KR20070088296A - 전극 피복용 유리 - Google Patents
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Abstract
몰% 로, B2O3 15∼65%, SiO2 2∼38%, MgO 2∼30%, MgO+CaO+SrO+BaO 5∼45%, Li2O 1∼15%, Li2O+Na2O+K2O 2∼25% 등으로 이루어지고, ZnO 가 0∼15% 인 전극 피복용 무연 유리. 몰% 로, B2O3 25∼65%, SiO2 2∼38%, MgO 2∼30%, MgO+CaO+SrO+BaO 5∼45%, Li2O+Na2O+K2O 2∼25%, Al2O3 0∼30%, TiO 0∼10%, ZnO 0∼15% 로 이루어지는 전극 피복용 무연 유리.
전극, 피복, 유리
Description
본 발명은 유리 기판 위에 ITO (주석 도프 산화 인듐), 산화 주석 등의 투명 전극이 형성되거나, 또는 그 투명 전극 표면의 일부에 Cr-Cu-Cr 전극 또는 Ag 전극이 형성되어 있는 경우에 이들 전극을 절연 피복하는데 바람직한 전극 피복용 유리에 관한 것이다.
플라스마 디스플레이 장치 (PDP) 는 대표적인 대화면 풀 컬러 표시장치이다.
PDP 의 표시측 기판 (전면 기판) 위에는 면방전을 발생하는 복수의 표시 전극쌍이 형성되고, 배면측의 기판 (배면 기판) 위에는 그 표시 전극쌍과 직교하는 어드레스 전극, 스트라이프상의 격벽 및 그들을 피복하는 형광체층이 형성된다.
PDP 의 구동은 다음과 같이 행해진다. 즉, 표시 전극쌍에 대전압을 인가하여 리셋하고, 표시 전극쌍의 일방의 전극과 어드레스 전극과의 사이에서 방전시키고, 그 방전으로 발생한 벽전하를 이용해서 표시 전극쌍의 사이에 유지 전압을 인가하여 유지 방전을 발생시킨다.
이 표시 전극쌍은 플라스마 방전용의 주사 전극으로서 이용되어 그 위에는 방전 유지를 위해서 전형적으로는 20∼30㎛ 의 두께의 투명한 유전체층이 형성되어 있다.
상기 주사 전극은 통상, ITO 등의 투명 전극 및 그 표면의 일부에 형성되는 Cr-Cu-Cr 전극, Ag 전극 등의 버스 전극으로 이루어진다.
종래, 상기 투명 유전체층에는 PbO 함유 저융점 유리가 사용되고 있지만, 최근 PbO 를 함유하지 않는 전극 피복용 저융점 유리가 제안되어 있다 (일본 공개특허공보 2004-146357호 및 일본 공개특허공보 2001-195989호 참조).
일본 공개특허공보 2004-146357호에는, 상기 유전체층에 거품이 잔존하기 어렵게 하고, 또한 전극 근방에 큰 거품이 잔존하지 않게 하는 것을 목적으로, 질량 백분율 표시로, BaO 3∼25%, ZnO 25∼60%, B2O3 15∼35%, SiO2 3∼30%, Li2O 0.2∼6%, Al2O3 0∼1.5% 를 함유하는 무연 유리가 제안되어 있다.
일본 공개특허공보 2001-195989호에는, 대화면화·고정세화되어도 소비 전력을 증가시키지 않는 것을 목적으로, ZnO 와 10중량% 이하의 알칼리 금속 산화물을 함유하고, 또한 저유전율의 무연 유리가 제안되어 있다.
발명의 개시
발명이 해결하고자 하는 과제
일본 공개특허공보 2004-146357호에서 제안되어 있는 유리는, Ag 전극을 피복 했을 때에 그 전극 근방에 큰 거품이 잔존하기 어려워지는 것이라고 되어 있지만, 소성했을 때에 결정이 석출되기 쉬운 유리이다 (후술하는 예 44, 45 의 유리).
일본 공개특허공보 2001-195989호에서 제안되어 있는 상기 유리는, 유전율 및 연화점이 낮고, 또한 Ag 전극에 기인하는 유전체층 황변 (yellowing) 이 일어나지 않는 것으로 여겨지고 있지만, Cr-Cu-Cr 전극의 피복에 이용했을 때에 전극 근방에 잔존하는 거품의 수가 적어진다고 예상되는 것에 대해 그 150℃ 에 있어서의 비저항 (ρ) 을 측정한 결과, 그 대부분의 것은 ρ가 작고 1012Ω·㎝ 미만으로 반드시 절연성이 뛰어나다고는 할 수 없는 것이었다 (후술하는 예 46, 48∼53 의 유리). 또한, 상기 유리 중 ρ 가 1012Ω·㎝ 이상의 것에 대해서는 분말로하여 동 공보에 기재되어 있는 온도 (575℃) 에서 소성한 결과, 연화 유동이 인정되지 않아 소성이 곤란했다 (후술하는 예 47 의 유리).
