JP2002201097A - 炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法、製造装置および炭化珪素単結晶成長用基板と単結晶の加熱処理方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マクロ欠陥の発生を確実に抑制できるように
し、高品質、長尺のＳｉＣ単結晶が製造できるようにす
ることを目的とする。 【解決手段】 黒鉛製るつぼ１内にＳｉＣ原料粉末２と
ＳｉＣ種結晶３を配置し、ＳｉＣ原料粉末２を加熱昇華
させてＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ種結晶
裏面に保護層５を設け、ＳｉＣ種結晶３を容器るつぼ１
に設けた保持部１ｄにより非接着で機械的に保持して、
ＳｉＣ種結晶３表面上にＳｉＣ単結晶４を成長させる。
種結晶裏面の局所的な温度分布をなくし、保護層５の破
損を抑制してマクロ欠陥の発生を抑制できる。
し、高品質、長尺のＳｉＣ単結晶が製造できるようにす
ることを目的とする。 【解決手段】 黒鉛製るつぼ１内にＳｉＣ原料粉末２と
ＳｉＣ種結晶３を配置し、ＳｉＣ原料粉末２を加熱昇華
させてＳｉＣ単結晶４を成長させる際に、ＳｉＣ種結晶
裏面に保護層５を設け、ＳｉＣ種結晶３を容器るつぼ１
に設けた保持部１ｄにより非接着で機械的に保持して、
ＳｉＣ種結晶３表面上にＳｉＣ単結晶４を成長させる。
種結晶裏面の局所的な温度分布をなくし、保護層５の破
損を抑制してマクロ欠陥の発生を抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置や発光
ダイオードなどの構成材料に利用することができる炭化
珪素（ＳｉＣ）単結晶の製造方法及びその製造装置に関
する。また、ＳｉＣ単結晶を成長させるためのＳｉＣ成
長用基板、ＳｉＣ単結晶の加熱処理方法に関する。
ダイオードなどの構成材料に利用することができる炭化
珪素（ＳｉＣ）単結晶の製造方法及びその製造装置に関
する。また、ＳｉＣ単結晶を成長させるためのＳｉＣ成
長用基板、ＳｉＣ単結晶の加熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳｉＣ単結晶を成長させる方法と
して、昇華再結晶法が広く用いられている。この昇華再
結晶法は、黒鉛製るつぼ内に配置した黒鉛台座に種結晶
を接合固定すると共に、るつぼ底部に配したＳｉＣ原料
を加熱昇華させ、その昇華ガスを種結晶に供給すること
によって種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させるものであ
る。
して、昇華再結晶法が広く用いられている。この昇華再
結晶法は、黒鉛製るつぼ内に配置した黒鉛台座に種結晶
を接合固定すると共に、るつぼ底部に配したＳｉＣ原料
を加熱昇華させ、その昇華ガスを種結晶に供給すること
によって種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させるものであ
る。
【０００３】このような昇華再結晶法を用いたＳｉＣ単
結晶の製造において問題となっているのは、種結晶と台
座との界面から発生する大きな欠陥（マクロ欠陥）であ
る。マクロ欠陥は、種結晶と台座を接合する際に両者の
間に隙間が存在すると、種結晶から外部への物質輸送が
起こり、生じた空間内で昇華、再結晶化することによっ
て生じる。このマクロ欠陥の存在により、長尺のＳｉＣ
単結晶を得ても、実用可能なＳｉＣウェハを多数枚切り
出すことが困難となるばかりでなく、マクロ欠陥を起点
にマイクロパイプと呼ばれる中空貫通欠陥を誘発するお
それがある。このため、高品質ＳｉＣ単結晶を広い面積
で得ることは極めて困難であるという問題がある。
結晶の製造において問題となっているのは、種結晶と台
座との界面から発生する大きな欠陥（マクロ欠陥）であ
る。マクロ欠陥は、種結晶と台座を接合する際に両者の
間に隙間が存在すると、種結晶から外部への物質輸送が
起こり、生じた空間内で昇華、再結晶化することによっ
て生じる。このマクロ欠陥の存在により、長尺のＳｉＣ
単結晶を得ても、実用可能なＳｉＣウェハを多数枚切り
出すことが困難となるばかりでなく、マクロ欠陥を起点
にマイクロパイプと呼ばれる中空貫通欠陥を誘発するお
それがある。このため、高品質ＳｉＣ単結晶を広い面積
で得ることは極めて困難であるという問題がある。
【０００４】これに対し、例えば、特開平９−２６８０
９６号公報には、昇華再結晶法において用いる種結晶
の、単結晶が成長する面以外の面（種結晶裏面）を、単
結晶成長条件において安定な物質よりなる保護層で被覆
した上で、台座に接合することにより、マクロ欠陥を抑
制することが記載されている。また、特開平９−１１０
５８４号公報には、種結晶と台座の間に炭化層を介在さ
せて両者を結合させることにより、種結晶の面内温度分
布を均一にする方法が記載されている。
９６号公報には、昇華再結晶法において用いる種結晶
の、単結晶が成長する面以外の面（種結晶裏面）を、単
結晶成長条件において安定な物質よりなる保護層で被覆
した上で、台座に接合することにより、マクロ欠陥を抑
制することが記載されている。また、特開平９−１１０
５８４号公報には、種結晶と台座の間に炭化層を介在さ
せて両者を結合させることにより、種結晶の面内温度分
布を均一にする方法が記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示すように、炭化珪素原料粉末２を充填したるつぼ１内
に種結晶３を配置し、裏面に設けた保護層５側の全面
を、台座となるるつぼ１の頂面中央部に接着剤６で固定
した場合、接着剤６の厚さむらや台座と保護層５が不均
一に接してしまうなどの理由から、固定した面内で局所
的な温度分布が生じる。その結果、保護層５が破損また
は保護機能が劣化し、成長する炭化珪素単結晶４の内部
へ至るマクロ欠陥１６が発生してしまうという問題があ
ることが判明した。
示すように、炭化珪素原料粉末２を充填したるつぼ１内
に種結晶３を配置し、裏面に設けた保護層５側の全面
を、台座となるるつぼ１の頂面中央部に接着剤６で固定
した場合、接着剤６の厚さむらや台座と保護層５が不均
一に接してしまうなどの理由から、固定した面内で局所
的な温度分布が生じる。その結果、保護層５が破損また
は保護機能が劣化し、成長する炭化珪素単結晶４の内部
へ至るマクロ欠陥１６が発生してしまうという問題があ
ることが判明した。
【０００６】本発明は上記点に鑑みて、マクロ欠陥の発
生を確実に抑制できるようにし、高品質、長尺のＳｉＣ
単結晶が製造できるようにすることを目的とする。
生を確実に抑制できるようにし、高品質、長尺のＳｉＣ
単結晶が製造できるようにすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく、
本発明者らは以下の検討を行なった。上記問題は、種結
晶裏面に設けた保護層を介して種結晶裏面全面を台座に
接着剤で固定した場合、接着剤の厚さむらや台座と保護
層が不均一に接してしまうなどの理由から、固定した面
内で局所的な温度分布が生じるため、保護層が破損また
は保護機能が劣化することが原因となってマクロ欠陥が
発生すると考えられる。このため、保護層を破損しない
ようにすれば、上記問題を解決することができると言え
る。
本発明者らは以下の検討を行なった。上記問題は、種結
晶裏面に設けた保護層を介して種結晶裏面全面を台座に
接着剤で固定した場合、接着剤の厚さむらや台座と保護
層が不均一に接してしまうなどの理由から、固定した面
内で局所的な温度分布が生じるため、保護層が破損また
は保護機能が劣化することが原因となってマクロ欠陥が
発生すると考えられる。このため、保護層を破損しない
ようにすれば、上記問題を解決することができると言え
る。
【０００８】そこで、本発明者らは、成長中に種結晶裏
面の保護層が破損しないように機械的に、すなわち接着
剤を用いずに種結晶を保持し、もしくは接着剤を用いた
場合は周縁部でのみ種結晶を保持した状態で単結晶を成
長させることで、マクロ欠陥の発生を抑制できることを
見出した。
面の保護層が破損しないように機械的に、すなわち接着
剤を用いずに種結晶を保持し、もしくは接着剤を用いた
場合は周縁部でのみ種結晶を保持した状態で単結晶を成
長させることで、マクロ欠陥の発生を抑制できることを
見出した。
【０００９】そこで、上記目的を達成するため、請求項
１に記載の発明では、容器（１）内に、ＳｉＣ単結晶基
板からなるＳｉＣ種結晶（３）を配置し、ＳｉＣ原料
（２）を供給してＳｉＣ種結晶（３）上にＳｉＣ単結晶
（４）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、
ＳｉＣ種結晶裏面に保護層（５）を設け、ＳｉＣ種結晶
（３）を保持部（１ｄ）を備える保持材（１ｂ）により
非接着で機械的に保持し、ＳｉＣ種結晶（３）表面上に
