JP2002531955A - 視感度の高い蛍光体による発光デバイス - Google Patents

視感度の高い蛍光体による発光デバイス

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Abstract

(57)【要約】 ランプは、発光ダイオード又はレーザーダイオードのような青色光を発する発光素子と該発光素子の第一スペクトルの青色光を吸収して第二スペクトルの光を発する蛍光体組成物を含んでなる。この蛍光体組成物は、Ba2MgSi27:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+及び(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の1種類以上を含んでなる。本発明は、青色光を発する発光素子と該発光素子の第一スペクトルの青色光を吸収して第二スペクトルの光を発する蛍光体組成物にも関するが、当該ランプの発する光の分光視感度は、ワット放射束当り550ルーメン以上である。出力スペクトルの分光視感度が高いために、ランプに対する入力電力は高い明るさを供するように効率的にルーメンに変換される。例えば、当該ランプのデバイス視感度は、ワット入力電力当り35〜45ルーメン或いはそれ以上にできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は概して発光デバイスに関するものであり、具体的には発光ダイオード
と蛍光体組成物から白色光を発するランプに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、短波長放射線を発する発光半導体デバイスの製造に著しい進歩が見られ
た。例えば、日亜化学工業(株)は青色及び紫外(UV)波長域の光を発する発
光ダイオード及びレーザーダイオードを生産している。日亜は青色発光ダイオー
ドと蛍光体を含んだ光源も生産している。その蛍光体は3価セリウムをドープし
たイットリウム−アルミニウム−ガーネットであり、青色光の一部を広帯域黄色
光に変換する。青色光と黄色光が一緒になって色温度約6000〜8000°K
及び演色評価数(CRI)約77の白色光を生じる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
ただし、日亜の光源の有するデバイス視感度は、ワット入力電力当り約5ルー
メンにすぎない。そこで、特に入力電力が限られている(例えばバッテリー電力
による)場合には、日亜ランプの出力光束は比較的小さい。従って、デバイス視
感度及び出力光束の高い光源があれば性能向上の面で望ましい。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の一つの例示的な実施形態によるランプは、発光ダイオード又はレーザ
ーダイオードのような青色光を発する発光素子と該発光素子の第一スペクトルの
青色光を吸収して第二スペクトルの光を発する蛍光体組成物を含んでなる。この
蛍光体組成物は、Ba2MgSi27:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+及び(Sr
,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の1種類以上を含んでなる。
【0005】 本発明は、青色光を発する発光素子と該発光素子の第一スペクトルの青色光を
吸収して第二スペクトルの光を発する蛍光体組成物にも関するが、当該ランプの
発する光の分光視感度は、ワット放射束当り550ルーメン以上である。出力ス
ペクトルの分光視感度が高いために、ランプに対する入力電力は高い明るさを供
するように効率的にルーメンに変換される。例えば、当該ランプのデバイス視感
度は、ワット入力電力当り35〜45ルーメン或いはそれ以上にできる。
【0006】 本発明のランプは特に、明るさがランプの重要な特性となり、入力電力に限界
があり、演色性がさほど重要でないフラッシュライトとして有用である。
【0007】
【発明の実施の形態】
本発明のその他の特徴及び利点は、以下の詳細な説明及び添付の図面から明ら
かになろう。
【0008】 当技術分野で公知の通り、人間の目はある特定の波長の光に対してその他の光
よりも敏感である。この現象は国際照明委員会(CIE)により入念に研究され
、光に対する人間の目の応答についての多くの観察に基づいて1931年に創案
された標準は「標準観測者」と知られている。標準観測者は波長の関数として多
数の個人の視感度の平均値を表し、555ナノメーター(nm)に極大を有し、
約380nm(紫外)及び780nm(赤外)でゼロまで下がる。標準観測者に
代表される人間の目の感度の変動を図1にプロットしたが、これは分光視感度V
(λ)を波長(λ)の関数として示したものである。
【0009】 分光視感度V(λ)は、出力光束(測定単位はルーメン)に多大な影響を与える
可能性があるので、多くの照明用途で重要である。光束とは、視覚を生じる能力
によって評価される放射エネルギー(放射束)の流れの速さをいう。放射束とは
、光源から放射される単位時間当たりの放射エネルギーをいう。光の波長が異な
ると目の感度が変化するので、光束は放射束と異なる。例えば、赤色光源と同じ
放射束を発する緑色光源は、目が赤色光よりも緑色光に鋭敏なため、高い光束を
有する。この原理を図2に示すが、この図は、全可視波長域で等しい放射束スペ
クトルで得られる光束を波長の関数として示す。
【0010】 光束Lは、次式により放射束P(λ)と視感度V(λ)との積を所望の波長域にわ
たって積分すれば計算できる。
【0011】 κ∫P(λ)V(λ)dλ (1) 係数κは最大視感度係数であり、555nmにおいて683ルーメン/ワット(
lpw)に等しい。最大視感度係数κはワットをルーメンに変換する。
【0012】 出力スペクトルを特徴づけるのに常用されるもう一つ変数は分光視感度である
。分光視感度は放射束からルーメンを得る際の出力スペクトルの効率を定量化す
る。分光視感度は光束を光源の出力放射束で除したものとして従来より定義され
ている。555nmの波長のみを含む出力スペクトルは最大視感度、即ち683
ルーメン/ワットを有する。白熱電球の発する可視光の分光視感度は典型的には
約300ルーメン/ワットである。
【0013】 本発明の例示的実施形態によれば、ランプの出力スペクトルは、図1の視感度
曲線の感度の高い領域周辺に出力スペクトルを集約することによって高い分光視
感度を与えるように設計される。こうして、光源の出力光束を表す式(1)の積
分値は、光源に対する入力電力を増加させなくても、増大する。
【0014】 本発明の例示的実施形態によれば、光源はLED又はレーザーダイオードのよ
うな青色光を発する発光デバイスと、青色光を吸収して緑色光を発する蛍光体と
を含んでなる。蛍光体は、図1の視感度曲線の最も感度の高い領域に集約された
出力スペクトルを有する緑色光を発するように選択される。
【0015】 LEDの発する青色光の発光ピークは通例400nmよりも長波長側にあり、
典型的には400〜520nmの間、さらに典型的には約450〜約470nm
の間にある。LEDの発する青色光のピーク半値幅は、典型的には約70nm未
満、さらに典型的には約50nm未満であり、随意約20nm未満としてもよい
【0016】 当技術分野で公知の通り、青色LEDは基板上に種々の半導体材料を堆積させ
ることによって製造し得る。発光デバイスの形成に有用な半導体材料として知ら
れている公知のグループは窒化ガリウム(GaN)系である。窒化ガリウム系と
は、III族窒化物、即ち窒化ガリウム(GaN)、窒化アルミニウム(AlN)
及び窒化インジウム(InN)の1種類以上を含む半導体材料をいう。GaN系
ではその組成中のGaN、AlN及びInNの相対量に基づいて種々の波長の光
、特に短波長光の発光が可能である。GaN系は、通例、従来の緑色発光LED
と比べると出力放射束が比較的高く、温度感受性が小さいという利点も与える。
【0017】 図3にLED10の一例を示す。例示的なLEDは基板20、n型GaN層3
0、単一又は多重量子井戸を形成することもある窒化インジウムガリウム(In
GaN)層40、p型窒化アルミニウムガリウム(AlGaN)層50、p型G
aN層60、プラス接点70及びマイナス接点80を有する。種々の半導体層3
0,40、50及び60は通例化学気相成長(CVD)で堆積・積層される。一
般に、各層はInxGayAl(1-x-y)N(ただし、0≦x≦1及び0≦y≦1)
を含み得る。図3にはLEDを例示したが、レーザーダイオードのような他の発
光デバイスも本発明に包含される。さらに、GaN系以外の半導体材料、例えば
ヒ素化ガリウム(GaAs)及びその合金、ケイ素及び炭化ケイ素(SiC)を
使用することもできる。
【0018】 青色波長域で発光するLED及びレーザーダイオードのその他の例は当技術分
野で公知である。例えば、米国特許第5813753号、同第5813752号
、同第5338944号、同第5416342号、同第5604763号及び同
第5644584号を参照されたい。青色及びUV放射線を発光するLED及び
レーザーダイオードに関しては、Shuji Nakamura and Ge
rhard Fasol,”The Blue Laser Diode“(1
997)にも記載されている。
【0019】 図4は本発明の例示的実施形態による照明装置を示す。照明装置200には光
源210(LEDでもレーザーダイオードでもよい)が含まれており、例えば導
線212,214で電力を供給する。光源210及び導線212,214の一部
分は、例えばシリコーン、ガラス又はプラスチック材料で構成される透過体22
0の内部に封入される。
【0020】 蛍光体組成物230は、図4に示すように透過体230の外表面に形成しても
よいし、或いは透過体230内部の光源210に直接形成してもよい。蛍光体組
成物を透過体230又は光源210に塗布するため、蛍光体組成物を例えば工業
用ラッカーに用いられるニトロセルロース/酢酸ブチルバインダーと溶媒の溶液
のような懸濁液に加えてもよい。その他にも、水に適当な分散剤及びポリエチレ
ンオキサイドのような増粘剤又はバインダーを加えたものを始めとする種々の液
体を使用し得る。蛍光体含有懸濁液を刷毛塗り又はコーティング又はその他の方
法でLEDに塗布して乾燥する。照明装置200は複数の散乱粒子を含んでいて
もよく、例えばレーザーダイオードを光源として使う場合には、二酸化チタン又
は酸化アルミニウム粒子を透過体230内に埋め込んでおいてもよい。
【0021】 導線212,214に電流を流すと、LEDは青色光を発し、蛍光体組成物2
30によって緑色光へと変換される。LED又はレーザーダイオードの発する青
色光は緑色発光蛍光体を効率よく励起できる。本発明の例示的実施形態では、B
2MgSi27:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+及び(Sr,Ca,Ba)(Al
,Ga)24:Eu2+の蛍光体の1種類以上が用いられる。
【0022】 上記の蛍光体において、符号コロンの後に記載された元素は賦活剤を表す。(
A,B,C)という表記は(Ax,By,Cz)を意味する。ただし、0≦x≦1
及び0≦y≦1及び0≦z≦1及びx+y+z=1である。例えば、(Sr,C
a,Ba)は(Srx,Cay,Baz)を意味し、0≦x≦1及び0≦y≦1及
び0≦z≦1及びx+y+z=1である。通例、x,y及びzはすべて零以外の
数値である。(A,B)という表記は(Ax,By)を意味し、0≦x≦1及び0
≦y≦1及びx+y=1である。通例、x及びyはともに零以外の数値である。
【0023】 緑色発光蛍光体は好ましくは約500nm〜約555nmの間に発光ピークを
示す。図5,図6及び図7は本明細書で開示した3種の緑色蛍光体の発光スペク
トルである。これらの図に示した通り、緑色蛍光体の発光スペクトルは図1の分
光視感度曲線の最も高感度の領域と大部分一致している。Ba2MgSi27
Eu2+は約495〜505nm、通例約500nmに発光ピークを有し、Ba2
SiO4:Eu2+は約500〜510nm、通例約505nmに発光ピークを有
し、(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+は約535〜545nm、通
例約540nmに発光ピークを有する。これらの蛍光体を1種類以上使用したラ
ンプで得られる分光視感度は、青色光が実質的にすべて蛍光体で吸収されたと仮
定して、550ルーメン/ワット放射束を超えるのが通例である。
【0024】 ルーメンを得る際にランプ効率の記述に常用されるもう一つの変数はデバイス
視感度であり、ランプの出力光束をランプへの入力電力で除した値として定義さ
れる。ランプのデバイス視感度は出力スペクトルの分光視感度だけでなく3つの
付加的因子も考慮に入れる。第一に、デバイス効率はLEDの出力放射束をLE
Dへの入力電力で除した値を表す。典型的な青色LEDでは、デバイス効率は約
10%である。第二に、蛍光体の量子効率は吸収フォトンから放出フォトンへの
エネルギー遷移に付随する損失を表す。量子効率は、蛍光体から放出されたフォ
トンの数を蛍光体に吸収されたフォトンの数で除した値として定義される。本明
細書に開示した蛍光体では、量子効率は通例約80%である。第三に、蛍光体の
発する放出光の振動数の減少に付随したエネルギー損失があり、hΔνに等しい
。hはプランク定数で、Δνは光の振動数の変化である。吸収波長が450nm
で発光波長が555nmの光では、放出エネルギーは吸収エネルギーの450/
555=81%である。
【0025】 これらすべての因子を考慮に入れると、典型的なランプのデバイス視感度(D
LE)は、 DLE=(DE)×(QE)×(FL)×(SLE) で表される。DE=デバイス効率、QE=蛍光体量子効率、FL=振動数損失効
率、そしてSLE=分光視感度である。本発明の例示的実施形態による典型的な
ランプでは、デバイス視感度は(10%)×(80%)×(81%)×(550
〜683ルーメン/ワット放射束)=約35〜45ルーメン/ワット入力電力と
なる。かかる範囲のデバイス視感度は公知のLEDランプに比べて格段に高い。
例えば、従来の緑色発光LEDは通例30ルーメン/ワット入力電力以下である
【0026】 本発明の別の実施形態では、デバイス効率が例えば40%であるようなレーザ
ーダイオードを利用することでデバイス視感度をさらに高めることができる。。
他の変数が実質的に同じと仮定して、デバイス視感度は約143〜177ルーメ
ン/ワット入力電力へと高まる。
【0027】 LED又はレーザーダイオードのいずれかを使用すると、放射光は図1の分光
視感度曲線の最も感度の高い領域付近に集中したスペクトルを有し、例えば55
0lpw以上の高い分光視感度を与える。本発明は、このように、LED又はレ
ーザーダイオードへの入力電力を増加しなくても、出力光束が格段に向上すると
いう利点をもたらす。
【0028】 本発明のその他の実施形態は、本明細書の検討又は本明細書の開示内容の実施
により当業者には自明であろう。本明細書及び具体例は例示を目的としたものに
すぎず、本発明の技術的範囲及び思想は以下の請求項によって規定される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 波長の異なる光に対する人間の目の感度を示す分光視感度のグラ
フである。
【図2】 光源に関する、入力電力と放射束と光束との関係を説明する図表
である。
【図3】 典型的な発光ダイオードの図である。
【図4】 蛍光体組成物と発光ダイオードのような光源とを含むランプを例
示する図である。
【図5】 蛍光体Ba2MgSi27:Eu2+の発光スペクトル図である。
