JP2002289414A - 複合磁性体、シート状物品の製造方法、複合磁性体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＥＭＣ規格を満たす上で問題となる１００〜
４００ＭＨｚのノイズ減衰効果の優れた、厚さの薄い
（例えば０．４ｍｍ以下の）複合磁性体及びその製造方
法等を提供する。 【解決手段】 軟磁性金属相２と、軟磁性金属相２の間
に介在する絶縁相３とで複合磁性体１を構成する。ここ
で、軟磁性金属相２は、表面に絶縁膜が形成された扁平
状軟磁性金属粉を圧接接合して構成される。また、絶縁
膜が絶縁相３を構成するようにした。複合磁性体１によ
れば、複合磁性体１に対する軟磁性金属相２の占積率を
５０％以上とすることができる。また、複合磁性体１
を、厚さが５μｍ〜０．４ｍｍのシート状とすることが
できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、高周波領域の電磁
ノイズ対策部品に用いる複合磁性体およびその製造方法
等に関する。

【０００２】

【従来の技術】パソコン、ゲーム機器あるいは携帯情報
端末に代表されるデジタル電子機器をはじめとする電子
装置は、回路の高周波化、高性能化に伴い高密度化が進
行しており、受動素子が半導体素子などノイズを放射す
る能動素子の影響を受けやすくなっている。従来、この
対策として、フェライトコアや準マイクロ波帯に対応す
る電波吸収体が利用されているが、電子機器の小型化に
伴い、ノイズ対策部品の小型化、薄型化、高性能化が要
求されている。

【０００３】一方、ＥＭＣ規格を満たすために、１００
〜４００ＭＨｚ近傍でのノイズ規格を満たすことが重要
課題となっており、この帯域に対応した電波吸収体や小
型ＥＭＩ対策部品の需要が拡大している。特開平２００
０−４０９７号公報には、扁平磁性粉を焼鈍処理して残
留応力を低減させた後に面内方向に配向させ、有機結合
剤のガラス転移温度Ｔｇ以上の温度においてシート面に
垂直の方向に加圧することにより、共鳴周波数の低周波
化をはかり１００ＭＨｚ以下の周波数で高い透磁率を達
成し得る複合磁性シートの製造方法が開示されている。
しかしながら、このような有機結合剤と扁平磁性粉の複
合磁性体シートの透磁率は、１００ＭＨｚで高々２０程
度であり、高透磁率を得るのは困難である。

【０００４】特開平１１−７４１４０号公報には、扁平
状の軟磁性粉を用い、押し出し成型により板状に成型す
ることを特徴とする圧粉磁心の製造方法が開示されてい
る。この方法では、扁平状軟磁性粉が押し出し方向に配
向するために透磁率を高くできる利点があるが、厚さが
０．４ｍｍよりも薄いシートを製造しようとすると、狭
ノズルから押し出すと同時にテンションを加えて引き取
って薄くする必要があり、高透磁率化が困難になる。即
ち、狭ノズルからの押し出しの際に引き取れるだけの柔
軟性を付与するために樹脂量を多くして、押し出し温度
での粘性を下げる必要があり、このため磁性粉の充填量
が減少して高透磁率が得られない。

【０００５】押し出しによらず、印刷積層法やドクター
ブレード法により薄くする方法も開示されている。特開
平１１−１７６６８０号公報に開示されているのは、ア
スペクト比が５〜４０である扁平状の軟磁性金属粉とバ
インダーとを用いて印刷積層法によって５００μｍ以下
のシートを作製し、このシートを１０ｍｍ以下に重ねて
さらに加圧成型し打ち抜いて磁心とする方法である。し
かし、この方法を用いても溶剤以外に多量の有機バイン
ダーを使用するため、軟磁性金属粉の占積率を十分高く
することが困難である。また、特開２０００−２４３６
１５号公報は、扁平状軟磁性粉と結合剤、溶媒からなる
スラリー状の混和物から成膜を行う複合磁性体の製造方
法が開示されており、該方法において、応力歪みを除去
した扁平状軟磁性粉に再び応力歪みを加えないよう複合
磁性体を製造することを特徴としているが、このように
扁平粉自体に変形応力を加えない方法では、材料の占積
率を大きくすることは困難であるうえ、樹脂の硬化収縮
による応力発生は原理的に避けることができないなどの
欠点を有している為、１００ＭＨｚ付近の高周波で高い
透磁率を得ることが期待できない。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】従来の技術は、いずれ
も扁平状軟磁性金属粉の残留応力を小さくした後、成型
工程において、該扁平状軟磁性金属粉に過大な応力が加
わらないよう配慮することに重点がおかれた技術、思想
に基づくものであり、このような技術思想では実質的に
金属粉の占積率を大きくできないうえ、成型体の残留応
力が小さくならないという二重の欠点を有しており、高
周波における複素透磁率の向上に限界があった。本発明
は、この問題点を解決し、高周波、とくにＥＭＣ規格を
満たす上で問題となる１００〜４００ＭＨｚのノイズ減
衰効果の優れた、厚さの薄い（例えば０．４ｍｍ以下
の）複合磁性体及びその製造方法等を提供することを目
的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】かかる目的のもと、本発
明は、軟磁性金属相と、軟磁性金属相の間に介在する絶
縁相とからなる複合磁性体であって、複合磁性体は、表
面に絶縁膜が形成された扁平状軟磁性金属粉が圧接接合
され、絶縁膜が絶縁相を構成し、かつ扁平状軟磁性金属
粉が軟磁性金属相を構成することを特徴とする複合磁性
体を提供する。本発明に係る複合磁性体によれば、複合
磁性体に対する軟磁性金属相の占積率を５０％以上とす
ることができる。本発明において、扁平状軟磁性金属粉
の圧接接合された後の厚さが０．１〜１μｍであること
が望ましい。また、本発明によれば、複合磁性体を、厚
さが５μｍ〜０．４ｍｍのシート状とすることができ
る。本発明における複合磁性体において、絶縁膜は、酸
化物または窒化物を含むことが望ましい。そして、この
酸化物または窒化物は、ペルヒドロポリシラザンが転化
して形成されていることが望ましい。また、本発明にお
ける複合磁性体は、少なくともその表面に樹脂から構成
される補強層が形成されているものとすることができ
る。

