JP5105002B2 - プラズマディスプレイパネル - Google Patents
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Description
ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルに関する。
プラズマディスプレイパネル(以下、PDPと称する)の誘電体層には、酸化鉛を主成分とする低融点ガラスが用いられてきた。近年、環境への配慮から鉛成分を含まない誘電体層が開示されている(例えば、特許文献1参照)。
PDPは、前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層とを有する。誘電体層は、鉛成分を実質的に含まず、酸化マグネシウム(MgO)と二酸化珪素(SiO2)と酸化カリウム(K2O)と、を含む。MgOの誘電体層中の含有量は、0.3モル%以上1.0モル%以下である。SiO2の誘電体層中の含有量は、35モル%以上50モル%以下である。
[1.PDP1の概要]
本実施の形態のPDP1は、交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置されている。前面板2と背面板10とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などの放電ガスが55kPa(400Torr)〜80kPa(600Torr)の圧力で封入されている。
本実施の形態のPDP1は、交流面放電型PDPである。図1に示すように、PDP1は前面ガラス基板3などよりなる前面板2と、背面ガラス基板11などよりなる背面板10とが対向して配置されている。前面板2と背面板10とは、外周部がガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたPDP1内部の放電空間16には、ネオン(Ne)およびキセノン(Xe)などの放電ガスが55kPa(400Torr)〜80kPa(600Torr)の圧力で封入されている。
前面ガラス基板3上には、走査電極4および維持電極5よりなる一対の帯状の表示電極6とブラックストライプ(遮光層)7が互いに平行にそれぞれ複数列配置されている。前面ガラス基板3上には表示電極6とブラックストライプ7とを覆うようにコンデンサとしての働きをする誘電体層8が形成される。さらに誘電体層8の表面に酸化マグネシウム(MgO)などからなる保護層9が形成されている。
走査電極4および維持電極5は、それぞれインジウム錫酸化物(ITO)、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)などの導電性金属酸化物からなる透明電極上にAgからなるバス電極が積層されている。
背面ガラス基板11上には、表示電極6と直交する方向に、銀(Ag)を主成分とする導電性材料からなる複数のアドレス電極12が、互いに平行に配置されている。アドレス電極12は、下地誘電体層13に被覆されている。さらに、アドレス電極12間の下地誘電体層13上には放電空間16を区切る所定の高さの隔壁14が形成されている。隔壁14間の溝には、アドレス電極12毎に、紫外線によって赤色に発光する蛍光体層15、緑色に発光する蛍光体層15および青色に発光する蛍光体層15が順次塗布して形成されている。表示電極6とアドレス電極12とが交差する位置に放電セルが形成されている。表示電極6方向に並んだ赤色、緑色、青色の蛍光体層15を有する放電セルがカラー表示のための画素になる。
なお、本実施の形態において、放電空間16に封入される放電ガスは、10体積%以上30%体積以下のXeを含む。
図2は図1と上下が反転した図である。図2に示すように、フロート法などにより製造された前面ガラス基板3に、走査電極4と維持電極5よりなる表示電極6とブラックストライプ7がパターン形成されている。走査電極4と維持電極5はそれぞれインジウムスズ酸化物(ITO)や酸化スズ(SnO2)などからなる透明電極4a、5aと、透明電極4a、5a上に形成された金属バス電極4b、5bとにより構成されている。金属バス電極4b、5bは透明電極4a、5aの長手方向に導電性を付与する目的として用いられ、銀(Ag)材料を主成分とする導電性材料によって形成されている。
[2.PDP1の製造方法]
[2−1.前面板2の製造方法]
前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォトリソグラフィ法により、形成される。金属バス電極4b、5bの材料には、銀(Ag)と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
[2−1.前面板2の製造方法]
前面ガラス基板3上に、走査電極4および維持電極5とブラックストライプ7とが形成される。透明電極4a、5aと金属バス電極4b、5bは、フォトリソグラフィ法により、形成される。金属バス電極4b、5bの材料には、銀(Ag)と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板3に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
