JP2002368480A - 電磁波抑制体シート - Google Patents
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Abstract
虚数部透磁率μ″が大きいとともに優れた電気絶縁性を
兼ね備えた電磁波抑制体シートを提供する。 【解決手段】表面が絶縁性無機材料によって処理された
複合化磁性粒子の粉体が分散されている合成樹脂製材料
によってシート状に形成された電磁波抑制体シートであ
る。
Description
と電磁波抑制機能とを備えた電磁波抑制体シートに関す
るものである。
(EMC:Electro-magnetic Compatibility)の問題が
顕在化しており、不要電磁波の放出と耐性の両面からの
対策がなされている。近年、情報通信機器は小型高機能
化が進み、高性能化のために半導体素子の動作周波数が
一段と上昇する傾向にあり、特に、デジタル信号の高速
化では消費電力の低減のために信号の振幅値が低下して
おり、微弱な高周波ノイズでも誤動作する危険性が高ま
っている。
つとして、半導体パッケージを金属キャップで覆った
り、またはプリント配線回路基板にフィルタを実装した
りすることが行われてきたが、余分な実装空間を必要と
する等の理由により電子部品の実装密度が充分に上がら
ず他の解決方法が検討されている。現在では、このよう
な背景から高密度実装に適した電磁波遮蔽技術が求めら
れており、例えば、特開平9−35927号公報(以下
「従来技術」という)にて提案されているように、電子
機器の不要電磁波を吸収してシールドする方法の一つと
して、複素透磁率の虚数部分であるμ″(以下「虚数部
透磁率」という)が大きい軟磁性体粒子を合成樹脂中に
分散配合してなる電磁波抑制体シートを電子機器の不要
電磁波発生箇所近傍に設置することが知られている。
ト中に分散・配合してなる従来用いられてきた磁性粒子
の中には、その絶縁抵抗値の小さいものが存在する。し
かしながら、上記絶縁抵抗値の小さな磁性粒子を高充填
して分散・配合した材料を用いて製造してなる電磁波抑
制体シートを、直接、半導体パッケージのリードピン上
に設置したり、またはプリント配線回路基板の導体上に
設置した場合、短絡するという危険性があった。また
は、短絡に至らないまでも、電磁波抑制体シートの電気
絶縁抵抗値が小さくなるため、電気信号が他の信号線路
に流れ込む、いわゆる信号のクロストークの危険性もあ
った。
ために、前記従来技術においては、使用する軟磁性体粒
子に対して気相徐酸法または液相徐酸法といった酸化法
を用いて軟磁性体粒子表面に酸化膜を形成することによ
り、非良導性にする技術が開示されている。しかしなが
ら、前記従来技術で得られる電磁波抑制体シートの表面
抵抗値は107 〜108 Ωであり、不要輻射の低減に効
果はあっても、上記電磁波抑制体シートを半導体パッケ
ージのリードピン上に設置した場合、短絡やクロストー
クの対策としては不充分といわざるを得なかった。
トに高充填する磁性粒子としては虚数部透磁率μ″が大
きいとともに、電気絶縁性をも兼ね備えたものが求めら
れている。
ものであって、電子機器からの不要輻射電磁波を高度に
低減可能で、虚数部透磁率μ″が大きいとともに優れた
電気絶縁性を兼ね備えた電磁波抑制体シートの提供をそ
の目的とする。
め、本発明の電磁波抑制体シートは、表面が絶縁性無機
材料によって処理された複合化磁性粒子の粉体が分散さ
れている合成樹脂またはゴムからなる材料によってシー
ト状に形成されてなるという構成をとる。
して、磁性粒子の磁気損失を利用した不要輻射低減特性
に優れた電磁波抑制体シートを得るために、その充填剤
として用いられる磁性粒子の電気絶縁性を中心に一連の
研究を重ねた。その結果、磁性粒子の表面を絶縁性無機
材料で処理してなる複合化磁性粒子を用いると、体積抵
抗率が充分に高く、しかも電気絶縁性が著しく向上した
電磁波抑制体シートが得られることを見出し本発明に到
達した。
いて詳しく説明する。
合化磁性粒子を分散・配合してなる合成樹脂またはゴム
からなる材料を用いてシート状に成形してなるものであ
る。
としては、シート状に成形可能なものであれば特に限定
するものではなく従来公知のもの、例えば、ポリエチレ
ン樹脂、塩素化ポリエチレン樹脂等のポリオレフィン系
樹脂、ポリエステル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、シリコ
ーン樹脂、ポリ(メタ)アクリレート樹脂、ポリウレタ
ン樹脂、ポリアミド樹脂、天然ゴム、イソプレンゴム、
ブタジエンゴム、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、
カルボキシル化ニトリルゴム、エチレン−アクリルゴ
ム、エチレン−プロピレンゴム、エチレン−プロピレン
−ジエンゴム、エチレン−酢酸ビニルゴム、ポリエーテ
ルウレタンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン−スチ
レンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、アクリルゴム、
フッ素ゴム、フッ化シリコーンゴム、フッ化ビニリデン
ゴム、四フッ化エチレン−プロピレンゴム、四フッ化エ
チレン−パーフルオロメチルビニルエーテルゴム等の、
フォスファゼン系フッ素ゴム等の熱可塑性樹脂、エポキ
シ樹脂、フェノール樹脂、熱硬化ポリウレタン樹脂、熱