【０００８】さらに本発明は、層状の軟磁性金属相と、
軟磁性金属相の間に介在する絶縁相とからなるシート状
の複合磁性体であって、その厚さが５μｍ〜０．４ｍ
ｍ、軟磁性金属相の厚さが０．１〜１μｍ、複合磁性体
に占める軟磁性金属相の占積率が５０％以上であること
を特徴とする複合磁性体を提供する。本発明に係る複合
磁性体によれば、１００ＭＨｚにおける複素透磁率の実
数部分を３０以上とすることができる。また、本発明
は、表面に酸化物または窒化物からなる絶縁膜が形成さ
れた扁平状軟磁性金属粉が層状に積層された磁性体本体
と、扁平状軟磁性金属粉同士を結合する補強組成物とを
備えたことを特徴とする複合磁性体を提供する。ここ
で、補強組成物は、磁性体本体の外表面に膜状に形成さ
れた樹脂膜とすることができる。また、補強組成物は、
磁性体本体の内部において扁平状軟磁性金属粉同士を結
合する樹脂組成物であってもよい。さらに本発明は、厚
さ０．１〜１μｍの扁平状軟磁性金属粉が塑性変形して
密にからみ合い、塑性変形した個々の扁平状軟磁性金属
粉間に絶縁材を有することを特徴とする複合磁性体をも
提供する。この複合磁性体において、絶縁材に酸化物又
は窒化物を含み、扁平状軟磁性金属粉の占積率を５０％
以上とすることができる。

【０００９】また本発明は、シート状物品を製造する方
法であって、扁平状軟磁性金属粉の表面に絶縁膜を形成
する絶縁膜形成工程と、表面に前記絶縁膜が形成された
扁平状軟磁性金属粉を堆積した状態で加圧力を付与する
ことによって前記扁平状軟磁性金属粉同士を接合する接
合工程とを備えることを特徴とするシート状物品の製造
方法を提供する。この接合工程において、扁平状軟磁性
金属粉が塑性変形されることが望ましい。また、本発明
に係るシート状物品の製造方法において、４０〜１２０
μｍの範囲に分級された、表面に絶縁膜が形成された扁
平状軟磁性金属粉を接合工程に供することができる。こ
の範囲に分級された軟磁性金属粉を用いることにより、
磁気特性に優れたシート状物品を得ることができる。本
発明において、接合工程により得られたシート状生成物
表面に樹脂層を形成する樹脂コート工程をさらに備える
ことが望ましい。

【００１０】さらに本発明は、扁平状軟磁性金属粉と絶
縁材料を混合絶縁処理する絶縁処理工程と、混合により
絶縁を施した扁平状軟磁性金属粉を基板上に堆積させた
後に圧延し配向させてシート状にする圧延配向工程と、
圧延配向工程にて得られたシート状生成物を熱処理して
扁平状軟磁性金属粉の残留歪を緩和する熱処理工程とを
備えることを特徴とする複合磁性体の製造方法を提供す
る。絶縁材料として無機系ポリマーのペルヒドロポリシ
ラザンを用いることが有効である。また、カップリング
剤を絶縁材料として用いることもできる。さらに、シリ
カゾル、チタニアゾル、マグネシアゾル、アルミナゾ
ル、粉ガラス、ボロンナイトライド等の無機絶縁体に含
まれる１種または２種以上を絶縁材料としてもよい。本
発明に係る複合磁性体の製造方法において、絶縁処理工
程の前に、扁平状軟磁性金属粉に歪み取り熱処理を施す
ことが有効である。また、シート状物品の熱処理工程で
の熱処理温度を４００〜８００℃とし、かつ熱処理雰囲
気を不活性ガス、窒素又は水素とすることが望ましい。
本発明に係る複合磁性体の製造方法によれば、シート状
生成物の厚さを５μｍ〜０．４ｍｍとすることができ
る。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、表面に絶縁膜が形成さ
れた扁平状軟磁性金属粉が圧接接合され、絶縁膜が絶縁
相を構成し、かつ扁平状軟磁性金属粉が軟磁性金属相を
構成することを特徴としている複合磁性体を提供する。
図１に、扁平状軟磁性金属粉（軟磁性金属相）２の表面
に絶縁膜（絶縁相）３が形成された複合磁性体（シート
状物品）１を模式的に示す。はじめに、軟磁性金属相２
を構成する扁平状軟磁性金属粉について説明する。扁平
状軟磁性金属粉は、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ス
ーパーパーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ合金）、センダス
ト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−
Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｃｒ −Ｓｉ合金等
であり、そのアスペクト比は１０〜２００、より望まし
くは１０〜１５０であることが好ましい。扁平状軟磁性
金属粉の厚さ（圧延前の厚さ）は０．１〜１μｍとする
ことが望ましい。扁平状軟磁性金属粉の厚さを０．１μ
ｍ未満とすることは製造上困難であり、取り扱いも難し
くなる。また、扁平状軟磁性金属粉の厚さが１μｍを超
えると、高周波での磁気特性の低下を招くことになるの
で好ましくない。また、扁平状軟磁性金属粉を圧接接合
しても、厚さはほとんど変化しない。よって、扁平状軟
磁性金属粉が圧接接合された後の厚さも０．１〜１μｍ
の範囲となる。

【００１２】次に、絶縁相３を構成する絶縁膜について
説明する。図１に示したように、扁平状軟磁性金属粉の
全表面に均一に絶縁膜が形成されていることが理想的で
はあるが、扁平状軟磁性金属粉の表面に絶縁膜が形成さ
れていない部分があっても圧接接合後に絶縁相３として
機能しうる程度の絶縁膜が形成されていればよい。扁平
状軟磁性金属粉と絶縁材料を混合し、所定の処理を加え
ることにより、扁平状軟磁性金属粉の表面に絶縁膜が形
成される。絶縁材料としては、無機ポリマー系のペルヒ
ドロポリシラザンが好ましく、シラン系やチタネート系
カップリング剤、無機絶縁体であるシリカゾル、チタニ
アゾル、マグネシアゾル、アルミナゾル、粉末ガラス、
ボロンナイトライド等を絶縁材料として用いることもで
き、これらをペルヒドロポリシラザンと組み合わせて用
いてもよい。

