JPH11269503A - Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材 - Google Patents
Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 十分な電磁波ノイズ吸収効果を発揮できる新
しい構成の電磁波抑制部材を提供する。 【解決手段】 本発明は粉末表面に、粉末に内在するＳ
ｉから形成されたＳｉ酸化物を主体とする酸化被膜を形
成されてなることを特徴とするＦｅ基ナノ結晶磁性粉末
およびこれを樹脂中に分散させた電磁波抑制部材であ
る。この磁性粉末は、Ｆｅ基ナノ結晶粉末、もしくはＦ
ｅ基ナノ結晶粉末の前駆体となるアモルファス粉末を、
露点−５０〜３０℃、より望ましくは−３０〜３０℃の
水素雰囲気中で加熱してＳｉ酸化物を主体とする酸化被
膜を形成することにより得ることができる。
しい構成の電磁波抑制部材を提供する。 【解決手段】 本発明は粉末表面に、粉末に内在するＳ
ｉから形成されたＳｉ酸化物を主体とする酸化被膜を形
成されてなることを特徴とするＦｅ基ナノ結晶磁性粉末
およびこれを樹脂中に分散させた電磁波抑制部材であ
る。この磁性粉末は、Ｆｅ基ナノ結晶粉末、もしくはＦ
ｅ基ナノ結晶粉末の前駆体となるアモルファス粉末を、
露点−５０〜３０℃、より望ましくは−３０〜３０℃の
水素雰囲気中で加熱してＳｉ酸化物を主体とする酸化被
膜を形成することにより得ることができる。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、電子機器等から生
じる高周波の電磁波ノイズによる機器の誤動作防止用等
に用いることができるＦｅ基ナノ結晶磁性粉末、および
その製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部
材に関するものである。
じる高周波の電磁波ノイズによる機器の誤動作防止用等
に用いることができるＦｅ基ナノ結晶磁性粉末、および
その製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部
材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年電子機器の普及増大に伴い、機器か
ら発生する電磁波ノイズによる周辺機器の誤動作等が問
題となっている。またこれらの機器は大幅な小型化、軽
量化も図られている。これに伴い機器内にある電子部品
は過密に実装されるため、部品から生じる電磁波ノイズ
による機器本体の誤動作も問題となっている。これに対
するノイズ対策部材には電磁波ノイズを反射するのでは
なく吸収し、かつ薄型、軽量であることが望まれる。こ
のような要求に対し、鉄粉等の磁性粉末と樹脂を混合し
て作製したものが使用されてきた。
ら発生する電磁波ノイズによる周辺機器の誤動作等が問
題となっている。またこれらの機器は大幅な小型化、軽
量化も図られている。これに伴い機器内にある電子部品
は過密に実装されるため、部品から生じる電磁波ノイズ
による機器本体の誤動作も問題となっている。これに対
するノイズ対策部材には電磁波ノイズを反射するのでは
なく吸収し、かつ薄型、軽量であることが望まれる。こ
のような要求に対し、鉄粉等の磁性粉末と樹脂を混合し
て作製したものが使用されてきた。
【０００３】磁性粉末を用いた場合、その吸収効果は
μ’−ｊμ’’といった式で表される複素透磁率の周波
数特性に依存する。ここで実数部μ’はいわゆる比透磁
率に相当する項で、μ’’は電磁波が素材に入射した際
の損失に起因する項であり、この項によって電磁波は素
材中で減衰する。吸収体はこのμ’よりもμ’’が高く
なる周波数帯で使用される。また、この周波数帯は低周
波で高いμ’を示すものほど低められる。従って磁性体
の低周波におけるμ’が高いものほど、適応可能な周波
数帯を拡大しやすい。
μ’−ｊμ’’といった式で表される複素透磁率の周波
数特性に依存する。ここで実数部μ’はいわゆる比透磁
率に相当する項で、μ’’は電磁波が素材に入射した際
の損失に起因する項であり、この項によって電磁波は素
材中で減衰する。吸収体はこのμ’よりもμ’’が高く
なる周波数帯で使用される。また、この周波数帯は低周
波で高いμ’を示すものほど低められる。従って磁性体
の低周波におけるμ’が高いものほど、適応可能な周波