【図6】 蛍光体Ba2SiO4:Eu2+の発光スペクトル図である。
【図7】 蛍光体(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の発光スペ
クトル図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,CY, DE,DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,I T,LU,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ ,CF,CG,CI,CM,GA,GN,GW,ML, MR,NE,SN,TD,TG),AP(GH,GM,K E,LS,MW,SD,SL,SZ,TZ,UG,ZW ),EA(AM,AZ,BY,KG,KZ,MD,RU, TJ,TM),AL,AM,AT,AU,AZ,BA, BB,BG,BR,BY,CA,CH,CN,CU,C Z,DE,DK,EE,ES,FI,GB,GD,GE ,GH,GM,HR,HU,ID,IL,IN,IS, JP,KE,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,L R,LS,LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN ,MW,MX,NO,NZ,PL,PT,RO,RU, SD,SE,SG,SI,SK,SL,TJ,TM,T R,TT,UA,UG,UZ,VN,YU,ZW Fターム(参考) 4H001 CA07 XA08 XA12 XA13 XA14 XA16 XA20 XA31 XA38 XA56 YA63 5F041 AA04 CA34 CA40 DA45 DA46 DA47 DB01 EE25 FF11 5F073 BA09 CA02 CA07 FA30

Claims (23)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 青色光を発する発光素子と、該発光素子の第一スペクトルの
    青色光を吸収して第二スペクトルの光を発する蛍光体組成物とを含んでなるラン
    プであって、上記蛍光体組成物がBa2MgSi27:Eu2+、Ba2SiO4
    Eu2+及び(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の1種類以上を含んで
    なる、ランプ。
  2. 【請求項2】 前記発光素子が発光ダイオードからなる、請求項1記載のラ
    ンプ。
  3. 【請求項3】 前記発光素子がレーザーダイオードからなる、請求項1記載
    のランプ。
  4. 【請求項4】 前記第二スペクトルの分光視感度が550ルーメン/ワット
    放射束以上である、請求項1記載のランプ。
  5. 【請求項5】 当該ランプのデバイス視感度が35ルーメン/ワット入力電
    力以上である、請求項1記載のランプ。
  6. 【請求項6】 前記青色光の発光ピークが400nmよりも長く520nm
    よりも短い波長にある、請求項1記載のランプ。
  7. 【請求項7】 前記青色光の発光ピークが約450nm〜約470nmの間
    にある、請求項1記載のランプ。
  8. 【請求項8】 前記第二スペクトルの発光ピークが約500nm〜570n
    mの間にある、請求項1記載のランプ。
  9. 【請求項9】 前記発光素子を封入した透過体をさらに含んでなり、前記蛍
    光体組成物が該透過体の表面上に堆積している、請求項1記載のランプ。
  10. 【請求項10】 青色光を発する発光素子と、該発光素子の第一スペクトル
    を示す青色光を吸収して第二スペクトルを示す光を発する蛍光体組成物とを含ん
    でなるランプであって、当該ランプが発する光の分光視感度が550ルーメン/
    ワット以上であるランプ。
  11. 【請求項11】 発光素子が発光ダイオードからなる、請求項10記載のラ
    ンプ。
  12. 【請求項12】 当該ランプのデバイス視感度が35ルーメン/ワット入力
    電力以上である、請求項10記載のランプ。
  13. 【請求項13】 前記発光素子がレーザーダイオードからなる、請求項10
    記載のランプ。
  14. 【請求項14】 前記第二スペクトルの発光ピークが約535nm〜545
    nmの間にある、請求項10記載のランプ。
  15. 【請求項15】 前記第二スペクトルの発光ピークが約495nm〜505
    nmの間にある、請求項10記載のランプ。
  16. 【請求項16】 前記第二スペクトルの発光ピークが約500nm〜510
    nmの間にある、請求項10記載のランプ。
  17. 【請求項17】 前記蛍光体組成物がBa2MgSi27:Eu2+、Ba2
    iO4:Eu2+及び(Sr,Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の1種類以上
    を含んでなる、請求項10記載のランプ。
  18. 【請求項18】 青色光を発する発光素子と、該発光素子の第一スペクトル
    を示す青色光を吸収して第二スペクトルを示す光を発する蛍光体組成物とを含ん
    でなるランプであって、当該ランプのデバイス視感度が35ルーメン/ワット以
    上であるランプ。
  19. 【請求項19】 当該ランプが発する光の分光視感度が550ルーメン/ワ
    ット以上である、請求項18記載のランプ
  20. 【請求項20】 発光デバイスで青色光を発生させる段階と、青色光を吸収
    する蛍光体組成物に上記青色光を当てる段階と、上記蛍光体組成物で青色光を異
    なるスペクトルを示す光に変換する段階とを含んでなる発光方法であって、上記
    蛍光体組成物がBa2MgSi27:Eu2+、Ba2SiO4:Eu2+及び(Sr,
    Ca,Ba)(Al,Ga)24:Eu2+の1種類以上を含んでなる、方法。
  21. 【請求項21】 前記青色光を発生させる段階が発光ダイオードで青色光を
    発生することを含む、請求項20記載の方法。
  22. 【請求項22】 前記蛍光体組成物が前記青色光を分光視感度550ルーメ
    ン/ワット放射束以上の光に変換する、請求項21記載の方法。
  23. 【請求項23】 発光デバイスで青色光を発生させる段階と、異なるスペク
    トルの光を発する蛍光体組成物であって上記発光デバイスと該蛍光体組成物とが
    協働して分光視感度550ルーメン/ワット放射束以上の光を発する蛍光体組成
    物に、上記青色光を吸収させる段階とを含んでなる光発生法。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004217723A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
JP2004253747A (ja) * 2002-02-27 2004-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2005063836A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
JP2005136420A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Lumileds Lighting Us Llc 発光効率が高い発光デバイス
JP2007500776A (ja) * 2003-05-17 2007-01-18 フォスファーテック コーポレーション シリケート蛍光りん光物質を有する発光装置
JP2007533149A (ja) * 2004-04-16 2007-11-15 ロディア・シミ 白色発光ダイオード
JP2007326772A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Schott Ag ガーネット相を有するガラスセラミックの製造方法
JP2008069250A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Niigata Univ 発光ダイオード用蛍光体
JP2009539227A (ja) * 2006-05-31 2009-11-12 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
US7679101B2 (en) 2000-12-28 2010-03-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
US7811472B2 (en) * 2004-04-27 2010-10-12 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
JP2011003546A (ja) * 2005-03-31 2011-01-06 Seoul Semiconductor Co Ltd バックライトパネル
JP2011009717A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Intel Corp 制御可能な発光素子を有する発光デバイス
US7897980B2 (en) 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
JP2011142356A (ja) * 2006-10-12 2011-07-21 Panasonic Corp 発光装置
JP2012140627A (ja) * 2005-05-24 2012-07-26 Seoul Semiconductor Co Ltd チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子
US8471459B2 (en) 2010-09-02 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Fluorescent substance and light-emitting device employing the same
US9068116B2 (en) 2011-08-24 2015-06-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material
US10164158B2 (en) 2003-09-18 2018-12-25 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same

Families Citing this family (396)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
US6680569B2 (en) 1999-02-18 2004-01-20 Lumileds Lighting U.S. Llc Red-deficiency compensating phosphor light emitting device
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
US6696703B2 (en) 1999-09-27 2004-02-24 Lumileds Lighting U.S., Llc Thin film phosphor-converted light emitting diode device
EP1142033A1 (en) 1999-09-27 2001-10-10 LumiLeds Lighting U.S., LLC A light emitting diode device that produces white light by performing complete phosphor conversion
DE10010638A1 (de) * 2000-03-03 2001-09-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines lichtabstrahlenden Halbleiterkörpers mit Lumineszenzkonversionselement
US6603258B1 (en) 2000-04-24 2003-08-05 Lumileds Lighting, U.S. Llc Light emitting diode device that emits white light
US6621211B1 (en) * 2000-05-15 2003-09-16 General Electric Company White light emitting phosphor blends for LED devices
US6555958B1 (en) * 2000-05-15 2003-04-29 General Electric Company Phosphor for down converting ultraviolet light of LEDs to blue-green light
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
JP5110744B2 (ja) 2000-12-21 2012-12-26 フィリップス ルミレッズ ライティング カンパニー リミテッド ライアビリティ カンパニー 発光装置及びその製造方法
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder
US6417019B1 (en) * 2001-04-04 2002-07-09 Lumileds Lighting, U.S., Llc Phosphor converted light emitting diode
US6844903B2 (en) 2001-04-04 2005-01-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Blue backlight and phosphor layer for a color LCD
JP3940596B2 (ja) * 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
JP3940750B2 (ja) * 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
EP2017901A1 (en) * 2001-09-03 2009-01-21 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting DEV
JP2007329511A (ja) * 2001-09-03 2007-12-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2003147351A (ja) * 2001-11-09 2003-05-21 Taiwan Lite On Electronics Inc 白色光光源の製作方法
JP3837488B2 (ja) * 2001-11-30 2006-10-25 独立行政法人産業技術総合研究所 メカノルミネッセンス材料
JP4380118B2 (ja) * 2002-07-24 2009-12-09 三菱化学株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
US20050202363A1 (en) * 2002-02-21 2005-09-15 Osterwalder J. M. Dental imaging and treatment system