ＳｉＣ単結晶（４）を成長させることを特徴としてい
る。
１に記載の発明では、容器（１）内に、ＳｉＣ単結晶基
板からなるＳｉＣ種結晶（３）を配置し、ＳｉＣ原料
（２）を供給してＳｉＣ種結晶（３）上にＳｉＣ単結晶
（４）を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、
ＳｉＣ種結晶裏面に保護層（５）を設け、ＳｉＣ種結晶
（３）を保持部（１ｄ）を備える保持材（１ｂ）により
非接着で機械的に保持し、ＳｉＣ種結晶（３）表面上に
ＳｉＣ単結晶（４）を成長させることを特徴としてい
る。
【００１０】このように、種結晶（３）裏面に保護層
（５）を設け、種結晶（３）を機械的に保持することに
より、接着剤を用いて保持した場合の貼り付けむら等に
より保護層（５）に局所的な温度分布による余分な応力
が加わらないので、保護層（５）を破損することなくマ
クロ欠陥の発生を抑制できる。
（５）を設け、種結晶（３）を機械的に保持することに
より、接着剤を用いて保持した場合の貼り付けむら等に
より保護層（５）に局所的な温度分布による余分な応力
が加わらないので、保護層（５）を破損することなくマ
クロ欠陥の発生を抑制できる。
【００１１】請求項２に記載の発明では、前記請求項１
の製造方法において、保護層（５）を設けたＳｉＣ種結
晶（３）の裏面側へ原料（２）が侵入しないように、か
つＳｉＣ種結晶（３）と保持部（１ｄ）との接触面積が
最小となるように種結晶（３）を保持することを特徴と
している。
の製造方法において、保護層（５）を設けたＳｉＣ種結
晶（３）の裏面側へ原料（２）が侵入しないように、か
つＳｉＣ種結晶（３）と保持部（１ｄ）との接触面積が
最小となるように種結晶（３）を保持することを特徴と
している。
【００１２】このように、種結晶（３）裏面側へのＳｉ
Ｃの堆積を抑制し、種結晶（３）を保持できる最小の面
積で保持することにより、結晶成長時の口径拡大をさほ
ど妨げずに、より効果的にマクロ欠陥の発生を抑制でき
る。
Ｃの堆積を抑制し、種結晶（３）を保持できる最小の面
積で保持することにより、結晶成長時の口径拡大をさほ
ど妨げずに、より効果的にマクロ欠陥の発生を抑制でき
る。
【００１３】請求項３に記載の発明においては、裏面に
保護層（５）を設けた種結晶（３）の周縁部のみを保持
してＳｉＣ単結晶（４）を成長させることを特徴として
いる。
保護層（５）を設けた種結晶（３）の周縁部のみを保持
してＳｉＣ単結晶（４）を成長させることを特徴として
いる。
【００１４】このように、種結晶（３）周縁部のみ固定
すれば、周縁部以外ではマクロ欠陥の発生を抑制できる
ので、広い面積で高品質のＳｉＣ単結晶（４）が得られ
る。
すれば、周縁部以外ではマクロ欠陥の発生を抑制できる
ので、広い面積で高品質のＳｉＣ単結晶（４）が得られ
る。
【００１５】請求項４に記載の発明においては、裏面に
保護層（５）を設けた種結晶（３）を、保持部となるフ
ック状部材（７）により機械的に保持してＳｉＣ単結晶
を成長させることを特徴としている。
保護層（５）を設けた種結晶（３）を、保持部となるフ
ック状部材（７）により機械的に保持してＳｉＣ単結晶
を成長させることを特徴としている。
【００１６】このように、具体的には、種結晶（３）を
フック状部材（７）で保持することにより、請求項１と
同様の効果が得られる。
フック状部材（７）で保持することにより、請求項１と
同様の効果が得られる。
【００１７】請求項５に記載の発明においては、裏面に
保護層（５）を設けた種結晶（３）を、保持部（１ｄ）
またはフック状部材（７）により機械的に１箇所もしく
は複数箇所において保持することを特徴としている。
保護層（５）を設けた種結晶（３）を、保持部（１ｄ）
またはフック状部材（７）により機械的に１箇所もしく
は複数箇所において保持することを特徴としている。
【００１８】このように、種結晶（３）を例えば３箇所
別個に保持することで、マクロ欠陥の発生を抑制でき請
求項１と同様の効果が得られる。
別個に保持することで、マクロ欠陥の発生を抑制でき請
求項１と同様の効果が得られる。
【００１９】請求項６に記載の発明においては、多角形
状とした種結晶（３）を用い、その多角形頂点の複数箇
所において、該頂点近傍をフック状部材（７）等により
機械的に保持してＳｉＣ単結晶（４）を成長させること
を特徴としている。
状とした種結晶（３）を用い、その多角形頂点の複数箇
所において、該頂点近傍をフック状部材（７）等により
機械的に保持してＳｉＣ単結晶（４）を成長させること
を特徴としている。
【００２０】このように、多角形からなる種結晶（３）
の頂点近傍を複数箇所別個に保持することでマクロ欠陥
の発生を抑制でき、成長結晶から丸型ＳｉＣウェハを切
り出すときに効率よく切り出すことが可能となり大口径
ＳｉＣ単結晶を得ることができる。
の頂点近傍を複数箇所別個に保持することでマクロ欠陥
の発生を抑制でき、成長結晶から丸型ＳｉＣウェハを切
り出すときに効率よく切り出すことが可能となり大口径
ＳｉＣ単結晶を得ることができる。
【００２１】請求項７に記載の発明においては、頂点と
対角頂点を結んだ方向を＜１１−２０＞方向とした六角
形からなり面方位が（０００１）面の種結晶（３）を用
い、その六角形頂点の複数箇所において、該頂点近傍を
フック状部材（７）等により機械的に保持してＳｉＣ単
結晶（４）を成長させることを特徴としている。
対角頂点を結んだ方向を＜１１−２０＞方向とした六角
形からなり面方位が（０００１）面の種結晶（３）を用
い、その六角形頂点の複数箇所において、該頂点近傍を
フック状部材（７）等により機械的に保持してＳｉＣ単
結晶（４）を成長させることを特徴としている。
【００２２】このように、頂点と対角頂点を結んだ方向
を＜１１−２０＞方向とした六角形からなる種結晶の頂
点近傍を例えば３箇所保持することで、拡大方向成長速
度の最も大きい頂点近傍の３箇所以外では欠陥の発生を
抑制でき、成長結晶から丸型ＳｉＣウェハを切り出すと
きに請求項６に記載の発明以上に効率よく切り出すこと
が可能となり大口径ＳｉＣ単結晶を得ることができる。
を＜１１−２０＞方向とした六角形からなる種結晶の頂
点近傍を例えば３箇所保持することで、拡大方向成長速
度の最も大きい頂点近傍の３箇所以外では欠陥の発生を
抑制でき、成長結晶から丸型ＳｉＣウェハを切り出すと
きに請求項６に記載の発明以上に効率よく切り出すこと
が可能となり大口径ＳｉＣ単結晶を得ることができる。
【００２３】請求項８に記載の発明においては、種結晶
（３）裏面に保護層（５）を設け、種結晶（３）周縁部
のみを、容器（１）の保持部（１ｄ）に接着剤（６）で
保持して、ＳｉＣ種結晶（３）表面上にＳｉＣ単結晶
（４）を成長させることを特徴としている。
（３）裏面に保護層（５）を設け、種結晶（３）周縁部
のみを、容器（１）の保持部（１ｄ）に接着剤（６）で
保持して、ＳｉＣ種結晶（３）表面上にＳｉＣ単結晶
（４）を成長させることを特徴としている。
【００２４】このように、種結晶周縁部のみ固定しても
周縁部以外では、マクロ欠陥の発生を抑制でき、請求項
１と同様の効果が得られる。
周縁部以外では、マクロ欠陥の発生を抑制でき、請求項
１と同様の効果が得られる。
【００２５】請求項９に記載の発明においては、ＳｉＣ
種結晶（３）裏面に設けた保護層（５）と、これに対向
する容器（１）壁との間に空隙を有して保持することを
特徴としている。
種結晶（３）裏面に設けた保護層（５）と、これに対向
する容器（１）壁との間に空隙を有して保持することを
特徴としている。
【００２６】このように、空隙を設けることによって、
保護層（５）に局所的な温度分布による余分な応力が加
わらないので、保護層（５）を破損することなくマクロ
欠陥の発生を抑制できる。
保護層（５）に局所的な温度分布による余分な応力が加
わらないので、保護層（５）を破損することなくマクロ
欠陥の発生を抑制できる。
【００２７】請求項１０に記載の発明においては、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）の保護層（５）の裏面側に設けた空隙の
間隔を調整できるように、調整部材として蓋状部材（１
ｃ）を備えることを特徴としている。
Ｃ種結晶（３）の保護層（５）の裏面側に設けた空隙の
間隔を調整できるように、調整部材として蓋状部材（１
ｃ）を備えることを特徴としている。
【００２８】このように空隙の間隔を調節できるように
することによって、結晶の成長速度を制御できマクロ欠
陥の発生を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得るこ
とができる。
することによって、結晶の成長速度を制御できマクロ欠
陥の発生を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得るこ
とができる。