次に、電極ペーストが現像され、バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、電極パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固する。同様に、ブラックストライプ7が形成される。ブラックストライプ7の材料には、黒色顔料を含むペーストが用いられる。
次に、誘電体層8が形成される。誘電体層8の材料には、誘電体ガラスとバインダ成分(樹脂、溶剤など)を含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで走査電極4、維持電極5およびブラックストライプ7を覆うように前面ガラス基板3上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが450℃から600℃程度の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスが溶融、再凝固する。以上の工程によって、誘電体層8が形成される。つまり、誘電体ペーストは、誘電体ガラスの他に、樹脂と溶剤などを含むが、乾燥と焼成によって、誘電体ガラス以外の成分が除去される。したがって、誘電体層8は、実質的に、誘電体ガラスの成分から構成される。
ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などによって、誘電体層8となる膜を形成することもできる。
次に、誘電体層8上に酸化マグネシウム(MgO)などからなる保護層9が形成される。
以上の工程により前面ガラス基板3上に走査電極4、維持電極5、ブラックストライプ7、誘電体層8、保護層9が形成され、前面板2が完成する。
[2−2.背面板10の製造方法]
フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、アドレス電極12が形成される。アドレス電極の材料には、導電性を確保するための銀(Ag)と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固される。以上の工程によって、アドレス電極12が形成される。ここで、アドレス電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板11上に、アドレス電極12が形成される。アドレス電極の材料には、導電性を確保するための銀(Ag)と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板11上に塗布される。次に、乾燥炉によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固される。以上の工程によって、アドレス電極12が形成される。ここで、アドレス電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
次に、下地誘電体層13が形成される。下地誘電体層13の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでアドレス電極12が形成された背面ガラス基板11上にアドレス電極12を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融、再凝固する。以上の工程によって、下地誘電体層13が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などによって、下地誘電体層13となる膜を形成することもできる。
次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁14が形成される。隔壁14の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層13上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融、再凝固される。以上の工程によって、隔壁14が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
次に、蛍光体層15が形成される。蛍光体層15の材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁14間の下地誘電体層13上および隔壁14の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層15が形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
以上の工程により、背面ガラス基板11上に所定の構成部材を有する背面板10が完成する。
