JP2007217271A - 電極被覆用ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 - Google Patents

電極被覆用ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 Download PDF

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Abstract

【課題】プラズマディスプレイ装置の前面基板等の電極被覆ガラス層を鉛を含有しないものとし、かつその透明性を高くし、銀発色を抑制する。
【解決手段】モル%で、B 25〜45%、SiO 13〜40%、LiO+NaO+KO 7〜20%、ZnO 0〜30%、CuO+CeO+CoO 0〜5%、MgO+CaO+SrO+BaO 0〜12%、から本質的になり、PbOおよびAlのいずれも含有しない電極被覆用ガラス。表示面として使用される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成されており、前面基板を構成するガラス基板上の透明電極が前記電極被覆用ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装置。
【選択図】なし

Description

本発明は、ガラス基板上にITO(スズがドープされた酸化インジウム)、酸化スズ等の透明電極が形成され、または、その透明電極表面の一部にCr−Cu−Cr電極またはAg電極(銀電極)が形成されている場合にこれら電極を絶縁被覆するのに好適な電極被覆用ガラスに関する。
プラズマディスプレイ装置(PDP)は代表的な大画面フルカラー表示装置である。
PDPの表示側基板(前面基板)上には面放電を発生する複数の表示電極対が形成され、背面側の基板(背面基板)上にはその表示電極対と直交するアドレス電極、ストライプ状の隔壁およびそれらを被覆する蛍光体層が形成される。
PDPの駆動は次のようにして行われる。すなわち、表示電極対に大電圧を印加してリセットし、表示電極対の一方の電極とアドレス電極との間で放電させ、その放電で発生した壁電荷を利用して表示電極対の間に維持電圧を印加し維持放電を発生させる。
この表示電極対はプラズマ放電用の走査電極として用いられ、その上には放電維持のために典型的には20〜30μmの厚みの透明な誘電体層が形成されている。
前記走査電極は通常、ITO等の透明電極およびその表面の一部に形成されるCr−Cu−Cr電極、Ag電極等のバス電極とからなる。
従来、前記透明誘電体層にはPbO含有低融点ガラスが使用されているが、近年PbOを含有しない電極被覆用低融点ガラスが提案されている(特許文献1参照)。
なお、前記アドレス電極もガラス(通常は着色ガラス)によって被覆され、その電極被覆ガラス層の上に隔壁、蛍光体層が形成される。
特開2005−231989号公報
しかし、前記透明誘電体層の透明性に対する要求は近年高くなっており、特許文献1に提案されている無鉛ガラスにはその要求に十分には応えられないおそれがあった。
また、銀電極を被覆したときに銀が電極被覆ガラス層中に拡散して起こる発色現象(銀発色)を十分には抑制できないおそれがあった。
本発明はこのような問題を解決できる電極被覆用ガラスの提供を目的とする。
本発明は、下記酸化物基準のモル%表示で、B 25〜45%、SiO 13〜40%、LiO+NaO+KO 7〜20%、ZnO 0〜30%、CuO+CeO+CoO 0〜5%、MgO+CaO+SrO+BaO 0〜12%、から本質的になり、PbOおよびAlのいずれも含有しない電極被覆用ガラスを提供する。
また、表示面として使用される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成されているPDPであって、前面基板を構成するガラス基板上の透明電極が前記電極被覆用ガラスにより被覆されているPDPを提供する。
本発明者は、ガラスがAlを含有することにより銀発色が起こりやすくなることを見出し、本発明に至った。すなわち、表1のBからCoOまでの欄にモル%表示で示す組成を有するガラスA、B、C、Dについて、後述する銀発色の指標である「Lab系におけるb値」を測定したところAl含有量が0から5、10、15%と増大するにつれb値が次第に増大し銀発色が顕著になることを見出し、本発明に至った。
なお、表1のROはLiO+NaO+KO(単位:モル%)、Tsは軟化点(単位:℃)、αは50〜350℃における平均線膨張係数(単位:/℃)、Tvは後述する「標準C光源による可視光透過率」(単位:%)、濁度は後述するようにして測定されたもの(単位:%)である。
ガラスがAlを含有することにより銀発色が起こりやすくなるのは、Alが軟化したガラスの表面張力を大きくし軟化したガラス中の泡抜けを悪くするためと考えられる。また、前記泡抜けが悪いとガラスペーストまたはグリーンシートに含まれる有機成分が残存しやすくなり、焼成過程で銀電極からガラス層中に拡散した銀が還元され発色しやすくなるためと考えられる。
Figure 2007217271
本発明の電極被覆用ガラス(以下、本発明のガラスという。)を用いてPDP前面基板の電極被覆を行うことにより、PDP前面基板の電極被覆ガラス層(透明誘電体層)の透明性を高くできる。
また、銀電極を被覆したときに銀が電極被覆ガラス層中に拡散して起こる発色現象(銀発色)を抑制しやすくなる。
また、本発明の好ましい態様においては電極被覆ガラス層形成のための焼成を行った基板の反りを小さくすることが可能になる。
本発明のガラスは通常、粉末化して電極被覆に用いられる。なお、粉末化は通常、ガラスを粉砕後分級して行われる。