硬化不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂等の熱硬化
性樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂等の耐
熱性樹脂等があげられる。
性無機材料によって被覆処理された磁性粒子である。
磁性粒子としては、ヘマタイト(Fe2 O3 )、マグネ
タイト(Fe3 O4 )、さらに一般式:MFe2 O
4 や、MO・nFe2 O3 (両式中、Mは2価の金属粒
子であり、Mn,Co,Ni,Cu,Zn,Ba,Mg
等があげられる。また、nは正数である。そして、Mは
繰り返し時において同種であってもよく異種であっても
よい)で表される各種フェライト、ケイ素鋼粉、パーマ
ロイ(Fe−Ni合金)、Co基アモルファス合金、セ
ンダスト(Fe−Al−Si合金)、アルパーム、スー
パーマロイ、ミューメタル、パーメンター、パーミンバ
ー等の各種金属粉やその合金粉、磁性粉等が用いられ
る。これらは単独でもしくは2種以上併せて用いられ
る。
μm以下で、平均粒子径が1〜100μmの範囲のもの
を用いることが好ましく、特に好ましくは平均粒子径が
10〜50μmの範囲である。上記最大粒子径および平
均粒子径は、例えば、レーザー回析散乱式粒度分布測定
装置を用いて測定することができる。
粒子の形状としては、鱗片状(フレーク状)、偏平状、
樹枝状、角状、粒状、針状、不規則状、海面状および球
状からなる群から選ばれた少なくとも一つの形状を有す
るものが好ましい。特に、鱗片状(フレーク状)、偏平
状等のアスペクト比の大きな形状を有するものが好適で
ある。すなわち、アスペクト比が大きな偏平状であるほ
ど、磁界異方性が大きくなり、結果として、表面処理さ
れた複合化磁性粒子を分散・配合してなる電磁波抑制体
シートとしての磁気損失を大きくすることができ、不要
輻射の低減効果が大きくなる。
性無機材料としては、電気絶縁性を有するものであれば
特に限定するものではなく、例えば、シリカ微粉末やア
ルミナ微粉末等があげられる。特に、シリカ微粉末が好
ましく用いられ、なかでも球状シリカ微粉末、摩砕処理
シリカ微粉末、破砕状シリカ微粉末等が好ましい。そし
て、粒子径が微細であるという観点から、一次粒子の平
均粒子径が1〜1000nmの上記シリカ微粉末が好適
に用いられ、特に一次粒子の平均粒子径が10〜500
nmの上記シリカ微粉末が好適に用いられる。
理された磁性粒子である特殊な複合化磁性粒子は、例え
ば、つぎのようにして製造することができる。すなわ
ち、導電性粒子と絶縁性無機材料を高速回転するロータ
ー,ステーターおよび循環回路を有する表面処理装置に
投入し、圧縮,摩擦,剪断等の機械的衝撃力を利用した
機械的作用を繰り返して受ける処理法等の従来公知の複
合化方法を用いることにより上記特殊な複合化磁性粒子
を製造することができる。このような処理により、上記
磁性粒子の表面に絶縁性無機材料がまぶされて、いわゆ
る絶縁性無機材料によってその表面が被覆された状態の
複合化磁性粒子が得られる。
ともに、電気絶縁性をも兼ね備えた磁性粒子を用いて得
られる複合化磁性粒子を、分散・配合してなる電磁波抑
制体シートにおいて、上記特殊な複合化磁性粒子の含有
量は、電磁波抑制体シート形成材料全体中の30〜95
重量%となるよう設定することが好ましい。より好まし
くは50〜90重量%であり、特に好ましくは70〜8
5重量%である。すなわち、特殊な複合化磁性粒子の含
有量が95重量%を超えると、後述するシートの製造が
困難となり、またボイド等の欠陥が生じ易くなる。ま
た、30重量%未満では電磁波抑制体シートとしての磁
気損失の効果が不充分となる傾向がみられるからであ
る。
成分である合成樹脂またはゴムとの濡れ性を向上させる
ために各種公知のカップリング剤で表面処理してもよ
い。
表面に存在する絶縁性無機材料を処理できるものであれ
ば特に限定するものではなく従来公知のもの、例えば、
γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−
(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキ
シシラン等のシランカップリング剤、チタネート系カッ
プリング剤、アルミニウムキレートカップリング剤等が
あげられる。
は、上記合成樹脂またはゴムおよび特殊な複合化磁性粒
子以外に必要に応じて他の添加剤を適宜配合してよい。
剤、低応力化剤、着色剤、カップリング剤および難燃剤
等があげられる。
ミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末、窒化
硼素粉末、コバール粉末等があげられる。
リコールタイプジメチルシロキサン等のシリコーン化合
物、アクリロニトリル−ブタジエンゴム等があげられ
る。
酸化チタン等の顔料や各種染料があげられる。また、上
記離型剤としては、ポリエチレンワックス、カルナバワ
ックス、脂肪酸塩等があげられる。
述べたと同様のもの、例えば、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロ
ヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のシランカップ
リング剤等があげられる。
含有難燃剤、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム
等があげられる。
(1)で表される多面体形状の複合化金属水酸化物を用
