JP2002531956A - 蛍光体組成物を有する発光デバイス - Google Patents

蛍光体組成物を有する発光デバイス

Info

Publication number
JP2002531956A
JP2002531956A JP2000585942A JP2000585942A JP2002531956A JP 2002531956 A JP2002531956 A JP 2002531956A JP 2000585942 A JP2000585942 A JP 2000585942A JP 2000585942 A JP2000585942 A JP 2000585942A JP 2002531956 A JP2002531956 A JP 2002531956A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
phosphor
light
phosphor composition
emission peak
composition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000585942A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2002531956A5 (ja
Inventor
スリバスタバ,アロク・マニ
レビンソン,ライオネル・モンティー
ビアーズ,ウィリアム・ウィンダー
ドゥガル,アニル・ラジ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of JP2002531956A publication Critical patent/JP2002531956A/ja
Publication of JP2002531956A5 publication Critical patent/JP2002531956A5/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7729Chalcogenides
    • C09K11/7731Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7767Chalcogenides
    • C09K11/7768Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/7774Aluminates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7766Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
    • C09K11/778Borates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784Chalcogenides
    • C09K11/7786Chalcogenides with alkaline earth metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7784Chalcogenides
    • C09K11/7787Oxides
    • C09K11/7789Oxysulfides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7794Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02BCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】蛍光体組成物を含む光源、及びLED又はレーザーダイオードのような発光デバイス。 【解決手段】蛍光体組成物は、第一のスペクトルを有する放射線を吸収し第二のスペクトルを有する放射線を放出し、YBO3:Ce3+,Tb3+、BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+及びY3Al512−Ce3+の少なくとも1種類、並びにY22S:Eu3+,Bi3+、YVO4:Eu3+,Bi3+、SrS:Eu2+、SrY24:Eu2+、CaLa24:Ce3+及び(Ca,Sr)S:Eu2+の少なくとも1種類を含んでいる。蛍光体組成物と光源は協同で、3000〜6500°Kの色温度、約83〜87の演色評価数、及び約10〜20ルーメン/ワットのデバイス視感度を始めとする好ましい特性を有する白色光を発生することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は概して発光デバイスに関するものであり、具体的には蛍光体で被覆さ
れた発光ダイオード(LED)又はレーザーダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
固体光源は既に多年にわたって利用されている。その色は主として赤、橙及び
緑であった。この数年来、青色LEDも製造されるようになった。赤色、緑色及
び青色LEDの組合せによって、複雑な4リードパッケージで白色光の生成が可
能になった。しかし、これら異なるLEDは異なるルーメン−寿命曲線をもって
おり、そのため寿命と共に色が変化する。1996年秋に日亜化学工業は新しい
白色LED(製品番号NSPW310AS)を導入した。この製品はセリウムを
ドープしたイットリウム・アルミニウム・ガーネットを用いてLEDの青色光を
帯域の非常に広い黄色光に変換する。発光ピークは580nmで、半値幅は16
0nmである。この蛍光体はLEDを直接被覆している。デバイス全体は透明な
プラスチックレンズ内に封入されている。発光は約8000°Kの色温度、約7
7の演色評価数(CRI)、及び入力電力1ワット当たり約5ルーメン(lm/
w)のデバイス視感度の白色光を発生するのに十分な橙色光を含んでいる。
【0003】 照明特性の嗜好は地域毎に異なり得ることがよく知られている。例えば、世界
には高い色温度が好まれる地方もあれば、低い色温度が好まれる地方もある。同
様に、ある地方では90台中頃のCRIが好まれるのに対して、他の地方では8
0台中頃のCRIが好まれる。従って、具体的な好みに合わせてランプの出力特
性を適合させることが望ましい。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
日亜によって製造された白色LEDの色温度は、さらに多数の蛍光体を用いる
ことによって低くすることができるが、系の効率も低下する。デバイス視感度の
高い蛍光体被覆LEDに対するニーズが存在しているとともに、かかるLEDで
色温度の低いものに対するニーズもある。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの例示的実施形態による発光デバイスは、青色LEDを蛍光体含
有被膜で被覆してなるものであり、該蛍光体含有被膜は緑色蛍光体と赤色蛍光体
とを含有しており、上記緑色蛍光体と上記赤色蛍光体は上記青色光LEDにより
励起可能である。
【0006】 本発明は、第一のスペクトルを有する放射線を吸収して第二のスペクトルを有
する放射線を放出する蛍光体組成物であって、YBO3:Ce3+,Tb3+、Ba
MgAl1017:Eu2+,Mn2+、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu 2+ 、及びY3Al512−Ce3+の少なくとも1種類と、Y22S:Eu3+,Bi 3+ 、YVO4:Eu3+,Bi3+、SrS:Eu2+、SrY24:Eu2+、(Ca,
Sr)S:Eu2+、及びCaLa24:Ce3+の少なくとも1種類とを含んでな
る蛍光体組成物にも関する(ここで、符号コロンの後の元素は賦活剤を示す)。
【0007】 さらに、本発明は、Y22S:Eu3+,Bi3+を含んでなる新規な蛍光体組成
物にも関する。
【0008】 また、本発明は、YVO4:Eu3+,Bi3+を含んでなる新規な蛍光体組成物
にも関する。
【0009】 本発明は、また、蛍光体組成物と、LEDやレーザーダイオードのような発光
デバイスとを含んでなるランプにも関する。そのLED又はレーザーダイオード
は第一のスペクトルを有する放射線を放出し、その少なくとも一部は蛍光体組成
物に吸収される。蛍光体組成物は、第二のスペクトルを有する放射線を放出し、
YBO3:Ce3+,Tb3+、BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、(Sr,Ca
,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+、及びY3Al512−Ce3+の少なくとも1
種類と、Y22S:Eu3+,Bi3+、YVO4:Eu3+,Bi3+、SrS:Eu2 + 、SrY24:Eu2+、(Ca,Sr)S:Eu2+、及びCaLa24:Ce3+
の少なくとも1種類とを含んでなる。
【0010】 本発明は、さらに、青色光LEDと、SrS:Eu2+,Ce3+,K+を含んで
なる蛍光体組成物とを含んでなる発光デバイスにも関する。SrS:Eu2+,C
3+,K+蛍光体は、青色光によって励起されると、赤色光と緑色光とを含んだ
広帯域スペクトルを放出する。
【0011】 また、本発明は、白色光を発生させる方法であって、光を発生させる段階、そ
の光を、YBO3:Ce3+,Tb3+、BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、(S
r,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+、及びY3Al512−Ce3+の少な
くとも1種類と、Y22S:Eu3+,Bi3+、YVO4:Eu3+,Bi3+、Sr
S:Eu2+、SrY24:Eu2+、CaLa24:Ce3+、及び(Ca,Sr)S
:Eu2+の少なくとも1種類とを含んでなる蛍光体組成物に当てる段階、及び上
記蛍光体組成物によって上記光の少なくとも一部を異なるスペクトルを有する光
に変換する段階を含んでなる方法にも関する。
【0012】 かかる蛍光体組成物と光源は協同で、3000〜4100°Kの色温度、70
を上回る演色評価数、通例80を上回る(例えば約83〜87)の演色評価数、
及び入力電力1ワット当たり約10〜20ルーメンのデバイス視感度を始めとす
る好ましい特性を有する白色光を発生することができる。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のその他の特徴及び利点は以下の詳細な説明及び添付の図面から明らか
となろう。
【0014】 特記した場合と自明である場合を除き、部とあるのは重量部であり、パーセン
トは重量%である。好ましい範囲が例えば5〜25と記載されている場合、これ
は好ましくは5以上であってかつ好ましくは25以下であることを意味している
【0015】 光源の出力スペクトルを記述するのに用いる重要なパラメーターの幾つかは色
温度、演色評価数及びデバイス視感度である。出力スペクトルの色温度は光源の
色を正確に表現するものではない。光源の色温度とは、問題とする光源と最もよ
く一致する色をもつ黒体の温度をいう。色合わせは、通例、慣用のCIE(国際
照明委員会、Commission International de l'Eclairage)色度図で表示・比較
される。例えば、“Encyclopedia of Physical Sc
ience and Technology”,第7巻230〜231頁(Ro
bert A. Meyers編、1987年)を参照されたい。一般に、色温
度が高いほど光は青くなる。色温度が低くなると光は赤く見える。
【0016】 演色評価数(CRI)は、問題とする光源を用いて測定したときの一組の標準
顔料の見かけの色と標準光源下で測定したときの色とのずれの程度を示す尺度で
ある。CRIは、問題とする光源で生じた標準光源からの色のシフトを計算する
(例えば、三刺激値として定量化する)ことによって決定できる。通常、500
0°K未満の色温度については、用いる標準光源は適当な温度の黒体である。5
000°Kを上回る色温度については、通例太陽光が標準光源として用いられる
。白熱灯のように比較的連続した出力スペクトルを有する光源は通例高いCRI
を示し、例えば100又はそれに近いCRIを有する。高圧放電灯のような多重
線(multi-line)出力スペクトルを有する光源は通例約50〜80の範囲のCRI
を有する。蛍光灯は通例CRIが約60より大きい。
【0017】 デバイス視感度は、ランプの出力光束をランプの入力電力で除した値として定
義される。ランプのデバイス視感度は、分光視感度(出力光束を入射放射束で除
したもの)、デバイス効率(LEDの出力放射束をLEDの入力電力で除したも
の)、蛍光体組成物の量子効率(蛍光体の放出した光子の数を蛍光体の吸収した
光子の数で除したもの)、及び放出光の振動数の減少に付随したエネルギー損失
(hΔνに等しく、ここでhはプランク定数、Δνは光の振動数の変化である)
を考慮に入れたものである。
【0018】 本発明の例示的実施形態には、心地よい特性をもった白色光を協同して発生す
るLEDと蛍光体組成物が含まれる。例えば、LEDと蛍光体組成物は特に30
00〜6500°Kの色温度、例えば3000°K、3500°K、4100°
K、5000°K及び6500°K等の色温度を有する光を発生できる。例示的
な蛍光体組成物は、比較的高いCRI、例えば通例70より大、好ましくは80
より大、例えば83〜87のCRI、及び高いデバイス視感度、例えば入力電力
1ワット当たり10〜20ルーメン以上のデバイス視感度も生ずることができる
【0019】 図1に、蛍光体被覆LEDすなわち発光デバイス10を示すが、デバイス10
は、蛍光体含有層すなわち被膜14で被覆された青色LED12(蛍光体被膜は
LEDを直接被覆している)と、透明ポリマーレンズ16とを有する。図2を参
照すると、蛍光体含有層すなわち被膜15(蛍光体をポリマー中に埋込したもの
)で被覆された青色LED12と、層15上に成形した透明ポリマーレンズ16
とを有する蛍光体被覆LEDすなわち発光デバイス10が示してある。レンズ1
6は、その中を伝播する光を散乱する拡散レンズであってもよい。また、レンズ
16と層15は例えばシリコーン材料からなるものでもよい。
【0020】 青色LED12は発光ピークが420〜470nm、より典型的には430〜
460nm、さらに典型的には440〜450nm、場合によっては約450〜
470nmにあり、通常その半値幅は70nm以下、より典型的には50nm以
下、さらに典型的には30nm以下である。このタイプの青色LEDは当技術分
野で公知であり、その好ましい例は日本の日亜化学工業から製品番号NSCB1
00として入手できる。LED12はデバイス効率(LEDの出力放射束を入力
電力で除したもの)が少なくとも4%であるのが好ましく、より好ましくは6%
以上、さらに好ましくは8%以上である。青色LEDは当技術分野で広く知られ
ている。
【0021】 本発明の一つの例示的実施形態では、上記日亜の製品の黄色発光イットリウム
・アルミニウム・ガーネットの代わりに、一方が緑色光を発し、他方は赤色光を
発する2種類の青色光励起(すなわち、LED12から放出される青色光で励起
される)蛍光体を組み合わせて用いる。これらの新しい発光はLEDからの青色
光と組合わさって三刺激機能(tristimulus functions)のピークに近いので、こ
れらは従来のデバイスで用いた蛍光体より効率が高く演色効果が良好な光を発生
する。緑色蛍光体と赤色蛍光体は、それらが青色LEDによって励起されるよう
に選択する。緑色蛍光体は通常発光ピークが510〜560nm、より典型的に
は530〜555nm、さらに典型的には540〜550nm、例えば約545
nmにあり、その半値幅は60nm以下、典型的には50nm以下、35nm以
下、20nm以下、10nm以下、又は5nm以下である。また、赤色蛍光体は
通常発光ピークが600〜630nm、より典型的には610〜625nm、さ
らに典型的には610〜615nm、場合によっては約611nmにあり、その
半値幅は100nm以下、典型的には60nm以下、50nm以下、20nm以
下、10nm以下、又は5nm以下である。蛍光体含有層14、15はこれらの
緑色蛍光体と赤色蛍光体とを含有している。通常これらの蛍光体は2〜5マイク
ロメートルの粒度をもつのが好ましい。
【0022】 蛍光体組成物の一例は、緑色蛍光体YBO3:Ce3+,Tb3+、BaMgAl1 017:Eu2+,Mn2+、及び(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+
少なくとも1種類を、赤色蛍光体Y22S:Eu3+,Bi3+、YVO4:Eu3+
,Bi3+、SrS:Eu2+、SrY24:Eu2+、CaLa24:Ce3+、及び
(Ca,Sr)S:Eu2+の少なくとも1種類と組み合わせて含んでいる。
【0023】 上記蛍光体で、コロンの後の元素は賦活剤を示す。(A,B,C)という表記
は(Ax,By,Cz)を意味し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1で、x+
y+z=1である。例えば、(Sr,Ca,Ba)は(Srx,Cay,Baz
を意味し、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1で、x+y+z=1である。通
常x、y、zはいずれもゼロではない。(A,B)という表記は(Ax,By)を
意味し、0≦x≦1、0≦y≦1で、x+y=1である。通常x、yはいずれも
ゼロではない。
【0024】 緑色蛍光体は青色光で励起されたとき次の特性を有する。YBO3:Ce3+
Tb3+の場合、発光ピークが約545nm、半値幅が約2nmであり、BaMg
Al1017:Eu2+,Mn2+の場合、発光ピークが約515nm、半値幅が約5
0nmであり、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の場合、発光ピー
クが約540nm、半値幅が約50nmである。
【0025】 赤色蛍光体は青色光で励起されたとき次の特性を有する。Y22S:Eu3+
Bi3+の場合、発光ピークが約620nm、半値幅が約2nmであり、YVO4
:Eu3+,Bi3+の場合、発光ピークが約620nm、半値幅が約2nmであり
、SrS:Eu2+の場合、発光ピークが約610nm、半値幅が約70nmであ
り、(Ca,Sr)S:Eu2+の場合、発光ピークが約610nm、半値幅が約5
0nmであり、SrY24:Eu2+の場合、発光ピークが約645nm、半値幅
が約100nmであり、CaLa24:Ce3+の場合、発光ピークが約600n
m、半値幅が約100nmである。
【0026】 これらの赤色蛍光体と緑色蛍光体は、LEDの放出する青色光との組合せにお
いて適切な白色光を発する重量比でブレンドするのが好ましく、例えば、約30
00°Kの白色光の場合は(赤対青の重量比で)約45/20とし、約3500
°Kの場合は約45/22とし、約4100°Kの場合は約34/25とし、約
5000°Kの場合は約27/25とし、約6500°Kの場合は約20/25
とする。また、所望の発光はEu3+(赤)とTb3+(緑)でも得ることができる
。緑色光の場合の別の賦活剤としてMn2+とEu2+がある。
【0027】 赤色蛍光体のY22S:Eu3+,Bi3+とYVO4:Eu3+,Bi3+は比較的
狭い出力スペクトルをもち、例えば半値幅は約5nm未満、典型的には約2nm
である。緑色蛍光体のYBO3:Ce3+,Tb3+も比較的狭い出力スペクトルを
もち、例えば半値幅は約5nm未満、典型的には約2nmである。Y22S:E
3+,Bi3+及び/又はYVO4:Eu3+,Bi3+とYBO3:Ce3+,Tb3+
の組合せは、青色光を効率よく光束に変換する蛍光体組成物となる。これらの蛍
光体の効率は異なる波長の光に対して目の感度が異なることに関連している。ス
ペクトルの赤色領域において約650nmを超える波長では目の感度が急激に低
下する。広帯域赤色蛍光体はかなりの部分が目に感じられない650nmより長
い発光となるような発光スペクトルを示し得る。Y22S:Eu3+,Bi3+やY
VO4:Eu3+,Bi3+のようなシャープな線の赤色蛍光体では、発光スペクト
ルのほとんど全部が、赤色光に対して目の感度が最も高い領域内にあり、広帯域
赤色蛍光体より高い光束が発生する。一般に緑色波長では目の感度が赤色波長で
のように急激には低下しないので、緑色蛍光体がシャープな線の発光をもつかど
うかはそれほど重要ではない。しかし、スペクトルの感度の最も高い緑色領域(
555nm)付近にシャープな線発光をもつYBO3:Ce3+,Tb3+のような
蛍光体も効率よく光束を生ずる。
【0028】 赤色蛍光体のY22S:Eu3+,Bi3+を製造するには化学量論量のY23
Eu23、Bi23及びV25を混合し、ボールミルで約2時間粉砕すればよい
。次に、この混合物を約1000℃の炉で約10時間空気焼成する。ビスマスの
混入により、この蛍光体により吸収される光の波長が長くなり、その結果青色光
が吸収されるようになる。
【0029】 赤色蛍光体のYVO4:Eu3+,Bi3+を製造するには化学量論量のY23
Eu23及びBi23を混合し、ボールミルで約2時間粉砕すればよい。次に、
この混合物をH2Sの雰囲気中で約3時間約1000℃に加熱する。ビスマスの
混入により、この蛍光体により吸収される光の波長が長くなり、その結果青色光
が吸収されるようになる。
【0030】 本発明の別の例示的実施形態では、青色LEDを白色蛍光体と組み合わせて白
色光を発生させる。白色蛍光体の一例はSrS:Eu2+,Ce3+,K+であり、
これは図4に示されているように広い発光を示す。SrS:Eu2+,Ce3+,K + は適切な励起、例えば約425〜430nmで発光する青色LEDと組み合わ
せて用いて白色光を発生させることができる。ここで、スペクトルの赤色部分は
SrS:Eu2+から、スペクトルの青色部分はSrS:Ce3+から得られる。
【0031】 本発明の別の例示的実施形態では、青色LEDを黄色蛍光体及び赤色蛍光体と
組み合わせて白色光を発生させる。通常、この黄色蛍光体は発光ピークが約57
0〜590nmであり、赤色蛍光体は発光ピークが約600〜650nmである
。第一の蛍光体は例えばセリウムをドープしたイットリウム−アルミニウム−ガ
ーネット(Y3Al512−Ce3+)からなっていてもよく、これは約580nm
に半値幅約160nmの発光ピークを有する比較的広い黄色スペクトルを放出す
る。第二の蛍光体は赤色光を放出し、上述した赤色蛍光体のY22S:Eu3+
Bi3+、YVO4:Eu3+,Bi3+、SrS:Eu2+、SrY24:Eu2+、C
aLa24:Ce3+、及び(Ca,Sr)S:Eu2+の少なくとも1種類からなる
ことができる。
【0032】 これらの赤色蛍光体と黄色蛍光体は、LEDの放出する青色光との組合せで適
切な白色光を発生する重量比でブレンドするのが好ましく、例えば、約3000
°Kの白色光の場合は(赤対黄の重量比で)約45/20とし、約3500°K
の場合は約42/22とし、約4100°Kの場合は約34/25とし、約50
00°Kの場合は約27/25とし、約6500°Kの場合は約20/25とす
る。
【0033】 蛍光体含有層をLEDに施工するには、赤色蛍光体と緑色もしくは黄色(以下
「緑色/黄色」とする)蛍光体とを、又は白色蛍光体(SrS:Eu2+,Ce3+ ,K+)を適切なブレンダーでドライブレンドした後液体懸濁媒質に加えてもよ
いし、或いは個々の蛍光体を液体懸濁液、例えば工業用ラッカーに使われている
ニトロセルロース/酢酸ブチルバインダーと溶剤の溶液に加えてもよい。その他
にも、水に適当な分散剤及びポリエチレンオキサイドのような増粘剤又はバイン
ダーを加えたものを始めとする種々の液体を使用し得る。蛍光体含有懸濁液をな
んらかの方法でLED上に塗布・被覆し、乾燥する。層15(図2参照)を得る
には、適切な液体ポリマー系、例えばポリプロピレン、ポリカーボネート又はポ
リテトラフルオロエチレン中で1種類以上の蛍光体を一緒にし、その後LEDに
塗布し、乾燥し、固化し、硬化させる。場合により、この液体ポリマー系は、L
EDに対する熱障害を最小にするためにUV(紫外線)硬化又は室温硬化させる
ことができる。その後、被覆LEDの上に、ポリカーボネートその他の剛性透明
プラスチックのような適切なプラスチックで作成された透明ポリマーレンズ16
を成形する。レンズ16はさらに、光がデバイスから容易に出ていくように反射
防止層で被覆してもよい。
【0034】 蛍光体コーティング全体の厚さは、青色放射線のほとんどを吸収する一方多少
の青色放射線は透過又は通過させて所望の色又は白色の光を与えるようにするべ
きである。
【0035】 好ましさには幾分劣るが、緑色/黄色蛍光体を赤色蛍光体層とは別個の層とし
てLED上に設けてもよい(これらの層は一緒になって緑色/黄色及び赤色蛍光
体含有被膜を形成する)。ただし、緑色/黄色及び赤色蛍光体の総量は上記した
量と変わらないのが好ましい。
【0036】 電流を流すと、LEDが青色光を発生し、その少なくとも一部は赤色光及び緑
色/黄色光に変換される。青色光、赤色光及び緑色/黄色光が組み合わさって好
ましい組合せのパラメーター、例えば3000〜6500°Kの色温度、70よ
り大きく、通常は80より大きく、例えば約83〜87のCRI、及び入力電力
1ワット当たり10〜20ルーメンのデバイス視感度を有する好ましい白色光を
発生する。
【0037】 本発明の好ましい蛍光体被覆LEDでは、効率4%の青色LEDを用いて50
00°Kの色温度で1ワット当たり11ルーメンが得られる。LEDの効率が増
大すると、本発明のデバイスの1ワット当たりのルーメンが比例して増大する。
本発明では、3波長形蛍光ランプと同様に、光源の視感度が最適化される。本発
明では、通電などで付勢すると3波長形蛍光ランプと同様な白色光が発生する。
赤色成分及び緑色/黄色成分は赤色蛍光体及び緑色/黄色蛍光体から、又は白色
蛍光体(SrS:Eu2+,Ce3+,K+)から得られ、青色成分は青色LEDか
ら得られる。
【0038】 図3に発光デバイスのさらに別の例示的実施形態30を示す。この例は青色光
レーザーダイオード32、透過体36及び蛍光体層34を含んでいる。この青色
光レーザーダイオード32は発光ピークが420〜470nm、より典型的には
430〜460nm、さらに典型的には440〜450nmにあり、その半値幅
は通常10nm未満、より典型的には5nm未満である。青色レーザーダイオー
ドは当技術分野で公知である。例えば、米国特許第5583879号、第560
4763号及び第5644584号並びにShuji Nakamura an
d Gerhard Fasol,“The Blue Laser Diod
e”1997年を参照されたい。
【0039】 透過体36はポリカーボネートその他の剛性透明プラスチックのような適切な
プラスチック又は例えばシリコーン材料で形成することができる。透過体36は
透明であってもよいし、或いはその中を通過する光を散乱する拡散体であっても
よい。蛍光体層34は前述したように白色蛍光体からなるか又は赤色蛍光体と緑
色/黄色蛍光体からなり、レーザーダイオードからの青色光を効率よく吸収する
【0040】 また、発光デバイス30は、例えばガラス又はポリマー又はシリコーン材料か
らなる透過性材料中に埋め込まれた散乱粒子38を複数個含んでいてもよい。こ
れら散乱粒子は、例えばBaikowski社から入手できるCR30アルミナ
粉末のようなAl23粒子又はTiO2粒子からなることができる。これら粒子
38はレーザーダイオード32から放出されたコヒーレントな光を有効に散乱し
、吸収量は無視できる。拡散散乱したレーザー光と蛍光体材料とのカップリング
は蛍光体材料の光学的飽和効果と物理的損傷を低減するのに有利である。
【0041】 以上本発明の好ましい態様について説明して来たが、本明細書に開示し特許請
求の範囲に記載した本発明の範囲から逸脱することなく各種の修正が考えられる
ものと理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の蛍光体被覆LEDの概略立面断面図である。
【図2】 本発明の蛍光体被覆LEDの概略立面断面図である。
【図3】 本発明の別の例示的実施形態による蛍光体組成物とレーザーダイオードを含む
ランプの概略立面断面図である。
【図4】 蛍光体SrS:Eu2+,Ce3+,K+の発光スペクトルである。
【符号の説明】
10 蛍光体被覆発光デバイス(LED) 12 青色LED 14、15 蛍光体含有被膜 16 透明ポリマーレンズ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ,BA, BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU,C Z,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD,GE ,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS, JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,L R,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN ,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU, SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,T R,TT,UA,UG,UZ,VN,YU,ZW (72)発明者 ビアーズ,ウィリアム・ウィンダー アメリカ合衆国、44026、オハイオ州、チ ェスターランド、チャピン・ストリート、 11481番 (72)発明者 ドゥガル,アニル・ラジ アメリカ合衆国、12309、ニューヨーク州、 ニスカユナ、アルゴンクウィン・ロード、 2322番 Fターム(参考) 5F041 AA12 DA46 DA57 DA58 EE25 FF11 5F073 AB21 BA09 FA29