【００１３】図２は、本実施の形態に係る複合磁性体１
の製造工程を示す図である。まず、粉砕工程において、
平均粒径数１０μｍの軟磁性金属のアトマイズ粉をトル
エン等の有機溶媒中、例えば撹拌ミルを用いて粉砕し、
厚さ０．１〜１μｍ、アスペクト比１０〜２００の扁平
状軟磁性金属粉を得る。粉砕工程後、熱処理工程に移
る。この熱処理工程では、扁平状軟磁性金属粉を不活性
ガス、窒素あるいは水素中で例えば６００℃で６０分の
熱処理を行う。これにより、軟磁性金属粉を扁平化する
ための粉砕工程による歪みが除去されるとともに、粉砕
中に軟磁性金属粉中に混入した酸素及び炭素が除去され
る。この熱処理工程は必須のものではないが、扁平状軟
磁性金属粉は歪みが小さい方が好ましいため、後述する
絶縁処理工程に先立って扁平状軟磁性金属粉に熱処理を
施し、扁平状軟磁性金属粉の歪みを除去しておくことが
望ましい。

【００１４】次いで、絶縁処理工程（絶縁膜形成工程）
に移る。この工程では、扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料
（液状又は微細粉）とを混合し、所定の方法で絶縁膜を
合成して絶縁処理粉、つまり扁平状軟磁性金属粉表面に
絶縁膜が形成された粉末を作製する。この絶縁処理工程
は、絶縁材料の種類に応じて処理の方法が異なる。以
下、絶縁材料がペルヒドロポリシラザンの場合、カ
ップリング剤（シラン系、チタネート系等）の場合、
その他の酸化物ゾル、ＢＮ（ボロンナイトライド）の場
合についてそれぞれの処理の方法を述べる。

【００１５】絶縁材料がペルヒドロポリシラザンの場
合には、混合装置を用いて扁平状軟磁性金属粉とペルヒ
ドロポリシラザンを混合する。混合後、例えば大気中又
は窒素中３００℃、６０分保持で熱処理を行う。ペルヒ
ドロポリシラザンは、大気中で熱処理するとＳｉＯ
₂へ、窒素中で熱処理するとＳｉ₃Ｎ₄へ転化する。 絶縁材料がカップリング剤（シラン系、チタネート系
等）の場合には、湿式処理法を用いて金属粉表面を被覆
する。湿式処理は、溶剤で５０〜１００倍に希釈したカ
ップリング剤の中で扁平状軟磁性金属粉を撹拌混合しな
がら、溶剤を飛ばして表面処理を行う方法である。 絶縁材料がその他の酸化物ゾル、ＢＮの場合には、混
合装置を用いて扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料を直接混
合（乾式混合）する。

【００１６】続いて、圧延配向工程（接合工程）に移
る。圧延配向工程では、絶縁膜が形成された扁平状軟磁
性金属粉（絶縁処理粉）同士が圧接接合される。具体的
には、絶縁処理粉を篩でふるいながらほぼ均等に基板上
に堆積させ、圧延ロールを通過させて圧延し、基板に平
行な向きに絶縁処理粉を配向させる（圧延配向工程）。
この工程により、厚さ５μｍ〜０．４ｍｍの磁性シート
を得ることができる。この磁性シートに対し、必要に応
じて打ち抜き加工を施してもよい（打ち抜き加工工
程）。圧延配向工程では、基板表面から３ｍｍ以上上方
に位置する篩等の保持容器から絶縁処理粉を自由落下さ
せ、絶縁処理粉を面内配向させた上で圧延を行うことに
より、圧延後の配向度を改善することができる。また、
篩のメッシュサイズを適宜選択して絶縁処理粉の粒度を
変更することによって、最終的に得られる複合磁性体の
磁気特性を任意の範囲に設定することが可能である。篩
のメッシュサイズの好ましい範囲は、２０〜１２０μｍ
である。より望ましい範囲は４０〜１２０μｍ、さらに
望ましい範囲は５３〜１０６μｍである。

【００１７】磁性シートの厚さを５μｍ〜０．４ｍｍと
するのは以下の理由に基づく。すなわち、シートの厚さ
が５μｍよりも薄い場合は、焼結により高周波で充分大
きな透磁率が得られるため、本発明による複合磁性体の
必要性が小さい。一方、シートの厚さが０．４ｍｍを超
えると、筺体内部に配置されているケーブルのシール
ド、携帯情報端末内部あるいは液晶のバックライトを配
置するような狭い空間近傍に複合磁性体を使用すること
が困難となる。よって、シートの厚さは５μｍ〜０．４
ｍｍとする。より望ましいシートの厚さは、１０μｍ〜
０．２ｍｍである。シートの厚さをこの範囲とすること
により、成形が容易となり、かつ高周波で高い透磁率を
得ることができる。

【００１８】なお、圧延を例にして圧延配向工程（接合
工程）を説明したが、この工程は圧延に限られるもので
はない。扁平状軟磁性金属粉が塑性変形する程度の加圧
力を付与するものであれば、プレス加工等、他の加圧成
形の方法を用いてもよいが、加圧の点で圧延が最も望ま
しい。

【００１９】次いで、打ち抜き加工された磁性シートに
熱処理を施し、扁平状軟磁性金属粉の塑性変形後の残留
歪を緩和する（熱処理工程）。扁平状軟磁性金属粉の著
しい酸化を避けるため、熱処理雰囲気をＡｒ等不活性ガ
ス雰囲気中、窒素または水素雰囲気中とすることが好ま
しい。また、熱処理温度は４００〜８００℃の範囲とす
る。熱処理温度が４００℃未満では残留歪の緩和効果が
少なく、一方、熱処理温度が８００℃を超えると扁平状
軟磁性金属粉表面に形成された絶縁膜の絶縁機能が損な
われる。なお、熱処理時間は１時間程度とすればよい。