数帯を拡大しやすい。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、上述した
低周波におけるμ’が高く、経時変化も小さいものとし
て、特開平１−２４１２００号あるいは特開平６−１１
２０３１号に示されるようなＦｅ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｂ系に
代表される１００ｎｍ以下の超微細な結晶粒を有する組
織によって優れた軟磁気特性が得られるＦｅ基のナノ結
晶合金粉末に着目した。そして、本発明者は上記Ｆｅ基
ナノ結晶磁性粉末と樹脂を用い、粉末の配合量や吸収体
の厚み等に関しさまざまな検討を行った。評価はネット
ワークアナライザーと裏面短絡させた同軸管を用い、反
射減衰量（入射波に対する反射波がどれだけ減衰した
か）で比較した。その結果、粉末量の異なる厚さ２ｍｍ
程度のシートで、１〜１０ＧＨｚと広い周波数帯で吸収
効果の認められるものが得られることを確認した。しか
し反射減衰量は１０ｄＢよりも小さい値しか得られず、
十分な吸収効果とは言えないものであった。
低周波におけるμ’が高く、経時変化も小さいものとし
て、特開平１−２４１２００号あるいは特開平６−１１
２０３１号に示されるようなＦｅ−Ｃｕ−Ｓｉ−Ｂ系に
代表される１００ｎｍ以下の超微細な結晶粒を有する組
織によって優れた軟磁気特性が得られるＦｅ基のナノ結
晶合金粉末に着目した。そして、本発明者は上記Ｆｅ基
ナノ結晶磁性粉末と樹脂を用い、粉末の配合量や吸収体
の厚み等に関しさまざまな検討を行った。評価はネット
ワークアナライザーと裏面短絡させた同軸管を用い、反
射減衰量（入射波に対する反射波がどれだけ減衰した
か）で比較した。その結果、粉末量の異なる厚さ２ｍｍ
程度のシートで、１〜１０ＧＨｚと広い周波数帯で吸収
効果の認められるものが得られることを確認した。しか
し反射減衰量は１０ｄＢよりも小さい値しか得られず、
十分な吸収効果とは言えないものであった。
【０００５】磁性体を用いた電波吸収体の場合、反射減
衰量が得られる周波数帯は前述したように磁性体の複素
透磁率の分散特性によるが、反射減衰量の値そのものは
複素透磁率と複素誘電率が等しいとき、空間のインピー
ダンスと整合し最も大きな効果を示す。本発明者が検討
したところ、単純にＦｅ基ナノ結晶磁性合金粉末と樹脂
との構成では複素透磁率以上に複素誘電率が非常に大き
な値を示したことから、空間のインピーダンスとのずれ
が大きくなり、十分なノイズ吸収効果が得られていない
ことが判明した。本発明の目的は上述した問題点を解決
するため、十分な電磁波ノイズ吸収効果を発揮できる新
しい構成の電磁波抑制部材およびそのための磁性粉末を
提供することである。
衰量が得られる周波数帯は前述したように磁性体の複素
透磁率の分散特性によるが、反射減衰量の値そのものは
複素透磁率と複素誘電率が等しいとき、空間のインピー
ダンスと整合し最も大きな効果を示す。本発明者が検討
したところ、単純にＦｅ基ナノ結晶磁性合金粉末と樹脂
との構成では複素透磁率以上に複素誘電率が非常に大き
な値を示したことから、空間のインピーダンスとのずれ
が大きくなり、十分なノイズ吸収効果が得られていない
ことが判明した。本発明の目的は上述した問題点を解決
するため、十分な電磁波ノイズ吸収効果を発揮できる新
しい構成の電磁波抑制部材およびそのための磁性粉末を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、粉末表面に
絶縁性に優れた酸化皮膜をもたせ、粉末同士を絶縁する
ことにより、複素誘電率の過度の増加を抑制することを
検討した。そして、本発明者はＦｅ基ナノ結晶磁性合金
粉末の製造時に適用する、熱処理方法と絶縁層の形成に
ついて検討した。その結果、露点を調整した水素雰囲気
中でナノ結晶化の熱処理することで、粉末の表面にＦｅ
の酸化皮膜よりも絶縁性能に優れるＳｉを主体とする酸
化皮膜を選択的に形成するとともに、内部組織をナノ結
晶化することにより、複素透磁率を高めると同時に、複
素誘電率の上昇を抑えることで、優れた反射減衰量が得
られることを見出し本発明に到達した。
絶縁性に優れた酸化皮膜をもたせ、粉末同士を絶縁する
ことにより、複素誘電率の過度の増加を抑制することを
検討した。そして、本発明者はＦｅ基ナノ結晶磁性合金