【００２９】請求項１１に記載の発明においては、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）の保護層（５）に対向して、温度分布調
節部材として蓋状部材（１ｃ）を設け、蓋状部材（１
ｃ）の材質に熱伝導率が保持部（１ｄ）を備える種結晶
保持材（１ｂ）のそれとは異なるものを用いることによ
って、種結晶の温度分布を調節することを特徴としてい
る。
Ｃ種結晶（３）の保護層（５）に対向して、温度分布調
節部材として蓋状部材（１ｃ）を設け、蓋状部材（１
ｃ）の材質に熱伝導率が保持部（１ｄ）を備える種結晶
保持材（１ｂ）のそれとは異なるものを用いることによ
って、種結晶の温度分布を調節することを特徴としてい
る。
【００３０】このように温度分布調節部材となる蓋状部
材（１ｃ）の熱伝導率を種結晶保持材（１ｂ）と保持部
（１ｄ）のそれよりも大きくすることによって、結晶の
温度分布の調節が容易にでき、マクロ欠陥の発生を抑制
しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
材（１ｃ）の熱伝導率を種結晶保持材（１ｂ）と保持部
（１ｄ）のそれよりも大きくすることによって、結晶の
温度分布の調節が容易にでき、マクロ欠陥の発生を抑制
しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
【００３１】請求項１２に記載の発明においては、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）裏面に保護層（５）を設けて、容器
（１）壁に設けた開口部内にまたは開口部を閉鎖するよ
うに保持し、ＳｉＣ種結晶（３）の裏面側を外部空間に
露出させることを特徴としている。
Ｃ種結晶（３）裏面に保護層（５）を設けて、容器
（１）壁に設けた開口部内にまたは開口部を閉鎖するよ
うに保持し、ＳｉＣ種結晶（３）の裏面側を外部空間に
露出させることを特徴としている。
【００３２】このように、ＳｉＣ種結晶（３）の裏面に
空間を設けることによって、保護層（５）に局所的な温
度分布による余分な応力が加わらないので、保護層
（５）を破損することなくマクロ欠陥の発生を抑制でき
る。
空間を設けることによって、保護層（５）に局所的な温
度分布による余分な応力が加わらないので、保護層
（５）を破損することなくマクロ欠陥の発生を抑制でき
る。
【００３３】請求項１３に記載の発明においては、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）裏面の保護層（５）は、具体的には炭素
層、もしくは高融点金属の炭化物層、炭化珪素エピタキ
シャル層、炭化珪素多結晶層、炭化珪素アモルファス層
またはそれらの多層膜であることを特徴としている。
Ｃ種結晶（３）裏面の保護層（５）は、具体的には炭素
層、もしくは高融点金属の炭化物層、炭化珪素エピタキ
シャル層、炭化珪素多結晶層、炭化珪素アモルファス層
またはそれらの多層膜であることを特徴としている。
【００３４】このように、ＳｉＣ種結晶（３）裏面に炭
素層もしくは高融点金属の炭化物、具体的にはＴａＣ、
ＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ等、または、炭化珪素からなるエ
ピタキシャル層、多結晶層の緻密な層を設けると、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）裏面を保護する効果が高く、成長中にこ
れら保護層（５）が破損することなく、マクロ欠陥の発
生を抑制できる。
素層もしくは高融点金属の炭化物、具体的にはＴａＣ、
ＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ等、または、炭化珪素からなるエ
ピタキシャル層、多結晶層の緻密な層を設けると、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）裏面を保護する効果が高く、成長中にこ
れら保護層（５）が破損することなく、マクロ欠陥の発
生を抑制できる。
【００３５】請求項１４に記載の発明においては、保護
層（５）は具体的には炭素層で形成されており、ＳｉＣ
種結晶（３）裏面の温度を炭素層を介して放射温度計に
て直接温度モニタリングし、成長中のＳｉＣ種結晶
（３）裏面の温度をフィードバック制御することを特徴
としている。
層（５）は具体的には炭素層で形成されており、ＳｉＣ
種結晶（３）裏面の温度を炭素層を介して放射温度計に
て直接温度モニタリングし、成長中のＳｉＣ種結晶
（３）裏面の温度をフィードバック制御することを特徴
としている。
【００３６】このように保護層（５）が炭素層で形成さ
れていれば、放射温度計にて直接温度モニタリングをす
ることが可能となる。放射温度計は炭素を安定にモニタ
リングできるので（他の物質は常に放射率が変化し、安
定なモニタリングが不可能である）、成長中のＳｉＣ種
結晶（３）裏面の温度をフィードバック制御すること
で、結晶の成長速度を確実に制御できマクロ欠陥の発生
を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができ
る。
れていれば、放射温度計にて直接温度モニタリングをす
ることが可能となる。放射温度計は炭素を安定にモニタ
リングできるので（他の物質は常に放射率が変化し、安
定なモニタリングが不可能である）、成長中のＳｉＣ種
結晶（３）裏面の温度をフィードバック制御すること
で、結晶の成長速度を確実に制御できマクロ欠陥の発生
を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができ
る。
【００３７】請求項１５に記載の発明においては、Ｓｉ
Ｃ種結晶（３）裏面に保護層（５）を設け、ＳｉＣ単結
晶基板表面は被保持面（３ａ）と成長面（３ｂ）を有
し、成長面（３ｂ）が被保持面（３ａ）よりＳｉＣ原料
（２）側に突出していることを特徴としている。
Ｃ種結晶（３）裏面に保護層（５）を設け、ＳｉＣ単結
晶基板表面は被保持面（３ａ）と成長面（３ｂ）を有
し、成長面（３ｂ）が被保持面（３ａ）よりＳｉＣ原料
（２）側に突出していることを特徴としている。
【００３８】このように凹部にある被保持面（３ａ）を
保持し、凸部にある成長面（３ｂ）表面を保持材（１
ｂ）よりＳｉＣ原料（２）側に突出させることにより、
保持材とＳｉＣ単結晶が合体して成長することを防止す
るので口径拡大が容易となり、マクロ欠陥の発生を抑制
しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
保持し、凸部にある成長面（３ｂ）表面を保持材（１
ｂ）よりＳｉＣ原料（２）側に突出させることにより、
保持材とＳｉＣ単結晶が合体して成長することを防止す
るので口径拡大が容易となり、マクロ欠陥の発生を抑制
しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
【００３９】請求項１６に記載の発明においては、裏面
に微小開口（１４）を有するＳｉＣ種結晶（３）を用
い、その微小開口（１４）を閉塞させた後に保護層
（５）を設け、もしくは保護層（５）により微小開口
（１４）を閉塞させた後に、炭化珪素種結晶（３）の表
面に単結晶を成長させることを特徴としている。
に微小開口（１４）を有するＳｉＣ種結晶（３）を用
い、その微小開口（１４）を閉塞させた後に保護層
（５）を設け、もしくは保護層（５）により微小開口
（１４）を閉塞させた後に、炭化珪素種結晶（３）の表
面に単結晶を成長させることを特徴としている。
【００４０】このように、種結晶（３）が裏面に微小開
口（１４）を有する場合には、微小開口（１４）をＳｉ
Ｃ等の閉塞物質で閉塞させるか、あるいは保護層（５）
の形成によって閉塞してから、単結晶を成長させること
が望ましく、微小開口（１４）に起因する欠陥等の発生
を抑制し、高品質の単結晶を得ることができる。
口（１４）を有する場合には、微小開口（１４）をＳｉ
Ｃ等の閉塞物質で閉塞させるか、あるいは保護層（５）
の形成によって閉塞してから、単結晶を成長させること
が望ましく、微小開口（１４）に起因する欠陥等の発生
を抑制し、高品質の単結晶を得ることができる。
【００４１】請求項１７に記載の発明においては、容器
（１）内に、ＳｉＣ単結晶基板からなるＳｉＣ種結晶
（３）を配置し、ＳｉＣ原料（２）を供給してＳｉＣ種
結晶（３）上にＳｉＣ単結晶（４）を成長させるＳｉＣ
単結晶の製造装置において、ＳｉＣ種結晶裏面に保護層
（５）を設け、これを容器（１）壁となる保持材（１
ｂ）に設けた開口部内にまたは開口部を閉鎖するように
配置して、該開口部に設置した保持部（１ｄ）にて保持
する。さらに、この開口部を保護層（５）との間に空隙
を有して閉鎖し、かつ前記空隙の間隔を調整する蓋状の
調整部材（１ｃ）を備えることを特徴としている。
（１）内に、ＳｉＣ単結晶基板からなるＳｉＣ種結晶
（３）を配置し、ＳｉＣ原料（２）を供給してＳｉＣ種