ガラスペーストを用いて電極被覆を行う場合、粉末化された本発明のガラス(以下、本発明のガラス粉末という。)はビヒクルと混練されガラスペーストとされる。このガラスペーストは、たとえば透明電極等の電極が形成されているガラス基板に塗布、焼成され、当該透明電極を被覆するガラス層が形成される。なお、PDP前面基板の製造においては焼成は典型的には600℃以下の温度で行われる。
グリーンシートを用いて電極被覆を行う場合、本発明のガラス粉末は樹脂と混練され、得られた混練物はポリエチレンフィルム等の支持フィルムの上に塗布されてグリーンシートとされる。このグリーンシートはたとえばガラス基板上に形成された電極上に転写後、焼成され、当該電極を被覆するガラス層が形成される。
本発明のガラス粉末の質量平均粒径(D50)は0.5μm以上であることが好ましい。0.5μm未満では粉末化に要する時間が長くなりすぎるおそれがある。より好ましくは0.7μm以上である。また、前記質量平均粒径は4μm以下であることが好ましい。より好ましくは3μm以下である。
本発明のガラス粉末の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。20μm超では、厚みを通常30μm以下とすることが求められるPDPの電極被覆ガラス層(透明誘電体層)の形成に用いようとすると当該ガラス層の表面に凹凸が発生し、PDPの画像がゆがむおそれがある。より好ましくは10μm以下である。
本発明のガラスのαは60×10−7〜90×10−7/℃であることが好ましく、より好ましくは65×10−7/℃以上または85×10−7/℃以下であり、典型的な態様のひとつとして60×10−7〜75×10−7/℃が挙げられる。
本発明のガラスのTsは650℃以下であることが好ましい。650℃超では600℃以下の温度での焼成によっては透過率の高いガラス層を得にくくなるおそれがある。より好ましくは600℃以下である。
αが60×10−7〜90×10−7/℃かつTsが650℃以下であることが好ましく、典型的な態様としてαが60×10−7〜85×10−7/℃かつTsが600℃以下、αが60×10−7〜75×10−7/℃かつTsが600℃以下であるものが挙げられる。
本発明のガラスは、PDPの前面基板または背面基板の電極被覆ガラス層などに用いられる場合電極被覆ガラス層などを形成するための焼成を行った基板の反りを小さくできるものであることが好ましい。そのようなものでないと、特開2003−331724号公報で提案されているような特殊な方法で焼成後の冷却を行わなければならなくなる。
次に、本発明のガラスの組成についてモル%を単に%と表示して説明する。
はガラスを安定化させる、またはTsを下げる成分であり、必須である。25%未満ではガラス化が困難になる。典型的には30%以上である。反りを小さくしたい場合にはBは35%以上であることが好ましく、典型的には37%以上である。Bが45%超ではTsがかえって高くなる、またはガラス化が困難になる。典型的には42%以下である。
SiOはガラスの骨格をなす成分であり、必須である。13%未満では焼成時に結晶が析出しやすくなる、またはガラス化が困難になる。典型的には15%以上であるが、αを小さくしたい場合などでは25%以上である。40%超ではTsが高くなりすぎる。典型的には38%以下である。反りを小さくしたい場合にはSiOは29%以下であることが好ましく、典型的には28%以下である。
LiO、NaOおよびKOはガラス化しやすくする、またはTsを下げる成分であり、いずれか1種以上を含有しなければならない。これら3成分の含有量の合計ROが7%未満ではTsが高くなる。典型的には9%以上である。反りを小さくしたい場合にはBは10%以上であることが好ましい。ROが20%超ではαが大きくなる。典型的には17%以下、反りを小さくしたい場合には15%以下である。
LiOを含有する場合その含有量は典型的には10%以下である。
NaOを含有する場合その含有量は典型的には10%以下である。
Oは銀発色をより抑制したい場合等には含有することが好ましい。KOを含有する場合その含有量は典型的には1〜15%である。
典型的には、LiOが3〜12%、NaOが0〜7%、KOが3〜10%である。
反りを小さくしたい場合にはLiO、NaOおよびKOについては次のようにすることが好ましい。
LiOは含有しない、またはLiOを含有する場合にはその含有量は4%以下である、もしくはその含有量とROの比(LiO/RO)が0.2以下であることが好ましい。
NaOは含有しない、NaOを含有する場合にはその含有量は7%以下である、またはNaOおよびKOを含有する場合それらの含有量の比(NaO/KO)が0.5以下であることが好ましい。
Oは含有することが好ましく、典型的には3〜14%である。NaOが0〜10%かつKOが3〜14%、NaOが4〜8%かつKOが5〜10%、LiOが1〜4%かつKOが8〜13%、などが典型例である。
反りを小さくしたい場合の典型的な態様として、LiOが0〜4%、NaOが0〜7%、KOが5〜14%であるもの、または、LiOを含有する場合LiO/ROが0.2以下であり、NaOおよびKOを含有する場合NaO/KOが0.5以下であるものが挙げられる。
ZnOは必須ではないが、Tsを下げる、またはαを小さくするために30%以下の範囲で含有してもよい。30%超では焼成時に結晶が析出しやすくなる。典型的には22%以下である。ZnOを含有する場合その含有量は典型的には5%以上である。
反りを小さくしたい場合にはZnOを含有することが好ましく、好ましい含有量の範囲は16〜27%である。より好ましくは25%以下である。