JP3946541B2 (ja) * 2002-02-25 2007-07-18 三菱電線工業株式会社 発光装置およびそれを用いた照明装置、ならびに該発光装置の製造方法と設計方法
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色led用蛍光体とそれを用いた白色led
US20030219237A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Image Premastering Services, Ltd. Apparatus and method for digital recording of a film image
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
JP2004083653A (ja) * 2002-08-23 2004-03-18 Sharp Corp 発光装置ならびに蛍光体およびその製造方法
US7800121B2 (en) * 2002-08-30 2010-09-21 Lumination Llc Light emitting diode component
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US7554258B2 (en) * 2002-10-22 2009-06-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source having an LED and a luminescence conversion body and method for producing the luminescence conversion body
FR2848375B1 (fr) * 2002-12-05 2005-01-14 Schneider Electric Ind Sas Dispositif d'eclairage a diodes electroluminescentes comportant un dispositif de communication et installation comportant un tel dispositif
US6867536B2 (en) * 2002-12-12 2005-03-15 General Electric Company Blue-green phosphor for fluorescent lighting applications
US6965193B2 (en) * 2002-12-12 2005-11-15 General Electric Company Red phosphors for use in high CRI fluorescent lamps
US20040113539A1 (en) * 2002-12-12 2004-06-17 Thomas Soules Optimized phosphor system for improved efficacy lighting sources
US7042150B2 (en) * 2002-12-20 2006-05-09 Showa Denko K.K. Light-emitting device, method of fabricating the device, and LED lamp using the device
US6765237B1 (en) 2003-01-15 2004-07-20 Gelcore, Llc White light emitting device based on UV LED and phosphor blend
US6936857B2 (en) 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
MY151065A (en) * 2003-02-25 2014-03-31 Kaneka Corp Curing composition and method for preparing same, light-shielding paste, light-shielding resin and method for producing same, package for light-emitting diode, and semiconductor device
WO2004085570A1 (en) * 2003-03-28 2004-10-07 Korea Research Institute Of Chemical Technology Strontium silicate-based phosphor, fabrication method thereof, and led using the phosphor
US20040259279A1 (en) * 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US6831302B2 (en) * 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US7667238B2 (en) * 2003-04-15 2010-02-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices for liquid crystal displays
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
EP1614299A1 (en) * 2003-04-16 2006-01-11 Upstream Engineering Oy 2d/3d data projector
FI20030583A (fi) * 2003-04-16 2004-10-17 Upstream Engineering Oy Dataprojektori
US7368179B2 (en) 2003-04-21 2008-05-06 Sarnoff Corporation Methods and devices using high efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
US7125501B2 (en) 2003-04-21 2006-10-24 Sarnoff Corporation High efficiency alkaline earth metal thiogallate-based phosphors
EP1620903B1 (en) 2003-04-30 2017-08-16 Cree, Inc. High-power solid state light emitter package
US7005679B2 (en) 2003-05-01 2006-02-28 Cree, Inc. Multiple component solid state white light
DE20308495U1 (de) * 2003-05-28 2004-09-30 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Konversions-LED
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
WO2005004202A2 (en) * 2003-06-24 2005-01-13 Gelcore Llc Full spectrum phosphor blends for white light generation with led chips
US7088038B2 (en) * 2003-07-02 2006-08-08 Gelcore Llc Green phosphor for general illumination applications
JP2005073227A (ja) * 2003-08-04 2005-03-17 Sharp Corp 撮像装置
JP2005064233A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Stanley Electric Co Ltd 波長変換型led
WO2005025933A2 (en) * 2003-09-08 2005-03-24 Schefenacker Vision Systems Usa Inc. Led light source
JP2007506264A (ja) * 2003-09-15 2007-03-15 コニンクリユケ フィリップス エレクトロニクス エヌ.ブイ. 白色発光照明システム
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
KR20060090686A (ko) * 2003-10-01 2006-08-14 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 색 변환층 및 발광 소자
TW200517437A (en) * 2003-10-16 2005-06-01 Nitto Denko Corp Epoxy resin composition for encapsulating optical semiconductor element and optical semiconductor device using the same
US6841804B1 (en) * 2003-10-27 2005-01-11 Formosa Epitaxy Incorporation Device of white light-emitting diode
US7450311B2 (en) * 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
TW200522387A (en) * 2003-12-26 2005-07-01 Ind Tech Res Inst High-power LED planarization encapsulation structure
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
WO2005067524A2 (en) * 2004-01-15 2005-07-28 Nanosys, Inc. Nanocrystal doped matrixes
US7608200B2 (en) 2004-01-16 2009-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
US7239080B2 (en) * 2004-03-11 2007-07-03 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd LED display with overlay
US7517728B2 (en) * 2004-03-31 2009-04-14 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices including a luminescent conversion element
KR100605211B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100605212B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR101295561B1 (ko) * 2004-05-05 2013-08-12 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광 소스
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
US11158768B2 (en) 2004-05-07 2021-10-26 Bruce H. Baretz Vacuum light emitting diode
US7361938B2 (en) * 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
US7534633B2 (en) * 2004-07-02 2009-05-19 Cree, Inc. LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same
US20060006366A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Vladimir Abramov Wave length shifting compositions for white emitting diode systems
WO2006005005A2 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Sarnoff Corporation Efficient, green-emitting phosphors, and combinations with red-emitting phosphors
CN100385690C (zh) * 2004-07-08 2008-04-30 光宝科技股份有限公司 可调整色温的白光发光方法
US20060038188A1 (en) 2004-08-20 2006-02-23 Erchak Alexei A Light emitting diode systems
US20060043400A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Erchak Alexei A Polarized light emitting device
CN101027789B (zh) * 2004-09-23 2012-07-04 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光装置
DE102004052456B4 (de) * 2004-09-30 2007-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US20060097385A1 (en) * 2004-10-25 2006-05-11 Negley Gerald H Solid metal block semiconductor light emitting device mounting substrates and packages including cavities and heat sinks, and methods of packaging same
US7675079B1 (en) * 2004-10-28 2010-03-09 Kley Victor B Diamond coating of silicon-carbide LEDs
US7321191B2 (en) * 2004-11-02 2008-01-22 Lumination Llc Phosphor blends for green traffic signals
DE102004057804B4 (de) * 2004-11-30 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäusekörper für einen Halbleiterchip aus gegossener Keramik mit reflektierender Wirkung und Verfahren zu dessen Herstellung