結晶（３）上にＳｉＣ単結晶（４）を成長させるＳｉＣ
単結晶の製造装置において、ＳｉＣ種結晶裏面に保護層
（５）を設け、これを容器（１）壁となる保持材（１
ｂ）に設けた開口部内にまたは開口部を閉鎖するように
配置して、該開口部に設置した保持部（１ｄ）にて保持
する。さらに、この開口部を保護層（５）との間に空隙
を有して閉鎖し、かつ前記空隙の間隔を調整する蓋状の
調整部材（１ｃ）を備えることを特徴としている。
【００４２】このように空隙の間隔を調節できるように
することによって、結晶の成長速度を制御できマクロ欠
陥の発生を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得るこ
とができる。
することによって、結晶の成長速度を制御できマクロ欠
陥の発生を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得るこ
とができる。
【００４３】請求項１８に記載の発明においては、容器
（１）内に、ＳｉＣ単結晶基板からなるＳｉＣ種結晶
（３）を配置し、ＳｉＣ原料（２）を供給してＳｉＣ種
結晶（３）上にＳｉＣ単結晶（４）を成長させるＳｉＣ
単結晶の製造装置において、ＳｉＣ種結晶裏面に保護層
（５）を設け、これを容器（１）壁となる保持材（１
ｂ）に設けた開口部内にまたは開口部を閉鎖するように
配置して、ＳｉＣ種結晶裏面の保護層（５）を外部空間
に露出させることを特徴としている。
（１）内に、ＳｉＣ単結晶基板からなるＳｉＣ種結晶
（３）を配置し、ＳｉＣ原料（２）を供給してＳｉＣ種
結晶（３）上にＳｉＣ単結晶（４）を成長させるＳｉＣ
単結晶の製造装置において、ＳｉＣ種結晶裏面に保護層
（５）を設け、これを容器（１）壁となる保持材（１
ｂ）に設けた開口部内にまたは開口部を閉鎖するように
配置して、ＳｉＣ種結晶裏面の保護層（５）を外部空間
に露出させることを特徴としている。
【００４４】このように保護層（５）の裏面側に空間を
設けることで、放射温度計にて直接温度モニタリングを
することが可能となり、成長中のＳｉＣ種結晶（３）裏
面の温度をフィードバック制御することで、結晶の成長
速度を確実に制御できマクロ欠陥の発生を抑制しつつ、
高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
設けることで、放射温度計にて直接温度モニタリングを
することが可能となり、成長中のＳｉＣ種結晶（３）裏
面の温度をフィードバック制御することで、結晶の成長
速度を確実に制御できマクロ欠陥の発生を抑制しつつ、
高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
【００４５】請求項１９に記載の発明は、ＳｉＣ単結晶
成長用に用いられる基板の発明であり、ＳｉＣ種結晶
（３）とその裏面に設けた保護層（５）を備え、ＳｉＣ
単結晶基板表面は被保持面（３ａ）と該被保持面（３
ａ）に比べて凸部にある成長面（３ｂ）を有しているこ
とを特徴としている。
成長用に用いられる基板の発明であり、ＳｉＣ種結晶
（３）とその裏面に設けた保護層（５）を備え、ＳｉＣ
単結晶基板表面は被保持面（３ａ）と該被保持面（３
ａ）に比べて凸部にある成長面（３ｂ）を有しているこ
とを特徴としている。
【００４６】このようにＳｉＣ種結晶表面形状が凸状形
状を有し、その突出部を成長面（３ｂ）とすることで、
マクロ欠陥の発生を抑制しつつ、成長したＳｉＣ単結晶
から効率よくＳｉＣウエハを得ることができる。
状を有し、その突出部を成長面（３ｂ）とすることで、
マクロ欠陥の発生を抑制しつつ、成長したＳｉＣ単結晶
から効率よくＳｉＣウエハを得ることができる。
【００４７】請求項２０に記載の発明は、容器（１）内
に、種結晶となる単結晶基板（３）を配置し、成長しよ
うとする単結晶の原料（２）を供給して前記単結晶基板
（３）上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法におい
て、裏面に保護層（５）を設けた前記単結晶基板（３）
を、前記容器（１）壁に設けた保持部（１ｄ）に非接着
で機械的に保持し、もしくは前記保持部（１ｄ）に周縁
部のみを接着させて保持して、前記単結晶基板（３）の
表面に前記原料（２）を供給して、該表面上に単結晶
（４）を成長させることを特徴としている。
に、種結晶となる単結晶基板（３）を配置し、成長しよ
うとする単結晶の原料（２）を供給して前記単結晶基板
（３）上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法におい
て、裏面に保護層（５）を設けた前記単結晶基板（３）
を、前記容器（１）壁に設けた保持部（１ｄ）に非接着
で機械的に保持し、もしくは前記保持部（１ｄ）に周縁
部のみを接着させて保持して、前記単結晶基板（３）の
表面に前記原料（２）を供給して、該表面上に単結晶
（４）を成長させることを特徴としている。
【００４８】このように、炭化珪素単結晶を成長させる
場合に限らず、炭化珪素以外の単結晶を成長させる場合
に、本発明方法を用いることで、マクロ欠陥の発生を抑
制しつつ、高品位の単結晶を得る同様の効果が得られ
る。
場合に限らず、炭化珪素以外の単結晶を成長させる場合
に、本発明方法を用いることで、マクロ欠陥の発生を抑
制しつつ、高品位の単結晶を得る同様の効果が得られ
る。
【００４９】請求項２１に記載の発明は、容器（１）内
に配置した単結晶基板（３）を加熱処理する方法におい
て、裏面に保護層（５）を設けた単結晶基板（３）を、
容器（１）壁に設けた保持部（１ｄ）に非接着で機械的
に保持し、この状態で加熱処理することを特徴とする。
に配置した単結晶基板（３）を加熱処理する方法におい
て、裏面に保護層（５）を設けた単結晶基板（３）を、
容器（１）壁に設けた保持部（１ｄ）に非接着で機械的
に保持し、この状態で加熱処理することを特徴とする。
【００５０】このように、炭化珪素単結晶を成長させる
場合に限らず、単結晶基板を加熱処理する場合に、本発
明方法を用いることもできる。そして、単結晶基板
（３）裏面に保護層（５）を設け、これを機械的に保持
することにより、保護層（５）の破損や欠陥を発生させ
ることなく加熱処理することができる。
場合に限らず、単結晶基板を加熱処理する場合に、本発
明方法を用いることもできる。そして、単結晶基板
（３）裏面に保護層（５）を設け、これを機械的に保持
することにより、保護層（５）の破損や欠陥を発生させ
ることなく加熱処理することができる。
【００５１】
【発明の実施の形態】（第１実施形態）図１に本発明の
第１実施形態で用いる結晶成長装置を示す。図１（ａ）
において、この結晶成長装置の容器として用いられる黒
鉛製るつぼ１は、黒鉛製るつぼ１の底部に備えられたＳ
ｉＣ原料粉末（ＳｉＣ原料）２を熱処理によって昇華さ
せ、ＳｉＣ単結晶基板からなるＳｉＣ種結晶３上にＳｉ
Ｃ単結晶４を結晶成長させるものである。
第１実施形態で用いる結晶成長装置を示す。図１（ａ）
において、この結晶成長装置の容器として用いられる黒
鉛製るつぼ１は、黒鉛製るつぼ１の底部に備えられたＳ
ｉＣ原料粉末（ＳｉＣ原料）２を熱処理によって昇華さ
せ、ＳｉＣ単結晶基板からなるＳｉＣ種結晶３上にＳｉ
Ｃ単結晶４を結晶成長させるものである。
【００５２】この黒鉛製るつぼ１は、上面が開口してい
る略円筒状のるつぼ本体１ａと、ＳｉＣ種結晶３を保持
するための種結晶保持材１ｂとるつぼ本体１ａと種結晶
保持材１ｂの開口部を塞ぐ蓋状部材（以下、蓋材と略称
する）１ｃとを備えて構成されている。るつぼ本体１ａ
の上面開口に覆着される種結晶保持材１ｂは、中央に開
口部を有し、開口部内周縁よりるつぼ１内に筒状に突出
し、突出端が径方向内方にＬ字形に屈曲する保持部１ｄ
を備えている。ＳｉＣ種結晶３は、種結晶保持材１ｂの
開口部内に上方から挿通配置され、保持部１ｄのリング
状の屈曲端部上に支持されている（図１（ｂ））。
る略円筒状のるつぼ本体１ａと、ＳｉＣ種結晶３を保持
するための種結晶保持材１ｂとるつぼ本体１ａと種結晶
保持材１ｂの開口部を塞ぐ蓋状部材（以下、蓋材と略称
する）１ｃとを備えて構成されている。るつぼ本体１ａ
の上面開口に覆着される種結晶保持材１ｂは、中央に開
口部を有し、開口部内周縁よりるつぼ１内に筒状に突出
し、突出端が径方向内方にＬ字形に屈曲する保持部１ｄ
を備えている。ＳｉＣ種結晶３は、種結晶保持材１ｂの
開口部内に上方から挿通配置され、保持部１ｄのリング
状の屈曲端部上に支持されている（図１（ｂ））。
【００５３】この時、保持部１ｄは、ＳｉＣ種結晶３の
表面に当接するリング状部の面積が保持するために必要
な最小限の面積となるように設計され、成長する単結晶
４の口径拡大が妨げられないようにする。また、筒状の
保持部１ｄの内径をＳｉＣ種結晶３の外径とほぼ同径と
して、ＳｉＣ種結晶３の外周を取り囲むことにより、保
持部１ｄ内に、ＳｉＣ原料ガスが侵入しないようにして
いる。
表面に当接するリング状部の面積が保持するために必要