[2−3.前面板2と背面板10との組立方法]
まず、表示電極6とアドレス電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。次に、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。
まず、表示電極6とアドレス電極12とが直交するように、前面板2と背面板10とが対向配置される。次に、前面板2と背面板10の周囲がガラスフリットで封着される。次に、放電空間16にNe、Xeなどを含む放電ガスが封入されることによりPDP1が完成する。
[3.誘電体層8の詳細]
近年、PDPは、さらなる高精細化が求められている。高精細化されたPDPは、走査線数が増加して表示電極の数が増加する。すなわち、表示電極間隔が小さくなる。そのため、表示電極を構成する銀電極から誘電体層やガラス基板への銀イオンの拡散が多くなる。銀イオンが誘電体層やガラス基板に拡散すると、誘電体層中のアルカリ金属イオンやガラス基板中に含まれる2価のスズイオンによって還元作用を受け、銀のコロイドを形成する。その結果、誘電体層やガラス基板が、黄色や褐色により強く着色するとともに、酸化銀が還元作用を受けて酸素を発生して誘電体層中に気泡を発生させる。
近年、PDPは、さらなる高精細化が求められている。高精細化されたPDPは、走査線数が増加して表示電極の数が増加する。すなわち、表示電極間隔が小さくなる。そのため、表示電極を構成する銀電極から誘電体層やガラス基板への銀イオンの拡散が多くなる。銀イオンが誘電体層やガラス基板に拡散すると、誘電体層中のアルカリ金属イオンやガラス基板中に含まれる2価のスズイオンによって還元作用を受け、銀のコロイドを形成する。その結果、誘電体層やガラス基板が、黄色や褐色により強く着色するとともに、酸化銀が還元作用を受けて酸素を発生して誘電体層中に気泡を発生させる。
したがって、走査線の数が増加することによって、ガラス基板の黄変や誘電体層中の気泡発生がより顕著になり、画像品質を著しく損なうとともに誘電体層の絶縁不良を発生させる。
しかしながら、環境への配慮から提案された鉛成分を含まない従来の誘電体層では、黄変現象の抑制および誘電体層の絶縁不良の抑制の両方を満たすことができない、といった課題を有していた。
本実施の形態に開示された技術は、上記課題を解決して、高精細表示でも、高輝度、高信頼性を確保し、さらに環境問題に配慮したPDPを実現できる。
誘電体層8は、高い耐電圧かつ高い光透過率を要求される。これらの特性は、誘電体層8の組成に大きく依存する。
従来、誘電体ペーストを450℃から600℃程度で焼成するために、誘電体ガラスには20重量%以上の酸化鉛が含まれていた。しかし、環境への配慮のため、誘電体ガラスは、鉛成分を実質的に含有せず0.5重量%から40重量%程度の酸化ビスマス(Bi2O3)を含有している。
誘電体ガラス中のBi2O3の含有量が増加すると、誘電体ガラスの軟化点が下がる。誘電体ガラスの軟化点が下がると、製造プロセスに様々な利点がある。しかしながら、ビスマス(Bi)系の材料が高価であることから、Bi2O3の添加量を増加させることは、使用する原材料のコスト増加を招く。そこでBi系の材料の代替材料として、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)およびセシウム(Cs)などから選ばれるアルカリ金属の酸化物を用いる技術がある。また、Biの原子量は209である。原子量が大きいと、密度が大きくなる。よって、今後のPDPの特性向上のために求められる低誘電率ガラスの実現が困難になる。したがって、原子量の大きいガラス材料の含有量を低減する必要がある。
[3−1.アルカリ金属の酸化物]
本実施の形態において、誘電体ガラスは、酸化カリウム(K2O)を含有している。さらに、本実施の形態では誘電体ガラスは、さらに酸化リチウム(Li2O)、酸化ナトリウム(Na2O)のうち少なくとも1種を含有してもよい。これは以下の理由に基づいている。一般的なPDPの前面ガラス基板3にはK2OとNa2Oが多く含まれている。そして誘電体層8を550℃以上といった高温で焼成する場合、誘電体ガラスに含まれるK2O、Li2Oと前面ガラス基板3に含まれるNa2Oとでアルカリ金属のイオン(Li+、Na+、K+)の交換作用が起こる。ところがLi+とNa+とK+ではそれぞれガラス基板の熱膨張係数への寄与が異なる。そのため、誘電体層8の焼成にてイオン交換が起こった場合、前面ガラス基板3の誘電体層8近傍の熱収縮量と、前面ガラス基板3の誘電体層8近傍以外の部分の熱収縮量とに差が生じ、その結果、誘電体層8を形成した前面ガラス基板3が大きく反ってしまう。