US20060139575A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Upstream Engineering Oy Optical collection and distribution system and method
US8125137B2 (en) * 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
US7564180B2 (en) * 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US9070850B2 (en) * 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
EP1686630A3 (en) * 2005-01-31 2009-03-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Led device having diffuse reflective surface
KR101139891B1 (ko) * 2005-01-31 2012-04-27 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 확산 반사면을 구비한 발광 다이오드 소자
US7497973B2 (en) * 2005-02-02 2009-03-03 Lumination Llc Red line emitting phosphor materials for use in LED applications
US20070114562A1 (en) * 2005-11-22 2007-05-24 Gelcore, Llc Red and yellow phosphor-converted LEDs for signal applications
US7648649B2 (en) * 2005-02-02 2010-01-19 Lumination Llc Red line emitting phosphors for use in led applications
US7358542B2 (en) * 2005-02-02 2008-04-15 Lumination Llc Red emitting phosphor materials for use in LED and LCD applications
US20070045640A1 (en) 2005-08-23 2007-03-01 Erchak Alexei A Light emitting devices for liquid crystal displays
US7274045B2 (en) * 2005-03-17 2007-09-25 Lumination Llc Borate phosphor materials for use in lighting applications
US20070063208A1 (en) * 2005-03-24 2007-03-22 Klimov Victor I Nanocrystal/photonic crystal composites
US7276183B2 (en) * 2005-03-25 2007-10-02 Sarnoff Corporation Metal silicate-silica-based polymorphous phosphors and lighting devices
US7474286B2 (en) * 2005-04-01 2009-01-06 Spudnik, Inc. Laser displays using UV-excitable phosphors emitting visible colored light
US20060221022A1 (en) * 2005-04-01 2006-10-05 Roger Hajjar Laser vector scanner systems with display screens having optical fluorescent materials
US7791561B2 (en) * 2005-04-01 2010-09-07 Prysm, Inc. Display systems having screens with optical fluorescent materials
US7733310B2 (en) 2005-04-01 2010-06-08 Prysm, Inc. Display screens having optical fluorescent materials
JP4862274B2 (ja) * 2005-04-20 2012-01-25 パナソニック電工株式会社 発光装置の製造方法及び該発光装置を用いた発光装置ユニットの製造方法
US7994702B2 (en) 2005-04-27 2011-08-09 Prysm, Inc. Scanning beams displays based on light-emitting screens having phosphors
US8000005B2 (en) 2006-03-31 2011-08-16 Prysm, Inc. Multilayered fluorescent screens for scanning beam display systems
US8089425B2 (en) 2006-03-03 2012-01-03 Prysm, Inc. Optical designs for scanning beam display systems using fluorescent screens
KR100704492B1 (ko) * 2005-05-02 2007-04-09 한국화학연구원 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드의 제조 방법
JP2007049114A (ja) 2005-05-30 2007-02-22 Sharp Corp 発光装置とその製造方法
CN101562227B (zh) * 2005-05-30 2010-12-08 夏普株式会社 发光器件及其制造方法
US9297092B2 (en) 2005-06-05 2016-03-29 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8718437B2 (en) 2006-03-07 2014-05-06 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US7980743B2 (en) 2005-06-14 2011-07-19 Cree, Inc. LED backlighting for displays
EP1894257A1 (en) * 2005-06-23 2008-03-05 Rensselaer Polytechnic Institute Package design for producing white light with short-wavelength leds and down-conversion materials
US20070063979A1 (en) * 2005-09-19 2007-03-22 Available For Licensing Systems and methods to provide input/output for a portable data processing device
KR20070033801A (ko) * 2005-09-22 2007-03-27 삼성전기주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법
US7196354B1 (en) 2005-09-29 2007-03-27 Luminus Devices, Inc. Wavelength-converting light-emitting devices
WO2007047779A1 (en) * 2005-10-14 2007-04-26 University Of Florida Research Foundation, Inc. Method and apparatus for light emission utilizing an oled with a microcavity
JP2007130182A (ja) * 2005-11-09 2007-05-31 Toshiba Corp 照明制御装置、照明制御システム、照明制御方法および照明制御プログラム
US7564070B2 (en) 2005-11-23 2009-07-21 Visteon Global Technologies, Inc. Light emitting diode device having a shield and/or filter
DE102005057166A1 (de) * 2005-11-30 2007-05-31 BSH Bosch und Siemens Hausgeräte GmbH Anzeigeelement für ein elektrisches Gerät
US20070125984A1 (en) * 2005-12-01 2007-06-07 Sarnoff Corporation Phosphors protected against moisture and LED lighting devices
US8906262B2 (en) * 2005-12-02 2014-12-09 Lightscape Materials, Inc. Metal silicate halide phosphors and LED lighting devices using the same
JP2007165811A (ja) 2005-12-16 2007-06-28 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
EP1963743B1 (en) 2005-12-21 2016-09-07 Cree, Inc. Lighting device
BRPI0620413A2 (pt) 2005-12-21 2011-11-08 Cree Led Lighting Solutions dispositivo de iluminação e método de iluminação
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
WO2007091687A1 (ja) * 2006-02-10 2007-08-16 Mitsubishi Chemical Corporation 蛍光体及びその製造方法、蛍光体含有組成物、発光装置、並びに画像表示装置及び照明装置
US7884816B2 (en) 2006-02-15 2011-02-08 Prysm, Inc. Correcting pyramidal error of polygon scanner in scanning beam display systems
US8451195B2 (en) 2006-02-15 2013-05-28 Prysm, Inc. Servo-assisted scanning beam display systems using fluorescent screens
US9874674B2 (en) 2006-03-07 2018-01-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
US8849087B2 (en) 2006-03-07 2014-09-30 Qd Vision, Inc. Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products
EP2041478B1 (en) 2006-03-07 2014-08-06 QD Vision, Inc. An article including semiconductor nanocrystals
ATE542248T1 (de) * 2006-03-21 2012-02-15 Koninkl Philips Electronics Nv Elektrolumineszenz-gerät
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
CN100427566C (zh) * 2006-04-13 2008-10-22 复旦大学 一种碱土金属硅酸盐荧光粉及其制备方法和应用
EP2052589A4 (en) 2006-04-18 2012-09-19 Cree Inc LIGHTING DEVICE AND METHOD
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7821194B2 (en) * 2006-04-18 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting devices including light mixtures
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
EP2008019B1 (en) 2006-04-20 2015-08-05 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
EP2011164B1 (en) 2006-04-24 2018-08-29 Cree, Inc. Side-view surface mount white led
US11210971B2 (en) * 2009-07-06 2021-12-28 Cree Huizhou Solid State Lighting Company Limited Light emitting diode display with tilted peak emission pattern
US7635915B2 (en) 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
BRPI0711151A2 (pt) * 2006-05-02 2011-08-23 Superbulbs Inc método de dispersão de luz e espalhamento preferencial de certos comprimentos de onda de luz para diodos emissores de luz e bulbos construìdos nos mesmos
CA2645353A1 (en) 2006-05-02 2007-11-15 Superbulbs, Inc. Plastic led bulb
MX2008013869A (es) 2006-05-02 2009-02-16 Superbulbs Inc Diseño de remocion de calor para bulbos de led.
US7722220B2 (en) 2006-05-05 2010-05-25 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device
US20070262288A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Soshchin Naum Inorganic fluorescent powder as a solid light source
US7846391B2 (en) 2006-05-22 2010-12-07 Lumencor, Inc. Bioanalytical instrumentation using a light source subsystem
JP2009538532A (ja) 2006-05-23 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置