粉末の製造時に適用する、熱処理方法と絶縁層の形成に
ついて検討した。その結果、露点を調整した水素雰囲気
中でナノ結晶化の熱処理することで、粉末の表面にＦｅ
の酸化皮膜よりも絶縁性能に優れるＳｉを主体とする酸
化皮膜を選択的に形成するとともに、内部組織をナノ結
晶化することにより、複素透磁率を高めると同時に、複
素誘電率の上昇を抑えることで、優れた反射減衰量が得
られることを見出し本発明に到達した。
【０００７】すなわち、本発明は粉末表面に、粉末に内
在するＳｉから形成されたＳｉ酸化物を主体とする酸化
被膜を形成されてなることを特徴とするＦｅ基ナノ結晶
磁性粉末である。この粉末は、たとえばＦｅ基ナノ結晶
磁性粉末、もしくはＦｅ基ナノ結晶磁性粉末の前駆体と
なるアモルファス粉末を、露点−５０〜３０℃、より望
ましくは−３０〜３０℃の水素雰囲気中で加熱してＳｉ
酸化物を主体とする酸化被膜を形成することにより得る
ことができる。
在するＳｉから形成されたＳｉ酸化物を主体とする酸化
被膜を形成されてなることを特徴とするＦｅ基ナノ結晶
磁性粉末である。この粉末は、たとえばＦｅ基ナノ結晶
磁性粉末、もしくはＦｅ基ナノ結晶磁性粉末の前駆体と
なるアモルファス粉末を、露点−５０〜３０℃、より望
ましくは−３０〜３０℃の水素雰囲気中で加熱してＳｉ
酸化物を主体とする酸化被膜を形成することにより得る
ことができる。
【０００８】本発明の上述したＦｅ基ナノ結晶磁性粉末
を、樹脂中に分散することで、電磁波ノイズ抑制が優れ
かつ柔軟で扱いやすい電磁波ノイズ抑制部材を得ること
ができる。より好ましくは平均粒径が５００μｍ以下の
上述したＦｅ基ナノ結晶磁性粉末が樹脂の重量の１５倍
以下含有するものとする。
を、樹脂中に分散することで、電磁波ノイズ抑制が優れ
かつ柔軟で扱いやすい電磁波ノイズ抑制部材を得ること
ができる。より好ましくは平均粒径が５００μｍ以下の
上述したＦｅ基ナノ結晶磁性粉末が樹脂の重量の１５倍
以下含有するものとする。
【０００９】
【発明の実施の形態】樹脂中に混合する磁性粉末とし
て、酸化層を形成することが電磁波ノイズの抑制に対し
て有効である。本発明においては、酸化層として、表面
にＦｅを主体とする酸化皮膜よりも絶縁性能に優れるＳ
ｉ酸化物を主体とする酸化皮膜をもたせたナノ結晶磁性
粉末を見いだし、電磁波ノイズ抑制部材として、反射減
衰量を一層改善できたものである。
て、酸化層を形成することが電磁波ノイズの抑制に対し
て有効である。本発明においては、酸化層として、表面
にＦｅを主体とする酸化皮膜よりも絶縁性能に優れるＳ
ｉ酸化物を主体とする酸化皮膜をもたせたナノ結晶磁性
粉末を見いだし、電磁波ノイズ抑制部材として、反射減
衰量を一層改善できたものである。
【００１０】本発明において、粉末に内在するＳｉから
形成するとしたのは、Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末の組成と
してＳｉを添加することができるためであり、加熱処理
における露点の調整によりこのＳｉを表面に濃化でき、
Ｓｉ酸化物を主体とする絶縁性に優れた酸化被膜を形成
することができるためである。上述した酸化層はＦｅ基
ナノ結晶磁性粉末、もしくはＦｅ基ナノ結晶磁性粉末の
前駆体となるアモルファス粉末を、露点−５０〜３０
℃、より望ましくは−３０〜３０℃の水素雰囲気中で加
熱してＳｉ酸化物を主体とする酸化被膜を形成すること
により得ることができる。Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末の前
駆体となるアモルファス合金粉末は、例えば５００〜６
００℃程度で熱処理することによって組織のナノ結晶化
を行うことができるのであるが、このとき同時に表面に
絶縁性にすぐれた酸化皮膜からなる絶縁層をもたせられ
れば、２度加熱工程を付与する必要がなくなることか
ら、工数及びコスト低減が可能である。
形成するとしたのは、Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末の組成と
してＳｉを添加することができるためであり、加熱処理
における露点の調整によりこのＳｉを表面に濃化でき、
Ｓｉ酸化物を主体とする絶縁性に優れた酸化被膜を形成
することができるためである。上述した酸化層はＦｅ基
ナノ結晶磁性粉末、もしくはＦｅ基ナノ結晶磁性粉末の