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 青色LEDを蛍光体含有被膜で被覆してなる発光デバイスで
    あって、上記蛍光体含有被膜が緑色蛍光体と赤色蛍光体とを含有しており、上記
    緑色蛍光体及び上記赤色蛍光体が上記青色LEDによって励起可能なものである
    、デバイス。
  2. 【請求項2】 前記青色LEDが420〜470nmに半値幅70nm以下
    の発光ピークを有する、請求項1記載のデバイス。
  3. 【請求項3】 前記緑色蛍光体が530〜555nmに半値幅35nm以下
    の発光ピークを有する、請求項1記載のデバイス。
  4. 【請求項4】 前記赤色蛍光体が610〜625nmに半値幅20nm以下
    の発光ピークを有する、請求項1記載のデバイス。
  5. 【請求項5】 前記緑色蛍光体が530〜555nmに半値幅35nm以下
    の発光ピークを有し、前記赤色蛍光体が610〜625nmに半値幅20nm以
    下の発光ピークを有する、請求項2記載のデバイス。
  6. 【請求項6】 前記デバイスが付勢時に、CRIが70を上回る白色光を発
    生する、請求項5記載のデバイス。
  7. 【請求項7】 さらに、前記蛍光体含有被膜の上に透明なポリマーレンズを
    含んでなる、請求項6記載のデバイス。
  8. 【請求項8】 前記デバイスが付勢時にCRIが80を上回る、請求項5記
    載のデバイス。
  9. 【請求項9】 前記赤色蛍光体が約611nmに発光ピークを有する、請求
    項5記載のデバイス。
  10. 【請求項10】 前記緑色蛍光体が約545nmに発光ピークを有する、請
    求項9記載のデバイス。
  11. 【請求項11】 第一のスペクトルを有する放射線を吸収して第二のスペク
    トルを有する放射線を発光する蛍光体組成物であって、 YBO3:Ce3+,Tb3+、 BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、 (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+、及び Y3Al512−Ce3+ の少なくとも1種類、並びに Y22S:Eu3+,Bi3+、 YVO4:Eu3+,Bi3+、 SrS:Eu2+、 SrY24:Eu2+、 CaLa24:Ce3+、及び (Ca,Sr)S:Eu2+ の少なくとも1種類を含んでなる、蛍光体組成物。
  12. 【請求項12】 当該蛍光体組成物が(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24 :Eu2+と(Ca,Sr)S:Eu2+とを含んでなる、請求項11記載の蛍光体組
    成物。
  13. 【請求項13】 当該蛍光体組成物がY3Al512−Ce3+とSrS:Eu 2+ とを含んでなる、請求項11記載の蛍光体組成物。
  14. 【請求項14】 当該蛍光体組成物がY22S:Eu3+,Bi3+及びYVO 4 :Eu3+,Bi3+の少なくとも1種類を含んでなる、請求項11記載の蛍光体
    組成物。
  15. 【請求項15】 当該蛍光体組成物がYBO3:Ce3+,Tb3+を含んでな
    る、請求項14記載の蛍光体組成物。
  16. 【請求項16】 前記第一のスペクトルが青色光を含んでなる、請求項11
    記載の蛍光体組成物。
  17. 【請求項17】 前記青色光が約450〜約470nmに発光ピークを有す
    る、請求項16記載の蛍光体組成物。
  18. 【請求項18】 前記第二のスペクトルが約570〜590nmに発光ピー
    クを有する第一成分と約600〜650nmに発光ピークを有する第二成分とを
    含んでなる、請求項11記載の蛍光体組成物。
  19. 【請求項19】 前記第二のスペクトルが約540〜550nmに発光ピー
    クを有する第一成分と約610〜615nmに発光ピークを有する第二成分とを
    含んでなる、請求項11記載の蛍光体組成物。
  20. 【請求項20】 発光デバイスと、 発光デバイスからの第一のスペクトルを有する放射線を吸収して第二のスペク
    トルを有する放射線を発光する蛍光体組成物とを含んでなるランプであって、上
    記蛍光体組成物が、 YBO3:Ce3+,Tb3+、 BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、 (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+、及び Y3Al512−Ce3+ の少なくとも1種類、並びに Y22S:Eu3+,Bi3+、 YVO4:Eu3+,Bi3+、 SrS:Eu2+、 SrY24:Eu2+、 CaLa24:Ce3+、及び (Ca,Sr)S:Eu2+ の少なくとも1種類を含んでなる、ランプ。
  21. 【請求項21】 前記発光デバイスが発光ダイオードからなる、請求項20
    記載のランプ。
  22. 【請求項22】 前記発光デバイスがレーザーダイオードからなる、請求項
    20記載のランプ。
  23. 【請求項23】 前記蛍光体組成物が(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24 :Eu2+と(Ca,Sr)S:Eu2+とを含んでなる、請求項20記載のランプ。
  24. 【請求項24】 前記蛍光体組成物がY3Al512−Ce3+とSrS:Eu 2+ とを含んでなる、請求項20記載のランプ。
  25. 【請求項25】 前記蛍光体組成物がY22S:Eu3+,Bi3+及びYVO 4 :Eu3+,Bi3+の少なくとも1種類を含んでなる、請求項20記載のランプ
  26. 【請求項26】 当該蛍光体組成物がYBO3:Ce3+,Tb3+を含んでな
    る、請求項25記載の蛍光体組成物。
  27. 【請求項27】 白色光を発生させる方法であって、 光を発生させる段階、 その光を、 YBO3:Ce3+,Tb3+、 BaMgAl1017:Eu2+,Mn2+、 (Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+、及び Y3Al512−Ce3+ の少なくとも1種類、並びに Y22S:Eu3+,Bi3+、 YVO4:Eu3+,Bi3+、 SrS:Eu2+、 SrY24:Eu2+、 CaLa24:Ce3+、及び (Ca,Sr)S:Eu2+ の少なくとも1種類を含んでなる蛍光体組成物に当てる段階、及び 上記蛍光体組成物によって上記光の少なくとも一部を異なるスペクトルを有す
    る光に変換する段階 を含んでなる方法。
  28. 【請求項28】 青色LEDを蛍光体含有被膜で被覆してなる発光デバイスであって、上記蛍光
    体含有被膜が緑色蛍光体と赤色蛍光体とを含有しており、上記緑色蛍光体及び上
    記赤色蛍光体が上記青色LEDによって励起可能なものであり、上記緑色蛍光体
    及び上記赤色蛍光体が各々60未満の半値幅を有する、発光デバイス。
  29. 【請求項29】 前記緑色蛍光体が約510〜560nmに発光ピークを有
    し、前記赤色蛍光体が約600〜630nmに発光ピークを有する、請求項28
    記載の発光デバイス。
  30. 【請求項30】 前記赤色蛍光体が約5nm未満の半値幅を有する、請求項
    28記載の発光デバイス。
  31. 【請求項31】 前記赤色蛍光体がY22S:Eu3+,Bi3+及びYVO4
    :Eu3+,Bi3+の少なくとも1種類を含んでなる、請求項30記載の発光デバ
    イス。
  32. 【請求項32】 青色LED、及び SrS:Eu2+,Ce3+,K+を含んでなる蛍光体組成物 を含んでなる発光デバイス。
  33. 【請求項33】 前記青色LEDが約425〜約430nmに発光ピークを
    有する、請求項32記載の発光デバイス。
  34. 【請求項34】 Y22S:Eu3+,Bi3+を含んでなる蛍光体組成物。
  35. 【請求項35】 YVO4:Eu3+,Bi3+を含んでなる蛍光体組成物。
JP2000585942A 1998-11-30 1999-11-30 蛍光体組成物を有する発光デバイス Withdrawn JP2002531956A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/203,212 1998-11-30
US09/203,212 US6252254B1 (en) 1998-02-06 1998-11-30 Light emitting device with phosphor composition
PCT/US1999/028280 WO2000033390A1 (en) 1998-11-30 1999-11-30 Light emitting device with phosphor composition