JP2009540558A (ja) * 2006-06-08 2009-11-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 発光装置
CN101473459A (zh) * 2006-06-21 2009-07-01 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有至少一种陶瓷球形颜色转换器材料的发光器件
WO2008105792A2 (en) 2006-06-24 2008-09-04 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, methods for fabricating an array of devices and compositions
WO2008108798A2 (en) 2006-06-24 2008-09-12 Qd Vision, Inc. Methods for depositing nanomaterial, methods for fabricating a device, and methods for fabricating an array of devices
DE102006032208B3 (de) * 2006-07-12 2008-02-21 Zf Friedrichshafen Ag Luftfeder mit Schwingungsdämpfer
CN100590172C (zh) 2006-07-26 2010-02-17 北京有色金属研究总院 一种含硅的led荧光粉及其制造方法和所制成的发光器件
US8735920B2 (en) * 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
CN101523267B (zh) * 2006-08-10 2012-06-20 逆流工程公司 照明器方法和设备
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7842960B2 (en) * 2006-09-06 2010-11-30 Lumination Llc Light emitting packages and methods of making same
US7665862B2 (en) * 2006-09-12 2010-02-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7766508B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-03 Cree, Inc. LED lighting fixture
EP2084242A4 (en) * 2006-10-03 2009-12-16 Sarnoff Corp METAL SILICATE HALIDE PHOSPHORES AND LED LIGHTING DEVICES USING THE SAME
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
CN101653039B (zh) * 2006-11-09 2012-05-09 英特曼帝克司公司 发光二极管组合件及其制造方法
US7737636B2 (en) * 2006-11-09 2010-06-15 Intematix Corporation LED assembly with an LED and adjacent lens and method of making same
WO2008056300A1 (en) * 2006-11-10 2008-05-15 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising monolithic ceramic luminescence converter
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
JP5367218B2 (ja) 2006-11-24 2013-12-11 シャープ株式会社 蛍光体の製造方法および発光装置の製造方法
TW200839292A (en) * 2006-11-30 2008-10-01 Upstream Engineering Oy Beam shaping method and apparatus
TW200900837A (en) * 2006-11-30 2009-01-01 Upstream Engineering Oy Beam shaping component and method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
WO2008073794A1 (en) 2006-12-07 2008-06-19 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
US8013506B2 (en) 2006-12-12 2011-09-06 Prysm, Inc. Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity
JP2007123927A (ja) * 2006-12-18 2007-05-17 Mitsubishi Cable Ind Ltd 発光装置およびそれを用いた照明装置
CN101569020B (zh) * 2006-12-21 2011-05-18 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有成形的波长转换器的发光装置
US8836212B2 (en) 2007-01-11 2014-09-16 Qd Vision, Inc. Light emissive printed article printed with quantum dot ink
US8333907B2 (en) * 2007-01-17 2012-12-18 Utc Fire & Security Corporation Articles using persistent phosphors
US7959827B2 (en) * 2007-12-12 2011-06-14 General Electric Company Persistent phosphor
US8232564B2 (en) * 2007-01-22 2012-07-31 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes
US9159888B2 (en) 2007-01-22 2015-10-13 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US8021904B2 (en) * 2007-02-01 2011-09-20 Cree, Inc. Ohmic contacts to nitrogen polarity GaN
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5476128B2 (ja) * 2007-02-22 2014-04-23 クリー インコーポレイテッド 照明装置、照明方法、光フィルタ、および光をフィルタリングする方法
US7972030B2 (en) 2007-03-05 2011-07-05 Intematix Corporation Light emitting diode (LED) based lighting systems
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
WO2008116123A1 (en) 2007-03-20 2008-09-25 Spudnik, Inc. Delivering and displaying advertisement or other application data to display systems
US7824070B2 (en) * 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7608829B2 (en) * 2007-03-26 2009-10-27 General Electric Company Polymeric composite scintillators and method for making same
US7708968B2 (en) 2007-03-26 2010-05-04 General Electric Company Nano-scale metal oxide, oxyhalide and oxysulfide scintillation materials and methods for making same
US7625502B2 (en) * 2007-03-26 2009-12-01 General Electric Company Nano-scale metal halide scintillation materials and methods for making same
DE102007016228A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
DE102007016229A1 (de) 2007-04-04 2008-10-09 Litec Lll Gmbh Verfahren zur Herstellung von Leuchtstoffen basierend auf Orthosilikaten für pcLEDs
US7697183B2 (en) 2007-04-06 2010-04-13 Prysm, Inc. Post-objective scanning beam systems
US8169454B1 (en) 2007-04-06 2012-05-01 Prysm, Inc. Patterning a surface using pre-objective and post-objective raster scanning systems
EP2140502B1 (en) * 2007-04-17 2017-04-05 Philips Lighting Holding B.V. Illumination system
JP5325208B2 (ja) 2007-05-08 2013-10-23 クリー インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
US7901107B2 (en) 2007-05-08 2011-03-08 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
TWI421447B (zh) 2007-05-08 2014-01-01 Cree Inc 照明裝置及照明方法
KR20100017668A (ko) 2007-05-08 2010-02-16 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치 및 조명 방법
CN101711325B (zh) 2007-05-08 2013-07-10 科锐公司 照明装置和照明方法
WO2008144673A2 (en) 2007-05-17 2008-11-27 Spudnik, Inc. Multilayered screens with light-emitting stripes for scanning beam display systems
US8403531B2 (en) * 2007-05-30 2013-03-26 Cree, Inc. Lighting device and method of lighting
US20100219734A1 (en) * 2007-06-08 2010-09-02 Superbulbs, Inc. Apparatus for cooling leds in a bulb
US7999283B2 (en) * 2007-06-14 2011-08-16 Cree, Inc. Encapsulant with scatterer to tailor spatial emission pattern and color uniformity in light emitting diodes
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
JP5773646B2 (ja) 2007-06-25 2015-09-02 キユーデイー・ビジヨン・インコーポレーテツド ナノ材料を被着させることを含む組成物および方法
US8556430B2 (en) 2007-06-27 2013-10-15 Prysm, Inc. Servo feedback control based on designated scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
US7878657B2 (en) 2007-06-27 2011-02-01 Prysm, Inc. Servo feedback control based on invisible scanning servo beam in scanning beam display systems with light-emitting screens
TWI429731B (zh) * 2007-07-16 2014-03-11 Lumination Llc 由4價錳離子活化之發紅光錯合氟化磷光體
WO2009014707A2 (en) 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
EP2089915B1 (en) * 2007-08-03 2018-08-01 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wavelength-converted light-emitting device with uniform emission
US8098375B2 (en) 2007-08-06 2012-01-17 Lumencor, Inc. Light emitting diode illumination system
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US11114594B2 (en) 2007-08-24 2021-09-07 Creeled, Inc. Light emitting device packages using light scattering particles of different size
US8128249B2 (en) * 2007-08-28 2012-03-06 Qd Vision, Inc. Apparatus for selectively backlighting a material
US20100200891A1 (en) * 2007-09-10 2010-08-12 Chang Gung University Led structure
DE102007043355A1 (de) 2007-09-12 2009-03-19 Lumitech Produktion Und Entwicklung Gmbh LED-Modul, LED-Leuchtmittel und LED Leuchte für die energie-effiziente Wiedergabe von weißem Licht