본 발명은 이러한 문제를 해결할 수 있는 전극 피복용 유리의 제공을 목적으로 한다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명은, 하기 산화물 기준의 몰% 표시로, B2O3 15∼65%, SiO2 2∼38%, MgO 2∼30%, MgO+CaO+SrO+BaO 5∼45%, Li2O 1∼15%, Li2O+Na2O+K2O 2∼25%, Al2O3 0∼30%, P2O5 0∼15% 로 본질적으로 이루어지고, ZnO 를 함유하는 경우 그 함유량이 15몰% 이하이며, PbO 를 함유하지 않는 전극 피복용 유리 (본 발명의 제 1 의 유리) 를 제공한다.
또한, 하기 산화물 기준의 몰% 표시로, B2O3 25∼65%, SiO2 2∼38%, MgO 2∼30%, MgO+CaO+SrO+BaO 5∼45%, Li2O 1∼15%, Li2O+Na2O+K2O 2∼25%, Al2O3 0∼30%, TiO2 0∼10%, ZnO 0∼15% 로 본질적으로 이루어지고, PbO 를 함유하지 않는 전극 피복용 유리 (본 발명의 제 2 의 유리) 를 제공한다.
본 발명자는, B2O3-SiO2-RO-R2O 계 전극 피복용 유리 (RO 는 알칼리 토금속 산화물, R2O 는 알칼리 금속 산화물) 에 있어서 ZnO 의 함유량을 감소시키거나, 또는 ZnO 를 함유하지 않는 것으로 하는 것이 상기 문제 중 전극 근방에 큰 거품이 잔존한다는 문제의 해결에 유효한 것을 찾아내어, 본 발명에 이르렀다.
발명의 효과
본 발명의 전극 피복용 유리 (이하, 본 발명의 유리라고 한다) 를 이용해 PDP 전면 기판의 전극 피복을 실시함으로써, PDP 전면 기판의 전극 피복 유리층 (투명 유전체층) 중의 큰 거품을 줄일 수 있다. 특히, 앞서 말한 바와 같은 Cr-Cu-Cr 전극이 버스 전극으로서 투명 유전체층의 일부 표면에 형성되어 있는 경우에 이 효과는 현저하다.
또한, 본 발명의 바람직한 양태에 의하면, 투명 유전체층의 전기 절연성을 높게 할 수 있거나, 또는 내수성이 높은 유리에 의해 PDP 전면 기판의 전극 등을 피복할 수 있다.
발명을 실시하기
위한 최선의 형태
본 발명의 유리는 통상 분말화한 다음 전극 피복에 사용된다. 또한, 분말화는 통상 유리를 분쇄 후 분급해서 행해진다.
유리 페이스트를 이용해 전극 피복을 실시하는 경우, 분말화된 본 발명의 유리 (이하, 본 발명의 유리 분말이라고 한다) 는 비히클과 혼련되어 유리 페이스트가 된다. 이 유리 페이스트는, 예를 들어 투명 전극 등의 전극이 형성되어 있는 유리 기판에 도포, 소성되어 그 결과 당해 투명 전극을 피복하는 유리층이 형성된다. 또한, PDP 전면 기판의 제조에 있어서는 소성은 전형적으로는 600℃ 이하의 온도에서 행해진다.
그린 시트를 이용해 전극 피복을 실시하는 경우, 본 발명의 유리 분말은 수지와 혼련되어 얻어진 혼련물은 폴리에틸렌 필름 등의 지지 필름 위에 도포되어 그린 시트가 된다. 이 그린 시트는, 예를 들어, 유리 기판 위에 형성된 전극상에 전사 후, 소성되어, 그 결과, 당해 전극을 피복하는 유리층이 형성된다.
본 발명의 유리 분말의 질량 평균 입경 (D50) 은 0.5㎛ 이상인 것이 바람직하다. D50 가 0.5㎛ 미만에서는 분말화에 필요로 하는 시간이 너무 길어질 우려가 있어, 보다 바람직하게는 0.7㎛ 이상이다. 또한, D50 는 바람직하게는 4㎛ 이하, 보다 바람직하게는 3㎛ 이하이다.
본 발명의 유리 분말의 최대 입경은 20㎛ 이하인 것이 바람직하다. 최대 입경이 20㎛ 초과에서는, 두께를 통상 30㎛ 이하로 하는 것이 요구되는 PDP 의 전극 피복 유리층의 형성에 이용하려고 하면, 당해 유리층의 표면에 요철이 발생하고, PDP 의 화상이 변형될 우려가 있어, 보다 바람직하게는 10㎛ 이하이다.
본 발명의 유리의 50∼350℃ 에 있어서의 평균 선팽창 계수 (α) 는 70×10-7∼90×10-7/℃ 인 것이 바람직하고, 전형적으로는 70×10-7∼85×10-7/℃ 이다.