本実施の形態において、誘電体ガラスは、酸化カリウム(K2O)を含有している。さらに、本実施の形態では誘電体ガラスは、さらに酸化リチウム(Li2O)、酸化ナトリウム(Na2O)のうち少なくとも1種を含有してもよい。これは以下の理由に基づいている。一般的なPDPの前面ガラス基板3にはK2OとNa2Oが多く含まれている。そして誘電体層8を550℃以上といった高温で焼成する場合、誘電体ガラスに含まれるK2O、Li2Oと前面ガラス基板3に含まれるNa2Oとでアルカリ金属のイオン(Li+、Na+、K+)の交換作用が起こる。ところがLi+とNa+とK+ではそれぞれガラス基板の熱膨張係数への寄与が異なる。そのため、誘電体層8の焼成にてイオン交換が起こった場合、前面ガラス基板3の誘電体層8近傍の熱収縮量と、前面ガラス基板3の誘電体層8近傍以外の部分の熱収縮量とに差が生じ、その結果、誘電体層8を形成した前面ガラス基板3が大きく反ってしまう。
これに対し、本実施の形態のように、誘電体ガラスがK2Oを含有する場合、上記のイオン交換が起こったとしても、熱収縮量に差が生じにくく、前面ガラス基板3の反りを低減することができる。この結果、誘電体ガラスに含まれるBi2O3の含有量を5モル%以下に低減させることができる。また、前面ガラス基板3の反りを低減することもできる。以降の記述において、特に説明しない限り、含有量とは、モル%で表現される誘電体ガラス中の含有量を示す。つまり、含有量とは、誘電体層8中の含有量である。
さらに、K2Oの含有量は、6モル%以上10モル%以下であることが好ましい。K2Oの含有量が6モル%以上の場合、誘電体ガラスの軟化点を下げることが容易になる。一方、K2Oの含有量が10モル%を超えると、誘電体層の強度が低下し、また、誘電率が上昇する。
さらに、誘電体ガラスが、K2Oと、さらにLi2O、Na2Oのうち少なくとも1種を含有する場合、前面ガラス基板3の反りを低減することに加えて、誘電体ガラスの軟化点を下げることが容易になる。
さらに、Na2Oの含有量は、0.5モル%以上3モル%以下であることが好ましい。Na2Oの含有量が増加すると、前面ガラス基板3および誘電体層8に黄変が発生しやすくなる。発明者らが評価した結果、Na2Oの含有量が3モル%以下の場合には、黄変が抑制されることがわかった。一方、Na2Oの含有量が0.5モル%以上の場合には、前面ガラス基板3の反りを低減できることがわかった。
さらに、K2Oの含有量が、Li2OとNa2Oの含有量の合計よりも多いと、より好ましい。この構成によれば、前面ガラス基板3の熱膨張係数の変化を抑制して、前面ガラス基板3が大きく反ることを抑制できる。
[3−2.バリウム成分とカルシウム成分]
本実施の形態では、誘電体層8は、実質的にバリウム(Ba)成分、カルシウム(Ca)成分を含まない。これは以下の理由に基づいている。
本実施の形態では、誘電体層8は、実質的にバリウム(Ba)成分、カルシウム(Ca)成分を含まない。これは以下の理由に基づいている。
誘電体材料は、各材料を湿式ジェットミルやボールミルによって粉砕することにより、作製される(後に詳述する)。このとき、Ba成分、Ca成分については原材料として炭酸塩(BaCO3、CaCO3)の形で供給される。炭酸塩に含まれる炭酸基は、溶融時に炭酸ガスとして脱離する。しかし、微量の炭酸ガスが誘電体材料中に溶存する場合がある。
図3および図4は、誘電体層8についてのTDS(昇温脱離ガス分析法)の測定結果である。図3は、質量番号18(H2O)の面積強度を示している。図4は、質量番号44(CO2)の面積強度を示している。実施例は、実質的にBa成分およびCa成分を含まない誘電体層を有する。比較例は、Baを4モル%含有し、さらにCaを4モル%含有した誘電体層を有する。
TDS測定には、WA1000S(電子科学株式会社製)が用いられた。測定チャンバー内の圧力は、1×10-7Paであった。測定サンプルは約1cm角に切断され、チャンバー内に設置された石英ステージ上に、誘電体層が上になるように配置された。測定デバイスである四重極質量分析器は、チャンバー上方に設置されている。サンプルは、赤外線により加熱された。昇温速度は、1℃/sであった。サンプルの温度は、石英ステージ内に埋め込まれた熱電対により測定された。サンプルは、室温から900℃まで昇温された。四重極質量分析器によって、検出された強度値の室温から900℃までの積分値が面積強度である。
図3および図4に示すように、Ba成分とCa成分を含むと、誘電体層にH2OとCO2とがより多く残存することがわかる。H2O、CO2などは、PDP放電時に放電空間中に脱離し、画像表示に必要な駆動電圧に変化を起こす。結果的にPDPの寿命試験で徐々に放電駆動電圧が上昇し、画像表示品質を劣化させる。
このような不具合を防止するため、本実施の形態では、誘電体層8にBa成分、Ca成分を実質的に含まない。
[3−3.MgO]
先述のように、K2O、Li2OおよびNa2Oは、誘電体ガラスの軟化点を下げることが可能である。一方、K2O、Li2OおよびNa2Oで表されるアルカリ金属の酸化物は、金属バス電極4b、5bから拡散される銀イオンの還元作用を促進する。つまり、銀のコロイドが、より多く形成される。よって、誘電体層の着色や気泡の発生という現象が起こる。その結果、PDPの画像品質の劣化や誘電体層の絶縁不良が発生するという課題がある。