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2002531956A true JP2002531956A (ja) 2002-09-24
JP2002531956A5 JP2002531956A5 (ja) 2007-01-25

Family

ID=22752985

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000585942A Withdrawn JP2002531956A (ja) 1998-11-30 1999-11-30 蛍光体組成物を有する発光デバイス

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6252254B1 (ja)
EP (1) EP1051759A1 (ja)
JP (1) JP2002531956A (ja)
CN (1) CN1246912C (ja)
AU (1) AU2033900A (ja)
WO (1) WO2000033390A1 (ja)

Cited By (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003243715A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Hitachi Ltd 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2003526212A (ja) * 2000-03-03 2003-09-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法
JP2004296830A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Solidlite Corp 白色ledの製造方法
JP2005079500A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Lite-On Technology Corp 白色光発光装置
JP2006032726A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyocera Corp 発光装置
JP2006509871A (ja) * 2002-12-13 2006-03-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射源と発光体を有する照射システム
JP2006173498A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP2006313829A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Konica Minolta Opto Inc 白色発光ダイオード及びその製造方法
JP2007067420A (ja) * 2005-08-26 2007-03-15 Philips Lumileds Lightng Co Llc 色変換型発光ダイオード
JP2007096133A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toshiba Corp 白色ledの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
JP2007527118A (ja) * 2004-02-20 2007-09-20 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍光体変換ledを使用する効率的な光源
JP2007536729A (ja) * 2004-05-06 2007-12-13 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光装置
JP2008047851A (ja) * 2006-07-18 2008-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置
JP2008103709A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光ダイオード
JP2008147190A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 白色発光装置及びこれを用いた白色光源モジュール
JP2008166825A (ja) * 2007-01-02 2008-07-17 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光装置及びこれを用いたlcdバックライト用光源モジュール
JP2008205437A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光装置
JP2008270781A (ja) * 2007-03-23 2008-11-06 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
JP2008274302A (ja) * 2008-08-07 2008-11-13 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 蛍光体及び発光ダイオード
JP2008541422A (ja) * 2005-05-02 2008-11-20 コリア リサーチ インスティテュート オブ ケミカル テクノロジー 蛍光体を利用した白色発光ダイオードの製造方法
JP2008283221A (ja) * 2008-08-25 2008-11-20 Sharp Corp Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
JP2008544553A (ja) * 2005-06-23 2008-12-04 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
US20090140630A1 (en) 2005-03-18 2009-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
JP2009525600A (ja) * 2006-02-03 2009-07-09 トリドニックアトコ オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 非活性化発光材料を備えた発光装置
JP2009218422A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Sharp Corp 半導体発光装置および画像表示装置
JP2009231510A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
WO2010074391A1 (ko) 2008-12-22 2010-07-01 금호전기주식회사 산질화물 형광체, 그 제조방법 및 발광장치
US7795797B2 (en) 2005-03-23 2010-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Phosphor with laminated coating, its manufacture method and light emitting device using the same
US7804239B2 (en) 2006-10-17 2010-09-28 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting diode
JP2011003546A (ja) * 2005-03-31 2011-01-06 Seoul Semiconductor Co Ltd バックライトパネル
US7897980B2 (en) 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
JP2011082479A (ja) * 2009-10-05 2011-04-21 Everlight Electronics Co Ltd 白色発光装置、白色発光装置の製造方法および応用
JP2011091441A (ja) * 1999-02-18 2011-05-06 Philips Lumileds Lightng Co Llc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したled
US8017961B2 (en) 2005-05-24 2011-09-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
JP2011529621A (ja) * 2008-07-29 2011-12-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ウォームホワイト発光装置及びそれを備えるバックライトモジュール
JP2012036265A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Sharp Corp 照明装置
KR101204115B1 (ko) * 2005-02-18 2012-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US8415870B2 (en) 2008-08-28 2013-04-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device and electronic device using the same
JP2013141001A (ja) * 2004-06-30 2013-07-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
KR101321933B1 (ko) * 2011-03-30 2013-10-28 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
KR101330249B1 (ko) * 2012-11-29 2013-11-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
WO2014125714A1 (ja) * 2013-02-15 2014-08-21 シャープ株式会社 植物栽培用led光源
JP2014165225A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュールおよび照明装置
US8896004B2 (en) 2005-04-26 2014-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED, backlight using the same, and liquid crystal display device
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
JP2015144231A (ja) * 2013-12-27 2015-08-06 三菱化学株式会社 発光装置及び発光装置の設計方法
JP2015156522A (ja) * 2012-08-24 2015-08-27 台積固態照明股▲ふん▼有限公司 蛍光体コートledのパッケージング方法と装置
US9209162B2 (en) 2004-05-13 2015-12-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
JP2016054184A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
WO2016122284A1 (ko) * 2015-01-31 2016-08-04 주식회사 엘지화학 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2016154204A (ja) * 2014-12-26 2016-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2016201569A (ja) * 2012-12-20 2016-12-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
JP2018053128A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10164158B2 (en) 2003-09-18 2018-12-25 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
US10847688B2 (en) 2014-12-26 2020-11-24 Nichia Corporation Light emitting device
JP2020534698A (ja) * 2017-09-19 2020-11-26 カレント・ライティング・ソルーションズ,エルエルシー 狭帯域の緑色蛍光体を含む広色域ディスプレイ
US11322484B2 (en) 2006-03-31 2022-05-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same