본 발명의 유리의 연화점 (Ts) 은 650℃ 이하인 것이 바람직하다. 650℃ 초과에서는 600℃ 이하의 온도에서의 소성에 따라서는 투과율이 높은 유리층을 얻기 어려워질 우려가 있다.
α 가 70×10-7∼90×10-7/℃ 이면서 Ts 가 650℃ 이하인 것이 보다 바람직하고, 전형적으로는 α 가 70×10-7∼85×10-7/℃ 이면서 Ts 가 650℃ 이하이다.
본 발명의 유리의 주파수 1MHz 에 있어서의 비유전율 (ε) 은 9 이하인 것이 바람직하다. ε 가 9 초과에서는 구동 전압이나 방전 유지 전압이 높아져 발광 효율이 저하되거나, 또는 그 때문에 소비 전력이 커질 우려가 있어, 보다 바람직하게는 8.5 이하, 특히 바람직하게는 8 이하이다.
본 발명의 유리의 150℃ 에 있어서의 비저항 (ρ) 은 1012Ω·㎝ 이상인 것이 바람직하다. ρ 가 1012Ω·㎝ 미만에서는, Cr-Cu-Cr 전극, Ag 전극 등이 버스 전극으로서 투명 전극 표면의 일부에 형성되어 있는 경우에 있어서의 Ag, Cu 의 마이그레이션 (migration) 이 일어나기 쉬워진다.
다음으로, 본 발명의 유리의 조성에 대해 몰% 를 단지 % 라고 표시하여 설명한다. 우선, 본 발명의 제 1 의 유리에 대해 설명한다.
B2O3 는 유리를 안정화시키거나, 또는 Ts 를 내리는 성분이며, 필수이다. B2O3 가 15% 미만에서는 Ts 가 너무 높아지고, 바람직하게는 20% 이상, 전형적으로는 26% 이상이다. B2O3 가 65% 초과에서는 유리화가 곤란하게 되고, 바람직하게는 60% 이하, 전형적으로는 54% 이하이다.
SiO2 는 유리의 골격을 이루는 성분이며, 필수이다. SiO2 가 2% 미만에서는 유리화하기 어려워지거나, 또는 소성시에 결정이 석출되기 쉬워지고, 바람직하게는 2.5% 이상이다. SiO2 가 38% 초과에서는 Ts 가 너무 높아진다. 바람직한 양태의 하나로서 SiO2 가 30% 이하인 것을 들 수 있고, 그 경우 SiO2 는 보다 바람직하게는 25% 이하, 전형적으로는 22% 이하이다.
MgO 는 α 를 내리는 성분이며, 필수이다. MgO 가 2% 미만에서는 α 가 커지고, 전형적으로는 5∼25% 이다.
CaO, SrO 및 BaO 는 Ts 또는 α 를 내리는 성분이며, MgO 가 5% 이상인 경우에는 모두 필수는 아니지만 MgO 가 5% 미만인 경우에는 어느 1 종 이상을 함유해야 한다.
이들 3 성분에 MgO 를 더한 4 성분의 함유량의 합계는 5% 미만에서는 Ts 가 너무 높아지고, 바람직하게는 10% 이상이다. 상기 합계가 45% 초과에서는 유리 화가 곤란하게 되고, 바람직하게는 40% 이하, 전형적으로는 33% 이하이다.
CaO 를 함유하는 경우 그 함유량은 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 15% 이하, 전형적으로는 1∼9% 이다.
SrO 를 함유하는 경우 그 함유량은 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 15% 이하, 전형적으로는 1∼6% 이다.
BaO 를 함유하는 경우, 그 함유량은 바람직하게는 20% 이하, 보다 바람직하게는 15% 이하, 전형적으로는 1∼6% 이다.
바람직하게는, CaO 가 0∼20%, SrO 가 0∼20%, BaO 가 0∼20% 이다.
Li2O 는 유리화를 하기 쉽게 하거나, 또는 Ts 를 내리는 성분이며, 필수이다. Li2O 1% 미만에서는 유리화하기 어려워지거나, 또는 Ts 가 높아지고, 15% 초과에서는 전기 절연성이 저하되거나, 또는 α 가 너무 커진다. Li2O 는 전형적으로는 3∼9% 이다.
Na2O 및 K2O 는 유리화하기 쉽게 하거나, 또는 Ts 를 내리는 성분이며, Li2O 가 2% 이상인 경우에는 모두 필수는 아니지만 Li2O 가 2% 미만인 경우에는 어느 1 종 이상을 함유해야 한다.
이들 2 성분에 Li2O 를 더한 3 성분의 함유량의 합계가 2% 미만에서는 Ts 가 너무 높아진다. 바람직하게는 5% 이상, 전형적으로는 8% 이상이다. 상기 합계가 25% 초과에서는 Ts 가 너무 낮아지거나, 또는 α 가 너무 커진다. 바람직하게는 20% 이하, 전형적으로는 17% 이하이다.