な最小限の面積となるように設計され、成長する単結晶
４の口径拡大が妨げられないようにする。また、筒状の
保持部１ｄの内径をＳｉＣ種結晶３の外径とほぼ同径と
して、ＳｉＣ種結晶３の外周を取り囲むことにより、保
持部１ｄ内に、ＳｉＣ原料ガスが侵入しないようにして
いる。
【００５４】ＳｉＣ種結晶３の裏面にはあらかじめ保護
層５、具体的には炭素層が設けられている。炭素層は、
例えばレジスト炭化層、スパッタ層、蒸着層等が用いら
れる。保護層５としては、その他、高融点金属の炭化物
層、具体的にはＴａＣ、ＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ等や、も
しくは炭化珪素からなるエピタキシャル層、多結晶層、
アモルファス層のような緻密な層を用いることができ
る。またはそれらの多層膜を用いることもできる。この
ような保護層５を設けることにより、成長中にＳｉＣ種
結晶３裏面を保護することができる。
層５、具体的には炭素層が設けられている。炭素層は、
例えばレジスト炭化層、スパッタ層、蒸着層等が用いら
れる。保護層５としては、その他、高融点金属の炭化物
層、具体的にはＴａＣ、ＷＣ、ＭｏＣ、ＴｉＣ等や、も
しくは炭化珪素からなるエピタキシャル層、多結晶層、
アモルファス層のような緻密な層を用いることができ
る。またはそれらの多層膜を用いることもできる。この
ような保護層５を設けることにより、成長中にＳｉＣ種
結晶３裏面を保護することができる。
【００５５】種結晶保持材１ｂの開口部は、蓋材１ｃに
よって閉鎖されている。この時、蓋材１ｃは保護層５と
の間に間隙を有して配置され、この間隙の間隔を調整す
る調整部材として機能する。蓋材１ｃを保護層５との間
に間隙を有することで、保護層５に局所的な温度分布が
生じにくくなり、また、間隔を最適に設定することで、
成長速度等を制御できる。さらに、蓋材１ｃは、種結晶
保持材１ｂより熱伝導率の大きい材質で構成されてお
り、ＳｉＣ種結晶３の温度分布を調節する温度分布調節
部材としての機能も有する。具体的には、蓋材１ｃは熱
伝導率が大きいことから、放熱板としてＳｉＣ種結晶３
の温度を低く保ち、局所的な温度分布が生じるのを防止
する。ＳｉＣ種結晶３と蓋材１ｃの間隔は、ここでは、
およそ７０μm としてある。
よって閉鎖されている。この時、蓋材１ｃは保護層５と
の間に間隙を有して配置され、この間隙の間隔を調整す
る調整部材として機能する。蓋材１ｃを保護層５との間
に間隙を有することで、保護層５に局所的な温度分布が
生じにくくなり、また、間隔を最適に設定することで、
成長速度等を制御できる。さらに、蓋材１ｃは、種結晶
保持材１ｂより熱伝導率の大きい材質で構成されてお
り、ＳｉＣ種結晶３の温度分布を調節する温度分布調節
部材としての機能も有する。具体的には、蓋材１ｃは熱
伝導率が大きいことから、放熱板としてＳｉＣ種結晶３
の温度を低く保ち、局所的な温度分布が生じるのを防止
する。ＳｉＣ種結晶３と蓋材１ｃの間隔は、ここでは、
およそ７０μm としてある。
【００５６】なお、図示しないが、黒鉛製るつぼ１は、
アルゴンガスが導入できる真空容器の中で加熱装置によ
り、加熱できるようになっており、例えば、この加熱装
置のパワーを調節することによって種結晶であるＳｉＣ
種結晶３の温度がＳｉＣ原料粉末２の温度よりも１００
℃程度低温に保たれるようにすることができる。
アルゴンガスが導入できる真空容器の中で加熱装置によ
り、加熱できるようになっており、例えば、この加熱装
置のパワーを調節することによって種結晶であるＳｉＣ
種結晶３の温度がＳｉＣ原料粉末２の温度よりも１００
℃程度低温に保たれるようにすることができる。
【００５７】このように構成された結晶成長装置を用い
たＳｉＣ単結晶の製造工程について説明する。まず、Ｓ
ｉＣ原料粉末２の温度を２０００〜２５００℃に加熱す
る。そして、加熱装置の調節等により、ＳｉＣ種結晶３
の温度がＳｉＣ原料粉末２の温度よりも低くなるよう
に、黒鉛製るつぼ１内に温度勾配を設ける。次に、黒鉛
製るつぼ１内の圧力を１３．３Ｐａ〜２６．７ｋＰａと
して、昇華法成長を開始すると、ＳｉＣ原料粉末２が昇
華して昇華ガスとなり、ＳｉＣ種結晶３に到達し、Ｓｉ
Ｃ原料粉末２側よりも相対的に低温となるＳｉＣ種結晶
３の表面上にＳｉＣ単結晶４が成長する。
たＳｉＣ単結晶の製造工程について説明する。まず、Ｓ
ｉＣ原料粉末２の温度を２０００〜２５００℃に加熱す
る。そして、加熱装置の調節等により、ＳｉＣ種結晶３
の温度がＳｉＣ原料粉末２の温度よりも低くなるよう
に、黒鉛製るつぼ１内に温度勾配を設ける。次に、黒鉛
製るつぼ１内の圧力を１３．３Ｐａ〜２６．７ｋＰａと
して、昇華法成長を開始すると、ＳｉＣ原料粉末２が昇
華して昇華ガスとなり、ＳｉＣ種結晶３に到達し、Ｓｉ
Ｃ原料粉末２側よりも相対的に低温となるＳｉＣ種結晶
３の表面上にＳｉＣ単結晶４が成長する。
【００５８】その際、ＳｉＣ種結晶３の最小限の面積を
種結晶保持材１ｂにより保持しているので、ＳｉＣ単結
晶４の口径拡大はさほど妨げられず、ＳｉＣ種結晶裏面
の保護層は破損することなくマクロ欠陥を抑制できるの
で、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、長尺に形成するこ
とができる。
種結晶保持材１ｂにより保持しているので、ＳｉＣ単結
晶４の口径拡大はさほど妨げられず、ＳｉＣ種結晶裏面
の保護層は破損することなくマクロ欠陥を抑制できるの
で、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、長尺に形成するこ
とができる。
【００５９】（第２実施形態）図２に、本発明の第２実
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図２に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図２に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
【００６０】本実施形態では、ＳｉＣ種結晶３の数箇所
のみを保持部となるフック状部材７で保持するように構
成されている。フック状部材７は、種結晶保持材１ｂの
開口部内周縁の数箇所（図２（ｂ）では４箇所）に固定
され、ＳｉＣ種結晶３の表面の数箇所に当接保持してい
る。この構成においても、ＳｉＣ種結晶３は、種結晶保
持材１ｂの開口部内に保持されるので、ＳｉＣ種結晶３
の裏面側にＳｉＣ原料の昇華ガスが侵入することはな
い。
のみを保持部となるフック状部材７で保持するように構
成されている。フック状部材７は、種結晶保持材１ｂの
開口部内周縁の数箇所（図２（ｂ）では４箇所）に固定
され、ＳｉＣ種結晶３の表面の数箇所に当接保持してい
る。この構成においても、ＳｉＣ種結晶３は、種結晶保
持材１ｂの開口部内に保持されるので、ＳｉＣ種結晶３
の裏面側にＳｉＣ原料の昇華ガスが侵入することはな
い。
【００６１】本実施形態では、ＳｉＣ種結晶３の表面周
縁部の数箇所のみを保持しており、保持部となるフック
状部材７との接触面積はごく小さい。よって、ＳｉＣ単
結晶４の口径拡大はさほど妨げられず、ＳｉＣ種結晶３
裏面の保護層５は破損することなくマクロ欠陥を抑制で
きるので、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、長尺に形成
することができる。
縁部の数箇所のみを保持しており、保持部となるフック
状部材７との接触面積はごく小さい。よって、ＳｉＣ単
結晶４の口径拡大はさほど妨げられず、ＳｉＣ種結晶３
裏面の保護層５は破損することなくマクロ欠陥を抑制で
きるので、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、長尺に形成
することができる。
【００６２】（第３実施形態）図３に、本発明の第３実
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図３に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図３に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
【００６３】本実施形態では頂点と対角頂点を結んだ方
向を＜１１−２０＞方向（図３（ｂ）の矢印の方向）と
した六角形からなるＳｉＣ種結晶３の頂点近傍の３箇所
のみをフック状部材７で保持するように構成されてい
る。種結晶３表面の面方位は｛０００１｝面とする。拡
大方向成長速度の最も大きい頂点近傍の３箇所のみを保
持しているのでＳｉＣ単結晶４の口径拡大はさほど妨げ
られず、ＳｉＣ種結晶裏面の保護層５は破損することな
くマクロ欠陥を抑制できるので、ＳｉＣ単結晶４を確実
に高品質、長尺に形成することができる。さらに、多角
形の成長結晶から丸型ＳｉＣウェハを切り出すときに効