【００２０】以上の工程を経ることにより、本実施の形
態に係る、厚さ５μｍ〜０．４ｍｍのシート状の複合磁
性体（シート状物品）１が得られる。

【００２１】さて、図２に示した製造工程において、熱
処理工程後に樹脂コート工程をさらに備えることができ
る。樹脂コート工程は複合磁性体１の強度を高めるため
に行われるものであり、複合磁性体１表面（あるいは内
部）に樹脂層を形成する工程である。樹脂コート工程に
おいて用いる樹脂としては、ブチラール系、アクリル
系、エチルセルロース系、ポリプロピレン系、スチレン
−ブタジエン系、ポリブチレン系等の熱可塑性樹脂が好
ましい。複合磁性体１表面に樹脂層を形成するにあたっ
ては、複合磁性体１を樹脂に含浸したり、複合磁性体１
にスプレーで樹脂を噴霧する等の方法を適宜採用するこ
とができる。複合磁性体１を熱可塑性樹脂に含浸する場
合には、熱可塑性樹脂をトルエン，エタノール，アセト
ン等の溶液で希釈して樹脂溶液を調整し、この樹脂溶液
中に複合磁性体１を３〜２０分程度含浸させればよい。

【００２２】なお、樹脂が複合磁性体１内部に含浸され
て、結果的に複合磁性体１表面に樹脂層が形成されない
場合もあるが、この場合においても複合磁性体１内部に
おいて樹脂が扁平状軟磁性金属粉同士を結合させるよう
機能するため、複合磁性体１の強度を高めることができ
る。また、樹脂以外のものを用いて複合磁性体１の強度
を高めてもよい。

【００２３】本実施の形態に係る複合磁性体１の磁気特
性は測定工程で行う。測定結果は実施例のところで述べ
る。

【００２４】次に、図３を用いて本実施の形態に係る複
合磁性体１の扁平状軟磁性金属粉の占積率について説明
する。図３（Ａ）、（Ｂ）は本実施の形態に係る複合磁
性体１の拡大断面図、図３（Ｃ）、（Ｄ）は従来の複合
磁性体の拡大断面図である。図３（Ｃ）に示す従来の複
合磁性体は、扁平状軟磁性金属粉と樹脂（塩素化ポリエ
チレン）とから構成されている。また、図３（Ｄ）に示
す従来の複合磁性体は、扁平状軟磁性金属粉とウレタン
樹脂、ＢＮ粉の混合粉をプレス成型したものである。図
３（Ｃ）、（Ｄ）に示した従来の複合磁性体において、
扁平状軟磁性金属粉の占積率を調べたところ、その占積
率（体積％）は高々４０％であった。

【００２５】一方、図３（Ａ）、（Ｂ）に示した本実施
の形態に係る複合磁性体１において、扁平状軟磁性金属
粉の占積率を調べたところ、図３（Ａ）では占積率８７
％、図３（Ｂ）では占積率７８％であった。この結果か
ら、本実施の形態に係る複合磁性体１によれば、扁平状
軟磁性金属粉の占積率を５０％以上とすることが可能で
あり、さらには扁平状軟磁性金属粉の占積率を５０〜９
５％程度とすることも可能であると推測される。扁平状
軟磁性金属粉の占積率の望ましい範囲は６０〜９０％、
さらに望ましい範囲は７０〜８５％である。扁平状軟磁
性金属粉の占積率が５０％未満になると、磁気特性が低
下してしまう。一方、扁平状軟磁性金属粉の占積率が９
５％を超えると、成形性が低下してしまう。本実施の形
態に係る複合磁性体１は、軟磁性金属相２、すなわち、
扁平状軟磁性金属粉の占積率が５０％以上であるため、
磁気特性が良好である。なお、本実施の形態において、
扁平状軟磁性金属粉の占積率は、扁平状軟磁性金属粉表
面のシリコンオキサイドも考慮して算出した値である。

【００２６】本実施の形態の複合磁性体１の断面を観察
すると、厚さ０．１〜１μｍの扁平状軟磁性金属粉が塑
性変形していること、扁平状軟磁性金属粉が層状に積層
されていることが確認された。また、個々の扁平状軟磁
性金属粉は、酸化物あるいは窒化物で絶縁された構造に
なっていた。つまり、本実施の形態の複合磁性体１は、
層状の軟磁性金属相２の間に絶縁相３が介在している構
造となっていることが確認された。そして、本実施の形
態の複合磁性体１は、小さな反磁界と小さな渦電流を同
時に達成し得る構造となっており、本実施の形態の複合
磁性体１によれば、１００ＭＨｚにおいて従来の複合磁
性体よりも著しく大きな複素透磁率を実現することが可
能である。

【００２７】

【実施例】以下、本発明の複合磁性体１及びその製造方
法を実施例で詳述する。

【００２８】（実施例１）図２の工程図に説明したよう
に、軟磁性金属粉として水アトマイズによる平均粒径約
２０μｍの４Ｍｏパーマロイ粉（８０Ｎｉ−４Ｍｏ−１
Ｓｉ−ｂａｌ．Ｆｅ（ｍｏｌ％））を、溶媒にトルエン
を用いた媒体撹拌ミル中で粉砕扁平化し、平均粒径約４
０μｍ、厚さ０．２〜０．６μｍ、アスペクト比３０〜
１２０の扁平状軟磁性金属粉（以下、適宜、「扁平状
粉」という。）とした。粉の平均粒子径は、光散乱を利
用した粒度分布計（日機装（株）製マイクロトラック粒
度分布計）により測定した。次に前記金属粉を扁平化す
るための粉砕による歪みを取るため、及び粉砕中に粉に
混入した酸素、炭素を除くために水素中、６００℃で６
０分の熱処理を行った。絶縁材料としてはペルヒドロポ
リシラザン（東燃ポリシラザンＬ１１０、２０重量％
（ｗｔ％）キシレン溶液）を用いた。ペルヒドロポリシ
ラザン２０重量％キシレン溶液の扁平状Ｍｏパーマロイ
粉に対する添加量を、２，３，４，５重量％と変化させ
た。そして、扁平状Ｍｏパーマロイ粉とペルヒドロポリ
シラザンを混合機（ライカイ器、卓上ニーダー等）を用
い、室温で３０分混合した。その後、大気中、３００℃
で６０分間保持し、ペルヒドロポリシラザンをＳｉＯ_２
に転化し、扁平状Ｍｏパーマロイ粉の表面に絶縁膜を形
成した。