Na2O 를 함유하는 경우, 그 함유량은 바람직하게는 15% 이하, 보다 바람직하게는 10% 이하, 전형적으로는 1∼9% 이다.
K2O 를 함유하는 경우, 그 함유량은 바람직하게는 15% 이하, 보다 바람직하게는 10% 이하, 전형적으로는 1∼9% 이다.
바람직하게는, Na2O 가 0∼15%, 또한 K2O 가 0∼15% 이다.
Al2O3 는 필수는 아니지만, 유리를 안정화시키는 등을 위해서 30% 까지의 범위에서 함유해도 된다. Al2O3 가 30% 초과에서는 유리화가 곤란하게 되거나, 또는 소성시에 결정이 석출되기 쉬워지고, 바람직하게는 25% 이하이다. Al2O3 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 1% 이상이다.
P2O5 는 필수는 아니지만, 소성해서 형성된 유리층 표면의 평활성을 향상시키기 위해 유리의 유동성을 향상시키고 싶은 등의 경우에는 15% 까지의 범위에서 함유해도 되고, 바람직하게는 10% 이하, 전형적으로는 7% 이하이다. P2O5 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 0.5% 이상이다.
전형적으로는, B2O3 가 20∼60%, MgO 가 5∼25%, MgO+CaO+SrO+BaO 가 10∼40%, Li2O+Na2O+K2O 가 5∼20%, Al2O3 가 0∼25% 이다.
본 발명의 제 1 의 유리는 본질적으로 상기 성분으로 이루어지지만, 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 그 외의 성분을 함유해도 된다. 그 경우에 있어서의 상기 성분 이외의 성분의 함유량의 합계는, 바람직하게는 15% 이하, 전형적으로는 10% 이하, 보다 전형적으로는 5% 이하이다.
그러한 성분으로서 TiO2, ZrO2, SnO2, CeO2, CuO, CoO 가 예시된다. 이들 성분은 통상, α, Ts, 화학적 내구성, 유리층 투과율, 유리 안정성 등을 조정하는 목적으로 첨가된다.
이들 성분 중 CeO2, CuO, CoO 는, 소성시에 있어서의 탈바인더가 부족해 소성 후의 유리 안에 카본이 잔류하여 유리가 착색하는 현상을 억제하고 싶은 경우, 은전극 피복을 실시할 때 생기는 은발색 현상을 억제하고 싶은 경우 등에 CeO2, CuO 및 CoO 의 함유량의 합계가 5% 이하, 전형적으로는 0.9% 이하의 범위에서 함유하는 것이 바람직한 경우가 있다.
본 발명의 제 1 의 유리는 ZnO 를 함유하는 경우 그 함유량이 15% 이하이다. ZnO 가 15% 초과에서는 유리층의 투과율이 낮아지거나, 또는 유리층에 큰 거품이 존재하기 쉬워지고, 바람직하게는 12% 이하, 전형적으로는 5% 미만, 보다 전형적으로는 2% 이하이며, ZnO 를 함유하지 않는 것이 보다 바람직한 경우가 있다. 이 보다 바람직한 경우에 있어서도 불순물 레벨로 ZnO 를 함유하는 경우가 있지만, 그 경우의 함유량은 전형적으로는 0.1% 이하, 보다 전형적으로는 0.01% 이하이다.
다음으로, 본 발명의 제 2 의 유리에 대해 설명한다. 또한, 동 유리는 Ts 를 내리고 싶은 경우, 예를 들어 Ts 를 600℃ 이하로 하고 싶은 경우에 바람직한 양태이다.
B2O3 는 유리를 안정화시키거나, 또는 Ts 를 내리는 성분이며, 필수이다.
B2O3 가 25% 미만에서는 Ts 가 너무 높아져 전형적으로는 35% 이상이며, 65% 초과에서는 유리화가 곤란하게 되고, 전형적으로는 50% 이하이다.
SiO2 는 유리의 골격을 이루는 성분이며, 필수이다. SiO2 가 2% 미만에서는 유리화하기 어려워지거나, 또는 소성시에 결정이 석출되기 쉬워지고, 바람직하게는 2.5% 이상이며, 38% 초과에서는 Ts 가 너무 높아진다. 바람직한 양태의 하나로서 SiO2 가 30% 이하인 것을 들 수 있고, 그 경우 SiO2 는 전형적으로는 20% 이하이다.
MgO 는 α 를 내리는 성분이며, 필수이다. 2% 미만에서는 α 가 커진다. 전형적으로는 5∼20% 이다.
CaO, SrO 및 BaO 는 Ts 또는 α 를 내리는 성분이며, MgO 가 5% 이상인 경우에는 모두 필수는 아니지만 MgO 가 5% 미만인 경우에는 어느 1 종 이상을 함유해야 한다.
이들 3 성분에 MgO 를 더한 4 성분의 함유량의 합계가 5% 미만에서는 Ts 가 너무 높아지고, 바람직하게는 10% 이상이다. 상기 합계가 45% 초과에서는 유리화가 곤란하게 되고, 전형적으로는 30% 이하이다.