率よく切り出すことが可能となり、大口径ＳｉＣ単結晶
を得ることができる。
向を＜１１−２０＞方向（図３（ｂ）の矢印の方向）と
した六角形からなるＳｉＣ種結晶３の頂点近傍の３箇所
のみをフック状部材７で保持するように構成されてい
る。種結晶３表面の面方位は｛０００１｝面とする。拡
大方向成長速度の最も大きい頂点近傍の３箇所のみを保
持しているのでＳｉＣ単結晶４の口径拡大はさほど妨げ
られず、ＳｉＣ種結晶裏面の保護層５は破損することな
くマクロ欠陥を抑制できるので、ＳｉＣ単結晶４を確実
に高品質、長尺に形成することができる。さらに、多角
形の成長結晶から丸型ＳｉＣウェハを切り出すときに効
率よく切り出すことが可能となり、大口径ＳｉＣ単結晶
を得ることができる。
【００６４】（第４実施形態）図４に、本発明の第４実
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図４に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図４に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
【００６５】本実施形態では、ＳｉＣ種結晶３の裏面周
縁部のみを接着剤６を介して種結晶保持材１ｂの内周縁
より下方に突出する筒状保持部１ｄで保持固定するよう
に構成されている。なお、本実施形態では、保持部１ｄ
の突出端をＬ字に屈曲させず、突出端面にＳｉＣ種結晶
３の裏面を接着する。このようにすれば、表面全面がＳ
ｉＣ単結晶４の成長面となり、また接着剤６との接着面
積が小さくかつ周縁部のみであるので、ＳｉＣ単結晶４
は口径拡大しながら、ＳｉＣ種結晶３裏面の保護層５は
破損することなくマクロ欠陥を抑制できる。よって、Ｓ
ｉＣ単結晶４を確実に高品質、長尺に形成することがで
きる。
縁部のみを接着剤６を介して種結晶保持材１ｂの内周縁
より下方に突出する筒状保持部１ｄで保持固定するよう
に構成されている。なお、本実施形態では、保持部１ｄ
の突出端をＬ字に屈曲させず、突出端面にＳｉＣ種結晶
３の裏面を接着する。このようにすれば、表面全面がＳ
ｉＣ単結晶４の成長面となり、また接着剤６との接着面
積が小さくかつ周縁部のみであるので、ＳｉＣ単結晶４
は口径拡大しながら、ＳｉＣ種結晶３裏面の保護層５は
破損することなくマクロ欠陥を抑制できる。よって、Ｓ
ｉＣ単結晶４を確実に高品質、長尺に形成することがで
きる。
【００６６】（第５実施形態）図５に、本発明の第５実
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図５に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第３実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図５に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第３実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
【００６７】本実施形態では、ＳｉＣ種結晶３の周囲を
接着剤６を介して種結晶保持材１ｂの内周縁に設けた筒
状保持部１ｄで保持するように構成されている。このよ
うにすれば、ＳｉＣ単結晶４は口径拡大しながら、Ｓｉ
Ｃ種結晶３裏面の保護層５は破損することなくマクロ欠
陥を抑制できるので、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、
長尺に形成することができる。
接着剤６を介して種結晶保持材１ｂの内周縁に設けた筒
状保持部１ｄで保持するように構成されている。このよ
うにすれば、ＳｉＣ単結晶４は口径拡大しながら、Ｓｉ
Ｃ種結晶３裏面の保護層５は破損することなくマクロ欠
陥を抑制できるので、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、
長尺に形成することができる。
【００６８】（第６実施形態）図６に、本発明の第６実
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図６に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図６に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
【００６９】本実施形態では、ＳｉＣ単結晶基板よりな
るＳｉＣ種結晶３を下方に凸となる形状としており、Ｓ
ｉＣ種結晶３は、周縁部表面を保持部１ｄに保持される
被保持面３ａ、これよりＳｉＣ原料２側に突出する中央
部表面を成長面３ｂとしている。すなわち、成長面３ｂ
は被保持面３ａに比べて凸部にあり、保持部１ｄに当接
することはない。また、保持部１ｄは外周壁を下方に向
けて縮径する逆テーパ状に形成してあって、このテーパ
面上に（これと垂直な方向に）堆積するＳｉＣ多結晶１
１が、成長するＳｉＣ単結晶４の成長を阻害しないよう
にしている。なお、種結晶保持材１ｂは、図６（ｂ）の
ように二分割構造としてあり、半円形状とした上面がＳ
ｉＣ種結晶３上方を覆っているため、蓋材１ｃは設けて
いない。
るＳｉＣ種結晶３を下方に凸となる形状としており、Ｓ
ｉＣ種結晶３は、周縁部表面を保持部１ｄに保持される
被保持面３ａ、これよりＳｉＣ原料２側に突出する中央
部表面を成長面３ｂとしている。すなわち、成長面３ｂ
は被保持面３ａに比べて凸部にあり、保持部１ｄに当接
することはない。また、保持部１ｄは外周壁を下方に向
けて縮径する逆テーパ状に形成してあって、このテーパ
面上に（これと垂直な方向に）堆積するＳｉＣ多結晶１
１が、成長するＳｉＣ単結晶４の成長を阻害しないよう
にしている。なお、種結晶保持材１ｂは、図６（ｂ）の
ように二分割構造としてあり、半円形状とした上面がＳ
ｉＣ種結晶３上方を覆っているため、蓋材１ｃは設けて
いない。
【００７０】このようにすれば、ＳｉＣ種結晶３は被保
持面３ａでのみ保持され、これよりＳｉＣ原料２側に突
出する成長面３ｂ上でのＳｉＣ単結晶４の成長を阻害し
ないので、ＳｉＣ単結晶４は口径拡大しながら、ＳｉＣ
種結晶裏面の保護層５は破損することなくマクロ欠陥を
抑制できる。よって、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、
長尺に形成することができる。
持面３ａでのみ保持され、これよりＳｉＣ原料２側に突
出する成長面３ｂ上でのＳｉＣ単結晶４の成長を阻害し
ないので、ＳｉＣ単結晶４は口径拡大しながら、ＳｉＣ
種結晶裏面の保護層５は破損することなくマクロ欠陥を
抑制できる。よって、ＳｉＣ単結晶４を確実に高品質、
長尺に形成することができる。
【００７１】（第７実施形態）図７に、本発明の第７実
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図７に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
施形態で用いる結晶成長装置を示す。以下、図７に基づ
いて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造について説
明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造工程につい
ては第１実施形態とほぼ同様であるため、異なる点につ
いてのみ説明する。
【００７２】本実施形態では、保護層５は炭素層で形成
されており、種結晶保持材１ｂの開口部を塞ぐ蓋材１ｃ
を用いずに、ＳｉＣ種結晶３裏面を保護層５である炭素
層を介して放射温度計１２にて温度モニタリングし、成
長中のＳｉＣ種結晶３裏面の温度を温度制御装置１３で
フィードバック制御しながら成長を行った。保護層５が
炭素層で形成されていれば、放射温度計１２は炭素を安
定にモニタリングできるので、放射温度計１２にて直接
温度モニタリングをすることが可能となる（他の物質
は、このような高温条件では常に放射率が変化し、安定
なモニタリングが不可能である）。このようにすれば、
成長中のＳｉＣ種結晶３裏面の温度をフィードバック制
御することで、結晶の成長速度を確実に制御できマクロ
欠陥の発生を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得る
ことができる。
されており、種結晶保持材１ｂの開口部を塞ぐ蓋材１ｃ
を用いずに、ＳｉＣ種結晶３裏面を保護層５である炭素
層を介して放射温度計１２にて温度モニタリングし、成
長中のＳｉＣ種結晶３裏面の温度を温度制御装置１３で
フィードバック制御しながら成長を行った。保護層５が
炭素層で形成されていれば、放射温度計１２は炭素を安
定にモニタリングできるので、放射温度計１２にて直接
温度モニタリングをすることが可能となる（他の物質
は、このような高温条件では常に放射率が変化し、安定