Families Citing this family (383)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3094961B2 (ja) * 1997-07-31 2000-10-03 日本電気株式会社 液晶表示素子
US7014336B1 (en) * 1999-11-18 2006-03-21 Color Kinetics Incorporated Systems and methods for generating and modulating illumination conditions
US6806659B1 (en) * 1997-08-26 2004-10-19 Color Kinetics, Incorporated Multicolored LED lighting method and apparatus
US20030133292A1 (en) * 1999-11-18 2003-07-17 Mueller George G. Methods and apparatus for generating and modulating white light illumination conditions
US7161313B2 (en) * 1997-08-26 2007-01-09 Color Kinetics Incorporated Light emitting diode based products
US6607829B1 (en) 1997-11-13 2003-08-19 Massachusetts Institute Of Technology Tellurium-containing nanocrystalline materials
US6207392B1 (en) 1997-11-25 2001-03-27 The Regents Of The University Of California Semiconductor nanocrystal probes for biological applications and process for making and using such probes
US6580097B1 (en) * 1998-02-06 2003-06-17 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6469322B1 (en) * 1998-02-06 2002-10-22 General Electric Company Green emitting phosphor for use in UV light emitting diodes
US6501091B1 (en) 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US6429583B1 (en) * 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6680569B2 (en) * 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
JP2001068780A (ja) * 1999-08-30 2001-03-16 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
JP2001144331A (ja) * 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
KR100683364B1 (ko) * 1999-09-27 2007-02-15 필립스 루미리즈 라이팅 캄파니 엘엘씨 완전한 형광 물질 변환에 의해 백색광을 생성하는 발광다이오드 소자
US6686691B1 (en) * 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6696703B2 (en) * 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
US20020176259A1 (en) * 1999-11-18 2002-11-28 Ducharme Alfred D. Systems and methods for converting illumination
DE60021911T3 (de) 1999-11-18 2016-04-14 Philips Lighting North America Corp., N. D. Ges. D. Staates Delaware Systeme und Verfahren zur Erzeugung und Modulierung von Beleuchtungsbedingungen
EP1104799A1 (en) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Red emitting luminescent material
US6700322B1 (en) * 2000-01-27 2004-03-02 General Electric Company Light source with organic layer and photoluminescent layer
US6603258B1 (en) 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6577073B2 (en) * 2000-05-31 2003-06-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Led lamp
JP4817534B2 (ja) * 2000-06-09 2011-11-16 星和電機株式会社 発光ダイオードランプ
JP2002190622A (ja) * 2000-12-22 2002-07-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオード用透光性蛍光カバー
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
WO2002011173A1 (en) * 2000-07-28 2002-02-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Luminescence conversion based light emitting diode and phosphors for wavelength conversion
JP2002050797A (ja) * 2000-07-31 2002-02-15 Toshiba Corp 半導体励起蛍光体発光装置およびその製造方法
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
US6525460B1 (en) * 2000-08-30 2003-02-25 General Electric Company Very high color rendition fluorescent lamps
US6650044B1 (en) * 2000-10-13 2003-11-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US6515314B1 (en) * 2000-11-16 2003-02-04 General Electric Company Light-emitting device with organic layer doped with photoluminescent material
JP5110744B2 (ja) * 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6604847B2 (en) * 2000-12-28 2003-08-12 Robert A. Lehrer Portable reading light device
TW471713U (en) * 2001-01-17 2002-01-01 Shing Chen Improved whit light LED
US6541800B2 (en) * 2001-02-22 2003-04-01 Weldon Technologies, Inc. High power LED
US6844903B2 (en) * 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
EP1672707B1 (en) * 2001-04-20 2019-07-31 Nichia Corporation Light emitting device
US7091656B2 (en) * 2001-04-20 2006-08-15 Nichia Corporation Light emitting device
US6685852B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-03 General Electric Company Phosphor blends for generating white light from near-UV/blue light-emitting devices
US6632379B2 (en) * 2001-06-07 2003-10-14 National Institute For Materials Science Oxynitride phosphor activated by a rare earth element, and sialon type phosphor
US6642652B2 (en) 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
JP4114331B2 (ja) * 2001-06-15 2008-07-09 豊田合成株式会社 発光装置
JP2003027057A (ja) * 2001-07-17 2003-01-29 Hitachi Ltd 光源およびそれを用いた画像表示装置
TW552726B (en) * 2001-07-26 2003-09-11 Matsushita Electric Works Ltd Light emitting device in use of LED
JP3704068B2 (ja) * 2001-07-27 2005-10-05 ザ ウエステイム コーポレイション Elパネル
DE10137042A1 (de) * 2001-07-31 2003-02-20 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Planare Lichtquelle auf LED-Basis
US7331681B2 (en) * 2001-09-07 2008-02-19 Litepanels Llc Lighting apparatus with adjustable lenses or filters
US6749310B2 (en) * 2001-09-07 2004-06-15 Contrast Lighting Services, Inc. Wide area lighting effects system
US7604361B2 (en) 2001-09-07 2009-10-20 Litepanels Llc Versatile lighting apparatus and associated kit
DE20115914U1 (de) 2001-09-27 2003-02-13 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
JP4043752B2 (ja) * 2001-10-19 2008-02-06 星和電機株式会社 発光ダイオードランプとこれを用いた照明器具
JP2003133595A (ja) * 2001-10-24 2003-05-09 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光ダイオードランプ、これに用いられる赤色蛍光体及びこれに用いられるフィルタ
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
US6632008B2 (en) * 2001-11-09 2003-10-14 Adc Broadband Access Systems, Inc. Light-pipe
WO2003042327A1 (en) * 2001-11-14 2003-05-22 Sarnoff Corporation Red photoluminescent phosphors
AU2003211509A1 (en) * 2002-02-15 2003-09-04 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device and illuminating device using it
US7295592B2 (en) 2002-03-08 2007-11-13 Sharp Kabushiki Kaisha Light source device and optical communication module employing the device
US6635557B2 (en) 2002-03-15 2003-10-21 Neumann Information Systems, Inc Halogen doped solid state materials
US6891330B2 (en) * 2002-03-29 2005-05-10 General Electric Company Mechanically flexible organic electroluminescent device with directional light emission
US20080009689A1 (en) * 2002-04-09 2008-01-10 Benaron David A Difference-weighted somatic spectroscopy
US20070015981A1 (en) * 2003-08-29 2007-01-18 Benaron David A Device and methods for the detection of locally-weighted tissue ischemia
US6711426B2 (en) * 2002-04-09 2004-03-23 Spectros Corporation Spectroscopy illuminator with improved delivery efficiency for high optical density and reduced thermal load
US6794686B2 (en) * 2002-06-06 2004-09-21 Harvatek Corporation White light source
TW563261B (en) * 2002-06-07 2003-11-21 Solidlite Corp A method and of manufacture for tri-color white LED
CN100405620C (zh) * 2002-06-13 2008-07-23 美商克立股份有限公司 饱和型磷光体固态发射器
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
DE10233050B4 (de) * 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
KR100554453B1 (ko) * 2002-08-21 2006-03-03 서울반도체 주식회사 백색 발광 소자
US10340424B2 (en) 2002-08-30 2019-07-02 GE Lighting Solutions, LLC Light emitting diode component
US20050218780A1 (en) * 2002-09-09 2005-10-06 Hsing Chen Method for manufacturing a triple wavelengths white LED
US20050218781A1 (en) * 2002-09-09 2005-10-06 Hsing Chen Triple wavelengths light emitting diode
JP2004109173A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Seiko Instruments Inc 調律器
AU2003276867A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Cree, Inc. Phosphor-coated light emitting diodes including tapered sidewalls, and fabrication methods therefor
JP2004137480A (ja) * 2002-09-20 2004-05-13 Tdk Corp 蛍光体薄膜およびその製造方法ならびにelパネル
US6682331B1 (en) * 2002-09-20 2004-01-27 Agilent Technologies, Inc. Molding apparatus for molding light emitting diode lamps
US6809781B2 (en) * 2002-09-24 2004-10-26 General Electric Company Phosphor blends and backlight sources for liquid crystal displays
JP2004127988A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004228065A (ja) * 2002-11-29 2004-08-12 Ngk Insulators Ltd 電子パルス放出装置
DE10261908B4 (de) * 2002-12-27 2010-12-30 Osa Opto Light Gmbh Verfahren zur Herstellung eines konversionslichtemittierenden Elementes auf der Basis von Halbleiterlichtquellen
US6765237B1 (en) * 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US6841923B2 (en) * 2003-02-25 2005-01-11 Optoware Electronics Co., Ltd. High-brightness flat lamp structure
CN1777999B (zh) * 2003-02-26 2010-05-26 美商克立股份有限公司 复合式白色光源及其制造方法
US20040223315A1 (en) * 2003-03-03 2004-11-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and method of making same
US20040183081A1 (en) * 2003-03-20 2004-09-23 Alexander Shishov Light emitting diode package with self dosing feature and methods of forming same
US20090185392A1 (en) * 2003-03-26 2009-07-23 Optim, Inc. Detachable illumination system
US20040196318A1 (en) * 2003-04-01 2004-10-07 Su Massharudin Bin Method of depositing phosphor on light emitting diode
US7279832B2 (en) * 2003-04-01 2007-10-09 Innovalight, Inc. Phosphor materials and illumination devices made therefrom
US20040252488A1 (en) * 2003-04-01 2004-12-16 Innovalight Light-emitting ceiling tile
US7125501B2 (en) * 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
JP4274843B2 (ja) 2003-04-21 2009-06-10 シャープ株式会社 Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7184111B2 (en) * 2003-04-28 2007-02-27 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Phosphor for use in white semiconductor light sources and a white light source utilizing the same
KR100691143B1 (ko) * 2003-04-30 2007-03-09 삼성전기주식회사 다층 형광층을 가진 발광 다이오드 소자
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
US6919584B2 (en) * 2003-06-19 2005-07-19 Harvatek Corporation White light source
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
US7075225B2 (en) 2003-06-27 2006-07-11 Tajul Arosh Baroky White light emitting device
US7462983B2 (en) * 2003-06-27 2008-12-09 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. White light emitting device
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
US7026755B2 (en) * 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
US20050104072A1 (en) 2003-08-14 2005-05-19 Slater David B.Jr. Localized annealing of metal-silicon carbide ohmic contacts and devices so formed
EP1676076A2 (en) * 2003-08-29 2006-07-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color-mixing lighting system
US7029935B2 (en) * 2003-09-09 2006-04-18 Cree, Inc. Transmissive optical elements including transparent plastic shell having a phosphor dispersed therein, and methods of fabricating same
US7183587B2 (en) * 2003-09-09 2007-02-27 Cree, Inc. Solid metal block mounting substrates for semiconductor light emitting devices
US20050069726A1 (en) * 2003-09-30 2005-03-31 Douglas Elliot Paul Light emitting composite material and devices thereof
US7077979B2 (en) * 2003-10-10 2006-07-18 The Regents Of The University Of California Red phosphors for solid state lighting
US7442326B2 (en) 2003-10-29 2008-10-28 Lumination Llc Red garnet phosphors for use in LEDs
US7094362B2 (en) * 2003-10-29 2006-08-22 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US7252787B2 (en) 2003-10-29 2007-08-07 General Electric Company Garnet phosphor materials having enhanced spectral characteristics
US20050205874A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Ru-Shi Liu Phosphor material and white light-emitting device using the same
US7355284B2 (en) * 2004-03-29 2008-04-08 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including flexible film having therein an optical element
US7488990B2 (en) * 2004-04-02 2009-02-10 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Using multiple types of phosphor in combination with a light emitting device
EP1738385A1 (en) * 2004-04-15 2007-01-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrically controllable color conversion cell
US7229573B2 (en) * 2004-04-20 2007-06-12 Gelcore, Llc Ce3+ and Eu2+ doped phosphors for light generation
US20070040502A1 (en) * 2004-04-20 2007-02-22 Gelcore Llc High CRI LED lamps utilizing single phosphor
US7462086B2 (en) * 2004-04-21 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Phosphor for phosphor-converted semiconductor light emitting device
CA2565339C (en) 2004-05-05 2012-11-06 Rensselaer Polytechnic Institute High efficiency light source using solid-state emitter and down-conversion material
US7837348B2 (en) 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US7077978B2 (en) * 2004-05-14 2006-07-18 General Electric Company Phosphors containing oxides of alkaline-earth and group-IIIB metals and white-light sources incorporating same
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
WO2006005005A2 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
US7750352B2 (en) * 2004-08-10 2010-07-06 Pinion Technologies, Inc. Light strips for lighting and backlighting applications
KR100638611B1 (ko) 2004-08-12 2006-10-26 삼성전기주식회사 다중 렌즈 발광 다이오드
US20060049414A1 (en) * 2004-08-19 2006-03-09 Chandran Ramachandran G Novel oxynitride phosphors
JP2006093672A (ja) * 2004-08-26 2006-04-06 Toshiba Corp 半導体発光装置