CaO 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 10% 이하이다.
SrO 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 5% 이하이다.
BaO 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 5% 이하이다.
전형적으로는, CaO 가 0~10%, SrO 가 0∼5%, BaO 가 0∼5% 이다.
Li2O 는 유리화를 하기 쉽게 하거나, 또는 Ts 를 내리는 성분이며, 필수이다. Li2O 가 1% 미만에서는 유리화하기 어려워지거나, 또는 Ts 가 높아지고, 15% 초과에서는 전기 절연성이 저하되거나, 또는 α 가 너무 커져 전형적으로는 3∼9% 이다.
Na2O 및 K2O 는 유리화를 하기 쉽게 하거나, 또는 Ts 를 내리는 성분이며, Li2O 가 2% 이상인 경우에는 모두 필수는 아니지만, Li2O 가 2% 미만인 경우에는 어느 1 종 이상을 함유해야 한다.
이들 2 성분에 Li2O 를 더한 3 성분의 함유량의 합계가 2% 미만에서는 Ts 가 너무 높아진다. 바람직하게는 5% 이상이다. 상기 합계가 25% 초과에서는 Ts 가 너무 낮아지거나 또는 α 혹은 ε 이 너무 커지고, 바람직하게는 20% 이하이다.
Na2O 를 함유하는 경우, 그 함유량은 바람직하게는 15% 이하, 보다 바람직하게는 10% 이하, 전형적으로는 1∼9% 이다.
K2O 를 함유하는 경우, 그 함유량은 바람직하게는 15% 이하, 보다 바람직하게는 10% 이하, 전형적으로는 1∼9% 이다.
바람직하게는, Na2O 가 0∼15%, 또한 K2O 가 0∼15% 이다.
Al2O3 는 필수는 아니지만, 유리를 안정화시키는 등을 위해서 30% 까지의 범위에서 함유해도 된다. 30% 초과에서는 오히려 유리화가 곤란하게 되거나, 또는 소성시에 결정이 석출되기 쉬워지고, 전형적으로는 15% 이하이다. Al2O3 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 1% 이상이다.
TiO2 는 필수는 아니지만, α 를 조정하고 싶은 등의 경우에는 10% 까지의 범위에서 함유해도 된다. 전형적으로는 7% 이하이다. TiO2 를 함유하는 경우, 그 함유량은 전형적으로는 1% 이상이다.
ZnO 는 필수는 아니지만, Ts 를 내리는 성분이며 15% 까지의 범위에서 함유 해도 된다. ZnO 가 15% 초과에서는 상기 큰 거품이 발생하기 쉬워지거나, 또는 ε 이 커지고, 바람직하게는 12% 이하이다.
전형적으로는, B2O3 가 35∼50%, SiO2 가 2∼20%, MgO 가 5∼20%, MgO+CaO+SrO+BaO 가 5∼30%, Li2O+Na2O+K2O 가 5∼20%, Al2O3 가 0∼15%, ZnO 가 0∼12% 이다.
본 발명의 제 2 의 유리는 본질적으로 상기 성분으로 이루어지지만, 본 발명의 목적을 해치지 않는 범위에서 그 외의 성분을 함유해도 된다. 그 경우에 있어서의 상기 성분 이외의 성분의 함유량의 합계는 전형적으로는 10% 이하, 보다 전형적으로는 5% 이하이다.
그러한 성분으로서 ZrO2, SnO2, P2O5, CeO2, CuO, CoO 가 예시된다. 이들 성분은 통상, α, Ts, 화학적 내구성, 유리층의 투과율, 유리의 안정성, 유리의 유동성 등을 조정하는 목적으로 첨가된다.
이들 성분 중 CeO2, CuO, CoO 는, 소성시에 있어서의 탈바인더가 부족해 소성 후의 유리 안에 탄소가 잔류하여 유리가 착색되는 현상을 억제하고 싶은 경우, 은전극 피복을 실시할 때 생기는 은발색 현상을 억제하고 싶은 경우 등에 CeO2, CuO 및 CoO 의 함유량의 합계가 5% 이하, 전형적으로는 0.9% 이하의 범위에서 함유하는 것이 바람직한 경우가 있다.
본 발명의 제 1 및 제 2 의 유리에 있어서 내수성을 향상시키고 싶은 경우에는 몰% 표시로, B2O3 가 36∼44%, SiO2 가 17∼24%, MgO 가 5∼15%, Li2O+K2O 가 5∼20%, Al2O3 가 6∼14%, ZnO 가 0∼12% 인 것으로 하는 것이 바람직하고, 또는 B2O3 가 28∼39%, SiO2 가 23∼38%, MgO 가 5∼15%, Li2O+K2O 가 5∼20%, Al2O3 가 0∼4%, SiO2+Al2O3 가 23∼38%, ZnO 가 0∼12% 인 것으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 제 1 및 제 2 의 유리는 PbO 를 함유하지 않지만, Bi2O3 도 함유하지 않는 것이 바람직하다.