先述のように、K2O、Li2OおよびNa2Oは、誘電体ガラスの軟化点を下げることが可能である。一方、K2O、Li2OおよびNa2Oで表されるアルカリ金属の酸化物は、金属バス電極4b、5bから拡散される銀イオンの還元作用を促進する。つまり、銀のコロイドが、より多く形成される。よって、誘電体層の着色や気泡の発生という現象が起こる。その結果、PDPの画像品質の劣化や誘電体層の絶縁不良が発生するという課題がある。
そこで、このような課題に対して本実施の形態は、0.3モル%以上1.0モル%以下のMgOを含有している。MgOは、誘電体ペーストが含有するバインダ成分などを原因とする気泡の発生を抑制することができる。また、誘電体層の絶縁性が向上するとともに、金属バス電極4b、5bの着色が低減できる。MgOの含有量が、0.3モル%より少なければ、上記の効果が得られない。また、MgOの含有量が、1.0モル%より多ければ、誘電体層8の全光線透過率が悪化(以下、失透と称する)する。図5はMgOの含有量に対する誘電体層の突起数を測定した結果と黄変度合いを測定した結果である。MgO含有量の異なる3種の誘電体を上記製造方法と同様の方法にて、金属バス電極を形成した小片基板上に作製した。突起数は、誘電体層焼成後のある一定領域における、直径がある一定径以上の突起の個数である。黄変度合いについては、銀(Ag)による黄変の度合いを色彩計(ミノルタ株;CR−300)によってb*値を測定した。
このように、MgOの含有量が増加するに伴い、誘電体層の突起数が変化し、また同様に黄変度合いを示すb*値が減少していることがわかる。なお、b*値は、MgOの含有量が0モル%の試料が基準である。
気泡の発生を抑制するために、モリブデン(Mo)、タングステン(W)などを添加すると、誘電体層が失透する場合がある。
しかしながら図6に示すように、MgOを添加する場合は、MgOの含有量が1.0モル%を超えるまでは、全光線透過率は、78.5%を下回ることはない。PDPにおける誘電体層8の全光線透過率は78.5%以上であることが望ましい。全光線透過率が、78.5%を下回ると、PDPの輝度が低下する。よって、MgOの含有量が1.0モル%以下ならば失透は、低減される。なお、全光線透過率の測定には、HM−150(株式会社 村上色彩研究所製)が用いられた。本実施の形態において、全光線透過率は、誘電体層8が形成された前面ガラス基板3と直交する方向から入射する波長550nmの光線の透過率である。
図5および図6の評価に用いた誘電体層8は、後述する表1におけるサンプル2の組成を有する。このとき、MgOと、MgOと同じ2価の金属の酸化物であるZnOと、の合計量が等しくなるように誘電体層8の組成が調整された。さらに、MgOとZnO以外の組成は変化していない。よって、図5および図6に示す結果は、MgOの含有量の変化に基づくものと考えられる。
なお、誘電体層8が、Ca成分を含んでいない場合、誘電体層としての酸化力が低下する。これにより誘電体ペーストが含むバインダ成分などの有機材料の燃焼が不十分になる場合がある。この場合、誘電体層の焼成中に気泡が発生し、突起として残存する。しかし、本実施の形態は、0.3モル%以上1.0モル%以下のMgOを含有しているので、誘電体層の絶縁不良は抑制される。
[3−4.SiO2]
本実施の形態は、35モル%以上50モル%以下のSiO2を含有している。SiO2の含有量が大きくなると、誘電体層8の破壊強度が増す。よって、PDPの信頼性が向上する。また、SiO2の含有量が大きくなると、誘電体ガラスの軟化速度が遅くなる。その結果、誘電体層8中に発生する気泡の成長が抑制される。よって、誘電体層8の品質が、より向上する。なお、SiO2の含有量が35モル%より少なくなると上記効果は得られない。また、SiO2の含有量が50モル%を超えると、誘電体層8の焼成温度が上昇し過ぎるので、好ましくない。
本実施の形態は、35モル%以上50モル%以下のSiO2を含有している。SiO2の含有量が大きくなると、誘電体層8の破壊強度が増す。よって、PDPの信頼性が向上する。また、SiO2の含有量が大きくなると、誘電体ガラスの軟化速度が遅くなる。その結果、誘電体層8中に発生する気泡の成長が抑制される。よって、誘電体層8の品質が、より向上する。なお、SiO2の含有量が35モル%より少なくなると上記効果は得られない。また、SiO2の含有量が50モル%を超えると、誘電体層8の焼成温度が上昇し過ぎるので、好ましくない。
なお、破壊強度は、鉄球落下法によって評価された。破壊強度とは、誘電体層8と隔壁14の衝突による誘電体層8および前面ガラス基板3の強度である。まず、前面板2が上になるようにPDP1が水平に配置される。次に、PDP1上の所定の高さに、直径10mmの鉄球が配置される。次に、PDP1に対して、鉄球が落下する。鉄球が落下しても前面板2が破損しなかった場合には、鉄球が配置される高さが上がる。さらに、PDP1に対して、鉄球が落下する。鉄球が落下した結果、前面板2が破損していれば、このとき鉄球が配置された高さが、破壊高さである。破壊高さが高いほど、破壊強度が大きい。