いることができる。この複合化金属水酸化物は、結晶形
状が多面体形状を有するものであり、従来の六角板形状
を有するもの、あるいは、鱗片状等のように、いわゆる
厚みの薄い平板形状の結晶形状を有するものではなく、
縦、横とともに厚み方向(c軸方向)への結晶成長が大
きい、例えば、板状結晶のものが厚み方向(c軸方向)
に結晶成長してより立体的かつ球状に近似させた粒状の
結晶形状、例えば、略12面体、略8面体、略4面体等
の形状を有する金属水酸化物をいう。
金属水酸化物は、例えば、金属水酸化物の製造工程にお
ける各種条件等を制御することにより、縦,横とともに
厚み方向(c軸方向)への結晶成長が大きい、所望の多
面体形状、例えば、略12面体、略8面体、略4面体等
の形状を有する金属水酸化物を得ることができ、通常、
これらの混合物からなる。
体的な代表例としては、Mg1-X NiX (OH)
2 〔0.01<X<0.5〕、Mg1-X ZnX (OH)
2 〔0.01<X<0.5〕等があげられる。これら金
属水酸化物の市販品としては、例えば、タテホ化学工業
社製のエコーマグをあげることができる。
物のアスペクト比は、通常1〜8、好ましくは1〜7、
特に好ましくは1〜4である。ここでいうアスペクト比
とは、金属水酸化物の長径と短径との比で表したもので
ある。すなわち、アスペクト比が8を超えると、この金
属水酸化物を含有するエポキシ樹脂組成物が溶融したと
きの粘度低下に対する効果が乏しくなる。
つぎのようにして製造することができる。すなわち、必
須成分である合成樹脂またはゴムおよび複合化磁性粒
子、その他の添加剤を所定量配合し、熱ロールやエクス
トルーダー、ニーダー等を用い充分に溶融分散により混
合して圧延ロールを通すことによりシート状に成形す
る。または、一度冷却した後、熱プレス成形機等により
圧縮成形してシート状に成形する。あるいは、合成樹脂
またはゴムを有機溶剤に溶解したものに、複合化磁性粒
子、その他の添加剤を所定量配合し、ホモミキサー等の
剪断力の大きな分散機を用いて充分攪拌混合した溶液
を、塗工法により剥離基材上に塗布した後乾燥してシー
トを形成する。このようにして電磁波抑制体シートを製
造することができる。
トは、その体積抵抗率が1×1010Ω・cm以上である
ことが好ましく、特に好ましくは1×1010〜1×10
17Ω・cmである。
用対象となる部品および用途等により適宜に設定される
が、通常、0.01〜5mm程度に設定される。
トは、例えば、半導体装置等の電子機器全面を覆うよう
に設置して使用される。このような電子機器全面を覆う
ように設置する等の使用の用途の際には、市販の両面粘
着テープ(例えば、日東電工社製のNo.500等)を
用いて密着固定する。
明する。
2μmのMn−Zn系偏平ソフトフェライト粉末と一次
粒子径が約12nmの球状シリカ微粉末を準備した。そ
して、上記Mn−Zn系偏平ソフトフェライト粉末10
0重量部(以下「部」と略す)に対して上記球状シリカ
微粉末が10部となるように用い、高速回転するロータ
ー、ステーターおよび循環回路を有する表面処理装置に
投入し、回転数4800rpmで3分間運転した後、こ
の装置から排出することによりMn−Zn系偏平ソフト
フェライト粉末の表面を上記球状シリカ微粉末で絶縁被
覆してなる複合化磁性粒子aを作製した。
上記複合化磁性粒子a80部、加硫前ムーニー粘度(1
00℃)29のシリコーンゴムとエチレン−プロピレン
−ジエンモノマー共重合ゴム(EPDM)複合体樹脂2
0部、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
0.8部を秤量して配合し、ジクミルパーオキサイド
0.3部を加えながら熱2本ロールを用いて混練・分散
した後、圧延ロールを通した。その後、150℃で2時
間加硫することにより目的とする電磁波抑制体シートA
を作製した。
3μmのNi−Cu−Zn系粒状ソフトフェライト粉末
と一次粒子径が約100nmの球状シリカ微粉末を準備
した。そして、上記Ni−Cu−Zn系粒状ソフトフェ
ライト粉末100部に対して上記球状シリカ微粉末が1
0部となるように用い、高速回転するローター、インナ
ーピースを有する表面処理装置に投入し、回転数260
0rpmで10分間運転した後、この装置から排出する
ことによりNi−Cu−Zn系偏平ソフトフェライト粉
末の表面を上記球状シリカ微粉末で絶縁被覆してなる複
合化磁性粒子bを作製した。
化磁性粒子bを用いた。それ以外は実施例1と同様にし
て目的とする電磁波抑制体シートBを作製した。
たEPDM複合体樹脂を150部用いた。それ以外は実
施例1と同様にして目的とする電磁波抑制体シートCを
作製した。
たEPDM複合体樹脂を10部用いた。それ以外は実施
例1と同様にして目的とする電磁波抑制体シートDを作
製した。
Mn−Zn系偏平ソフトフェライト粉末をそのまま用い
た。
上記磁性粒子eを73部、γ−グリシドキシプロピルト
リメトキシシラン0.73部を用いた。それ以外は実施
例1と同様にして目的とする電磁波抑制体シートEを作
製した。
ートを用いて、虚数部透磁率μ″、体積抵抗率およびノ
イズ放射レベルを下記の方法に従って測定・評価した。
その結果を後記の表1〜2に併せて示す。
トを用いて、外径7mm×内径3mm×厚み2mmの円
筒ドーナツ状の成形物(同軸管試験用成形物)を作製し
た。得られた試験片(成形物)を材料定数測定用装置を
用いて、ネットワークアナライザーによって周波数90
0MHzでの複素透磁率μ″を測定した。