なモニタリングが不可能である）。このようにすれば、
成長中のＳｉＣ種結晶３裏面の温度をフィードバック制
御することで、結晶の成長速度を確実に制御できマクロ
欠陥の発生を抑制しつつ、高品位のＳｉＣ単結晶を得る
ことができる。
【００７３】（第８実施形態）図８に、本発明の第８実
施形態で用いる種結晶３と結晶成長装置を示す。以下、
図８に基づいて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造
について説明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造
工程については第１実施形態とほぼ同様であるため、異
なる点についてのみ説明する。
施形態で用いる種結晶３と結晶成長装置を示す。以下、
図８に基づいて本実施形態におけるＳｉＣ単結晶の製造
について説明するが、装置構成及びＳｉＣ単結晶の製造
工程については第１実施形態とほぼ同様であるため、異
なる点についてのみ説明する。
【００７４】本実施形態では、図８（ａ）のように、裏
面に微小開口１４を有する種結晶３を用い、その裏面を
閉塞物質１５で閉塞した後、保護層５を形成する。閉塞
物質１５としては、具体的には炭素スパッタ膜が用いら
れ、これを裏面全面に形成して微小開口１４を完全に閉
塞した後、その上に保護層５を設ける。これにより実質
的に裏面に微小開口１４を有さず、かつ保護層５で保護
された種結晶３が得られ、これを、第１実施形態と同様
の保持部１ｄにて保持し（図８（ｂ））、ＳｉＣ単結晶
４を成長させることで、マクロ欠陥の発生を抑制しつ
つ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
面に微小開口１４を有する種結晶３を用い、その裏面を
閉塞物質１５で閉塞した後、保護層５を形成する。閉塞
物質１５としては、具体的には炭素スパッタ膜が用いら
れ、これを裏面全面に形成して微小開口１４を完全に閉
塞した後、その上に保護層５を設ける。これにより実質
的に裏面に微小開口１４を有さず、かつ保護層５で保護
された種結晶３が得られ、これを、第１実施形態と同様
の保持部１ｄにて保持し（図８（ｂ））、ＳｉＣ単結晶
４を成長させることで、マクロ欠陥の発生を抑制しつ
つ、高品位のＳｉＣ単結晶を得ることができる。
【００７５】なお、保護層５を形成するのと同時に微小
開口１４を閉塞可能であれば、閉塞物質１５の層を形成
する工程は省略することもできる。また、閉塞物質１５
としては、その他、ＳｉＣ、炭素層、もしくは高融点金
属の炭化物からなるエピタキシャル膜、スパッタ膜、真
空蒸着膜等を使用してもよい。また、微小開口１４の閉
塞工程として、微小開口１４を炭素粒子によって埋める
工程を行ってもよい。
開口１４を閉塞可能であれば、閉塞物質１５の層を形成
する工程は省略することもできる。また、閉塞物質１５
としては、その他、ＳｉＣ、炭素層、もしくは高融点金
属の炭化物からなるエピタキシャル膜、スパッタ膜、真
空蒸着膜等を使用してもよい。また、微小開口１４の閉
塞工程として、微小開口１４を炭素粒子によって埋める
工程を行ってもよい。
【００７６】（他の実施形態）上記実施形態で示したＳ
ｉＣ原料粉末２は、シランガスやプロパンガス等のＳｉ
Ｃを形成可能な気体原料でもよい。また、上記実施形態
で示したＳｉＣ種結晶３と蓋材１ｃの間隔は７０μm に
とらわれるものではなく、数μm 以上あればよい。さら
に、上記各実施形態では、ＳｉＣ単結晶を昇華法で製造
する場合について説明したが、昇華法に限らず、液相成
長、固相成長、エピタキシャル成長等においても有効で
ある。また、本発明に基づいて製造可能な単結晶は、Ｓ
ｉＣ単結晶に限らず、成長温度において高い蒸気圧（１
ｍＴｏｒｒ以上）を持つ物質において同様の効果が得ら
れる。また、単結晶を製造する場合の他、単結晶基板を
加熱処理する場合に適用することもできる。
ｉＣ原料粉末２は、シランガスやプロパンガス等のＳｉ
Ｃを形成可能な気体原料でもよい。また、上記実施形態
で示したＳｉＣ種結晶３と蓋材１ｃの間隔は７０μm に
とらわれるものではなく、数μm 以上あればよい。さら
に、上記各実施形態では、ＳｉＣ単結晶を昇華法で製造
する場合について説明したが、昇華法に限らず、液相成
長、固相成長、エピタキシャル成長等においても有効で
ある。また、本発明に基づいて製造可能な単結晶は、Ｓ
ｉＣ単結晶に限らず、成長温度において高い蒸気圧（１
ｍＴｏｒｒ以上）を持つ物質において同様の効果が得ら
れる。また、単結晶を製造する場合の他、単結晶基板を
加熱処理する場合に適用することもできる。
【図１】（ａ）は本発明の第１実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面
図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面
図である。
【図３】（ａ）は本発明の第３実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面
図である。
【図４】（ａ）は本発明の第４実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ線断面
図である。
【図５】（ａ）は本発明の第５実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面
図である。
【図６】（ａ）は本発明の第６実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線断面
図である。
【図７】（ａ）は本発明の第７実施形態における結晶成
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線断面
図である。
長装置の構成を示す図、（ｂ）は（ａ）のＧ−Ｇ線断面
図である。
【図８】（ａ）は本発明の第８実施形態における種結晶
の微小開口の閉塞方法を説明するための図、（ｂ）は結
晶成長装置の構成を示す図である。
の微小開口の閉塞方法を説明するための図、（ｂ）は結
晶成長装置の構成を示す図である。
【図９】（ａ）は従来の結晶成長装置の構成を示す図、
（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ線断面図である。
１ るつぼ（容器） １ａ 容器本体 １ｂ 種結晶保持材 １ｃ 蓋材（蓋状部材、調整部材、温度分布調節部材） １ｄ 保持部 ２ ＳｉＣ原料粉末（炭化珪素原料） ３ ＳｉＣ種結晶（炭化珪素単結晶基板） ３ａ 被保持面 ３ｂ 成長面 ５ 保護層 ６ 接着剤 ７ フック状部材（保持部） １１ 炭化珪素多結晶 １２ 放射温度計 １３ 温度制御装置 １４ 微小開口 １５ 閉塞物質 １６ マクロ欠陥
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣瀬 富佐雄 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 小栗 英美 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 中村 大輔 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 岡本 篤人 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１株式会社豊田中央研究所内 (72)発明者 杉山 尚宏 愛知県愛知郡長久手町大字長湫字横道41番 地の１株式会社豊田中央研究所内 Ｆターム(参考） 4G077 AA02 BE08 DA18 ED05 ED06 EG03 EG04 SA01 SA04 SA12
Claims (21)
- 【請求項１】 容器内に、種結晶となる炭化珪素単結晶
基板を配置し、炭化珪素原料を供給して前記炭化珪素単
結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結
晶の製造方法において、 裏面に保護層を設けた前記炭化珪素単結晶基板を、前記
容器壁に設けた保持部に非接着で機械的に保持し、前記
炭化珪素単結晶基板の表面に前記炭化珪素原料を供給し
て、該表面上に炭化珪素単結晶を成長させることを特徴
とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記炭化珪素単結晶基板の裏面側へ前記
炭化珪素原料が侵入しないように、かつ前記炭化珪素単
結晶基板と前記保持部との接触面積が最小となるように
これを保持することを特徴とする請求項１に記載の炭化
珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項３】 前記炭化珪素単結晶基板の周縁部のみを
保持することを特徴とする請求項１または２に記載の炭
化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 前記保持部となるフック状部材にて、前