前駆体となるアモルファス粉末を、露点−５０〜３０
℃、より望ましくは−３０〜３０℃の水素雰囲気中で加
熱してＳｉ酸化物を主体とする酸化被膜を形成すること
により得ることができる。Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末の前
駆体となるアモルファス合金粉末は、例えば５００〜６
００℃程度で熱処理することによって組織のナノ結晶化
を行うことができるのであるが、このとき同時に表面に
絶縁性にすぐれた酸化皮膜からなる絶縁層をもたせられ
れば、２度加熱工程を付与する必要がなくなることか
ら、工数及びコスト低減が可能である。
【００１１】本発明において樹脂混合するナノ結晶磁性
粉末の重量を樹脂の１５倍以下としたのは、１５倍以上
では樹脂の割合が少ないため、成形性が悪くなるからで
ある。加えて、ナノ結晶磁性粉末の平均粒径を５００μ
ｍ以下としたのは、粉末製造時アモルファス化し難いか
らである。また、粉末の熱処理雰囲気として露点−５０
〜３０℃、好ましくは−３０〜３０℃の水素雰囲気とし
たのは、アモルファス構造を有す粉末を結晶化する際、
−５０℃以下では十分な酸化皮膜が着かず、また３０℃
以上ではＦｅを主体とする酸化皮膜が形成されるため、
粉末同士の絶縁性能が低下する場合があるためである。
加えて、本発明において適用される樹脂としては、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリウレタン樹
脂、塩化ビニル樹脂などがある。
粉末の重量を樹脂の１５倍以下としたのは、１５倍以上
では樹脂の割合が少ないため、成形性が悪くなるからで
ある。加えて、ナノ結晶磁性粉末の平均粒径を５００μ
ｍ以下としたのは、粉末製造時アモルファス化し難いか
らである。また、粉末の熱処理雰囲気として露点−５０
〜３０℃、好ましくは−３０〜３０℃の水素雰囲気とし
たのは、アモルファス構造を有す粉末を結晶化する際、
−５０℃以下では十分な酸化皮膜が着かず、また３０℃
以上ではＦｅを主体とする酸化皮膜が形成されるため、
粉末同士の絶縁性能が低下する場合があるためである。
加えて、本発明において適用される樹脂としては、ポリ
エチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリウレタン樹
脂、塩化ビニル樹脂などがある。
【００１２】本発明でいうナノ結晶磁性粉末というの
は、実質的に１００ｎｍ以下の微細結晶粒で構成される
粉末である。具体的には、Ｆｅ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ
系やＦｅ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｂ系に代表される組織がｂｃｃ
Ｆｅの微細結晶を主体とする軟磁性材料である。
は、実質的に１００ｎｍ以下の微細結晶粒で構成される
粉末である。具体的には、Ｆｅ−Ｃｕ−Ｎｂ−Ｓｉ−Ｂ
系やＦｅ−Ｚｒ−Ｓｉ−Ｂ系に代表される組織がｂｃｃ
Ｆｅの微細結晶を主体とする軟磁性材料である。
【００１３】本発明の電磁波ノイズ抑制部材は、次のよ
うな方法で製造することができる。まず水アトマイズ法
などにより、アモルファス合金の粉末を作製する。次い
で、露点−５０〜３０℃の水素雰囲気中で結晶化温度以
上の温度で熱処理することにより、表面にＳｉを主体と
する酸化皮膜を有する微結晶磁性粉末を得る。このよう
にして得られたナノ結晶合金の粉末、樹脂、硬化剤及び
溶剤等を配合し、ドクターブレード法によりシート状に
成形し、シート状の電磁波ノイズ抑制部材を得ることが
できる。
うな方法で製造することができる。まず水アトマイズ法
などにより、アモルファス合金の粉末を作製する。次い
で、露点−５０〜３０℃の水素雰囲気中で結晶化温度以
上の温度で熱処理することにより、表面にＳｉを主体と
する酸化皮膜を有する微結晶磁性粉末を得る。このよう
にして得られたナノ結晶合金の粉末、樹脂、硬化剤及び
溶剤等を配合し、ドクターブレード法によりシート状に
成形し、シート状の電磁波ノイズ抑制部材を得ることが
できる。
【００１４】
【実施例】（実施例１）水アトマイズ法により、平均粒
径３０μｍのＣｕ1−Ｎｂ3−Ｓｉ13.5−Ｂ9（ａｔ
％）、残部Ｆｅからなるアモルファス合金粉末を作製
し、これを５５０℃、露点１５℃の水素雰囲気中で１.