【００２９】次に、絶縁処理された前記扁平状粉をステ
ンレス基板の上方１０ｍｍの位置にある篩（目開き；１
２５μｍ以下）でふるいながらほぼ均等にステンレス基
板上に堆積させた。このステンレス基板をロール径５０
ｍｍの２段冷間圧延ロールを通過させて圧延し、各扁平
状粉を前記基板に平行な向きに配向させ、厚さ約２０μ
ｍのシート状にした。このシート状生成物をトロイダル
形状に打ち抜き、窒素雰囲気中６００℃で６０分熱処理
して塑性変形後の扁平状粉の残留歪を緩和した後、ワン
ターン法で複素透磁率（実数部：μ’、虚数部：
μ’’）の周波数依存性を測定した。代表例として、３
重量％ペルヒドロポリシラザン添加の試料Ｎｏ．２のμ
−周波数曲線を、絶縁処理無しの比較例１のμ−周波数
曲線と共に図４に示す。また、２，３，４，５重量％添
加の試料について、１００ＭＨｚにおける複素透磁率
（実数部：μ’、虚数部：μ’’）の値を表１に示す。
さらに、ペルヒドロポリシラザンの絶縁処理の際、大気
中の他に窒素中でも行っており、その結果も表１に示
す。

【００３０】

【表１】

【００３１】表１および図４に示すように、ペルヒドロ
ポリシラザンで絶縁処理した複合磁性体の試料Ｎｏ．１
〜５は、１００ＭＨｚにおいて５０以上のμ’、４０以
上のμ’’を示している。一方、絶縁処理を施していな
い比較例１は、１００ＭＨｚにおいてμ’が９、μ’’
が１２と、ともに不十分な値を示している。また、ペル
ヒドロポリシラザンの絶縁処理を窒素中で行った試料Ｎ
ｏ．５とペルヒドロポリシラザンの絶縁処理を大気中で
行った試料Ｎｏ．３の複素透磁率を比較すると、試料Ｎ
ｏ．３の方が良好な値を示すことが確認された。

【００３２】次いで、試料Ｎｏ．３の複素透磁率（実数
部：μ’、虚数部：μ’’）の周波数依存性を、同様の
形状に打ち抜いた従来の樹脂複合シートと比較した結果
を図５に示す。なお、試料Ｎｏ．３は、実施例１で最も
特性の良かった試料（ペルヒドロポリシラザンキシレン
溶液が扁平状軟磁性金属粉に対して４重量％の試料）で
ある。図５に示す樹脂複合シート（１）は扁平状軟磁性
金属粉を４０体積％含有し、樹脂複合シート（２）は扁
平状軟磁性金属粉を３０体積％含有するものである。図
５を見ると、試料Ｎｏ．３は、従来の樹脂複合シートに
比べ著しく大きな複素透磁率を示すことが確認できる。
また、試料Ｎｏ．３を樹脂に含浸して断面観察を行った
結果、図３（Ｂ）に示したように、圧延処理により塑性
変形した扁平状軟磁性金属粉同士が層状に積層されてい
る構造（ちなみに占積率７８％）が観察された。

【００３３】（実施例２）軟磁性金属粉として水アトマ
イズによる平均粒径約３０μｍの２Ｍｏパーマロイ粉
（８０Ｎｉ−２Ｍｏ−ｂａｌ．Ｆｅ（ｍｏｌ％））を用
い、上記実施例１と同様な方法で平均粒子径約５０μ
ｍ、厚さ０．１〜０．８μｍ、アスペクト比１０〜１５
０の扁平状粉とした。更に同様な手順で絶縁処理を行
い、冷間圧延ロールを通過させ、圧延、配向処理を行
い、厚さ約２０μｍのシート状生成物を作製した。但
し、添加したペルヒドロポリシラザン２０重量％キシレ
ン溶液は扁平状粉に対して４重量％，５重量％の試料を
作製した。ペルヒドロポリシラザン溶液４重量％添加試
料に関してはシート状生成物をトロイダル形状に打ち抜
き、窒素中、３００℃、６００℃、９００℃で６０分熱
処理後、複素透磁率 （実数部：μ’、虚数部：
μ’’）を評価した。結果を表２および図６に示す。

【００３４】

【表２】

【００３５】表２および図６に示すように、６００℃で
熱処理した試料（試料Ｎｏ．６）は良好な特性を示す
が、９００℃で熱処理した場合（比較例３）は、絶縁機
能を失うため周波数特性が著しく劣化する。また、３０
０℃で熱処理した場合（比較例２）は温度が低すぎて、
シート状に圧延、配向処理したことに伴う扁平状粉の残
留歪の緩和が不十分であると認められる。したがって、
熱処理には適した範囲があるといえる。より詳細に検討
した結果、絶縁材料の濃度、材質により若干範囲は異な
るが、４００〜８００℃、特に好ましくは４５０〜７０
０℃の熱処理温度範囲が効果的であることが確認され
た。５重量％ペルヒドロポリシラザン溶液添加の試料に
関しても同様にトロイダル形状に打ち抜きし、熱処理を
行った。熱処理温度６００℃の値のみ、試料Ｎｏ．７と
して表２に併せて示す。

【００３６】表２を見ると、試料Ｎｏ．６（熱処理温
度：６００℃）はμ’が７０、μ’’が６８と、ともに
良好な値を示す。一方、絶縁材料の添加量が試料Ｎｏ．
６と同じである比較例２（熱処理温度：３００℃）は
μ’が７、μ’’が９と、比較例３（熱処理温度：９０
０℃）はμ’が７、μ’’が１２と、試料Ｎｏ．６の１
／５程度の複素透磁率を示した。また、熱処理温度が６
００℃である試料Ｎｏ．７についても、上述の試料Ｎ
ｏ．６と同様に、良好な複素透磁率を示した。以上の結
果から、熱処理温度を４００〜８００℃とすることによ
り、複合磁性体１の磁気特性を向上させることができる
といえる。

【００３７】（実施例３）実施例１と同様な方法で作製
した平均粒径約４０μｍの扁平状４Ｍｏパーマロイ粉を
用い、この扁平状４Ｍｏパーマロイ粉と絶縁材料として
のＢＮ、シリカゾルとを混合して絶縁処理後、上記実施
例１と同様の方法で冷間圧延ロールを通過させ、圧延、
配向処理して厚さ約３０μｍのシート状とした。このシ
ート状生成物をトロイダル形状に打ち抜き、これを窒素
中６５０℃で６０分熱処理後、複素透磁率（実数部：
μ’、虚数部：μ’’）を評価した。配合比及び得られ
た結果を表３に示す。