記炭化珪素単結晶基板を保持することを特徴とする請求
項１乃至３のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製
造方法。 - 【請求項５】 前記炭化珪素単結晶基板を１箇所もしく
は複数箇所において保持することを特徴とする請求項１
乃至４のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方
法。 - 【請求項６】 多角形状とした前記炭化珪素単結晶基板
を用い、その多角形頂点の複数箇所において、該頂点近
傍を別個に保持することを特徴とする請求項１乃至５の
いずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項７】 頂点と対角頂点とを結んだ方向を略＜１
１−２０＞方向とした六角形からなり面方位が略（００
０１）面の前記炭化珪素単結晶基板を用い、その六角形
頂点の複数箇所において、該頂点近傍を別個に保持する
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一つに記載
の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項８】 容器内に、種結晶となる炭化珪素単結晶
基板を配置し、炭化珪素原料を供給して前記炭化珪素単
結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単結
晶の製造方法において、 裏面に保護層を設けた前記炭化珪素単結晶基板の周縁部
のみを、前記容器壁に設けた保持部に接着剤で保持し、
前記炭化珪素単結晶基板の表面に前記炭化珪素原料を供
給して、該表面上に炭化珪素単結晶を成長させることを
特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項９】 前記炭化珪素単結晶基板を、前記炭化珪
素単結晶基板裏面の前記保護層とこれに対向する前記容
器壁の間に空隙を有して保持することを特徴とする請求
項１乃至８のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製
造方法。 - 【請求項１０】 前記空隙の間隔を調整するための調整
部材を設けることを特徴とする請求項９に記載の炭化珪
素単結晶の製造方法。 - 【請求項１１】 前記炭化珪素単結晶基板裏面の前記保
護層に対向して、前記保持部とは熱伝導率が異なる材質
よりなる温度分布調節部材を設け、前記温度調節部材に
よって、前記炭化珪素単結晶基板の温度分布を調節する
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一つに記
載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１２】 前記容器壁に設けた開口部内にまたは
開口部を閉鎖するように前記炭化珪素単結晶基板を保持
し、前記炭化珪素単結晶基板の裏面側を外部空間に露出
させることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つ
に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１３】 前記保護層が、炭素層、高融点金属炭
化物層、炭化珪素エピタキシャル層、炭化珪素多結晶
層、炭化珪素アモルファス層またはそれらの多層膜で形
成されていることを特徴とする請求項１乃至１２のいず
れか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１４】 前記保護層が炭素層で形成されてお
り、前記炭化珪素単結晶基板裏面の温度を前記炭素層を
介して放射温度計にて温度モニタリングし、成長中の前
記炭化珪素単結晶基板裏面の温度をフィードバック制御
することを特徴とする請求項１乃至８および１２、１３
のいずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１５】 裏面に前記保護層を設けた前記炭化珪
素単結晶基板が、表面に被保持面と成長面を有し、前記
成長面が前記被保持面より前記炭化珪素原料の供給源側
に突出していることを特徴とする請求項１乃至１４のい
ずれか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１６】 裏面に微小開口を有する前記炭化珪素
単結晶基板の、前記微小開口を閉塞させた後に前記保護
層を設け、もしくは前記保護層により前記微小開口を閉
塞させた後に、前記炭化珪素単結晶基板の表面に単結晶
を成長させることを特徴とする請求項１乃至１５のいず
れか一つに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１７】 容器内に、種結晶となる炭化珪素単結
晶基板を配置し、炭化珪素原料を供給して前記炭化珪素
単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単
結晶の製造装置において、裏面に保護層を設けた炭化珪
素単結晶基板を、前記容器壁に設けた開口部内にまたは
開口部を閉鎖するように配置して、該開口部に設置した
保持部にて保持するとともに、前記開口部を前記保護層
との間に空隙を有して閉鎖し、かつ前記空隙の間隔を調
整する蓋状の調整部材を備えることを特徴とする炭化珪
素単結晶の製造装置。 - 【請求項１８】 容器内に、種結晶となる炭化珪素単結
晶基板を配置し、炭化珪素原料を供給して前記炭化珪素
単結晶基板上に炭化珪素単結晶を成長させる炭化珪素単
結晶の製造装置において、裏面に保護層を設けた炭化珪
素単結晶基板を、前記容器壁に設けた開口部内にまたは
開口部を閉鎖するように配置して、該開口部に設置した
保持部にて保持し、前記保護層を外部空間に露出させた
ことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 【請求項１９】 種結晶となる炭化珪素単結晶基板とそ
の裏面に設けた保護層を備え、前記炭化珪素単結晶基板
の表面が、被保持面と該被保持面に比べて凸部にある成
長面とを有している炭化珪素単結晶成長用基板。 - 【請求項２０】 容器内に、種結晶となる単結晶基板を
配置し、成長しようとする単結晶の原料を供給して前記
単結晶基板上に単結晶を成長させる単結晶の製造方法に
おいて、 裏面に保護層を設けた前記単結晶基板を、前記容器壁に
設けた保持部に非接着で機械的に保持し、もしくは前記
保持部に周縁部のみを接着させて保持して、前記単結晶
基板の表面に前記原料を供給して、該表面上に単結晶を
成長させることを特徴とする単結晶の製造方法。 - 【請求項２１】 容器内に配置した単結晶基板を加熱処
理する方法において、裏面に保護層を設けた前記単結晶
基板を、前記容器壁に設けた保持部に非接着で機械的に
保持し、この状態で加熱処理することを特徴とする単結
晶の加熱処理方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401550A JP4275308B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 |
| US10/024,471 US6786969B2 (en) | 2000-12-28 | 2001-12-21 | Method and apparatus for producing single crystal, substrate for growing single crystal and method for heating single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000401550A JP4275308B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002201097A true JP2002201097A (ja) | 2002-07-16 |
| JP4275308B2 JP4275308B2 (ja) | 2009-06-10 |
Family
ID=18865968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000401550A Expired - Lifetime JP4275308B2 (ja) | 2000-12-28 | 2000-12-28 | 炭化珪素単結晶の製造方法およびその製造装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6786969B2 (ja) |
| JP (1) | JP4275308B2 (ja) |
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