CuO、CeOおよびCoOはいずれも必須ではないが、焼成時における脱バインダが不足して焼成後のガラス中にカーボンが残留してそのガラスが着色する現象を抑制したい場合、または銀発色をより抑制したい場合にはいずれか1種以上をこれら3成分の含有量合計が5%以下の範囲で含有することが好ましい。前記合計が5%を超えるとガラスの着色がかえって顕著になり透明誘電体層の光透過率が低下する。同合計は、好ましくは3%以下、より好ましくは2%以下、典型的には1.5%以下である。
これら3成分のいずれかを含有する場合、CuOを1.5%以下の範囲で含有するもの、CeOを0.7%以下の範囲で含有するもの、または、CoOを0.2%以下の範囲で含有するもの、が典型例として挙げられる。
MgO、CaO、SrOおよびBaOはいずれも必須ではないが、Tsを下げる、αを小さくする等のためにこれら4成分の含有量の合計ROが12%までは含有してもよい。12%超ではガラスが不安定になって焼成時に結晶が析出しやすくなる、ガラス化が困難になるおそれがある、またはαが大きくなりやすくなる。ROは、好ましくは11%以下であり、典型例としては3%以下のものが挙げられる。
SiOが20〜40%のときの典型例としてROが0〜4%であるものが挙げられる。
反りを小さくしたい場合の典型的な態様として、Bが35〜45%、SiOが13〜29%、LiO+NaO+KOが10〜17%、LiOが0〜4%、ZnOが16〜27%、CuO+CeO+CoOが0〜3%、MgO+CaO+SrO+BaOが0〜12%、であるものが挙げられる。
本発明のガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。その場合における上記成分以外の成分の含有量の合計は好ましくは15%以下、典型的には10%以下、より典型的には5%以下である。
そのような成分として、TiO、ZrO、SnO、MnO等が例示される。これら成分は通常、α、Ts、化学的耐久性、ガラスの安定性、電極被覆ガラス層の透過率などの調整、銀発色の抑制などの目的で添加される。
なお、PbOは含有しないし、Biは含有しないことが好ましい。
表2、3のBからCoOまでの欄にモル%表示で示した組成となるように原料を調合、混合した。これを、白金坩堝を用いて1250℃にそれぞれ加熱し60分間溶融した。例1〜7、11〜16は実施例、このうち例11〜14は反りが小さい態様の実施例、例8〜10、17〜19は比較例である。
得られた溶融ガラスの一部をステンレス鋼製の型枠に流し込み、徐冷した。徐冷されたガラスを長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、これを試料としてブルカーエイエックスエス社製水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いて前記αを測定した。結果を表に示す(単位:10−7/℃)。
残った溶融ガラスまたはその一部をステンレス鋼製ローラーに流し込んでフレーク化した。得られたガラスフレークをアルミナ製のボールミルで16時間乾式粉砕後、気流分級を行い、D50が2〜4μmであるガラス粉末を作製した。
このガラス粉末を試料として示差熱分析装置(DTA)を用いて前記Tsを測定した。結果を表に示す(単位:℃)。
また、前記ガラス粉末100gを、α−テルピネオール等にエチルセルロースを10質量%溶解した有機ビヒクル25gと混練してペーストインク(ガラスペースト)を作製し、大きさが50mm×75mm、厚みが2.8mmであるソーダライムシリケートガラス基板(α:87×10−7/℃)上に、焼成後の膜厚が20μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥した。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で570℃まで加熱してその温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上にガラス層を形成した。
このガラス層付きガラス基板について、標準C光源による可視光透過率(Tv)と濁度(ヘイズ)を測定した。結果を表に示す(単位:%)が、Tvは好ましくは80%以上、濁度は好ましくは15%以下である。
また、このガラス層付きガラス基板のガラス層を光学顕微鏡(倍率:100)で観察し、結晶析出の有無を観察したが、いずれのガラス層についても結晶析出は認められなかった。
また、表面に銀電極が形成されているガラス基板を用意し、ガラス層付きガラス基板を作製したときと同様にしてその上にガラス層を形成した。
このようにして得られたガラス層付きガラス基板について、Lab表色系におけるb値をミノルタ社製色彩色度計CR200を用いて測定した。結果を表に示す。なお、銀発色が抑制されているというためにはb値は好ましくは9未満である。
例11〜19については次のようにして基板の反り量(単位:μm)および誘電率を測定した。結果を表3に示す。
基板の反り量:前記ソーダライムシリケートガラス基板の代わりに大きさが100mm×100mm、厚みが1.8mmであるソーダライムシリケートガラス基板を用いた以外は前記ガラス層付きガラス基板を作製したと同様にして反り測定用ガラス層付きガラス基板を作製した。このガラス基板の対角線上の長さ100mmの部分についてその反りを表面粗さ計を用いて測定した。基板の反り量の絶対値は30μm以下であることが好ましい。
誘電率:前記残った溶融ガラスの一部をステンレス鋼製の型枠に流し込み、徐冷した。徐冷されたガラスを直径40mm、厚み3mmの円盤状に加工しその両面に電極としてアルミニウムを蒸着したものをサンプルとし、横河ヒューレットパッカード社製LCRメーター4192Aを用いて電極接触法によって誘電率を測定した。
Figure 2007217271
Figure 2007217271
PDPの透明電極等を被覆するガラスとして利用できる。