US7217583B2 (en) * 2004-09-21 2007-05-15 Cree, Inc. Methods of coating semiconductor light emitting elements by evaporating solvent from a suspension
US7372198B2 (en) 2004-09-23 2008-05-13 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including patternable films comprising transparent silicone and phosphor
US7724321B2 (en) * 2004-09-24 2010-05-25 Epistar Corporation Liquid crystal display
US7749405B2 (en) * 2004-09-30 2010-07-06 Global Tungsten & Powders Corp. White-emitting phosphor blend and electroluminescent lamp containing same
US8278816B2 (en) 2004-09-30 2012-10-02 Global Tungsten & Powders Corp. High CRI electroluminescent lamp
US20060071593A1 (en) * 2004-10-05 2006-04-06 Tan Kheng L Light emitting device with controlled thickness phosphor
KR20060034055A (ko) 2004-10-18 2006-04-21 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 발광소자
US20060097385A1 (en) 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7322732B2 (en) 2004-12-23 2008-01-29 Cree, Inc. Light emitting diode arrays for direct backlighting of liquid crystal displays
US8288942B2 (en) * 2004-12-28 2012-10-16 Cree, Inc. High efficacy white LED
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US7304694B2 (en) * 2005-01-12 2007-12-04 Cree, Inc. Solid colloidal dispersions for backlighting of liquid crystal displays
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
JP2006222288A (ja) * 2005-02-10 2006-08-24 Toshiba Corp 白色led及びその製造方法
CN1684279A (zh) * 2005-02-25 2005-10-19 炬鑫科技股份有限公司 发光元件
US7439668B2 (en) * 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
CN100555658C (zh) * 2005-03-25 2009-10-28 沙诺夫公司 金属硅酸盐-氧化硅基多形态荧光体和发光装置
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US7733310B2 (en) * 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
US7329371B2 (en) 2005-04-19 2008-02-12 Lumination Llc Red phosphor for LED based lighting
DE102005019376A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-02 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Lumineszenzkonversions-LED
KR100780186B1 (ko) * 2005-04-27 2007-11-27 삼성전기주식회사 발광다이오드를 이용한 lcd 백라이트 유니트
US8089425B2 (en) * 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
TWM279023U (en) * 2005-04-29 2005-10-21 Super Nova Optoelectronics Cor White light emitting diode device
DE102005031336B4 (de) 2005-05-13 2008-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Projektionseinrichtung
EP1726631A1 (en) * 2005-05-23 2006-11-29 SuperNova Optoelectronics Corporation White light emitting device
KR100601200B1 (ko) * 2005-06-17 2006-07-13 서울반도체 주식회사 적색 형광체와 이를 이용한 발광 다이오드
WO2007001116A1 (en) * 2005-06-28 2007-01-04 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device for ac power operation
US8896216B2 (en) 2005-06-28 2014-11-25 Seoul Viosys Co., Ltd. Illumination system
CN101223824B (zh) * 2005-07-14 2011-05-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 场致发光器件
JP2007056235A (ja) * 2005-07-28 2007-03-08 Sony Corp 蛍光体、光学装置、及び表示装置
US7813778B2 (en) * 2005-07-29 2010-10-12 Spectros Corporation Implantable tissue ischemia sensor
TWI266563B (en) * 2005-08-12 2006-11-11 Epistar Corp Compound, phosphor composition and light-emitting device containing the same
DE102005040558A1 (de) 2005-08-26 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102006004397A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR100724591B1 (ko) * 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 led 백라이트
DE102005052356A1 (de) 2005-09-30 2007-04-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinheit mit Lumineszenzdiodenchip und Lichtleiter, Verfahren zum Herstellen einer Beleuchtungseinheit und LCD-Display
DE102005059524A1 (de) 2005-09-30 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement, Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines Gehäuses oder eines Bauelements
WO2007041563A2 (en) * 2005-09-30 2007-04-12 The Regents Of The University Of California Cerium based phosphor materials for solid-state lighting applications
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
KR101200400B1 (ko) * 2005-12-01 2012-11-16 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
EP1963740A4 (en) 2005-12-21 2009-04-29 Cree Led Lighting Solutions LIGHTING DEVICE AND LIGHTING METHOD
TWI421438B (zh) 2005-12-21 2014-01-01 克里公司 照明裝置
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
TWI273285B (en) * 2005-12-23 2007-02-11 Wintek Corp Color filter having capability of changing light-color
KR100771811B1 (ko) * 2005-12-27 2007-10-30 삼성전기주식회사 백색 발광 장치
WO2007084640A2 (en) * 2006-01-20 2007-07-26 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Shifting spectral content in solid state light emitters by spatially separating lumiphor films
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
US7884816B2 (en) * 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
EP2308946B1 (en) * 2006-03-10 2013-07-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material and light-emitting device
US8469760B2 (en) * 2006-03-31 2013-06-25 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Light emitting device and method for producing same
DE102006015117A1 (de) 2006-03-31 2007-10-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Scheinwerfer, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Scheinwerfers und Lumineszenzdiodenchip
US8513875B2 (en) * 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
EP2052589A4 (en) * 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
KR101517244B1 (ko) 2006-04-20 2015-05-04 크리, 인코포레이티드 조명 기기 및 조명 방법
JP5119502B2 (ja) 2006-05-05 2013-01-16 プリズム インコーポレイテッド 表示システムおよびデバイス用のリン光体組成物およびその他の蛍光材料
CN101449100B (zh) 2006-05-05 2012-06-27 科锐公司 照明装置
TWI357435B (en) * 2006-05-12 2012-02-01 Lextar Electronics Corp Light emitting diode and wavelength converting mat
EP2027602A4 (en) * 2006-05-23 2012-11-28 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD OF MAKING
US8033692B2 (en) * 2006-05-23 2011-10-11 Cree, Inc. Lighting device
CA2647845A1 (en) 2006-05-30 2007-12-13 University Of Georgia Research Foundation White phosphors, methods of making white phosphors, white light emitting leds, methods of making white light emitting leds, and light bulb structures
EP2029936B1 (en) 2006-05-31 2015-07-29 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
US7943952B2 (en) * 2006-07-31 2011-05-17 Cree, Inc. Method of uniform phosphor chip coating and LED package fabricated using method
US20080029720A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Intematix Corporation LED lighting arrangement including light emitting phosphor
US20080029774A1 (en) * 2006-08-04 2008-02-07 Acol Technologies S.A. Semiconductor light source packages with broadband and angular uniformity support
TW200810145A (en) * 2006-08-04 2008-02-16 Chiang Cheng Ting A lighting structure with light emitting diodes and the method thereof
US7763478B2 (en) 2006-08-21 2010-07-27 Cree, Inc. Methods of forming semiconductor light emitting device packages by liquid injection molding
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US20080064131A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Mutual-Tek Industries Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for the same
US7766508B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-03 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7665862B2 (en) 2006-09-12 2010-02-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
US20080068295A1 (en) * 2006-09-19 2008-03-20 Hajjar Roger A Compensation for Spatial Variation in Displayed Image in Scanning Beam Display Systems Using Light-Emitting Screens
DE102007020782A1 (de) 2006-09-27 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102006046199A1 (de) 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
KR101497104B1 (ko) * 2006-10-03 2015-02-27 라이트스케이프 머티어리얼스, 인코포레이티드 금속 실리케이트 할라이드 형광체 및 이를 이용한 led 조명 디바이스
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
TWI496315B (zh) * 2006-11-13 2015-08-11 Cree Inc 照明裝置、被照明的殼體及照明方法
US7889421B2 (en) * 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
KR101446366B1 (ko) 2006-12-07 2014-10-02 크리, 인코포레이티드 조명 장치 및 조명 방법
US8013506B2 (en) * 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
KR100868204B1 (ko) * 2006-12-20 2008-11-12 서울반도체 주식회사 확산재를 이용하는 발광다이오드 및 그것의 제조방법
US8333907B2 (en) * 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) * 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US7709853B2 (en) * 2007-02-12 2010-05-04 Cree, Inc. Packaged semiconductor light emitting devices having multiple optical elements
US9061450B2 (en) * 2007-02-12 2015-06-23 Cree, Inc. Methods of forming packaged semiconductor light emitting devices having front contacts by compression molding
US20080198572A1 (en) 2007-02-21 2008-08-21 Medendorp Nicholas W LED lighting systems including luminescent layers on remote reflectors
US8506114B2 (en) * 2007-02-22 2013-08-13 Cree, Inc. Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
TWI326923B (en) * 2007-03-07 2010-07-01 Lite On Technology Corp White light emitting diode
TW200837982A (en) * 2007-03-07 2008-09-16 Everlight Electronics Co Ltd Semiconductor light emitting apparatus and the manufacturing method thereof
US20080226137A1 (en) * 2007-03-14 2008-09-18 Benaron David A Metabolism- or Biochemical-Based Anti-Spoofing Biometrics Devices, Systems, and Methods
US7864381B2 (en) * 2007-03-20 2011-01-04 Xerox Corporation Document illuminator with LED-driven phosphor
WO2008116123A1 (en) 2007-03-20 2008-09-25 Spudnik, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
US7824070B2 (en) * 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
DE102007018837A1 (de) 2007-03-26 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzdiodenchips und Lumineszenzdiodenchip
DE102007015474A1 (de) 2007-03-30 2008-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierendes optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US7697183B2 (en) * 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
US7910944B2 (en) * 2007-05-04 2011-03-22 Cree, Inc. Side mountable semiconductor light emitting device packages and panels
US7781779B2 (en) * 2007-05-08 2010-08-24 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices including wavelength converting material
WO2008137976A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US7901107B2 (en) 2007-05-08 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
WO2008137974A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
JP2010527155A (ja) * 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
EP2458262B1 (en) 2007-05-08 2019-01-23 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8038822B2 (en) 2007-05-17 2011-10-18 Prysm, Inc. Multilayered screens with light-emitting stripes for scanning beam display systems
US8403531B2 (en) * 2007-05-30 2013-03-26 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
US7878657B2 (en) * 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US8556430B2 (en) * 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
WO2009012301A2 (en) * 2007-07-16 2009-01-22 Lumination Llc Red line emitting complex fluoride phosphors activated with mn4+
CN101743488B (zh) * 2007-07-17 2014-02-26 科锐公司 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法
TWI342628B (en) * 2007-08-02 2011-05-21 Lextar Electronics Corp Light emitting diode package, direct type back light module and side type backlight module
US7863635B2 (en) * 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
CN101784636B (zh) 2007-08-22 2013-06-12 首尔半导体株式会社 非化学计量四方铜碱土硅酸盐磷光体及其制备方法
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
DE102007042642A1 (de) 2007-09-07 2009-03-12 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement
DE102007049005A1 (de) * 2007-09-11 2009-03-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
DE102007044597A1 (de) 2007-09-19 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007052181A1 (de) * 2007-09-20 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR101156898B1 (ko) * 2007-09-21 2012-06-21 도시바 마테리알 가부시키가이샤 조명용 백색 발광 램프와 그것을 사용한 조명 기구
DE102007050876A1 (de) 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007054800A1 (de) 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionsvorrichtung und Verfahren zum Herstellen von Lumineszenzdiodenchips mit einer derartigen Vorrichtung
TWI481068B (zh) * 2007-10-10 2015-04-11 克里公司 照明裝置及其製造方法
KR101294849B1 (ko) * 2007-10-23 2013-08-08 엘지디스플레이 주식회사 백라이트 어셈블리
US8376577B2 (en) * 2007-11-05 2013-02-19 Xicato, Inc. Modular solid state lighting device
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
DE102007056562A1 (de) * 2007-11-23 2009-05-28 Oerlikon Textile Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur optischen Detektion von Verunreinigungen in längsbewegtem Garn
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US20090309114A1 (en) 2008-01-16 2009-12-17 Luminus Devices, Inc. Wavelength converting light-emitting devices and methods of making the same
KR20090080775A (ko) * 2008-01-22 2009-07-27 삼성전자주식회사 램프 및 이를 포함하는 표시 장치
US10008637B2 (en) 2011-12-06 2018-06-26 Cree, Inc. Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output
TWI362413B (en) * 2008-02-25 2012-04-21 Ind Tech Res Inst Borate phosphor and white light illumination device utilizing the same
CN101960624B (zh) 2008-03-03 2012-09-26 夏普株式会社 发光装置