いて、厚み3mm×直径50mmの円盤状成形体を作製
した。そして、銀ペーストを用いて主電極の直径30m
m、ガード電極の直径32mm、対抗電極の直径45m
mの銀電極を作製した後、直流500Vを印加して体積
抵抗率を測定した(JIS K 6911に準じる)。
図1に示すように、シリカ粉末含有のエポキシ樹脂系封
止材料(日東電工社製、MP−10)からなる封止樹脂
層2により半導体素子1(CMOS:1.23×1.1
8mm、半導体素子1とリードフレーム3とは金ワイヤ
ー4で電気的に接続されている)が封止された半導体装
置であるSOP(small out-line package)パッケージ
のリードピン5を含む全面に、各電磁波抑制体シート
(厚み1mm)6を両面粘着テープ(日東電工社製、N
o.500)を用いて密着設置した。この樹脂封止タイ
プの半導体パッケージを20MHzで動作させながら、
このパッケージの上部6mm上を電磁波探査プローブを
用いて、5mmピッチでスキャンしながらパッケージか
ら放射されるノイズ(200〜300MHz間)を測定
した。
磁波抑制特性に関して虚数部透磁率μ″の値およびSO
P半導体パッケージでのノイズ放射レベルは、実施例お
よび比較例とも大差はなく同程度のレベルであるもの
の、実施例品は体積抵抗率が大きく、電気絶縁抵抗に優
れていることがわかる。このことから、実施例品は電気
絶縁性に関する改善効果は明らかである。
ートは、表面が絶縁性無機材料によって処理された複合
化磁性粒子の粉体が分散された合成樹脂またはゴムから
なる材料を用いて形成されたものである。このため、電
気絶縁性に優れており、半導体パッケージのリードにわ
たって装着した場合、リード間の短絡あるいはクロスト
ーク等の問題が生じることもなく、効率良く不要輻射を
低減できるシートである。また、電子機器に装着する場
合、電磁波抑制体シートの裏面には両面粘着テープ等の
粘着剤層を形成して電子機器に装着するのが一般的であ
るが、シートが万一、脱離した時のため、シートは高い
絶縁抵抗をもった絶縁体であることが必要である。従来
のシート(例えば、鉄−珪素系偏平磁性粒子/ゴム複合
シート)では、表面抵抗が106 Ω程度であり、充分な
絶縁性を有してなかった。しかし、本発明の電磁波抑制
体シートでは、絶縁性無機材料で表面被覆された複合化
磁性粒子を用いるため、絶縁抵抗が充分に高く、万が
一、脱離した時の電子機器の不良を生じない。
体シートは、磁性体粒子の磁気損失を利用した不要輻射
低減特性に優れたものであるという点に加えて、電気絶
縁性にも優れるものであり、高周波化に対応した電磁波
抑制体シートである。
た状態を示す断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 表面が絶縁性無機材料によって処理され
た複合化磁性粒子の粉体が分散されている合成樹脂また
はゴムからなる材料によってシート状に形成されてなる
ことを特徴とする電磁波抑制体シート。 - 【請求項2】 上記複合化磁性粒子の粉体が、鱗片状、
偏平状、樹枝状、角状、粒状、針状、不規則状、海面状
および球状からなる群から選ばれた少なくとも一つの形
状を有する粉体である請求項1記載の電磁波抑制体シー
ト。 - 【請求項3】 上記絶縁性無機材料が、シリカ粉末およ
びアルミナ粉末の少なくとも一方である請求項1または
2記載の電磁波抑制体シート。 - 【請求項4】 シート全体の体積抵抗率が、1×1010
Ω・cm以上である請求項1〜3のいずれか一項に記載
の電磁波抑制体シート。
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005154676A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Uchiyama Mfg Corp | 磁性ゴム組成物 |
JP2007134465A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toda Kogyo Corp | 電波吸収材用球状複合体粒子粉末及びその製造方法、該複合体粒子粉末を含む半導体封止用樹脂組成物 |
JP2008169378A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-07-24 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 樹脂組成物 |
JP2012151502A (ja) * | 2007-04-17 | 2012-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 樹脂混合用複合フィラー |
JP2013243412A (ja) * | 2013-09-09 | 2013-12-05 | Kurimoto Ltd | 電波吸収粒子および電波吸収体 |
KR20180021336A (ko) * | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자기간섭 차폐층을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2020150036A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 藤倉化成株式会社 | 磁性塗料組成物 |