Claims (8)

  1. 下記酸化物基準のモル%表示で、B 25〜45%、SiO 13〜40%、LiO+NaO+KO 7〜20%、ZnO 0〜30%、CuO+CeO+CoO 0〜5%、MgO+CaO+SrO+BaO 0〜12%、から本質的になり、PbOおよびAlのいずれも含有しない電極被覆用ガラス。
  2. SiOが20〜40%、MgO+CaO+SrO+BaOが0〜4%である請求項1に記載の電極被覆用ガラス。
  3. Biを含有しない請求項1または2に記載の電極被覆用ガラス。
  4. LiOが3〜10%、NaOが0〜7%、KOが3〜10%である請求項1、2または3に記載の電極被覆用ガラス。
  5. LiOが0〜4%、NaOが0〜7%、KOが5〜14%である請求項1、2または3に記載の電極被覆用ガラス。
  6. LiOを含有する場合LiO/(LiO+NaO+KO)が0.2以下であり、NaOおよびKOを含有する場合NaO/KOが0.5以下である請求項1〜5のいずれかに記載の電極被覆用ガラス。
  7. 50〜350℃における平均線膨張係数が60×10−7〜90×10−7/℃、軟化点が650℃以下である請求項1〜6のいずれかに記載の電極被覆用ガラス。
  8. 表示面として使用される前面基板、背面基板および隔壁によりセルが区画形成されているプラズマディスプレイ装置であって、前面基板を構成するガラス基板上の透明電極が請求項1〜7のいずれかに記載の電極被覆用ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装置。
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