US8740400B2 (en) * 2008-03-07 2014-06-03 Intematix Corporation White light illumination system with narrow band green phosphor and multiple-wavelength excitation
JP4617367B2 (ja) * 2008-03-13 2011-01-26 シャープ株式会社 前照灯およびそれを光源として用いた車両用赤外線暗視装置
US8916890B2 (en) * 2008-03-19 2014-12-23 Cree, Inc. Light emitting diodes with light filters
TWI361829B (en) * 2008-03-20 2012-04-11 Ind Tech Res Inst White light illumination device
US8350461B2 (en) 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
TWI386658B (zh) * 2008-04-01 2013-02-21 Applied Res Lab 發光體檢測裝置及其方法
US9074751B2 (en) * 2008-06-20 2015-07-07 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Lighting apparatus
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US20100149222A1 (en) * 2008-07-10 2010-06-17 Corporation For Laser Optics Research Blue laser pumped green light source for displays
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
US9611987B2 (en) 2008-08-05 2017-04-04 The Regents Of The University Of California White light source employing a III-nitride based laser diode pumping a phosphor
KR101332794B1 (ko) * 2008-08-05 2013-11-25 삼성전자주식회사 발광 장치, 이를 포함하는 발광 시스템, 상기 발광 장치 및발광 시스템의 제조 방법
JP5217800B2 (ja) * 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
KR20110048580A (ko) * 2008-09-04 2011-05-11 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 광 차단 구성요소를 갖는 광원
US7955875B2 (en) * 2008-09-26 2011-06-07 Cree, Inc. Forming light emitting devices including custom wavelength conversion structures
US20100123386A1 (en) * 2008-11-13 2010-05-20 Maven Optronics Corp. Phosphor-Coated Light Extraction Structures for Phosphor-Converted Light Emitting Devices
DE102009010468A1 (de) 2008-11-13 2010-05-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Funktionsmaterial mit darauf angeordneten Lichtkonversionsstoff-Partikeln, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauelement, enthaltend ein derartiges Funktionsmaterial
US9428688B2 (en) 2008-11-17 2016-08-30 Cree, Inc. Phosphor composition
US20100133987A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Industrial Technology Research Institute Phosphor and white light illumiantion device utilizing the same
US8358059B2 (en) * 2008-12-02 2013-01-22 Industrial Technology Research Institute Phosphor, white light illumination device and solar cell utilizing the same
US20100289044A1 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Wavelength conversion for producing white light from high power blue led
US8337030B2 (en) 2009-05-13 2012-12-25 Cree, Inc. Solid state lighting devices having remote luminescent material-containing element, and lighting methods
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8426871B2 (en) * 2009-06-19 2013-04-23 Honeywell International Inc. Phosphor converting IR LEDs
WO2011027511A1 (ja) 2009-09-02 2011-03-10 株式会社 東芝 白色ledおよびそれを用いたバックライト並びに液晶表示装置
KR20120094477A (ko) 2009-09-25 2012-08-24 크리, 인코포레이티드 낮은 눈부심 및 높은 광도 균일성을 갖는 조명 장치
DE102010024758A1 (de) 2009-09-30 2011-03-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Optikkörpers, Optikkörper und optoelektronisches Bauteil mit dem Optikkörper
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
TWI385334B (zh) * 2010-02-22 2013-02-11 Everlight Electronics Co Ltd 光源模組以及照明裝置
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US9482397B2 (en) 2010-03-17 2016-11-01 Once Innovations, Inc. Light sources adapted to spectral sensitivity of diurnal avians and humans
PL2547954T3 (pl) * 2010-03-17 2023-04-24 Signify North America Corporation Źródła światła przystosowane do czułości widmowej dziennych ptaków i ludzi
TWI406928B (zh) * 2010-03-18 2013-09-01 Ind Tech Res Inst 藍光螢光材料、白光發光裝置、及太陽能電池
US10495296B2 (en) 2010-03-31 2019-12-03 Signify North America Corporation Integral conduit modular lighting
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
US8723950B2 (en) * 2010-06-11 2014-05-13 Pilkington Group Limited Apparatus for evaluating fit of a modular assembly into a body opening and method of using same
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
KR20120012737A (ko) 2010-08-03 2012-02-10 삼성에스디아이 주식회사 적색 형광체 및 상기 적색 형광체를 포함하는 플라즈마 디스플레이 패널
TW201207324A (en) * 2010-08-13 2012-02-16 Foxsemicon Integrated Tech Inc Lightening structure of LED light source
US9546765B2 (en) 2010-10-05 2017-01-17 Intematix Corporation Diffuser component having scattering particles
US8957585B2 (en) 2010-10-05 2015-02-17 Intermatix Corporation Solid-state light emitting devices with photoluminescence wavelength conversion
US9648673B2 (en) 2010-11-05 2017-05-09 Cree, Inc. Lighting device with spatially segregated primary and secondary emitters
DE102010050832A1 (de) 2010-11-09 2012-05-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lumineszenzkonversionselement, Verfahren zu dessen Herstellung und optoelektronisches Bauteil mit Lumineszenzkonversionselement
US9091399B2 (en) * 2010-11-11 2015-07-28 Bridgelux, Inc. Driver-free light-emitting device
CN102127436A (zh) * 2010-11-24 2011-07-20 映瑞光电科技(上海)有限公司 混合荧光粉及白光led的制备方法
US20120134161A1 (en) * 2010-11-30 2012-05-31 Nobuo Kawamura Lighting apparatus
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
DE102010054280A1 (de) 2010-12-13 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht, Zusammensetzung hierfür und Bauelement umfassend eine solche Lumineszenzkonversionsstoffschicht
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US8513900B2 (en) * 2011-05-12 2013-08-20 Ledengin, Inc. Apparatus for tuning of emitter with multiple LEDs to a single color bin
TWI451048B (zh) * 2011-05-13 2014-09-01 Delta Electronics Inc 發光裝置、燈泡及其照明方法
US10211380B2 (en) 2011-07-21 2019-02-19 Cree, Inc. Light emitting devices and components having improved chemical resistance and related methods
WO2013013154A2 (en) 2011-07-21 2013-01-24 Cree, Inc. Light emitter device packages, components, and methods for improved chemical resistance and related methods
US10686107B2 (en) 2011-07-21 2020-06-16 Cree, Inc. Light emitter devices and components with improved chemical resistance and related methods
US9018830B2 (en) * 2011-09-28 2015-04-28 General Electric Company Strontium phosphor blends having high CRI
US9496466B2 (en) 2011-12-06 2016-11-15 Cree, Inc. Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction
DE102012100788A1 (de) * 2012-01-31 2013-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement mit Konverterelement
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US8946747B2 (en) 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US9343441B2 (en) 2012-02-13 2016-05-17 Cree, Inc. Light emitter devices having improved light output and related methods
US8957580B2 (en) * 2012-02-13 2015-02-17 Cree, Inc. Lighting device including multiple wavelength conversion material layers
CN103375708B (zh) * 2012-04-26 2015-10-28 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管灯源装置
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
DE102012111123A1 (de) 2012-09-26 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Halbleiterbauelement
KR20150082426A (ko) 2012-11-01 2015-07-15 코닌클리케 필립스 엔.브이. 넓은 색 역을 가진 led 기반 장치
KR101957701B1 (ko) * 2012-11-14 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US20140185269A1 (en) 2012-12-28 2014-07-03 Intermatix Corporation Solid-state lamps utilizing photoluminescence wavelength conversion components
WO2014151263A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Intematix Corporation Photoluminescence wavelength conversion components
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN103346245A (zh) * 2013-06-25 2013-10-09 彩虹集团公司 一种白光led及制备方法
CN105493634B (zh) 2013-08-02 2019-02-01 万斯创新公司 对家畜进行照明的系统和方法
JP2015065236A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 東芝ライテック株式会社 発光モジュールおよび照明装置
US9240528B2 (en) 2013-10-03 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state lighting apparatus with high scotopic/photopic (S/P) ratio
CN105849920B (zh) 2013-12-27 2020-11-06 西铁城电子株式会社 发光装置和发光装置的设计方法
WO2015105823A1 (en) 2014-01-07 2015-07-16 Once Innovations, Inc. System and method of enhancing swine reproduction
US9247603B2 (en) * 2014-02-11 2016-01-26 Once Innovations, Inc. Shunt regulator for spectral shift controlled light source
US9530943B2 (en) 2015-02-27 2016-12-27 Ledengin, Inc. LED emitter packages with high CRI
DE102016104616B4 (de) * 2016-03-14 2021-09-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle
CN109076682B (zh) 2016-03-29 2021-07-09 昕诺飞北美公司 对家畜进行照明的系统和方法
DE102016212070A1 (de) * 2016-07-04 2018-01-04 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung und fahrzeugscheinwerfer mit beleuchtungseinrichtung
US10219345B2 (en) 2016-11-10 2019-02-26 Ledengin, Inc. Tunable LED emitter with continuous spectrum
US10056530B1 (en) * 2017-07-31 2018-08-21 Eie Materials, Inc. Phosphor-converted white light emitting diodes having narrow-band green phosphors
DE102017130136A1 (de) 2017-12-15 2019-06-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
CZ2020147A3 (cs) * 2020-03-17 2021-05-05 Crytur, Spol. S.R.O. Kompaktní světelný modul
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3787684A (en) 1970-12-30 1974-01-22 S Isenberg Beta activated ultraviolet radiation source surrounded by a visible light producing fluorescent agent
US3819974A (en) 1973-03-12 1974-06-25 D Stevenson Gallium nitride metal-semiconductor junction light emitting diode
US4176294A (en) * 1975-10-03 1979-11-27 Westinghouse Electric Corp. Method and device for efficiently generating white light with good rendition of illuminated objects
DE3406798A1 (de) 1984-02-24 1985-08-29 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Lumineszenzstoff fuer roentgenbild-speicherschirme
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5187547A (en) 1988-05-18 1993-02-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting diode device and method for producing same
US5027168A (en) 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
US4950950A (en) 1989-05-18 1990-08-21 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with silazane-containing luminescent zone
JPH05152609A (ja) 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5230831A (en) 1992-11-06 1993-07-27 General Electric Company Europium- and bismuth-doped luminescent compositions
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
JP2596709B2 (ja) 1994-04-06 1997-04-02 都築 省吾 半導体レーザ素子を用いた照明用光源装置
US5604763A (en) 1994-04-20 1997-02-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same
DE69503299T2 (de) 1994-04-20 1999-01-21 Toyoda Gosei Kk Galliumnitrid-Diodenlaser und Verfahren zu seiner Herstellung
US5705047A (en) 1994-04-29 1998-01-06 National Science Council Method for manufacturing porous blue light emitting diode
JPH10506724A (ja) 1994-10-03 1998-06-30 エスディーエル インク. チューニング可能な青色レーザダイオード
US5848837A (en) 1995-08-28 1998-12-15 Stantech Integrally formed linear light strip with light emitting diodes
JP2783210B2 (ja) 1995-09-04 1998-08-06 日本電気株式会社 面発光型ダイオード
US5683823A (en) 1996-01-26 1997-11-04 Eastman Kodak Company White light-emitting organic electroluminescent devices
JP2734442B2 (ja) 1996-01-30 1998-03-30 日本電気株式会社 薄膜el素子及びその製造方法
WO1997048138A2 (en) 1996-06-11 1997-12-18 Philips Electronics N.V. Visible light emitting devices including uv-light emitting diode and uv-excitable, visible light emitting phosphor, and method of producing such devices
JPH1012925A (ja) 1996-06-21 1998-01-16 Susumu Sato 蛍光体付き発光ダイオード
JP3240926B2 (ja) 1996-06-25 2001-12-25 日立電線株式会社 発光素子
KR100537349B1 (ko) 1996-06-26 2006-02-28 오스람 게젤샤프트 미트 베쉬랭크터 하프퉁 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3675044B2 (ja) 1996-06-28 2005-07-27 豊田合成株式会社 3族窒化物半導体発光素子
US5684309A (en) 1996-07-11 1997-11-04 North Carolina State University Stacked quantum well aluminum indium gallium nitride light emitting diodes
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
IE820328L (en) 1996-08-15 1983-08-16 Eaton Corp Illumination system
DE19645035C1 (de) 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
JPH10163535A (ja) 1996-11-27 1998-06-19 Kasei Optonix Co Ltd 白色発光素子
US5815228A (en) 1996-12-06 1998-09-29 Ericsson Inc. Lighting for liquid crystal displays
JPH10170341A (ja) 1996-12-11 1998-06-26 Idec Izumi Corp 色検出装置の照明装置
US5966393A (en) 1996-12-13 1999-10-12 The Regents Of The University Of California Hybrid light-emitting sources for efficient and cost effective white lighting and for full-color applications
US5874803A (en) 1997-09-09 1999-02-23 The Trustees Of Princeton University Light emitting device with stack of OLEDS and phosphor downconverter
DE19756360A1 (de) 1997-03-03 1998-09-10 Philips Patentverwaltung Weisse Lumineszenzdiode
DE59814117D1 (de) 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
US5865529A (en) 1997-03-10 1999-02-02 Yan; Ellis Light emitting diode lamp having a spherical radiating pattern
US5813752A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US5847507A (en) 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US5962971A (en) 1997-08-29 1999-10-05 Chen; Hsing LED structure with ultraviolet-light emission chip and multilayered resins to generate various colored lights
US5959316A (en) 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices

Cited By (90)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011091441A (ja) * 1999-02-18 2011-05-06 Philips Lumileds Lightng Co Llc 赤の不足を補償する蛍光体を使用したled
JP2003526212A (ja) * 2000-03-03 2003-09-02 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 発光変換素子を備えた、光を放射する半導体ボディの製造方法
JP2003243715A (ja) * 2002-02-15 2003-08-29 Hitachi Ltd 白色光源及びそれを用いた画像表示装置
JP2006509871A (ja) * 2002-12-13 2006-03-23 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 放射源と発光体を有する照射システム
JP2004296830A (ja) * 2003-03-27 2004-10-21 Solidlite Corp 白色ledの製造方法
JP2005079500A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Lite-On Technology Corp 白色光発光装置
US10546978B2 (en) 2003-09-18 2020-01-28 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US10164158B2 (en) 2003-09-18 2018-12-25 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
JP2007527118A (ja) * 2004-02-20 2007-09-20 ゲルコアー リミテッド ライアビリティ カンパニー 蛍光体変換ledを使用する効率的な光源
JP2007536729A (ja) * 2004-05-06 2007-12-13 ソウル オプト デバイス カンパニー リミテッド 発光装置
US11605762B2 (en) 2004-05-13 2023-03-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US9209162B2 (en) 2004-05-13 2015-12-08 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10186642B2 (en) 2004-05-13 2019-01-22 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10916684B2 (en) 2004-05-13 2021-02-09 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
US10672956B2 (en) 2004-05-13 2020-06-02 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device including RGB light emitting diodes and phosphor
JP2013141001A (ja) * 2004-06-30 2013-07-18 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置、照明、表示装置用バックライトユニット及び表示装置
JP4546176B2 (ja) * 2004-07-16 2010-09-15 京セラ株式会社 発光装置
JP2006032726A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Kyocera Corp 発光装置
JP4720177B2 (ja) * 2004-12-17 2011-07-13 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2006173498A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
US8558446B2 (en) 2005-02-18 2013-10-15 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
KR101204115B1 (ko) * 2005-02-18 2012-11-22 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 배광 특성을 제어하기 위한 렌즈를 구비한 발광 장치
US8836210B2 (en) 2005-02-18 2014-09-16 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US9093619B2 (en) 2005-02-18 2015-07-28 Nichia Corporation Light emitting device provided with lens for controlling light distribution characteristic
US20090140630A1 (en) 2005-03-18 2009-06-04 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
US8269410B2 (en) 2005-03-18 2012-09-18 Mitsubishi Chemical Corporation Light-emitting device, white light-emitting device, illuminator, and image display
US7795797B2 (en) 2005-03-23 2010-09-14 Stanley Electric Co., Ltd. Phosphor with laminated coating, its manufacture method and light emitting device using the same
US7959321B2 (en) 2005-03-31 2011-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Backlight panel employing white light emitting diode having red phosphor and green phosphor
JP2011003546A (ja) * 2005-03-31 2011-01-06 Seoul Semiconductor Co Ltd バックライトパネル
US8896004B2 (en) 2005-04-26 2014-11-25 Kabushiki Kaisha Toshiba White LED, backlight using the same, and liquid crystal display device
JP2008541422A (ja) * 2005-05-02 2008-11-20 コリア リサーチ インスティテュート オブ ケミカル テクノロジー 蛍光体を利用した白色発光ダイオードの製造方法
JP2006313829A (ja) * 2005-05-09 2006-11-16 Konica Minolta Opto Inc 白色発光ダイオード及びその製造方法
US8088302B2 (en) 2005-05-24 2012-01-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Green phosphor of thiogallate, red phosphor of alkaline earth sulfide and white light emitting device thereof
US8017961B2 (en) 2005-05-24 2011-09-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and phosphor of alkaline earth sulfide therefor
JP2008544553A (ja) * 2005-06-23 2008-12-04 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 短波長ledとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
JP2007067420A (ja) * 2005-08-26 2007-03-15 Philips Lumileds Lightng Co Llc 色変換型発光ダイオード
JP2007096133A (ja) * 2005-09-29 2007-04-12 Toshiba Corp 白色ledの製造方法およびそれを用いたバックライトの製造方法並びに液晶表示装置の製造方法
JP2009525600A (ja) * 2006-02-03 2009-07-09 トリドニックアトコ オプトエレクトロニクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 非活性化発光材料を備えた発光装置
US8323529B2 (en) 2006-03-16 2012-12-04 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Fluorescent material and light emitting diode using the same
US11322484B2 (en) 2006-03-31 2022-05-03 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device and lighting system having the same
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
JP2008047851A (ja) * 2006-07-18 2008-02-28 Nichia Chem Ind Ltd 線状発光装置およびそれを用いた面状発光装置
US8378568B2 (en) 2006-10-17 2013-02-19 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting diode with yellow, green and red light emitting phosphors
US7804239B2 (en) 2006-10-17 2010-09-28 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting diode
US7999456B2 (en) 2006-10-17 2011-08-16 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting diode with yellow, green and red light emitting phosphor
JP2008103709A (ja) * 2006-10-17 2008-05-01 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光ダイオード
US7897980B2 (en) 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US8317348B2 (en) 2006-12-05 2012-11-27 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting device and white light source module using the same
JP2008147190A (ja) * 2006-12-05 2008-06-26 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 白色発光装置及びこれを用いた白色光源モジュール
JP2008187195A (ja) * 2006-12-05 2008-08-14 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd 白色発光装置及びこれを用いた白色光源モジュール
US7959312B2 (en) 2006-12-05 2011-06-14 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting device and white light source module using the same
US7964885B2 (en) 2006-12-05 2011-06-21 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting device and white light source module using the same
US9392670B2 (en) 2006-12-05 2016-07-12 Samsung Electronics Co., Ltd. White light emitting device and white light source module using the same
JP2008166825A (ja) * 2007-01-02 2008-07-17 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光装置及びこれを用いたlcdバックライト用光源モジュール
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8098005B2 (en) 2007-02-20 2012-01-17 Samsung Led Co., Ltd. White light emitting device
JP2008205437A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Samsung Electro Mech Co Ltd 白色発光装置
JP2008270781A (ja) * 2007-03-23 2008-11-06 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光装置
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
JP2009218422A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Sharp Corp 半導体発光装置および画像表示装置
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
JP2009231510A (ja) * 2008-03-21 2009-10-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP2011529621A (ja) * 2008-07-29 2011-12-08 ソウル セミコンダクター カンパニー リミテッド ウォームホワイト発光装置及びそれを備えるバックライトモジュール
JP2008274302A (ja) * 2008-08-07 2008-11-13 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 蛍光体及び発光ダイオード
JP2008283221A (ja) * 2008-08-25 2008-11-20 Sharp Corp Ledデバイスおよびそれを用いた携帯電話機器、デジタルカメラおよびlcd表示装置
US8415870B2 (en) 2008-08-28 2013-04-09 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device and backlight source, backlight source system, display device and electronic device using the same
WO2010074391A1 (ko) 2008-12-22 2010-07-01 금호전기주식회사 산질화물 형광체, 그 제조방법 및 발광장치
JP2011082479A (ja) * 2009-10-05 2011-04-21 Everlight Electronics Co Ltd 白色発光装置、白色発光装置の製造方法および応用
JP2012036265A (ja) * 2010-08-05 2012-02-23 Sharp Corp 照明装置
KR101321933B1 (ko) * 2011-03-30 2013-10-28 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
JP2015156522A (ja) * 2012-08-24 2015-08-27 台積固態照明股▲ふん▼有限公司 蛍光体コートledのパッケージング方法と装置
KR101330249B1 (ko) * 2012-11-29 2013-11-15 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 이의 제조 방법
JP2016201569A (ja) * 2012-12-20 2016-12-01 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
CN104853587A (zh) * 2013-02-15 2015-08-19 夏普株式会社 植物栽培用led光源
WO2014125714A1 (ja) * 2013-02-15 2014-08-21 シャープ株式会社 植物栽培用led光源
JP2014165225A (ja) * 2013-02-21 2014-09-08 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュールおよび照明装置
JP2015144231A (ja) * 2013-12-27 2015-08-06 三菱化学株式会社 発光装置及び発光装置の設計方法
JP2016054184A (ja) * 2014-09-03 2016-04-14 シチズン電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2019161239A (ja) * 2014-12-26 2019-09-19 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10847688B2 (en) 2014-12-26 2020-11-24 Nichia Corporation Light emitting device
JP2016154204A (ja) * 2014-12-26 2016-08-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
US11031532B2 (en) 2014-12-26 2021-06-08 Nichia Corporation Light emitting device
JP7506328B2 (ja) 2014-12-26 2024-06-26 日亜化学工業株式会社 光源および光源を備える発光装置
WO2016122284A1 (ko) * 2015-01-31 2016-08-04 주식회사 엘지화학 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
US10401550B2 (en) 2015-01-31 2019-09-03 Lg Chem, Ltd. Back-light unit and display apparatus comprising same
JP2018053128A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10256375B2 (en) 2016-09-29 2019-04-09 Nichia Corporation Light emitting device
JP2020534698A (ja) * 2017-09-19 2020-11-26 カレント・ライティング・ソルーションズ,エルエルシー 狭帯域の緑色蛍光体を含む広色域ディスプレイ
JP7396982B2 (ja) 2017-09-19 2023-12-12 カレント・ライティング・ソルーションズ,エルエルシー 狭帯域の緑色蛍光体を含む広色域ディスプレイ