표의 B2O3 로부터 ZnO 또는 CeO2 까지의 란에 몰% 표시로 나타낸 조성이 되도록 원료를 조합, 혼합했다. 이것을, 백금도가니를 이용해, 예 1∼15, 32, 37, 38, 41∼45 에 대해서는 1250∼1350℃ 로, 예 16∼31, 39, 40 에 대해서는 1150∼1350℃ 로, 예 33 에 대해서는 1350℃ 로, 예 34∼36, 46∼53 에 대해서는 1250℃ 로 각각 가열하여 60 분간 용융했다. 예 1∼36 은 실시예, 예 37∼53 은 비교예이다. 또한, 예 44, 45 는 각각 일본 공개특허공보 2004-146357호의 실시예 2, 10 에, 예 46∼53 은 일본 공개특허공보 2001-195989호의 표 5 의 NO.31∼38 에 각각 상당한다. 또한, 표 중의 RO 는 MgO+CaO+SrO+BaO, R2O 는 Li2O+Na2O+K2O 이다.
얻어진 용융 유리의 일부를 스테인리스 강제 형틀에 흘려 넣어, 서서히 냉각시켰다. 냉각된 유리를 길이 20㎜, 직경 5㎜ 의 원주상으로 가공하고, 이것을 시료로서 브르카에이엑스에스사 제조 수평시차검출 방식 열팽창계 (TD5010SA-N) 를 이용하여 상기 α 를 측정했다. 결과를 표에 나타낸다 (단위:10-7/℃).
상기 용융 유리의 잔부의 일부를 스테인리스 강제 형틀에 흘려 넣어, 서서히 냉각시켰다. 냉각된 유리를 직경 40㎜, 두께 3㎜ 의 원반상으로 가공하며 그 양면에 전극으로서 알루미늄을 증착한 것을 샘플로 하고, 요코가와 휴렛·패커드사 제조 LCR 미터 4192A 를 이용해 전극 접촉법에 따라 상기 ε 를 측정했다.
결과를 표에 나타낸다.
남은 용융 유리를 스테인리스 강제 롤러에 흘려 넣어 플레이크화했다.
얻어진 유리 플레이크를 알루미나제의 볼 밀로 16 시간 건식 분쇄 후, 기류분급을 실시해, D 가 2∼4㎛ 인 유리 분말을 제작했다.
이 유리 분말을 시료로 하여 시차열 분석 장치 (DTA) 를 이용해 상기 Ts 를 측정했다. 결과를 표에 나타낸다 (단위:℃). 또한, 예 47 은 일본 공개특허공보 2001-195989호의 표 5 의 NO.32 에 상당하는 것으로, 575℃ 에서 소성한 것으로 되어있지만, 이것을 같은 575℃ 에서 소성한 결과 전혀 소결되지 않았다.
또한, 예 1∼40, 42∼45 의 상기 유리 분말 100g 을, α-테르피네올 등에 에틸셀룰로오스를 10질량% 용해한 유기 비히클 25g 과 혼련해서 페이스트 잉크 (유리 페이스트) 를 제작하고, 크기가 50㎜×75㎜, 두께가 2.8㎜ 인 소다 라임 실리케이트 유리 기판 (α:87×10-7/℃) 위에, 소성 후의 막두께가 30㎛ 가 되도록 균일하게 스크린 인쇄하고, 120℃ 에서 10 분간 건조시켰다. 그 후, 이 유리 기판을 승온 속도를 매분 10℃ 으로, 예 16∼36 에 대해서는 570℃ 까지, 예 1∼15, 37∼40, 42∼45 에 대해서는 600℃ 까지 가열하고 그 온도로 30 분간 내지 45 분간 유지해서 소성을 실시하고, 유리 기판 위에 유리층을 형성했다.
이 유리층 부착 유리 기판에 대해, 표준 C 광원에 의한 가시광 투과율 (Tv) 을 측정했다. 결과를 표에 나타내지 (단위:%) 만, Tv 는 바람직하게는 75% 이상, 보다 바람직하게는 80% 이상이다.
또한, 이 유리층 부착 유리 기판의 유리층을 광학 현미경 (배율:100) 으로 관찰하여, 결정 석출의 유무를 관찰했다. 결과를 표의 석출 결정 란에 나타내지만, 석출 결정이 관찰되는 것을 PDP 전면 기판의 투명 유전체층으로서 사용하는 것은 곤란하다.