【００３８】

【表３】

【００３９】試料Ｎｏ．８と、実施例１で作製した比較
例１の磁気特性を比較すると、試料Ｎｏ．８の方が約３
倍高い複素透磁率を示す。ところが、試料Ｎｏ．８と、
実施例１で作製した試料Ｎｏ．１〜４の磁気特性を比較
すると、試料Ｎｏ．１〜４の方が良好な複素透磁率を示
していることがわかる。以上の結果から、絶縁材料とし
てペルヒドロポリシラザンが好適であることがわかっ
た。

【００４０】（実施例４）実施例１と同様な扁平状４Ｍ
ｏパーマロイ粉を用い、絶縁材料をシランカップリング
剤、チタネートカップリング剤に変化させて上記実施例
１と同様の方法で冷間圧延し、約２５μｍのシート状生
成物を得、トロイダル形状に打ち抜いた。その後、熱処
理を行い、試料の１００ＭＨｚにおける複素透磁率を測
定した。結果を、配合比、熱処理条件と共に表４に示
す。カップリング剤による絶縁処理は公知の湿式法で行
った。

【００４１】

【表４】

【００４２】表４を見ると、試料Ｎｏ．９、１０は、
μ’が３０以上、μ’’が４０以上と、ともに良好な値
を示している。よって、シラン系のカップリング剤、チ
タネート系のカップリング剤についても絶縁材料として
好適に用いることができることがわかった。

【００４３】（実施例５）さらに、実施例１と同様な扁
平状４Ｍｏパーマロイ粉を用い、絶縁処理をペルヒドロ
ポリシラザンで行いさらにシリカゾルと混合し、実施例
１と同様の方法で冷間圧延し約２５μｍのシート状にし
た。このシート状生成物を打ち抜き、その後、熱処理し
た試料の１００ＭＨｚにおける複素透磁率を測定した。
結果を配合比、熱処理条件と共に表５に示す。また、図
５に示した樹脂複合シート（１）、樹脂複合シート
（２）の１００ＭＨｚにおける複素透磁率の値について
も表５に併せて示す。

【００４４】

【表５】

【００４５】表５を見ると、従来の樹脂複合シートの比
較例４、５に比べて試料Ｎｏ．１１は著しく優れた複素
透磁率（実数部：μ’、虚数部：μ’’）を示すことが
わかる。よって、絶縁処理をペルヒドロポリシラザンで
行いさらにシリカゾルと混合する方法も有効であること
が確認された。

【００４６】（実施例６）軟磁性金属粉として水アトマ
イズによる平均粒径約３０μｍの２Ｍｏパーマロイ粉を
用い、上記実施例１と同様な方法で平均粒子径約１３０
μｍ、厚さ０．１〜０．８μｍ、アスペクト比１０〜１
５０の扁平状粉とした。更に、ペルヒドロポリシラザン
２０重量％キシレン溶液を扁平状粉に対して４重量％添
加して絶縁処理を行った。次いで、絶縁処理を施した扁
平状粉（絶縁処理粉）を種々のメッシュサイズを有する
篩を用いて以下のように９種類の分級粉を得た。これら
の分級粉を冷間圧延ロールを通過させ、圧延、配向処理
を行い、厚さ約２０μｍのシート状生成物を作製した。
このシート状生成物をトロイダル形状に打ち抜き、窒素
中、５００℃で６０分熱処理後、複素透磁率 （実数
部：μ’、虚数部：μ’’）を測定した。その結果を図
７に示す。 分級粉（μｍ）：２０〜３２、３２〜３８、３８〜４
５、４５〜５３、５３〜６３、６３〜７５、７５〜９
０、９０〜１０６、１０６アンダー（ｕｎｄｅｒ）

【００４７】図７に示すように、扁平状粉の分級サイ
ズ、つまり粒度によって磁気特性が変化する。例えば、
２０〜４５μｍの分級粉を用いた場合には、１００ＭＨ
ｚにおけるμ’を３０〜６０程度とすることができる。
また、４５〜１０６μｍの分級粉を用いた場合には、１
００ＭＨｚにおけるμ’を６０以上とすることができ
る。特に、６３〜１０６μｍの分級粉を用いた場合に
は、１００ＭＨｚにおけるμ’が８０以上になることが
注目される。また、４５〜１０６μｍの分級粉を用いた
場合には、１００ＭＨｚにおけるμ’’についても６０
以上という良好な値を示すことが確認された。以上の結
果から、扁平状粉の粒度を４０〜１２０μｍ程度とする
ことにより、磁気特性の良好な複合磁性体１を得ること
ができることがわかった。

【００４８】（実施例７）軟磁性金属粉として水アトマ
イズによる平均粒径約３０μｍの２Ｍｏパーマロイ粉を
用い、上記実施例１と同様な方法で平均粒子径約１３０
μｍ、厚さ０．１〜０．８μｍ、アスペクト比１０〜１
５０の扁平状粉とした。更に、ペルヒドロポリシラザン
２０重量％キシレン溶液をこの扁平状粉に対して４重量
％添加して絶縁処理を行った。次いで、絶縁処理を施し
た扁平状粉をメッシュサイズ３８μｍ、６３μｍの篩で
分級した。これらの分級粉を冷間圧延ロールを通過さ
せ、圧延、配向処理を行い、厚さ約２０μｍのシート状
にした。そして、シート状生成物をトロイダル形状に打
ち抜き、窒素中、５００℃で６０分熱処理後、複素透磁
率 （実数部：μ’、虚数部：μ’’）を測定した。な
お、比較例として、軟磁性金属粉として水アトマイズに
よる平均粒径約５０μｍの２Ｍｏパーマロイ粉をそのま
ま用いた以外は上記との同様の工程により厚さ約２０μ
ｍのシート状生成物を得て、やはり同様に磁気特性を測
定した。その結果を図８に示す。なお、比較例によるシ
ート状生成物を観察すると、圧延後も水アトマイズによ
る不定形状の粉末の状態が維持されていることが確認さ
れた。