Also Published As

Publication number Publication date
CN1289456A (zh) 2001-03-28
WO2000033390A1 (en) 2000-06-08
CN1246912C (zh) 2006-03-22
EP1051759A1 (en) 2000-11-15
US6252254B1 (en) 2001-06-26
AU2033900A (en) 2000-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002531956A (ja) 蛍光体組成物を有する発光デバイス
US6580097B1 (en) Light emitting device with phosphor composition
EP1490453B1 (en) Tri-color white light led lamp
KR100950497B1 (ko) 백색 광 방출 다이오드(led)를 위한 새로운 형광체시스템
US7358542B2 (en) Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US6255670B1 (en) Phosphors for light generation from light emitting semiconductors
US11007375B2 (en) Light source for myopia prevention article and method of using light source for myopia prevention article
EP2688114B1 (en) White light source
JP2002531955A (ja) 視感度の高い蛍光体による発光デバイス
JP2008523169A (ja) 放射線源とルミネッセンス材料を含む照明システム
JP2007500776A (ja) シリケート蛍光りん光物質を有する発光装置
EP2613076B1 (en) Led light bulb
KR20100015323A (ko) Led 용도에 사용되는 적색선 방출 인광체
CN102959312B (zh) Led灯泡
CN108681147B (zh) 量子点背光模组、量子点led和液晶显示装置
CN104868041A (zh) 全碳基量子点混合荧光粉led及其制备方法
KR100793463B1 (ko) 실리케이트계 형광체, 그 제조방법 및 이를 이용한발광장치
WO2021042755A1 (zh) 全光谱发光系统
US12023513B2 (en) Light source for myopia prevention article and method of using light source for myopia prevention article
TWI390015B (zh) Warm white light emitting diodes and their bromide fluorescent powder
JPS5861554A (ja) 螢光ランプ
JP2021039358A (ja) 蛍光体装置
JP2024517092A (ja) ウラン系蛍光体並びにディスプレイ及び照明用途のための組成物
KR100616689B1 (ko) 백색 발광 장치
JPH04324241A (ja) 蛍光ランプ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061128

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061128

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090106