Families Citing this family (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3645197B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2005-05-11 | 日東電工株式会社 | 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
DE10151036A1 (de) * | 2001-10-16 | 2003-05-08 | Siemens Ag | Isolator für ein organisches Elektronikbauteil |
JP2003347787A (ja) * | 2002-05-23 | 2003-12-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 電磁波吸収性組成物 |
CN1292632C (zh) * | 2002-08-19 | 2006-12-27 | 住友电气工业株式会社 | 电磁波吸收剂 |
JP4106285B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2008-06-25 | アルプス電気株式会社 | 高周波機器 |
US7261834B2 (en) * | 2003-05-20 | 2007-08-28 | The Board Of Regents Of The University And Community College System Of Nevada On Behalf Of The University Of Nevada, Reno | Tunable magneto-rheological elastomers and processes for their manufacture |
US7646095B2 (en) * | 2003-09-30 | 2010-01-12 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
US9105382B2 (en) * | 2003-11-14 | 2015-08-11 | Tundra Composites, LLC | Magnetic composite |
JP4423462B2 (ja) * | 2003-12-22 | 2010-03-03 | 富士電機システムズ株式会社 | 半導体パワーモジュール |
US7371471B2 (en) * | 2004-03-08 | 2008-05-13 | Nec Tokin Corporation | Electromagnetic noise suppressing thin film |
JPWO2006100768A1 (ja) * | 2005-03-23 | 2008-08-28 | 富士通株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4492454B2 (ja) * | 2005-06-20 | 2010-06-30 | 富士電機システムズ株式会社 | パワー半導体モジュール |
KR20080023996A (ko) * | 2006-09-12 | 2008-03-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 패키지 |
US7758784B2 (en) * | 2006-09-14 | 2010-07-20 | Iap Research, Inc. | Method of producing uniform blends of nano and micron powders |
JP5165231B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2013-03-21 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 磁性粉含有樹脂組成物 |
DE102007025053B4 (de) * | 2007-04-20 | 2020-09-03 | Barlog Plastics Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines permanent magnetischen Formteiles und permanent magnetisches Formteil |
US7815820B2 (en) * | 2007-10-18 | 2010-10-19 | General Electric Company | Electromagnetic interference shielding polymer composites and methods of manufacture |
US8009442B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-08-30 | Intel Corporation | Directing the flow of underfill materials using magnetic particles |
JP5243558B2 (ja) | 2008-01-18 | 2013-07-24 | ワイルド リバー コンサルティング グループ リミテッド ライアビリティー カンパニー | 溶融成形ポリマー複合物およびその製造方法 |