또한, 크기가 25㎜×50㎜, 두께가 2.8㎜ 이며, 그 일방의 면에 ITO 로 이루 어지는 투명 전극과 Cr-Cu-Cr 로 이루어지는 금속 전극이 라인상으로 패터닝된 유리 기판 위에, 예 1∼40, 42 의 상기 페이스트 잉크를 도포하고 승온 속도 매분 10℃ 에서, 예 16∼36 에 대해서는 570℃ 까지, 예 1∼15, 37∼40, 42 에 대해서는 600℃ 까지 가열하고 그 온도로 15 분간 내지 30 분간 유지해서 소성을 실시하고, 전극 피복 유리층을 형성했다. 이 유리층의 25㎜×25㎜ 의 범위에 있어서 전극 근방에 존재하는 직경이 20㎛ 이상의 기포의 개수를 광학 현미경 (배율:20) 으로 관찰하여 그 개수를 카운트했다. 결과를 표의 기포수 란에 나타내지 (단위:개) 만, 기포수는 바람직하게는 4 개 이하, 보다 바람직하게는 3 개 이하이다.
또한, 각 유리의 ρ를 다음과 같이 해서 측정했다. 즉, 용융 유리를 스테인리스 강제 형틀에 흘려 넣어, 열처리를 실시해 변형을 없앤 후, 직경 40㎜, 두께 3㎜ 로 가공하고, 그 양면에 전극으로서 알루미늄을 증착한 것을 샘플로 하여 아드반테스트사 제조 디지털 초고저항 / 미소 전력계 (R8340A) 를 이용해 100 V, 150℃ 에 있어서의 체적 저항률을 측정했다. ρ(단위:Ω·㎝) 의 상용로그를 표의 log ρ 란에 나타내지만, 예 1, 5, 6, 10, 13∼15, 23, 25, 30 의 log ρ 는 추정치이다.
또한, 예 33∼36 의 유리에 대해 다음과 같은 내수성 시험을 실시했다.
즉, 용융 유리를 스테인리스 강제 형틀에 흘려 넣어, 열처리를 실시하여 변형을 없앤 후, 직경 5㎜, 길이 50㎜ 로 가공하고, 80℃ 의 물에 24 시간 침지하여 그 전후에서의 중량을 측정하고, 그 차이를 침지전의 중량으로 나눠 중량 감소율 Rw (단위:%) 을 구했다. 결과를 표에 나타낸다. 내수성 향상을 위한 바람직한 양태인 예 35, 36 의 유리의 Rw 는 1.0% 이하이며, 내수성이 높은 것을 알 수 있다.
또한, 표 중에서 「-」 라고 기재되어 있는 것은 측정을 실시하지 않았던 것을 나타낸다.
PDP 의 투명 전극 등을 피복하는 유리로서 이용할 수 있다. 전면 기판의 투명 전극 근방에 존재하는 큰 거품이 없거나 또는 적은 PDP 를 얻을 수 있게 된다.
또한, 2004 년 12 월 21 일에 출원된 일본 특허 출원 2004-369295호, 2005 년 2 월 25 일에 출원된 일본 특허 출원 2005-50983호의 명세서, 2005 년 6 월 28 일에 출원된 일본 특허 출원 2005-188261호의 명세서 및 2005 년 8 월 25 일에 출 원된 일본 특허 출원 2005-244333호의 명세서 특허 청구의 범위, 도면 및 요약서의 전 내용을 여기에 인용하고, 본 발명의 명세서의 개시로서 도입하는 것이다.
Claims (16)
- 하기 산화물 기준의 몰% 표시로, B2O3 15∼65%, SiO2 2∼38%, MgO 2∼30%, MgO+CaO+SrO+BaO 5∼45%, Li2O 1∼15%, Li2O+Na2O+K2O 2∼25%, Al2O3 0∼30%, P2O5 0∼15% 로 본질적으로 이루어지고, ZnO 를 함유하는 경우, 그 함유량이 15몰% 이하이며, PbO 를 함유하지 않는 전극 피복용 유리.
- 제 1 항에 있어서, ZnO 를 함유하는 경우, 그 함유량이 5몰% 미만인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, CaO 가 0∼20몰%, SrO 가 0∼20몰%, BaO 가 0∼20몰% 인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, B2O3 가 20∼60 몰%, MgO 가 5∼25 몰%, MgO+CaO+SrO+BaO 가 10∼40몰%, Li2O+Na2O+K2O 가 5∼20몰%, Al2O3 가 0∼25 몰% 인 전극 피복용 유리.
- 하기 산화물 기준의 몰% 표시로, B2O3 25∼65%, SiO2 2∼38%, MgO 2∼30 %, MgO+CaO+SrO+BaO 5∼45%, Li2O 1∼15%, Li2O+Na2O+K2O 2∼25%, Al2O3 0∼30%, TiO2 0∼10%, ZnO 0∼15% 로 본질적으로 이루어지고, PbO 를 함유하지 않는 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, SiO2 가 30몰% 이하인 전극 피복용 유리.
- 제 5 항에 있어서, B2O3 가 35∼50몰%, SiO2 가 2∼20몰%, MgO 가 5∼20몰%, MgO+CaO+SrO+BaO 가 5∼30몰%, Li2O+Na2O+K2O 가 5∼20몰%, Al2O3 가 0∼15몰%, ZnO 가 0∼12몰% 인 전극 피복용 유리.