WO2009035693A1 (en) 2007-09-14 2009-03-19 Superbulbs, Inc. Phosphor-containing led light bulb
US8439528B2 (en) 2007-10-03 2013-05-14 Switch Bulb Company, Inc. Glass LED light bulbs
CN101821544B (zh) 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
US7984999B2 (en) 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
CN101896766B (zh) 2007-10-24 2014-04-23 开关电灯公司 用于发光二极管光源的散射器
EP2203938A1 (en) * 2007-10-26 2010-07-07 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Illumination device having one or more lumiphors, and methods of fabricating same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
US8018139B2 (en) * 2007-11-05 2011-09-13 Enertron, Inc. Light source and method of controlling light spectrum of an LED light engine
US8946987B2 (en) * 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
JP5519290B2 (ja) 2007-11-09 2014-06-11 株式会社カネカ 環状ポリオルガノシロキサンの製造方法、硬化剤、硬化性組成物およびその硬化物
US9634191B2 (en) 2007-11-14 2017-04-25 Cree, Inc. Wire bond free wafer level LED
US8119028B2 (en) * 2007-11-14 2012-02-21 Cree, Inc. Cerium and europium doped single crystal phosphors
US8536584B2 (en) * 2007-11-14 2013-09-17 Cree, Inc. High voltage wire bond free LEDS
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
EP2236543B1 (en) * 2007-12-10 2014-02-26 Kaneka Corporation Polysiloxane compound, alkali-developable curable composition, insulating thin film using the same, and thin film transistor
US8545723B2 (en) * 2007-12-12 2013-10-01 General Electric Company Persistent phosphor
US9041285B2 (en) 2007-12-14 2015-05-26 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
US9431589B2 (en) 2007-12-14 2016-08-30 Cree, Inc. Textured encapsulant surface in LED packages
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
US8167674B2 (en) * 2007-12-14 2012-05-01 Cree, Inc. Phosphor distribution in LED lamps using centrifugal force
CN101463975A (zh) * 2007-12-19 2009-06-24 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 固态光源装置
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
KR101500976B1 (ko) * 2008-01-15 2015-03-10 코닌클리케 필립스 엔.브이. Led용 광학 세라믹 내의 제어된 다공성에 의한 광 산란
WO2009094799A1 (fr) * 2008-01-23 2009-08-06 Helio Optoelectronics Corporation Structure de base pour del sans halo
WO2009145813A1 (en) 2008-03-04 2009-12-03 Qd Vision, Inc. Particles including nanoparticles, uses thereof, and methods
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
JP2009245981A (ja) * 2008-03-28 2009-10-22 Toyota Central R&D Labs Inc Led発光装置
US8350461B2 (en) * 2008-03-28 2013-01-08 Cree, Inc. Apparatus and methods for combining light emitters
CN101983302B (zh) * 2008-04-03 2013-10-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 改进的白色发光器件
DE102008021658A1 (de) 2008-04-30 2009-11-05 Ledon Lighting Jennersdorf Gmbh Lichtemittierende Vorrichtung mit Volumenstrukturierung
US9287469B2 (en) * 2008-05-02 2016-03-15 Cree, Inc. Encapsulation for phosphor-converted white light emitting diode
WO2009137053A1 (en) 2008-05-06 2009-11-12 Qd Vision, Inc. Optical components, systems including an optical component, and devices
US9207385B2 (en) 2008-05-06 2015-12-08 Qd Vision, Inc. Lighting systems and devices including same
EP2297762B1 (en) 2008-05-06 2017-03-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Solid state lighting devices including quantum confined semiconductor nanoparticles
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
ITMI20081135A1 (it) 2008-06-24 2009-12-25 Trapani Paolo Di Dispositivo di illuminazione
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
US7869112B2 (en) * 2008-07-25 2011-01-11 Prysm, Inc. Beam scanning based on two-dimensional polygon scanner for display and other applications
JP5245614B2 (ja) * 2008-07-29 2013-07-24 豊田合成株式会社 発光装置
WO2010021675A1 (en) * 2008-08-18 2010-02-25 Superbulbs, Inc. Settable light bulbs
US8471445B2 (en) * 2008-08-18 2013-06-25 Switch Bulb Company, Inc. Anti-reflective coatings for light bulbs
JP5217800B2 (ja) 2008-09-03 2013-06-19 日亜化学工業株式会社 発光装置、樹脂パッケージ、樹脂成形体並びにこれらの製造方法
WO2010030332A1 (en) * 2008-09-11 2010-03-18 Superbulbs, Inc. End-of-life bulb circuitry
CN102171268B (zh) * 2008-10-02 2016-05-18 株式会社钟化 光固化性组合物以及固化物
US20100109025A1 (en) * 2008-11-05 2010-05-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Over the mold phosphor lens for an led
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
JP5404009B2 (ja) * 2008-11-20 2014-01-29 シャープ株式会社 発光装置
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
CN102281933A (zh) 2008-12-19 2011-12-14 北卡罗来纳大学夏洛特分校 用于使用点辐射源进行流体的细菌消毒的系统和方法
JP2009071337A (ja) * 2008-12-29 2009-04-02 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置およびそれを用いた照明装置
DE102009004724A1 (de) * 2009-01-15 2010-07-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisches Bauteil
US8242462B2 (en) 2009-01-23 2012-08-14 Lumencor, Inc. Lighting design of high quality biomedical devices
US20100264371A1 (en) * 2009-03-19 2010-10-21 Nick Robert J Composition including quantum dots, uses of the foregoing, and methods
WO2010106478A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color adjusting arrangement
US8476668B2 (en) * 2009-04-06 2013-07-02 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting LED
US9093293B2 (en) 2009-04-06 2015-07-28 Cree, Inc. High voltage low current surface emitting light emitting diode
JP6236202B2 (ja) 2009-05-01 2017-11-22 ナノシス・インク. ナノ構造の分散のための官能基を有するマトリックス
US20100284201A1 (en) * 2009-05-06 2010-11-11 Upstream Engineering Oy Illuminator using non-uniform light sources
US8440500B2 (en) * 2009-05-20 2013-05-14 Interlight Optotech Corporation Light emitting device
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
CN102598313B (zh) 2009-08-14 2016-03-23 Qd视光有限公司 发光器件、用于发光器件的光学元件、以及方法
TWI361216B (en) * 2009-09-01 2012-04-01 Ind Tech Res Inst Phosphors, fabricating method thereof, and light emitting device employing the same
EP2475717A4 (en) 2009-09-09 2015-01-07 Qd Vision Inc PARTICLES WITH NANOPARTICLES, USES THEREOF AND METHOD THEREFOR
WO2011031876A1 (en) 2009-09-09 2011-03-17 Qd Vision, Inc. Formulations including nanoparticles
CN102630288B (zh) 2009-09-25 2015-09-09 科锐公司 具有低眩光和高亮度级均匀性的照明设备
US8593040B2 (en) 2009-10-02 2013-11-26 Ge Lighting Solutions Llc LED lamp with surface area enhancing fins
TW201114070A (en) * 2009-10-15 2011-04-16 Aurotek Corp Light-emitting device
US9435493B2 (en) 2009-10-27 2016-09-06 Cree, Inc. Hybrid reflector system for lighting device
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US8646949B2 (en) * 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
US9482397B2 (en) 2010-03-17 2016-11-01 Once Innovations, Inc. Light sources adapted to spectral sensitivity of diurnal avians and humans
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
US8651703B2 (en) 2010-04-09 2014-02-18 Intellectual Discovery Co., Ltd. Light emitting device using filter element
DE102010028246A1 (de) * 2010-04-27 2011-10-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
US8329482B2 (en) 2010-04-30 2012-12-11 Cree, Inc. White-emitting LED chips and method for making same