US8212339B2 (en) * | 2008-02-05 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8022511B2 (en) | 2008-02-05 | 2011-09-20 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US7989928B2 (en) * | 2008-02-05 | 2011-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8350367B2 (en) * | 2008-02-05 | 2013-01-08 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
JP5574395B2 (ja) * | 2008-04-04 | 2014-08-20 | 国立大学法人東北大学 | 複合材料及びその製造方法 |
US7704438B2 (en) | 2008-04-25 | 2010-04-27 | Barlog Plastics Gmbh | Process for producing a permanently magnetic molding |
KR20110015693A (ko) * | 2008-07-10 | 2011-02-16 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | 열전도성 노이즈 억제 시트 |
US8410584B2 (en) * | 2008-08-08 | 2013-04-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US20100110656A1 (en) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
US8110902B2 (en) * | 2009-02-19 | 2012-02-07 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
US8152145B2 (en) * | 2009-04-29 | 2012-04-10 | Honeywell International Inc. | Isoelastic magneto-rheological elastomer isolator |
US9249283B2 (en) | 2009-04-29 | 2016-02-02 | Tundra Composites, LLC | Reduced density glass bubble polymer composite |
US8212340B2 (en) | 2009-07-13 | 2012-07-03 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
US8378466B2 (en) * | 2009-11-19 | 2013-02-19 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Wafer-level semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8030750B2 (en) * | 2009-11-19 | 2011-10-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
US8368185B2 (en) * | 2009-11-19 | 2013-02-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device packages with electromagnetic interference shielding |
TWI497679B (zh) * | 2009-11-27 | 2015-08-21 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝件及其製造方法 |
US8569894B2 (en) | 2010-01-13 | 2013-10-29 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package with single sided substrate design and manufacturing methods thereof |
TWI411075B (zh) | 2010-03-22 | 2013-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | 半導體封裝件及其製造方法 |
FR2962050B1 (fr) * | 2010-07-01 | 2015-01-30 | Air Liquide | Procede de fonctionnement d'une membrane ceramique conductrice ionique mixte |
TWI540698B (zh) | 2010-08-02 | 2016-07-01 | 日月光半導體製造股份有限公司 | 半導體封裝件與其製造方法 |
US9545043B1 (en) * | 2010-09-28 | 2017-01-10 | Rockwell Collins, Inc. | Shielding encapsulation for electrical circuitry |