[3−5.サンプル作成]
本実施の形態における誘電体層8の各成分組成比を表1に示す。
本実施の形態における誘電体層8の各成分組成比を表1に示す。
サンプル1は、Bi2O3を含有する。サンプル2は、Bi2O3を含有しない。Bi2O3を含有しない場合には、B2O3の含有量が上昇する。
これらの組成成分からなる誘電体ガラスを、湿式ジェットミルやボールミルで平均粒径が0.5μm〜3.0μmとなるように粉砕することにより、誘電体ガラス粉末が作製される。次に誘電体ガラス粉末50重量%〜65重量%と、バインダ成分35重量%〜50重量%とが三本ロールで混練される。このようにダイコート用あるいは印刷用の誘電体ペーストが作製される。
バインダ成分はエチルセルロースあるいはアクリル樹脂1重量%〜20重量%を含むターピネオールあるいはブチルカルビトールアセテートである。また、ペースト中には、必要に応じて可塑剤としてフタル酸ジオクチル、フタル酸ジブチル、リン酸トリフェニル、リン酸トリブチルを添加し、分散剤としてグリセロールモノオレート、ソルビタンセスキオレヘート、ホモゲノール(Kaoコーポレーション社製品名)、アルキルアリル基のリン酸エステルなどを添加して印刷性を向上させてもよい。
次に、この誘電体ペーストが、表示電極6を覆うように前面ガラス基板3にダイコート法あるいはスクリーン印刷法で印刷される。次に、印刷された誘電体ペーストが乾燥される。その後、誘電体ペーストが焼成される。焼成温度は、誘電体材料の軟化点より少し高い温度の575℃〜590℃である。なお、誘電体層8の膜厚が小さいほどパネル輝度の向上と放電電圧を低減するという効果は顕著になる。よって、絶縁耐圧が低下しない範囲内であればできるだけ膜厚を小さく設定することが望ましい。このような条件と可視光透過率の観点から、本実施の形態では、誘電体層8の膜厚を41μm以下に設定している。
サンプル1およびサンプル2の誘電体層8を有するPDP1は、黄変現象の抑制および誘電体層8の絶縁不良の抑制の両方を満たすことができた。
なお、以上に述べた各材料組成の含有量数値は、誘電体ガラスでは±0.05モル%程度の測定誤差が存在する。焼成後の誘電体層では±0.1モル%程度の測定誤差が存在する。これらの誤差を含んだ数値範囲の含有量での材料組成においても、本実施の形態と同様の効果は得られる。また、鉛成分、ビスマス成分、バリウム成分、カルシウム成分について「実質的に含有しない」ということは、不純物レベルの鉛成分、ビスマス成分、バリウム成分、カルシウム成分を含有してもよいことを意味する。
以上のように本実施の形態に開示された技術は、環境に配慮しかつ高信頼性を有するPDPを実現して大画面の表示デバイスなどに有用である。
1 PDP
2 前面板
3 前面ガラス基板
4 走査電極
4a,5a 透明電極
4b,5b 金属バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 ブラックストライプ
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面ガラス基板
12 アドレス電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
2 前面板
3 前面ガラス基板
4 走査電極
4a,5a 透明電極
4b,5b 金属バス電極
5 維持電極
6 表示電極
7 ブラックストライプ
8 誘電体層
9 保護層
10 背面板
11 背面ガラス基板
12 アドレス電極
13 下地誘電体層
14 隔壁
15 蛍光体層
16 放電空間
Claims (3)
- 前面板と、
前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、
前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層とを有し、
前記誘電体層は、鉛成分を実質的に含まず、MgOとSiO2とK2Oと、を含み、
前記MgOの前記誘電体層中の含有量は、0.3モル%以上1.0モル%以下であり、
前記SiO2の前記誘電体層中の含有量は、35モル%以上50モル%以下であり、
前記誘電体層は、さらにNa 2 OとLi 2 Oのうち少なくとも一種を含み、
前記Na 2 Oの前記誘電体層中の含有量は、3モル%以下であり、
前記誘電体層は、バリウム成分とカルシウム成分とを実質的に含まない、
プラズマディスプレイパネル。 - 前記K2Oの前記誘電体層中の含有量は、6モル%以上である、
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。 - 前記誘電体層は、ビスマス成分を実質的に含まない、
請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
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