５時間熱処理し、１００ｎｍ以下のｂｃｃＦｅの微細結
晶組織を有し、平均粒径３０μｍの本発明のナノ結晶合
金粉末を得た。次いで、ポリエチレン樹脂と樹脂の５倍
の重量を有するナノ結晶合金粉末と硬化剤及び、溶剤を
配合し、ドクターブレード法により厚さ２ｍｍのシート
状の本発明の電波ノイズ抑制部材を得た。この本発明の
電波ノイズ抑制部材の２ＧＨｚにおける反射減衰量、複
素透磁率、複素誘電率をヒューレットパッカード社製ネ
ットワークアナライザーを用いて評価した。またＸ線分
析装置を用いて粉末表面の分析を行った。
径３０μｍのＣｕ1−Ｎｂ3−Ｓｉ13.5−Ｂ9（ａｔ
％）、残部Ｆｅからなるアモルファス合金粉末を作製
し、これを５５０℃、露点１５℃の水素雰囲気中で１.
５時間熱処理し、１００ｎｍ以下のｂｃｃＦｅの微細結
晶組織を有し、平均粒径３０μｍの本発明のナノ結晶合
金粉末を得た。次いで、ポリエチレン樹脂と樹脂の５倍
の重量を有するナノ結晶合金粉末と硬化剤及び、溶剤を
配合し、ドクターブレード法により厚さ２ｍｍのシート
状の本発明の電波ノイズ抑制部材を得た。この本発明の
電波ノイズ抑制部材の２ＧＨｚにおける反射減衰量、複
素透磁率、複素誘電率をヒューレットパッカード社製ネ
ットワークアナライザーを用いて評価した。またＸ線分
析装置を用いて粉末表面の分析を行った。
【００１５】本発明の粉末では、Ｘ線分析により、粉末
表面にはＳｉと酸素の濃化が認められ、Ｓｉ酸化物を主
体とする酸化層が形成されていることを確認した。そし
て、本発明の電波ノイズ抑制部材は、複素透磁率が７、
複素誘電率１７と、空間のインピーダンスとの整合性が
高まっており、反射減衰率は１３ｄＢとなり大きく改善
された。
表面にはＳｉと酸素の濃化が認められ、Ｓｉ酸化物を主
体とする酸化層が形成されていることを確認した。そし
て、本発明の電波ノイズ抑制部材は、複素透磁率が７、
複素誘電率１７と、空間のインピーダンスとの整合性が
高まっており、反射減衰率は１３ｄＢとなり大きく改善
された。
【００１６】また、比較品として上記アモルファス合金
粉末をアルゴン雰囲気中で５５０℃、１.５時間熱処理
して得られたナノ結晶合金粉末、樹脂、硬化剤及び溶剤
を用いて同様のシートを作製し、ネットワークアナライ
ザーを用いて同様の項目について測定した。加えて上述
したものと同様の装置を用いて粉末表面の分析も行っ
た。その結果、比較品の粉末表面に酸化皮膜は認められ
ず、シートの複素透磁率が３、複素誘電率が２２であ
り、反射減衰量は５ｄＢしか得られなかった。
粉末をアルゴン雰囲気中で５５０℃、１.５時間熱処理
して得られたナノ結晶合金粉末、樹脂、硬化剤及び溶剤
を用いて同様のシートを作製し、ネットワークアナライ
ザーを用いて同様の項目について測定した。加えて上述
したものと同様の装置を用いて粉末表面の分析も行っ
た。その結果、比較品の粉末表面に酸化皮膜は認められ
ず、シートの複素透磁率が３、複素誘電率が２２であ
り、反射減衰量は５ｄＢしか得られなかった。
【００１７】（実施例２）水アトマイズ法により、平均
粒径３０μｍのＣｒ3−Ｃｕ1−Ｎｂ3−Ｓｉ13.5−Ｂ
9（ａｔ％）、残部Ｆｅからなるアモルファス合金粉末
を作製し、これを５５０℃、露点２０℃の水素雰囲気中
で１.５時間熱処理し、１００ｎｍ以下のｂｃｃＦｅの
微細結晶組織を有し、平均粒径３０μｍの本発明のナノ
結晶合金粉末を得た。次いで、ポリウレタン樹脂と樹脂
の７.５倍を有するナノ結晶合金粉末を配合し、ドクタ
ーブレード法により厚さ２ｍｍのシート状の本発明の電
波ノイズ抑制部材を得た。本発明の電波抑制部材の１Ｇ
Ｈｚにおける反射減衰量、複素透磁率、複素誘電率をヒ
ューレットパッカード社製ネットワークアナライザーを
用いて評価した。またＸ線光電子分光分析装置を用いて
粉末表面の分析を行った。
粒径３０μｍのＣｒ3−Ｃｕ1−Ｎｂ3−Ｓｉ13.5−Ｂ
9（ａｔ％）、残部Ｆｅからなるアモルファス合金粉末
を作製し、これを５５０℃、露点２０℃の水素雰囲気中
で１.５時間熱処理し、１００ｎｍ以下のｂｃｃＦｅの
微細結晶組織を有し、平均粒径３０μｍの本発明のナノ
結晶合金粉末を得た。次いで、ポリウレタン樹脂と樹脂
の７.５倍を有するナノ結晶合金粉末を配合し、ドクタ
ーブレード法により厚さ２ｍｍのシート状の本発明の電
波ノイズ抑制部材を得た。本発明の電波抑制部材の１Ｇ
Ｈｚにおける反射減衰量、複素透磁率、複素誘電率をヒ
ューレットパッカード社製ネットワークアナライザーを
用いて評価した。またＸ線光電子分光分析装置を用いて
粉末表面の分析を行った。