DE102010028949A1 (de) 2010-05-12 2011-11-17 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Scheinwerfermodul
US8684559B2 (en) 2010-06-04 2014-04-01 Cree, Inc. Solid state light source emitting warm light with high CRI
ITMI20101250A1 (it) * 2010-07-07 2012-01-08 Getters Spa Miglioramenti per fosfori
US10546846B2 (en) 2010-07-23 2020-01-28 Cree, Inc. Light transmission control for masking appearance of solid state light sources
CN102376860A (zh) 2010-08-05 2012-03-14 夏普株式会社 发光装置及其制造方法
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
US8455882B2 (en) 2010-10-15 2013-06-04 Cree, Inc. High efficiency LEDs
US8556469B2 (en) 2010-12-06 2013-10-15 Cree, Inc. High efficiency total internal reflection optic for solid state lighting luminaires
US8389957B2 (en) 2011-01-14 2013-03-05 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
US8466436B2 (en) 2011-01-14 2013-06-18 Lumencor, Inc. System and method for metered dosage illumination in a bioanalysis or other system
WO2012099966A2 (en) * 2011-01-18 2012-07-26 Whiteoptics Llc Color-shifting reflector
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
US8226274B2 (en) 2011-03-01 2012-07-24 Switch Bulb Company, Inc. Liquid displacer in LED bulbs
CN102788260A (zh) * 2011-05-19 2012-11-21 泰金宝电通股份有限公司 光机模组及发光二极管灯具
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
TWI474967B (zh) * 2011-07-14 2015-03-01 Getters Spa 有關磷光體之改良
TWI505515B (zh) * 2011-08-19 2015-10-21 Epistar Corp 發光裝置及其製造方法
US8591069B2 (en) 2011-09-21 2013-11-26 Switch Bulb Company, Inc. LED light bulb with controlled color distribution using quantum dots
WO2013051281A1 (ja) * 2011-10-07 2013-04-11 コニカミノルタアドバンストレイヤー株式会社 Led装置の製造方法、およびそれに用いる蛍光体分散液
CN102563410B (zh) 2011-12-04 2014-08-06 深圳市光峰光电技术有限公司 发光装置、投影装置和照明装置
WO2013084132A1 (en) 2011-12-07 2013-06-13 Koninklijke Philips Electronics N.V. Beam shaping light emitting module
US9103528B2 (en) 2012-01-20 2015-08-11 Lumencor, Inc Solid state continuous white light source
TWM443813U (en) * 2012-03-06 2012-12-21 Winsky Technology Ltd Illumination device
JP5838899B2 (ja) * 2012-04-23 2016-01-06 岩崎電気株式会社 E形口金を備えたランプ
US9500355B2 (en) 2012-05-04 2016-11-22 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with light emitting elements surrounding active cooling device
US9217561B2 (en) 2012-06-15 2015-12-22 Lumencor, Inc. Solid state light source for photocuring
US9139770B2 (en) 2012-06-22 2015-09-22 Nanosys, Inc. Silicone ligands for stabilizing quantum dot films
US20130342103A1 (en) * 2012-06-25 2013-12-26 Shing-Chung Wang Solid state lighting luminaire and a fabrication method thereof
TWI596188B (zh) 2012-07-02 2017-08-21 奈米系統股份有限公司 高度發光奈米結構及其製造方法
EP2897455A4 (en) * 2012-09-21 2016-07-13 Once Innovations Inc LIGHT SOURCES ADAPTED TO THE SPECTRAL SENSITIVITY OF TAGACTIVE BIRDS AND PEOPLE
DE102012217643A1 (de) * 2012-09-27 2014-03-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
CN102956798B (zh) * 2012-11-27 2015-06-03 华南理工大学 一种高出光率led反光杯及其制造方法
US11338048B2 (en) 2012-12-11 2022-05-24 Aquisense Technologies Llc Apparatus for irradiation
KR20140089641A (ko) 2013-01-03 2014-07-16 삼성디스플레이 주식회사 발광다이오드 패키지 및 이를 갖는 표시 장치
JP2014175096A (ja) * 2013-03-06 2014-09-22 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP6250785B2 (ja) 2013-03-14 2017-12-20 ナノシス・インク. 無溶媒量子ドット交換方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
CN109600884B (zh) 2013-08-02 2021-02-12 昕诺飞北美公司 对家畜进行照明的系统和方法
US9541241B2 (en) * 2013-10-03 2017-01-10 Cree, Inc. LED lamp
KR20160114682A (ko) * 2014-01-29 2016-10-05 코닌클리케 필립스 엔.브이. 캡슐화제로 채워지는 형광체-변환형 led 용의 얕은 반사기 컵
WO2016019029A1 (en) 2014-07-31 2016-02-04 Vital Vio, Inc. Disinfecting light fixture
US9333274B2 (en) 2014-07-31 2016-05-10 Vital Vio, Inc. Disinfecting light fixture
USD826871S1 (en) 2014-12-11 2018-08-28 Cree, Inc. Light emitting diode device
US9401468B2 (en) 2014-12-24 2016-07-26 GE Lighting Solutions, LLC Lamp with LED chips cooled by a phase transformation loop
US10680208B2 (en) 2015-03-11 2020-06-09 National Taiwan University Electroluminescent device and display pixel structure using the same
US20160268554A1 (en) * 2015-03-11 2016-09-15 National Taiwan University Electroluminescent devices with improved optical out-coupling efficiencies
JP6748712B2 (ja) 2015-06-26 2020-09-02 ケノール マニュファクチャリング カンパニー 病原体を不活性化するのに充分な積算輝度値を生み出すための最小限のパワーを出力するシングルエミッタ照明装置
US10434202B2 (en) 2015-06-26 2019-10-08 Kenall Manufacturing Company Lighting device that deactivates dangerous pathogens while providing visually appealing light
US11273324B2 (en) 2015-07-14 2022-03-15 Illumipure Corp LED structure and luminaire for continuous disinfection
US10918747B2 (en) 2015-07-30 2021-02-16 Vital Vio, Inc. Disinfecting lighting device
US10357582B1 (en) 2015-07-30 2019-07-23 Vital Vio, Inc. Disinfecting lighting device
CA2993825C (en) 2015-07-30 2020-08-25 Vital Vio, Inc. Single diode disinfection
DE102015116710A1 (de) * 2015-10-01 2017-04-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US11021610B2 (en) 2016-01-14 2021-06-01 Basf Se Perylene bisimides with rigid 2,2′-biphenoxy bridges
JP2017181528A (ja) * 2016-03-28 2017-10-05 パナソニックIpマネジメント株式会社 光拡散板及び照明器具
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
CN109803969B (zh) 2016-10-06 2022-08-05 巴斯夫欧洲公司 2-苯基苯氧基取代的苝双酰亚胺化合物及其用途
US9772074B1 (en) 2016-10-07 2017-09-26 Rafail Bronstein Laser diodes based illumination device
US10835627B2 (en) 2017-12-01 2020-11-17 Vital Vio, Inc. Devices using flexible light emitting layer for creating disinfecting illuminated surface, and related method
US10309614B1 (en) 2017-12-05 2019-06-04 Vital Vivo, Inc. Light directing element
KR20200100702A (ko) 2017-12-19 2020-08-26 바스프 에스이 시아노아릴 치환된 벤즈(오티)오크산텐 화합물
US11898075B2 (en) 2018-03-20 2024-02-13 Basf Se Yellow light emitting device
US10413626B1 (en) 2018-03-29 2019-09-17 Vital Vio, Inc. Multiple light emitter for inactivating microorganisms
US11152545B2 (en) * 2018-08-06 2021-10-19 Lumileds Llc Inert filler to increase wavelength converting material volume and improve color over angle
EP3614045B1 (en) * 2018-08-20 2021-11-03 Nichia Corporation Fluorescent module and illumination device
US11639897B2 (en) 2019-03-29 2023-05-02 Vyv, Inc. Contamination load sensing device
US11541135B2 (en) 2019-06-28 2023-01-03 Vyv, Inc. Multiple band visible light disinfection
US11369704B2 (en) 2019-08-15 2022-06-28 Vyv, Inc. Devices configured to disinfect interiors
US11878084B2 (en) 2019-09-20 2024-01-23 Vyv, Inc. Disinfecting light emitting subcomponent
US11499707B2 (en) 2020-04-13 2022-11-15 Calyxpure, Inc. Light fixture having a fan and ultraviolet sterilization functionality
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11628234B2 (en) 2020-06-01 2023-04-18 Know Labs, Inc. White light LED light bulbs for ambient lighting and pathogen inactivation
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device
US11759540B2 (en) 2021-05-11 2023-09-19 Calyxpure, Inc. Portable disinfection unit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1299608A (en) * 1968-12-23 1972-12-13 Gte Sylvania Inc Pyrosilicate phosphor and lamp
