイ素：５〜１５重量％、Ｒ₂Ｏ：１〜５重量
％、ＭＯ₂：０．５〜１０重量％からなることを特徴と
する請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの
製造方法。
【請求項１３】前記誘電体ガラス粉末には、さらにそ
の組成に酸化アルミニウムが加えられており、その組成
比が、酸化亜鉛：２０〜４３重量％、酸化硼素：３８〜
５５重量％、酸化ケイ素：５〜１７重量％、酸化アルミ
ニウム：１〜１０重量％、Ｒ₂Ｏ：１〜５重量％、Ｍ
Ｏ₂：０．２〜５重量％であることを特徴とする請求項
１１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１４】前記誘電体ガラス粉末には、さらにそ
の組成に酸化燐（Ｖ）が加えられており、その組成比
が、酸化亜鉛：２０〜３５重量％、酸化硼素：３０〜５
５重量％、酸化ケイ素：５〜１２重量％、酸化燐
（Ｖ）：１５〜２５重量％、Ｒ₂Ｏ：０．１〜５重量
％、ＭＯ₂：０．５〜１０重量％であることを特徴とす
る請求項１１に記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。