【００１８】本発明の粉末では、Ｘ線分析により、粉末
表面にはＳｉと酸素の濃化が認められ、Ｓｉ酸化物を主
体とする酸化層が形成されていることを確認した。そし
て、本発明の電波ノイズ抑制部材は、複素透磁率は８、
複素誘電率３５と、空間のインピーダンスとの整合性が
高まったことにより、反射減衰量は２３ｄＢとなり大き
く改善された。
表面にはＳｉと酸素の濃化が認められ、Ｓｉ酸化物を主
体とする酸化層が形成されていることを確認した。そし
て、本発明の電波ノイズ抑制部材は、複素透磁率は８、
複素誘電率３５と、空間のインピーダンスとの整合性が
高まったことにより、反射減衰量は２３ｄＢとなり大き
く改善された。
【００１９】また、比較品として上記アモルファス合金
粉末をアルゴン雰囲気中で５５０℃、１.５時間熱処理
して得られたナノ結晶合金粉末、樹脂、硬化剤及び溶剤
を用いて同様のシートを作製し、ネットワークアナライ
ザーを用いて同様の項目について測定した。加えて上述
したものと同様の装置を用いて酸化皮膜の分析も行っ
た。その結果、比較品の粉末表面に酸化皮膜は認められ
ず、シートの複素透磁率が４、複素誘電率４０で、反射
減衰量は７ｄＢしか得られなかった。
粉末をアルゴン雰囲気中で５５０℃、１.５時間熱処理
して得られたナノ結晶合金粉末、樹脂、硬化剤及び溶剤
を用いて同様のシートを作製し、ネットワークアナライ
ザーを用いて同様の項目について測定した。加えて上述
したものと同様の装置を用いて酸化皮膜の分析も行っ
た。その結果、比較品の粉末表面に酸化皮膜は認められ
ず、シートの複素透磁率が４、複素誘電率４０で、反射
減衰量は７ｄＢしか得られなかった。
【００２０】（実施例３）水アトマイズ法により平均粒
径 ３０μｍ、Ｃｕ1−Ｍｏ3−Ｓｉ10−Ｂ8（ａｔ％）、
残部Ｆｅからなるアモルファス合金粉末を作製し、これ
を５００℃、露点２０℃の水素雰囲気中で１.５時間熱
処理し、表面に酸化皮膜を有する１００ｎｍ以下のｂｃ
ｃＦｅの微細結晶粒でなる平均粒径 ３０μｍの本発明
のナノ結晶合金粉末を得た。また比較品として、上記ア
モルファス合金粉末を５００℃、１.５時間の熱処理を
大気中及びＡｒ雰囲気中で行って作製した２種類のナノ
結晶合金粉末を得た。次いで上記３種類の粉末表面の分
析をＸ線にて行ったところ、露点を調整した水素雰囲気
中で熱処理した本発明品は、表面にＳｉ及び酸素の濃化
が認められ、Ｓｉ酸化物を主体とする酸化層が形成され
ていることが確認された。
径 ３０μｍ、Ｃｕ1−Ｍｏ3−Ｓｉ10−Ｂ8（ａｔ％）、
残部Ｆｅからなるアモルファス合金粉末を作製し、これ
を５００℃、露点２０℃の水素雰囲気中で１.５時間熱
処理し、表面に酸化皮膜を有する１００ｎｍ以下のｂｃ
ｃＦｅの微細結晶粒でなる平均粒径 ３０μｍの本発明
のナノ結晶合金粉末を得た。また比較品として、上記ア
モルファス合金粉末を５００℃、１.５時間の熱処理を
大気中及びＡｒ雰囲気中で行って作製した２種類のナノ
結晶合金粉末を得た。次いで上記３種類の粉末表面の分
析をＸ線にて行ったところ、露点を調整した水素雰囲気
中で熱処理した本発明品は、表面にＳｉ及び酸素の濃化
が認められ、Ｓｉ酸化物を主体とする酸化層が形成され
ていることが確認された。
【００２１】一方２種類の比較品の内大気中で行ったも
のは、表面にＦｅ及び酸素の濃化が認められ、Ｆｅの酸
化物を主体とする酸化層が形成されていることを確認し
た。またＡｒ雰囲気中で行ったものは、表面酸化層が認
められなかった。さらに、本発明品及び比較品をそれぞ
れポリエチレン樹脂と樹脂の６倍の重量を有するナノ結
晶合金粉末、溶剤、硬化剤等を配合し、ドクターブレー
ド法により厚さ２ｍｍのシート状の電波ノイズ抑制部材
を作製し、周波数３ＧＨｚにおける反射減衰量、複素透
磁率、複素誘電率をヒューレットパッカード社製ネット
ワークアナライザーにて測定した。
のは、表面にＦｅ及び酸素の濃化が認められ、Ｆｅの酸
化物を主体とする酸化層が形成されていることを確認し
た。またＡｒ雰囲気中で行ったものは、表面酸化層が認
められなかった。さらに、本発明品及び比較品をそれぞ
れポリエチレン樹脂と樹脂の６倍の重量を有するナノ結
晶合金粉末、溶剤、硬化剤等を配合し、ドクターブレー
ド法により厚さ２ｍｍのシート状の電波ノイズ抑制部材
を作製し、周波数３ＧＨｚにおける反射減衰量、複素透
磁率、複素誘電率をヒューレットパッカード社製ネット
ワークアナライザーにて測定した。
【００２２】その結果、比較品の電波ノイズ抑制部材は
粉末をＡｒ中で熱処理したものが、複素透磁率２、複素