【００４９】図８に示すように、１〜１０ＭＨｚにおい
て、扁平状粉を用いた場合には、非扁平状粉を用いた場
合の４〜５倍のμ’を示す。１００ＭＨｚにおいては、
非扁平状粉を用いた場合のμ’が２０近傍の値を示して
いるのに対し、扁平状粉を用いた場合にはμ’が４０以
上の値を示した。また、扁平状粉を用いた場合には
μ’’の立ち上がりおよびピーク値が非扁平状粉を用い
た場合よりも高周波側にシフトすることが確認された。
以上の結果から、扁平状粉を用いることによって磁気特
性が大幅に改善された複合磁性体１を得ることができる
ことがわかった。

【００５０】（実施例８）軟磁性金属アトマイズ粉とし
て水アトマイズによる平均粒径約３０μｍの２Ｍｏパー
マロイ粉を用い、上記実施例１と同様な方法で平均粒子
径約１３０μｍ、厚さ０．１〜０．８μｍ、アスペクト
比１０〜１５０の扁平状粉とした。更に、ペルヒドロポ
リシラザン２０重量％キシレン溶液を扁平状粉に対して
４重量％添加して絶縁処理を行った。次に絶縁処理され
た前記扁平状粉をステンレス基板の上方１０ｍｍの位置
にある篩（目開き；１０６μｍ以下）でふるいながらほ
ぼ均等にステンレス基板上に堆積させてロール径５０ｍ
ｍの２段冷間圧延ロールを通過させて圧延し、各扁平状
粉を前記基板に平行な向きに配向させ、厚さ約２０μｍ
のシート状にした。このシート状生成物をトロイダル形
状に打ち抜き、窒素中、５００℃で６０分の熱処理を施
した。続いて、１０種類の熱可塑性樹脂（樹脂Ａ〜Ｊ）
をそれぞれトルエンで５重量％になるように調整し、１
０種類の樹脂溶液を作製した。この樹脂溶液を用いて、
シート状の複合磁性体に樹脂コート処理を行った（シー
ト状の複合磁性体を樹脂溶液中に１５分間浸漬した後、
室温で乾燥した）。その後行った強度試験の結果を図９
に示す。

【００５１】図９に示すように、樹脂コート処理した試
料Ｎｏ．１３〜２２は、応力、伸びともに樹脂コート処
理していない試料Ｎｏ．１２の値を上回っている。特
に、ブチラール系、アクリル系の樹脂含浸を行った試料
Ｎｏ．１５、１７〜１９、２１は、応力については試料
Ｎｏ．１２の２．５〜５倍の値を示し、伸びについては
試料Ｎｏ．１２の１．５〜４．５倍の値を示した。以上
の結果から、複合磁性体１に樹脂コート処理を施すこと
によって、複合磁性体１の強度を向上させることができ
ることがわかった。また、コートされた樹脂は、複合磁
性体１を構成する扁平状軟磁性金属粉同士を結合してい
ることが確認された。

【００５２】また、試料Ｎｏ．１２と、試料Ｎｏ．１３
〜２２の磁気特性を比較したところ、いずれも同等の磁
気特性を示したことから、複合磁性体１に樹脂コート処
理を施した場合においても磁気特性は変化しないといえ
る。さらに、試料Ｎｏ．１３〜２２の厚さを測定したと
ころ、一部の試料は試料Ｎｏ．１２の厚さと同じ厚さを
示した。つまり、複合磁性体１内部に空隙が存在するた
めに、樹脂がその空隙に含浸されたことを示唆してい
る。

【００５３】以上本発明の実施の形態及び実施例につい
て説明してきたが、本発明はこれに限定されることなく
請求項の記載の範囲内において各種の変形、変更が可能
なことは当業者には自明であろう。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高周波領域、とくにＥＭＣ規格を満たす上で問題となる
１００〜４００ＭＨｚの周波数領域で従来の磁性体と樹
脂の複合シートよりも高い複素透磁率を有し、シート状
に０．４ｍｍ以下の厚さとすることも同時に満たし得る
ため、ＥＭＩ対策部品を小型化することができる。本発
明の複合磁性体は、例えば、ケーブルのシールド、携帯
情報端末内部あるいは液晶のバックライトを配置するよ
うな狭い空間近傍に好適に使用可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】 扁平状軟磁性金属粉（軟磁性金属相）の表面
に絶縁膜（絶縁相）が形成された状態を示す模式図であ
る。

【図２】 本発明の実施の形態に係る製造工程図であ
る。

【図３】 本発明に係る複合磁性体の拡大断面を従来の
複合磁性体と対比して示し、（Ａ）は本発明（占積率８
７％）の複合磁性体の拡大断面図、（Ｂ）は本発明（占
積率７８％）の複合磁性体の拡大断面図、（Ｃ）は従来
の扁平状軟磁性金属粉と樹脂（塩素化ポリエチレン）か
らなる複合磁性体の拡大断面図、（Ｄ）は扁平状軟磁性
金属粉とウレタン樹脂、ＢＮ粉の混合粉をプレス成型し
た複合磁性体の拡大断面図である。

【図４】 本発明の実施例１に係る、ペルヒドロポリシ
ラザン溶液３重量％を用いた厚さ２０μｍの複合磁性体
試料の複素透磁率の周波数依存性を、扁平状軟磁性金属
粉の絶縁処理の無い場合と対比して示すグラフである。

【図５】 本発明の実施例１に係る、ペルヒドロポリシ
ラザン溶液４重量％を用いた厚さ２０μｍの複合磁性体
試料の複素透磁率の周波数依存性を、従来の樹脂複合シ
ートの場合と対比して示すグラフである。

【図６】 本発明の実施例２に係る、ペルヒドロポリシ
ラザン溶液４重量％を用いた厚さ２０μｍの複合磁性体
試料の複素透磁率の周波数依存性を、熱処理温度を変え
て示すグラフである。

【図７】 本発明の実施例６に係る、９種類の分級粉を
用いて作製した複合磁性体試料の複素透磁率の周波数依
存性を示すグラフである。

【図８】 本発明の実施例７に係る、扁平状粉を用いた
複合磁性体試料の複素透磁率の周波数依存性を、非扁平
状粉を用いた場合と対比して示すグラフである。

【図９】 本発明の実施例８に係る、樹脂コート処理を
施したシート状の複合磁性体の強度試験の結果を示すグ
ラフである。

【符号の説明】

１・・・複合磁性体（シート状物品）、２・・・軟磁性金属相
（扁平状軟磁性金属粉）、３・・・絶縁相（絶縁膜）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5E040 AA00 BC01 CA13 HB11 NN01 5E041 AA00 BC01 CA01 CA10 HB11 NN01 5E321 BB32 BB53 BB60 GG11