US9406658B2 (en) | 2010-12-17 | 2016-08-02 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component device and manufacturing methods thereof |
CN110083010A (zh) * | 2011-08-10 | 2019-08-02 | 日立化成株式会社 | 感光性树脂组合物、感光性薄膜、永久抗蚀剂以及永久抗蚀剂的制造方法 |
US8704341B2 (en) | 2012-05-15 | 2014-04-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor packages with thermal dissipation structures and EMI shielding |
US8653634B2 (en) | 2012-06-11 | 2014-02-18 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | EMI-shielded semiconductor devices and methods of making |
US9999158B2 (en) | 2013-01-03 | 2018-06-12 | Henkel IP & Holding GmbH | Thermally conductive EMI suppression compositions |
US9409101B1 (en) | 2013-03-15 | 2016-08-09 | Giancarlo A. Carleo | Multi-sensory module array |
US9126124B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-09-08 | Giancarlo A. Carleo | Multidirectional sensory array |
KR102369203B1 (ko) * | 2016-02-10 | 2022-02-28 | 가부시키가이샤 토킨 | 복합 자성체 및 제조 방법 |
CN108976804A (zh) * | 2018-08-15 | 2018-12-11 | 合肥卓汇新材料科技有限公司 | 一种提高硅橡胶力学性能的补强填料 |
KR20210010175A (ko) * | 2019-07-19 | 2021-01-27 | 현대자동차주식회사 | 자기유변 탄성체 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01297806A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Daihachi Chem Ind Co Ltd | 表面改質磁性粉末およびそれを含有するボンド磁石組成物 |
JPH0278299A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 電子部品塔載基板 |
JPH11269503A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Hitachi Metals Ltd | Fe基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材 |
JP2000294977A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Nitto Denko Corp | 電磁干渉抑制体及びその製造方法 |
JP2001060792A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Sony Corp | 電磁波吸収体 |
JP2001155914A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Hitachi Powdered Metals Co Ltd | 高周波用圧粉磁心およびその製造方法 |
JP2001358493A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FI117224B (fi) * | 1994-01-20 | 2006-07-31 | Nec Tokin Corp | Sähkömagneettinen häiriönpoistokappale, ja sitä soveltavat elektroninen laite ja hybridimikropiirielementti |
JPH0935927A (ja) * | 1995-07-20 | 1997-02-07 | Tokin Corp | 複合磁性体及びそれを用いた電磁干渉抑制体 |
JP3475386B2 (ja) * | 1997-09-01 | 2003-12-08 | Necトーキン株式会社 | 電磁干渉抑制体 |
JP3555831B2 (ja) | 1998-01-20 | 2004-08-18 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置および電子装置 |
JP2000114440A (ja) * | 1998-10-07 | 2000-04-21 | Daido Steel Co Ltd | 放熱シート |