誘電率３７、反射減衰量８ｄＢであったのに対し、大気
中で熱処理したものは、複素透磁率３.４，複素誘電率
３４、反射減衰量１０ｄＢと若干改善されたが不十分で
あった。これに対し本発明品は複素透磁率４.３、複素
誘電率３１と、空間のインピーダンスとの整合性が高め
られており、反射減衰量も１５ｄＢと十分な値が得られ
た。
粉末をＡｒ中で熱処理したものが、複素透磁率２、複素
誘電率３７、反射減衰量８ｄＢであったのに対し、大気
中で熱処理したものは、複素透磁率３.４，複素誘電率
３４、反射減衰量１０ｄＢと若干改善されたが不十分で
あった。これに対し本発明品は複素透磁率４.３、複素
誘電率３１と、空間のインピーダンスとの整合性が高め
られており、反射減衰量も１５ｄＢと十分な値が得られ
た。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、表面にＳｉを主体とす
る酸化皮膜を有するナノ結晶磁性粉末を樹脂中に分散さ
せることで、電磁波ノイズの抑制を大きく改善できる新
しい構成の電磁波ノイズ抑制部材を提供することがで
き、近年の電子機器の誤動作の防止および精度向上にと
って極めて有効である。
る酸化皮膜を有するナノ結晶磁性粉末を樹脂中に分散さ
せることで、電磁波ノイズの抑制を大きく改善できる新
しい構成の電磁波ノイズ抑制部材を提供することがで
き、近年の電子機器の誤動作の防止および精度向上にと
って極めて有効である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０５Ｋ 9/00 Ｈ０１Ｆ 1/24
Claims (4)
- 【請求項１】 粉末表面に、粉末に内在するＳｉから形
成されたＳｉ酸化物を主体とする酸化被膜を形成されて
なることを特徴とするＦｅ基ナノ結晶磁性粉末。 - 【請求項２】 露点−５０〜３０℃の水素雰囲気中で加
熱して粉末表面にＳｉ酸化物を主体とする酸化被膜を形
成することを特徴とするＦｅ基ナノ結晶磁性粉末の製造
方法。 - 【請求項３】 請求項１に記載のＦｅ基ナノ結晶磁性粉
末を樹脂中に分散したことを特徴とする電磁波ノイズ抑
制部材。 - 【請求項４】 平均粒径が５００μｍ以下の請求項１に
記載のＦｅ基ナノ結晶磁性粉末が樹脂の重量の１５倍以
下含有されていることを特徴とする電磁波ノイズ抑制部
材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10069709A JPH11269503A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10069709A JPH11269503A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11269503A true JPH11269503A (ja) | 1999-10-05 |
Family
ID=13410645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10069709A Pending JPH11269503A (ja) | 1998-03-19 | 1998-03-19 | Ｆｅ基ナノ結晶磁性粉末、およびその製造方法ならびに、これを用いた電波ノイズ抑制部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11269503A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001358493A (ja) * | 2000-04-10 | 2001-12-26 | Hitachi Ltd | 電磁波吸収材とその製造法及びそれを用いた各種用途 |
| WO2002043460A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Sony Corporation | Absorbeur d'ondes radioelectriques |
| WO2002043459A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Sony Corporation | Absorbeur d'ondes radioelectriques |
| JP2002368480A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Nitto Denko Corp | 電磁波抑制体シート |