Claims (25)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 軟磁性金属相と、 前記軟磁性金属相の間に介在する絶縁相とからなる複合
   磁性体であって、 前記複合磁性体は、 表面に絶縁膜が形成された扁平状軟磁性金属粉が圧接接
   合され、 前記絶縁膜が前記絶縁相を構成し、かつ前記扁平状軟磁
   性金属粉が前記軟磁性金属相を構成することを特徴とす
   る複合磁性体。
2. 【請求項２】 前記複合磁性体に対する前記軟磁性金属
   相の占積率が５０％以上であることを特徴とする請求項
   １に記載の複合磁性体。
3. 【請求項３】 前記扁平状軟磁性金属粉の圧接接合され
   た後の厚さが０．１〜１μｍであることを特徴とする請
   求項１または２に記載の複合磁性体。
4. 【請求項４】 厚さが５μｍ〜０．４ｍｍのシート状で
   あることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の
   複合磁性体。
5. 【請求項５】 前記絶縁膜は、酸化物または窒化物を含
   むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の複
   合磁性体。
6. 【請求項６】 前記酸化物または窒化物は、ペルヒドロ
   ポリシラザンが転化して形成されたことを特徴とする請
   求項５に記載の複合磁性体。
7. 【請求項７】 前記複合磁性体は、少なくともその表面
   に樹脂から構成される補強層が形成されていることを特
   徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の複合磁性体。
8. 【請求項８】 層状の軟磁性金属相と、 前記軟磁性金属相の間に介在する絶縁相とからなるシー
   ト状の複合磁性体であって、 その厚さが５μｍ〜０．４ｍｍ、 前記軟磁性金属相の厚さが０．１〜１μｍ、 前記複合磁性体に占める前記軟磁性金属相の占積率が５
   ０％以上であることを特徴とする複合磁性体。
9. 【請求項９】 １００ＭＨｚにおける複素透磁率の実数
   部分が３０以上であることを特徴とする請求項８に記載
   の複合磁性体。
10. 【請求項１０】 表面に酸化物または窒化物からなる絶
    縁膜が形成された扁平状軟磁性金属粉が層状に積層され
    た磁性体本体と、 前記扁平状軟磁性金属粉同士を結合する補強組成物と、
    を備えたことを特徴とする複合磁性体。
11. 【請求項１１】 前記補強組成物は、前記磁性体本体の
    外表面に膜状に形成された樹脂膜であることを特徴とす
    る請求項１０に記載の複合磁性体。
12. 【請求項１２】 前記補強組成物は、前記磁性体本体の
    内部において前記扁平状軟磁性金属粉同士を結合する樹
    脂組成物であることを特徴とする請求項１０に記載の複
    合磁性体。
13. 【請求項１３】 厚さ０．１〜１μｍの扁平状軟磁性金
    属粉が塑性変形して密にからみ合い、該塑性変形した個
    々の扁平状軟磁性金属粉間に絶縁材を有することを特徴
    とする複合磁性体。
14. 【請求項１４】 前記絶縁材に酸化物又は窒化物が含ま
    れ、前記扁平状軟磁性金属粉の占積率が５０％以上であ
    ることを特徴とする請求項１３に記載の複合磁性体。
15. 【請求項１５】 シート状物品を製造する方法であっ
    て、 扁平状軟磁性金属粉の表面に絶縁膜を形成する絶縁膜形
    成工程と、 表面に前記絶縁膜が形成された前記扁平状軟磁性金属粉
    を堆積した状態で加圧力を付与することによって前記扁
    平状軟磁性金属粉同士を接合する接合工程と、を備える
    ことを特徴とするシート状物品の製造方法。
16. 【請求項１６】 前記接合工程において、前記扁平状軟
    磁性金属粉は、塑性変形されることを特徴とする請求項
    １５に記載のシート状物品の製造方法。
17. 【請求項１７】 ４０〜１２０μｍの範囲に分級され
    た、表面に絶縁膜が形成された前記扁平状軟磁性金属粉
    を、前記接合工程に供することを特徴とする請求項１５
    または１６に記載のシート状物品の製造方法。
18. 【請求項１８】 前記接合工程により得られたシート状
    生成物表面に樹脂層を形成する樹脂コート工程をさらに
    備えることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれかに
    記載のシート状物品の製造方法。
19. 【請求項１９】 扁平状軟磁性金属粉と絶縁材料を混合
    絶縁処理する絶縁処理工程と、 混合により絶縁を施した扁平状軟磁性金属粉を基板上に
    堆積させた後に圧延し配向させてシート状にする圧延配
    向工程と、 前記圧延配向工程で得られたシート状生成物を熱処理し
    て前記扁平状軟磁性金属粉の残留歪を緩和する熱処理工
    程と、を備えることを特徴とする複合磁性体の製造方
    法。
20. 【請求項２０】 前記絶縁材料が無機系ポリマーのペル
    ヒドロポリシラザンであることを特徴とする請求項１９
    に記載の複合磁性体の製造方法。
21. 【請求項２１】 前記絶縁材料がカップリング剤である
    請求項１９に記載の複合磁性体の製造方法。
22. 【請求項２２】 前記絶縁材料がシリカゾル、チタニア
    ゾル、マグネシアゾル、アルミナゾル、粉ガラス、ボロ
    ンナイトライド等の無機絶縁体に含まれる１種または２
    種以上である請求項１９に記載の複合磁性体の製造方
    法。
23. 【請求項２３】 前記絶縁処理工程の前に、前記扁平状
    軟磁性金属粉に歪み取り熱処理を施す請求項１９〜２２
    のいずれかに記載の複合磁性体の製造方法。
24. 【請求項２４】 前記シート状生成物の熱処理工程での
    熱処理温度が、４００〜８００℃であり、かつ熱処理雰
    囲気が不活性ガス、窒素又は水素である請求項１９〜２
    ３のいずれかに記載の複合磁性体の製造方法。
25. 【請求項２５】 前記シート状生成物の厚さが５μｍ〜
    ０．４ｍｍである請求項１９〜２４のいずれかに記載の
    複合磁性体の製造方法。