JPH05129656A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Sharp Corp pn接合型発光ダイオード
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0863119A (ja) * 1994-08-01 1996-03-08 Motorola Inc 単色ledを用いた全色画像表示装置
JPH08288551A (ja) * 1995-04-12 1996-11-01 Semiconductor Res Found 緑色発光ダイオード

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3505240A (en) * 1966-12-30 1970-04-07 Sylvania Electric Prod Phosphors and their preparation
US3760237A (en) * 1972-06-21 1973-09-18 Gen Electric Solid state lamp assembly having conical light director
US5309070A (en) * 1991-03-12 1994-05-03 Sun Sey Shing AC TFEL device having blue light emitting thiogallate phosphor
US5578839A (en) 1992-11-20 1996-11-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device
US5416342A (en) 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5644193A (en) * 1993-12-17 1997-07-01 Kabushiki Kaisha Toshiba Phosphor, cathode-ray tube, fluorescent lamp and radiation intensifying screen
US5604763A (en) 1994-04-20 1997-02-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor laser diode and method for producing same
KR100315106B1 (ko) * 1994-07-26 2002-02-19 김순택 표시소자
EP0784881A4 (en) 1994-10-03 1997-09-17 Sdl Inc TUNABLE BLUE LASER DIODE
US5640792A (en) 1995-06-07 1997-06-24 National Service Industries, Inc. Lighting fixtures
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
EP1441395B9 (de) 1996-06-26 2012-08-15 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
TW469292B (en) * 1996-10-31 2001-12-21 Samsung Display Devices Co Ltd An improved phosphor complex having high brightness
DE19645035C1 (de) 1996-10-31 1998-04-30 Siemens Ag Mehrfarbiges Licht abstrahlende Bildanzeigevorrichtung
KR19980046311A (ko) * 1996-12-12 1998-09-15 손욱 형광막 프로젝터
KR100199557B1 (ko) * 1996-12-13 1999-06-15 손욱 플리커리스 브라운관용 형광막 및 그 제조 방법
US5898185A (en) 1997-01-24 1999-04-27 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
US5895932A (en) 1997-01-24 1999-04-20 International Business Machines Corporation Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes
DE59814117D1 (de) 1997-03-03 2007-12-20 Philips Intellectual Property Weisse lumineszenzdiode
US5813752A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters
US5813753A (en) 1997-05-27 1998-09-29 Philips Electronics North America Corporation UV/blue led-phosphor device with efficient conversion of UV/blues light to visible light
US6096496A (en) * 1997-06-19 2000-08-01 Frankel; Robert D. Supports incorporating vertical cavity emitting lasers and tracking apparatus for use in combinatorial synthesis
US5847507A (en) * 1997-07-14 1998-12-08 Hewlett-Packard Company Fluorescent dye added to epoxy of light emitting diode lens
US6252254B1 (en) 1998-02-06 2001-06-26 General Electric Company Light emitting device with phosphor composition
US6294800B1 (en) * 1998-02-06 2001-09-25 General Electric Company Phosphors for white light generation from UV emitting diodes
WO2000019546A1 (en) * 1998-09-28 2000-04-06 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting system
US6299338B1 (en) 1998-11-30 2001-10-09 General Electric Company Decorative lighting apparatus with light source and luminescent material
US6429583B1 (en) 1998-11-30 2002-08-06 General Electric Company Light emitting device with ba2mgsi2o7:eu2+, ba2sio4:eu2+, or (srxcay ba1-x-y)(a1zga1-z)2sr:eu2+phosphors
JP4350183B2 (ja) 1998-12-16 2009-10-21 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光装置
US6357889B1 (en) * 1999-12-01 2002-03-19 General Electric Company Color tunable light source
US20020084745A1 (en) * 2000-12-29 2002-07-04 Airma Optoelectronics Corporation Light emitting diode with light conversion by dielectric phosphor powder

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1299608A (en) * 1968-12-23 1972-12-13 Gte Sylvania Inc Pyrosilicate phosphor and lamp
JPH05129656A (ja) * 1991-10-31 1993-05-25 Sharp Corp pn接合型発光ダイオード
JPH05152609A (ja) * 1991-11-25 1993-06-18 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード
JPH0863119A (ja) * 1994-08-01 1996-03-08 Motorola Inc 単色ledを用いた全色画像表示装置
JPH08288551A (ja) * 1995-04-12 1996-11-01 Semiconductor Res Found 緑色発光ダイオード

Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7679101B2 (en) 2000-12-28 2010-03-16 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
JP2004253747A (ja) * 2002-02-27 2004-09-09 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置
JP2004217723A (ja) * 2003-01-10 2004-08-05 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及びそれを用いた照明装置並びにディスプレイ
JP2007500776A (ja) * 2003-05-17 2007-01-18 フォスファーテック コーポレーション シリケート蛍光りん光物質を有する発光装置
JP2005063836A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Mitsubishi Chemicals Corp 発光装置及び照明装置ならびに画像表示装置
US10546978B2 (en) 2003-09-18 2020-01-28 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
US10164158B2 (en) 2003-09-18 2018-12-25 Cree, Inc. Molded chip fabrication method and apparatus
JP2005136420A (ja) * 2003-10-31 2005-05-26 Lumileds Lighting Us Llc 発光効率が高い発光デバイス
JP2007533149A (ja) * 2004-04-16 2007-11-15 ロディア・シミ 白色発光ダイオード
JP4799549B2 (ja) * 2004-04-16 2011-10-26 ロディア・シミ 白色発光ダイオード
US7968005B2 (en) 2004-04-16 2011-06-28 Rhodia Chimie White light emitting diode
US7811472B2 (en) * 2004-04-27 2010-10-12 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US7892453B2 (en) 2004-04-27 2011-02-22 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US8226853B2 (en) 2004-04-27 2012-07-24 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
US8221649B2 (en) 2004-04-27 2012-07-17 Panasonic Corporation Phosphor composition and method for producing the same, and light-emitting device using the same
JP2011003546A (ja) * 2005-03-31 2011-01-06 Seoul Semiconductor Co Ltd バックライトパネル
JP2012140627A (ja) * 2005-05-24 2012-07-26 Seoul Semiconductor Co Ltd チオガレート系緑色蛍光体、アルカリ土類金属硫化物系赤色蛍光体、及びこれらを採用した白色発光素子
JP2009539227A (ja) * 2006-05-31 2009-11-12 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明装置、および照明方法
US7958746B2 (en) 2006-06-06 2011-06-14 Schott Ag Method for producing a glass ceramic having a garnet phase
JP2007326772A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Schott Ag ガーネット相を有するガラスセラミックの製造方法
JP2008069250A (ja) * 2006-09-13 2008-03-27 Niigata Univ 発光ダイオード用蛍光体
JP2011142356A (ja) * 2006-10-12 2011-07-21 Panasonic Corp 発光装置
US7897980B2 (en) 2006-11-09 2011-03-01 Cree, Inc. Expandable LED array interconnect
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
US10505083B2 (en) 2007-07-11 2019-12-10 Cree, Inc. Coating method utilizing phosphor containment structure and devices fabricated using same
JP2011009717A (ja) * 2009-06-26 2011-01-13 Intel Corp 制御可能な発光素子を有する発光デバイス
US8471459B2 (en) 2010-09-02 2013-06-25 Kabushiki Kaisha Toshiba Fluorescent substance and light-emitting device employing the same
US9068116B2 (en) 2011-08-24 2015-06-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Luminescent material

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