| KR100565845B1 (ko) * | 2003-06-12 | 2006-03-30 | 재단법인 포항산업과학연구원 | 전자파 흡수재 |
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
| US7892316B2 (en) | 2004-02-18 | 2011-02-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Fine composite metal particles and their production method, micro-bodies, and magnetic beads |
| JP2011171612A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Alps Electric Co Ltd | Ｆｅ基軟磁性合金粉末及びその製造方法、ならびに、前記Ｆｅ基軟磁性合金粉末を用いたＶＨＦ帯域用磁性シート及び成形体、ＶＨＦ帯域用磁心 |
| JP2016025352A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 軟磁性金属粉末及びその製造方法 |
| JP2021163913A (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 圧粉磁心の製造方法および圧粉磁心 |
-
1998
- 1998-03-19 JP JP10069709A patent/JPH11269503A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7218266B2 (en) | 2000-04-10 | 2007-05-15 | Hitachi, Ltd. | Electromagnetic wave absorber, method of manufacturing the same and appliance using the same |
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| WO2002043459A1 (fr) * | 2000-11-21 | 2002-05-30 | Sony Corporation | Absorbeur d'ondes radioelectriques |
| US6670546B2 (en) | 2000-11-21 | 2003-12-30 | Sony Corporation | Radio wave absorber |
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| US8323374B2 (en) | 2004-02-18 | 2012-12-04 | Hitachi Metals, Ltd. | Fine composite metal particles and their production method, micro-bodies, and magnetic beads |
| US8398741B2 (en) | 2004-02-18 | 2013-03-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Fine composite metal particles and their production method, micro-bodies, and magnetic beads |
| JP2011171612A (ja) * | 2010-02-22 | 2011-09-01 | Alps Electric Co Ltd | Ｆｅ基軟磁性合金粉末及びその製造方法、ならびに、前記Ｆｅ基軟磁性合金粉末を用いたＶＨＦ帯域用磁性シート及び成形体、ＶＨＦ帯域用磁心 |
| JP2016025352A (ja) * | 2014-07-18 | 2016-02-08 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 軟磁性金属粉末及びその製造方法 |
| JP2021163913A (ja) * | 2020-04-02 | 2021-10-11 | セイコーエプソン株式会社 | 圧粉磁心の製造方法および圧粉磁心 |
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