- 제 7 항에 있어서, CaO 가 0∼10몰%, SrO 가 0∼5몰%, BaO 가 O∼5몰% 인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, B2O3 가 36∼44몰%, SiO2 가 17∼24몰%, MgO 가 5∼15몰%, Li2O+K2O 가 5∼20몰%, Al2O3 가 6∼14몰%, ZnO 가 0∼12몰% 인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항, 제 3 항, 제 4 항 또는 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, B2O3 가 28∼39몰%, SiO2 가 23∼38몰%, MgO 가 5∼15몰%, Li2O+K2O 가 5∼ 20몰%, Al2O3 가 0∼4몰%, SiO2+Al2O3 가 23∼38몰%, ZnO 가 0∼12몰% 인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, Na2O 가 0∼15몰%, K2O 가 0∼15몰% 인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, Bi2O3 를 함유하지 않는 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, ZnO 를 함유하지 않는 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 5O∼350℃ 에 있어서의 평균 선팽창 계수가 70×10-7∼90×10-7/℃, 연화점이 650℃ 이하인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 주파수 1㎒ 에 있어서의 비유전율이 9 이하인 전극 피복용 유리.
- 제 1 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서, 150℃ 에 있어서의 비저항이 1012Ω·㎝ 이상인 전극 피복용 유리.
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JP4799043B2 (ja) * | 2005-05-09 | 2011-10-19 | 奥野製薬工業株式会社 | 低融点ガラス組成物 |
US20070236147A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Asahi Glass Company, Limited | Glass for covering electrodes, electric wiring-formed glass plate and plasma display device |
US20090004366A1 (en) * | 2007-06-28 | 2009-01-01 | Asahi Glass Company Limited | Process for producing electrode-formed glass substrate |
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US8361917B2 (en) * | 2010-08-05 | 2013-01-29 | Schott Corporation | Rare earth aluminoborosilicate glass composition |
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KR100499683B1 (ko) * | 1997-04-30 | 2005-09-09 | 교세라 가부시키가이샤 | 정밀 격벽을 가진 평판의 제조방법, 정밀 격벽을 가진 평판,플라즈마 디스플레이장치 기판의 제조방법 및 플라즈마 디스플레이장치 기판 |
JP3991392B2 (ja) * | 1997-06-24 | 2007-10-17 | 東レ株式会社 | 感光性ペースト |
JP3696725B2 (ja) * | 1997-09-19 | 2005-09-21 | 日本山村硝子株式会社 | 感光性ガラスペースト用ガラス組成物 |
JPH11238452A (ja) * | 1998-02-24 | 1999-08-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 隔壁形成方法およびプラズマディスプレイパネルの背面板 |
US6376400B1 (en) * | 1999-02-25 | 2002-04-23 | Asahi Glass Company, Limited | Low melting point glass for covering electrodes, and glass ceramic composition for covering electrodes |
JP4331862B2 (ja) | 1999-04-28 | 2009-09-16 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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US6346493B1 (en) * | 1999-10-27 | 2002-02-12 | Ferro Corporation | Decorative glass enamels |
US6497962B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-12-24 | Asahi Glass Company, Limited | Low melting point glass for covering electrodes, and plasma display device |
JP2002012445A (ja) * | 2000-01-18 | 2002-01-15 | Central Glass Co Ltd | 低融点ガラス |
US6534346B2 (en) * | 2000-05-16 | 2003-03-18 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass and glass tube for encapsulating semiconductors |
JP2002145637A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-05-22 | Asahi Glass Co Ltd | 電極被覆用ガラスおよびプラズマディスプレイパネル |
JP3389243B1 (ja) * | 2001-07-03 | 2003-03-24 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
JP2003020251A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Asahi Glass Co Ltd | 隔壁形成用ガラスフリット、プラズマディスプレイパネル用背面ガラス基板およびプラズマディスプレイパネル |
US7033534B2 (en) * | 2001-10-09 | 2006-04-25 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming microstructures on a substrate using a mold |
JP2003160359A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-06-03 | Sumitomo Metal Ind Ltd | フラットパネルディスプレイの隔壁用ガラス材料 |
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JP2004292215A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光学ガラスおよび、該光学ガラスを用いた光学素子および、該光学素子を用いた光学機器 |
KR100941907B1 (ko) * | 2003-07-18 | 2010-02-11 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 무연 유리, 전극 피복용 유리 분말 및 플라즈마 디스플레이장치 |
TW200520008A (en) * | 2003-11-06 | 2005-06-16 | Asahi Glass Co Ltd | Glass for forming barrier ribs, and plasma display panel |
CN1953942B (zh) * | 2005-04-04 | 2011-08-17 | 松下电器产业株式会社 | 被覆电极用玻璃组成物及含有该组成物的玻璃浆 |
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