JP2000228598A (ja) * | 1999-02-08 | 2000-08-15 | Daido Steel Co Ltd | 寸法安定性が高い電磁波吸収体 |
JP2000269680A (ja) * | 1999-03-17 | 2000-09-29 | Nippon Paint Co Ltd | 電磁波吸収ボード |
CN1156533C (zh) | 1999-10-06 | 2004-07-07 | 日东电工株式会社 | 半导体密封用树脂组合物和使用它的半导体装置及制法 |
KR100533097B1 (ko) * | 2000-04-27 | 2005-12-02 | 티디케이가부시기가이샤 | 복합자성재료와 이것을 이용한 자성성형재료, 압분 자성분말성형재료, 자성도료, 복합 유전체재료와 이것을이용한 성형재료, 압분성형 분말재료, 도료, 프리프레그및 기판, 전자부품 |
JP3645197B2 (ja) * | 2001-06-12 | 2005-05-11 | 日東電工株式会社 | 半導体装置およびそれに用いる半導体封止用エポキシ樹脂組成物 |
-
2001
- 2001-06-12 JP JP2001177510A patent/JP3865601B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-11 US US10/166,024 patent/US6695985B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-06-12 EP EP02013406.0A patent/EP1267406B1/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01297806A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-11-30 | Daihachi Chem Ind Co Ltd | 表面改質磁性粉末およびそれを含有するボンド磁石組成物 |
JPH0278299A (ja) * | 1988-09-14 | 1990-03-19 | Hitachi Ltd | 電子部品塔載基板 |
JPH11269503A (ja) * | 1998-03-19 | 1999-10-05 | Hitachi Metals Ltd | Fe基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材 |
JP2000294977A (ja) * | 1999-04-05 | 2000-10-20 | Nitto Denko Corp | 電磁干渉抑制体及びその製造方法 |
JP2001060792A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Sony Corp | 電磁波吸収体 |
JP2001155914A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Hitachi Powdered Metals Co Ltd | 高周波用圧粉磁心およびその製造方法 |
JP2001358493A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005154676A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-16 | Uchiyama Mfg Corp | 磁性ゴム組成物 |
JP2007134465A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toda Kogyo Corp | 電波吸収材用球状複合体粒子粉末及びその製造方法、該複合体粒子粉末を含む半導体封止用樹脂組成物 |
JP2008169378A (ja) * | 2006-12-12 | 2008-07-24 | Asahi Kasei Chemicals Corp | 樹脂組成物 |
JP2012151502A (ja) * | 2007-04-17 | 2012-08-09 | Hitachi High-Technologies Corp | 樹脂混合用複合フィラー |
JP2013243412A (ja) * | 2013-09-09 | 2013-12-05 | Kurimoto Ltd | 電波吸収粒子および電波吸収体 |
KR20180021336A (ko) * | 2016-08-19 | 2018-03-02 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자기간섭 차폐층을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
KR102620863B1 (ko) * | 2016-08-19 | 2024-01-05 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자기간섭 차폐층을 갖는 반도체 패키지 및 그 제조방법 |
JP2020150036A (ja) * | 2019-03-11 | 2020-09-17 | 藤倉化成株式会社 | 磁性塗料組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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